JP2000310851A - Opcパターン付き図形データのサイジング処理方法及びopcパターン付き図形データのサイジング処理装置 - Google Patents

Opcパターン付き図形データのサイジング処理方法及びopcパターン付き図形データのサイジング処理装置

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JP2000310851A
JP2000310851A JP11119154A JP11915499A JP2000310851A JP 2000310851 A JP2000310851 A JP 2000310851A JP 11119154 A JP11119154 A JP 11119154A JP 11915499 A JP11915499 A JP 11915499A JP 2000310851 A JP2000310851 A JP 2000310851A
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Akira Sato
佐藤  明
Kenichi Yamamoto
健市 山本
Yohei Ishida
洋平 石田
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 OPC部を設けたEB描画装置用の図形デー
タのサイジング処理において、OPC部が消失しない処
理方法を提供する。 【解決手段】 EB描画装置用の図形データをアウトラ
イン表示して、第1のポリゴンデータを得るポリゴン化
処理工程後、EB描画用図形データにおけるOPC部位
置を、第1のポリゴンデータ上で抽出するOPC部位置
抽出処理工程により、OPC図形と、第1のポリゴンデ
ータからOPC図形を除いた状態の第2のポリゴンデー
タを生成し、OPC図形には第1のサイジング値で、第
2のポリゴンデータには第2のサイジング値で、それぞ
れ縮小化ないし拡大化を行う。サイジング処理が行われ
た各図形データを合成して、第1のポリゴンデータか
ら、所定のサイズだけ縮小化ないし拡大化されたポリゴ
ンデータを得る合成処理により得られたポリゴンデータ
から、更に、EB描画装置用の図形データを生成するE
B描画装置用の図形データ生成処理を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、OPC図形(パタ
ーン)を設けたEB描画装置用の図形データに対し、縮
小サイズ化ないし拡大化を行うためのサイジング処理方
法と、サイジング処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体素子(チップ)の高密度化
は激しく、035μm設計ルールの64MDRAMを量
産もすでに始められ、0.25μm設計ルールの256
MDRAMの時代へと移ろうとしている。このため、ウ
エハへの露光を行うためのマスタマスクを作成するため
の、あるいは、ウエハへ直接縮小投影するためのレチク
ルについても、ますますその精度が求められるようにな
ってきた。更に、最近では、コスト低減を目指したチッ
プ縮小が著しく、64MDRAMを0.25設計ルール
まで微細化して、あるいは、256MDRAMを0.1
8設計ルールまで微細化してチップ縮小化を行ってい
る。仮に、64MDRAMを0.2μm設計ルールとす
ると、約16MDRAMと同じチップ寸法となり、ビッ
トコストは16Mの約1/4になる。ウエハサイズの大
サイズ化をせず、現装置でコスト低減が達成されること
となる。0.18μm設計ルールは開発完了し、200
0年には0.15μm設計ルールが開発完了予定とされ
ている。
【0003】このような中、レチクル等のフォトマスク
作製のためのパターン描画においては、その加工精度は
ますます厳しく求められるようになってきた。パターン
描画としては、一般には、EB描画装置が用いられてい
るが、所定径の電子ビームをON−OFFしながら、全
面走査して描画するラスター型の電子ビーム描画装置
(以下EB描画装置とも言う)の場合、加工精度の要求
が高くなるに従い、その最小描画位置間隔(最小アドレ
スユニットとも言う)をより細かくしていくことが必要
で、これに伴い描画時間が格段に増えることとなり、
0.18μm以下の設計ルールでは、実用レベルでなく
なる。これに対して、矩形や45°三角形に成形された
ビームを用い、パターン部のみを照射して描画を行うベ
クター型EB描画装置は、描画速度の面でラスター型に
比べ有利で、レチクルの作製においても用いられるよう
になってきた。尚、このようなベクター型のEB描画装
置を、ここでは、成形ビーム型あるいはシエイプドビー
