TWI430052B - A drawing system, a correction device for a tracing data, a method of manufacturing the substrate, a computer program product - Google Patents

A drawing system, a correction device for a tracing data, a method of manufacturing the substrate, a computer program product Download PDF

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Description

描圖系統、描圖資料的修正裝置與修正方法、基板的製造方法以及電腦程式產品
本發明係有關於一種以做為原版的光罩(reticulum)或直接地對印刷基板或矽晶圓等的的被描圖體形成電路圖案等的圖案的描圖裝置。特別是關於對應於基板的變形而修正描圖位置的處理。
在基板等的被描圖體的製程中，對於塗佈了光阻等的感光材料的被描圖體實施為了形成圖案的描圖處理。經過了顯像處理、蝕刻或鍍膜處理、光阻剝離等的製程，在被描圖體上形成圖案。例如，在使用使LCD、DMD、SLM(Spatial Light Modulators)等光調變元件做二維排列的光調變單元的描圖裝置中，使光調變單元形成的照射區域(以下稱曝光區域)對於基板做相對性的掃描，同時對應於描圖圖案以既定的時序控制各光調變元件。
由於基板本身由熱處理、堆積等因素而變形，設有對準調整用的標記，在基板變形的狀態下，根據所量測的定位標記，修正圖案的描圖位置。特別是，相對於一片基板將小尺寸的描圖圖案分割成複數個而描圖的情況下，對於各描圖圖案的描圖區域，設定在其四角構成矩形的對準標記，根據實際量測到的對準標記的位置，算出基板變形所造成的重心位置的偏移以及描圖區域的旋轉傾斜角等。然後，根據算出的資料修正描圖位置(參照專利文獻1、2)
專利文獻1 特開2005－300628號公報專利文獻2 特開2000－122303號公報
由於基板變形的狀態是不均一的，在各描圖區域的中心附近以及其以外，例如在邊界附近，基板的變形方向、變形量等的變形狀態是不同的。因此，根據關於重心位置等描圖區域的代表性的位置(中心位置等)的變動量而修正在該區域內的各描圖資料的描圖位置的情況下，關於邊界附近的描圖位置未被修正至適當的位置，無法配合基板的變形而形成高精度的圖案。
本發明的描圖系統為對應於基板的變形而適當地修正描圖資料的位置的描圖系統，包括光源與根據具有基於對於被描圖體而制定的座標系的座標位置而調變來自光源的照明光的至少一個光調變元件。例如修正具有如向量資料的位置座標資訊的描圖資料的位置座標，而轉換成光柵資料等而進行描圖處理。又，光調變元件可為DMD、LCD等複數個光調變元件做二維規則性的排列而形成。
又，描圖系統包括：在被描圖體變形的狀態下可量測設定於被描圖體的四個量測用指標的位置的量測裝置、產生修正描圖資料的位置座標的描圖資料(修正描圖資料)的修正裝置、以及根據修正描圖資料而控制光調變元件以形成描圖圖案的描圖處理裝置。
在被描圖體變形前，量測用指標被設定於被描圖體上而構成基準矩形的頂點。於此，基準矩形由略呈長方形或略呈正方形的矩形構成，表示由相向的一對平行邊(以下稱一對第一基準邊)與另一對平行邊(以下稱一對第二基準邊)構成的矩形。量測用標記係例如將標記印在被描圖體上，或者是在被描圖體上形成量測用的孔。在例如在基板上分割複數個描圖圖案而進行描圖處理的情況下，基準矩形的區域做為各描圖圖案的描圖區域而決定。為了容易計算座標，一對第一及第二的基準邊係分別平行於用於制定出座標系的正交的第一、第二軸(X軸、Y軸)，而設定四個量測用指標。
