TWI448839B - 描繪資料之補正裝置及描繪裝置 - Google Patents

描繪資料之補正裝置及描繪裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI448839B
TWI448839B TW100138037A TW100138037A TWI448839B TW I448839 B TWI448839 B TW I448839B TW 100138037 A TW100138037 A TW 100138037A TW 100138037 A TW100138037 A TW 100138037A TW I448839 B TWI448839 B TW I448839B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
correction
data
input
unit
substrate
Prior art date
Application number
TW100138037A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201239541A (en
Inventor
Satoru Yasaka
Ryo Yamada
Original Assignee
Dainippon Screen Mfg
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Mfg filed Critical Dainippon Screen Mfg
Publication of TW201239541A publication Critical patent/TW201239541A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI448839B publication Critical patent/TWI448839B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/36Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/72Repair or correction of mask defects
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70508Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70791Large workpieces, e.g. glass substrates for flat panel displays or solar panels
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

描繪資料之補正裝置及描繪裝置
本發明係關於一種描繪資料之補正裝置及描繪裝置,尤其係關於一種與印刷基板、半導體基板、液晶基板等基板之製造有關之描繪資料之補正裝置及描繪裝置。
自先前以來眾所皆知有一種直接描繪裝置(直描裝置),其係一邊以雷射光等曝光用光進行掃描一邊藉由照射而對印刷基板、半導體基板、液晶基板等描繪對象物(以下,亦簡稱為基板)連續地進行局部曝光,藉此描繪並形成所期望之電路圖案等。
藉由直描裝置所進行電路圖案之描繪,係根據自電路圖案之設計資料所轉換,且具有直描裝置可處理之描述形式之資料即描繪資料而進行。然而,於如上述之基板中,雖有時會產生翹曲、彎曲或伴隨前步驟之處理扭曲等變形,但由於設計資料通常並不考慮此等變形而製作,因此即便直接使用轉換後之描繪資料描繪電路圖案,亦與之前所形成電路圖案之位置關係發生偏離等而無法獲得充分之描繪品質,而無法提高產率比(yield ratio)。
因此,提出有於此類直描裝置中,預先測定作為描繪對象之基板之形狀,根據所測定之結果算出基板上各點之移位,並以對該移位進行整合之方式對描繪資料本身進行補正,即預先進行被稱為區域對準(local alignment)之補正處理,且使用該補正後之描繪資料進行描繪之方案。於日本專利特開2008-3441號公報(文獻1)中,根據包圍作為對象之描繪資料之四邊形之頂點四點的位置資訊,算出描繪資料之補正量。又,於日本專利特開2010-204421號公報(文獻2)中,將作為對象之整個描繪區域分割成複數個小區域,根據對準標記(alignment mark)之位置對應基板之形狀將各小區域重新配置,並合成對應於各小區域之描繪內容而生成描繪資料。
於文獻1、2所記載之技術中,由於不考慮描繪對象物即欲製造之基板之最終使用形態,而單純地根據對準標記之位置變化僅對描繪資料進行補正,因此會存在於後續步驟中發生不良之情形或產率比惡化之情形。例如於使用印刷基板之增層法之情形時,若針對因蝕刻或壓製等發生扭曲之主要原因而造成對每次描繪之資料針對扭曲進行補正,則有因該補正之累積而有最終所完成之圖案與安裝在該處之零件大小不符之問題發生之可能性。或者,在對一個描繪對象物描繪配置有排列多數個較該描繪對象物小之圖案即所謂步進重複圖案之情形時,根據整個描繪區域之對準標記之位置變化將該整個描繪區域視為一個圖案進行補正之方法,無法適當地進行補正。
本發明之目的在於提供一種根據基板之定位標記之位置資訊,而對描繪於基板上之圖像資料進行補正之描繪資料之補正裝置,可根據欲製造之基板選擇補正之方法,且可以適合於後續步驟或用途等使用形態之方式進行描繪資料之補正。
本發明之描繪資料之補正裝置具備:圖像資料輸入受理部,其受理描繪於基板上之圖像資料之輸入;定位標記位置輸入部,其輸入基板之定位標記之位置資訊;複數個資料補正部,其根據所輸入之定位標記之位置資訊,藉由各自不同之算法補正描繪資料;及補正方法選擇部,其選擇並使用複數個資料補正部,而執行描繪資料之補正。根據本發明,可根據欲製造之基板選擇補正之方法,且可以適合於後續步驟或用途等使用形態之方式進行描繪資料之補正。