ム型のEB描画装置とも言う。そして、図形データと
は、ここでは、EB描画装置用の図形データで、一般に
は、台形表示や、これの変形表示(台形、矩形、正方
形、平行四辺形て表示)のテータが用いられている。そ
して、この図形データを描画の際に、ラスター型のEB
描画装置、ベクター型(成形ビーム型)のEB描画装置
の、描画動作のハードを直接制御するデータに変換して
描画を行う。
【0004】ところで、レチクルの場合、その絵柄(パ
ターンとも言う)は光学的に縮小され、マスタマスクや
ウエハ上に、投影露光されるが、光の回折の影響を受け
て、投影された絵柄のコーナー部は図形データに対応し
た形状を示さない。このため、加工精度を厳しく要求さ
れる場合には、予め光の回折の影響を見込んだ図形デー
タを用いて、光の回折の影響を見込んだ絵柄(パター
ン)をレチクル上に形成しておく必要がある。一般に
は、光の回折の影響を考慮しない場合の絵柄のコーナー
部を、光の回折の影響を見込んだ形状とし、これに併
せ、レチクルの絵柄を描画するための図形データも作成
する。例えば、図8(a)に示す形状のレチクル上の絵
柄810を、レチクルからの縮小投影によりマスタマス
クないしウエハ上に得る場合には、縮小投影された潜像
820のコーナー部は、図8(b)のように光の回折に
より、変形してしまう。このため、レチクル上での対応
する図形の形状は図8(c)のようにしておき、図8
(d)のような、変形のない(あるいは少ない)縮小投
影像(潜像)を得る。そして、一般には、図8(d)に
示すように、大小複数のEB描画装置用の図形データ8
11を併せて、図8(c)のようなアウトラインを有す
るEB描画装置用の図形データ830を作製し、これを
用い、図8(c)に示すような絵柄をレチクル上で形成
している。即ち、図8(c)に示すようなアウトライン
を有する図形を、複数の矩形等に分割した、各図形のデ
ータが、EB描画装置用の図形データ830を構成する
図形データ831と言える。EB描画装置用の図形デー
タ830の各図形データ831としては、矩形の他に、
台形、平行四辺形があり、このような絵柄に分割しても
良い。図8(e)に示すEB描画装置用図形データ83
0では、830Aが凸状のOPC部で、830Bが凹状
のOPC部である。
【0005】尚、EB描画装置用の図形データ830の
フォーマットとしては、台形表示(矩形や平行四辺形、
正方形を台形で表現する)や、台形、矩形平行四辺形、
正方形をそれぞれ別に表示する方式等、EB描画装置装
置に対応して各種ある。そして、前述の通り、EB描画
装置用の図形データは、更に、EB描画装置の描画動作
のハードを直接制御するデータに変換されて、描画に寄
与される。
【0006】また、ここでは、光の回折の影響を考慮し
た補正をOPC(OpticalProximity
Correct〜光近接効果補正)と言い、図8(e)
に示す図形データ830の、830A、830BをOP
C部と言う。OPC部は、光の回折の影響を考慮した補
正をしない場合の絵柄(図8(a)の絵柄に相当)の凸
コーナー部、凹コーナー部に、それぞれに凸状あるいは
凹状に形成される。そして、OPC部を形成するための
図形(パターン)をOPC図形、あるいは、OPCパタ
ーンと言う。図8(e)では、矩形(正方形)831A
が凸状のOPC部830Aを形成するためのOPC図形
(パターン)である。凹状のOPC部830Bは、図8
(f)に示すように、図8(a)の凹コーナー部810
BにおけるOPC補正で、絵柄810に相当する図形8
40と矩形(正方形)831Bとの重なり部をマイナス
した形状〔(図形840 AND (NOT 図形83
1B)〕で、EB描画用データを作製する処理の際に
は、このような矩形(正方形)831Bを用いることが
一般的であり、これもOPC部を形成するための図形
で、ここでは、OPC図形と呼ぶ。〔(図形840 A
ND (NOT 図形831B)〕を、ここでは、図形
840に図形831Bをマイナスに重ねるとも言う。
(図形840 OR 図形831A)を、ここでは、図
形840に図形831Bをプラスに重ねるとも言う。
【0007】ところで、一般に、レチクル等のフォトマ
スク作製は、露光装置による電子線照射の他にも、種々
のプロセスを経るもので、処理する方法、処理材料も種
々あり、また、仕様自体の変更等もある為、作成された
EB描画装置用の図形データを太らせたり、細らせたり
するサイジング処理が必要となることがある。以下、簡
単に、レチクル等のフォトマスク作製工程を説明してお
く。レチクル等のフォトマスク作製のためのパターン描
画は、ガラス基板の一面に遮光性の金属薄膜を設けた基
板(ブランクスとも言う)の金属薄膜上に塗布、乾燥さ
