CN102681355A - 描画数据修正装置及描画装置 - Google Patents

描画数据修正装置及描画装置 Download PDF

Info

Publication number
CN102681355A
CN102681355A CN2012100686888A CN201210068688A CN102681355A CN 102681355 A CN102681355 A CN 102681355A CN 2012100686888 A CN2012100686888 A CN 2012100686888A CN 201210068688 A CN201210068688 A CN 201210068688A CN 102681355 A CN102681355 A CN 102681355A
Authority
CN
China
Prior art keywords
data
describing
substrate
input
pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2012100686888A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102681355B (zh
Inventor
八坂智
山田亮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Publication of CN102681355A publication Critical patent/CN102681355A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102681355B publication Critical patent/CN102681355B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70681—Metrology strategies
    • G03F7/70683—Mark designs
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/72—Repair or correction of mask defects
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70508—Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/706835—Metrology information management or control
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70791—Large workpieces, e.g. glass substrates for flat panel displays or solar panels
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7019—Calibration
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073—Alignment marks and their environment
    • G03F9/7084—Position of mark on substrate, i.e. position in (x, y, z) of mark, e.g. buried or resist covered mark, mark on rearside, at the substrate edge, in the circuit area, latent image mark, marks in plural levels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

提供一种扫描数据修正装置及描画装置。在扫描数据修正装置中，修正方法选择部根据所接收的修正信息对多个数据修正部进行选择使用，来对描画数据进行修正。描画装置基于修正后的该描画数据(DD)，对基板进行描画。这样一来，根据要制造的基板来选择修正方法，由此，能够以与后续工序或用途等事宜方式相适合的方式来修正描画数据。

