JP7463154B2 - 描画装置、データ処理装置、描画方法、および描画データ生成方法 - Google Patents

描画装置、データ処理装置、描画方法、および描画データ生成方法 Download PDF

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Description

この発明は、描画データに基づいて基板に画像を形成する技術に関し、特に、基板の形状に応じて描画データを補正する技術に関する。
プリント基板、半導体基板、液晶基板などの基板の対象面を、レーザ光などで走査することによって、回路パターンを描画する直描装置が知られている。直描装置による回路パターンの描画は、回路パターンの設計データから変換された描画データに従って行われる。描画データは、直描装置が処理可能な記述形式を有するデータである。
基板は、それ自体が元々反りや歪みを有するほか、前工程の処理に起因して、わずかに変形している場合がある。一方、設計データは、通常、基板の変形を考慮せずに作成されている。このため、変換後の描画データをそのまま用いて回路パターンを描画した場合、歩留まりが低下するおそれがある。そこで、直描装置による描画は、あらかじめ基板の形状を測定しておき、得られた測定結果に基づいて、描画データが補正される場合がある。
例えば特許文献１では、基板の描画領域が仮想的に複数のメッシュ領域に分割され、分割後の各メッシュ領域の描画内容を表す分割描画データが生成される。描画時には、描画対象の基板に設けられたアライメントマークの位置に基づいて、メッシュ領域の位置が再配置される。そして、再配置後の各メッシュ領域に対応する描画内容が合成されることによって、補正後の描画データが生成される。
特開２０１０－２０４４２１号公報
しかしながら、従来技術の場合、基板ごとのアライメントマークの位置に基づいてメッシュ領域を再配置することにより、描画データが生成される。メッシュ領域の大きさは、基板の変形の度合いに関わらず一定であるため、描画データの生成には、毎回同程度の計算処理が必要となる。このため、基板の変形に応じた描画データの補正処理に、多くの計算資源または計算時間が必要とされていた。
本発明の目的は、基板の変形に応じた描画データの補正処理に必要な計算資源または計算時間を低減させる技術を提供することにある。
上記課題を解決するため、第１態様は、基板に所定パターンを描画する描画装置である。描画装置は、複数のアライメントマークを有する基板を載置するためのステージと、前記ステージに載置された前記基板の前記アライメントマークを撮像する撮像部と、描画データを生成するデータ処理部と、前記描画データに基づいて、前記ステージに載置された前記基板に光を照射する照射部と、を備える。前記データ処理部は、所定パターンを含む初期描画領域を表す初期描画データを取得するデータ取得処理と、前記初期描画データに基づいて、前記初期描画領域を初期メッシュ幅で分割することによって得られる複数の第１メッシュ領域の各描画内容を表す第１分割データを生成する第１分割処理と、前記撮像部が第１基板を撮像して得られる撮像画像に基づいて、前記第１基板の前記アライメントマークの位置を特定する第１マーク位置特定処理と、前記第１基板の前記アライメントマークの位置に基づいて、各前記第１メッシュ領域を再配置する第１再配置処理と、前記第１再配置処理により再配置された各前記第１メッシュ領域の位置に合わせて、前記第１分割データが表す各前記第１メッシュ領域の描画内容を合成し、所定パターンを含む第１描画領域を表現する第１描画データを生成する第１合成処理とを実行する。また、データ処理部は、前記第１描画データに基づいて、前記第１描画領域を前記初期メッシュ幅よりも大きいメッシュ幅で分割することにより得られる複数の第２メッシュ領域の各描画内容を表す第２分割データを生成する第２分割処理と、前記撮像部が第２基板を撮像して得られる撮像画像に基づいて、前記第２基板の前記アライメントマークの位置を特定する第２マーク位置特定処理と、前記第２基板の前記アライメントマークの位置に基づいて、各前記第２メッシュ領域を再配置する第２再配置処理と、前記第２再配置処理により再配置された各前記第２メッシュ領域の位置に合わせて、各前記第２メッシュ領域の描画内容を合成し、所定パターンを含む第２描画領域を表す第２描画データを生成する第２合成処理とを実行する。
第２態様は、第１態様の描画装置であって、前記第２分割処理は、前記データ処理部が、前記第１描画領域を、互いに異なる複数の事前メッシュ幅で分割することによって、前記事前メッシュ幅ごとに、複数の前記第２メッシュ領域の各描画内容を表す事前分割データを生成する処理を含み、前記第２再配置処理は、前記データ処理部が、前記第２基板の前記アライメントマークの位置に基づいて、複数の前記事前分割データの中から一の事前分割データを選択し、選択した前記事前分割データが表す各前記第２メッシュ領域を再配置する処理を含む。
第３態様は、第１態様または第２態様の描画装置であって、前記第２再配置処理は、前記データ処理部が、前記第２基板が前記第１基板に対して有する、各前記アライメントマーク間の変形に基づいて、前記メッシュ幅を決定する処理を含む。
第４態様は、第３態様の描画装置であって、前記第２再配置処理は、前記データ処理部が、隣接する２つの前記アライメントマーク間の変形に基づいて、前記メッシュ幅を決定する処理を含む。
第５態様は、第３態様または第４態様の描画装置であって、前記第２再配置処理は、前記データ処理部が、隅に位置する２つの前記アライメントマーク間の変形に基づいて、前記メッシュ幅を決定する処理を含む。
第６態様は、基板に所定パターンを描画する描画装置で用いられる描画データを生成するデータ処理装置である。データ処理装置は、プロセッサと、前記プロセッサと電気的に接続されるメモリとを備える。前記プロセッサは、所定パターンを含む初期描画領域を表す初期描画データを取得するデータ取得処理と、前記初期描画データに基づいて、前記初期描画領域を初期メッシュ幅で分割することによって得られる複数の第１メッシュ領域の各描画内容を表す第１分割データを生成する第１分割処理と、第１基板を撮像して得られる撮像画像に基づいて、前記第１基板のアライメントマークの位置を特定する第１マーク位置特定処理と、前記第１基板の前記アライメントマークの位置に基づいて、各前記第１メッシュ領域を再配置する第１再配置処理と、前記第１再配置処理により再配置された各前記第１メッシュ領域の位置に合わせて、前記第１分割データが表す各前記第１メッシュ領域の描画内容を合成し、所定パターンを含む第１描画領域を表現する第１描画データを生成する第１合成処理とを実行する。また、前記プロセッサは、前記第１描画データに基づいて、前記第１描画領域を前記初期メッシュ幅よりも大きいメッシュ幅で分割することにより得られる複数の第２メッシュ領域の各描画内容を表す第２分割データを生成する第２分割処理と、第２基板を撮像して得られる撮像画像に基づいて、前記第２基板のアライメントマークの位置を特定する第２マーク位置特定処理と、前記第２基板の前記アライメントマークの位置に基づいて、各前記第２メッシュ領域を再配置する第２再配置処理と、前記第２再配置処理により再配置された各前記第２メッシュ領域の位置に合わせて、各前記第２メッシュ領域の描画内容を合成し、所定パターンを含む第２描画領域を表す第２描画データを生成する第２合成処理とを実行する。
第７態様は、基板に所定パターンを描画する描画方法である。描画方法は、所定パターンを含む初期描画領域を表す初期描画データを取得するデータ取得処理と、前記初期描画データに基づいて、前記初期描画領域を初期メッシュ幅で分割することによって得られる複数の第１メッシュ領域の各描画内容を表す第１分割データを生成する第１分割処理と、第１基板を撮像して得られる撮像画像に基づいて、前記第１基板のアライメントマークの位置を特定する第１マーク位置特定処理と、前記第１基板の前記アライメントマークの位置に基づいて、各前記第１メッシュ領域を再配置する第１再配置処理と、前記第１再配置処理により再配置された各前記第１メッシュ領域の位置に合わせて、前記第１分割データが表す各前記第１メッシュ領域の描画内容を合成し、所定パターンを含む第１描画領域を表現する第１描画データを生成する第１合成処理と、前記第１描画データに基づいて、前記第１基板に描画を行う第１描画処理とを含む。また、描画方法は、前記第１描画データに基づいて、前記第１描画領域を前記初期メッシュ幅よりも大きいメッシュ幅で分割することにより得られる複数の第２メッシュ領域の各描画内容を表す第２分割データを生成する第２分割処理と、第２基板を撮像して得られる撮像画像に基づいて、前記第２基板のアライメントマークの位置を特定する第２マーク位置特定処理と、前記第２基板の前記アライメントマークの位置に基づいて、各前記第２メッシュ領域を再配置する第２再配置処理と、前記第２再配置処理により再配置された各前記第２メッシュ領域の位置に合わせて、各前記第２メッシュ領域の描画内容を合成し、所定パターンを含む第２描画領域を表す第２描画データを生成する第２合成処理と、前記第２描画データに基づいて、前記第２基板に描画を行う第２描画処理とを含む。