於本發明之一較佳形態中,描繪資料之補正裝置進一步具備有資訊輸入部,其輸入用以選擇補正方法之補正資訊,且補正方法選擇部係根據由資訊輸入部所輸入之補正資訊而選擇資料補正部。
於此情形時,較佳為:圖像資料輸入受理部係自製作圖像資料之圖案製作裝置受理圖像資料之輸入者,且資訊輸入部係伴隨著對圖像資料輸入受理部之圖像資料之輸入,而輸入來自圖案製作裝置之補正資訊者。
一較佳之補正方法選擇部係藉由所輸入之描繪資料之圖像是否包含複數個相同之單片圖案而選擇資料補正部。另一較佳之補正方法選擇部係藉由所輸入之描繪資料之圖像是否整體為單一之圖案之圖像而選擇資料補正部。又一較佳之補正方法選擇部係藉由所輸入之描繪資料之圖像是否包含複數個相同之單片圖案,而且是否包含其他圖案而選擇資料補正部。
本發明亦可應用於描繪裝置,該描繪裝置具備:光源;上述描繪資料之補正裝置;調變部,其對來自光源之光藉由利用描繪資料之補正裝置所補正之描繪資料進行調變;及掃描部,其將藉由調變部所調變之光照射至基板並進行掃描。於描繪裝置中,以可根據欲製造之基板選擇補正之方法,且可適合於後續步驟或用途等使用形態之方式進行描繪資料之補正,而可使用該描繪資料進行描繪。
上述目的及其他目的、特徵、態樣及優點係參照隨附之圖式並藉由以下所進行發明之詳細說明而變得更明確。
<描繪裝置之構成>
圖1係表示本發明實施形態之描繪裝置1之概略構成的圖式。描繪裝置1係一種直接描繪裝置(直描裝置),其係一邊以曝光用光即雷射光LB進行掃描一邊藉由照射而對印刷基板、半導體基板、液晶基板等作為描繪對象之基板S連續地進行局部曝光,藉此於基板S上描繪所期望之電路圖案之曝光圖像。
描繪裝置1之構成主要包括:資料處理裝置2,其生成描繪資料DD之同時亦進行必要之資料之補正;曝光裝置3,其根據描繪資料DD實際地進行描繪(曝光);及鍵盤5,其作為對資料處理裝置2輸入資訊之資訊輸入部。再者,資料處理裝置2與曝光裝置3無須一體地設置,只要可收發兩者之間的資料,亦可於實體上將兩者分開。
資料處理裝置2由具備演算電路、記憶裝置等,且進一步內建有包含各種程式等軟體之所謂微電腦所構成。資料處理裝置2尤其具備有:轉換部20,其包含將向量(vector)資料即圖案資料DP轉換為光柵(raster)資料即初始描繪資料之程式;及描繪資料補正部21A、21B(詳情於下文敍述),其包含用以算出為了將該初始描繪資料轉換為使用於實際描繪(曝光)之描繪資料DD之補正量之程式;且視需要利用其等將初始描繪資料轉換為描繪資料DD。
然後,資料處理裝置2例如根據利用CAD(Computer Aided Design;計算機輔助設計)等圖案設計裝置4所製作之電路圖案之設計資料即圖案資料DP,生成於曝光裝置3中之處理資料即描繪資料DD。圖案資料DP通常係作為多邊形等之向量資料而描述。另一方面,由於曝光裝置3係根據作為光柵資料所描述之描繪資料DD進行曝光,因此資料處理裝置2必須將圖案資料DP轉換為光柵資料,首先使用轉換部20進行該轉換而獲得初始描繪資料D1、D2。而且,於本實施形態之描繪裝置1中,當對第2層以下進行曝光時在有必要之情形時,在利用後述之態樣對初始描繪資料D2使用描繪資料補正部21A、21B進行補正處理後,生成描繪資料DD。藉此,即便於基板S發生變形之情形時,亦可將具有所期望之特性之電路圖案描繪於基板S上。
曝光裝置3係根據自資料處理裝置2所提供之描繪資料DD,而對基板S進行描繪之裝置。曝光裝置3主要具備有:描繪控制器31,其控制各部分之動作;平台32,其用以載置基板S;光源33,其射出雷射光LB;及攝像裝置34,即對載置於平台32之基板S之被描繪面Sa進行攝像之攝影部。
於曝光裝置3中,平台32與光源33中之至少一方,可沿互相正交之水平二軸方向即主掃描方向與副掃描方向移動。藉此,於將基板S載置於平台32之狀態下,可一邊使平台32與光源33沿主掃描方向進行相對移動一邊可自光源33照射雷射光LB。於圖1中表示有移動平台32之掃描部35。或者進一步,平台32亦可於水平面內旋轉移動,而光源33亦可沿垂直方向移動。所使用之雷射光LB之種類,可根據作為描繪對象之基板S之種類等而適當地決定。
又,於光源33中例如具備有DMD(Digital Mirror Device,數位式鏡裝置)等調變部33a,一邊受理利用調變部33a之調變一邊使自光源33所射出之雷射光LB照射至平台32上之基板S。更具體而言,在描繪之前,首先,藉由描繪控制器31,根據各像素位置之曝光之有無所設定而成之描繪資料DD之描述內容進行調變部33a之各調變單位之雷射光LB之照射之開/關設定。光源33相對於平台32(相對於載置在其上之基板S)在主掃描方向相對移動之期間,藉由根據此開/關設定而自光源33射出雷射光LB,而對平台32上之基板S照射受到根據描繪資料DD之調變之雷射光LB。
若針對某一位置沿主掃描方向以雷射光LB進行掃描而對該位置之曝光結束時,光源33就會沿副掃描方向相對移動特定之距離,再次對該位置沿主掃描方向以雷射光LB進行掃描。藉由重複此動作,於基板S上形成根據描繪資料DD之圖像(曝光圖像)。
攝像裝置34主要係用以對載置於平台32之基板S之表面即於被描繪面Sa所形成之作為用以定位之測定點之對準標記M(於後進行敍述)進行攝像而設置。此對準標記之攝像圖像藉由描繪控制器31進行圖像處理並算出檢測出各對準標記之位置座標(位置資訊),此位置座標作為標記攝像資料DM,如上述供給至資料處理裝置2。當然,攝像裝置34亦可為為了其他目的而進行攝像之態樣。
再者,於基板S上之對準標記之形成態樣,只要可準確地特定其位置,則並無特別限定。例如亦可為貫通孔等,利用由機械加工所形成之對準標記之態樣,亦可為使用藉由印刷製程或光微影製程等所圖案化之對準標記之態樣。於本實施形態中,對準標記之資料係與第1層圖案即銅配線圖案一起包含於第1層圖案資料DP1中,且與銅配線圖案之形成同時形成於基板S之表面。