Description

描画数据修正装置及描画装置
技术领域
本发明涉及描画数据修正装置及描画装置，特别涉及与印刷基板、半导体基板、液晶基板等基板的制造相关的描画数据修正装置及描画装置。
背景技术
以往，众所周知有如下的直接描画装置(直描装置)，该直描装置通过扫描并照射激光等曝光用光，连续对印刷基板、半导体基板、液晶基板等描画对象物(下面，还简称为基板)的局部进行曝光，由此描画所希望的电路图等来形成电路图的装置。
直描装置根据描画数据来描画电路图，该描画数据是基于电路图的设计数据来转换的描画数据，且具有直描装置能够处理的描述形式。其中，在如上述那样的基板中，会产生弯曲、畸变、伴随前工序处理的应变等变形，但一般而言，不考虑这些变形而作成设计数据，因而即使直接利用转换后的描画数据来描画电路图，也会与之前形成的电路图的位置关系之间产生偏差而导致得不到足够的描画品质，因此不能提高成品率。
因此，关于这种直描装置提出了如下技术：进行被称为局部对准(1ocalalignment)的修正处理，并利用修正后的该描画数据来进行描画，被称为局部对准的所述修正处理是指，预先测定作为描画对象的基板的形状，并根据得到的测定结果计算基板的各点的位移，由此修正描画数据本身，使得描画数据本身与该位移相匹配。在日本特开2008-3441号公报(文献1)中，根据特定四角形的四个顶点的位置信息，来计算描画数据的修正量，该特定四角形包围作为对象的描画数据。另外，在日本特开2010-204421号公报(文献2)中，将作为对象的整体描画区域分割成多个小区域，基于对准标记的位置，根据基板的形状来再配置各小区域，由此合成与各小区域相对应的描画内容来生成描画数据。
在文献1、2中记载的技术中，由于只根据对准标记的位置变化而来修正了描画数据，并未考虑描画对象物即要制造的基板的最终使用方式，因而有时在后工序中发生不良或成品率劣化。例如，在利用印刷基板的组合法(Build Up Method)的情况下，若针对因蚀刻及冲压等变形发生要因而发生的应变，对每次描画的数据进行修正，则因该修正的积累而导致有可能使最终形成的图案与安装于该图案上的部件的大小不匹配。或者，在对一个描画对象物描画所谓带有多个面的图案的情况下，若基于整个描画区域的对准标记的位置变化来将该整个描画区域看做一个图案而进行修正，则不能恰当地进行修正，所述带有多个面的图案是指，排列配置有多个尺寸比该描画对象物小的图案的图案。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种描画数据修正装置，该描画数据修正装置基于基板定位标记的位置信息，来对用于在基板上进行描画的图像数据进行修正，根据要制造的基板来选择修正方法，由此能够与后工序及用途等使用方式相适合地对描画数据进行修正。
本发明的描画数据修正装置，基于基板的定位标记的位置信息，对用于在基板上进行描画的图像数据进行修正，该描画数据修正装置的特征在于，具有：图像数据输入接收部，其接收所输入的用于在描画基板上进行描画的图像数据；定位标记位置输入部，其输入基板的定位标记的位置信息；多个数据修正部，这些各数据修正部基于所接收的定位标记的位置信息，利用各不相同的算法修正描画数据；修正方法选择部，其对所述多个数据修正部进行选择使用，来对描画数据进行修正。若使用本发明，根据要制造的基板来选择修正方法，由此能够与后工序及用途等使用方式相适合地对描画数据进行修正。
作为本发明的一个优选方式，还具有信息输入部，该信息输入部输入用于选择修正方法的修正信息；所述修正方法选择部根据由所述信息输入部输入的修正信息来选择数据修正部。
此时，优选所述图像数据输入接收部，从用于作成图像数据的图案作成装置接收所输入的图像数据；所述信息输入部，在向图像数据输入部输入图像数据的同时，输入来自所述图案作成装置的修正信息。
作为本发明的一个优选方式，所述修正方法选择部，根据所接收的描画数据的图像是否含有多个相同的单片图案，来选择数据修正部。作为本发明的另一个优选方式，所述修正方法选择部，根据所接收的描画数据的图像是否整体为单一图案的图像，来选择数据修正部。进而，作为本发明的另一个优选方式，所述修正方法选择部，根据所接收的描画数据的图像是否含有多个相同的单片图案并且还包含其他图案，来选择数据修正部。
本发明还提供一种描画装置，该描画装置具有：光源；所述描画数据修正装置；调制部，其根据由所述描画数据修正装置修正后的描画数据，来调制来自所述光源的光；扫描部，其将由所述调制部调制后的光照射在基板上，并扫描该基板。在描画装置中，则能够根据要制造的基板来选择修正方法，由此能够与后工序及用途等使用方式相适合地对描画数据进行修正。
通过参照附图来进行如下说明，来使所述的目的和其他目的、特征、方式以及优点更加明确。
附图说明
图1是示出了本发明的实施方式的描画装置1的概略结构的图。
图2A～图2G是示出了描画数据和基板的应变的图。
图3A、图3B是示出了基板表面的测定点的偏移和图案的修正例的图。
图4A、图4B是示出了基板表面的测定点的偏移和图案的修正例的图。
图5A、图5B是示出了基板表面的测定点的偏移和图案的修正例的图。
图6是示出了制造印刷基板的方法的概要的流程图。
图7是示出了在步骤S14中选择修正量计算方法的流程图。
附图标记的说明
1描画装置
2数据处理装置
3曝光装置
4图案设计装置
5键盘
20转换部
21A描画数据修正部A
21B描画数据修正部B
32工作台
33光源
33a调制部
34拍摄部
M、M’对准标记(测定点)
P、C1、C2、PS、PL图案(单片图案)
具体实施方式
描画装置的结构
图1是示出了本发明的实施方式的描画装置1的概略结构的图。描画装置1是直接描画装置(直描装置)，通过照射出作为曝光用光的激光LB并利用该激光LB进行扫描，来对印刷基板、半导体基板、液晶基板等作为描画对象即基板S的局部连续进行曝光，由此在基板S上描画所希望的电路图的曝光图像。
描画装置1主要由以下的结构构成，这些结构是：数据处理装置2，其生成描画数据DD，并且，还对所需的数据进行修正；曝光装置3，其基于描画数据DD，进行实际的描画(曝光)；键盘5，其作为向数据处理装置2输入信息的信息输入部。此外，不需以一体方式设置数据处理装置2和曝光装置3，只要能够在这两者之间收发数据，就可以两者物理地分开设置两者。
