JP5496041B2 - 変位算出方法、描画データの補正方法、描画方法および描画装置 - Google Patents
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- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 title claims description 159
- 238000012937 correction Methods 0.000 title claims description 80
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 title claims description 72
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 53
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 95
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 66
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 14
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 35
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 17
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000013461 design Methods 0.000 description 9
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70508—Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
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- H05K1/0266—Marks, test patterns or identification means
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09009—Substrate related
- H05K2201/09136—Means for correcting warpage
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
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- H05K2201/09918—Optically detected marks used for aligning tool relative to the PCB, e.g. for mounting of components
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- H—ELECTRICITY
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- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/16—Inspection; Monitoring; Aligning
- H05K2203/166—Alignment or registration; Control of registration
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Description
(1)各アライメントマークMの移動先の位置と元位置からのずれ量取得。
(2)評価点のX方向の補正量算出。
(3)評価点のY方向の補正量算出。
各工程について以下に詳しく説明する。図13はステップS14の詳細を示す図である。
2 データ処理装置
3 露光装置
21 描画データ補正手段
33 光源
33a 変調手段
34 撮像手段
M11、M12、M13・・・、M44 アライメントマーク
E 評価点
SL1 第1スプライン曲線
SL1S 第1副スプライン曲線
Claims (9)
- 互いに交差する第1の座標軸方向および第2の座標軸に沿って基板の表面に格子状に配置された複数の基準点の変位から、任意の評価点の変位を算出する変位算出方法であって、
基板面に規定された複数の基準点の位置情報を得る工程と、
前記位置情報に基づき、前記評価点の近傍の複数の基準点について、それぞれの座標軸方向ごとの変位を検出する工程と、
検出したそれぞれの座標軸方向ごとの変位のうちどちらか一方の変位について、以下のA乃至Dの工程、すなわち
A:第1の座標軸方向に並び、かつ第2の座標軸の値が等しい複数の基準点の組について、各組ごとに、当該基準点における変位の値と第1の座標軸の値との関係を示す第1スプライン曲線を算出する第1スプライン算出工程、
B:算出した各組ごとの第1スプライン曲線に基づき、前記評価点の前記第1の座標軸の値における、各組ごとの変位の値を算出する第1スプライン指示値算出工程、
C:第1スプライン曲線に基づき算出した各組ごとの変位の値と、各組の第2の座標軸の値との関係を示す第1副スプライン曲線を算出する第1副スプライン算出工程、
D:算出した第1副スプライン曲線に基づき、前記評価点の前記第2の座標軸の値における変位の値を算出する第1副スプライン指示値算出工程
を実行することを特徴とする変位算出方法。 - 請求項1記載の変位算出方法において、
前記どちらか一方の変位について、さらに以下のE乃至Hの工程、すなわち
E:第2の座標軸方向に並び、かつ第1の座標軸の値が等しい複数の基準点の別の組について、各別の組ごとに、当該基準点における変位の値と第2の座標軸の値との関係を示す第2スプライン曲線を算出する第2スプライン算出工程、
F:算出した各別の組ごとの第2スプライン曲線に基づき、前記評価点の前記第2の座標軸の値における、各別の組ごとの変位の値を算出する第2スプライン指示値算出工程、
G:第2スプライン曲線に基づき算出した各別の組ごとの変位の値と、各別の組の第1の座標軸の値との関係を示す第2副スプライン曲線を算出する第2副スプライン算出工程、
H:算出した第2副スプライン曲線に基づき、前記評価点の前記第1の座標軸の値における変位の値を算出する第2副スプライン指示値算出工程
を実行し、前記第1副スプライン指示値算出工程により算出された変位の値と、前記第2副スプライン指示値算出工程により算出された変位の値との平均値を算出することを特徴とする変位算出方法。 - 請求項1に記載の変位算出方法において、
前記検出したそれぞれの座標軸方向ごとの変位のうち他方の変位についても、前記A乃至Dの工程を実行することを特徴とする変位算出方法。 - 請求項1記載の変位算出方法において、
前記検出したそれぞれの座標軸方向ごとの変位のうち他方の変位について、さらに以下のE乃至Hの工程、すなわち
E:第2の座標軸方向に並び、かつ第1の座標軸の値が等しい複数の基準点の別の組について、各別の組ごとに、当該基準点における変位の値と第2の座標軸の値との関係を示す第2スプライン曲線を算出する第2スプライン算出工程、
F:算出した各別の組ごとの第2スプライン曲線に基づき、前記評価点の前記第2の座標軸の値における、各別の組ごとの変位の値を算出する第2スプライン指示値算出工程、
G:第2スプライン曲線に基づき算出した各別の組ごとの変位の値と、各別の組の第1の座標軸の値との関係を示す第2副スプライン曲線を算出する第2副スプライン算出工程、