第８態様は、基板に所定パターンを描画する描画装置で用いられる描画データを生成する描画データ生成方法である。描画データ生成方法は、所定パターンを含む初期描画領域を表す初期描画データを取得するデータ取得処理と、前記初期描画データに基づいて、前記初期描画領域を初期メッシュ幅で分割することによって得られる複数の第１メッシュ領域の各描画内容を表す第１分割データを生成する第１分割処理と、第１基板を撮像して得られる撮像画像に基づいて、前記第１基板のアライメントマークの位置を特定する第１マーク位置特定処理と、前記第１基板の前記アライメントマークの位置に基づいて、各前記第１メッシュ領域を再配置する第１再配置処理と、前記第１再配置処理により再配置された各前記第１メッシュ領域の位置に合わせて、前記第１分割データが表す各前記第１メッシュ領域の描画内容を合成し、所定パターンを含む第１描画領域を表現する第１描画データを生成する第１合成処理とを含む。また、描画データ生成方法は、前記第１描画データに基づいて、前記第１描画領域を前記初期メッシュ幅よりも大きいメッシュ幅で分割することにより得られる複数の第２メッシュ領域の各描画内容を表す第２分割データを生成する第２分割処理と、第２基板を撮像して得られる撮像画像に基づいて、前記第２基板のアライメントマークの位置を特定する第２マーク位置特定処理と、前記第２基板の前記アライメントマークの位置に基づいて、各前記第２メッシュ領域を再配置する第２再配置処理と、前記第２再配置処理により再配置された各前記第２メッシュ領域の位置に合わせて、各前記第２メッシュ領域の描画内容を合成し、所定パターンを含む第２描画領域を表す第２描画データを生成する第２合成処理とを含む。
第１態様の描画装置によると、第２描画データを生成するために再配置される第２メッシュ領域が、第１描画データを生成するために再配置される第１メッシュ領域よりも大きい。このため、各第２メッシュ領域を再配置する処理、および、各第２メッシュ領域の描画内容を合成する処理に必要な計算資源または計算時間を低減できる。
第２態様の描画装置によると、複数の事前メッシュ幅で分割することによって、複数の事前分割データを生成しておくことにより、基板ごとに分割データを生成する場合よりも、計算資源または計算時間を軽減できる。
第３態様の描画装置によると、第２基板における各アライメントマーク間の変形に基づいて、第１描画データを有効に補正できる。
第４態様の描画装置によると、第２基板における隣接する２つのアライメントマーク間の変形に基づいて、第１描画データを有効に補正できる。
第５態様の描画装置によると、第２基板における隅に位置する２つのアライメントマーク間の変形に基づいて、第１描画データを有効に補正できる。
実施形態に係る描画システムの概略構成をデータの流れとともに示す図である。 実施形態に係る描画システムの概略構成を示す図である。 露光装置における露光分解能と、描画される図形との関係を説明するための図である。 データ処理装置が実行する準備処理の流れを示す図である。 第１分割部が実行する処理を説明するための概念図である。 描画領域が複数の第１メッシュ領域へ分割される様子を概念的に示す図である。 実施形態に係る描画装置が実行する処理の流れを示す図である。 実施形態に係る描画装置が実行する処理の流れを示す図である。 回路パターン設計時に想定された理想状態における複数のアライメントマークＭａの配置を示す図である。 変形を有する１枚目の基板におけるアライメントマークの配置を示す図である。 再配置データの記述内容に従って、再配置された各第１メッシュ領域を示す図である。 合成部によって生成される描画データが規定する第１描画領域を示す図である。 第１描画領域を初期メッシュ幅よりも大きい事前メッシュ幅で分割した様子を概念的に示す図である。 隣接２点間の変形に基づいて第２メッシュ幅を求める流れを説明するための図である。 基板の全体の変形に基づいて第２メッシュ幅を求める流れを説明するための図である。
以下、添付の図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。なお、この実施形態に記載されている構成要素はあくまでも例示であり、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。図面においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数が誇張又は簡略化して図示されている場合がある。
＜実施形態＞
図１は、実施形態に係る描画システム１００の概略構成をデータの流れとともに示す図である。図２は、実施形態に係る描画システム１００の概略構成を示す図である。描画システム１００は、描画装置１およびパターン設計装置４を備える。描画装置１は、基板９の対象面９ａを露光用のレーザ光ＬＢで走査することによって、基板９の対象面に回路パターンである露光画像を描画する直描装置である。
描画装置１は、描画データＤＤを生成するデータ処理装置２（データ処理部）と、描画データＤＤに基づいて描画（露光）を行う露光装置３とを備える。データ処理装置２および露光装置３は、一体に設けられることは必須ではなく、両者間でデータが授受可能な限りにおいて、物理的に離隔されてもよい。
図２に示すように、データ処理装置２は、互いにバスラインＢＳ１で電気的に接続された、プロセッサ２０１、ＲＯＭ２０２、ＲＡＭ２０３、および記憶部２０４を備える。プロセッサ２０１は、ＣＰＵまたはＧＰＵなどを含む。ＲＡＭ２０３は、情報の読み出しおよび書き込みが可能な記憶媒体であって、具体的には、ＳＤＲＡＭである。記憶部２０４は、情報の読み出しおよび書き込みが可能な非一過性の記録媒体であって、ＨＤＤ（ハードディスクドラブ）またはＳＳＤ（ソリッドステートドライブ）を含む。記憶部２０４は、プログラムＰを記憶している。
プロセッサ２０１は、ＲＡＭ２０３を作業領域として、記憶部２０４に保存されたプログラムＰを実行する。これにより、データ処理装置２は、描画データＤＤを生成する。
バスラインＢＳ１には、入力部２０５および表示部２０６が電気的に接続されている。入力部２０５は、例えばキーボードやマウス等で構成され、コマンドやパラメータ等の入力を受け付ける。表示部２０６は、例えば液晶ディスプレイ等で構成され、処理結果やメッセージ等の種々の情報を表示する。さらにバスラインＢＳ１には、可搬性を有する記録媒体ＲＭ（光ディスク、磁気ディスクまたは半導体メモリなど）から記録内容を読み取る読取装置２０７が接続される。プログラムＰは、記録媒体ＲＭから読取装置２０７によって読み出されて、記憶部２０４に保存されてもよい。また、プログラムＰは、ネットワークを介して、記憶部２０４に保存されてもよい。
バスラインＢＳ１には、露光装置３およびパターン設計装置４が接続される。データ処理装置２は、パターン設計装置４によって作成されたパターンデータＤＰに基づき、露光装置３で使用される描画データＤＤを生成する。パターンデータＤＰは、回路パターンの設計データである。パターンデータＤＰは、通常、ポリゴンなどのベクターデータとして記述される。露光装置３は、ラスターデータとして記述されている描画データＤＤに基づいて露光を行う。このため、データ処理装置２は、パターンデータＤＰをラスターデータに変換する。なお、描画装置１は、後述するように、描画対象の基板９の変形に応じて補正された描画データＤＤを生成する。このため、露光装置３は、変形を有する基板９であっても、補正後の描画データＤＤに基づいて、回路パターンを良好に描画できる。
露光装置３は、複数の基板９を１枚ずつ描画処理する。このため、データ処理装置２は、露光装置３が処理する複数の基板９について、それぞれの変形に応じた描画データＤＤを生成する。露光装置３において描画処理される１枚目の基板９を、基板９１とする。また、露光装置３において基板９１よりも後に描画処理される２枚目以降の基板９を、基板９２とする。基板９１および基板９２を描画処理するための描画データＤＤとして、データ処理装置２は、描画データＤＤ１および第２描画データＤＤ２を生成する。