数据处理装置2由所谓的微型计算机构成，该微型计算机具有计算电路、存储装置等，还内置有包含各种程序等的软件。数据处理装置2特别具有转换部20和描画数据修正部21A、21B(在后面详细阐述)，由此根据需要利用它们将初始描画数据转换成描画数据DD，所述转换部20包含特定程序，该特定程序用于将作为向量数据的图案数据DP转换成作为光栅数据的初始描画数据，所述描画数据修正部21A、21B(在后面详细阐述)包含用于计算修正量的程序，该修正量用于将该初始扫描数据转换成实际用于扫描(曝光)的描画数据DD。
并且，数据处理装置2基于例如利用CAD等图案设计装置4作成的作为电路图的设计数据的图案数据DP，来生成作为曝光装置3的处理数据的描画数据DD。一般而言，图案数据DP被描述为多角形(polygon)等向量数据。另一方面，由于曝光装置3基于描述为光栅数据的描画数据DD来进行曝光，因而数据处理装置2需要将图案数据DP转换成光栅数据，因此，首先利用转换部20进行所需的转换而得到初始描画数据D1、D2。进一步，在本实施方式的描画装置1中，在需要曝光第二层及第二层以上的层的情况下，在后述的方式中利用描画数据修正部21A、21B对初始描画数据D2进行修正处理，在此基础上生成扫描数据DD。由此，即使在基板S产生变形的情况下，也能够在基板S上描画具有所希望特性的电路图。
曝光装置3根据从数据处理装置2接收到的描画数据DD，对基板S进行描画。曝光装置3主要具有：描画控制器31，其控制各部的动作；工作台32，其用于放置基板S；光源33，其出射激光LB；拍摄装置34，其作为拍摄部，拍摄放置在工作台32上的基板S的被描画面Sa。
在曝光装置3中，工作台32和光源33中的至少一个装置能够在主扫描方向和副扫描方向上移动，所述主扫描方向和副扫描方向是相互正交的水平二轴方向。由此，在将基板3放置在工作台32上的状态下，能够使工作台32和光源33在主扫描方向上进行相对移动，并且，使光源33将激光LB照射至该基板3。在图1中，表示用于使工作台32移动的扫描部35。或者，进一步，既可以使工作台32能够在水平面上旋转移动，也可以使光源33能够在垂直方向上移动。能够根据成为描画对象的基板S的种类等，来适当决定所使用的激光LB的种类。
首先，光源33例如具有DMD(digital micromirror device：数字微镜器件)等的调制部33a，由此使得由光源33照射出的激光LB接受调制部33a的调制，并且，使得从光源33出射的激光LB(调制后)对工作台32上的基板S进行照射。更具体而言，在进行描画之前，首先，利用描画控制器31，根据针对每个像素位置设定了是否进行曝光的描画数据DD的描述内容，来进行特定的设定，该特定的设定是指，针对每个调制部33a的调制单位，对激光LB的照射进行开通(on)/关闭(off)的设定。在光源33相对于工作台32(相对于放置在该工作台32上的基板S)在主扫描方向上进行相对移动的期间，根据这样的开通/关闭设定，来从光源33出射激光LB，由此对工作台32上的基板S照射基于描画数据DD进行了调制的激光LB。
若使激光LB在主扫描方向上针对某个位置进行扫描，由此完成针对该位置的曝光，则使光源33在副扫描方向上仅相对移动规定距离，并再次使激光LB在主扫描方向上针对该位置进行扫描。通过重复进行上述处理，来在基板S上形成基于描画数据DD的图像(曝光图像)。
拍摄装置34的主要用于拍摄对准标记M(将后述)，该对准标记M作为用于定位的测定点，且形成在放置于工作台32上的基板S的表面上，即，形成在被描画面Sa上。利用描画控制器31对这样的对准标记的拍摄图像进行图像处理，由此对检测出各对准标记的位置坐标(位置信息)进行计算，并如上述那样向数据处理装置2提供这样的位置坐标来作为标记拍摄数据DM。当然，拍摄装置34为了其他的目的而进行拍摄。
此外，关于基板S的对准标记的形成方式，只要能够准确地确定其位置即可，不特别限定。例如，既可以采用使用贯通孔等由机械加工形成的对准标记的方式，也可以采用使用通过印刷工艺或光刻法工艺等刻画图形而得到的对准标记的方式。在本实施方式中，对准标记的数据与作为第一层图案的铜布线图案一起被包含在第一层的图案数据DP1中，在形成铜布线图案时，同时在基板S的表面上形成该对准标记形成。
<修正处理的基本概念>
下面，接着对在生成描画数据DD时进行的修正处理，说明其基本概念。
一般而言，假定生成了没有变形并且被描画面平坦的理想形状的基板，来作成图案数据DP，但在在实际情况下，基板上会产生弯曲、畸变以及伴随前工序的处理的应变等变形。此时，即使原样按照在图案数据DP中设定的配置位置，在基板S上描画电路图，也无法得到所希望的产品，因此，需要进行局部对准处理，来形成与基板S上产生的应变等的状态相符的电路图，该局部对准处理是指，根据基板S的状态来对电路图的形成位置坐标进行转换的处理。坦言之，在本实施方式中生成描画数据DD时进行的修正处理，是坐标转换处理。
图2A～2G是用于说明在曝光装置3的局部对准处理中的图案数据DP、DP2之间的关系的图。在此，目的在于，针对基板S，按照图2A、图2B的顺序，对图2A示出的包含对准标记M的图案数据DP1和图2B示出的图案数据DP2进行曝光，由此最终形成图2C所示的图案，即，在所生成的该图案中，分别包含在这两个图案数据DP1、DP2中的圆C1、C2，成为相重叠的位置关系。
此外，就这样重叠两个图案数据而形成图案的情况而言，例如可考虑以下情况等，这些情况是指，形成了印刷基板的铜布线图案和与其重叠的防焊层图案的情况，形成了多层印刷基板的布线图案的第一层和第二层的情况，形成了双面印刷基板的表面布线图案和背面布线图案的情况(此时，在从背面一侧曝光背面布线图案的情况下，图案为翻面图案)。
现在，考虑如下情况：基于图案数据DP1形成印刷基板S的铜布线图案，并基于图案数据DP2形成与该铜布线图案相重叠的防焊层图案，由此制造印刷基板S。此时，首先在印刷基板S的整个表面上形成的铜层上，形成光致抗蚀剂膜，并在该光致抗蚀剂膜上利用基于图案数据DP1而生成的描画数据DD进行曝光、显影及蚀刻处理，由此形成铜布线图案。接着，在该印刷基板S的铜布线图案上，通过涂布或层压处理(laminate)来形成防焊层，并利用基于图案数据DP2而生成的描画数据DD，进行曝光及显影处理。