れた感光性のレジスト上に、露光装置により電離放射線
を所定の領域のみに照射して、潜像を形成した後、これ
を現像して、電離放射線の照射領域に対応した、所望の
形状のレジストパターン得るものであり、更に、レジス
トパターンを耐エッチングレジストとして、金属薄膜を
レジストパターン形状に加工して、所望の金属薄膜パタ
ーンを有するフォトマスクを得る。
【0008】しかし、光の回折の影響を見込んだレチク
ルの絵柄を描画するための図形データ、即ちOPC部を
設けた図形データに対して、サイジング処理を施す場
合、光の回折の影響を考慮したOPC部分が変化してし
まい、時には、OPC部が消失してしまうことがあり、
これが問題となっていた。OPC部が微細であるために
このようなことが起こるのである。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、レチク
ル等のフォトマスク作製に際し、EB描画装置用の図形
データとしてOPC部を設けたものが用いられるが、O
PC部は微細であるため、サイジング処理により、全部
ないしその一部が消失してしまうことがあり、この対応
が求められていた。本発明は、これに対応するもので、
OPC部を設けたEB描画装置用の図形データに、サイ
ジング処理を施す際に、OPC部が消失しない処理方法
を提供しようとするものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明のOPCパターン
付き図形データのサイジング処理方法は、OPC部を設
けたEB描画装置用の図形データに対し、縮小サイズ化
ないし拡大化を行うためのサイジング処理方法であっ
て、順に、(a)EB描画装置用の図形データをアウト
ライン表示して、第1のポリゴンデータを得るポリゴン
化処理工程と、(b)EB描画データの図形データにお
けるOPC部位置を、第1のポリゴンデータ上で抽出す
るOPC部位置抽出処理を工程と、(c)OPC部位置
抽出処理により抽出された位置に、凸コーナー部用、あ
るいは凹コーナー部用のOPC図形(パターン)を新た
に生成し、且つ、第1のポリゴンデータからOPC図形
(パターン)を除いた状態の第2のポリゴンデータを生
成する図形(パターン)データ生成処理工程と、(d)
OPC図形(パターン)生成処理により生成したOPC
図形(パターン)に対して第1のサイジング値で、第2
のポリゴンデータに対して第2のサイジング値で、それ
ぞれ縮小化ないし拡大化を行う、サイジング処理工程
と、(e)サイジング処理が行われた各図形データを合
成して、第1のポリゴンデータから、所定のサイズだけ
縮小化ないし拡大化されたポリゴンデータを得る合成処
理工程と、(f)合成処理により得られたポリゴンデー
タから、更に、EB描画装置用の図形データを生成する
EB描画装置用の図形データ生成処理工程とを、行うこ
とを特徴とするものである。一般に、目的とする形状の
図形の凸コーナー部、凹コーナー部に、それぞれ、矩形
(特に正方形)をプラスに、あるいはマイナスに重ね
て、それぞれの箇所を凸状あるいは凹状にして、OPC
部が形成されので、ここでは、このような、OPC部を
得るために使用される、目的とする形状の図形にプラス
にあるいはマイナスに重ねられる図形をOPC図形と言
っている。尚、凸コーナー部用、あるいは凹コーナー部
用のOPC図形(パターン)としては、矩形(特に正方
形)が通常用いられる。
【0011】本発明のOPCパターン付き図形データの
サイジング処理装置は、OPC部を設けたEB描画装置
用の図形データに対し、縮小サイズ化ないし拡大化を行
うためのサイジング処理装置であって、EB描画装置用
の図形データをアウトライン表示して、第1のポリゴン
データを得るポリゴン化処理を行う、ポリゴン化処理部
と、EB描画データの図形データにおけるOPC部位置
を、第1のポリゴンデータ上で抽出するOPC部位置抽
出処理を行う、OPC部位置抽出処理部と、OPC部位
置抽出処理により抽出された位置に、凸部用、あるいは
凹部用のOPC図形(パターン)を新たに生成し、且
つ、第1のポリゴンデータからOPC図形(パターン)
を除いた状態の第2のポリゴンデータを生成する図形
(パターン)データ生成処理を行う、図形(パターン)
データ生成処理部と、OPC図形(パターン)生成処理
により生成したOPC図形(パターン)に対して第1の
サイジング値で、第2のポリゴンデータに対して第2の
サイジング値で、サイジング処理を行う、サイジング処
理部と、サイジング処理が行われた各図形データを合成
して、第1のポリゴンデータから、所定のサイズだけ縮
小化ないし拡大化されたポリゴンデータを得る合成処理