當被描圖體變形時，從以所量測的四個量測用指標做為頂點的完全矩形制定出形狀崩潰的四角形(以下稱變形矩形)。變形矩形係由對應於一對第一基準邊的一對邊(以下稱一對第一變動邊)與對應於一對第二基準邊的一對邊(以下稱一對第二變動邊)所構成。
在本發明中，修正裝置將描圖資料的位置座標所制定的描圖位置修正為既定的位置(修正位置)，而維持從一對邊算起的距離比。於此，從一對第一變動邊起到沿著一對第二基準邊的描圖資料的修正位置為止的距離比係與從一對第一基準邊起到沿著一對第二基準邊的描圖資料的基準位置為止的距離比相同，同時使從一對第二變動邊起到沿著一對第一基準邊的描圖資料的修正位置為止的距離比係與從一對第二基準邊起到沿著一對第一基準邊的描圖資料的基準位置為止的距離比相同。例如，基準矩形平行於第一、第二軸的情況下，描圖位置修正為沿著第一及第二軸而從一對邊算起的距離比相同。由於沿著基準矩形相互垂直的邊算出描圖位置的移動量，算出對應於成為對象的在描圖位置上的被描圖體的變形方向、變形量，描圖區域內的描圖位置並非以相同的修正量做修正，可配合各描圖位置而對位置做修正。
本發明之描圖資料修正裝置包括：一量測裝置，為了構成相向的一對第一基準邊與一對第二基準邊所形成的基準矩形的頂點，在被描圖體變形的狀態下，可量測設定於上述被描圖體的四個量測用指標的位置；以及一修正裝置，以量測到的四個量測用指標作為頂點，根據對應於一對第一基準邊的一對第一變動邊以及對應於一對第二基準邊的一對第二變動邊所構成的變形矩形，修正描圖資料的位置座標，而產生修正描圖資料。修正裝置修正描圖資料的位置座標，使得從一對第一變動邊起到沿著一對第二基準邊的描圖資料的修正位置為止的距離比係與從一對第一基準邊起到沿著一對第二基準邊的描圖資料的基準位置為止的距離比相同，同時使從一對第二變動邊起到沿著一對第一基準邊的描圖資料的修正位置為止的距離比係與從一對第二基準邊起到沿著一對第一基準邊的描圖資料的基準位置為止的距離比相同。
本發明之程式包括下列功能：使一量測裝置產生作用，該量測裝置為了構成相向的一對第一基準邊與一對第二基準邊所形成的基準矩形的頂點，在被描圖體變形的狀態下，可量測設定於被描圖體的四個量測用指標的位置；使一修正裝置產生作用，該修正裝置以量測到的四個量測用指標作為頂點，根據對應於一對第一基準邊的一對第一變動邊以及對應於一對第二基準邊的一對第二變動邊所構成的變形矩形，修正描圖資料的位置座標，而產生修正描圖資料；使修正裝置產生作用，修正描圖資料的位置座標，使得從一對第一變動邊起到沿著一對第二基準邊的描圖資料的修正位置為止的距離比係與從一對第一基準邊起到沿著一對第二基準邊的描圖資料的基準位置為止的距離比相同，同時使從一對第二變動邊起到沿著一對第一基準邊的描圖資料的修正位置為止的距離比係與從一對第二基準邊起到沿著一對第一基準邊的描圖資料的基準位置為止的距離比相同。
本發明之描圖資料的修正方法，包括下列步驟：為了構成相向的一對第一基準邊與一對第二基準邊所形成的基準矩形的頂點，在被描圖體變形的狀態下，量測設定於被描圖體的四個量測用指標的位置；以量測到的四個量測用指標作為頂點，根據對應於一對第一基準邊的一對第一變動邊以及對應於一對第二基準邊的一對第二變動邊所構成的變形矩形，修正描圖資料的位置座標，而產生修正描圖資料；其中修正裝置修正上述描圖資料的位置座標，使得從一對第一變動邊起到沿著一對第二基準邊的描圖資料的修正位置為止的距離比係與從一對第一基準邊起到沿著一對第二基準邊的描圖資料的基準位置為止的距離比相同，同時使從一對第二變動邊起到沿著一對第一基準邊的描圖資料的修正位置為止的距離比係與從一對第二基準邊起到沿著一對第一基準邊的描圖資料的基準位置為止的距離比相同。
