JP2002278041A - フォトマスクデータのｏｐｃ補正処理の検証方法 - Google Patents
フォトマスクデータのｏｐｃ補正処理の検証方法Info
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- JP2002278041A JP2002278041A JP2001080446A JP2001080446A JP2002278041A JP 2002278041 A JP2002278041 A JP 2002278041A JP 2001080446 A JP2001080446 A JP 2001080446A JP 2001080446 A JP2001080446 A JP 2001080446A JP 2002278041 A JP2002278041 A JP 2002278041A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 検証に多くの時間を必要としない、ＯＰＣ補
正処理の検証方法を提供する。 【解決手段】 メインツールにて、元の設計データに対
し、ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃ
ｏｒｒｅｃｔ）補正処理を含む所定の複数の図形処理を
行なう場合に、ＯＰＣ補正処理が正しく行われたか否か
を検証する、フォトマスクデータのＯＰＣ補正処理の検
証方法であって、一方をメインツール、他方をサブツー
ルとする２つのツールにて、両ツールによるＯＰＣ処理
の差異に起因する図形データである残余図形データのみ
を抽出し、更に、残余図形データに対し、ＤＲＣ処理、
および、小さい値から所定値でアンダーサイズ処理、オ
ーバーサイズ処理の１組みとしてを段階的に施す図形サ
イズ確認処理を行なうものである。
正処理の検証方法を提供する。 【解決手段】 メインツールにて、元の設計データに対
し、ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃ
ｏｒｒｅｃｔ）補正処理を含む所定の複数の図形処理を
行なう場合に、ＯＰＣ補正処理が正しく行われたか否か
を検証する、フォトマスクデータのＯＰＣ補正処理の検
証方法であって、一方をメインツール、他方をサブツー
ルとする２つのツールにて、両ツールによるＯＰＣ処理
の差異に起因する図形データである残余図形データのみ
を抽出し、更に、残余図形データに対し、ＤＲＣ処理、
および、小さい値から所定値でアンダーサイズ処理、オ
ーバーサイズ処理の１組みとしてを段階的に施す図形サ
イズ確認処理を行なうものである。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、メインツールに
て、元の図形データに対し、ＯＰＣ補正処理が正しく行
われたか否かを検証する、フォトマスクデータのＯＰＣ
補正処理検証方法に関する。
て、元の図形データに対し、ＯＰＣ補正処理が正しく行
われたか否かを検証する、フォトマスクデータのＯＰＣ
補正処理検証方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の高機能化と軽薄短小の
傾向から、ＡＳＩＣに代表される種々のＬＳｌには、ま
すます高集積化、高機能化が求められるようになってき
た。即ち、できるだけチップサイズを小さくして、高機
能を実現することがＡＳＩＣ等のＬＳＩには求められて
いる。上記ＡＳＩＣ等のＬＳＩは、機能、論理設計、回
路設計、レイアウト設計等を経て、フォトマスクパタン
作製用の図形データ（図形パタンデータあるいはパタン
データとも言う）を作製し、これを用いてフォトマスク
を作製した後、フォトマスクのパタンをウエハ上に縮小
投影露光等により転写して、半導体素子作製のプロセス
を行うという数々の工程を経て作製されるものである。
フォトマスクは、一般には、上記図形データを用い、電
子ビーム露光装置あるいはエキシマ波長等のフォト露光
