JP5731864B2 - 描画データの補正装置および描画装置 - Google Patents

描画データの補正装置および描画装置 Download PDF

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Description

本発明は、描画データの補正装置および描画装置に関し、特にプリント基板、半導体基板、液晶基板などの基板製造にかかわる描画データの補正装置および描画装置に関連するものである。
レーザー光などの露光用光を走査しつつ照射することによってプリント基板、半導体基板、液晶基板などの描画対象物（以下、単に基板とも称する）に局所的な露光を連続的に行うことにより、所望の回路パターン等を描画して形成する直接描画装置（直描装置）が、従来より公知である。
直描装置による回路パターンの描画は、回路パターンの設計データから変換された、直描装置が処理可能な記述形式を有するデータである描画データに従って行われる。ただし、上述のような基板においては、そり、ゆがみや、前工程での処理に伴う歪などの変形が生じていることがあるものの、設計データは、通常、これらの変形を考慮せずに作成されているため、変換された描画データをそのまま用いて回路パターンを描画したとしても、先に形成した回路パターンとの位置関係がずれたりして十分な描画品質が得られず、歩留まりを向上させることができない。
そのため、この種の直描装置においては、あらかじめ描画対象たる基板の形状を測定して、得られた測定結果から基板の各点の変位を算出し、その変位に整合するように描画データ自体を補正する、ローカルアライメントと呼ばれる補正処理をしておき、その補正後の描画データを用いて描画を行うことが提案されている。特許文献１では、対象である描画データを囲む四角形の頂点四点の位置情報から、描画データの補正量を算出している。また特許文献２では、対象である描画領域全体を複数の小領域に分割し、アライメントマークの位置に基づいて各小領域を基板の形状に応じて再配置し、各小領域に対応する描画内容を合成して描画データを生成している。
特開2008-3441号公報 特開2010-204421号公報
特許文献１、２に記載の技術では、描画対象物すなわち製造しようとする基板の最終的な使用形態を考慮せず、単純にアライメントマークの位置の変化に応じて単に描画データを補正しているため、後工程において不都合が生じたり歩留まりが悪化する場合がある。例えばプリント基板のビルドアップ工法を用いる場合、エッチングやプレス等の歪発生要因によって発生する歪に対して毎回描画するデータに補正をかけていくと、その補正の積み重ねによって最終的に出来上がったパターンとそこに装着する部品の大きさがあわないといった不都合が発生するおそれがある。あるいは、一つの描画対象物にそれよりも小さな大きさのパターンが多数並べて配置されたいわゆる多面付けのパターンを描画する場合には、描画領域全体のアライメントマークの位置の変化に基づいてその描画領域全体を一つのパターンとみて補正する方法では、適切に補正をすることができない。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、製造しようとする基板に応じて補正の方法を選択できるようにして、後工程や用途等の使用形態に適合するように描画データの補正をおこなうことができる描画データの補正装置を提供すること、および使用形態に適合した補正を施した描画データを使って描画をおこなうことができる描画装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板の位置決めマークの位置情報に基づいて、基板に描画する画像データの補正を行う描画データの補正装置であって、基板に描画する画像データを入力する画像データ入力手段と、基板の位置決めマークの位置情報を入力する位置決めマーク位置入力手段と、入力した位置決めマークの位置情報に基づき、それぞれ異なる算法にて描画データを補正する複数のデータ補正手段と、製造しようとする基板の種類、または、描画しようとする画像の内容に応じて前記複数のデータ補正手段を選択して使用して、描画データの補正を実行する補正方法選択手段と、を備え、前記複数のデータ補正手段が、描画データが示す各パターンの位置および形状を補正するデータ補正手段と、各パターンの位置と向きを補正し、前記各パターンの形状は変形させないデータ補正手段とを含むことを特徴とする。
請求項２の発明は、請求項１記載の描画データの補正装置において、補正方法選択のための補正情報を入力する情報入力手段をさらに備え、前記補正方法選択手段は、前記情報入力手段により入力された補正情報に応じてデータ補正手段を選択することを特徴とする。
請求項３の発明は、請求項２記載の描画データの補正装置において、前記画像データ入力手段は、画像データを作成するパターン作成装置から画像データを入力するものであり、前記情報入力手段は、画像データ入力手段への画像データの入力に伴って、前記パターン作成装置からの補正情報を入力するものであることを特徴とする。
請求項４の発明は、請求項１記載の描画データの補正装置において、前記補正方法選択手段は、入力された描画データに応じてデータ補正手段を選択する判断をするものであることを特徴とする。
請求項５の発明は、基板の位置決めマークの位置情報に基づいて、基板に描画する画像データの補正を行う描画データの補正装置であって、基板に描画する画像データを入力する画像データ入力手段と、基板の位置決めマークの位置情報を入力する位置決めマーク位置入力手段と、入力した位置決めマークの位置情報に基づき、それぞれ異なる算法にて描画データを補正する複数のデータ補正手段と、前記複数のデータ補正手段を選択して使用して、描画データの補正を実行する補正方法選択手段と、補正方法選択のための補正情報を入力する情報入力手段と、を備え、前記補正方法選択手段は、前記情報入力手段により入力された補正情報に応じて、入力された描画データの画像が、同一の個片パターンを複数含むか否かによってデータ補正手段を選択することを特徴とする。
請求項６の発明は、基板の位置決めマークの位置情報に基づいて、基板に描画する画像データの補正を行う描画データの補正装置であって、基板に描画する画像データを入力する画像データ入力手段と、基板の位置決めマークの位置情報を入力する位置決めマーク位置入力手段と、入力した位置決めマークの位置情報に基づき、それぞれ異なる算法にて描画データを補正する複数のデータ補正手段と、前記複数のデータ補正手段を選択して使用して、描画データの補正を実行する補正方法選択手段と、を備え、前記補正方法選択手段は、入力された描画データに応じてデータ補正手段を選択する判断をするものであり、入力された描画データの画像が、同一の個片パターンを複数含むか否かによってデータ補正手段を選択することを特徴とする。