図１に示すように、データ処理装置２は、変換部２１、第１分割部２２、再配置部２３、合成部２４、および第２分割部２５を備える。変換部２１、第１分割部２２、再配置部２３、合成部２４、および第２分割部２５は、プロセッサ２０１がプログラムＰを実行することによってソフトウェア的に実現される機能である。なお、各処理部は、ＡＳＩＣ（特定用途向け集積回路）等の専用回路によってハードウェア的に実現されてもよい。また、図１に示す、パターンデータＤＰ、初期描画データＤＤ０、分割条件データＤＣ、初期分割データＤ２０、マーク撮像データＤＭ、再配置データＤＳ（再配置データＤＳ１，ＤＳ２）、描画データＤＤ（描画データＤＤ１，ＤＤ２）、および事前分割データセットＤ２１は、ＲＡＭ２０３または記憶部２０４に適宜記憶されるデータである。
変換部２１は、パターン設計装置４からパターンデータＤＰを取得し、パターンデータＤＰを初期描画データＤＤ０に変換する。初期描画データＤＤ０は、露光装置３で処理可能なラスター形式のデータである。第１分割部２２は、初期描画データＤＤ０および分割条件データＤＣに基づいて、初期分割データＤ２０を生成する。
再配置部２３は、マーク撮像データＤＭに基づいて、再配置データＤＳを生成する。マーク撮像データＤＭは、露光装置３の撮像部３４が、ステージ３２に載置された基板９に設けられているアライメントマークＭａを撮像した撮像画像を表す。撮像部３４は、基板９１のアライメントマークＭａを撮像したマーク撮像データＤＭ１、および、基板９２のアライメントマークＭａを撮像したマーク撮像データＤＭ２を取得する。再配置部２３は、マーク撮像データＤＭ１に基づいて、再配置データＤＳ１を生成する。また、再配置部２３は、マーク撮像データＤＭ１，ＤＭ２に基づいて、再配置データＤＳ２を生成する。
合成部２４は、初期分割データＤ２０および再配置データＤＳ１に基づいて、描画データＤＤ１を生成する。第２分割部２５は、描画データＤＤ１に基づいて、事前分割データセットＤ２１を生成する。さらに、合成部２４は、再配置データＤＳ２、事前分割データセットＤ２１に基づいて、描画データＤＤ２を生成する。
データ処理装置２において、変換部２１、第１分割部２２、再配置部２３、合成部２４、第２分割部２５が行う処理の詳細については後述する。
露光装置３は、データ処理装置２から与えられた描画データＤＤに従って、基板９に対する描画を行う。図１に示すように、露光装置３は、各部の動作を制御する描画コントローラ３１と、基板９を載置するためのステージ３２と、レーザ光ＬＢを出射する照射部３３と、ステージ３２に載置された基板９の対象面９ａを撮像する撮像部３４とを備える。レーザ光ＬＢの種類は、基板９の対象面９ａに塗布された感光材料などに応じて適宜に定められる。
露光装置３においては、ステージ３２および照射部３３のうち少なくとも一方が、互いに直交する水平二軸方向である主走査方向と副走査方向とに移動可能である。このため、露光装置３は、基板９をステージ３２に載置した状態で、ステージ３２と照射部３３とを主走査方向に相対的に移動させつつ照射部３３からレーザ光ＬＢを照射可能である。なお、ステージ３２は水平面内で回転移動可能とされてもよいし、照射部３３は垂直方向に移動可能とされてもよい。
照射部３３は、レーザ光を出射する光源（不図示）と、光源から出射されたレーザ光を変調するＤＭＤ（デジタルミラーデバイス）などの変調部３３ａとを備える。描画コントローラ３１は、変調部３３ａによって変調されたレーザ光ＬＢを、ステージ３２上の基板９に照射する。より具体的には、描画コントローラ３１は、画素位置ごとの露光の有無を定義した描画データＤＤの記述内容に従って、変調部３３ａの変調単位ごとのレーザ光ＬＢの照射のオン／オフ設定を行う。そして、描画コントローラ３１は、照射部３３がステージ３２に対して主走査方向に相対移動させる間に、オン／オフ設定に従って照射部３３からレーザ光ＬＢを出射することによって、ステージ３２上の基板９に、描画データＤＤに基づく変調を受けたレーザ光ＬＢを照射する。
描画コントローラ３１は、主走査方向における描画領域の一端部まで走査すると、ステージ３２を副走査方向に所定距離だけ移動させる。そして、描画コントローラ３１は、主走査方向における描画領域の他端部に向かって走査する。このように、描画コントローラ３１は、主走査方向の走査と、副走査方向へのステージ３２の移動とを交互に所定の回数、繰り返すことによって、基板９の対象面９ａに、描画データＤＤに基づく露光画像を形成する。
撮像部３４は、ステージ３２に載置された基板９が有する複数のアライメントマークＭａを撮像する。アライメントマークＭａの撮像画像は、マーク撮像データＤＭとして、データ処理装置２の再配置部２３に提供される。
アライメントマークＭａは、基板９の対象面９ａに設けられる。なお、アライメントマークＭａは、貫通孔など、機械的加工により設けられてもよいし、印刷プロセスやフォトリソグラフィープロセスなどによってパターニングされたものでもよい。
＜補正処理の基本概念＞
以下、次に、データ処理装置２が描画データＤＤを生成する際に行う補正処理について説明する。一般に、パターンデータＤＰは、変形がなく被描画面が平坦で理想的な形状の基板９を想定して作成される。しかしながら、実際の基板９には、反り、歪みや、前工程での処理に伴う歪などの変形が生じ得る。そのため、パターンデータＤＰのまま、基板９に回路パターンを描画しても、所望の回路パターンを得ることが困難である。そこで、基板９の形状に応じた回路パターンが形成されるように、データ処理装置２が、パターンデータＤＰに記述された回路パターンの位置（座標）を変換する。描画データＤＤを生成する際に行う補正処理とは、端的に言えば、座標変換処理である。データ処理装置２は、以下に説明するように、補正処理を、露光装置３における露光分解能を考慮して行う。
図３は、露光装置３における露光分解能と、描画される図形との関係を説明するための図である。なお、図３では、主走査方向に対応するＸ軸と、副走査方向に対応するＹ軸とを図示している。
露光装置３では、ステージ３２が照射部３３に対して主走査方向および副走査方向に移動することによって、露光が行われる。このため、図３（ａ）に示す図形Ｆ１のようなＸ方向に対して傾斜角α１にて傾斜する辺については、描画データＤＤにおいては、図３（ｂ）に示すように階段状図形Ｆ２に近似されて記述される。このとき、階段状図形Ｆ２の段差は、露光装置３における副走査方向の露光分解能に相当する。以下、副走査方向の露光分解能を「δ」とする。階段状図形Ｆ２は、図３（ｂ）に示すように、複数回の主走査方向の走査によって（１）から（８）まで段階的に描画される。
図形Ｆ１を含む描画データＤＤを生成するための補正処理においては、図形Ｆ１を忠実に表現する座標値を生成する必要は無く、直接、階段状図形Ｆ２を表現する座標値が生成されればよい。
図３（ｃ）は、図形Ｆ１の傾斜角α１よりも小さい傾斜角α２の図形Ｆ３を、露光分解能δとして階段状図形Ｆ４で近似した様子を示す。階段状図形Ｆ２における段幅（各段の主走査方向の長さ）をｗ１とし、階段状図形Ｆ４の段幅をｗ２とする。すると、ｗ２＞ｗ１となる。
図３（ｄ）は、図３（ｃ）と同様に、図形Ｆ３を、露光分解能δで近似する様子を示す。ただし、図３（ｄ）では、図形Ｆ３を近似した階段状図形Ｆ５の段幅ｗ３を、ｗ３＝２・ｗ１としている。この場合、図３（ｃ）と比較して、近似の精度は劣るものの、δが充分に小さければ、実用上、充分な精度となる。
図形Ｆ１の傾斜が、回路パターンについて許容される最大の傾斜（主走査方向に対する最大変形誤差）であるとすると、図形Ｆ１よりも傾斜が小さい回路パターンは、δの整数倍の段差とｗ１の整数倍の段幅とを有する階段状図形で近似できる。また、同様の議論は、副走査方向についても成り立つ（ただし、この場合の露光分解能は変調部３３ａの変調単位のサイズで規定される）。したがって、基板９の変形を考慮した補正処理（座標変換処理）を行った場合、変換後の回路パターンは、主走査方向については副走査方向の露光分解能に基づいて定まる幅を単位とし、副走査方向については主走査方向の露光分解能に基づいて定まる幅を単位として、描画される。
以上のことから、データ処理装置２は、予め、パターンデータＤＰから得られたラスターデータある初期描画データＤＤ０によって表現される回路パターン全体（描画対象画像）を、複数のメッシュ領域に分割する。メッシュ領域は、矩形状であり、縦横の長さは、露光分解能と、許容されるパターンの変形度合いとに応じて定められる。そして、データ処理装置２は、メッシュ領域ごとに、座標変換を行うことによって、描画データＤＤを取得する。これら一連の処理が、補正処理に相当する。