装置を用いて、フォトマスク用基板（フォトマスクブラ
ンクスとも言う）の遮光膜上に配設された感光性レジス
トに露光描画を行い、現像、エッチング工程等を経て、
作製される。即ち、ガラス基板の一面に遮光性の金属薄
膜を設けたフォトマスク用基板の金属薄膜上に塗布、乾
燥された感光性のレジスト上に、露光装置により電離放
射線を所定の領域のみに照射して潜像を形成し、感光性
のレジストを現像して、電離放射線の照射領域に対応し
た、所望の形状のレジストパターン得た後、更に、レジ
ストパターンを耐エッチングレジストとして、金属薄膜
をレジストパターン形状に加工して、所望の金属薄膜パ
ターンを有するフォトマスクを得る。尚、フォトマスク
のパタンをウエハ上に縮小投影露光して、その絵柄を転
写する場合は、フォトマスクをレチクルマスクとも言
う。また、フォトマスクを単にマスクとも言う。また、
フォトマスクのパタンを形成するための図形データは、
種々の図形情報から構成され、Ｘ−Ｙ座標表現されてい
る。
傾向から、ＡＳＩＣに代表される種々のＬＳｌには、ま
すます高集積化、高機能化が求められるようになってき
た。即ち、できるだけチップサイズを小さくして、高機
能を実現することがＡＳＩＣ等のＬＳＩには求められて
いる。上記ＡＳＩＣ等のＬＳＩは、機能、論理設計、回
路設計、レイアウト設計等を経て、フォトマスクパタン
作製用の図形データ（図形パタンデータあるいはパタン
データとも言う）を作製し、これを用いてフォトマスク
を作製した後、フォトマスクのパタンをウエハ上に縮小
投影露光等により転写して、半導体素子作製のプロセス
を行うという数々の工程を経て作製されるものである。
フォトマスクは、一般には、上記図形データを用い、電
子ビーム露光装置あるいはエキシマ波長等のフォト露光
装置を用いて、フォトマスク用基板（フォトマスクブラ
ンクスとも言う）の遮光膜上に配設された感光性レジス
トに露光描画を行い、現像、エッチング工程等を経て、
作製される。即ち、ガラス基板の一面に遮光性の金属薄
膜を設けたフォトマスク用基板の金属薄膜上に塗布、乾
燥された感光性のレジスト上に、露光装置により電離放
射線を所定の領域のみに照射して潜像を形成し、感光性
のレジストを現像して、電離放射線の照射領域に対応し
た、所望の形状のレジストパターン得た後、更に、レジ
ストパターンを耐エッチングレジストとして、金属薄膜
をレジストパターン形状に加工して、所望の金属薄膜パ
ターンを有するフォトマスクを得る。尚、フォトマスク
のパタンをウエハ上に縮小投影露光して、その絵柄を転
写する場合は、フォトマスクをレチクルマスクとも言
う。また、フォトマスクを単にマスクとも言う。また、
フォトマスクのパタンを形成するための図形データは、
種々の図形情報から構成され、Ｘ−Ｙ座標表現されてい
る。
【０００３】フォトマスクのパタンをウエハ上に縮小投
影露光等により転写する際、光近接効果と呼ばれる露光
形状の歪みが発生する。これは、露光形状のサイズ（ウ
エハ上の露光サイズ）が、露光光の波長に近づく、ある
いは光の波長よりも小さくなったときに、光の回折現象
により、フォトマスクのパタンの形状を忠実に露光する
ことができなく、ウエハ上に露光される露光形状に歪み
が発生するものである。フォトマスクのパタン（光を透
過させる部分の形状）が図４（ａ）（イ）に示すような
形状をしている場合には、ウエハ上に形成されるパタン
形状は図４（ａ）（ロ）のようになる。このため、図４
（ａ）（イ）に示すような形状をウエハ上に形成される
パタン形状として得たい場合には、フォトマスクのパタ
ン（光を透過させる部分の形状）を図４（ｂ）（イ）の
ように補正して、ウエハ上に形成されるパタン形状を図
８（ｂ）（ロ）のようにする。このような光の回折の影
響を考慮した補正を、光近接効果補正あるいはＯＰＣ
（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃ
ｔ）補正と言うが、ＬＳＩの微細化により、最近では、