然而，在该情况下，在形成铜布线图案的过程中，由于实施显影、蚀刻以及与它们伴随的水洗、加热干燥等工序，因而这些工序会导致在印刷基板S上产生伸缩及应变，从而产生如图2D那样的印刷基板S和图案的变形。若针对该印刷基板S，原样基于图案数据DP2的图形来生成描画数据DD进而进行曝光，则最终形成的图案会成为如图2E示出那样的图案，分别包含在两个图案数据DP1、DP2中的圆C1、C2的位置关系会产生偏差，因此不能形成目的图案。
因此，在该情况下，如图2F所示，考虑印刷基板S的变形(即，形成在印刷基板S上的图案数据DP1的变形、位移)，通过修正而使其变形为图案数据DP2’，而不是原样按照该图案数据DP2进行曝光。并且，基于变形后的该图案数据DP2’生成描画数据DD来进行曝光，由此最终使图案成为图2G那样的图案。基于修正该图案数据DP2的变形是局部对准处理。此外，例如能够以如下方法来识别印刷基板S的变形，即，以形成在印刷基板S上的位置指标(例如对准标记M)作为基准点(测定点)来进行拍摄等处理，由此读取该基准点，通过识别该基准点的位移来识别印刷基板S的变形。此外，在图案数据DP2中不包含对准标记M，但在图2F中为了表示位置关系而描画了对准标记M。
此外，在图2D中，描画出只有圆C1的位置发生了移动的情况，该圆C1是形成在印刷基板S上的图案数据DP1的图案，另外，在图2F中，也描画出只有圆C2的位置发生了移动的情况，该圆C2是修正后的图案数据DP2’的图案。但是，在实际处理中，图案数据DP1的圆C1不仅位置发生移动，其形状也会发生变形，因此，优选针对与其对应的修正后的图案数据DP2’的圆C2，还进行如下修正处理，在该修正处理中，不仅移动圆C2的位置而使其与圆C1一致，而且还改变该圆C2的形状而使其与圆C1一致。
<三种修正处理>
在本描画装置中，就用于修正图像的方法而言，内置有基于三个修正方式的三个算法。并且，装置的操作员能够根据要制造的基板的种类、要描画的图像的内容等，来任意选择并应用三个修正算法。这些修正算法是如下三种算法。
第一算法：“整体应变修正”
就该“整体应变修正”而言，为了掌握基板的变形，针对基板的整个描画区域来排列测定点(在这里是对准标记M)，并测定出测定点的位置变化，由此根据整个描画区域的测定点的位置变化，来针对该各测定点计算修正量，由此修正描画整个描画区域。
例如，可考虑如下方式：如图3A所示，将用5行×5列的25个黑点表示的对准标记M，排列在一个基板S表面的格子位置上，所述5行×5列的25个黑点遍及该基板S的大致整个表面，由此使这些对准标记M与整个描画区域相对应，从而在该基板S表面上形成如图3A示出那样的4行×4列的合计16个矩形图案P。此时，通过实际拍摄基板S的表面来对对准标记M的位置进行测定的结果，是从初始位置偏移到在图3B中用“+”字标记表示的M’的位置的情况。在该情况下，根据遍及该整个描画区域1的各对准标记M至M’的位置变化，来计算各图案P的位置及形状，由此对如图3B示出那样的在描画区域中的各图案P的位置及形状进行修正。若采用该“整体应变修正”如图3B那样，即，原来是矩形的图案P的形状变形为基于其位置被描画成菱形或弧形。该修正算法例如适用于在一个基板上描画一个大的电路图的情况。
此外，关于该“整体应变修正”的程序的内容，因已提出了多个方案而众所周知，例如，能够利用在日本特开2008-3441号公报、日本特开2010-204421号公报等中公开的技术。
算法2：“单片保持修正”
就该“单片保持修正”而言，在描画区域描画含有一种或多种要素图像(下面，称为单片图案)的图像的情况下，为了掌握基板的变形，遍及基板S的整个描画区域来排列对准标记M，并测定对准标记M的位置变化，由此根据遍及基板S的整个区域的对准标记M的位置变化，来对各单片图案的位置和朝向(例如将单片图案的中心位置和以该中心位置作为中心的旋转角度)进行修正，但修正描画后，不使各单片图案的形状本身变形。
例如，可考虑如下方式：如图4A所示，将用5行×5列的25个黑点表示的对准标记M，排列在一个基板S表面的格子位置上，所述5行×5列的25个黑点遍及该基板S表面的大致整个表面，由此使这些对准标记M与整个描画区域相对应，从而在该基板S表面形成如图4A示出那样的4行×4列的合计16个矩形单片图案P(该基板S与在图3A中示出的基板相同)。此时，通过实际拍摄基板S的表面来对对准标记M的位置进行测定的结果，是从初始的位置偏移到在图4B中用“+”字标记表示的M’的位置的情况。在该情况下，根据在该描画区域1的整个区域内的对准标记M至M’的位置变化，来分别计算应该作为各单片图案P中心位置的坐标(在图4B中用小圆点表示的位置)，并将各单片图案P的中心点分别移动至计算出的这些位置上，并且使该单片图案P绕着中心点旋转，从而修正其朝向。由于不使各单片图案P自身变形，因而适用于需按照设计尺寸制造各单片图案P的情况等。此外，在下面的说明中，由于说明单片图案的形状为矩形的情况，因而称为“矩形保持修正”。若采用该“矩形保持修正”，则如图4B所示，修正后的单片图案P的形状与原来的矩形相同，并未发生变化。此外，在图4B中，为了说明方便，还在图上表示了该情况。
就“矩形保持修正”的程序而言，可考虑如下的程序。即，针对包围各单片图案P的四个测定点M，例如在XY坐标上计算该四个测定点M的位置变化量的平均值，由此将该平均值作为该单片图案P的中心位置的移动量，另外，针对相同的四个测定点M，计算从原来的单片图案P的中心位置观察的角度变化量的平均值，由此将该平均值作为该单片图案P的旋转角度。
算法3：“整体应变修正和矩形保持修正的并用”
就该“整体应变修正和矩形保持修正的并用”而言，在描画区域中包含多种要素图像的情况等下，并用上述的“整体应变修正”和“矩形保持修正”，对某些区域应用“整体应变修正”，对其他区域应用“矩形保持修正”。
例如，如图5A所示，将用5行×5列的25个黑点表示的对准标记M，排列在一个基板S表面的格子位置上，所述5行×5列的25个黑点遍及该基板S的大致整个表面，由此使这些对准标记M与整个描画区域相对应，在该基板S表面包含有一个大的单片图案PL和排列成2×4的8个小的单片图案PS的情况下，对小的单片图案PS排列成2×4的区域应用“矩形保持修正”，对大的单片图案PL的区域应用“整体应变修正”。在应用该算法的情况下，在应用了“矩形保持修正”的区域，小的单片图案PS的形状在进行修正之后不发生变化，在应用了“整体应变修正”的区域，大的单片图案PL的形状通过修正而从原来形状发生了变化。此时，若通过实际拍摄基板S的表面来对对准标记M的位置进行测定的结果，是从初始的设置偏移到在图5B中用“+”字标记表示的M’的位置的情况，则修正的结果是修正为在图5B中示出那样的情况。该算法适用于在要描画的图像中包含用途各不相同的多种单片图案的情况等。