＜データ処理装置の動作＞
次に、データ処理装置２が実行する処理について詳述する。データ処理装置２は、実際に基板９に描画を実行する前に準備処理を実行する。準備処理の結果は、基板９に対する回路パターンの描画において、利用される。準備処理について、図４を参照しつつ説明する。
＜準備処理＞
図４は、データ処理装置２が実行する準備処理の流れを示す図である。最初に、変換部２１は、パターン設計装置４からベクター形式のパターンデータＤＰを取得する（図４：ステップＳ１）。変換部２１は、取得したパターンデータＤＰを、ラスター形式の初期描画データＤＤ０に変換する（図４：ステップＳ２）。以下、パターンデータＤＰが表現する回路パターンは、露光装置３において、基板９の対象面９ａに対して設定される矩形の描画領域の内側に描画される。図１に示すように、変換部２１が生成した初期描画データＤＤ０は、第１分割部２２に渡される。
第１分割部２２は、分割条件データＤＣの記述内容に従って、初期描画データＤＤ０から初期分割データＤ２０を生成するためのメッシュ領域の初期メッシュ幅を求める（ステップＳ３）。分割条件データＤＣは、補正処理の際に、回路パターンに許容される最大の変形度合いを特定する情報と、露光装置３における主走査方向および副走査方向の露光分解能とを、データ要素として含む。
図５は、第１分割部２２が実行する処理を説明するための概念図である。図５には、主走査方向に対応するＸ軸と、副走査方向に対応するＹ軸とを図示している。図５中、実線で示す各頂点Ａ，Ｂ，Ｃ，およびＤからなる矩形は、パターンデータＤＰまたは初期描画データＤＤ０における回路パターンの初期描画領域ＲＡ０を表す。頂点Ａの座標を（Ｘ１，Ｙ１）、頂点Ｂの座標を（Ｘ２，Ｙ１）、頂点Ｃの座標を（Ｘ２，Ｙ２）、頂点Ｄの座標を（Ｘ１，Ｙ２）とする。また、Ｘ２－Ｘ１＝Ｌｘ、Ｙ２－Ｙ１＝Ｌｙとすると、Ｌｘ、Ｌｙは主走査方向および副走査方向における初期描画領域ＲＡ０のサイズを表す。
破線にて示す初期描画領域ＲＡ０の各頂点Ａ，Ｂ，Ｃ，およびＤを中心に持つ４つの矩形Ｓｑ１～Ｓｑ４（それぞれ、頂点Ａ１～Ａ４，Ｂ１～Ｂ４，Ｃ１～Ｃ４，Ｄ１～Ｄ４からなる矩形）は、補正処理の際に各頂点について許容される誤差の範囲を示している。誤差範囲は、回路パターンの構成単位に許容される最大の誤差範囲に相当する。
ここで、いずれの矩形Ｓｑ１～Ｓｑ４も、Ｘ軸方向の寸法がｐ・Ｌｘ、Ｙ軸方向の寸法がｑ・Ｌｙであるとする（ただし０＜ｐ，ｑ≪１）。すると、矩形Ｓｑ１内の任意の点と、矩形Ｓｑ２内の任意の点とを結ぶ線分が、基板９の変形に対応して辺ＡＢが取り得る変形後の状態を表現することになる。このとき、辺ＡＢが線分Ａ３Ｂ１（もしくは線分Ａ２Ｂ４）になる変形が、辺ＡＢに許容されている最大の傾斜を与える変形となる。線分ＡＢに対する辺Ａ３Ｂ１の傾斜角αは、辺ＡＢについて許容される最大の傾斜角となる。なお、傾斜角αは次の式をみたす。
tanα=qLy/(X2-X1-pLx)=qLy/(1-p)Lx≒qLy/Lx ・・・式（１）
上記議論は、辺ＡＢに平行な辺ＣＤについても同様に成り立つ。すなわち、辺ＣＤについても、傾斜角αを有する線分Ｃ４Ｄ２（または線分Ｃ１Ｄ３）までの変形が許容される。すなわち、主走査方向については、主走査方向に平行な状態から傾斜角αまでの変形が許容される。ちなみに、図５においては、辺ＣＤの変形の例として線分Ｃ３Ｄ１を示しているが、辺ＣＤから線分Ｃ３Ｄ１への変形による傾斜角α’は、傾斜角αよりも小さいので、当該変形は、メッシュ領域の初期メッシュ幅の算出には考慮されない。
ここで、副走査方向の露光分解能をδｙとすると、主走査方向についてのメッシュ領域の初期メッシュ幅ｗｘは、次の式で求められる。
wx=δy/tanα=δyLx/qLy ・・・式（２）
主走査方向についての傾斜角αと同様に、副走査方向について、辺ＢＣおよび辺ＤＡの変形について許容される最大の傾斜角βは、次の式をみたす。
tanβ=pLx/(Y2-Y1-qLy)=pLx/(1-q)Ly≒pLx/Ly ・・・式（３）
主走査方向の露光分解能をδｘとすると、副走査方向についてのメッシュ領域の初期メッシュ幅ｗｙは、次の式で求められる。
wy=δx/tanβ=δxLy/pLx ・・・式（４）
露光装置３の露光分解能δｘ、δｙおよび頂点Ａ，Ｂ，Ｃ，およびＤの誤差範囲は、分割条件データＤＣとしてあらかじめ与えられる。また、ＬｘおよびＬｙは、初期描画データＤＤ０から特定される既知の値であり、例えば、分割条件データＤＣのデータ要素として与えられてもよい。いずれにせよ、これらは全て既知の値である。第１分割部２２は、これらの値に基づいて、式（３）および式（４）に示す演算式に従って、メッシュ領域の初期メッシュ幅ｗｘ、ｗｙを求める。
例えば、描画領域のサイズがＬｘ＝Ｌｙ＝５００ｍｍ、露光分解能がδｘ＝δｙ＝１μｍ、描画領域の各頂点の許容誤差範囲がｐＬｘ＝ｑＬｙ＝５００μｍ（つまりは許容誤差範囲が描画領域のサイズの０．１％）とする。すると、ｗｘ、ｗｙは、約１μｍとなる。
なお、頂点Ａ，Ｂ，Ｃ，およびＤの誤差範囲がそれぞれ異なる場合も、同様の考え方で初期メッシュ幅ｗｘ，ｗｙを求めることができる。頂点Ａ、Ｂ、Ｃ、およびＤのＸ軸方向とＹ軸方向の誤差範囲の組をそれぞれ（２ａｘＬｘ，２ａｙＬｙ）、（２ｂｘＬｘ，２ｂｙＬｙ）、（２ｃｘＬｘ，２ｃｙＬｙ）、（２ｄｘＬｘ，２ｄｙＬｙ）とすると、第１メッシュ領域ＲＥ１の初期メッシュ幅ｗｘ，ｗｙは、それぞれ、以下のようになる。
wx≒Min{δyLx/(ay+by)Ly,δyLx/(cy+dy)Ly} ・・・式（５）
wy≒Min{δxLy/(bx+cx)Lx,δxLy/(dx+ax)Lx} ・・・式（６）
図４に戻って、ステップＳ３により、第１分割部２２がメッシュ領域の初期メッシュ幅ｗｘ，ｗｙを求める。すると、第１分割部２２が、初期描画データＤＤ０が表現する回路パターンを含む描画領域を、仮想的に、複数の領域に分割する（ステップＳ４）。そして第１分割部２２は、分割により得られる複数の第１メッシュ領域ＲＥ１の各描画内容を表す初期分割データＤ２０を、初期描画データＤＤ０から生成する（ステップＳ５）（図１参照）。
図６は、描画領域が複数の第１メッシュ領域ＲＥ１へ分割される様子を概念的に示す図である。まず、初期描画領域ＲＡ０を初期メッシュ幅ｗｘ，ｗｙで区画した各領域を、基本領域ＲＣ１とする。そして、基本領域ＲＣ１の周囲に、主走査方向および副走査方向の露光分解能δｘ，δｙに相当する幅の付加領域ＲＣ２を加えた領域が、１つの第１メッシュ領域ＲＥ１とされる。図６では、破線で区画された矩形状の各領域が基本領域ＲＣ１であり、基本領域ＲＣ１の周囲に位置する枠状の領域が付加領域ＲＣ２であり、実線で区画された矩形状の各領域が第１メッシュ領域ＲＥ１である。図６に示すように、隣り合う第１メッシュ領域ＲＥ１は、互いにオーバーラップする。隣り合う第１メッシュ領域ＲＥ１をオーバーラップさせるのは、基板９の変形に応じて第１メッシュ領域ＲＥ１を移動させたときに、隣り合う第１メッシュ領域ＲＥ１間に空白が生じることを避けるためである。
第１分割部２２は、各第１メッシュ領域ＲＥ１を特定するデータ要素として、各第１メッシュ領域ＲＥ１の、基準位置Ｍｓの座標と、描画内容の情報と、主走査方向および副走査方向のサイズｍｘ，ｍｙを、初期分割データＤ２０に記述する。基準位置Ｍｓは任意に設定可能であるが、例えば、図６に示すように第１メッシュ領域ＲＥ１の中心（重心）を基準位置Ｍｓとしてもよい。また、ｍｘ＝ｗｘ＋２δｘであり、ｍｙ＝ｗｙ＋２δｙであるため、第１分割部２２は、ｍｘ，ｍｙの代わりに、初期メッシュ幅ｗｘ，ｗｙと、露光分解能δｘ，δｙが、初期分割データＤ２０に記述してもよい。第１分割部２２が初期分割データＤ２０を生成すると、データ処理装置２は準備処理を終了する。
＜描画処理の流れ＞
図７および図８は、実施形態に係る描画装置１が実行する処理の流れを示す図である。準備処理の後、描画装置１は、複数の基板９の描画処理を順番に実行する。まず、図７に示すように、露光装置３のステージ３２上に、基板９１が搬入される（図７：ステップＳ１１）。基板９１の搬入は、人の手作業によって行われてもよいし、不図示の搬送装置によって行われてもよい。基板９１がステージ３２に載置されると、撮像部３４が、基板９１の対象面９ａに設けられたアライメントマークＭａを撮像する（図７：ステップＳ１２）。なお、撮像部３４の撮像領域は、基板９全体を含む大きさであってもよいし、１つまたは複数のアライメントマークＭａのみを含む大きさであってもよい。後者の場合、ステージ３２を水平二軸方向に移動させることによって、全てのアライメントマークＭａが撮像されてもよい。撮像部３４により得られた撮像画像は、マーク撮像データＤＭ１として、描画コントローラ３１を通じて再配置部２３に与えられる（図１参照）。