本發明之基板的製造方法包括下列步驟：1)在空白的基板上塗佈感光材料；2)對於塗佈後的基板進行描圖處理；3)對於描圖處理後的基板進行顯像處理；4)對於顯像處理後的基板進行蝕刻或鍍膜處理；5)對於蝕刻或鍍膜處理後的基板進行感光材料的剝離處理；其中在描圖處理中，藉由上述之描圖資料修正方法修正描圖資料。
根據本發明，對應於基板等被描圖體的變形而適當地修正描圖位置，而可形成精度佳的描圖圖案。
以下參照圖式說明本發明之實施形態。
第1圖為本實施形態的描圖系統的示意的立體圖。第2圖為設於描圖裝置的曝光單元的示意圖。第3圖為表示曝光區域EA的相對移動，即曝光區域EA的掃描的示意圖。
描圖系統包括描圖裝置10。描圖裝置10為對表面塗佈有光阻等的感光材料的基板SW照射光線而形成電路圖案的裝置，包括閘門狀構造體12及基台14。在基台14上搭載著支持X－Y台座18的X－Y台座驅動機構19，在X－Y台座18上設置基板SW。在閘門狀構造體12上設有在基板SW的表面上形成電路圖案的曝光單元20，配合X－Y台座18的移動而使曝光單元20動作。
又，描圖系統包括控制X－Y台座18的移動及曝光單元20的動作的描圖控制部30。描圖控制部30係由控制單元30A、鍵盤30B、以及監視器30C所構成，操作員設定曝光條件等。基板SW為例如矽晶圓、薄膜、玻璃基板或鋪銅多層板，在實施預烤處理及光阻的塗佈等處理後的空白狀態下，搭載於X－Y台座18上。
在SW基板上，由於形成四個相同尺寸的描圖圖案，分割為四個描圖區域，在各描圖區域GR的四個角落，形成供描圖位置做對準調整的對準孔AM。在閘門狀構造體12上，用來檢測對準孔AM位置的CCD13安裝成朝向基板SW的方向，根據X－Y台座18的移動而檢測出對準孔AM。對於基板SW，制訂出相互垂直的X－Y座標，根據X－Y座標而進行對準調整。於此，將主掃瞄方向定為X方向，副掃瞄方向定為Y方向。
如第2圖所示，曝光單元20包括光源21、DMD(Digital Micro－mirror Device)22以及作為曝光用光學系的照明光學系24、成像光學系26，在光源21與DMD22之間配置照明光學系24，在DMD22與基板SW之間配置成像光學系26。半導體雷射等的光源21連續地放射一定強度的光束，放射的光被導入照明光學系24。照明光學系24係由擴散板24A與準直透鏡24B構成，光束LB通過照明光學系24，被成形為照明DMD22全體的光束。而且，不僅是第2圖所示的DMD22，複數個DMD係沿主掃瞄方向(X方向)配置，從光源22放射的光束經由光纖(未圖示)傳遞至各DMD。
DMD22為微米(μm)等級的微小的微面鏡成陣列狀配置的光調變單元，各微小鏡面藉由靜電場的作用而旋轉變動。在本實施例中，DMD22為M×N個微小鏡面配置成陣列狀而形成，以下係以對應於配列(i,j)的位置的微面鏡以「Xij」(1≦i≦M，1≦j≦N)表示。例如，由1024×768的微面鏡構成DMD22。
微面鏡Xij係以將來自光源21的光束LB朝基板SW的曝光面SU的方向反射的第一姿勢與朝曝光面SU外的方向反射的第二姿勢其中之一的姿勢而定位，根據來自控制單元30A的控制訊號作姿勢的切換。在微面鏡Xij以第一姿勢定位的情況下，在微面鏡Xij上反射的光被導向成像光學系26。示意地表示的成像光學系26係由二個凸透鏡與反射透鏡(未圖示)構成，通過成像光學系26的光照射於形成有光阻層的曝光面SU的既定區域。
另一方面，微面鏡Xij以第二姿勢定位的情況下，由微面鏡Xij反射的光被導向光吸收板(未圖示)，光不被照射到曝光面SU上。以下以微面鏡Xij在第一姿勢支持的狀態為ON狀態，以第二姿勢支持的狀態為OFF狀態。