为了根据之前阐述的三个修正方式的修正算法来计算修正量，本描画装置1具备具有两种修正程序的描画数据修正部21A、21B。在这里，描画数据修正部21A包含用于计算“整体应变修正”的修正值的程序，描画数据修正部21B包含用于计算“矩形保持修正”的修正值的程序。
<印刷基板的制造工序>
下面，对使用本发明的描画装置1在基板上描画电路图来制造印刷基板方法的概要进行说明。在这里，在树脂基台的单面印刷布线基板上形成铜布线图案，并在其上形成防焊层的图案。图6是示出了由数据处理装置2执行的该方法的控制程序的整体概要(包括装置的动作的概要)的流程图。
<形成第一层图案>
首先，由作为图案作成装置的图案设计装置4预先设计要作成的印刷基板的铜布线图案以及要在其上面形成的防焊层图案，并将铜布线图案的数据作为第一层图案数据DP1，将防焊层图案的数据作为第二层图案数据DP2，由此将这些数据存储至图案设计装置4内的未图示的存储装置。此外，此时在考虑基板S表面有XY坐标时，还在第一层图案数据DP1上排列16个以上的“+”字型的对准标记Ma，这些对准标记Ma分别在X、Y的方向上相互隔开规定间隔，并且在各方向上至少排列4个以上。
首先，将作成的图案数据DP1发送至数据处理装置2，并由数据处理装置2读入该图案数据DP1(步骤S 1)。接着，描画装置1的操作员根据作成的图案数据DP1的内容，使用键盘5输入用于以后进行修正处理的修正信息(在后面详细阐述)。数据处理装置2将所接收的修正信息存储至内部的存储装置(未图示)(步骤S1a)。接着，在数据处理装置2利用作为图像数据输入接收部的转换部20，接收所输入的作为图像数据的图案数据DP1(即，读入)，将读入的图案数据DP1转换成初始描画数据D1(步骤S1b)，该初始描画数据D1是指曝光装置3能够处理的光栅形式的数据，在此基础上，原样将该初始描画数据D1作为描画数据DD发送至曝光装置3的描画控制器31(步骤S2)。即，由于在这里是描画第一层的处理，因而在基于初始描画数据D1进行曝光之前，尚未在基板S上形成图案，不存在应变等，因此不需修正数据，不进行修正，而原样将图案数据DP1的初始描画数据D1作为描画数据DD。此外，进行转换至该光栅形式的处理的转换部20能够利用公知的技术。
若描画装置1接收到描画数据DD，则将作为描画对象物的基板S搬入曝光装置3，且以相对于工作台32定位的状态将该基板S固定在该工作台32上(步骤S3)。基板S是在树脂基台的单面上形成有铜层的印刷基板，在将该基板S搬入曝光装置3时，为了对该铜层刻画图形而在该铜层上形成有光致抗蚀剂膜。此外，向曝光装置3搬入基板S或后述的搬出基板S的处理，可以由未图示的搬送装置根据描画控制器31的指示来进行，也可以由操作员用手工作业进行。
若将该基板S搬入描画装置3，则描画控制器31通过控制光源33的调制部33a、工作台32等，根据初始描画数据D1来照射调制的激光LB，由此进行描画处理，来对基板S刻画图形(步骤S4)。具体而言，在形成于基板S的表面的光致抗蚀剂膜上，形成基于初始描画数据D1的感光部分。
若描画初始描画数据D1的处理结束，则从曝光装置3搬出基板S(步骤S5)。在对多个基板S进行同样的处理的情况下，通过对处理的基板个数进行计数，来判断对规定个数的处理是否结束(步骤S6)，若未结束则返回步骤S2。若结束则进入步骤S7。
将完成了曝光装置3的描画处理的基板S搬运至未图示的显影装置，对其实施显影、蚀刻以及伴随这些处理的水洗、热处理等处理(步骤S7)。并且，若该步骤S7结束，则通过对基板S表面的铜层刻画图形而形成了规定的布线图案，至此结束形成第一层图案的处理。
<形成第二层图案>
接着，在基板S上形成第二层图案，但首先将通过在步骤S7中形成了规定布线图案的基板S搬运至未图示的覆膜形成装置，利用涂布或层压等方法，在该基板S的整个表面覆膜而形成防焊层(步骤S8)。
另一方面，图案设计装置4将由图案设计装置4在步骤S1中作成的防焊层图案的数据(第二层图案数据DP2)发送至数据处理装置2，数据处理装置2读入该第二层图案数据DP2(步骤S9)。数据处理装置2将该第二层图案数据DP2转换成曝光装置3能够处理的光栅形式的数据即初始描画数据D2。为了后述的修正处理，将该初始描画数据D2存储至数据处理装置2的内部存储装置(未图示)中，而不是将其直接发送至描画装置1的描画控制器31(步骤S10)。
再次将在步骤S8中形成了防焊层的基板8搬入描画装置1，并与步骤S3同样地，以相对于工作台32定位的状态将该基板8固定在该工作台32上(步骤S11)。
接着，由拍摄装置34拍摄固定在工作台32上的基板S，并将拍摄得到的图像作为标记拍摄数据DM，经由描画控制器31将其发送至数据处理装置2(步骤S12)。具体而言，在该实施方式中，拍摄装置34拍摄朝向基板S上侧的整个感光膜面(描画面)，但这是为了如后述那样对形成在基板S的描画面上的对准标记M的位置进行检测，因而只要能够拍摄需要的对准标记M即可，勿需一定拍摄整个基板S。
数据处理装置2的位置计算部23，通过对接收到的标记拍摄数据DM进行处理，来识别并提取形成在基板S表面上的全部对准标记M，并对其位置进行检测(步骤S13)。由于与进行描画时(步骤S3)同样地，将基板S相对于工作台32定位而进行固定，因而若基板S未发生变形及应变，则曝光装置3检测出与描画时的位置相同的位置，但是，实际上常常因描画处理之后的显影、蚀刻等处理而导致在基板S上产生变形及应变，因此会检测出对准标记M的一部分或全部位置的偏移。因此，接着，数据处理装置2计算这样的对准标记M的位置偏移量(步骤S13a)此外，关于用于该计算处理的对准标记M的原来的位置信息，可以在步骤S1a中作为输入的修正信息来进行输入，或者也可以读入图案数据DP1时(步骤S1)从图案设计装置4读入。