図９は、回路パターン設計時に想定された理想状態における複数のアライメントマークＭａの配置を示す図である。図９に示すように、複数のアライメントマークＭａは、水平二軸方向において等間隔で配置されるものとする。また、図９には、参考のため、第１メッシュ領域ＲＥ１の基準位置Ｍｓの配置についても併せて示している。アライメントマークＭａが等間隔に配置されている場合（理想状態の場合）、第１メッシュ領域ＲＥ１の基準位置Ｍｓも等間隔に配置される。なお、図９に示す実線および破線は図の理解を助けるためのものであり、基板９において観察されるわけではない。
実際の基板９に変形がない場合、図９に示すように、アライメントマークＭａは等間隔に位置する。一方、基板９が変形を有する場合、アライメントマークＭａの位置が理想的な位置からずれる。変形の程度は、基板９によって異なり得る。露光装置３において各基板９に対して所望のパターンを形成するため、基板９の変形指標としてのアライメントマークＭａの位置が、各基板９について実測により特定される。
図７に戻って、再配置部２３は、マーク撮像データＤＭ１に基づき、基板９１に設けられた各アライメントマークＭａの座標を特定するとともに、特定した座標を第１マーク座標情報として記憶部２０４に保存する。（図７：ステップＳ１３）。座標の特定は、例えば、撮像画像に対し二値化処理やパターン認識など、公知の画像処理によって行われてもよい。
図１０は、変形を有する１枚目の基板９１におけるアライメントマークＭａの配置を示す図である。図１０では、図９に示す理想的な配置の各アライメントマークＭａを、破線＋印で示している。再配置部２３は、特定した各アライメントマークＭａの座標に基づく基板９１の変形に応じて、各第１メッシュ領域ＲＥ１を再配置する（図７：ステップＳ１４）。具体的には、再配置部２３は、各第１メッシュ領域ＲＥ１の基準位置Ｍｓの再配置後の座標を、各第１メッシュ領域ＲＥ１の周囲にあるアライメントマークＭａの位置座標に基づいて特定する。すなわち、再配置部２３は、理想的な状態では整然と配置される第１メッシュ領域ＲＥ１（図６参照）を、基板９１の形状に応じて再配置した際の、各第１メッシュ領域ＲＥ１の位置を特定する。
例えば、図１０に示す基準位置Ｍｓ１，Ｍｓ２，Ｍｓ３，およびＭｓ４の再配置後の座標は、その周囲に位置するアライメントマークＭａ１、Ｍａ２、Ｍａ３およびＭａ４（あるいはその一部）の座標に基づいて特定される。図１０では、再配置後の座標が特定された基準位置Ｍｓが例示されている。なお、基準位置Ｍｓの座標の特定には、公知の座標変換手法が利用可能である。一例としては、アライメントマークＭａ１，Ｍａ２，Ｍａ４からなる三角形に着目し、図９に示す理想的な配置の場合の三角形から図１０に示す実際の配置に基づく三角形へのアフィン変換を表す行列が求められる。そして、求めた行列を用いて、基準位置Ｍｓの座標変換が行われるとよい。
再配置部２３は、再配置後の各第１メッシュ領域ＲＥ１の基準位置Ｍｓの座標を求め、各第１メッシュ領域ＲＥ１の再配置後の座標を表す再配置データＤＳ１を生成する（図１参照）。
再配置部２３が再配置データＤＳ１を生成すると、合成部２４が、初期分割データＤ２０および再配置データＤＳ１に基づいて描画データＤＤ１を生成する（図７：ステップＳ１５）。具体的には、合成部２４は、各第１メッシュ領域ＲＥ１の位置を、理想的な位置から、再配置データＤＳ１に記述された位置にシフトさせる。そして、合成部２４は、シフトさせた各第１メッシュ領域ＲＥ１の描画内容を合成し、描画領域全体に対する描画内容を表現する一の描画データＤＤを生成する。なお、第１メッシュ領域ＲＥ１のシフトは、基準位置Ｍｓの座標移動（並進移動）に応じて各第１メッシュ領域ＲＥ１を構成する画素の座標を移動させることにより実現される。
図１１は、再配置データＤＳ１の記述内容に従って、再配置された各第１メッシュ領域ＲＥ１を示す図である。図１１に示すように、隣り合う第１メッシュ領域ＲＥ１の間で描画内容がオーバーラップする箇所が生じる。このオーバーラップする箇所の描画内容は、例えば、両者の乗算をとるなど所定の論理演算によって、適宜調整される。
図１２は、合成部２４によって生成される描画データＤＤ１が規定する第１描画領域ＲＡ１を示す図である。図１２には、参考のため、位置が測定されたアライメントマークＭａを併せて図示している。なお、図１１では図示が省略されているが、実際には、描画領域ＲＡ２内に、初期分割データＤ２０に記述された内容に基づく回路パターンが配置される。
データ処理装置２は、合成部２４が生成した描画データＤＤ１を、描画コントローラ３１へ送信する。描画コントローラ３１は、描画データＤＤ１に基づいて、変調部３３ａを制御することにより、基板９１の対象面９ａに回路パターンを描画する（図７：ステップＳ１６）。描画データＤＤ１は、アライメントマークＭａの配置に基づく基板９１の変形に合わせて、初期描画データＤＤ０を補正したデータである。このため、露光装置３は、描画データＤＤ１に基づいて露光を行うことによって、基板９１に所望の回路パターンを精度良く描画できる。
基板９１の描画処理が完了すると、次の基板９２に対する描画が行われる。ここで、基板９２が基板９１と同じロットに属する場合、基板９１の変形と基板９２との変形の差異は小さい場合が多い。基板９１，９２間の変形に差がない場合、基板９２に対する描画データＤＤ２は、基板９１に対する描画データＤＤ１と同じとすることができる。また、基板９１，９２間の変形に僅かな差があったとしても、初期メッシュ幅ｗｘ，ｗｙよりも大きいメッシュ幅で、描画データＤＤ１を補正すればよい。この観点から、データ処理装置２は、後述するように、基板９２の変形に応じて描画データＤＤ１を補正することによって、描画データＤＤ２を生成する補正処理を行う。
データ処理装置２では、補正処理を効率良く行うため、事前に、描画データＤＤ１が表現する第１描画領域ＲＡ１を、初期メッシュ幅ｗｘ，ｗｙよりも大きい複数の事前メッシュ幅で、仮想的に分割する（図７：ステップＳ１７）。各事前メッシュ幅の大きさは、例えば、初期メッシュ幅ｗｘ，ｗｙの整数倍（２倍、３倍、４倍・・・）としてもよいが、これは必須ではない。第２分割部２５は、事前メッシュ幅ごとの分割により得られる各メッシュ領域の描画内容を記述した事前分割データを生成する。これにより、第２分割部２５は、複数の分割データのセットである事前分割データセットＤ２１を生成する（図７：ステップＳ１８）。
図１３は、第１描画領域ＲＡ１を初期メッシュ幅ｗｘ，ｗｙよりも大きい事前メッシュ幅で分割した様子を概念的に示す図である。図１３に示す例は、第２分割部２５が、第１描画領域ＲＡ１を、初期メッシュ幅ｗｘ，ｗｙの２倍の大きさの事前メッシュ幅２ｗｘ，２ｗｙで分割した例である。第２分割部２５は、第１分割部２２と同様に、事前メッシュ幅２ｗｘ，２ｗｙで区画された各領域を基本領域とする。そして、基本領域の周囲に、所定の幅の付加領域を加えた領域を１つの第２メッシュ領域ＲＥ２とする。これにより、隣り合う第２メッシュ領域ＲＥ２は、互いにオーバーラップする。第２分割部２５は、第２メッシュ領域ＲＥ２を設定すると、描画データＤＤ１に基づいて、各第２メッシュ領域ＲＥ２の描画内容を特定し、各第２メッシュ領域ＲＥ２の描画内容を記述した事前分割データを生成する。第２分割部２５は、他の事前メッシュ幅に対する事前分割データも、図１３で説明した手法と同じ要領で取得する。
基板９１の描画処理が完了すると、露光装置３から基板９１が搬出され、露光装置３に次の基板９２が搬入される（図８：ステップＳ２０）。そして、撮像部３４が、基板９２のアライメントマークＭａを撮像することによって、マーク撮像データＤＭ２を取得する（図８：ステップＳ２１）。再配置部２３は、マーク撮像データＤＭ２に基づき、基板９２のアライメントマークＭａの座標を特定するとともに、特定した座標を第２マーク位置情報として、記憶部２０４に保存する（図８：ステップＳ２２）。
さらに、再配置部２３は、記憶部２０４に保存された第１マーク座標情報と、第２マーク位置情報とに基づいて、第２メッシュ幅を決定する（ステップＳ２３）。第２メッシュ幅は、描画データＤＤ１を、基板９１に対する基板９２の相対的な変形（以下、単に基板９２の変形と称する。）を補正するために必要なメッシュ幅である。以下、第２メッシュ幅を求める処理について、図１４および図１５参照しつつ説明する。
＜隣接２点間の変形に基づく、第２メッシュ幅の算出＞
図１４は、隣接２点間の変形に基づいて第２メッシュ幅を求める流れを説明するための図である。まず、再配置部２３は、主走査方向または副走査方向に隣接する２つのアライメントマークＭａ間の位置関係から、基板９２の変形を求める。例えば、図１４に示すように、主走査方向に隣接する２つのアライメントマークＭａ１１，Ｍａ１２に着目する。第１マーク座標情報から求まるアライメントマークＭａ１１，Ｍａ１２間のベクトルをａとし、第２マーク座標情報から求まるアライメントマークＭａ１１，Ｍａ１２間のベクトルをｂとすると、アライメントマークＭａ１１，Ｍａ１２間の変形が、ベクトルａ，ｂの主走査方向および副走査方向の各成分の差（Δｘ１，Δｙ１）（すなわち、ｂ－ａの大きさ）として求まる。基板９２におけるアライメントマークＭａ１１，Ｍａ１２の２点間の変形を補正するために必要なメッシュ幅ｗｘ１，ｗｙ１を考える。
ここで、基板９２が有する、アライメントマークＭａ１１，Ｍａ１２間の変形量（Δｘ１，Δｙ１）を補正するためのメッシュ幅ｗｘ１，ｗｙ１について検討する。まず、主走査方向について検討すると、描画精度を維持するために分割後のメッシュ領域を移動させることができる距離は、最大で露光分解能δｘとする。このため、アライメントマークＭａ１１，Ｍａ１２間の最小分割数は、変形量Δｘ１を露光分解能δｘで割って得られる値である。副走査方向については、変形量Δｙ１を露光分解能δｙで割った値である。基板９２におけるアライメントマークＭａ１１，Ｍａ１２の距離をＬ１１とすると、基板９２が有するアライメントマークＭａ１１，Ｍａ１２間の変形を補正するために必要なメッシュ幅ｗｘ１，ｗｙ１は、次式で求められる。
wx1=L11/(ΔX1/δx) ・・・式（７）
wy1=L11/(ΔY1/δy) ・・・式（８）
再配置部２３は、上記要領で、各隣接する２つのアライメントマークＭａ間について、変形を補正するために必要なメッシュ幅ｗｘ１，ｗｙ１を求める。そして、求められた全てのメッシュ幅ｗｘ１，ｗｙ１のうち最小である最小メッシュ幅ｗｘ１ｍ，ｗｙ１ｍを、第２メッシュ幅の第１候補として、記憶部２０４に保存する。
＜基板９２全体の変形に基づく、第２メッシュ幅の算出＞
図１５は、基板９２の全体の変形に基づいて第２メッシュ幅を求める流れを説明するための図である。全体の変形は、例えば、図１５に示すように、全てのアライメントマークＭａのうち、隅にある４点のアライメントマークＭａ２１，Ｍａ２２，Ｍａ２３，Ｍａ２４から選択された２点間の距離と、選択された２点間における基板９２の変形に基づいて、メッシュ幅ｗｘ２，ｗｙ２を求める。アライメントマークＭａ２１，Ｍａ２２，Ｍａ２３，Ｍａ２４の各間には、少なくとも１つ以上のアライメントマークＭａが位置する。
例えば、基板９２におけるアライメントマークＭａ２１，Ｍａ２２に対するメッシュ幅ｗｘ２，ｗｙ２は、アライメントマークＭａ２１，２２間の距離をＬ２１とし、基板９２におけるアライメントマークＭａ２１，Ｍａ２２間の変形量をΔｘ２，Δｙ２とすると、次式で求められる。
wx2=L21/(Δx2/δx) ・・・式（９）
wy2=L21/(Δy2/δy) ・・・式（１０）
再配置部２３は、他の２つアライメントマークＭａ間に対するメッシュ幅ｗｘ２，ｗｙ２についても、同じ要領で求める。再配置部２３は、全てのメッシュ幅ｗｘ２，ｗｙ２のうち最小である最小メッシュ幅ｗｘ２ｍ，ｗｙ２ｍを、第２メッシュ幅の候補として、記憶部２０４に保存する。
再配置部２３は、主走査方向に関して求めた最小メッシュ幅ｗｘ１ｍ，ｗｘ２ｍのうち小さい方を、第２メッシュ幅ｗｘ２として選択する。また、再配置部２３は、副走査方向に関して求めた最小メッシュ幅ｗｙ１ｍ，ｗｙ２ｍのうち小さい方を、第２メッシュ幅ｗｙ２として選択する。
図８に戻って、再配置部２３は、ステップＳ２３により、第２メッシュ幅ｗｙ２，ｗｙ２を決定すると、第２メッシュ幅ｗｙ２，ｗｙ２が、最小の事前メッシュ幅よりも小さいか否かを判定する（図８：ステップＳ２３１）。第２メッシュ幅ｗｘ２，ｗｙ２が最小の事前メッシュ幅よりも小さい場合（ステップＳ２３１においてＮＯ）、事前分割データセットＤ２１を使用して、基板９２の変形に合わせた描画データＤＤ１の補正が困難である。このため、データ処理装置２は、ステップＳ１４へ戻ることにより、初期分割データＤ２０を使用して、基板９２に対する描画データＤＤ２を生成する。
第２メッシュ幅ｗｘ２，ｗｙ２が最小の事前メッシュ幅よりも大きい場合（ステップＳ２３１においてＹＥＳ）、再配置部２３は、第２メッシュ幅ｗｘ２，ｗｙ２が最大事前メッシュ幅よりも大きいか否かを判定する（図８：ステップＳ２４）。第２メッシュ幅ｗｘ２，ｗｙ２が最大の事前メッシュ幅よりも大きい場合（ステップＳ２４においてＹＥＳ）、データ処理装置２は、描画データＤＤ１をそのまま描画コントローラ３１に送信する。これにより、描画コントローラ３１は、描画データＤＤ１を用いて、基板９２の描画を行う（図８：ステップＳ２５）。
再配置部２３は、第２メッシュ幅ｗｘ２，ｗｙ２が最大の事前メッシュ幅と同じ、または、最大の事前メッシュ幅よりも小さいと判定した場合（ステップＳ２４においてＮＯ）、事前分割データセットＤ２１から使用する事前分割データを決定する（図８：ステップＳ２６）。具体的には、再配置部２３は、事前分割データセットＤ２１において、第２メッシュ幅よりも小さい事前メッシュ幅のうち、最大の事前メッシュ幅で生成された事前分割データを選択する。このように、できるだけ大きい事前メッシュ幅の事前分割データを選択することにより、後述する第２メッシュ領域ＲＥ２を再配置する処理（ステップＳ２７）、および、各第２メッシュ領域ＲＥ２の描画内容を合成する処理（ステップＳ２８）に必要な演算量を小さくできる。
再配置部２３は、選択された事前分割データを用いて、第１マーク座標情報および第２マーク座標情報に基づいて特定される、基板９１に対する基板９２の変形に応じて、事前分割データに記述された各第２メッシュ領域ＲＥ２を再配置する（ステップＳ２７）。再配置部２３による再配置の処理は、図７に示すステップＳ１４と同様に行われる。再配置部２３は、再配置後の各メッシュ領域の位置を表す再配置データＤＳ２を生成する（図１参照）。
再配置部２３が再配置データＤＳ２を生成すると、合成部２４が、事前分割データおよび再配置データＤＳ２に基づいて、描画データＤＤ２を生成する（図８：ステップＳ２８）。事前分割データは、ステップＳ２６で再配置部２３が事前分割データセットＤ２１の中から選択したデータである。合成部２４による描画データＤＤ２の生成処理は、図７に示すステップＳ１５と同様に行われる。
データ処理装置２は、合成部２４が生成した描画データＤＤ２を、描画コントローラ３１へ送信する。描画コントローラ３１は、描画データＤＤ２に基づいて、変調部３３ａを制御することにより、基板９２の対象面９ａに回路パターンを描画する（図８：ステップＳ２９）。
続いて、データ処理装置２は、描画処理が完了したか否かを判定する（ステップＳ３０）。描画すべき基板９が存在する場合、データ処理装置２は、ステップＳ２０に戻り、ステップＳ２０以降の処理を繰り返す。これにより、次の基板９に対する描画処理が実行される。
以上のように、描画装置１では、２枚目以降の基板９に対する描画データＤＤ２は、１枚目の基板９に対する描画データＤＤ１を補正することによって生成される。１枚目の基板９に対する２枚目以降の基板９の変形が小さい場合、描画データＤＤ１に対する補正量が小さいため、描画データＤＤ２の生成に必要な計算資源または計算時間を低減できる。
ステップＳ２７で再配置される第２メッシュ領域ＲＥ２は、ステップＳ１４で再配置される第１メッシュ領域ＲＥ１よりもサイズが大きい。このため、第２メッシュ領域ＲＥ２の数が、第１メッシュ領域ＲＥ１の数よりも少なくなる。したがって、ステップＳ２７における再配置の処理、および、ステップＳ２８における描画内容を合成する処理に必要な計算資源または計算時間を級数的に低減できる。
また、描画装置１では、事前に、描画データＤＤ１が表現する第１描画領域ＲＡ１を、異なる大きさの事前メッシュ幅で分割することによって、事前分割データセットＤ２１が生成される。このため、基板９ごとに、分割データを生成する場合よりも、計算資源または計算時間を低減できる。
この発明は詳細に説明されたが、上記の説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。上記各実施形態および各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせたり、省略したりすることができる。