このウエハ露光時の歪みを補正する処理が行われ、設計
パタン図形に、補助的なパタンを挿入して、露光原版で
あるフォトマスクを作製している。しかし、元の設計デ
ータに対しＯＰＣ補正処理が正しく行われたか否かを検
証する必要があり、この方法が求められていた。
影露光等により転写する際、光近接効果と呼ばれる露光
形状の歪みが発生する。これは、露光形状のサイズ（ウ
エハ上の露光サイズ）が、露光光の波長に近づく、ある
いは光の波長よりも小さくなったときに、光の回折現象
により、フォトマスクのパタンの形状を忠実に露光する
ことができなく、ウエハ上に露光される露光形状に歪み
が発生するものである。フォトマスクのパタン（光を透
過させる部分の形状）が図４（ａ）（イ）に示すような
形状をしている場合には、ウエハ上に形成されるパタン
形状は図４（ａ）（ロ）のようになる。このため、図４
（ａ）（イ）に示すような形状をウエハ上に形成される
パタン形状として得たい場合には、フォトマスクのパタ
ン（光を透過させる部分の形状）を図４（ｂ）（イ）の
ように補正して、ウエハ上に形成されるパタン形状を図
８（ｂ）（ロ）のようにする。このような光の回折の影
響を考慮した補正を、光近接効果補正あるいはＯＰＣ
（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃ
ｔ）補正と言うが、ＬＳＩの微細化により、最近では、
このウエハ露光時の歪みを補正する処理が行われ、設計
パタン図形に、補助的なパタンを挿入して、露光原版で
あるフォトマスクを作製している。しかし、元の設計デ
ータに対しＯＰＣ補正処理が正しく行われたか否かを検
証する必要があり、この方法が求められていた。
【０００４】ＯＰＣ補正の検証方法としては、例えば、
一方をメインツール、他方をサブツールとする２つのツ
ールで同様の処理をさせ、その結果を比較し、両ツール
により得られた図形データの差である、図形データの図
形のみに対しその良否を確認する、検証方法があるが、
この方法においては、それぞれのツールにおいて図形距
離の認識が異なる場合、工程補正であるサイジングが、
多くの違いを生じる原因の１つとなっている。尚、ツー
ルとは、図形データに対し、サイジング処理、ＯＰＣ補
正処理等の図形処理を行なう処理装置のことである。
一方をメインツール、他方をサブツールとする２つのツ
ールで同様の処理をさせ、その結果を比較し、両ツール
により得られた図形データの差である、図形データの図
形のみに対しその良否を確認する、検証方法があるが、
この方法においては、それぞれのツールにおいて図形距
離の認識が異なる場合、工程補正であるサイジングが、
多くの違いを生じる原因の１つとなっている。尚、ツー
ルとは、図形データに対し、サイジング処理、ＯＰＣ補
正処理等の図形処理を行なう処理装置のことである。
【０００５】例えば、あるツール（第１のツールと呼
ぶ）では図２（ａ）のように、図形２１１と２１２の距
離をａとして認識するが、別のツール（第２のツールと
呼ぶ）では、図２（ｂ）のように、図形２１３と図形２
１４の距離をａとして認識する場合がある。図２におけ
る太線矢印の長さをａとしている。第１のツールでは、
斜線までの距離ａは直線距離距離で認識するが、第２の
ツールは、斜線までの距離ａは、ｘ方向、ｙ方向のそれ
ぞれａの距離がある場合をａと認識するようになってい
るので、第１のツールでは、図２（ｂ）に示す図形２１
３と図形２１４の距離はａのルート２倍となる。そし
て、サイジング処理においてもこの違いが影響して、両
ツールのサイジング処理においても差がでてくるのが一
般的である。ｂだけ縮小サイジングする場合、第１のツ
ールでは、図３（ａ）に示すように、斜線部も内側にｂ
だけ縮小されるのに対し、第２のツールでは、図３
（ｂ）に示すように、斜線部は、ｂのルート２倍縮小さ
れる。図３における太線矢印の長さをｂとしている。そ
して、ＯＰＣ処理において、図形間の距離がａより大の