接着，数据处理装置2根据特定算法，针对这样的对准标记M的位置偏移，即，针对基板S的变形、应变等，来对下一个要曝光的初始描画数据D2计算修正量，并根据这样的修正量进行修正处理，由此得到完成修正的描画数据DD(步骤S15)，所述特定算法是基于特定修正信息的算法，该特定修正信息是指，操作员考虑形成在该基板S上的图案的内容、排列方式及基板S的用途等而设定的修正信息(步骤S14)。并且，通过该修正处理，针对具有此前基于初始描画数据D1而形成的铜布线图案的基板S表面的变形及应变，对此后要描画的初始描画数据D2进行修正，并基于完成修正的该描画数据DD进行描画，由此消除或减少此前形成的铜布线图案与本次形成的防焊层图案的位置关系的偏差。由此，可得到足够的描画品质、制品品质。在本实施方式中，作为以数据处理装置2为主的结构，能够实现描画数据修正装置，该描画数据修正装置对用于在基板上进行描画的图像数据进行修正。此外，对包含该步骤S14的修正处理，在后面详细阐述。
接着，数据处理装置2将在步骤S15中得到的完成修正的描画数据DD发送至曝光装置3的描画控制器31，描画控制器31通过控制光源33的调制部33a、工作台32等，来照射基于该描画数据DD调制后的激光LB而进行描画处理，由此在基板S上刻画图形(步骤S16)。具体而言，基于描画数据DD，来在形成于基板S表面的防焊层上形成感光部分。
若基于描画数据DD的描画处理结束，则从曝光装置3搬出基板S(步骤S17)。在对多个基板S进行同样处理的情况下，通过对处理的基板个数进行计数，来判断对规定个数的处理是否结束(步骤S18)，若未结束则返回步骤S11。若结束则进入步骤S19。
将完成了曝光装置3的描画处理的基板S搬运至未图示的显影装置等，对其实施显影等的形成图案所需的处理(步骤S19)。并且，若该步骤S19结束，则通过对基板S表面的铜层上的防焊层刻画图形而形成了规定的防焊层图案，至此结束形成第二层图案的处理。
<修正处理的详细内容>
接着，说明对本发明的上述步骤S14中由初始描画数据D2计算修正量的处理概要。图7是示出了步骤S14的子程序的详细内容的图。在该步骤S14中，根据在特定修正信息中指定的算法来计算修正量，该特定修正信息是指，操作员考虑形成于该基板S上的图案的内容、排列方式、基板S的用途等而在此前输入设定的修正信息。具体而言，修正方法选择部22首先按照修正信息，判断应用此前阐述的三种修正算法中的哪一种算法(步骤S140)。
在这里，若对在此前结合图6说明的步骤S1a中预先由操作员输入设定的修正信息的内容进行说明，则在采用前述的第一算法：“整体应变修正”的情况下，输入该算法的编号“1”。在采用算法2：“矩形保持修正”的情况下，输入该算法的编号“2”和要保持的矩形的形状。另外，在采用算法3：“整体应变修正和矩形保持修正的并用”的情况下，除了输入该算法的编号“3”之外，还输入在基板S上应用“整体应变修正”的区域和应用“矩形保持修正”的区域的其坐标来指定各应用区域，并且，输入在“矩形保持修正”中要保持的矩形的形状。并且，在该步骤S140中，从存储装置读出所输入的算法的编号，并根据该算法的编号是哪一个编号，来判断指定了哪一种算法。
并且，根据步骤S140的判断，在输入了算法的编号“1”的情况下进入步骤S141，在输入了“2”的情况下进入步骤S142，在输入了“3”的情况下进入步骤S143。
在步骤S141中，利用包含“整体应变修正”的程序的描画数据修正部21A，来计算用于对初始描画数据D2实施整体应变修正的修正量。并且，返回图6，通过对初始描画数据D2进行修正，来计算描画数据DD(步骤S15)，并基于修正后的该描画数据DD来描画第二层(步骤S16)。
在步骤S142中，利用包含“矩形保持修正”的程序的描画数据修正部21B，来计算用于对初始描画数据D2实施矩形保持修正的修正量。并且，返回图6，通过对初始描画数据D2进行修正，来计算描画数据DD(步骤S15)，并基于修正后的该描画数据DD来描画第二层(步骤S16)。
另外，在步骤S143中，基于预先输入设定的在基板S上应用“整体应变修正”的区域和应用“矩形保持修正”的区域，首先利用描画数据修正部21A，针对该“整体应变修正”应用区域计算初始描画数据D2中的该“整体应变修正”应用区域的修正值，并将计算结果存储至未图示的内部存储装置。接着，进入步骤S144，利用描画数据修正部21B，针对“矩形保持修正”应用区域计算初始描画数据D2中的该“矩形保持修正”应用区域的修正值，并将计算结果存储至未图示的内部存储装置。然后，返回图6，通过对初始描画数据D2进行修正，来计算描画数据DD(步骤S15)，并基于修正后的该描画数据DD来描画第二层(步骤S16)。
这样，在图7中，利用步骤S14的整个子程序，来选择使用数据修正部而对描画数据进行修正，并根据在特定修正信息中指定的算法来计算修正量，由此能够实现与基板S用途及图案相对应的最佳修正，该特定修正信息是指，操作员考虑形成于该基板S上的图案的内容、排列方式、基板S的用途等而在此前输入设定的修正信息。
<变形例>
在上述实施方式中，设有键盘5，该键盘5作为操作员判断并输入用于选择修正方法的修正信息的信息输入部，但并不限定于此，例如在将由图案设计装置4作成的图案数据DP发送至数据处理装置2时，也可以由图案设计装置4判断用于修正该图案数据DP的恰当方法，并作成表示判断出的方法的修正信息，将该修正信息与图案数据DP一起输入至该数据处理装置2。
另外，在上述实施方式中，数据处理装置2的修正方法选择部22基于接收的用于选择修正方法的修正信息来选择数据修正部21A、21B，但并不限定于此，例如也可以由数据处理装置2自身分析所接收的图案数据DP，并识别有无单片图案以及种类，由此选定优选的修正方法，并对可选择使用与该修正方法相对应的数据修正部的程序进行组合。
另外，在上述实施方式中，由拍摄装置34拍摄放置在工作台32上的基板S的表面，数据处理装置2通过分析拍摄得到的该图像来计算定位标记即对准标记M的位置信息(即，拍摄装置34和数据处理装置2的位置计算部23，成为定位标记位置输入部，该定位标记位置输入部用于输入定位标记的位置信息)，但并不限定于此，也可以用其他的方法输入定位标记。
另外，在上述实施方式中，从“整体应变修正”、“单片保持修正”、“整体应变修正和单片保持修正的并用”的三个算法中，根据用途来选择适当的算法，但也可以使用其他的算法。
<效果>
如上所述，若采用本发明，则能够根据要制造的基板来选择修正方法，由此能够与后工序及用途等使用方式相适合地对描画数据进行修正，且能够使用修正后的该描画数据来进行描画。
虽然详细描述说明了本发明，但所述说明仅为例示，并非限制。因此，只要不脱离本发明的范围，就能够实现多种变形或方式。