<補正處理之基本概念>
以下,接著針對生成描繪資料DD時所進行之補正處理,說明其基本概念。
一般而言,雖然圖案資料DP係假設無變形且被描繪面為平坦之理想形狀之基板而製作,但實際之基板有時會產生翹曲、彎曲或伴隨前步驟之處理之扭曲等變形之情形。於該情形時,由於即便直接於圖案資料DP所設定之配置位置而在基板S上描繪電路圖案,亦無法獲得所期望之產品,因此必須以形成符合於基板S上所產生之扭曲等狀態之電路圖案之方式,對應基板S之狀態進行轉換電路圖案之形成位置座標之區域對準處理。於本實施形態中,所謂在生成描繪資料DD時所進行之補正處理,明確而言即座標轉換處理。
圖2A至圖2G係用以說明於曝光裝置3之區域對準之圖案資料DP、DP2之關係的圖式。於此,其目的在於對基板S依序對圖2A所示包含對準標記M之圖案資料DP1、圖2B所示圖案資料DP2進行曝光,並於最終形成如圖2C所示此2個圖案資料DP1、DP2分別所包含之圓C1、C2重疊之位置關係之圖案。
再者,作為如上述重疊形成2個圖案資料之情形,例如認為有如下之情形:形成印刷基板之銅配線圖案及與其重疊之阻焊劑之圖案、形成多層印刷基板之配線圖案之第1層與第2層、及形成雙面印刷基板之表面配線圖案與背面配線圖案(但於此情形時,當自背面側進行背面配線圖案之曝光時,須將圖案反轉)等。
現在,考慮有利用圖案資料DP1形成印刷基板S之銅配線圖案,且利用圖案資料DP2形成與其重疊之阻焊劑之圖案而製造印刷基板S之情形。於此情形時,首先於形成於印刷基板S之整個表面之銅層上形成光阻膜,對該光阻膜根據圖案資料DP1所生成之描繪資料DD進行曝光,進行顯影並蝕刻形成銅配線圖案。接著,於該印刷基板S之銅配線圖案上進行塗佈或藉由層壓形成阻焊層,對由圖案資料DP2所生成之描繪資料DD進行曝光並加以顯影。
然而,於此情形時,在形成銅配線圖案之過程中,由於會實施顯影、蝕刻或伴隨其等之水洗、加熱乾燥等步驟,藉由其等將使印刷基板S發生伸縮或扭曲,而發生如圖2D所示之印刷基板S與圖案之變形。若針對此印刷基板S直接利用其變形之圖案資料DP2之形狀生成描繪資料DD並進行曝光,則於最終所形成之圖案就會如圖2E,在2個圖案資料DP1、DP2中分別所含之圓C1、C2之位置關係產生偏離,而無法形成目標之圖案。
因此,於此情形時,並非直接將此圖案資料DP2進行曝光,考量印刷基板S之變形(即,形成於印刷基板S上之圖案資料DP1之變形、移位),如圖2F所示補正為圖案資料DP2',而加以變形。然後,根據該變形之圖案資料DP2'生成描繪資料DD並進行曝光,使最終之圖案成為如圖2G。根據此圖案資料DP2之補正之變形即區域對準。再者,印刷基板S之變形例如將形成於印刷基板S之位置指標(例如對準標記M)作為基準點(測定點)進行攝像等而讀取,可藉由其移位而得以識別。再者,雖然於圖案資料DP2中不包含對準標記M,但於圖2F中係為了表示位置關係而加以描繪。
再者,於圖2D中,以僅形成於印刷基板S上之圖案資料DP1之圖案即圓C1之位置發生移動之方式進行描繪,且於圖2F中補正後之圖案資料DP2'亦以僅作為圖案即圓C2之位置移動之方式進行描繪。但是,於實際處理中,由於不僅圖案資料DP1之圓C1之位置就連其形狀亦產生變形,因此與其相對地補正後之圖案資料DP2'圓C2,亦以不僅位置進行補正處理,就連其形狀亦根據圓C1之變形而變形之補正處理為佳。
<三種補正處理>
於本描繪裝置中,作為用以補正圖像之方法,內建有根據3種補正之想法之3種演算法。而且,裝置之操作者可根據欲製造基板之種類、欲描繪圖像之內容等,任意地選擇並應用3種補正演算法。該補正演算法為下述3種。
演算法1:「整體扭曲補正」
於此「整體扭曲補正」中,為了掌握基板之變形而遍及基板之整個描繪區域排列測定點(此處為對準標記M),對測定點之位置變化進行測定,並根據遍及整個描繪區域之測定點之位置變化針對整個描繪區域之各點分別計算補正量再加以補正並進行描繪。
例如,如圖3A所示,考量針對1片基板S表面遍及其大致整個表面將5列×5行共25個以黑點表示之對準標記M排列於格子位置使其對應於整個描繪區域,於該基板S表面形成如圖3A所示之4列×4行合計16個之矩形圖案P。此時,使對基板S之表面實際地攝影且測定對準標記M之位置之結果,成為自初始位置偏離至圖3B中以+記號所表示之M'之位置。於此情形時,根據自遍及該描繪區域1之整個區域之各個對準標記由M至M'之位置變化,算出各圖案P之位置及形狀,如圖3B所示分別補正位於描繪區域內之各圖案P之位置及形狀。根據此「整體扭曲補正」,原本為矩形之圖案P之形狀如圖3B所示係根據其位置而以描繪菱形或弧形之方式而變形。此補正演算法例如適用於如在1片基板上描繪一個較大之電路圖案之情形。
再者,此「整體扭曲補正」之程式之內容雖然已多次提出而眾所皆知,但例如可利用日本專利特開2008-3441號公報、日本專利特開2010-204421號公報等所揭示者。
演算法2:「單片保持補正」
於此「單片保持補正」中,當在對描繪區域內包含一種或複數種類之要素圖像(以下稱為單片圖案)之圖像進行描繪之情形時,雖然用以掌握基板之變形而遍及基板S之整個描繪區域排列對準標記M,測定對準標記M之位置變化,並根據遍及基板S整個區域之對準標記M之位置變化對各單片圖案之位置與方向(例如單片圖案之中心位置及以該中心位置為中心之旋轉角度)進行補正,但進行使各單片圖案之形狀本身不變形之補正,並進行描繪。
例如,如圖4A所示,考量針對1片基板S表面遍及其大致整個表面將5列×5行共25個以黑點表示之對準標記M排列於格子位置使其對應於整個描繪區域,於該基板S表面形成如圖4A所示之4列×4行合計16個矩形之單片圖案P(此基板S與圖3A所示者相同)。此時,使對基板S之表面實際地攝影且測定對準標記M之位置之結果,成為自初始位置偏離至圖4B中以+記號所表示之M'之位置。於此情形時,根據自遍及該描繪區域1之整個區域之各個對準標記由M至M'之位置變化,算出各單片圖案P之中心位置及目標座標(圖4B中小圓點記號所示之位置),將各要單片圖案P之中心點移動至該位置,且進行使該單片圖案P之方向以中心點為中心旋轉之補正。由於不讓各單片圖案P本身變形,因此適用於欲按照設計尺寸製作各單片圖案P時等情形。再者,於以下說明中由於針對單片圖案之形狀為矩形之情形進行說明,因此稱為「矩形保持補正」。根據此「矩形保持補正」,補正後之單片圖案P之形狀如圖4B所示係與原本之矩形相同而未發生變化。再者,於圖4B中,為方便說明而表示於圖式上。