成像光學系26的倍率由於在此定為1倍，一個微面鏡Xij的照射區域Yij的尺寸(寬、高)與微面鏡Xij的尺寸相同。對應於微面鏡Xij的副掃瞄方向(Y方向)的高度以h表示，對應於掃瞄方向(X方向)的寬度以l表示，而具有l×h的尺寸的照射區域(以下稱微小區域)。微面鏡Xij為正方形(h＝l)，又，相對於圖案的線寬，微面鏡Xij的尺寸非常微小，一片的長度定為數μm~數十μm。
DMD22的尺寸係根據電視機的顯示規格而定，對應於DMD22的主掃瞄方向為橫方向，對應於副掃瞄方向為縱方向，寬度(橫方向長度)及高度(縱方向長度)係分別以「W」、「K」表示，DMD22的長寬比(橫縱比W：K)定為3：4。
在X－Y台座18停止的狀態下，所有的微面鏡為ON的狀態的情況下，在曝光面SU上，照射出具有既定尺寸的區域EA(以下稱此區域為曝光區域)。由於成像光學系26的倍率為1倍，D×R＝K×W(＝(M×h)×(N×l))的關係成立。
在DMD22中，由於微面鏡Xij係個別獨立控制ON/OFF，照射DMD22全體的光變成由各微面鏡選擇性地反射的光的光束所構成的光。結果，在曝光面SU上，在曝光區域EA所在的任意區域Ew上，照射對應於形成在該處的所有電路圖案的光。根據光柵掃瞄，X－Y台座18以既定的速度移動，隨著此移動，曝光區域EA係沿主掃瞄方向(X方向)在曝光面SU上以既定速度移動，電路圖案係沿主掃瞄方向(X方向)形成。
X－Y台座18以既定速度移動的期間，使微小區域的照射位置Yij錯開，即使其重疊而實行曝光動作。即，在既定的曝光動作時間間隔(曝光週期)中反覆而實施使開始投射光的微面鏡Xij的ON切換控制，同時排列於X方向上的數位微鏡依次在向既定的區域投射光之際，決定曝光動作時間間隔以及掃瞄速度，使依次照射的微小區域的位置部分地重疊(overlap)。於此，對應於微面鏡Xij的微小區域Yij的寬度l的區間l在比曝光區域EA移動所需的時間短的時間間隔中實施曝光動作。
藉由如此的曝光動作的時序控制，基板SW以既定的速度做相對性的移動，曝光區域EA每前進距離d(<1)則反覆進行曝光區域的動作。又，在一次的曝光動作中，微面鏡被控制使各微面鏡ON狀態持續的時間比曝光區域EA前進距離d所需的時間短。於此，曝光區域EA前進距離Ld(<d)的時間中微面鏡維持在ON狀態，曝光區域EA移動其餘的距離的期間，各微面鏡維持在OFF狀態。
沿著一個掃瞄帶SB完成掃瞄後，X－Y台座18在Y方向(副掃瞄方向)移動距離D，而相對移動下一掃瞄帶(參照第3圖)。曝光區域EA往復且掃瞄所有的掃瞄帶時，掃瞄處理完畢。在掃瞄處理後，實施顯像處理、蝕刻或鍍膜、光阻剝離處理等，製造出形成有電路圖案的基板。
第4圖為描圖系統的方塊圖。
描圖控制部30的控制單元30A包括系統控制電路32、DMD控制電路34、台座位置控制部38、對齊標記檢測部40、資料演算部42以及光源控制部44。包含CPU、RAM、ROM等的系統控制電路32控制描圖裝置10全體，將控制訊號送出至將光從光源21放出的光源控制部44，同時對於DMD控制部34輸出供控制曝光時序的控制訊號。DMD控制部34根據預先儲存於ROM中的描圖處理用程式而控制DMD22。
電路圖案資料為向量資料(CAM資料)而從工作站(未圖示)輸入至控制單元30A的資料輸入部41，而記憶在屬於暫存性記憶體的資料緩衝區43中。當圖案資料送至資料演算部42時，向量資料對應於光柵掃瞄而轉換成光柵資料，而輸送至DMD控制部34。向量資料為具有描圖圖案的位置座標資訊，具有根據X－Y座標系的位置座標資料。光柵資料為表示微面鏡的ON/OFF其中之一的二進位資料，表示成電路圖案的二維點陣圖案。