Claims (16)

1.一种描画数据修正装置，基于基板的定位标记的位置信息，对用于在基板上进行描画的图像数据进行修正，该描画数据修正装置的特征在于，
具有：
图像数据输入接收部，其接收所输入的用于在描画基板上进行描画的图像数据，
定位标记位置输入部，其输入基板的定位标记的位置信息，
多个数据修正部，这些各数据修正部基于被输入的定位标记的位置信息，利用各不相同的算法来修正描画数据，
修正方法选择部，其对所述多个数据修正部进行选择使用，来对描画数据进行修正。
2.根据权利要求1记载的描画数据修正装置，其特征在于，
还具有信息输入部，该信息输入部输入用于选择修正方法的修正信息；
所述修正方法选择部根据由所述信息输入部输入的修正信息来选择数据修正部。
3.根据权利要求2记载的描画数据修正装置，其特征在于，
所述图像数据输入接收部，从用于作成图像数据的图案作成装置接收所输入的图像数据；
所述信息输入部，伴随着向图像数据输入接收部输入图像数据的输入动作，输入来自所述图案作成装置的修正信息。
4.根据权利要求1记载的描画数据修正装置，其特征在于，
所述修正方法选择部，根据被输入的描画数据，判断要选择的数据修正部。
5.根据权利要求2记载的描画数据修正装置，其特征在于，
所述修正方法选择部，根据被输入的描画数据的图像是否含有多个相同的单片图案，来选择数据修正部。
6.根据权利要求2记载的描画数据修正装置，其特征在于，
所述修正方法选择部，根据被输入的描画数据的图像是否整体为单一图案的图像，来选择数据修正部。
7.根据权利要求2记载的描画数据修正装置，其特征在于，
所述修正方法选择部，根据被输入的描画数据的图像是否含有多个相同的单片图案并且还包含其他图案，来选择数据修正部。
8.根据权利要求1至7中任一项记载的描画数据修正装置，其特征在于，
所述定位标记位置输入部具有：
拍摄部，其拍摄所述基板；
位置计算部，其根据所述拍摄部拍摄得到的图像，来计算所述基板的定位标记的位置信息。
9.一种描画装置，其特征在于，
具有：
光源，
描画数据修正装置，
调制部，其根据由所述描画数据修正装置修正后的描画数据，来调制来自所述光源的光，
扫描部，其将由所述调制部调制后的光照射在基板上，来扫描该基板；
所述描画数据修正装置具有：
图像数据输入接收部，其接收所输入的用于在描画基板上进行描画的图像数据，
定位标记位置输入部，其输入基板的定位标记的位置信息，
多个数据修正部，这些各数据修正部基于被输入的定位标记的位置信息，利用各不相同的算法来修正描画数据，
修正方法选择部，其对所述多个数据修正部进行选择使用，来对描画数据进行修正。
10.根据权利要求9记载的描画装置，其特征在于，
所述描画数据修正装置还具有信息输入部，该信息输入部输入用于选择修正方法的修正信息；
所述修正方法选择部根据由所述信息输入部输入的修正信息来选择数据修正部。
11.根据权利要求10记载的描画装置，其特征在于，
所述图像数据输入接收部，从用于作成图像数据的图案作成装置接收所输入的图像数据；
所述信息输入部，伴随着向图像数据输入接收部输入图像数据的输入动作，输入来自所述图案作成装置的修正信息。
12.根据权利要求9记载的描画装置，其特征在于，
所述修正方法选择部，根据被输入的描画数据，判断要选择的数据修正部。
13.根据权利要求10记载的描画装置，其特征在于，
所述修正方法选择部，根据被输入的描画数据的图像是否含有多个相同的单片图案，来选择数据修正部。
14.根据权利要求10记载的描画装置，其特征在于，
所述修正方法选择部，根据被输入的描画数据的图像是否整体为单一图案的图像，来选择数据修正部。
15.根据权利要求10记载的描画装置，其特征在于，
所述修正方法选择部，根据被输入的描画数据的图像是否含有多个相同的单片图案并且还包含其他图案，来选择数据修正部。
16.根据权利要求9至15中任一项记载的描画装置，其特征在于，
所述定位标记位置输入部具有：
拍摄部，其拍摄所述基板；
位置计算部，其根据所述拍摄部拍摄得到的图像，来计算所述基板的定位标记的位置信息。
CN201210068688.8A 2011-03-18 2012-03-12 描画数据修正装置及描画装置 Active CN102681355B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011-061083 2011-03-18
JP2011061083A JP5731864B2 (ja) 2011-03-18 2011-03-18 描画データの補正装置および描画装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102681355A true CN102681355A (zh) 2012-09-19
CN102681355B CN102681355B (zh) 2014-08-13