を行う、合成処理部と、合成処理により得られたポリゴ
ンデータから、更に、EB描画装置用の図形データを生
成するEB描画装置用の図形データ生成処理部とを、備
えていることを特徴とするものである。
【0012】
【作用】本発明のOPCパターン付き図形データのサイ
ジング処理方法は、このような構成にすることにより、
OPC図形(パターン)を設けたEB描画装置用の図形
データに、サイジング処理を施す際に、OPC図形(パ
ターン)が消失しない処理方法の提供を可能としてい
る。具体的には、順に、(a)EB描画装置用の図形デ
ータをアウトライン表示して、第1のポリゴンデータを
得るポリゴン化処理工程と、(b)EB描画データの図
形データにおけるOPC部位置を、第1のポリゴンデー
タ上で抽出するOPC部位置抽出処理を工程と、(c)
OPC部位置抽出処理により抽出された位置に、凸コー
ナー部用、あるいは凹コーナー部用のOPC図形(パタ
ーン)を新たに生成し、且つ、第1のポリゴンデータか
らOPC図形(パターン)を除いた状態の第2のポリゴ
ンデータを生成する図形(パターン)データ生成処理工
程と、(d)OPC図形(パターン)生成処理により生
成したOPC図形(パターン)に対して第1のサイジン
グ値で、第2のポリゴンデータに対して第2のサイジン
グ値で、それぞれ縮小化ないし拡大化を行う、サイジン
グ処理工程と、(e)サイジング処理が行われた各図形
データを合成して、第1のポリゴンデータから、所定の
サイズだけ縮小化ないし拡大化されたポリゴンデータを
得る合成処理工程と、(f)合成処理により得られたポ
リゴンデータから、更に、EB描画装置用の図形データ
を生成するEB描画装置用の図形データ生成処理工程と
を、行うことにより、これを達成している。詳しくは、
EB描画データをアウトライン表示のポリゴンデータに
変換するポリゴン化工程処理を行うことにより、EBデ
ータを作製する際のフラクチャ(分割)方式の差にかか
わらずに処理を行うことを可能としている。また、図形
(パターン)データ生成処理により、新たに生成したO
PC図形(パターン)に対して、第1のサイジング値
で、第1のポリゴンデータからOPC図形(パターン)
を除いた状態の第2のポリゴンデータに対して、第2の
サイジング値で、縮小サイズ化ないし拡大化を行うこと
により、微細なOPC図形(パターン)の消失を防止で
きるものとしている。
【0013】本発明のOPCパターン付き図形データの
サイジング処理装置は、このような構成にすることによ
り、上記本発明のサイジング処理方法の実施を可能とし
ている。
【0014】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態の1例を挙
げ、図に基づいて説明する。図1は本発明のOPCパタ
ーン付き図形データのサイジング処理装置の実施の形態
の1例の概略機能構成図で、図2は本発明のOPCパタ
ーン付き図形データのサイジング処理装置の実施の形態
の1例の処理のフロー概略図で、図3はEB描画装置用
の図形テータとポリゴンデータを説明するための図で、
図4はOPC部位置と、OPC図形の形成等を説明する
ための図で、図5、図6はサイジング処理を説明するた
めの図で、図7は合成後のポリゴンデータとこれを分割
したEB描画装置用の図形データを説明するための図で
ある。尚、図2中、S10〜S64は各処理ステップを
示している。図1〜図7中、100はサイジング処理装
置、110はポリゴン化処理部、120はOPC部位置
抽出処理部、130は図形(パターン)データ生成処理
部、140はサイジング処理部、150は合成処理部、
160はEB描画装置用の図形データ生成処理部、31
0はEB描画装置用の図形データ、311は図形(パタ
ーン)、312はOPC部、320はポリゴンデータ
、322はOPC部、330はポリゴンデータ、3
35はOPC図形、340はポリゴンデータ、34
5はOPC図形、510は細らせ用OPC図形、51
1細らせ部、520は太らせ用OPC図形、521は太
らせ部である。
【0015】先ず、本発明のOPCパターン付き図形デ
ータのサイジング処理装置の実施の形態の1例を図1に
基づいて、簡単に説明しておく。本例は、高精細のマス
クパターン作製用のレチクルのパターン描画を、EB描
画装置にて行うためのEB描画用の図形データで、レチ
クルを用いてマスクパターンに絵柄を縮小投影する際
の、回折の影響を考慮したOPC図形(パターン)を設
けた図形データをサイジング処理するためのサイジング
処理装置である。即ち、OPC図形(パターン)を設け
たEB描画装置用の図形データに対し、縮小サイズ化な
いし拡大化のサイジング処理を行うための装置である。