在DMD控制部34中，光柵資料係配合曝光區域EA的相對位置在既定的時序中依次讀出。即，根據讀出的二維點陣資料與從位置控制部38送出的曝光區域EA的相對位置資訊，將控制微面鏡ON/OFF的控制訊號輸出至DMD22。台座位置控制部38係控制具備馬達(未圖示)的X－Y台座驅動機構19，藉此控制X－Y台座18的移動速度等。又，台座位置控制部38係檢測相對於曝光區域EA的X－Y台座18的相對性位置。
從CCD13讀出的對準孔AM的檢測訊號被輸送至對準標記檢測部40，藉此檢測出對準孔AM的位置資訊，對準孔AM的位置資訊係經由資料緩衝區43輸送至資料演算部42。在資料演算部42，根據對準孔AM的位置資訊，修正向量資料的位置座標，根據修正後的向量資料而產生光柵資料。
第5、6圖為表示描圖位置的修正處理程序的圖。
當在基板SW的一個描圖區域GR內形成對準孔AM時，四個對準孔AMO1 ~AMO4 被定位，而沿X－Y座標系構成平行的矩形Z0(基準矩形)的頂點。於此，矩形Z0係以中心線表示。
當塗佈了光阻的基板SW被置於X－Y台座18而進行描圖處理時，由於熱等原因使基板SW變形，對準孔AMO1 ~AMO4 的位置偏移，於此，從X－Y座標系見到的變形後的對準孔(以下稱量測對準孔)以符號「AM1 ~AM4」表示，以量測對準孔AM1~AM4 作為頂點所構成的四角形Z(變形矩形)以虛線表示。
在本實施型態中，考慮沿著矩形Z0的各邊的方向，即沿著X方向、Y方向的基板SW的變形量，修正描圖資料的位置座標。首先，根據呈長方形的矩形Z0與變形後的四角形Z，沿著相對的邊構成二個梯形。
沿著基準矩形Z0的X方向而通過平行的一對邊TA1、TA2的直線與分別通過量測對準孔AM2 、AM3 及量測對準孔AM1 、AM4 而通過沿著基準矩形Z0的Y方向而對應於平行的一對邊TB1、TB2的一對邊SB1、SB2的直線的交點為Q1、Q2、Q3、Q4，在平行的一對邊TA1、TA2上具有上底、下底，而定出以Q1、Q2、Q3、Q4為頂點的梯形SQ1(以實線表示)。
同樣地，沿著基準矩形Z0的Y方向而通過平行的一對邊TB1、TB2的直線與分別通過量測對準孔AM1 、AM2 及量測對準孔AM4 、AM3 而通過沿著基準矩形Z0的X方向而對應於平行的一對邊TA1、TA2的一對邊SA1、SA2的直線的交點為R1、R2、R3、R4，在平行的一對邊TB1、TB2上具有上底、下底，而定出以R1、R2、R3、R4為頂點的梯形SQ2(以實線表示)。
如第6圖所示，關於對應於描圖區域GR內的任意的描圖資料的位置座標的描圖位置PD，當X方向的描圖位置為從沿著基準矩形Z0的X方向的一對邊TB1、TB2算起的距離的比m：n的位置時，沿著基板SW的變形後的描圖資料的X方向的位置PD’x被設定在從四角形Z的一對邊SB1、SB2算起的距離比為m：n的位置。
同樣地，當Y方向的描圖位置為從沿著基準矩形Z0的X方向的一對邊TA1、TA2算起的距離的比M：N的位置時，沿著基板SW的變形後的X方向的位置PD’y被設定在從四角形Z的一對邊SA1、SA2算起的距離比為M：N的位置。
然後，根據求得的描圖資料的X方向的位置PD’x、Y方向的位置PD’y，將描圖資料的基板變形後的位置PD’(PD’x，PD’y)設定為修正位置(參照第6圖)。描圖資料的修正位置PD’係視沿著X方向、Y方向的基板SW的變形方向、變形量而定。
第7圖為描圖處理的流程圖。第8圖為表示設定的對準孔與量測對準孔的座標的圖。第9圖為表示修正後的描圖資料的位置PP的圖。
在步驟S101中，來自工作站等的作為描圖資料的向量資料被送至描圖系統30，而暫時性地儲存於資料緩衝區43中。在步驟S102中，在對準標記檢測部40中，檢測出所量測的對準孔的位置座標。然後，在步驟S103中，根據所量測的對準孔的位置座標，進行以下所示的計算。