１ 描画装置
２ データ処理装置
２０１ プロセッサ
２０３ ＲＡＭ
２０４ 記憶部
２１ 変換部
２２ 第１分割部
２３ 再配置部
２４ 合成部
２５ 第２分割部
３ 露光装置
３１ 描画コントローラ
３２ ステージ
３３ 照射部
３４ 撮像部
９,９１，９２ 基板
Ｄ２０ 初期分割データ
Ｄ２１ 事前分割データセット
ＤＤ０ 初期描画データ
ＤＤ１，ＤＤ２ 描画データ
ＤＭ１，ＤＭ２ マーク撮像データ
ＤＰ パターンデータ
ＤＳ１，ＤＳ２ 再配置データ
Ｍａ アライメントマーク
ＲＡ０ 初期描画領域
ＲＡ１ 第１描画領域
ＲＡ２ 描画領域
ＲＥ１ 第１メッシュ領域
ＲＥ２ 第２メッシュ領域

Claims (8)

  1. 基板に所定パターンを描画する描画装置であって、
    複数のアライメントマークを有する基板を載置するためのステージと、
    前記ステージに載置された前記基板の前記アライメントマークを撮像する撮像部と、
    描画データを生成するデータ処理部と、
    前記描画データに基づいて、前記ステージに載置された前記基板に光を照射する照射部と、
    を備え、
    前記データ処理部は、
    所定パターンを含む初期描画領域を表す初期描画データを取得するデータ取得処理と、
    前記初期描画データに基づいて、前記初期描画領域を初期メッシュ幅で分割することによって得られる複数の第１メッシュ領域の各描画内容を表す第１分割データを生成する第１分割処理と、
    前記撮像部が第１基板を撮像して得られる撮像画像に基づいて、前記第１基板の前記アライメントマークの位置を特定する第１マーク位置特定処理と、
    前記第１基板の前記アライメントマークの位置に基づいて、各前記第１メッシュ領域を再配置する第１再配置処理と、
    前記第１再配置処理により再配置された各前記第１メッシュ領域の位置に合わせて、前記第１分割データが表す各前記第１メッシュ領域の描画内容を合成し、所定パターンを含む第１描画領域を表現する第１描画データを生成する第１合成処理と、
    前記第１描画データに基づいて、前記第１描画領域を前記初期メッシュ幅よりも大きいメッシュ幅で分割することにより得られる複数の第２メッシュ領域の各描画内容を表す第２分割データを生成する第２分割処理と、
    前記撮像部が第２基板を撮像して得られる撮像画像に基づいて、前記第２基板の前記アライメントマークの位置を特定する第２マーク位置特定処理と、
    前記第２基板の前記アライメントマークの位置に基づいて、各前記第２メッシュ領域を再配置する第２再配置処理と、
    前記第２再配置処理により再配置された各前記第２メッシュ領域の位置に合わせて、各前記第２メッシュ領域の描画内容を合成し、所定パターンを含む第２描画領域を表す第２描画データを生成する第２合成処理と、
    を実行する、描画装置。
  2. 請求項１の描画装置であって、
    前記第２分割処理は、前記データ処理部が、前記第１描画領域を、互いに異なる複数の事前メッシュ幅で分割することによって、前記事前メッシュ幅ごとに、複数の前記第２メッシュ領域の各描画内容を表す事前分割データを生成する処理を含み、
    前記第２再配置処理は、前記データ処理部が、前記第２基板の前記アライメントマークの位置に基づいて、複数の前記事前分割データの中から一の事前分割データを選択し、選択した前記事前分割データが表す各前記第２メッシュ領域を再配置する処理を含む、描画装置。
  3. 請求項１または請求項２の描画装置であって、
    前記第２再配置処理は、前記データ処理部が、前記第２基板が前記第１基板に対して有する、各前記アライメントマーク間の変形に基づいて、前記メッシュ幅を決定する処理を含む、描画装置。
  4. 請求項３の描画装置であって、
    前記第２再配置処理は、前記データ処理部が、隣接する２つの前記アライメントマーク間の変形に基づいて、前記メッシュ幅を決定する処理を含む、描画装置。
  5. 請求項３または請求項４の描画装置であって、
    前記第２再配置処理は、前記データ処理部が、隅に位置する２つの前記アライメントマーク間の変形に基づいて、前記メッシュ幅を決定する処理を含む、描画装置。
  6. 基板に所定パターンを描画する描画装置で用いられる描画データを生成するデータ処理装置であって、
    プロセッサと、
    前記プロセッサと電気的に接続されるメモリと、
    を備え、
    前記プロセッサは、
    所定パターンを含む初期描画領域を表す初期描画データを取得するデータ取得処理と、
    前記初期描画データに基づいて、前記初期描画領域を初期メッシュ幅で分割することによって得られる複数の第１メッシュ領域の各描画内容を表す第１分割データを生成する第１分割処理と、
    第１基板を撮像して得られる撮像画像に基づいて、前記第１基板のアライメントマークの位置を特定する第１マーク位置特定処理と、
    前記第１基板の前記アライメントマークの位置に基づいて、各前記第１メッシュ領域を再配置する第１再配置処理と、
    前記第１再配置処理により再配置された各前記第１メッシュ領域の位置に合わせて、前記第１分割データが表す各前記第１メッシュ領域の描画内容を合成し、所定パターンを含む第１描画領域を表現する第１描画データを生成する第１合成処理と、
    前記第１描画データに基づいて、前記第１描画領域を前記初期メッシュ幅よりも大きいメッシュ幅で分割することにより得られる複数の第２メッシュ領域の各描画内容を表す第２分割データを生成する第２分割処理と、
    第２基板を撮像して得られる撮像画像に基づいて、前記第２基板のアライメントマークの位置を特定する第２マーク位置特定処理と、
    前記第２基板の前記アライメントマークの位置に基づいて、各前記第２メッシュ領域を再配置する第２再配置処理と、
    前記第２再配置処理により再配置された各前記第２メッシュ領域の位置に合わせて、各前記第２メッシュ領域の描画内容を合成し、所定パターンを含む第２描画領域を表す第２描画データを生成する第２合成処理と、
    を実行する、データ処理装置。
  7. 基板に所定パターンを描画する描画方法であって、
    所定パターンを含む初期描画領域を表す初期描画データを取得するデータ取得処理と、
    前記初期描画データに基づいて、前記初期描画領域を初期メッシュ幅で分割することによって得られる複数の第１メッシュ領域の各描画内容を表す第１分割データを生成する第１分割処理と、
    第１基板を撮像して得られる撮像画像に基づいて、前記第１基板のアライメントマークの位置を特定する第１マーク位置特定処理と、
    前記第１基板の前記アライメントマークの位置に基づいて、各前記第１メッシュ領域を再配置する第１再配置処理と、
    前記第１再配置処理により再配置された各前記第１メッシュ領域の位置に合わせて、前記第１分割データが表す各前記第１メッシュ領域の描画内容を合成し、所定パターンを含む第１描画領域を表現する第１描画データを生成する第１合成処理と、
    前記第１描画データに基づいて、前記第１基板に描画を行う第１描画処理と、
    前記第１描画データに基づいて、前記第１描画領域を前記初期メッシュ幅よりも大きいメッシュ幅で分割することにより得られる複数の第２メッシュ領域の各描画内容を表す第２分割データを生成する第２分割処理と、
    第２基板を撮像して得られる撮像画像に基づいて、前記第２基板のアライメントマークの位置を特定する第２マーク位置特定処理と、
    前記第２基板の前記アライメントマークの位置に基づいて、各前記第２メッシュ領域を再配置する第２再配置処理と、
    前記第２再配置処理により再配置された各前記第２メッシュ領域の位置に合わせて、各前記第２メッシュ領域の描画内容を合成し、所定パターンを含む第２描画領域を表す第２描画データを生成する第２合成処理と、
    前記第２描画データに基づいて、前記第２基板に描画を行う第２描画処理と、
    を含む、描画方法。
  8. 基板に所定パターンを描画する描画装置で用いられる描画データを生成する描画データ生成方法であって、
    所定パターンを含む初期描画領域を表す初期描画データを取得するデータ取得処理と、
    前記初期描画データに基づいて、前記初期描画領域を初期メッシュ幅で分割することによって得られる複数の第１メッシュ領域の各描画内容を表す第１分割データを生成する第１分割処理と、