尚、サイジング処理されたEB描画装置用の図形データ
を含み、EB描画装置用の図形データは、更に、EB描
画装置の描画動作のハードを直接制御するデータに変換
されて、描画に寄与される。簡単には、EB描画装置用
の図形データ(単にEB描画データとも言う)をアウト
ライン表示して、第1のポリゴンデータを得るポリゴン
化処理を行う、ポリゴン化処理部110と、EB描画デ
ータの図形データにおけるOPC部位置を、第1のポリ
ゴンデータ上で抽出するOPC位置抽出処理を行う、O
PC部位置抽出処理部120と、OPC部位置抽出処理
により抽出された位置に、凸部用、あるいは凹部用のO
PC図形(パターン)を新たに生成し、且つ、第1のポ
リゴンデータからOPC図形(パターン)を除いた状態
の第2のポリゴンデータを生成する図形(パターン)デ
ータ生成処理を行う、図形(パターン)データ生成処理
部130と、OPC図形(パターン)生成処理により生
成したOPC図形(パターン)に対して第1のサイジン
グ値で、第2のポリゴンデータに対して第2のサイジン
グ値で、サイジング処理を行う、サイジング処理部14
0と、サイジング処理が行われた各図形データを合成し
て、第1のポリゴンデータから、所定のサイズだけ縮小
化ないし拡大化されたポリゴンデータを得る合成処理を
行う、合成処理部150と、合成処理により得られたポ
リゴンデータから、更に、EB描画装置用の図形データ
を生成するEB描画装置用の図形データ生成処理部16
0とを、備えている。尚、各部の機能の説明について
は、後述する本発明のOPCパターン付き図形データの
サイジング処理方法の実施の形態の1例の説明でこれに
代え、ここでは省略する。
【0016】先ず、本発明のOPCパターン付き図形デ
ータのサイジング処理方法の実施の形態の1例を図2に
基づいて、簡単に説明しておく。本例は、高精細のマス
クパターン作製用のレチクルのパターン描画を、EB描
画装置にて行うためのEB描画用の図形データで、レチ
クルを用いてマスクパターンに絵柄を縮小投影する際
の、回折の影響を考慮したOPC部を設けた図形データ
のサイジング処理方法で、図1に示すサイジング処理装
置を用いてこれを実施する。以下、分かり易くするた
め、図3に示すような、OPC部を有するEB描画用の
図形データを処理する場合について説明するが、処理の
対象となる図形データは、これに限定されないことは言
うまでもない。先ず、図3(a)に示すように複数の図
形(パターン)311からなるEB描画装置用図形デー
タ310を用意しておく。(S10) 312はOPC部で、レチクルからマスタマスクへ縮小
投影する際の光近接効果補正用の図形(パターン)部で
ある。各図形311は、それぞれ矩形表示(座標X、Y
と幅Wと、高さHで表示)である。次いで、図3(a)
に示すEB描画装置用図形データ310をアウトライン
表示のポリゴンデータに変換するポリゴン化処理を行
う。(S20)
【0017】アウトライン表示は、例えば、次のように
して求めることがてきる。一般にEB描画装置用の図形
データは、台形表示で図形形状を記述しているが、図9
(a)に示すように、図形間に重なりがある場合があ
る。そこで、ベクトルの組で各台形の領域を表し(図9
(b))、ベクトルの向きにより示される領域の重なり
を調べることで、図形の重なりのチエックを行い、最外
部を構成するベクトルのみを残すことで図形間の重複除
去を行う。(図9(c)) このようにした後、ベクトルを、同一Y頂点を持つもの
をすべて取ってきてX軸方向に順にソートしてやると互
いに接続するもの同志がペアを組む順序となるので、こ
れでポリゴンを形成する為の各辺の接続関係を示すテー
ブルが得られるので、あとはそれをトレースしてポリゴ
ンとしてやれば良い。(図9(d))
【0018】図3(a)に示す図形データ310は図3
(b)に示すような、図形のアウトラインのみを示すポ
リゴンデータ320となる。ポリゴンデータ320
は、通常、表示する図形を一方向に進む、各コーナー部
の座標位置から次のコーナー部の座標位置までのベクト
ルLmv(m=1〜n、nは整数)の和(加算)の表示
として表される。例えば、図3(b)のA0部について
みると、図4(a)のように表現される。
【0019】次いで、EB描画データの図形データにお
けるOPC部位置を、ポリゴンデータ320上で抽出
するOPC部位置抽出処理を施す。(S30) ポリゴンデータ320に対して、下記の式(1)、
(2)、(3)、(4)を同時に満たす、Lm v、L
(m+1)v 、L(m+2)v 、L(m+3)v の組の
位置がOPC部位置と判断される。
【数式1】
【数式2】
【数式3】 但し、εは所定のパラメータで、第1のサイジング値を