如第8圖所示，變形前的基準對準孔的位置座標為H0(xh0，yh0)、H1(xh1，yh1)、H2(xh2，yh2)、H3(xh3，yh3)，當變形後的量測對準孔的位置座標為M0(xm0，ym0)、M1(xm1，ym1)、M2(xm2，ym2)、M3(xm3，ym3)時，連結對準孔H3、H0的直線與Y座標的交點「b03」為yh0，連結對準孔H1、H2的直線與Y座標上的交點「b12」為yh1。又，連結對準孔H2、H3的直線與X座標的交點「b23」為xh2，連結對準孔H1、H0的直線與X座標上的交點「b10」為xh1。
另一方面，通過變形後的量測對準孔M3、M0的直線的斜率A03與Y座標上的交點B03係分別以下列的式子求得。
A03＝(ym0－ym3)/(xm0－xm3) (1) B03＝ym0－A03×xm0 (2)
同樣地，通過量測對準孔M1、M2的直線的斜率A12與Y座標上的交點B12係分別以下列的式子求得。
A12＝(ym1－ym2)/(xm1－xm2) (3) B12＝ym1－A12×xm1 (4)
而且，通過變形後的量測對準孔M2、M3的直線的斜率A23與X座標上的交點B23係分別以下列的式子求得。但是對應於X座標的斜率係於此求出。
A23＝(xm2－xm3)/(ym2－ym3) (5) B10＝xm2－A23×ym2 (6)
同樣地，通過變形後的量測對準孔M1、M0的直線的斜率A10與X座標上的交點B10係分別以下列的式子求得。
A10＝(xm1－xm0)/(ym1－ym0) (7) B23＝xm1－ A10×ym1 (8)
當實施步驟S103時，進入步驟S104。
在步驟S104中，藉由以下所示的計算處理，而修正描圖資料的位置座標，修正後的描圖資料係儲存於資料緩衝區43中。
修正前的描圖資料的位置座標為P(x，y)，修正後的描圖資料的位置座標為PP(x’，y’)。又，若通過P(x，y)而平行於X軸的直線與通過變形前的對準孔H2、H3的直線以及通過對準孔H1、H0的交點分別為Ph1(xh1，y)、Phr(xhr，y)，通過P(x，y)而平行於Y軸的直線與通過變形前的對準孔M2、M3的直線以及通過對準孔M1、M0的交點分別為Pm1(xm1，y)、Pmr(xmr，y)，修正後的描圖資料的X座標x’係以以下的式子求得。
x’＝(x－xh1)×xsc＋xm1 (9)在此xh1＝b23 (10) xhr＝b10 (11) xm1＝A23×y＋B23 (12) xsc＝(xmr－xm1)/(xhr－xh1) (13)
而且，xsc為沿著描圖資料的位置座標P的X方向的基準矩形與變形矩形的比例。
同樣地，若通過P(x，y)而平行於Y軸的直線與通過變形前的對準孔H3、H0的直線以及通過對準孔H2、H1的交點分別為Phd(x，yhd)、Phh(x，yhu)，通過P(x，y)而平行於Y軸的直線與通過變形前的對準孔M3、M0的直線以及通過對準孔M2、M1的交點分別為Pmd(x，ymd)、Pmh(x，ymu)，修正後的描圖資料的Y座標y’係以以下的式子求得。
y＝(y－yhd)ysc＋ymd (14)在此yhd＝b03 (15) yhu＝b12 (16) ymd＝A03×x＋B03 (17) ymu＝A12×x＋B12 (18) ysc＝(ymu－ymd)/(xhu－xhd) (19)
而且，ysc為沿著描圖資料的位置座標P的Y方向的基準矩形與變形矩形的比例。
如此的描圖資料的位置修正係對各描圖資料實施。然後，在步驟S105中，根據修正後的向量資料產生光柵資料，而根據光柵資料控制DMD22 ON/OFF。
根據以上的實施型態，，為了維持從基準矩形Z0的一對邊TA1、TA2以及一對邊TB1、TB2算起的距離比(m：n及M：N)，對於變形後的四角形Z的一對邊TA1及TA2及一對邊TB1、TB2，描圖資料的位置座標，即描圖位置沿著X、Y方向移動。藉此，可修正至配合該描圖位置的基板的變形方向及變形量的所謂的變形狀態，描圖區域的各描圖位置係配合基板的變形而做適當的修正。