H:算出した第2副スプライン曲線に基づき、前記評価点の前記第1の座標軸の値における変位の値を算出する第2副スプライン指示値算出工程
を実行することを特徴とする変位算出方法。 - 請求項3記載の変位算出方法において、
前記検出したそれぞれの座標軸方向ごとの変位のうち他方の変位について、さらに以下のE乃至Hの工程、すなわち
E:第2の座標軸方向に並び、かつ第1の座標軸の値が等しい複数の基準点の別の組について、各別の組ごとに、当該基準点における変位の値と第2の座標軸の値との関係を示す第2スプライン曲線を算出する第2スプライン算出工程、
F:算出した各別の組ごとの第2スプライン曲線に基づき、前記評価点の前記第2の座標軸の値における、各別の組ごとの変位の値を算出する第2スプライン指示値算出工程、
G:第2スプライン曲線に基づき算出した各別の組ごとの変位の値と、各別の組の第1の座標軸の値との関係を示す第2副スプライン曲線を算出する第2副スプライン算出工程、
H:算出した第2副スプライン曲線に基づき、前記評価点の前記第1の座標軸の値における変位の値を算出する第2副スプライン指示値算出工程
を実行し、前記第1副スプライン指示値算出工程により算出された変位の値と、前記第2副スプライン指示値算出工程により算出された変位の値との平均値を算出することを特徴とする変位算出方法。 - 描画データを入力する工程と、
請求項1乃至5のいずれかに記載の変位算出方法により基板表面の評価点の変位を算出する工程と、
算出した評価点の変位に基づき、入力した前記描画データのうち評価点に描画すべき画素の位置を変位させた描画データを作成する描画データ補正工程と、
を備えたことを特徴とする描画データの補正方法。 - 描画データを入力する工程と、
請求項1乃至5のいずれかに記載の変位算出方法により基板表面の評価点の変位を算出する工程と、
算出した評価点の変位に基づき、入力した前記描画データのうち評価点に描画すべき画素の位置を変位させた描画データを作成する描画データ補正工程と、
前記描画データ補正工程によって補正した描画データに基づき、基板に対して描画を行う描画工程と、
を備えたことを特徴とする描画方法。 - 表面に互いに交差する第1の座標軸方向および第2の座標軸方向に沿って複数の基準点が格子状に配置された基板に対して描画を行う描画装置であって、
描画データを入力する入力手段と、
前記基板の表面を撮像する撮像機構と、
撮像された基板表面の複数の基準点の位置情報を算出する位置算出手段と、
算出された前記位置情報に基づき、前記描画データの評価点の近傍に位置する複数の基準点について、座標軸方向ごとの変位を検出する変位検出手段と、
前記変位検出手段により検出された変位の値により、前記評価点の位置の変位を算出する評価点変位算出手段と、
前記変位算出手段により算出された評価点変位と入力された描画データに基づき、描画する画素を変位させて描画データを補正する描画データ補正手段と、
前記描画データ補正手段により補正された描画データにより描画を行う描画手段と、
を備え、
前記評価点変位算出手段は、
一方の座標軸方向に並び、かつ他方の座標軸の値が等しい複数の基準点の組について、各組ごとに、当該基準点における変位の値と一方の座標軸の値との関係を示す第1方向スプライン曲線を算出する第1スプライン算出手段と、
算出した各組ごとの第1方向スプライン曲線に基づき、前記評価点の前記一方の座標軸の値における、各組ごとの変位の値を算出する第1スプライン指示値算出手段と、
第1方向スプライン曲線に基づき算出した各組ごとの変位の値と、各組の他方の座標軸の値との関係を示す第1副スプライン曲線を算出する第1副スプライン算出手段と、
算出した第1副スプライン曲線に基づき、前記評価点の前記他方の座標軸の値における変位の値を算出する第1副スプライン指示値算出手段と、
を備えたことを特徴とする描画装置。 - 請求項8に記載の描画装置において、
前記変位検出手段により検出した変位を第1の座標軸方向成分と第2の座標軸方向成分に分離する分離手段をさらに備え、
前記評価点変位算出手段は、前記分離手段により分離された前記第1の座標軸方向成分および第2の座標軸方向成分のそれぞれに基づいて、評価点の変位の第1の座標軸方向成分と第2の座標軸成分を算出するものであることを特徴とする描画装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010220717A JP5496041B2 (ja) | 2010-09-30 | 2010-09-30 | 変位算出方法、描画データの補正方法、描画方法および描画装置 |
US13/248,514 US8886350B2 (en) | 2010-09-30 | 2011-09-29 | Displacement calculation method, drawing data correction method, substrate manufacturing method, and drawing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010220717A JP5496041B2 (ja) | 2010-09-30 | 2010-09-30 | 変位算出方法、描画データの補正方法、描画方法および描画装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012079739A JP2012079739A (ja) | 2012-04-19 |
JP5496041B2 true JP5496041B2 (ja) | 2014-05-21 |
Family
ID=45890485
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010220717A Active JP5496041B2 (ja) | 2010-09-30 | 2010-09-30 | 変位算出方法、描画データの補正方法、描画方法および描画装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8886350B2 (ja) |
JP (1) | JP5496041B2 (ja) |
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2010
- 2010-09-30 JP JP2010220717A patent/JP5496041B2/ja active Active
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2011
- 2011-09-29 US US13/248,514 patent/US8886350B2/en active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120083916A1 (en) | 2012-04-05 |
JP2012079739A (ja) | 2012-04-19 |
US8886350B2 (en) | 2014-11-11 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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S533 | Written request for registration of change of name |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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