    第１基板を撮像して得られる撮像画像に基づいて、前記第１基板のアライメントマークの位置を特定する第１マーク位置特定処理と、
    前記第１基板の前記アライメントマークの位置に基づいて、各前記第１メッシュ領域を再配置する第１再配置処理と、
    前記第１再配置処理により再配置された各前記第１メッシュ領域の位置に合わせて、前記第１分割データが表す各前記第１メッシュ領域の描画内容を合成し、所定パターンを含む第１描画領域を表現する第１描画データを生成する第１合成処理と、
    前記第１描画データに基づいて、前記第１描画領域を前記初期メッシュ幅よりも大きいメッシュ幅で分割することにより得られる複数の第２メッシュ領域の各描画内容を表す第２分割データを生成する第２分割処理と、
    第２基板を撮像して得られる撮像画像に基づいて、前記第２基板のアライメントマークの位置を特定する第２マーク位置特定処理と、
    前記第２基板の前記アライメントマークの位置に基づいて、各前記第２メッシュ領域を再配置する第２再配置処理と、
    前記第２再配置処理により再配置された各前記第２メッシュ領域の位置に合わせて、各前記第２メッシュ領域の描画内容を合成し、所定パターンを含む第２描画領域を表す第２描画データを生成する第２合成処理と、
    を含む、描画データ生成方法。
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Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001109128A (ja) 1999-10-12 2001-04-20 Hitachi Ltd リソグラフィ用パターンデータ生成方法、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
JP2008003504A (ja) 2006-06-26 2008-01-10 Orc Mfg Co Ltd 描画システム
US20080052925A1 (en) 2006-09-01 2008-03-06 Fujifilm Corporation Drawings device and drawing method
JP2010204421A (ja) 2009-03-04 2010-09-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 描画装置、描画装置用のデータ処理装置、および描画装置用の描画データ生成方法
JP2011095742A (ja) 2009-10-30 2011-05-12 Ibiden Co Ltd 描画データ補正方法、描画方法、配線板の製造方法、及び描画システム
JP2011228586A (ja) 2010-04-22 2011-11-10 Toshiba Corp 評価マップの作成方法、システム、半導体装置の製造方法およびプログラム
JP2012243939A (ja) 2011-05-19 2012-12-10 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法
JP2013171946A (ja) 2012-02-20 2013-09-02 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP2014178536A (ja) 2013-03-15 2014-09-25 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 描画データ生成方法、描画方法、描画データ生成装置、および描画装置
JP2017027988A (ja) 2015-07-16 2017-02-02 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画データ作成方法及び荷電粒子ビーム描画装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5700732A (en) * 1996-08-02 1997-12-23 Micron Technology, Inc. Semiconductor wafer, wafer alignment patterns and method of forming wafer alignment patterns
AU5529499A (en) * 1998-09-14 2000-04-03 Nikon Corporation Exposure apparatus and its manufacturing method, and device producing method
JP5803341B2 (ja) 2011-06-29 2015-11-04 大日本印刷株式会社 描画データ作成プログラム、描画データ作成装置、描画データ作成方法
JP6269964B2 (ja) * 2012-07-10 2018-01-31 株式会社ニコン マーク形成方法
JP6116456B2 (ja) * 2013-09-25 2017-04-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 描画方法および描画装置
EP3286778A4 (en) * 2015-04-21 2019-04-03 Intel Corporation PRECISE ALIGNMENT SYSTEM FOR ELECTRON BEAM EXPOSURE SYSTEM
JP6884059B2 (ja) 2017-07-18 2021-06-09 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP6863208B2 (ja) * 2017-09-29 2021-04-21 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001109128A (ja) 1999-10-12 2001-04-20 Hitachi Ltd リソグラフィ用パターンデータ生成方法、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
JP2008003504A (ja) 2006-06-26 2008-01-10 Orc Mfg Co Ltd 描画システム
US20080052925A1 (en) 2006-09-01 2008-03-06 Fujifilm Corporation Drawings device and drawing method
JP2008058797A (ja) 2006-09-01 2008-03-13 Fujifilm Corp 描画装置及び描画方法
JP2010204421A (ja) 2009-03-04 2010-09-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 描画装置、描画装置用のデータ処理装置、および描画装置用の描画データ生成方法
JP2011095742A (ja) 2009-10-30 2011-05-12 Ibiden Co Ltd 描画データ補正方法、描画方法、配線板の製造方法、及び描画システム
JP2011228586A (ja) 2010-04-22 2011-11-10 Toshiba Corp 評価マップの作成方法、システム、半導体装置の製造方法およびプログラム
JP2012243939A (ja) 2011-05-19 2012-12-10 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法
JP2013171946A (ja) 2012-02-20 2013-09-02 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP2014178536A (ja) 2013-03-15 2014-09-25 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 描画データ生成方法、描画方法、描画データ生成装置、および描画装置
JP2017027988A (ja) 2015-07-16 2017-02-02 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画データ作成方法及び荷電粒子ビーム描画装置

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