也可根據向量資料以外的資料進行修正。又，可適用於DMD以外的所謂的LCD的光調變元件。甚至也可適用於以AOM等的光調變元件掃瞄雷射光束的描圖裝置。關於描圖裝置，並不限定於描圖區域內，在區域外亦可。在此情況下，除了從一對邊算起的內分比之外，也可使用外分比。
四個對準孔從矩形的頂點位置偏移而設定亦可。在此情況下，在式(1)~(4)中，考慮連結H1~H4的直線的X、Y方向的斜率。即使對於不平行於X、Y座標的矩形，以座標轉換而修正處理亦可。
10．．．描圖裝置
20．．．曝光單元
22．．．DMD(光調變單元)
30．．．描圖控制部
30A．．．控制單元
32．．．系統控制電路
34．．．DMD控制部
38．．．台座位置控制部
40．．．對準標記檢測部
42．．．資料演算部
43．．．資料緩衝區
SW．．．基板(被描圖體)
EA．．．曝光區域
Xij．．．微面鏡
Z0．．．基準矩形
Z．．．四角形(變形矩形)
PD．．．描圖位置
PD’．．．修正位置
X．．．X座標(第一軸)
Y．．．Y座標(第二軸)
Yij．．．微小區域(曝光區域)
AM1~AM4．．．量測對準孔(量測用指標)
TA1、TA2．．．一對的邊(一對第一基準邊)
TB1、TB2．．．一對的邊(一對第二基準邊)
SA1、SA2．．．一對的邊(一對第一變動邊)
SB1、SB2．．．一對的邊(一對第二變動邊)
第1圖為本實施型態的描圖系統的示意的立體圖。
第2圖為設於描圖裝置的曝光單元的示意圖。
第3圖為表示曝光單元的相對移動，即表示曝光區域掃瞄的圖。
第4圖為曝光系統的方塊圖。
第5圖為表示描圖位置的修正處理程序的前半部的圖。
第6圖為表示描圖位置的修正處理程序的後半部的圖。
第7圖描圖處理的流程圖。
第8圖為表示設定後的對準孔與量測對準孔的座標的圖。
第9圖為表示修正後的描圖資料的位置的圖。
TA1、TA2．．．一對的邊(一對第一基準邊)
TB1、TB2．．．一對的邊(一對第二基準邊)
SA1、SA2．．．一對的邊(一對第一變動邊)
SB1、SB2．．．一對的邊(一對第二變動邊)
Z0．．．基準矩形
Z．．．四角形(變形矩形)
PD．．．描圖位置
PD’．．．修正位置

Claims (8)

  1. 一種描圖系統，包括：一光源；至少一光調變元件，對應於被描圖體，根據具有基於所規定的座標系的位置座標的描圖資料，而調變來自光源的照明光；一量測裝置，在被描圖體變形的狀態下，可量測設定於上述被描圖體的四個量測用指標的位置，上述被描圖體的四個量測用指標構成相向的一對第一基準邊與一對第二基準邊所形成的基準矩形的頂點；一修正裝置，以量測到的上述四個量測用指標作為頂點，根據對應於上述一對第一基準邊的一對第一變動邊以及對應於上述一對第二基準邊的一對第二變動邊所構成的變形矩形，修正描圖資料的位置座標，而產生修正描圖資料；以及一描圖處理裝置，控制上述光調變元件，使其根據修正描圖資料而形成描圖圖案；其中上述修正裝置修正上述描圖資料的位置座標，使得從上述一對第一變動邊起到沿著上述一對第二基準邊的描圖資料的修正位置為止的距離比係與從上述一對第一基準邊起到沿著上述一對第二基準邊的描圖資料的基準位置為止的距離比相同，同時使從上述一對第二變動邊起到沿著上述一對第一基準邊的描圖資料的修正位置為止的距離比係與從上述一對第二基準邊起到沿著上述一對第一基準 邊的描圖資料的基準位置為止的距離比相同。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之描圖系統，其中上述四個量測用指標被設定成使上述一對第一及第二基準邊分別與規定上述座標系的相互垂直的第一、第二軸平行。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之描圖系統，其中上述光調變元件係由二維的規則性排列的複數個光調變元件所構成。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之描圖系統，其中上述描圖資料為向量資料。
  5. 一種描圖資料修正裝置，包括：一量測裝置，在被描圖體變形的狀態下，可量測設定於上述被描圖體的四個量測用指標的位置，上述被描圖體的四個量測用指標構成相向的一對第一基準邊與一對第二基準邊所形成的基準矩形的頂點；以及一修正裝置，以量測到的上述四個量測用指標作為頂點，根據對應於上述一對第一基準邊的一對第一變動邊以及對應於上述一對第二基準邊的一對第二變動邊所構成的變形矩形，修正描圖資料的位置座標，而產生修正描圖資料，其中上述修正裝置修正上述描圖資料的位置座標，使得從上述一對第一變動邊起到沿著上述一對第二基準邊的描圖資料的修正位置為止的距離比係與從上述一對第一基準邊起到沿著上述一對第二基準邊的描圖資料的基準位置為止的距離比相同，同時使從上述一對第二變動邊起到沿著上述一對第一基準邊的描圖資料的修正位置為止的距離 比係與從上述一對第二基準邊起到沿著上述一對第一基準邊的描圖資料的基準位置為止的距離比相同。
  6. 一種電腦程式產品，包括下列功能：使一量測裝置產生作用，該量測裝置在被描圖體變形的狀態下，可量測設定於上述被描圖體的四個量測用指標的位置，上述被描圖體的四個量測用指標構成相向的一對第一基準邊與一對第二基準邊所形成的基準矩形的頂點；使一修正裝置產生作用，該修正裝置以量測到的上述四個量測用指標作為頂點，根據對應於上述一對第一基準邊的一對第一變動邊以及對應於上述一對第二基準邊的一對第二變動邊所構成的變形矩形，修正描圖資料的位置座標，而產生修正描圖資料；使上述修正裝置產生作用，修正上述描圖資料的位置座標，使得從上述一對第一變動邊起到沿著上述一對第二基準邊的描圖資料的修正位置為止的距離比係與從上述一對第一基準邊起到沿著上述一對第二基準邊的描圖資料的基準位置為止的距離比相同，同時使從上述一對第二變動邊起到沿著上述一對第一基準邊的描圖資料的修正位置為止的距離比係與從上述一對第二基準邊起到沿著上述一對第一基準邊的描圖資料的基準位置為止的距離比相同。
  7. 一種描圖資料的修正方法，包括下列步驟：在被描圖體變形的狀態下，量測設定於上述被描圖體的四個量測用指標的位置，上述被描圖體的四個量測用指標構成相向的一對第一基準邊與一對第二基準邊所形成的 基準矩形的頂點；以量測到的上述四個量測用指標作為頂點，根據對應於上述一對第一基準邊的一對第一變動邊以及對應於上述一對第二基準邊的一對第二變動邊所構成的變形矩形，修正描圖資料的位置座標，而產生修正描圖資料；其中上述修正裝置修正上述描圖資料的位置座標，使得從上述一對第一變動邊起到沿著上述一對第二基準邊的描圖資料的修正位置為止的距離比係與從上述一對第一基準邊起到沿著上述一對第二基準邊的描圖資料的基準位置為止的距離比相同，同時使從上述一對第二變動邊起到沿著上述一對第一基準邊的描圖資料的修正位置為止的距離比係與從上述一對第二基準邊起到沿著上述一對第一基準邊的描圖資料的基準位置為止的距離比相同。
  8. 一種基板的製造方法，包括下列步驟：1)在空白的基板上塗佈感光材料；2)對於塗佈後的基板進行描圖處理；3)對於描圖處理後的基板進行顯像處理；4)對於顯像處理後的基板進行蝕刻或鍍膜處理；5)對於蝕刻或鍍膜處理後的基板進行感光材料的剝離處理；其中在描圖處理中，藉由申請專利範圍第7項所述之描圖資料修正方法修正描圖資料。
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