用いることもある。
【数式4】 但し、ベクトルLm v = (Lmx 、Lmy )であ
る。また、数式1((1)の式)において、Lm v・L
(m+1)v 等はベクトルの内積を表す。さらに、数式
2((2)の式)および数式3((3)の式)における
Abs.L(m+2) vなどはベクトルの絶対値をとる
ことを表す。また、sign(x)は、以下の(5)の
ような函数である。
【数式5】
【0020】次いで、位置抽出処理により抽出された位
置に、元のEB描画装置用の図形データ310の形状に
応じて、凸コーナー部用、あるいは凹コーナー部用のO
PC図形(パターン)を、元のポリゴンデータ32
0とは別に新たに生成し(S45)、且つ、元のポリゴ
ンデータ320から、OPC図形(パターン)部32
2を除いた状態のポリゴンデータ330を生成する
(S41)、OPC図形(パターン)生成処理を行う。
(S40) 尚、OPC図形(パターン)部322を除いた状態のポ
リゴンデータとは、ここでは、OPC(光近接効果補
正)を考慮していない状態の図形データのことを言う。
通常、目的とするマスタマスクの絵柄と同形状の図形デ
ータである。位置抽出処理により抽出された各位置に、
元の図形データ310の形状に対応し、凸コーナー部
用、凹コーナー部用のどちらのOPC図形(パターン)
とするかは、上記のσの値の正/負で判断できる。即
ち、ベクトルL(m−1)v からL(m+4)v まで
を、右回りで進むか、左回りで進むかにより、コーナー
の凹凸が確認できる。また、元のポリゴンデータ32
0から、OPC図形(パターン)部322を除いた状態
のポリゴンデータ330の生成は、図4(b)に示す
ように、ベクトルL(m−1)v およびL(m+4)v
を延長した交点Pまで、ベクトルL(m−1)v および
L(m+4)v を延長した、ベクトルL(m−1)v
およびL(m+4)v ’を用い、元のポリゴンデータ
におけるベクトルL(m−1)vから(m+4)v まで
を、ベクトルL(m−1)v ’とL(m+4)v ’に置
き換えることによりできる。
【0021】次いで、得られたポリゴンデータ33
0、OPC図形(パターン)について、それぞれ、図
形を縮小、あるいは拡大するためのサイジング処理を施
す。(S50) OPC図形(パターン)は、一般にポリゴンデータ
330に比べ小サイズで、ポリゴンデータ330の希
望のサイジング値(ここでは第2のサイジング値と言
う)では、消失する箇所がでることがあるため、OPC
図形(パターン)を所定の第1のサイジング値でサイ
ジング処理して(S55)、縮小ないし拡大されたOP
C図形345(S56)を得る一方、ポリゴンデータ
330を第2のサイジング値でサイジング処理し(S
51)、ポリゴンデータ340(S52)を得る。凸
コーナー部用のOPC図形のサイジング値と、凹コーナ
ー部用のOPC図形のサイジング値とは符号が互いに逆
となる。図5(a)に示す形状のポリゴンデータ33
0と、図5(b)に示す、各OPC図形は、それぞれ、
所定のサイジング値Wa、Wbで縮小される場合、それ
ぞれ図6(a)、図6(b)のようになる。尚、図5
(b)、図6(b)の点線は、それぞれ、ポリゴンデー
タ、ポリゴンデータのアウトライン位置を示してい
る。尚、縮小サイジング処理についてのみ図示したが、
拡大サイジング処理も行える。
【0022】次いで、得られたポリゴンデータ340
とOPC図形345(S56)とから、EB描画装置
用の図形データを新たに生成する。(S60) まず、得られたポリゴンデータ340とOPC図形
345(S56)とから、新たにポリゴンデータを合
成する。(S61) 合成は、以下の(6)式のように行う。
【数式6】 合成後のポリゴンデータ(ポリゴンデータ)は図7
(a)に示すようになる。尚、図7(a)中、点線は、
縮小前のポリゴンデータのアウトラインを示してい
る。
【0023】次いで、ポリゴンデータからEB描画装
置用の図形データを得る、EB描画装置用の図形データ
生成処理を行う。(S60) ポリゴンデータからサイジング処理して得られたポリ
ゴンデータ(S62)に対して、所定のアルゴリズム
に従い、例えば、図7(b)に示すように、矩形等に分
割して(S63)、EB描画装置用の図形データを得
る。(S64) 尚、図7(b)中、点線は、縮小前のポリゴンデータ
のアウトラインを示している。
【0024】このようにして、サイジング処理して得ら
れたポリゴンデータを得たが、特に本例の方法に限定
はされない。勿論、対象となる図形データについても、
図3(a)に示すようなデータに限定はされない。ま
た、本例は、ベクター型、ラスター型いずれのEB描画
装置にも適用できる。
【0025】
【発明の効果】本発明は、上記のように、OPC部を設
けたEB描画装置用の図形データに、サイジング処理を
施す際に、OPC部が消失しない処理方法の提供を可能
とした。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のOPCパターン付き図形データのサイ
ジング処理装置の実施の形態の1例の概略機能構成図
【図2】本発明のOPCパターン付き図形データのサイ
ジング処理方法の実施の形態の1例の処理のフロー概略
【図3】EB描画装置用の図形テータとポリゴンデータ
を説明するための図
【図4】OPC部位置と、OPC図形の形成等を説明す
るための図
【図5】サイジング処理前のポリゴンデータとOPC
図形を示した図
【図6】サイジング処理後のポリゴンデータとOPC
図形を示した図
【図7】図7(a)は合成後のポリゴンデータを示した
図で、図7(b)はサイジング処理後のEB描画装置用
の図形データを示した図である。
【図8】OPC(光近接効果補正)と、OPC部を設け
たEB描画装置用の図形データを説明するための図
【図9】ポリゴンデータ化処理を説明するための図
【符号の説明】
100 サイジング処理装置 110 ポリゴン化処理部 120 OPC部位置抽出処理部 130 図形(パターン)データ生成処理
部 140 サイジング処理部 150 合成処理部 160 EB描画装置用の図形データ生成
処理部 310 EB描画用の図形データ 311 図形(パターン) 312 OPC部 320 ポリゴンデータ 322 OPC部 330 ポリゴンデータ 335 OPC図形 340 ポリゴンデータ 345 OPC図形 510 細らせ用OPC図形 511 細らせ部 520 太らせ用OPC図形 521 太らせ部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石田 洋平 東京都新宿区市谷加賀町一丁目1番1号 大日本印刷株式会社内 Fターム(参考) 2H095 BA02 BB01 BB10 5B046 AA08 BA04 FA02 FA06 5F056 AA01 FA08

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 OPC部を設けたEB描画装置用の図形
    データに対し、縮小サイズ化ないし拡大化を行うための
    サイジング処理方法であって、順に、(a)EB描画装
    置用の図形データをアウトライン表示して、第1のポリ
    ゴンデータを得るポリゴン化処理工程と、(b)EB描
    画データの図形データにおけるOPC部位置を、第1の
    ポリゴンデータ上で抽出するOPC部位置抽出処理を工
    程と、(c)OPC部位置抽出処理により抽出された位
    置に、凸コーナー部用、あるいは凹コーナー部用のOP
    C図形(パターン)を新たに生成し、且つ、第1のポリ
    ゴンデータからOPC図形(パターン)を除いた状態の
    第2のポリゴンデータを生成する図形(パターン)デー
    タ生成処理工程と、(d)OPC図形(パターン)生成
    処理により生成したOPC図形(パターン)に対して第
    1のサイジング値で、第2のポリゴンデータに対して第
    2のサイジング値で、それぞれ縮小化ないし拡大化を行
    う、サイジング処理工程と、(e)サイジング処理が行
    われた各図形データを合成して、第1のポリゴンデータ
    から、所定のサイズだけ縮小化ないし拡大化されたポリ
    ゴンデータを得る合成処理工程と、(f)合成処理によ
    り得られたポリゴンデータから、更に、EB描画装置用
    の図形データを生成するEB描画装置用の図形データ生
    成処理工程とを、行うことを特徴とするOPCパターン
    付き図形データのサイジング処理方法。
  2. 【請求項2】 OPC部を設けたEB描画装置用の図形
    データに対し、縮小サイズ化ないし拡大化を行うための
    サイジング処理装置であって、EB描画装置用の図形デ
    ータをアウトライン表示して、第1のポリゴンデータを
    得るポリゴン化処理を行う、ポリゴン化処理部と、EB
    描画データの図形データにおけるOPC部位置を、第1
    のポリゴンデータ上で抽出するOPC部位置抽出処理を
    行う、OPC部位置抽出処理部と、OPC部位置抽出処
    理により抽出された位置に、凸部用、あるいは凹部用の
    OPC図形(パターン)を新たに生成し、且つ、第1の
    ポリゴンデータからOPC図形(パターン)を除いた状
    態の第2のポリゴンデータを生成する図形(パターン)
    データ生成処理を行う、図形(パターン)データ生成処
    理部と、OPC図形(パターン)生成処理により生成し
    たOPC図形(パターン)に対して第1のサイジング値
    で、第2のポリゴンデータに対して第2のサイジング値
    で、サイジング処理を行う、サイジング処理部と、サイ
    ジング処理が行われた各図形データを合成して、第1の
    ポリゴンデータから、所定のサイズだけ縮小化ないし拡
    大化されたポリゴンデータを得る合成処理を行う、合成
    処理部と、合成処理により得られたポリゴンデータか
    ら、更に、EB描画装置用の図形データを生成するEB
    描画装置用の図形データ生成処理部とを、備えているこ
    とを特徴とするOPCパターン付き図形データのサイジ
    ング処理装置。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002278041A (ja) * 2001-03-21 2002-09-27 Dainippon Printing Co Ltd フォトマスクデータのopc補正処理の検証方法
JP2003043664A (ja) * 2001-08-02 2003-02-13 Fujitsu Ltd 光近接補正された露光パターンを利用する露光方法,光近接補正された露光データの生成装置,及び光近接補正された露光データの露光装置
JP2005129958A (ja) * 2003-10-27 2005-05-19 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 1つまたは複数のカット・ライン上の複数の点の同時計算
US7353493B2 (en) 2003-05-15 2008-04-01 Seiko Epson Corporation Exposure mask, optical proximity correction device, optical proximity correction method, manufacturing method of semiconductor device, and optical proximity correction program
CN111324002A (zh) * 2018-12-13 2020-06-23 三星电子株式会社 制造半导体器件的方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002278041A (ja) * 2001-03-21 2002-09-27 Dainippon Printing Co Ltd フォトマスクデータのopc補正処理の検証方法
JP4562934B2 (ja) * 2001-03-21 2010-10-13 大日本印刷株式会社 フォトマスクデータのopc補正処理の検証方法
JP2003043664A (ja) * 2001-08-02 2003-02-13 Fujitsu Ltd 光近接補正された露光パターンを利用する露光方法,光近接補正された露光データの生成装置,及び光近接補正された露光データの露光装置
JP4615156B2 (ja) * 2001-08-02 2011-01-19 富士通セミコンダクター株式会社 光近接補正された露光パターンを利用する露光方法,光近接補正された露光データの生成装置,及び光近接補正された露光データの露光装置
US7353493B2 (en) 2003-05-15 2008-04-01 Seiko Epson Corporation Exposure mask, optical proximity correction device, optical proximity correction method, manufacturing method of semiconductor device, and optical proximity correction program
JP2005129958A (ja) * 2003-10-27 2005-05-19 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 1つまたは複数のカット・ライン上の複数の点の同時計算
CN111324002A (zh) * 2018-12-13 2020-06-23 三星电子株式会社 制造半导体器件的方法
CN111324002B (zh) * 2018-12-13 2024-06-07 三星电子株式会社 制造半导体器件的方法

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