作為「矩形保持補正」之程式,認為有如下所敘述者。即,關於包圍各單片圖案P之4個測定點M,例如算出XY座標上各自之位置變化量之平均值並將該平均值設為該單片圖案P之中心位置之移動量,且關於相同之4個測定點M,算出自原本之單片圖案P之中心位置所觀察之角度變化量之平均值並將該平均值設為該單片圖案P之旋轉角度。
演算法3:「整體扭曲補正與矩形保持補正之併用」
在此「整體扭曲補正與矩形保持補正之併用」中,於描繪區域內包含複數種類之要素圖像之情形等時,併用上述「整體扭曲補正」與「矩形保持補正」,於某一區域內應用「整體扭曲補正」,而於其他區域內應用「矩形保持補正」。
例如,如圖5A所示,對於1片基板S表面遍及其大致整個表面將5列×5行共25個以黑點表示之對準標記M排列於格子位置使其對應於整個描繪區域,於該基板S表面包含有1個大單片圖案PL與以2×4所排列之8個小單片圖案PS之情形時,將小單片圖案PS以2×4排列之區域內應用「矩形保持補正」,而大單片圖案PL之區域內應用「整體扭曲補正」。於應用此演算法之情形時,在應用「矩形保持補正」之區域內小單片圖案PS之形狀於補正後亦不會變,而在應用「整體扭曲補正」之區域內大單片圖案PL之形狀將因為補正而自原本之形狀發生變化。於此情形時,雖然實際地攝影基板S之表面且測定對準標記M之位置之結果,若自初始之位置偏離至圖5B之以+記號所示之M'之位置,則補正之結果將如圖5B所示進行補正。此演算法適用於欲描繪之圖像中包含用途不同之複數種單片圖案之情形等。
於本描繪裝置1中,由於藉由之前所敍述之3種補正之想法之補正演算法算出補正量,故具備具有2種補正程式之描繪資料補正部21A、21B。於此,描繪資料補正部21A包含用以算出「整體扭曲補正」之補正值之程式,而描繪資料補正部21B包含用以算出「矩形保持補正」之補正值之程式。
<印刷基板之製造步驟>
關於使用本發明之描繪裝置1於基板上描繪電路圖案而製造印刷基板之方法之概要,於以下進行說明。於此,其設為在樹脂基台之單面印刷配線基板上形成銅配線圖案,並於其上形成阻焊劑之圖案者。圖6係表示資料處理裝置2所執行之此方法之整個控制程式之概要(包含裝置動作之概要)的流程圖。
<第1層之圖案形成>
首先,預先於圖案製作裝置即圖案設計裝置4中,設計欲製作之印刷基板之銅配線圖案、及形成於其上之阻焊劑之圖案,將銅配線圖案之資料作為第1層之圖案資料DP1,將阻焊劑之圖案資料作為第2層之圖案資料DP2,並設為此等記憶於位於圖案設計裝置4內之未圖示之記憶裝置中。再者,此時,於第1層之圖案資料DP1中,當對基板S面考慮XY座標時,在X、Y各別之方向上每既定間隔隔開地,於各方向上排列至少增加4個以上、即合計16個以上之十字型之對準標記Ma。
首先,將所製作之圖案資料DP1發送至資料處理裝置2,並藉由資料處理裝置2讀入(步驟S1)。接著,描繪裝置1之操作者係根據所製作之圖案資料DP1之內容,將用以在後續執行之補正處理之補正資訊(詳情於下文敍述)自鍵盤5輸入。資料處理裝置2將所輸入之補正資訊記憶於內部之記憶裝置(未圖示)。(步驟S1a)接著資料處理裝置2,使用圖像資料輸入受理部即轉換部20受理圖像資料即圖案資料DP1之輸入(即讀入),並將所讀入之圖案資料DP1轉換為可由曝光裝置3處理之光柵形式之資料即初始描繪資料D1(步驟S1b),之後將此初始描繪資料D1直接作為描繪資料DD發送至曝光裝置3之描繪控制器31(步驟S2)。即,由於在此為第1層之描繪,因此於根據初始描繪資料D1進行曝光時之前,由於在基板S上未形成圖案且亦不存在有扭曲等,因此無須資料之補正而未進行,而將圖案資料DP1之初始描繪資料D1直接作為描繪資料DD。再者,進行對此光柵形式之轉換處理之轉換部20可利用眾所皆知之技術。
若將描繪資料DD發送至描繪裝置1,描繪對象物即基板S就會搬入曝光裝置3,並於對平台32定位之狀態下進行固定(步驟S3)。基板S係於樹脂基台之單面形成有銅層之印刷基板,且於搬入至曝光裝置3時,為了該銅層之圖案化而於銅層上形成有光阻膜。再者,對曝光裝置3之此基板S之搬入或後述之搬出,既可根據描繪控制器31之指示藉由未圖示之搬送裝置進行,亦可由操作者手動操作而進行。
若基板S搬入至描繪裝置3,描繪控制器31就會控制光源33之調變部33a、平台32等,照射藉由初始描繪資料D1所調變之雷射光LB並進行描繪處理,而進行基板S之圖案化(步驟S4)。具體而言,在形成於基板S之表面之光阻層上,形成根據初始描繪資料D1之感光部分。
若藉由初始描繪資料D1之描繪處理結束後,基板S就會自曝光裝置3搬出(步驟S5)。若於同樣地處理複數片基板S時,計數處理片數,判斷既定片數是否結束(步驟S6),若未結束則返回至步驟S2。若結束則前進至步驟S7。
結束藉由曝光裝置3之描繪處理之基板S,係搬送至未圖示之顯影裝置並實施顯影、蝕刻及伴隨其等之水洗、熱處理等處理(步驟S7)。然後,若此步驟S7結束後,基板S表面之銅層就會圖案化而成為既定之配線圖案,至此完成第1層之圖案形成。
<第2層之圖案形成>
接著,對基板S進行第2層之圖案形成,首先,藉由步驟S7形成有既定配線圖案之基板S,係搬送至未圖示之被膜形成裝置,於該基板S之整個表面藉由塗佈或層壓等方法被膜形成阻焊劑(步驟S8)
另一方面,於圖案設計裝置4中,將藉由步驟S1所製作阻焊劑之圖案之資料(第2層圖案資料DP2)自圖案設計裝置4發送至資料處理裝置2,並利用資料處理裝置2讀入(步驟S9)。資料處理裝置2將該資料轉換為可由曝光裝置3處理之光柵形式之資料即初始描繪資料D2。此初始描繪資料D2並非立即發送至描繪裝置1之描繪控制器31,而是預先記憶於資料處理裝置2之內部記憶裝置(未圖示)中用以進行後述之補正(步驟S10)。