Family

ID=46813473

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210068688.8A Active CN102681355B (zh) 2011-03-18 2012-03-12 描画数据修正装置及描画装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5731864B2 (zh)
KR (1) KR101480589B1 (zh)
CN (1) CN102681355B (zh)
TW (1) TWI448839B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104932205A (zh) * 2014-03-20 2015-09-23 斯克林集团公司 数据修正装置、绘图装置、数据修正方法和绘图方法
CN105992997A (zh) * 2014-02-17 2016-10-05 株式会社思可林集团 图案描画装置用的gui装置、图案描画系统、作业单更新方法以及程序
CN113448177A (zh) * 2020-03-24 2021-09-28 株式会社斯库林集团 描画装置、数据处理装置、描画方法、以及描画数据生成方法
CN113448177B (zh) * 2020-03-24 2024-10-25 株式会社斯库林集团 描画装置、数据处理装置、描画方法、以及描画数据生成方法

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6063270B2 (ja) * 2013-01-25 2017-01-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 描画装置および描画方法
JP2014178536A (ja) * 2013-03-15 2014-09-25 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 描画データ生成方法、描画方法、描画データ生成装置、および描画装置
JP6114151B2 (ja) * 2013-09-20 2017-04-12 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 描画装置、基板処理システムおよび描画方法
JP6342738B2 (ja) * 2014-07-24 2018-06-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス データ補正装置、描画装置、検査装置、データ補正方法、描画方法、検査方法およびプログラム
JP6789687B2 (ja) * 2016-06-17 2020-11-25 株式会社日本マイクロニクス シート状デバイス、シート状二次電池の製造方法、及び製造装置
CN113934115B (zh) * 2021-10-22 2023-10-27 合肥芯碁微电子装备股份有限公司 控制直写式光刻机的方法和直写式光刻机
JP2023141514A (ja) * 2022-03-24 2023-10-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 描画データ生成装置、描画システムおよび描画データ生成方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1461972A (zh) * 2002-05-30 2003-12-17 大日本网目版制造株式会社 图形写入装置和图形写入方法
EP1513380A1 (en) * 2002-06-07 2005-03-09 Fuji Photo Film Co., Ltd. Plotting device and plotting method
US20060066710A1 (en) * 2004-09-29 2006-03-30 Fuji Photo Film Co., Ltd. Image forming apparatus
CN101097407A (zh) * 2006-06-26 2008-01-02 株式会社Orc制作所 描图系统
US20080052925A1 (en) * 2006-09-01 2008-03-06 Fujifilm Corporation Drawings device and drawing method
US20080154923A1 (en) * 2006-12-22 2008-06-26 Orc Manufacturing Co., Ltd. Exposure data generating apparatus
JP2008250097A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Hitachi Via Mechanics Ltd 描画装置
JP2009058905A (ja) * 2007-09-03 2009-03-19 Hitachi Via Mechanics Ltd レーザ直接描画装置および描画方法
CN101520610A (zh) * 2008-02-28 2009-09-02 大日本网屏制造株式会社 图案描绘装置及图案描绘方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2785141B2 (ja) * 1989-09-26 1998-08-13 キヤノン株式会社 アライメント装置
US6352799B1 (en) * 1999-03-03 2002-03-05 Nikon Corporation Charged-particle-beam pattern-transfer methods and apparatus including beam-drift measurement and correction, and device manufacturing methods comprising same
US7065737B2 (en) * 2004-03-01 2006-06-20 Advanced Micro Devices, Inc Multi-layer overlay measurement and correction technique for IC manufacturing
JP4478496B2 (ja) * 2004-04-07 2010-06-09 株式会社オーク製作所 ローカルアライメント機能を有する露光装置
JP2006259715A (ja) * 2005-02-21 2006-09-28 Fuji Photo Film Co Ltd 描画方法、描画装置、描画システムおよび補正方法
JP2006251160A (ja) * 2005-03-09 2006-09-21 Fuji Photo Film Co Ltd 描画方法および装置
JP2007034186A (ja) * 2005-07-29 2007-02-08 Fujifilm Corp 描画方法および装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1461972A (zh) * 2002-05-30 2003-12-17 大日本网目版制造株式会社 图形写入装置和图形写入方法
EP1513380A1 (en) * 2002-06-07 2005-03-09 Fuji Photo Film Co., Ltd. Plotting device and plotting method
US20060066710A1 (en) * 2004-09-29 2006-03-30 Fuji Photo Film Co., Ltd. Image forming apparatus
CN101097407A (zh) * 2006-06-26 2008-01-02 株式会社Orc制作所 描图系统
US20080052925A1 (en) * 2006-09-01 2008-03-06 Fujifilm Corporation Drawings device and drawing method
US20080154923A1 (en) * 2006-12-22 2008-06-26 Orc Manufacturing Co., Ltd. Exposure data generating apparatus
JP2008250097A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Hitachi Via Mechanics Ltd 描画装置
JP2009058905A (ja) * 2007-09-03 2009-03-19 Hitachi Via Mechanics Ltd レーザ直接描画装置および描画方法
CN101520610A (zh) * 2008-02-28 2009-09-02 大日本网屏制造株式会社 图案描绘装置及图案描绘方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105992997A (zh) * 2014-02-17 2016-10-05 株式会社思可林集团 图案描画装置用的gui装置、图案描画系统、作业单更新方法以及程序
CN105992997B (zh) * 2014-02-17 2019-06-07 株式会社思可林集团 图案描画装置用的gui装置、图案描画系统、作业单更新方法及记录介质
CN104932205A (zh) * 2014-03-20 2015-09-23 斯克林集团公司 数据修正装置、绘图装置、数据修正方法和绘图方法
CN113448177A (zh) * 2020-03-24 2021-09-28 株式会社斯库林集团 描画装置、数据处理装置、描画方法、以及描画数据生成方法
CN113448177B (zh) * 2020-03-24 2024-10-25 株式会社斯库林集团 描画装置、数据处理装置、描画方法、以及描画数据生成方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120106536A (ko) 2012-09-26
KR101480589B1 (ko) 2015-01-08
JP5731864B2 (ja) 2015-06-10
CN102681355B (zh) 2014-08-13
TW201239541A (en) 2012-10-01
TWI448839B (zh) 2014-08-11
JP2012198313A (ja) 2012-10-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102681355B (zh) 描画数据修正装置及描画装置
US8594825B2 (en) Method and apparatus for alignment optimization with respect to plurality of layers for writing different layers with different machine configurations
US10884345B2 (en) Calibration method for a lithographic apparatus
US8886350B2 (en) Displacement calculation method, drawing data correction method, substrate manufacturing method, and drawing apparatus
JP2011107348A (ja) マーク認識装置
KR20220143743A (ko) 리소그래피 공정에서 오버레이 오류를 보정하기 위한 시스템 및 방법
US7463333B2 (en) Multi-exposure lithography system providing increased overlay accuracy
JP2023017779A (ja) パターン配置補正方法
KR101661410B1 (ko) 데이터 보정 장치, 묘화 장치, 데이터 보정 방법 및 묘화 방법
JP6357064B2 (ja) パターン形成装置およびパターン形成方法
CN112764324B (zh) 光刻系统的扫描方法和光刻系统
JP2006053216A (ja) 描画装置
JP5336301B2 (ja) パターン描画方法、パターン描画装置および描画データ生成方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee

Owner name: SCREEN GROUP CO., LTD.

Free format text: FORMER NAME: DAINIPPON SCREEN MFG. CO., LTD.

CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Kyoto City, Kyoto Prefecture, Japan

Patentee after: DAINIPPON SCREEN MFG

Address before: Kyoto City, Kyoto Prefecture, Japan

Patentee before: Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd.