JP6114151B2 - 描画装置、基板処理システムおよび描画方法 - Google Patents

描画装置、基板処理システムおよび描画方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6114151B2
JP6114151B2 JP2013195055A JP2013195055A JP6114151B2 JP 6114151 B2 JP6114151 B2 JP 6114151B2 JP 2013195055 A JP2013195055 A JP 2013195055A JP 2013195055 A JP2013195055 A JP 2013195055A JP 6114151 B2 JP6114151 B2 JP 6114151B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
defect
defective
area
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013195055A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015060146A (ja
Inventor
智 八坂
智 八坂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Priority to JP2013195055A priority Critical patent/JP6114151B2/ja
Priority to TW103128269A priority patent/TWI639059B/zh
Priority to KR1020140108990A priority patent/KR101665764B1/ko
Priority to CN201410476862.1A priority patent/CN104991420B/zh
Publication of JP2015060146A publication Critical patent/JP2015060146A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6114151B2 publication Critical patent/JP6114151B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70383Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Description

本発明は、基板に光を照射して回路パターンの描画を行う描画装置および描画方法に関し、また、当該描画装置を備える基板処理システムにも関する。
従来より、パッケージ基板のようにワーク基板に単位基板(すなわち、ピース)が多面付けされた積層基板を製造する際には、中間検査において不良が発見されたピースに傷や目印を付けて、後工程において不良ピースを識別可能としている。
例えば、特許文献1では、ワーク基板上の複数のピースにそれぞれ回路パターンを形成するパターン製造システムが開示されている。当該パターン製造システムは、基板上に積層されたレジスト材にパターンを露光する直描式の露光装置と、露光されたレジストを現像してレジストパターンを形成する現像装置と、レジストパターンが形成された基板上の銅箔をエッチングして回路パターンを形成するエッチング装置と、エッチングにより形成された回路パターンをCCDカメラにより撮像し、回路パターンの良否を判定する画像認識装置とを備える。パターン製造システムは、内装用ワーク基板上に外装用ワーク基板が積層される積層基板の製造に利用される。パターン製造システムでは、内装用ワーク基板の製造の際に画像認識装置にて不良と判定された不良ピースの位置を示す不良情報が保存される。そして、外装用ワーク基板の製造の際に、露光装置において、当該不良情報に基づいて、内装用ワーク基板の不良ピースと対応する外装用ワーク基板のピースに、不良であることを示す識別マークが露光される。
特開2007−48868号公報
ところで、特許文献1の露光装置のように、変調する光を走査してパターンを描画する直描式のパターン描画装置では、基板や基板上の各ピースに既に形成されているパターン(いわゆる、下地)に歪みが生じている場合、歪みが生じているピースに描画を行う際にパターンが歪みに合わせて補正される。しかしながら、ピースの歪みがある程度以上に大きくなると、パターンを補正して描画したとしても、描画後に検査装置にて行われる検査において、当該ピースは製品に使用できない不良ピースと判定される。すなわち、パターン描画装置では、不良ピースに対する描画は不要な処理となり、描画に要する時間が無駄に長くなる。
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、回路パターンの描画に要する時間を短くすることを目的としている。
請求項1に記載の発明は、基板に光を照射して回路パターンの描画を行う描画装置であって、複数の描画領域が設定された基板を保持する基板保持部と、各描画領域に設定された複数のアライメントマークを撮像する撮像部と、前記各描画領域について前記撮像部による撮像結果に基づいて前記基板上における前記複数のアライメントマークの位置を取得し、前記複数のアライメントマークの位置に基づいて前記各描画領域の位置または歪みの良否を判定する良否取得部と、前記基板に変調された光を照射する描画ヘッドと、前記基板を前記基板保持部と共に前記描画ヘッドに対して相対的に移動することにより、前記描画ヘッドからの光の照射領域を前記基板上にて走査する移動機構と、前記描画ヘッドおよび前記移動機構を制御することにより、前記良否取得部による判定が良であった描画領域である正常描画領域のみに回路パターンの描画を行う描画制御部とを備える。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の描画装置であって、前記描画制御部により前記描画ヘッドおよび前記移動機構が制御されることにより、前記良否取得部において不良と特定された描画領域である不良描画領域に、不良である旨を示す不良表示パターンが描画される。
請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の描画装置であって、前記良否取得部において、前記不良描画領域の不良種別も特定され、前記不良表示パターンが前記不良種別を示す情報を含む。
請求項4に記載の発明は、請求項2に記載の描画装置であって、前記不良表示パターンが、予め定められた領域の塗りつぶしパターンまたは網掛けパターンである。
請求項に記載の発明は、基板に光を照射して回路パターンの描画を行う描画装置であって、複数の描画領域が設定された基板を保持する基板保持部と、各描画領域に設定された複数のアライメントマークを撮像する撮像部と、前工程において不良が検出された描画領域である不良描画領域のアライメントマークまたはその周辺パターンが改変されており、前記撮像部による撮像結果に基づいて前記各描画領域の良否を取得する良否取得部と、前記基板に変調された光を照射する描画ヘッドと、前記基板を前記基板保持部と共に前記描画ヘッドに対して相対的に移動することにより、前記描画ヘッドからの光の照射領域を前記基板上にて走査する移動機構と、前記描画ヘッドおよび前記移動機構を制御することにより、前記良否取得部において良と確認された描画領域である正常描画領域のみに回路パターンの描画を行う描画制御部とを備え、前記描画制御部により前記描画ヘッドおよび前記移動機構が制御されることにより、前記良否取得部において不良と特定された描画領域である不良描画領域に、不良である旨を示す不良表示パターンが描画され、前記良否取得部において、前記不良描画領域の不良種別も特定され、前記不良表示パターンが前記不良種別を示す情報を含む
請求項に記載の発明は、請求項2、3または5に記載の描画装置であって、前記不良表示パターンが、前記不良描画領域の複数のアライメントマークのうち、後工程の装置において最初に撮像される第1アライメントマーク上、または、前記第1アライメントマークの周囲に配置される。
請求項7に記載の発明は、請求項1ないし6のいずれかに記載の描画装置であって、前記良否取得部において不良と特定された描画領域である不良描画領域の前記基板上における位置情報を出力する不良情報出力部をさらに備える。
請求項8に記載の発明は、基板を処理する基板処理システムであって、請求項1ないし7のいずれかに記載の描画装置と、前記描画装置により前記正常描画領域に前記回路パターンが描画された前記基板に現像処理を行う現像装置と、前記現像装置により現像処理が施された前記基板にエッチング処理を行うエッチング装置と、前記基板の前記複数の描画領域のうち、エッチング処理後の前記基板の前記正常描画領域のみに予め定められた処理を行う処理装置とを備える。
請求項9に記載の発明は、基板に光を照射して回路パターンの描画を行う描画方法であって、a)複数の描画領域が設定された基板を準備する工程と、b)各描画領域に設定された複数のアライメントマークを撮像する工程と、c)前記各描画領域について前記b)工程における撮像結果に基づいて前記基板上における前記複数のアライメントマークの位置を取得し、前記複数のアライメントマークの位置に基づいて前記各描画領域の位置または歪みの良否を判定する工程と、d)前記基板に変調された光を照射しつつ前記光の照射領域を前記基板上にて走査することにより、前記c)工程による判定が良であった描画領域である正常描画領域のみに回路パターンの描画を行う工程とを備える。
請求項10に記載の発明は、請求項9に記載の描画方法であって、前記c)工程において不良と特定された描画領域である不良描画領域に、不良である旨を示す不良表示パターンを描画する工程をさらに備える。
請求項11に記載の発明は、請求項10に記載の描画方法であって、前記c)工程において、前記不良描画領域の不良種別も特定され、前記不良表示パターンが前記不良種別を示す情報を含む。
請求項12に記載の発明は、請求項10に記載の描画方法であって、前記不良表示パターンが、予め定められた領域の塗りつぶしパターンまたは網掛けパターンである。
請求項13に記載の発明は、基板に光を照射して回路パターンの描画を行う描画方法であって、a)複数の描画領域が設定された基板を準備する工程と、b)各描画領域に設定された複数のアライメントマークを撮像する工程と、c)前記a)工程よりも前工程において不良が検出された描画領域である不良描画領域のアライメントマークまたはその周辺パターンが改変されており、前記b)工程における撮像結果に基づいて前記各描画領域の良否を取得する工程と、d)前記基板に変調された光を照射しつつ前記光の照射領域を前記基板上にて走査することにより、前記c)工程において良と確認された描画領域である正常描画領域のみに回路パターンの描画を行う工程とを備え、前記c)工程において不良と特定された描画領域である不良描画領域に、不良である旨を示す不良表示パターンを描画する工程をさらに備え、前記c)工程において、前記不良描画領域の不良種別も特定され、前記不良表示パターンが前記不良種別を示す情報を含む
請求項14に記載の発明は、請求項10、11または13に記載の描画方法であって、前記不良表示パターンが、前記不良描画領域の複数のアライメントマークのうち、後工程において最初に撮像される第1アライメントマーク上、または、前記第1アライメントマークの周囲に配置される。
請求項15に記載の発明は、請求項9ないし14のいずれかに記載の描画方法であって、前記c)工程において不良と特定された描画領域である不良描画領域の前記基板上における位置情報を出力する工程をさらに備える。
本発明では、回路パターンの描画に要する時間を短くすることができる。
一の実施の形態に係る基板処理システムの構成を示す図である。 描画装置の構成を示す図である。 元画像の一部を示す図である。 基板の一部を示す平面図である。 制御部の機能を示すブロック図である。 基板の処理の流れを示す図である。 基板の処理の流れを示す図である。 基板の一部を示す平面図である。 基板の一部を示す平面図である。 基板の一部を示す平面図である。
図1は、本発明の一の実施の形態に係る基板処理システム10の構成を示す図である。基板処理システム10は、プリント配線基板(以下、単に「基板」という。)を処理するシステムである。基板処理システム10は、描画装置1と、現像装置21と、エッチング装置22と、処理装置3とを備える。
描画装置1は、基板上のレジスト膜に変調された光を照射し、当該光の照射領域を基板上にて走査することにより回路パターンの描画を行う直接描画装置(いわゆる、直描装置)である。レジスト膜は、基板上に設けられた銅層上に感光材料により形成されている。現像装置21は、描画装置1により回路パターンが描画された基板に現像処理を行う。エッチング装置22は、現像装置21により現像処理が施された基板にエッチング処理を行うことにより、回路パターンに対応する銅の配線パターンを形成する。処理装置3は、エッチング処理後の基板に、予め定められた処理を行う。処理装置3では、例えば、エッチング処理後の基板上の配線パターンを検査する検査処理が行われる。
図2は、描画装置1の構成を示す図である。描画装置1は、基板保持部12と、撮像部13と、描画ヘッド14と、移動機構15とを備える。基板保持部12は、基板9を下側から保持する。
図3は、基板9上に描画される予定の複数の回路パターン81を含む元画像80の一部を示す図である。複数の回路パターン81は、基板9上に設定される複数の描画領域92にそれぞれ描画される。図3では、基板9および描画領域92を二点鎖線にて示す。複数の描画領域92は、例えば、マトリクス状に互いに離間して配置される。各描画領域92は、例えば、略矩形状である。
図4は、基板9の一部を示す平面図である。基板9の一方の主面(以下、「上面91」という。)上には、上述の複数の描画領域92が設定される。各描画領域92には、複数のアライメントマーク93が設定される。アライメントマーク93は、描画領域92の位置を示すために基板9上に設けられた目印である。アライメントマーク93は、例えば、中実の円状である。図4に示す例では、各描画領域92の頂点にアライメントマーク93が設定される。なお、図4では、描画領域92を実線にて囲んでいるが、実際の基板9上では、描画領域92を囲む線は設けられない(図8ないし図10においても同様)。
基板9では、元画像80とは異なり、基板9の歪み、各描画領域92に既に形成されているパターン(いわゆる、下地)の歪みや位置ずれ等の影響により、アライメントマーク93は、設計上配置される位置である基準位置からずれる場合がある。図4では、アライメントマーク93が基準位置からずれている場合、当該基準位置を破線の中空円にて示す。また、設計上の描画領域92の位置を二点鎖線にて示す。
図2に示す撮像部13は、基板9の上面91を撮像する。撮像部13により、各描画領域92に設定された複数のアライメントマーク93(図4参照)が撮像される。描画ヘッド14は、基板9上に変調された光を照射する。描画ヘッド14は、レーザ光を出射する光源141と、光源141からの光が導かれる空間光変調デバイス142とを備える。空間光変調デバイス142にて空間変調された光は、基板保持部12上の基板9へと導かれる。空間光変調デバイス142としては、例えば、それぞれの向きが個別に変更可能な多数の微小鏡面を平面に配列した光学素子であるDMD(デジタルマイクロミラーデバイス(登録商標))が利用される。
移動機構15は、基板9を基板保持部12と共に描画ヘッド14に対して相対的に移動する。これにより、描画ヘッド14からの光の照射領域が基板9上にて走査される。図2に示す例では、移動機構15は、保持部移動機構151と、ヘッド移動機構152とを備える。保持部移動機構151は、基板9を基板保持部12と共に図2中の紙面に垂直な方向である主走査方向に移動する。ヘッド移動機構152は、描画ヘッド14を撮像部13と共に図2中の左右方向である副走査方向に移動する。なお、移動機構15により、基板9が水平面内にて回転可能とされてもよい。
描画装置1では、描画ヘッド14により空間変調された光を基板9上に照射しつつ、保持部移動機構151により基板9を主走査方向に移動することにより、基板9への描画が行われる。続いて、ヘッド移動機構152により描画ヘッド14が副走査方向に所定の距離だけ移動し、再び、空間変調された光を基板9上に照射しつつ基板9を主走査方向に移動させることにより、基板9への描画が行われる。描画装置1では、このように、基板9の主走査方向への移動、および、描画ヘッド14の副走査方向への移動が繰り返されることにより、基板9に対する回路パターンの描画が行われる。
描画装置1では、また、保持部移動機構151により基板9が主走査方向に移動し、ヘッド移動機構152により撮像部13が副走査方向に移動することにより、撮像部13が基板9上の各位置の上方に位置する。描画装置1では、撮像部13は、基板9の上面91上の所望の位置を撮像することができる。
描画装置1は、撮像部13、描画ヘッド14および移動機構15等の各構成を制御する制御部をさらに備える。図5は、描画装置1の制御部16の機能を示すブロック図である。制御部16は、各種演算処理を行うCPU、基本プログラムを記憶するROM、および、各種情報を記憶するRAM等をバスラインに接続した一般的なコンピュータシステムの構成となっている。図5では、制御部16に接続される描画装置1の他の構成も併せて示す。
制御部16は、撮像制御部161と、良否取得部162と、記憶部163と、描画制御部164と、不良情報出力部165とを備える。撮像制御部161は、撮像部13および移動機構15を制御することにより、基板9の上面91の画像を取得する。描画装置1では、例えば、基板9上の各アライメントマーク93について、各アライメントマーク93が設計上配置される位置である基準位置およびその近傍の画像が取得される。撮像部13による撮像結果は、良否取得部162へと送られる。
良否取得部162では、基板9上の各描画領域92について、撮像部13による撮像結果に基づいて描画領域92の良否が判定または取得される。具体的には、上記撮像結果から、各描画領域92について基板9上における複数のアライメントマーク93の位置が取得される。そして、各描画領域92について、取得された複数のアライメントマーク93の位置に基づいて、各描画領域92の位置または歪みの良否が判定される。また、上記撮像結果から、各描画領域92についてアライメントマーク93の改変の有無を示す情報が取得され、当該情報に基づいて各描画領域92の良否が取得される。
例えば、図4中の6つの描画領域92のうち、上段左側の描画領域92については、4つのアライメントマーク93が改変されておらず、かつ、4つのアライメントマーク93の位置が基準位置に重なるため、良否取得部162による判定は良となる(すなわち、良と確認される)。良否取得部162では、描画領域92の各アライメントマーク93の基準位置からのずれが許容範囲内である場合も、描画領域92は良と判定される。
図4中の上段右側の描画領域92では、描画領域92全体が大きく回転し、設計上の位置から許容範囲よりも大きく位置がずれている。良否取得部162では、当該描画領域92は、位置が不良であると特定される。図4には図示していないが、描画領域92が変形せず、上下方向または左右方向に許容範囲よりも大きく移動している場合も、上記と同様、当該描画領域92は、位置が不良であると特定される。
図4中の中段左側の描画領域92では、左上のアライメントマーク93が基準位置から大きくずれている。このため、描画領域92の左上の部位が許容範囲よりも大きく歪んでいる。描画領域92の歪みの程度は、例えば、上下方向または左右方向にて隣接する2つのアライメントマーク93を結ぶ直線と、アライメントマーク93が基準位置に位置する場合の当該直線との成す角度により求められる。良否取得部162では、当該描画領域92は、歪みが不良であると特定される。
図4中の中段右側の描画領域92では、描画領域92全体が許容範囲よりも大きく拡大されている。描画領域92の拡大も、描画領域92の歪みの1つである。良否取得部162では、当該描画領域92も、歪みが不良であると特定される。図4には図示していないが、描画領域92全体が許容範囲よりも小さく縮小されている場合も、上記と同様、当該描画領域92は、歪みが不良であると特定される。
図4中の下段左側の描画領域92では、左上のアライメントマーク93が前工程において削除されているため存在しない。また、下段右側の描画領域92では、左上のアライメントマーク93が、中抜きの円状に変形されている。このように、アライメントマーク93が改変(すなわち、削除または変形)されている描画領域92は、基板処理システム10による後述の処理よりも前工程において不良が検出された描画領域92である。アライメントマーク93の改変は、例えば、基板9が基板処理システム10に搬入されるよりも前に、作業者の手作業により行われる。アライメントマーク93の改変は、上記前工程が行われる装置にて行われてもよい。
下段左側の描画領域92におけるアライメントマーク93の削除は、例えば、前工程において描画領域92に形成されるはずのパターンが形成されていない不良を示す。下段右側の描画領域92におけるアライメントマーク93の変形は、例えば、前工程において描画領域92に形成されたパターンに断線等の不良が生じていることを示す。良否取得部162では、これら2つの描画領域92について、前工程における不良が存在すると判定される。
以下、良否取得部162による判定が良である左上の描画領域92を「正常描画領域92a」と呼び、良否取得部162により不良と特定された他の描画領域92を「不良描画領域92b」と呼ぶ。図4においても、これらの符号92a,92bを付す。
良否取得部162では、不良描画領域92bの不良種別も特定される。具体的には、図4中の上段右側の不良描画領域92bの不良種別は、描画領域の回転であり、中段左側の不良描画領域92bの不良種別は、描画領域の歪みである。中段右側の不良描画領域92bの不良種別は、描画領域の歪みの一種である拡大である。下段左側の不良描画領域92bの不良種別は、前工程におけるパターン不形成であり、下段右側の不良描画領域92bの不良種別は、前工程にて形成されたパターンの断線である。
良否取得部162により各描画領域92について取得された情報は、基板9に係る不良情報として記憶部163に記憶される。当該不良情報には、各描画領域92の良否を示す情報、各不良描画領域92bの基板9上における位置情報、および、各不良描画領域92bの不良種別を示す情報が含まれる。記憶部163に記憶された不良情報は、後述するように、描画装置1における回路パターン81の描画に利用される。また、当該不良情報は、不良情報出力部165により処理装置3(図1参照)へと出力され、処理装置3における処理においても利用される。
次に、基板処理システム10による基板9の処理の流れを、図6および図7を参照しつつ説明する。基板処理システム10では、まず、前工程にて処理が行われた基板9(図4参照)が、図2に示す描画装置1に搬入される(ステップS11)。基板9は、基板保持部12上に載置されて保持される。これにより、複数の描画領域92が上面91上に設定された基板9が準備される(ステップS12)。
続いて、撮像制御部161(図5参照)により撮像部13および移動機構15が制御されることにより、各描画領域92に設定された複数のアライメントマーク93が撮像される(ステップS13)。撮像部13による撮像結果は、良否取得部162に送られる。
良否取得部162では、ステップS13における撮像結果に基づいて、上述のように、各描画領域92の良否が判定または取得される(ステップS14)。また、ステップS14では、良否取得部162により、各不良描画領域92bの基板9上における位置情報が取得され、各不良描画領域92bの不良種別も特定される。良否取得部162により各描画領域92について取得されたこれらの情報は、基板9に係る不良情報として記憶部163に記憶される。また、不良情報は、不良情報出力部165により処理装置3へと出力される(ステップS15)。
次に、描画制御部164により、記憶部163に記憶された不良情報に基づいて、描画ヘッド14および移動機構15が制御される。これにより、ステップS14において良否取得部162による判定が良であった描画領域(すなわち、判定が良と確認された描画領域)である正常描画領域92aのみに、描画ヘッド14からの変調された光が照射され、かつ、当該光の照射領域が正常描画領域92a上にて走査される。その結果、図8に示すように、基板9上の正常描画領域92aのみに回路パターン81の描画が行われる(ステップS16,S17)。また、良否取得部162において不良と特定された描画領域である不良描画領域92bには、不良である旨を示す不良表示パターン82が描画される(ステップS16,S18)。
不良表示パターン82は、不良描画領域92bの不良種別を示す情報を含む。不良種別を示す情報は、上述の不良情報に基づく。図8に示す例では、不良表示パターン82として、矩形枠に囲まれた数字が不良描画領域92bに描画される。当該数字は、描画領域が不良描画領域92bである旨と、不良種別とを同時に示す。例えば、不良表示パターン82が「1」である場合、不良種別が描画領域の回転であることを示す。また、不良表示パターン82が「2」〜「5」である場合はそれぞれ、不良種別が、描画領域の歪み、描画領域の拡大、前工程におけるパターン不形成、および、前工程にて形成されたパターンの断線である。なお、不良表示パターン82による不良種別の表示は、必ずしも数字による必要はなく、様々な態様にて行われてよい。
不良表示パターン82は、各不良描画領域92bの複数のアライメントマーク93のうち、左上のアライメントマーク93の周囲、または、左上のアライメントマーク93上に配置される。図8に示す例では、不良表示パターン82は、不良描画領域92b内において左上のアライメントマーク93の周囲に配置される。各不良描画領域92bの左上のアライメントマーク93は、後工程の装置(例えば、後述する処理装置3)において各描画領域92のアライメントマーク93が撮像される際に、各描画領域92のアライメントマーク93のうち最初に撮像される第1アライメントマークである。図8中の下段左側の不良描画領域92bのように、左上のアライメントマーク93(すなわち、第1アライメントマーク)が削除されている不良描画領域92bでは、第1アライメントマークの基準位置の周囲、または、基準位置上に不良表示パターン82が配置される。
描画装置1では、基板9上の全ての描画領域92に対するパターンの描画が終了するまで、ステップS16〜S18が繰り返される(ステップS19)。これにより、全ての正常描画領域92aに回路パターン81がそれぞれ描画され、全ての不良描画領域92bに不良表示パターン82がそれぞれ描画される。
描画装置1では、複数の描画領域92に対して所定の順序にてパターンの描画が行われ、描画領域が正常描画領域92aの場合は回路パターン81が描画され、描画領域が不良描画領域92bの場合は不良表示パターン82が描画される。描画装置1では、例えば、全ての正常描画領域92aに対する回路パターン81の描画が終了した後、全ての不良描画領域92bに対する不良表示パターン82の描画が行われてもよい。あるいは、全ての不良描画領域92bに対する不良表示パターン82の描画が終了した後、全ての正常描画領域92aに対する回路パターン81の描画が行われてもよい。
描画装置1における描画が終了すると、基板9は描画装置1から搬出され、図1に示す現像装置21に搬入される(ステップS21)。現像装置21では、描画装置1により正常描画領域92aに回路パターン81が描画された基板9に対して現像処理が行われる(ステップS22)。続いて、基板9はエッチング装置22に搬入される(ステップS23)。エッチング装置22では、現像装置21により現像処理が施された基板9に対してエッチング処理が行われる(ステップS24)。これにより、正常描画領域92aでは、回路パターン81に対応する銅の配線パターンが形成される。また、不良描画領域92bでは、不良表示パターン82に対応する銅の表示パターンが形成される。
エッチング処理が終了すると、基板9はエッチング装置22から搬出され、処理装置3に搬入される(ステップS31)。処理装置3では、ステップS15において描画装置1の不良情報出力部165から処理装置3へと出力された不良情報に基づいて、基板9上の複数の描画領域92のうち正常描画領域92aのみに、上述の配線パターンの検査処理が行われる(ステップS32〜S34)。その後、処理装置3から基板9が搬出され、基板処理システム10による基板9への処理が終了する。
以上に説明したように、基板処理システム10では、描画装置1において基板9の各描画領域92のアライメントマーク93が撮像され、各描画領域92の位置または歪みの良否が判定される。そして、描画制御部164により描画ヘッド14および移動機構15が制御されることにより、判定が良であった正常描画領域92aのみに回路パターン81の描画が行われる。このように、描画装置1において、基板9上の複数の描画領域92のそれぞれの良否を判定し、判定結果を直後の回路パターン81の描画に利用することにより、基板9に対する回路パターン81の描画に要する時間を短くすることができる。
また、基板9上では、前工程において不良が検出された不良描画領域92bのアライメントマーク93が改変されており、描画装置1において、改変されたアライメントマーク93が撮像されることにより不良描画領域92bが特定される。これにより、前工程の装置から不良描画領域92bの位置情報が描画装置1に送られない場合であっても、不良描画領域92bを容易に特定し、正常描画領域92aのみに回路パターン81を描画することができる。その結果、基板9に対する回路パターン81の描画に要する時間を短くすることができる。
前工程において不良が検出された不良描画領域92bにおいて改変されるアライメントマーク93は、不良描画領域92bの複数のアライメントマーク93のうち、描画装置1において各描画領域92で最初に撮像されるアライメントマーク93である第1アライメントマークであることが好ましい。これにより、描画装置1において不良描画領域92bを容易かつ迅速に特定することができる。
なお、前工程において不良が検出された不良描画領域92bでは、必ずしもアライメントマーク93が改変される必要はなく、描画領域92に既にパターンが形成されている場合、アライメントマーク93の周辺パターンが改変されてもよい。これにより、上記と同様に、前工程の装置から不良描画領域92bの位置情報が描画装置1に送られない場合であっても、不良描画領域92bを容易に特定し、正常描画領域92aのみに回路パターン81を描画することができる。その結果、基板9に対する回路パターン81の描画に要する時間を短くすることができる。また、改変されるパターンは、上述の第1アライメントマークの周辺のパターンであることが好ましい。これにより、上記と同様に、描画装置1において不良描画領域92bを容易かつ迅速に特定することができる。
描画装置1では、不良描画領域92bに不良表示パターン82が描画される。これにより、描画領域92が不良描画領域92bであることを容易に識別することができる。その結果、後工程における処理を容易とすることができる。また、不良表示パターン82が不良種別を示す情報を含むことにより、不良描画領域92bの不良種別を容易に識別することができる。その結果、不良種別毎の発生頻度等の情報を容易に取得することができる。当該情報は、不良の発生要因の解析等に利用することができる。
上述のように、良否取得部162において不良と特定された不良描画領域92bの基板9上における位置情報は、不良情報出力部165により後工程の処理装置3へと出力される。これにより、後工程における正常描画領域92aのみへの処理(すなわち、不良描画領域92bへの処理のスキップ)を、後工程において基板9上の複数の描画領域92に対する良否判定を行うことなく、容易に実現することができる。その結果、基板処理システム10における基板9に対する処理を迅速に行うことができる。なお、不良情報出力部165から処理装置3への不良情報の出力(ステップS15)は、ステップS14よりも後、かつ、ステップS32よりも前に行われるのであれば、必ずしもステップS14の直後に行われる必要はない。
描画装置1では、制御部16から不良情報出力部165が省略され、処理装置3への不良情報の出力が行われなくてもよい。この場合、処理装置3では、基板9の各描画領域92について、左上のアライメントマーク93(すなわち、上述の第1アライメントマーク)およびその近傍の部位の撮像が行われる。左上のアライメントマーク93が存在しない場合は、当該アライメントマーク93の基準位置およびその近傍の部位の撮像が行われる。そして、描画領域92の左上のアライメントマーク93上、または、当該アライメントマーク93の周囲に不良表示パターン82が配置されている場合、当該描画領域92を不良描画領域92bと特定し、当該不良描画領域92bに対する検査処理は行われない。また、描画領域92の左上のアライメントマーク93上、および、当該アライメントマーク93の周囲に不良表示パターン82が配置されていない場合、当該描画領域92を正常描画領域92aと判定し、当該正常描画領域92aに対して検査処理が行われる。
このように、基板処理システム10では、不良表示パターン82が、不良描画領域92bの複数のアライメントマーク93のうち、後工程の処理装置3において各描画領域92で最初に撮像されるアライメントマーク93である第1アライメントマーク上、または、第1アライメントマークの周囲に配置される。これにより、後工程において不良描画領域92bを容易かつ迅速に特定することができる。
描画装置1では、不良描画領域92bに表示される不良表示パターン82は、必ずしも不良種別を示す情報を含む必要はない。基板9上の不良表示パターン82は、例えば、図9に示すように、各不良描画領域92bのおよそ全体に亘る塗りつぶしパターンであってもよい。基板9上の不良表示パターン82は、例えば、図10に示すように、各不良描画領域92bのおよそ全体に亘る網掛けパターンであってもよい。図9に示す不良表示パターン82である塗りつぶしパターンは、必ずしも不良描画領域92bのおよそ全体に亘って描画される必要はなく、例えば、不良描画領域92b内において予め定められた領域に描画されてもよい。図10に示す不良表示パターン82である網掛けパターンも同様に、不良描画領域92b内において予め定められた領域に描画されてもよい。このように、不良表示パターン82として塗りつぶしパターンまたは網掛けパターンが描画されることによっても、不良描画領域92bを容易に識別することができる。
基板処理システム10では、様々な変更が可能である。
例えば、基板9上に目印として設けられるアライメントマーク93は、中実の円状以外の様々な形状であってよい。アライメントマーク93は、例えば、十字状であってもよい。また、アライメントマーク93は、基板9に形成された貫通孔であってもよい。あるいは、描画領域92に既に形成されているパターンの一部が、描画装置1にて撮像されるアライメントマーク93として利用されてもよい。
描画装置1では、移動機構15による基板9および基板保持部12の移動は、描画ヘッド14および撮像部13に対して相対的に行われていればよい。例えば、基板9および基板保持部12は移動せず、描画ヘッド14および撮像部13が主走査方向および副走査方向に移動してもよい。あるいは、描画ヘッド14および撮像部13は移動せず、基板9および基板保持部12が主走査方向および副走査方向に移動してもよい。
撮像部13は、例えば、基板9の副走査方向の全幅に亘って撮像可能なラインセンサであってもよい。この場合、撮像部13は基板保持部12の上方に固定され、保持部移動機構151により基板9が主走査方向に移動することにより、撮像部13により基板9の上面91全体が撮像される。
描画装置1では、不良描画領域92bに対する回路パターン81の描画が行われないのであれば、不良描画領域92bに対する不良表示パターン82をの描画は必ずしも行われなくてよい。
処理装置3では、上述の検査処理以外の様々な処理が行われてもよい。例えば、基板9の複数の描画領域92のうち、エッチング処理後の基板9の正常描画領域92aのみに、電子部品のマウントを行うマウント処理が行われてもよい。あるいは、エッチング処理後の基板9の正常描画領域92aのみに、新たな回路パターンの描画処理が行われてもよい。
描画装置1において描画が行われる基板9は、必ずしもプリント配線基板には限定されない。描画装置1では、例えば、半導体基板、液晶表示装置やプラズマ表示装置等のフラットパネル表示装置用のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、太陽電池パネル用の基板等に対する回路パターンの描画が行われてもよい。
上記実施の形態および各変形例における構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わされてよい。
1 描画装置
3 処理装置
9 基板
10 基板処理システム
12 基板保持部
13 撮像部
14 描画ヘッド
15 移動機構
21 現像装置
22 エッチング装置
81 回路パターン
82 不良表示パターン
92 描画領域
92a 正常描画領域
92b 不良描画領域
93 アライメントマーク
162 良否取得部
164 描画制御部
165 不良情報出力部
S11〜S19,S21〜S24,S31〜S34 ステップ

Claims (15)

  1. 基板に光を照射して回路パターンの描画を行う描画装置であって、
    複数の描画領域が設定された基板を保持する基板保持部と、
    各描画領域に設定された複数のアライメントマークを撮像する撮像部と、
    前記各描画領域について前記撮像部による撮像結果に基づいて前記基板上における前記複数のアライメントマークの位置を取得し、前記複数のアライメントマークの位置に基づいて前記各描画領域の位置または歪みの良否を判定する良否取得部と、
    前記基板に変調された光を照射する描画ヘッドと、
    前記基板を前記基板保持部と共に前記描画ヘッドに対して相対的に移動することにより、前記描画ヘッドからの光の照射領域を前記基板上にて走査する移動機構と、
    前記描画ヘッドおよび前記移動機構を制御することにより、前記良否取得部による判定が良であった描画領域である正常描画領域のみに回路パターンの描画を行う描画制御部と、
    を備えることを特徴とする描画装置。
  2. 請求項1に記載の描画装置であって、
    前記描画制御部により前記描画ヘッドおよび前記移動機構が制御されることにより、前記良否取得部において不良と特定された描画領域である不良描画領域に、不良である旨を示す不良表示パターンが描画されることを特徴とする描画装置。
  3. 請求項に記載の描画装置であって、
    前記良否取得部において、前記不良描画領域の不良種別も特定され、
    前記不良表示パターンが前記不良種別を示す情報を含むことを特徴とする描画装置。
  4. 請求項に記載の描画装置であって、
    前記不良表示パターンが、予め定められた領域の塗りつぶしパターンまたは網掛けパターンであることを特徴とする描画装置。
  5. 基板に光を照射して回路パターンの描画を行う描画装置であって、
    複数の描画領域が設定された基板を保持する基板保持部と、
    各描画領域に設定された複数のアライメントマークを撮像する撮像部と、
    前工程において不良が検出された描画領域である不良描画領域のアライメントマークまたはその周辺パターンが改変されており、前記撮像部による撮像結果に基づいて前記各描画領域の良否を取得する良否取得部と、
    前記基板に変調された光を照射する描画ヘッドと、
    前記基板を前記基板保持部と共に前記描画ヘッドに対して相対的に移動することにより、前記描画ヘッドからの光の照射領域を前記基板上にて走査する移動機構と、
    前記描画ヘッドおよび前記移動機構を制御することにより、前記良否取得部において良と確認された描画領域である正常描画領域のみに回路パターンの描画を行う描画制御部と、
    を備え
    前記描画制御部により前記描画ヘッドおよび前記移動機構が制御されることにより、前記良否取得部において不良と特定された描画領域である不良描画領域に、不良である旨を示す不良表示パターンが描画され、
    前記良否取得部において、前記不良描画領域の不良種別も特定され、
    前記不良表示パターンが前記不良種別を示す情報を含むことを特徴とする描画装置。
  6. 請求項2、3または5に記載の描画装置であって、
    前記不良表示パターンが、前記不良描画領域の複数のアライメントマークのうち、後工程の装置において最初に撮像される第1アライメントマーク上、または、前記第1アライメントマークの周囲に配置されることを特徴とする描画装置。
  7. 請求項1ないし6のいずれかに記載の描画装置であって、
    前記良否取得部において不良と特定された描画領域である不良描画領域の前記基板上における位置情報を出力する不良情報出力部をさらに備えることを特徴とする描画装置。
  8. 基板を処理する基板処理システムであって、
    請求項1ないし7のいずれかに記載の描画装置と、
    前記描画装置により前記正常描画領域に前記回路パターンが描画された前記基板に現像処理を行う現像装置と、
    前記現像装置により現像処理が施された前記基板にエッチング処理を行うエッチング装置と、
    前記基板の前記複数の描画領域のうち、エッチング処理後の前記基板の前記正常描画領域のみに予め定められた処理を行う処理装置と、
    を備えることを特徴とする基板処理システム。
  9. 基板に光を照射して回路パターンの描画を行う描画方法であって、
    a)複数の描画領域が設定された基板を準備する工程と、
    b)各描画領域に設定された複数のアライメントマークを撮像する工程と、
    c)前記各描画領域について前記b)工程における撮像結果に基づいて前記基板上における前記複数のアライメントマークの位置を取得し、前記複数のアライメントマークの位置に基づいて前記各描画領域の位置または歪みの良否を判定する工程と、
    d)前記基板に変調された光を照射しつつ前記光の照射領域を前記基板上にて走査することにより、前記c)工程による判定が良であった描画領域である正常描画領域のみに回路パターンの描画を行う工程と、
    を備えることを特徴とする描画方法。
  10. 請求項9に記載の描画方法であって、
    前記c)工程において不良と特定された描画領域である不良描画領域に、不良である旨を示す不良表示パターンを描画する工程をさらに備えることを特徴とする描画方法。
  11. 請求項10に記載の描画方法であって、
    前記c)工程において、前記不良描画領域の不良種別も特定され、
    前記不良表示パターンが前記不良種別を示す情報を含むことを特徴とする描画方法。
  12. 請求項10に記載の描画方法であって、
    前記不良表示パターンが、予め定められた領域の塗りつぶしパターンまたは網掛けパターンであることを特徴とする描画方法。
  13. 基板に光を照射して回路パターンの描画を行う描画方法であって、
    a)複数の描画領域が設定された基板を準備する工程と、
    b)各描画領域に設定された複数のアライメントマークを撮像する工程と、
    c)前記a)工程よりも前工程において不良が検出された描画領域である不良描画領域のアライメントマークまたはその周辺パターンが改変されており、前記b)工程における撮像結果に基づいて前記各描画領域の良否を取得する工程と、
    d)前記基板に変調された光を照射しつつ前記光の照射領域を前記基板上にて走査することにより、前記c)工程において良と確認された描画領域である正常描画領域のみに回路パターンの描画を行う工程と、
    を備え
    前記c)工程において不良と特定された描画領域である不良描画領域に、不良である旨を示す不良表示パターンを描画する工程をさらに備え、
    前記c)工程において、前記不良描画領域の不良種別も特定され、
    前記不良表示パターンが前記不良種別を示す情報を含むことを特徴とする描画方法。
  14. 請求項10、11または13に記載の描画方法であって、
    前記不良表示パターンが、前記不良描画領域の複数のアライメントマークのうち、後工程において最初に撮像される第1アライメントマーク上、または、前記第1アライメントマークの周囲に配置されることを特徴とする描画方法。
  15. 請求項9ないし14のいずれかに記載の描画方法であって、
    前記c)工程において不良と特定された描画領域である不良描画領域の前記基板上における位置情報を出力する工程をさらに備えることを特徴とする描画方法。
JP2013195055A 2013-09-20 2013-09-20 描画装置、基板処理システムおよび描画方法 Active JP6114151B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013195055A JP6114151B2 (ja) 2013-09-20 2013-09-20 描画装置、基板処理システムおよび描画方法
TW103128269A TWI639059B (zh) 2013-09-20 2014-08-18 描繪裝置、基板處理系統及描繪方法
KR1020140108990A KR101665764B1 (ko) 2013-09-20 2014-08-21 묘화 장치, 기판 처리 시스템 및 묘화 방법
CN201410476862.1A CN104991420B (zh) 2013-09-20 2014-09-18 描绘装置、基板处理系统以及描绘方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013195055A JP6114151B2 (ja) 2013-09-20 2013-09-20 描画装置、基板処理システムおよび描画方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015060146A JP2015060146A (ja) 2015-03-30
JP6114151B2 true JP6114151B2 (ja) 2017-04-12

Family

ID=52817705

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013195055A Active JP6114151B2 (ja) 2013-09-20 2013-09-20 描画装置、基板処理システムおよび描画方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6114151B2 (ja)
KR (1) KR101665764B1 (ja)
CN (1) CN104991420B (ja)
TW (1) TWI639059B (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6755764B2 (ja) * 2016-09-27 2020-09-16 株式会社Screenホールディングス 位置計測装置および位置計測方法
JP7084227B2 (ja) * 2018-06-22 2022-06-14 株式会社Screenホールディングス マーク位置検出装置、描画装置およびマーク位置検出方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01111323A (ja) * 1987-10-26 1989-04-28 Hitachi Ltd 電子線露光方法および装置
JPH11195579A (ja) * 1997-12-26 1999-07-21 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
JP2003249433A (ja) * 2002-02-25 2003-09-05 Seiko Epson Corp 露光装置及び露光制御方法
JP4752473B2 (ja) * 2004-12-09 2011-08-17 株式会社ニコン 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
TW200704146A (en) 2005-02-21 2007-01-16 Fuji Photo Film Co Ltd Plotting method, plotting device, plotting system and correction method
JP4450769B2 (ja) * 2005-06-16 2010-04-14 富士フイルム株式会社 画像処理装置、画像描画装置及びシステム
JP4823605B2 (ja) * 2005-08-09 2011-11-24 富士フイルム株式会社 露光装置、露光方法、及びパターン製造システム
JP4637677B2 (ja) * 2005-08-09 2011-02-23 富士フイルム株式会社 積層指示装置、多層基板製造システム、及び多層基板製造方法
JP2007199225A (ja) * 2006-01-25 2007-08-09 Cmk Corp 露光システム及び部品内蔵型プリント配線板の製造方法
JP2008288347A (ja) * 2007-05-16 2008-11-27 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
JP2009088264A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Toshiba Corp 微細加工装置およびデバイス製造方法
JP2011254027A (ja) * 2010-06-04 2011-12-15 Nikon Corp 露光装置
JP5731864B2 (ja) * 2011-03-18 2015-06-10 株式会社Screenホールディングス 描画データの補正装置および描画装置
JP5565422B2 (ja) * 2012-02-08 2014-08-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP5865734B2 (ja) * 2012-03-01 2016-02-17 株式会社Screenホールディングス 領域分類装置、そのプログラム、基板検査装置、および領域分類方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015060146A (ja) 2015-03-30
CN104991420B (zh) 2018-09-14
KR101665764B1 (ko) 2016-10-12
CN104991420A (zh) 2015-10-21
KR20150032772A (ko) 2015-03-30
TW201516578A (zh) 2015-05-01
TWI639059B (zh) 2018-10-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10429742B2 (en) Stitchless direct imaging for high resolution electronic patterning
TWI448839B (zh) 描繪資料之補正裝置及描繪裝置
JP5209544B2 (ja) 描画装置、描画装置用のデータ処理装置、および描画装置用の描画データ生成方法
US8886350B2 (en) Displacement calculation method, drawing data correction method, substrate manufacturing method, and drawing apparatus
JP2011025316A (ja) 欠陥修正装置
JP7084227B2 (ja) マーク位置検出装置、描画装置およびマーク位置検出方法
JP4988000B2 (ja) パターン検査装置及びパターン検査方法
JP2017134375A (ja) 露光装置及び露光方法
JP6114151B2 (ja) 描画装置、基板処理システムおよび描画方法
TWI547819B (zh) 資料修正裝置、描繪裝置、檢查裝置、資料修正方法、描繪方法、檢查方法及記錄有程式之記憶媒體
JP3597484B2 (ja) はんだ印刷検査装置
JP2006267191A (ja) 露光装置
JP2006269624A (ja) 光学式外観検査装置のアライメント高速化法、これを用いたパターン検査装置
JP6595870B2 (ja) 補正情報生成装置、描画装置、補正情報生成方法および描画方法
JP2005017234A (ja) 外観検査方法、外観検査装置及び電子回路基板の製造装置
JP5772062B2 (ja) 三次元形状計測装置、および三次元形状計測方法
JP2013146760A (ja) 欠陥修正装置、及び、欠陥修正方法
TWI755460B (zh) 外觀檢查方法
JP5782348B2 (ja) 位置検出装置、描画装置、および、位置検出方法
TWI771080B (zh) 基板位置檢測方法、描繪方法、基板位置檢測裝置以及描繪裝置
JP2008154195A (ja) レンズのキャリブレーション用パターン作成方法、レンズのキャリブレーション用パターン、キャリブレーション用パターンを利用したレンズのキャリブレーション方法、レンズのキャリブレーション装置、撮像装置のキャリブレーション方法、および撮像装置のキャリブレーション装置
KR20110105339A (ko) 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치
JP2024046030A (ja) テンプレート生成装置、描画システム、テンプレート生成方法およびプログラム
TW202414106A (zh) 模板生成裝置、描繪系統、模板生成方法以及電腦可讀取的程式
JP2014002178A (ja) 配向膜の修正方法、配向膜の修正装置および液晶パネルの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160608

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20161209

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20161222

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170131

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170309

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170316

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6114151

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250