利用步驟S8形成有阻焊層之基板S係再度搬入至描繪裝置1,在與步驟S3同樣地處於定位之狀態下固定於平台32(步驟S11)。
接著,固定於平台32之基板S藉由攝像裝置34進行攝像,所攝像之圖像係作為標記攝像資料DM經由描繪控制器31發送至資料處理裝置2(步驟S12)。具體而言,於此實施形態中,雖然攝像裝置34對朝向基板S上側之感光膜面(描繪面)整體進行攝影,但其原因在於,如下所述對形成於基板S之描繪面之對準標記M進行位置檢測,因此只要可對對準標記M進行所需之攝像,則無對基板S整體進行攝像之必要。
資料處理裝置2之位置算出部23係處理所接收到之標記攝像資料DM,對形成於基板S表面之所有對準標記M進行識別與抽出,並進行其位置檢測(步驟S13)。由於基板S係對於平台32與描繪時(步驟S3)同樣地定位並加以固定,因此只要基板S未變形或扭曲,則將檢測出與對曝光裝置3描繪時相同之位置,但實際上,經描繪後之顯影、蝕刻等處理後基板S經常會產生變形或扭曲,因此所檢測出之對準標記M之一部分或全部會發生位置偏離。因此,在後續之資料處理裝置2將算出此對準標記M之位置偏離量(步驟S13a)。再者,用於此算出之對準標記M原本之位置資訊,係作為於步驟S1a所輸入之補正資訊進行輸入,或者亦可於讀入圖案資料DP1時(步驟S1)自圖案設計裝置4讀入。
接著,資料處理裝置2對於此對準標記M之位置偏離、即基板S之變形、扭曲等,藉由基於根據操作者所考量形成於該基板S之圖案之內容、排列及基板S之用途等而設定之補正資訊之想法之演算法,對後續欲曝光之初始描繪資料D2算出補正量(步驟S14),並根據此補正量進行補正處理,而獲得經過補正之描繪資料DD(步驟S15)。而且,藉由此補正處理,對於具有先前根據初始描繪資料D1所形成之銅配線圖案之基板S表面之變形或扭曲,補正將要開始描繪之初始描繪資料D2,並根據該經過補正之描繪資料DD進行描繪,消除或減輕先前所形成銅配線圖案與此次所形成阻焊劑圖案之位置關係之偏離。藉此,可獲得充分之描繪品質、產品品質。於本實施形態中,將資料處理裝置2作為主要之構成,實現進行於基板所描繪之圖像資料之補正之描繪資料之補正裝置。再者,關於包含此步驟S14之補正處理將於下詳細敍述。
接著,資料處理裝置2係將於步驟S15所獲得之經過補正之描繪資料DD發送至曝光裝置3之描繪控制器31,描繪控制器31控制光源33之調變部33a、平台32等,並照射根據此描繪資料DD所調變之雷射光LB進行描繪處理,而進行基板S之圖案化(步驟S16)。具體而言,在形成於基板S表面之阻焊劑,形成有根據描繪資料DD之感光部分。
若根據描繪資料DD所進行之描繪處理結束後,基板S就會自曝光裝置3搬出(步驟S17)。若同樣地處理複數片基板S時,計數處理片數,判斷既定片數是否結束(步驟S18),若未結束則返回至步驟S11。若結束則前進至步驟S19。
結束利用曝光裝置3所進行之描繪處理之基板S係搬送至未圖示之顯影裝置等且實施顯影等圖案形成所必須之處理(步驟S19)。而且,此步驟S19結束後,基板S表面之銅層上之阻焊劑就會圖案化而成為既定之阻焊劑圖案,至此結束第2層之圖案形成。
<補正處理之細節>
接著,針對本發明之上述步驟S14之對初始描繪資料D2之補正量算出之處理之概要進行說明。圖7係表示步驟S14之次常式(subroutine)之細節之圖式。於此步驟S14中,考量形成於該基板S之圖案之內容、排列及基板S之用途等,根據先前由操作者輸入設定之補正資訊所指定之演算法算出補正量。具體而言,首先補正方法選擇部22係根據補正資訊判斷要應用先前所敍述3種補正演算法中之何種(步驟S140)。
於此,若關於圖6針對先前說明之步驟S1a中預先由操作者所輸入設定之補正資訊之內容進行說明,則於採用上述演算法1:「整體扭曲補正」之情形時,輸入該演算法之號碼「1」。於採用演算法2:「矩形保持補正」之情形時,輸入該演算法之號碼「2」、及欲保持之矩形形狀。又,於採用演算法3:「整體扭曲補正與矩形保持補正之併用」之情形時,除輸入該演算法之號碼「3」以外,亦輸入下述區域之座標用以在基板S中指定應用「整體扭曲補正」之區域及應用「矩形保持補正」之區域,並且預先輸入於「矩形保持補正」中欲保持之矩形形狀。而且,於此步驟S140中,自記憶裝置讀出所輸入之演算法之號碼,並藉由該演算法之號碼為哪一個而判斷係指定哪一種演算法。
而且,藉由步驟S140之判斷,分別於輸入演算法之號碼為「1」時前進至步驟S141,輸入「2」時前進至步驟S142,輸入「3」時前進至步驟S143。
於步驟S141中,利用包含「整體扭曲補正」之程式之描繪資料補正部21A,算出對初始描繪資料D2所實施整體扭曲補正之補正量。而且,返回至圖6對初始描繪資料D2執行補正並算出描繪資料DD(步驟S15),根據該補正後之描繪資料DD描繪第2層(步驟S16)。
又,於步驟S142中,利用包含「矩形保持補正」之程式之描繪資料補正部21B,算出對初始描繪資料D2所實施矩形保持補正之補正量。而且,返回至圖6對初始描繪資料D2執行補正並算出描繪資料DD(步驟S15),根據該補正後之描繪資料DD描繪第2層(步驟S16)。
又,於步驟S143中,根據於預先所輸入設定之基板S中應用「整體扭曲補正」之區域與應用「矩形保持補正」之區域,首先對該「整體扭曲補正」應用區域,利用描繪資料補正部21A,算出初始描繪資料D2中對於該「整體扭曲補正」應用區域之補正值,並記憶於未圖示之內部記憶裝置中。接著,前進至步驟S144,對「矩形保持補正」應用區域利用描繪資料補正部21B,算出初始描繪資料D2中針對「矩形保持補正」應用區域之補正值,並記憶於未圖示之內部記憶裝置。然後,返回至圖6對初始描繪資料D2執行補正且算出描繪資料DD(步驟S15),並根據該補正後之描繪資料DD描繪第2層(步驟S16)。
如此,圖7係藉由步驟S14之次常式整體選擇使用資料補正部,執行描繪資料之補正,並考量形成於該基板S之圖案之內容、排列及基板S之用途等,藉由先前操作者所指定之演算法算出補正量,可實現對應於基板S之用途及圖案之最佳補正。
<變形例>
於上述實施形態中,雖然作為操作者判斷並輸入用以選擇補正方法之補正資訊之資訊輸入部而設置鍵盤5,但並不限定於此,例如亦可於將圖案設計裝置4所製作之圖案資料DP發送至資料處理裝置2時,由圖案設計裝置4判斷適合補正該圖案資料DP之方法並製作顯示該方法之補正資訊,伴隨著圖案資料DP輸入至資料處理裝置2。
又,於上述實施形態中,資料處理裝置2之補正方法選擇部22雖然根據所輸入之用以選擇補正方法之補正資訊而選擇資料補正部21A、21B,但並不限定於此,例如亦可插入如下程式,即對資料處理裝置2本身所輸入之圖案資料DP進行解析並識別單片圖案之有無及種類,選定最佳之補正方法且選擇使用與其對應之資料補正部。
又,於上述實施形態中,雖然利用攝像裝置34對載置於平台32上之基板S之表面進行攝像,且由資料處理裝置2解析其所攝像之圖像並算出定位標記即對準標記M之位置資訊(即,使攝像裝置34及資料處理裝置2之位置算出部23成為輸入定位標記之位置資訊之定位標記位置輸入部),但並不限定於此,亦可利用其他方法輸入定位標記之位置。
又,於上述實施形態中,雖然自「整體扭曲補正」、「單片保持補正」及「整體扭曲補正與單片保持補正之併用」3個演算法中根據用途選擇適當之演算法,但亦可使用其他演算法。
<效果>
如上述根據本發明,可以對應欲製造之基板而選擇補正之方式,且適合後續步驟或用途等之使用形態之方式進行描繪資料之補正,並且可使用該經過補正之描繪資料進行描繪。
雖然針對發明進行詳細地描述與說明,但所敘述之說明僅為例示並非為限定者。因此,只要不脫離本發明之範圍,可為多種變形或態樣。
1...描繪裝置
2...資料處理裝置
3...曝光裝置
4...圖案設計裝置
5...鍵盤
20...轉換部
21A...描繪資料補正部A
21B...描繪資料補正部B
22...補正方法選擇部
23...位置算出部
31...描繪控制器
32...平台
33...光源
33a...調變部
34...攝像部
35...掃描部
D1、D2...初始描繪資料
DD...描繪資料
DM...標記攝像資料
DP、DP1、DP2、DP2'...圖案資料
LB...雷射光
M、M'...對準標記(測定點)
P、C1、C2、PS、PL...圖案(單片圖案)
S...基板
S1~S19...步驟
S140~S144...步驟
S1a...步驟
S1b...步驟
Sa...被描繪面
圖1係表示本發明實施形態之描繪裝置1之概略構成的圖式。
圖2A至圖2G係表示描繪資料與基板之扭曲之圖式。
圖3A及圖3B係表示基板表面測定點之偏離與圖案補正之範例的圖式。
圖4A及圖4B係表示基板表面測定點之偏離與圖案補正之範例的圖式。
圖5A及圖5B係表示基板表面測定點之偏離與圖案補正之範例的圖式。
圖6係表示製造印刷基板之方法之概要之流程圖。
圖7係表示於步驟S14中算出補正量之選擇之流程圖。
1...描繪裝置
2...資料處理裝置
3...曝光裝置
S140~S144...步驟

Claims (16)

  1. 一種描繪資料之補正裝置,其係根據基板之定位標記之位置資訊而進行描繪於基板上之圖像資料之補正者,其具備有:圖像資料輸入受理部,其受理描繪於基板上之圖像資料之輸入;定位標記位置輸入部,其輸入基板之定位標記之位置資訊;複數個資料補正部,其根據所輸入之定位標記之位置資訊,藉由各自不同之算法補正描繪資料;及補正方法選擇部,其根據欲製造之基板的種類或者欲描繪之圖像的內容,選擇並使用上述複數個資料補正部,而執行描繪資料之補正。
  2. 如申請專利範圍第1項之描繪資料之補正裝置,其中,進一步具備有資訊輸入部,其輸入用以選擇補正方法之補正資訊,且上述補正方法選擇部係根據由上述資訊輸入部所輸入之補正資訊而選擇資料補正部。
  3. 如申請專利範圍第2項之描繪資料之補正裝置,其中,上述圖像資料輸入受理部係自製作圖像資料之圖案製作裝置受理圖像資料之輸入者,且上述資訊輸入部係伴隨著對圖像資料輸入受理部之圖像 資料之輸入,而輸入來自上述圖案製作裝置之補正資訊。
  4. 如申請專利範圍第1項之描繪資料之補正裝置,其中,上述補正方法選擇部係進行根據所輸入之描繪資料而選擇資料補正部之判斷者。
  5. 如申請專利範圍第2項之描繪資料之補正裝置,其中,上述補正方法選擇部係藉由所輸入之描繪資料之圖像是否包含複數個相同之單片圖案而選擇資料補正部。
  6. 如申請專利範圍第2項之描繪資料之補正裝置,其中,上述補正方法選擇部係藉由所輸入之描繪資料之圖像是否整體為單一圖案之圖像而選擇資料補正部。
  7. 如申請專利範圍第2項之描繪資料之補正裝置,其中,上述補正方法選擇部係藉由所輸入之描繪資料之圖像是否包含複數個相同之單片圖案,而且是否包含其他圖案而選擇資料補正部。
  8. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之描繪資料之補正裝置,其中,上述定位標記位置輸入部具備:攝影部,其對上述基板進行攝影;及位置算出部,其根據上述攝影部所攝影之圖像算出上述基板之定位標記之位置資訊。
  9. 一種描繪裝置,其具備:光源;描繪資料之補正裝置; 調變部,其對來自上述光源之光藉由利用上述描繪資料之補正裝置所補正之描繪資料進行調變;及掃描部,其將藉由上述調變部所調變之光照射至基板並進行掃描;且上述描繪資料之補正裝置具備:圖像資料輸入受理部,其受理描繪於基板上之圖像資料之輸入;定位標記位置輸入部,其輸入基板之定位標記之位置資訊;複數個資料補正部,其根據所輸入之定位標記之位置資訊,藉由各自不同之算法補正描繪資料;及補正方法選擇部,其根據欲製造之基板的種類或者欲描繪之圖像的內容,選擇並使用上述複數個資料補正部,而執行描繪資料之補正。
  10. 如申請專利範圍第9項之描繪裝置,其中,上述描繪資料之補正裝置進一步具備有資訊輸入部,其輸入用以選擇補正方法之補正資訊,且上述補正方法選擇部係根據由上述資訊輸入部所輸入之補正資訊而選擇資料補正部。
  11. 如申請專利範圍第10項之描繪裝置,其中,上述圖像資料輸入受理部係自製作圖像資料之圖案製作裝置受理圖像資料之輸入者,且 上述資訊輸入部係伴隨著對圖像資料輸入受理部之圖像資料之輸入,而輸入來自上述圖案製作裝置之補正資訊者。
  12. 如申請專利範圍第9項之描繪裝置,其中,上述補正方法選擇部係進行根據所輸入之描繪資料而選擇資料補正部之判斷者。
  13. 如申請專利範圍第10項之描繪裝置,其中,上述補正方法選擇部係藉由所輸入之描繪資料之圖像是否包含複數個相同之單片圖案而選擇資料補正部。
  14. 如申請專利範圍第10項之描繪裝置,其中,上述補正方法選擇部係藉由所輸入之描繪資料之圖像是否整體為單一圖案之圖像而選擇資料補正部。
  15. 如申請專利範圍第10項之描繪裝置,其中,上述補正方法選擇部係藉由所輸入之描繪資料之圖像是否包含複數個相同之單片圖案,而且是否包含其他圖案而選擇資料補正部。
  16. 如申請專利範圍第9至15項中任一項之描繪裝置,其中,上述定位標記位置輸入部具備:攝影部,其對上述基板進行攝影;及位置算出部,其根據上述攝影部所攝影之圖像算出上述基板之定位標記之位置資訊。
TW100138037A 2011-03-18 2011-10-20 描繪資料之補正裝置及描繪裝置 TWI448839B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011061083A JP5731864B2 (ja) 2011-03-18 2011-03-18 描画データの補正装置および描画装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201239541A TW201239541A (en) 2012-10-01
TWI448839B true TWI448839B (zh) 2014-08-11

Family

ID=46813473

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100138037A TWI448839B (zh) 2011-03-18 2011-10-20 描繪資料之補正裝置及描繪裝置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5731864B2 (zh)
KR (1) KR101480589B1 (zh)
CN (1) CN102681355B (zh)
TW (1) TWI448839B (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6063270B2 (ja) * 2013-01-25 2017-01-18 株式会社Screenホールディングス 描画装置および描画方法
JP2014178536A (ja) * 2013-03-15 2014-09-25 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 描画データ生成方法、描画方法、描画データ生成装置、および描画装置
JP6114151B2 (ja) * 2013-09-20 2017-04-12 株式会社Screenホールディングス 描画装置、基板処理システムおよび描画方法
JP6389040B2 (ja) * 2014-02-17 2018-09-12 株式会社Screenホールディングス パターン描画装置用のgui装置、パターン描画システム、ジョブチケット更新方法およびプログラム
JP2015184315A (ja) * 2014-03-20 2015-10-22 株式会社Screenホールディングス データ補正装置、描画装置、データ補正方法および描画方法
JP6342738B2 (ja) * 2014-07-24 2018-06-13 株式会社Screenホールディングス データ補正装置、描画装置、検査装置、データ補正方法、描画方法、検査方法およびプログラム
JP6789687B2 (ja) * 2016-06-17 2020-11-25 株式会社日本マイクロニクス シート状デバイス、シート状二次電池の製造方法、及び製造装置
CN113934115B (zh) * 2021-10-22 2023-10-27 合肥芯碁微电子装备股份有限公司 控制直写式光刻机的方法和直写式光刻机

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6352799B1 (en) * 1999-03-03 2002-03-05 Nikon Corporation Charged-particle-beam pattern-transfer methods and apparatus including beam-drift measurement and correction, and device manufacturing methods comprising same
US7065737B2 (en) * 2004-03-01 2006-06-20 Advanced Micro Devices, Inc Multi-layer overlay measurement and correction technique for IC manufacturing

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2785141B2 (ja) * 1989-09-26 1998-08-13 キヤノン株式会社 アライメント装置
JP4201178B2 (ja) * 2002-05-30 2008-12-24 大日本スクリーン製造株式会社 画像記録装置
JP2004012902A (ja) * 2002-06-07 2004-01-15 Fuji Photo Film Co Ltd 描画装置及びこの描画装置を用いた描画方法
JP4478496B2 (ja) * 2004-04-07 2010-06-09 株式会社オーク製作所 ローカルアライメント機能を有する露光装置
JP2006098720A (ja) * 2004-09-29 2006-04-13 Fuji Photo Film Co Ltd 描画装置
JP2006259715A (ja) * 2005-02-21 2006-09-28 Fuji Photo Film Co Ltd 描画方法、描画装置、描画システムおよび補正方法
JP2006251160A (ja) * 2005-03-09 2006-09-21 Fuji Photo Film Co Ltd 描画方法および装置
JP2007034186A (ja) * 2005-07-29 2007-02-08 Fujifilm Corp 描画方法および装置
JP5336036B2 (ja) * 2006-06-26 2013-11-06 株式会社オーク製作所 描画システム
JP2008058797A (ja) * 2006-09-01 2008-03-13 Fujifilm Corp 描画装置及び描画方法
JP5001638B2 (ja) * 2006-12-22 2012-08-15 株式会社オーク製作所 露光データ作成装置
JP4448866B2 (ja) * 2007-03-30 2010-04-14 日立ビアメカニクス株式会社 描画装置
JP4369504B2 (ja) * 2007-09-03 2009-11-25 日立ビアメカニクス株式会社 レーザ直接描画装置および描画方法
JP2009204982A (ja) * 2008-02-28 2009-09-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd パターン描画装置及びパターン描画方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6352799B1 (en) * 1999-03-03 2002-03-05 Nikon Corporation Charged-particle-beam pattern-transfer methods and apparatus including beam-drift measurement and correction, and device manufacturing methods comprising same
US7065737B2 (en) * 2004-03-01 2006-06-20 Advanced Micro Devices, Inc Multi-layer overlay measurement and correction technique for IC manufacturing

Also Published As

Publication number Publication date
TW201239541A (en) 2012-10-01
KR20120106536A (ko) 2012-09-26
KR101480589B1 (ko) 2015-01-08
CN102681355B (zh) 2014-08-13
JP5731864B2 (ja) 2015-06-10
JP2012198313A (ja) 2012-10-18
CN102681355A (zh) 2012-09-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI448839B (zh) 描繪資料之補正裝置及描繪裝置
JP5496041B2 (ja) 変位算出方法、描画データの補正方法、描画方法および描画装置
JPH0629170A (ja) 整合マーク
JP2008058797A (ja) 描画装置及び描画方法
JP2010204421A (ja) 描画装置、描画装置用のデータ処理装置、および描画装置用の描画データ生成方法
JP5852374B2 (ja) 描画装置および描画方法
TWI575307B (zh) 資料補正裝置,描繪裝置,資料補正方法及描繪方法
JP2017090817A (ja) 露光装置、及び物品の製造方法
JP6357064B2 (ja) パターン形成装置およびパターン形成方法
CN115837747A (zh) 用于光源模组拼接的标定方法、投影方法及3d打印方法
JP5134767B2 (ja) 描画データ補正機能を有する描画装置
TWI648603B (zh) 描繪裝置及描繪方法
JP2007033764A (ja) パターン製造システム、露光装置、及び露光方法
TWI639059B (zh) 描繪裝置、基板處理系統及描繪方法
JP5336301B2 (ja) パターン描画方法、パターン描画装置および描画データ生成方法
JP2013148840A (ja) 露光描画装置、露光描画システム、プログラム及び露光描画方法
JP7133379B2 (ja) 描画装置および描画方法
JP2006350012A (ja) 露光装置、露光方法、検査システム、及び検査方法
TWI771080B (zh) 基板位置檢測方法、描繪方法、基板位置檢測裝置以及描繪裝置
TW202414106A (zh) 模板生成裝置、描繪系統、模板生成方法以及電腦可讀取的程式
JP2016151534A (ja) 検査装置、検査方法、および、検査装置用のプログラム
JP2003022954A (ja) 重ね合わせ誤差測定装置
CN116736643A (zh) 曝光装置以及曝光方法