請求項７の発明は、基板の位置決めマークの位置情報に基づいて、基板に描画する画像データの補正を行う描画データの補正装置であって、基板に描画する画像データを入力する画像データ入力手段と、基板の位置決めマークの位置情報を入力する位置決めマーク位置入力手段と、入力した位置決めマークの位置情報に基づき、それぞれ異なる算法にて描画データを補正する複数のデータ補正手段と、前記複数のデータ補正手段を選択して使用して、描画データの補正を実行する補正方法選択手段と、補正方法選択のための補正情報を入力する情報入力手段と、を備え、前記補正方法選択手段は、前記情報入力手段により入力された補正情報に応じて、入力された描画データの画像が、全体で単一のパターンである画像であるか否かによってデータ補正手段を選択することを特徴とする。
請求項８の発明は、基板の位置決めマークの位置情報に基づいて、基板に描画する画像データの補正を行う描画データの補正装置であって、基板に描画する画像データを入力する画像データ入力手段と、基板の位置決めマークの位置情報を入力する位置決めマーク位置入力手段と、入力した位置決めマークの位置情報に基づき、それぞれ異なる算法にて描画データを補正する複数のデータ補正手段と、前記複数のデータ補正手段を選択して使用して、描画データの補正を実行する補正方法選択手段と、を備え、前記補正方法選択手段は、入力された描画データに応じてデータ補正手段を選択する判断をするものであり、入力された描画データの画像が、全体で単一のパターンである画像であるか否かによってデータ補正手段を選択することを特徴とする。
請求項９の発明は、基板の位置決めマークの位置情報に基づいて、基板に描画する画像データの補正を行う描画データの補正装置であって、基板に描画する画像データを入力する画像データ入力手段と、基板の位置決めマークの位置情報を入力する位置決めマーク位置入力手段と、入力した位置決めマークの位置情報に基づき、それぞれ異なる算法にて描画データを補正する複数のデータ補正手段と、前記複数のデータ補正手段を選択して使用して、描画データの補正を実行する補正方法選択手段と、補正方法選択のための補正情報を入力する情報入力手段と、を備え、前記補正方法選択手段は、前記情報入力手段により入力された補正情報に応じて、入力された描画データの画像が、同一の個片パターンを複数含み、さらに他のパターンを含むか否かによってデータ補正手段を選択することを特徴とする。
請求項１０の発明は、基板の位置決めマークの位置情報に基づいて、基板に描画する画像データの補正を行う描画データの補正装置であって、基板に描画する画像データを入力する画像データ入力手段と、基板の位置決めマークの位置情報を入力する位置決めマーク位置入力手段と、入力した位置決めマークの位置情報に基づき、それぞれ異なる算法にて描画データを補正する複数のデータ補正手段と、前記複数のデータ補正手段を選択して使用して、描画データの補正を実行する補正方法選択手段と、を備え、前記補正方法選択手段は、入力された描画データに応じてデータ補正手段を選択する判断をするものであり、入力された描画データの画像が、同一の個片パターンを複数含み、さらに他のパターンを含むか否かによってデータ補正手段を選択することを特徴とする。
請求項１１の発明は、請求項１乃至１０のいずれかに記載の描画データの補正装置において、前記位置決めマーク位置入力手段は、前記基板を撮影する撮影手段と、前記撮影手段が撮影した画像から前記基板の位置決めマークの位置情報を算出する位置算出手段と、を備えたことを特徴とする。
請求項１２の発明は、光源と、請求項１乃至１１のいずれかに記載の描画データの補正装置と、前記光源からの光を前記描画データの補正装置によって補正された描画データによって変調する変調手段と、前記変調手段によって変調された光を基板に照射して走査する走査手段と、を備えたことを特徴とする描画装置である。
請求項１ないし請求項１１の発明によれば、製造しようとする基板に応じて補正の方法を選択できるようにして、後工程や用途等の使用形態に適合するように描画データの補正をおこなうことができる。
請求項２の発明によれば、情報入力手段から入力された補正情報に応じてデータ補正手段を選択することができる。
請求項３の発明によれば、パターン作成装置からの画像データの入力に伴ってパターン作成装置から補正情報を入力でき、その補正情報に基づいて補正を行うことができる。
請求項４の発明によれば、入力された描画データに応じて補正方法選択手段がデータ補正手段の選択を行うことができる。
また請求項１２の発明によれば、製造しようとする基板に応じて補正の方法を選択できるようにして、後工程や用途等の使用形態に適合するように描画データの補正をおこない、その描画データを使って描画をおこなうことができる。
本発明の実施の形態に係る描画装置1の概略構成を示す図である。 描画データと基板の歪を示す図である。 基板表面の測定点のずれとパターンの補正の例を示す図である。 基板表面の測定点のずれとパターンの補正の例を示す図である。 基板表面の測定点のずれとパターンの補正の例を示す図である。 プリント基板を製造する方法の概要を示す流れ図である。 ステップＳ１４における補正量算出の選択を示す流れ図である。
＜描画装置の構成＞
図１は、本発明の実施の形態に係る描画装置1の概略構成を示す図である。描画装置1は、露光用光であるレーザー光ＬＢを走査しつつ照射することによってプリント基板、半導体基板、液晶基板などの描画対象たる基板Ｓに局所的な露光を連続的に行うことにより、基板Ｓ上に所望の回路パターンについての露光画像を描画する直接描画装置（直描装置）である。
描画装置1は主として、描画データＤＤを生成するとともに、必要なデータの補正をも行うデータ処理装置2と、描画データＤＤに基づいて実際に描画（露光）を行う露光装置3と、データ処理装置2に情報を入力する入力手段としてのキーボード5から構成される。なお、データ処理装置2と露光装置3とは一体に設けられる必要はなく、両者の間のデータの授受が可能とされている限りにおいて、物理的に離間していてもよい。
データ処理装置2は、演算回路、記憶装置等を備え、さらに各種のプログラム等を含むソフトウエアを内蔵したいわゆるマイクロコンピュータよりなる。データ処理装置２は、特に、ベクターデータであるパターンデータＤＰをラスターデータである初期描画データに変換するプログラムを含む変換手段２０と、その初期描画データを実際に描画（露光）に用いる描画データＤＤに変換するための補正量を算出するためのプログラムを含む描画データ補正手段２１Ａ、２１Ｂ（詳細は後述する）を備え、必要に応じてそれらを利用して初期描画データを描画データＤＤに変換する。
そして、データ処理装置２は例えばＣＡＤなどのパターン設計装置4によって作成された回路パターンの設計データであるパターンデータＤＰに基づいて、露光装置3における処理データである描画データＤＤを生成する。パターンデータＤＰは、通常、ポリゴンなどのベクターデータとして記述されてなる。一方、露光装置3は、ラスターデータとして記述されている描画データＤＤに基づいて露光を行うので、データ処理装置2は、パターンデータＤＰをラスターデータに変換する必要があり、まず変換手段２０を用いてかかる変換を行って初期描画データＤ１，Ｄ２を得る。さらに、本実施の形態に係る描画装置1では、２層目以降を露光する場合で必要な場合には、初期描画データＤ２に対して後述する態様にて描画データ補正手段２１Ａ、２１Ｂを用いて補正処理を行ったうえで描画データＤＤを生成する。これにより、基板Ｓに変形が生じている場合であっても、所望された特性を有する回路パターンを基板Ｓに描画することができるようになっている。
露光装置3は、データ処理装置2から与えられた描画データＤＤに従って、基板Ｓに対する描画を行う装置である。露光装置3は、各部の動作を制御する描画コントローラ31と、基板Ｓを載置するためのステージ32と、レーザ光ＬＢを出射する光源33と、ステージ32に載置された基板Ｓの被描画面Ｓａを撮像する撮像装置34とを主として備える。
露光装置3においては、ステージ32と光源33との少なくとも一方が、互いに直交する水平二軸方向である主走査方向と副走査方向とに移動可能とされてなる。これにより、基板Ｓをステージ32に載置した状態で、ステージ32と光源33とを主走査方向に相対的に移動させつつ光源33からレーザ光ＬＢを照射できるようになっている。あるいはさらに、ステージ32は水平面内で回転移動可能とされていてもよいし、光源33は垂直方向に移動可能とされていてもよい。使用するレーザ光ＬＢの種類は、描画対象たる基板Ｓの種類などに応じて適宜に定められてよい。
また、光源33には例えばＤＭＤ（デジタルミラーデバイス）などの変調手段33ａが備わっており、変調手段33ａによる変調を受けつつ光源33から出射されたレーザ光ＬＢがステージ32上の基板Ｓに照射されるようになっている。より具体的には、描画に先立ち、まず、描画コントローラ31により、画素位置ごとの露光の有無が設定されてなる描画データＤＤの記述内容に従った、変調手段33ａの変調単位ごとのレーザ光ＬＢの照射のオン／オフ設定が行われる。光源33がステージ32に対して（その上に載置された基板Ｓに対して）主走査方向に相対的に移動している間に、斯かるオン／オフ設定に従って光源33からレーザ光ＬＢが出射されることで、ステージ32上の基板Ｓに、描画データＤＤに基づく変調を受けたレーザ光ＬＢが照射されることになる。
ある位置について主走査方向にレーザ光ＬＢが走査されて当該位置についての露光が終了すると、副走査方向に所定距離だけ光源33が相対移動し、再び当該位置について主走査方向にレーザ光ＬＢが走査される。これを繰り返すことにより、基板Ｓ上に描画データＤＤに従った画像（露光画像）が形成される。
撮像装置34は、主として、ステージ32に載置された基板Ｓの表面すなわち被描画面Ｓａに形成された、位置決めのための測定点としてのアライメントマークＭ（後述する）を撮像するために備わる。斯かるアライメントマークの撮像画像は、描画コントローラ31にて画像処理されて各アライメントマークが検出された位置座標が算出され、かかる位置座標がマーク撮像データＤＭとして、上述のようにデータ処理装置2に供される。もちろん、撮像装置34が他の目的のために撮像を行える態様であってもよい。
なお、基板Ｓにおけるアライメントマークの形成態様は、その位置を正確に特定できる限りにおいて、特に限定されない。例えば、貫通孔など、機械的加工により形成されたアライメントマークを利用する態様であってもよいし、印刷プロセスやフォトリソグラフィープロセスなどによってパターニングされたアライメントマークを用いる態様であってもよい。本実施形態では、第１層のパターンである銅配線パターンとともにアライメントマークのデータが１層目のパターンデータＤＰ１に含まれており、銅配線パターンの形成と同時に基板Ｓの表面に形成される。
＜補正処理の基本概念＞
以下、次に、描画データＤＤを生成する場合に行われる補正処理について、その基本概念を説明する。
一般に、パターンデータＤＰは、変形がなく被描画面が平坦な理想的な形状の基板を想定して作成されているが、実際の基板には、そり、ゆがみや、前工程での処理に伴う歪などの変形が生じている場合がある。そのような場合、パターンデータＤＰで設定されている配置位置のままに基板Ｓに回路パターンを描画しても、所望された生産物を得ることができないことから、基板Ｓに生じている歪み等の状態に見合った回路パターンが形成されるように、回路パターンの形成位置座標を基板Ｓの状態に応じて変換するローカルアライメント処理が必要となる。本実施の形態において描画データＤＤを生成する際に行う補正処理とは、端的に言えば、座標変換処理である。
図２は、露光装置3のローカルアライメントにおけるパターンデータＤＰ、ＤＰ２の関係を説明するための図である。ここでは、基板Ｓに対して図２（Ａ）に示すアライメントマークＭを含むパターンデータＤＰ１、図２（Ｂ）に示すパターンデータＤＰ２をこの順に露光し、最終的に図２（Ｃ）に示すようにこの２つのパターンデータＤＰ１、ＤＰ２にそれぞれ含まれる円Ｃ１，Ｃ２が重なる位置関係となるパターンを形成することが目的であるとする。
なお、このように２つのパターンデータを重ねて形成する場合としては、例えば、プリント基板の銅配線パターンとそれに重ねるソルダーレジストのパターンを形成する場合、多層プリント基板の配線パターンの１層目と２層目を形成する場合、両面プリント基板の表面配線パターンと裏面配線パターンを形成する場合（ただしこの場合に、裏面配線パターンを裏面側から露光する場合には、パターンは裏返しにする）等が考えられる。
今、プリント基板Ｓの銅配線パターンをパターンデータＤＰ１で、それに重ねるソルダーレジストのパターンをパターンデータＤＰ２で、それぞれ形成してプリント基板Ｓを製造する場合を考える。この場合、まずプリント基板Ｓの全面に形成した銅層の上にフォトレジスト膜を形成し、そのフォトレジスト膜にパターンデータＤＰ１から生成した描画データＤＤを露光し、現像し、エッチングをして銅配線パターンを形成する。続いて、そのプリント基板Ｓの銅配線パターンの上にソルダーレジスト層を塗布またはラミネートにより形成し、パターンデータＤＰ２から生成した描画データＤＤを露光し、現像する。
しかるにこの場合、銅配線パターンを形成する過程では、現像、エッチングやそれらに伴う水洗、加熱乾燥等の工程が施されるので、それによってプリント基板Ｓに伸縮や歪みが生じ、図２（Ｄ）に示すようなプリント基板Ｓとパターンの変形が生じたとする。このプリント基板Ｓに対してパターンデータＤＰ２の形をそのままに描画データＤＤを生成して露光すると、最終的に形成されるパターンは図２（Ｅ）のようになり、２つのパターンデータＤＰ１、ＤＰ２にそれぞれ含まれる円Ｃ１，Ｃ２の位置関係にずれが生じてしまい、目的とするパターンが形成できない。
従って、この場合には、このパターンデータＤＰ２をそのまま露光するのではなく、プリント基板Ｓの変形（すなわち、プリント基板Ｓに形成されたパターンデータＤＰ１の変形、変位）を考慮して、図２（Ｆ）に示すようにパターンデータＤＰ２'に補正し変形する。そしてその変形したパターンデータＤＰ２'から描画データＤＤを生成して露光を行い、最終的なパターンが図２（Ｇ）となるようにする。このパターンデータＤＰ２の補正による変形がローカルアライメントである。なお、プリント基板Ｓの変形は、例えばプリント基板Ｓに形成した位置指標（例えばアライメントマークＭ）を基準点（測定点）として撮像するなどして読み取り、その変位により認識することができる。なお、パターンデータＤＰ２にはアライメントマークＭは含まれないが、図２（Ｆ）では位置関係を示すために描いてある。
なお、図２（Ｄ）においては、プリント基板Ｓに形成されたパターンデータＤＰ１のパターンである円Ｃ１についてその位置のみが移動したように描き、また図２（Ｆ）においても補正後のパターンデータＤＰ２'もパターンである円Ｃ２の位置のみが移動したように描いている。しかし、実際の処理においては、パターンデータＤＰ１の円Ｃ１はその位置だけではなく形状も変形するので、それに対する補正後のパターンデータＤＰ２'円Ｃ２も、位置だけではなくその形状も円Ｃ１の変形に合わせるように変形させる補正処理をすることが望ましい。
＜三種類の補正処理＞
本描画装置では、画像を補正するための手段として、３つの補正の考え方に基づく３つのアルゴリズムを内蔵している。そして、装置のオペレータは、製造しようとする基板の種類、描画しようとする画像の内容等に応じて、３つの補正アルゴリズムを任意に選択して適用することができる。その補正アルゴリズムは次の３種である。
アルゴリズム１：「全体歪補正」
この「全体歪補正」においては、基板の変形を把握するために基板の描画領域全域にわたって測定点（ここではアライメントマークＭ）を配列し、測定点の位置変化を測定して、描画領域全域にわたる測定点の位置変化から描画領域全域をその各点ごとに補正量を計算して補正して描画を行う。
例えば図３（Ａ）に示すように、１枚の基板Ｓ表面に対してそのほぼ全面にわたって５行×５列に２５個の黒点で示すアライメントマークＭを格子位置に配列して描画領域全域に対応させたとして、その基板Ｓ表面に図３（Ａ）に示すような４行×４列の合計１６個の矩形のパターンＰを形成することを考える。このとき、基板Ｓの表面を実際に撮影してアライメントマークＭの位置を測定した結果が、初期の位置から図３（Ｂ）に＋印で示すＭ'の位置にずれていたとする。この場合には、その描画領域１の全域にわたる各アライメントマークＭからＭ'への位置変化から、各パターンＰの位置および形状を算出して、図３（Ｂ）に示すように描画領域にある各パターンＰの位置および形状をそれぞれ補正するものである。この「全体歪補正」によれば、元は矩形であったパターンＰの形状が、図３（Ｂ）に示すようにその位置によって菱形または弧を描くように変形されている。この補正アルゴリズムは、例えば１枚の基板に一つの大きな回路パターンが描かれているような場合に適する。
なお、この「全体歪補正」のプログラムの内容は既に多数提案されて公知であるが、例えば、特開2008-3441号公報、特開2010-204421号公報等に開示されているものが利用できる。
アルゴリズム２：「個片保持補正」
この「個片保持補正」においては、描画領域において一種類または複数種類の要素画像（以下、個片パターンと称する）を含む画像を描画する場合に、基板の変形を把握するために基板Ｓの描画領域全域にわたってアライメントマークＭを配列し、アライメントマークＭの位置変化を測定して、基板Ｓ全域にわたるアライメントマークＭの位置変化から各個片パターンの位置と向き（例えば個片パターンの中心位置とその中心位置を中心とした回転角度）を補正するが、各個片パターンの形状そのものは変形させない補正を行い、描画を行うものである。
例えば図４（Ａ）に示すように、１枚の基板Ｓ表面に対してそのほぼ全面にわたって５行×５列に２５個の黒点で示すアライメントマークＭを格子位置に配列して描画領域全域に対応させたとして、その基板Ｓ表面に図４（Ａ）に示すような４行×４列の合計１６個の矩形の個片パターンＰを形成することを考える（この基板Ｓは図３（Ａ）に示すものと同じである）。このとき、基板Ｓの表面を実際に撮影してアライメントマークＭの位置を測定した結果が、初期の位置から図４（Ｂ）に＋印で示すＭ'の位置にずれていたとする。この場合には、その描画領域１の全域にわたる各アライメントマークＭからＭ'への位置変化から、各個片パターンＰの中心位置とすべき座標（図４（Ｂ）に小丸印で示す位置）を算出して、その位置に各要個片パターンＰの中心点を移動し、かつ当該個片パターンＰの向きを、中心点を中心に回転させる補正を行うものである。各個片パターンＰそのものは変形させないので、各個片パターンＰを設計サイズどおりに作りたい場合などに適する。なお、以下の説明では個片パターンの形状が矩形である場合について説明するので、「矩形保持補正」と称する。この「矩形保持補正」によれば、補正後の個片パターンＰの形状は図４（Ｂ）に示すように元の矩形と同じであり、変化していない。なお、図４（Ｂ）では、説明の便宜のため図面上に表示している。
「矩形保持補正」のプログラムとしては次のようなものが考えられる。すなわち、各個片パターンＰを囲む４つの測定点Ｍに関して、例えばＸＹ座標上でそれぞれの位置変化量の平均値を算出してその平均値を当該個片パターンＰの中心位置の移動量とし、また同じ４つの測定点Ｍに関して、元の個片パターンＰの中心位置からみた角度変化量の平均値を算出してその平均値を当該個片パターンＰの回転角度とする。
アルゴリズム３：「全体歪補正と矩形保持補正の併用」
この「全体歪補正と矩形保持補正の併用」においては、描画領域において複数種の要素画像を含む場合などにおいて、上述した「全体歪補正」と「矩形保持補正」を併用し、ある領域には「全体歪補正」を適用し、他の領域には「矩形保持補正」を適用するものである。
例えば図５（Ａ）に示すように、１枚の基板Ｓ表面に対してそのほぼ全面にわたって５行×５列に２５個の黒点で示すアライメントマークＭを格子位置に配列して描画領域全域に対応させたとして、その基板Ｓ表面に、１つの大きな個片パターンＰＬと、２×４に配列された８つの小さな個片パターンＰＳと、が含まれている場合に、小さな個片パターンＰＳが２×４に配列された領域には「矩形保持補正」を適用し、大きな個片パターンＰＬの領域には「全体歪補正」を適用するものである。このアルゴリズムを適用する場合、「矩形保持補正」を適用した領域においては小さな個片パターンＰＳの形状は補正後も不変であり、「全体歪補正」を適用した領域においては大きな個片パターンＰＬの形状は補正により元の形状から変化することになる。この場合、基板Ｓの表面を実際に撮影してアライメントマークＭの位置を測定した結果が、初期の位置から図５（Ｂ）に＋印で示すＭ'の位置にずれていたとすれば、補正の結果は、図５（Ｂ）に示すように補正することになる。このアルゴリズムは、描画しようとする画像に、用途が異なる複数種の個片パターンを含む場合などに適する。
本描画装置１においては、先に述べた３つの補正の考え方の補正アルゴリズムによって補正量を算出するために、２種類の補正プログラムを有する描画データ補正手段２１Ａ、２１Ｂを備える。ここで、描画データ補正手段２１Ａは「全体歪補正」による補正値を算出するためのプログラムを含んでおり、描画データ補正手段２１Ｂは「矩形保持補正」による補正値を算出するためのプログラムを含んでいる。
＜プリント基板の製造工程＞
本発明の描画装置１を用いて基板に回路パターンを描画してプリント基板を製造する方法の概要につき、以下に説明する。ここでは樹脂基台の片面プリント配線基板に銅配線パターンを形成し、その上にソルダーレジストのパターンを形成するものとする。図６はデータ処理装置2が実行するこの方法の制御プログラムの全体の概要（装置の動作の概要を含む）を示す流れ図である。
＜第１層のパターン形成＞
まず、予め、パターン設計装置４において、作成しようとするプリント基板の銅配線パターンと、その上に形成するソルダーレジストのパターンを設計し、銅配線パターンのデータを１層目のパターンデータＤＰ１とし、ソルダーレジストのパターンのデータを２層目のパターンデータＤＰ２として、パターン設計装置４内にある図示しない記憶装置に記憶してあるものとする。なお、このとき、１層目のパターンデータＤＰ１には、基板Ｓ面にＸＹ座標を考えたとき、Ｘ、Ｙそれぞれの方向に所定間隔ずつあけて、各方向に少なくとも４個以上、すなわち合計１６個以上、十字型のアライメントマークＭａを配列して加えておく。
始めに、作成されたパターンデータＤＰ１をデータ処理装置2に送信し、データ処理装置2で読み込む（ステップＳ１）。次に、描画装置１のオペレータは、作成されたパターンデータＤＰ１の内容に応じて、後に実行する補正処理のための補正情報（詳しくは後述する）をキーボード５から入力する。データ処理装置2は入力された補正情報を内部の記憶装置（図示せず）に記憶させる。（ステップＳ１ａ）続いてデータ処理装置2は、変換手段２０を用いて読み込んだパターンデータＤＰ１を露光装置3で処理可能なラスター形式のデータである初期描画データＤ１に変換（ステップＳ１ｂ）したうえで、この初期描画データＤ１をそのまま描画データＤＤとして露光装置３の描画コントローラ３１に送信する（ステップＳ２）。すなわち、ここでは１層目の描画であるから、初期描画データＤ１に基づく露光時以前には、基板Ｓにはパターンは形成されておらず歪等も存在しないので、データの補正は必要ないため行わず、パターンデータＤＰ１の初期描画データＤ１をそのまま描画データＤＤとする。なお、このラスター形式への変換処理を行う変換手段２０には公知の技術を利用可能である。
描画データＤＤが描画装置１に送信されると、露光装置３に描画対象物である基板Ｓが搬入され、ステージ３２に対して位置決めされた状態で固定される（ステップＳ３）。基板Ｓは樹脂基台の片面に銅層が形成されたプリント基板であって、露光装置３に搬入される際には、その銅層のパターニングのために銅層上にフォトレジスト膜が形成されている。なお、露光装置３へのかかる基板Ｓの搬入あるいは後述する搬出は、描画コントローラ３１の指示により図示しない搬送装置によって行ってもよいし、オペレータが手作業で行ってもよい。
描画装置３に基板Ｓが搬入されると、描画コントローラ３１は光源33の変調手段33ａ、ステージ３２等を制御して、初期描画データＤ１によって変調されたレーザ光ＬＢを照射して描画処理を行い、基板Ｓのパターニングを行う（ステップＳ４）。具体的には、基板Ｓの表面に形成されているフォトレジストに、初期描画データＤ１に基づく感光部分が形成される。
初期描画データＤ１による描画処理が終了すると、基板Ｓは露光装置３から搬出される（ステップＳ５）。もし複数枚の基板Ｓを同様に処理する場合には、処理枚数をカウントして、所定枚数が終了したかを判断し（ステップＳ６）、終了していなければステップＳ２に戻る。終了していればステップＳ７に進む。
露光装置３による描画処理が終了した基板Ｓは図示しない現像装置に運ばれて現像、エッチングおよびそれらに伴う水洗、熱処理等の処理が施される（ステップＳ７）。そしてこのステップＳ７が終了すると、基板Ｓ表面の銅層がパターニングされて所定の配線パターンとなっており、これで第１層のパターン形成が終了した。
＜第２層のパターン形成＞
次に、基板Ｓに対して第２層のパターン形成が行われるが、まず、ステップＳ７にて所定の配線パターンが形成された基板Ｓは、図示しない被膜形成装置へ運ばれ、その基板Ｓの表面全体に、ソルダーレジストが塗布またはラミネート等の手段により被膜形成される（ステップＳ８）
一方で、パターン設計装置４においてステップＳ１にて作成されたソルダーレジストのパターンのデータ（２層目のパターンデータＤＰ２）を、パターン設計装置４からデータ処理装置2に送信し、データ処理装置2で読み込む（ステップＳ９）。データ処理装置2は露光装置3で処理可能なラスター形式のデータである初期描画データＤ２に変換する。この初期描画データＤ２は、直ちに描画装置１の描画コントローラ３１に送信するのではなく、後述する補正のためにデータ処理装置２の内部記憶装置（図示せず）に記憶しておく（ステップＳ１０）。
ステップＳ８でソルダーレジスト層が形成された基板Ｓは、再度、描画装置１に搬入され、ステージ３２に対してステップＳ３と同様に位置決めされた状態で固定される（ステップＳ１１）。
次に、ステージ３２に固定された基板Ｓは撮像装置３４によって撮像され、撮像された画像はマーク撮像データＤＭとして描画コントローラ３１を解してデータ処理装置２へ送信される（ステップＳ１２）。具体的には、この実施形態では、撮像装置３４は基板Ｓの上側を向いている感光膜面（描画面）全体を撮影するが、それは後述の如く基板Ｓの描画面に形成されたアライメントマークＭの位置検出を行うためであるから、必要なアライメントマークＭの撮像ができるならば必ずしも基板Ｓ全体を撮像するものである必要はない。
データ処理装置２は、受信したマーク撮像データＤＭを処理して基板Ｓ表面に形成されている全てのアライメントマークＭを認識、抽出し、その位置検出を行う（ステップＳ１３）。基板Ｓはステージ３２に対して描画時（ステップＳ３）と同様に位置決めされて固定されているので、基板Ｓに変形や歪がなければ、露光装置３に対しては描画時と同じ位置に検出されることになるが、実際には、描画後の現像、エッチング等の処理によって基板Ｓに変形や歪が生じることが多く、アライメントマークＭの一部または全部の位置がずれて検出される。そこで次にデータ処理装置２は、かかるアライメントマークＭの位置ずれ量を算出する（ステップＳ１３ａ）。なお、この算出に用いるアライメントマークＭの元の位置の情報は、ステップＳ１ａで入力する補正情報として入力するか、あるいはパターンデータＤＰ１読み込み時（ステップＳ１）にパターン設計装置４から読み込んでもよい。
続いてデータ処理装置２は、かかるアライメントマークＭの位置ずれ、すなわち基板Ｓの変形、歪等に対して、その基板Ｓに形成されるパターンの内容、配列や基板Ｓの用途などを考慮してオペレータが設定した補正情報に従った考え方に基づくアルゴリズムにより、次に露光しようとする初期描画データＤ２に対して補正量を算出し（ステップＳ１４）、かかる補正量により補正処理を行い、補正済みの描画データＤＤを得る（ステップＳ１５）。そしてこの補正処理によって、先に初期描画データＤ１により形成した銅配線パターンのある基板Ｓの表面の変形や歪に対して、これから描画しようとする初期描画データＤ２を補正し、その補正済みの描画データＤＤに基づいて描画することで、先に形成した銅配線パターンと、今回形成するソルダーレジストパターンの位置関係のずれをなくし、あるいは軽減する。これにより十分な描画品質、製品品質が得られることとなる。なおこのステップＳ１４を含む補正処理については後に詳述する。
次にデータ処理装置２は、ステップＳ１５で得た補正済みの描画データＤＤを露光装置３の描画コントローラ３１に送信し、描画コントローラ３１は光源33の変調手段33ａ、ステージ３２等を制御して、かかる描画データＤＤによって変調されたレーザ光ＬＢを照射して描画処理を行い、基板Ｓのパターニングを行う（ステップＳ１６）。具体的には、基板Ｓの表面に形成されているソルダーレジストに、描画データＤＤに基づく感光部分が形成される。
描画データＤＤによる描画処理が終了すると、基板Ｓは露光装置３から搬出される（ステップＳ１７）。もし複数枚の基板Ｓを同様に処理する場合には、処理枚数をカウントして、所定枚数が終了したかを判断し（ステップＳ１８）、終了していなければステップＳ１１に戻る。終了していればステップＳ１９に進む。
露光装置３による描画処理が終了した基板Ｓは図示しない現像装置等に運ばれて現像等のパターン形成に必要な処理が施される（ステップＳ１９）。そしてこのステップＳ１９が終了すると、基板Ｓ表面の銅層上のソルダーレジストがパターニングされて所定のソルダーレジストパターンとなっており、これで第２層のパターン形成が終了する。
＜補正処理の詳細＞
次に本発明の上述したステップＳ１４における初期描画データＤ２に対する補正量算出の処理の概要を説明する。図７はステップＳ１４のサブルーチンの詳細を示す図である。このステップＳ１４では、その基板Ｓに形成されるパターンの内容、配列や基板Ｓの用途などを考慮して、先にオペレータが入力設定した補正情報で指定されたアルゴリズムにより、補正量を算出する。具体的にはまず、補正情報に従って、先に述べた３種の補正アルゴリズムのいずれを適用するかを判断する（ステップＳ１４０）。
ここで、図６に関連して先に説明したステップＳ１ａにおいて予めオペレータが入力設定しておく補正情報の内容を説明すると、前述のアルゴリズム１：「全体歪補正」を採用する場合には、そのアルゴリズムの番号「１」を入力する。アルゴリズム２：「矩形保持補正」を採用する場合には、そのアルゴリズムの番号「２」と、保持したい矩形の形状を入力する。またアルゴリズム３：「全体歪補正と矩形保持補正の併用」を採用する場合には、そのアルゴリズムの番号「３」に加えて、基板Ｓのなかで「全体歪補正」を適用する領域と「矩形保持補正」を適用する領域をその座標を入力することで指定するとともに、「矩形保持補正」において保持したい矩形の形状も入力しておく。そしてこのステップＳ１４０においては、入力されていたアルゴリズムの番号を記憶装置から読み出し、そのアルゴリズムの番号がいずれであるかにより、どのアルゴリズムが指定されたかを判断する。
そして、ステップＳ１４０の判断により、アルゴリズムの番号「１」が入力されていた場合はステップＳ１４１に、「２」が入力されていた場合はステップＳ１４２に、「３」が入力されていた場合にはステップＳ１４３に、それぞれ進む。
ステップＳ１４１では、「全体歪補正」のプログラムを含む描画データ補正手段２１Ａを利用して、初期描画データＤ２に対して全体歪補正を施す補正量を算出する。そして、図６に戻って初期描画データＤ２に対して補正を実行して描画データＤＤを算出し（ステップＳ１５）、その補正後の描画データＤＤに基づいて２層目を描画する（ステップＳ１６）する。
またステップＳ１４２では、「矩形保持補正」のプログラムを含む描画データ補正手段２１Ｂを利用して、初期描画データＤ２に対して矩形保持補正を施す補正量を算出する。そして、図６に戻って初期描画データＤ２に対して補正を実行して描画データＤＤを算出し（ステップＳ１５）、その補正後の描画データＤＤに基づいて２層目を描画する（ステップＳ１６）する。
またステップＳ１４３では、予め入力設定されていた、基板Ｓのなかで「全体歪補正」を適用する領域と「矩形保持補正」を適用する領域とに基づいて、まずその「全体歪補正」適用領域に対して描画データ補正手段２１Ａを利用して、初期描画データＤ２のうちその「全体歪補正」適用領域に対する補正値を算出し、図示しない内部記憶装置に記憶しておく。続いて、ステップＳ１４４に進み、「矩形保持補正」適用領域に対して描画データ補正手段２１Ｂを利用して、初期描画データＤ２のうちその「矩形保持補正」適用領域に対する補正値を算出し、図示しない内部記憶装置に記憶しておく。そして、図６に戻って初期描画データＤ２に対して補正を実行して描画データＤＤを算出し（ステップＳ１５）、その補正後の描画データＤＤに基づいて２層目を描画する（ステップＳ１６）する。
このように、図７はステップＳ１４のサブルーチン全体により、データ補正手段を選択使用し、描画データの補正が実行されることになり、その基板Ｓに形成されるパターンの内容、配列や基板Ｓの用途などを考慮して、先にオペレータが指定されたアルゴリズムにより、補正量を算出することで、基板Ｓの用途やパターンに応じた最適な補正を実現することができる。
＜変形例＞
上記実施形態では、補正方法選択のための補正情報をオペレータが判断して入力する手段としてキーボード５を設けているが、これに限らず、例えばパターン設計装置４において作成したパターンデータＤＰをデータ処理装置2に送信する際に、そのパターンデータＤＰを補正するのに適切な方法をパターン設計装置４が判断してそれを示す補正情報を作成し、パターンデータＤＰに伴って、データ処理装置2に入力してもよい。
また上記実施形態では、データ処理装置２は入力された補正方法選択のための補正情報に基づきデータ補正手段２１Ａ，２１Ｂを選択しているが、これに限らず、例えばデータ処理装置２自身が入力されたパターンデータＤＰを解析して個片パターンの有無や種類を認識し、最適な補正方法を選定してそれに対応するデータ補正手段を選択使用するようなプログラムを組み込んでもよい。
また、上記実施形態では、ステージ32に載置された基板Ｓの表面を撮像装置34によって撮像して、その撮像した画像を解析して位置決めマークすなわちアライメントマークＭの位置情報を算出していたが、これに限らず、他の方法で位置決めマークの位置を入力してもよい。
また上記実施形態では「全体歪補正」と「個片保持補正」と「全体歪補正と個片保持補正の併用」の３つのアルゴリズムのなかから用途に応じて適当なアルゴリズムを選択していたが、その他のアルゴリズムを用いてもよい。
＜効果＞
以上のように本発明によれば、製造しようとする基板に応じて補正の方法を選択できるようにして、後工程や用途等の使用形態に適合するように描画データの補正をおこなうことができ、またその補正された描画データを用いて描画を行うことができる。
1 描画装置
2 データ処理装置
3 露光装置
4 パターン設計装置
5 キーボード
20 変換手段
21Ａ 描画データ補正手段Ａ
21Ｂ 描画データ補正手段Ｂ
32 ステージ
33 光源
33ａ 変調手段
34 撮像手段
Ｍ、Ｍ' アライメントマーク（測定点）
Ｐ、Ｃ１、Ｃ２、ＰＳ、ＰＬ パターン（個片パターン）

Claims (12)

  1. 基板の位置決めマークの位置情報に基づいて、基板に描画する画像データの補正を行う描画データの補正装置であって、
    基板に描画する画像データを入力する画像データ入力手段と、
    基板の位置決めマークの位置情報を入力する位置決めマーク位置入力手段と、
    入力した位置決めマークの位置情報に基づき、それぞれ異なる算法にて描画データを補正する複数のデータ補正手段と、
    製造しようとする基板の種類、または、描画しようとする画像の内容に応じて前記複数のデータ補正手段を選択して使用して、描画データの補正を実行する補正方法選択手段と、
    を備え、
    前記複数のデータ補正手段が、描画データが示す各パターンの位置および形状を補正するデータ補正手段と、各パターンの位置と向きを補正し、前記各パターンの形状は変形させないデータ補正手段とを含むことを特徴とする描画データの補正装置。
  2. 請求項１記載の描画データの補正装置において、
    補正方法選択のための補正情報を入力する情報入力手段をさらに備え、
    前記補正方法選択手段は、
    前記情報入力手段により入力された補正情報に応じてデータ補正手段を選択することを特徴とする描画データの補正装置。
  3. 請求項２記載の描画データの補正装置において、
    前記画像データ入力手段は、画像データを作成するパターン作成装置から画像データを入力するものであり、
    前記情報入力手段は、画像データ入力手段への画像データの入力に伴って、前記パターン作成装置からの補正情報を入力するものであることを特徴とする描画データの補正装置。
  4. 請求項１記載の描画データの補正装置において、
    前記補正方法選択手段は、
    入力された描画データに応じてデータ補正手段を選択する判断をするものであることを特徴とする描画データの補正装置。
  5. 基板の位置決めマークの位置情報に基づいて、基板に描画する画像データの補正を行う描画データの補正装置であって、
    基板に描画する画像データを入力する画像データ入力手段と、
    基板の位置決めマークの位置情報を入力する位置決めマーク位置入力手段と、
    入力した位置決めマークの位置情報に基づき、それぞれ異なる算法にて描画データを補正する複数のデータ補正手段と、
    前記複数のデータ補正手段を選択して使用して、描画データの補正を実行する補正方法選択手段と、
    補正方法選択のための補正情報を入力する情報入力手段と、
    を備え、
    前記補正方法選択手段は、
    前記情報入力手段により入力された補正情報に応じて、入力された描画データの画像が、同一の個片パターンを複数含むか否かによってデータ補正手段を選択することを特徴とする描画データの補正装置。
  6. 基板の位置決めマークの位置情報に基づいて、基板に描画する画像データの補正を行う描画データの補正装置であって、
    基板に描画する画像データを入力する画像データ入力手段と、
    基板の位置決めマークの位置情報を入力する位置決めマーク位置入力手段と、
    入力した位置決めマークの位置情報に基づき、それぞれ異なる算法にて描画データを補正する複数のデータ補正手段と、
    前記複数のデータ補正手段を選択して使用して、描画データの補正を実行する補正方法選択手段と、
    を備え、
    前記補正方法選択手段は、
    入力された描画データに応じてデータ補正手段を選択する判断をするものであり、入力された描画データの画像が、同一の個片パターンを複数含むか否かによってデータ補正手段を選択することを特徴とする描画データの補正装置。
  7. 基板の位置決めマークの位置情報に基づいて、基板に描画する画像データの補正を行う描画データの補正装置であって、
    基板に描画する画像データを入力する画像データ入力手段と、
    基板の位置決めマークの位置情報を入力する位置決めマーク位置入力手段と、
    入力した位置決めマークの位置情報に基づき、それぞれ異なる算法にて描画データを補正する複数のデータ補正手段と、
    前記複数のデータ補正手段を選択して使用して、描画データの補正を実行する補正方法選択手段と、
    補正方法選択のための補正情報を入力する情報入力手段と、
    を備え、
    前記補正方法選択手段は、
    前記情報入力手段により入力された補正情報に応じて、入力された描画データの画像が、全体で単一のパターンである画像であるか否かによってデータ補正手段を選択することを特徴とする描画データの補正装置。
  8. 基板の位置決めマークの位置情報に基づいて、基板に描画する画像データの補正を行う描画データの補正装置であって、
    基板に描画する画像データを入力する画像データ入力手段と、
    基板の位置決めマークの位置情報を入力する位置決めマーク位置入力手段と、
    入力した位置決めマークの位置情報に基づき、それぞれ異なる算法にて描画データを補正する複数のデータ補正手段と、
    前記複数のデータ補正手段を選択して使用して、描画データの補正を実行する補正方法選択手段と、
    を備え、
    前記補正方法選択手段は、
    入力された描画データに応じてデータ補正手段を選択する判断をするものであり、入力された描画データの画像が、全体で単一のパターンである画像であるか否かによってデータ補正手段を選択することを特徴とする描画データの補正装置。
  9. 基板の位置決めマークの位置情報に基づいて、基板に描画する画像データの補正を行う描画データの補正装置であって、
    基板に描画する画像データを入力する画像データ入力手段と、
    基板の位置決めマークの位置情報を入力する位置決めマーク位置入力手段と、
    入力した位置決めマークの位置情報に基づき、それぞれ異なる算法にて描画データを補正する複数のデータ補正手段と、
    前記複数のデータ補正手段を選択して使用して、描画データの補正を実行する補正方法選択手段と、
    補正方法選択のための補正情報を入力する情報入力手段と、
    を備え、
    前記補正方法選択手段は、
    前記情報入力手段により入力された補正情報に応じて、入力された描画データの画像が、同一の個片パターンを複数含み、さらに他のパターンを含むか否かによってデータ補正手段を選択することを特徴とする描画データの補正装置。
  10. 基板の位置決めマークの位置情報に基づいて、基板に描画する画像データの補正を行う描画データの補正装置であって、
    基板に描画する画像データを入力する画像データ入力手段と、
    基板の位置決めマークの位置情報を入力する位置決めマーク位置入力手段と、
    入力した位置決めマークの位置情報に基づき、それぞれ異なる算法にて描画データを補正する複数のデータ補正手段と、
    前記複数のデータ補正手段を選択して使用して、描画データの補正を実行する補正方法選択手段と、
    を備え、
    前記補正方法選択手段は、
    入力された描画データに応じてデータ補正手段を選択する判断をするものであり、入力された描画データの画像が、同一の個片パターンを複数含み、さらに他のパターンを含むか否かによってデータ補正手段を選択することを特徴とする描画データの補正装置。
  11. 請求項１乃至１０のいずれかに記載の描画データの補正装置において、
    前記位置決めマーク位置入力手段は、
    前記基板を撮影する撮影手段と、
    前記撮影手段が撮影した画像から前記基板の位置決めマークの位置情報を算出する位置算出手段と、
    を備えたことを特徴とする描画データの補正装置。
  12. 光源と、
    請求項１乃至１１のいずれかに記載の描画データの補正装置と、
    前記光源からの光を前記描画データの補正装置によって補正された描画データによって変調する変調手段と、
    前記変調手段によって変調された光を基板に照射して走査する走査手段と、
    を備えたことを特徴とする描画装置。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6063270B2 (ja) * 2013-01-25 2017-01-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 描画装置および描画方法
JP2014178536A (ja) * 2013-03-15 2014-09-25 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 描画データ生成方法、描画方法、描画データ生成装置、および描画装置
JP6114151B2 (ja) * 2013-09-20 2017-04-12 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 描画装置、基板処理システムおよび描画方法
JP6389040B2 (ja) * 2014-02-17 2018-09-12 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス パターン描画装置用のｇｕｉ装置、パターン描画システム、ジョブチケット更新方法およびプログラム
JP2015184315A (ja) * 2014-03-20 2015-10-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス データ補正装置、描画装置、データ補正方法および描画方法
JP6342738B2 (ja) * 2014-07-24 2018-06-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス データ補正装置、描画装置、検査装置、データ補正方法、描画方法、検査方法およびプログラム
JP6789687B2 (ja) * 2016-06-17 2020-11-25 株式会社日本マイクロニクス シート状デバイス、シート状二次電池の製造方法、及び製造装置
CN113934115B (zh) * 2021-10-22 2023-10-27 合肥芯碁微电子装备股份有限公司 控制直写式光刻机的方法和直写式光刻机
JP2023141514A (ja) * 2022-03-24 2023-10-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 描画データ生成装置、描画システムおよび描画データ生成方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2785141B2 (ja) * 1989-09-26 1998-08-13 キヤノン株式会社 アライメント装置
US6352799B1 (en) * 1999-03-03 2002-03-05 Nikon Corporation Charged-particle-beam pattern-transfer methods and apparatus including beam-drift measurement and correction, and device manufacturing methods comprising same
JP4201178B2 (ja) * 2002-05-30 2008-12-24 大日本スクリーン製造株式会社 画像記録装置
JP2004012902A (ja) * 2002-06-07 2004-01-15 Fuji Photo Film Co Ltd 描画装置及びこの描画装置を用いた描画方法
US7065737B2 (en) * 2004-03-01 2006-06-20 Advanced Micro Devices, Inc Multi-layer overlay measurement and correction technique for IC manufacturing
JP4478496B2 (ja) * 2004-04-07 2010-06-09 株式会社オーク製作所 ローカルアライメント機能を有する露光装置
JP2006098720A (ja) * 2004-09-29 2006-04-13 Fuji Photo Film Co Ltd 描画装置
JP2006259715A (ja) * 2005-02-21 2006-09-28 Fuji Photo Film Co Ltd 描画方法、描画装置、描画システムおよび補正方法
JP2006251160A (ja) * 2005-03-09 2006-09-21 Fuji Photo Film Co Ltd 描画方法および装置
JP2007034186A (ja) * 2005-07-29 2007-02-08 Fujifilm Corp 描画方法および装置
JP5336036B2 (ja) * 2006-06-26 2013-11-06 株式会社オーク製作所 描画システム
JP2008058797A (ja) * 2006-09-01 2008-03-13 Fujifilm Corp 描画装置及び描画方法
JP5001638B2 (ja) * 2006-12-22 2012-08-15 株式会社オーク製作所 露光データ作成装置
JP4448866B2 (ja) * 2007-03-30 2010-04-14 日立ビアメカニクス株式会社 描画装置
JP4369504B2 (ja) * 2007-09-03 2009-11-25 日立ビアメカニクス株式会社 レーザ直接描画装置および描画方法
JP2009204982A (ja) * 2008-02-28 2009-09-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd パターン描画装置及びパターン描画方法

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