場合コーナー部にセリフ（Ｓｅｒｉｆ）を発生させるも
のとすると、図２（ｂ）のような図形配置の場合、第１
のツールはセリフ（Ｓｅｒｉｆ）を発生させるが、第２
のツールは、セリフ（Ｓｅｒｉｆ）を発生させない。こ
のように、工程補正であるサイジングを伴うＯＰＣ補正
においては、２つのツールのＯＰＣ補正結果と前記サイ
ジング時の差が混在することとなり、比較により抽出さ
れる図形データの数が大量になり、ＯＰＣ処理が正しく
行われたかを判断することが困難である。このため、こ
の方法では、検証に多くの時間を必要とし、あるいは、
検証ができなく、問題となっていた。
ぶ）では図２（ａ）のように、図形２１１と２１２の距
離をａとして認識するが、別のツール（第２のツールと
呼ぶ）では、図２（ｂ）のように、図形２１３と図形２
１４の距離をａとして認識する場合がある。図２におけ
る太線矢印の長さをａとしている。第１のツールでは、
斜線までの距離ａは直線距離距離で認識するが、第２の
ツールは、斜線までの距離ａは、ｘ方向、ｙ方向のそれ
ぞれａの距離がある場合をａと認識するようになってい
るので、第１のツールでは、図２（ｂ）に示す図形２１
３と図形２１４の距離はａのルート２倍となる。そし
て、サイジング処理においてもこの違いが影響して、両
ツールのサイジング処理においても差がでてくるのが一
般的である。ｂだけ縮小サイジングする場合、第１のツ
ールでは、図３（ａ）に示すように、斜線部も内側にｂ
だけ縮小されるのに対し、第２のツールでは、図３
（ｂ）に示すように、斜線部は、ｂのルート２倍縮小さ
れる。図３における太線矢印の長さをｂとしている。そ
して、ＯＰＣ処理において、図形間の距離がａより大の
場合コーナー部にセリフ（Ｓｅｒｉｆ）を発生させるも
のとすると、図２（ｂ）のような図形配置の場合、第１
のツールはセリフ（Ｓｅｒｉｆ）を発生させるが、第２
のツールは、セリフ（Ｓｅｒｉｆ）を発生させない。こ
のように、工程補正であるサイジングを伴うＯＰＣ補正
においては、２つのツールのＯＰＣ補正結果と前記サイ
ジング時の差が混在することとなり、比較により抽出さ
れる図形データの数が大量になり、ＯＰＣ処理が正しく
行われたかを判断することが困難である。このため、こ
の方法では、検証に多くの時間を必要とし、あるいは、
検証ができなく、問題となっていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、メイン
ツールにて、元の設計データに対し、ＯＰＣ補正処理が
正しく行われたか否かを検証する、フォトマスクデータ
の補正処理検証方法においては、検証に多くの時間を必
要としない検証方法が求められていた。本発明は、これ
に対応するもので、検証に多くの時間を必要としない、
ＯＰＣ補正処理の検証方法を提供しようとするものであ
る。
ツールにて、元の設計データに対し、ＯＰＣ補正処理が
正しく行われたか否かを検証する、フォトマスクデータ
の補正処理検証方法においては、検証に多くの時間を必
要としない検証方法が求められていた。本発明は、これ
に対応するもので、検証に多くの時間を必要としない、
ＯＰＣ補正処理の検証方法を提供しようとするものであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のフォトマスクデ
ータのＯＰＣ補正処理の検証方法は、メインツールに
て、元の図形データに対し、ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ
Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃｔ）補正処理を含む
所定の複数の図形処理を行なう場合に、ＯＰＣ補正処理
が正しく行われたか否かを検証する、フォトマスクデー
タのＯＰＣ補正処理の検証方法であって、（ａ）一方を
メインツール、他方をサブツールとする２つのツールに
て、それぞれ、元の図形データに対し、前記ＯＰＣ処理
を含む所定の複数の図形処理を行ない、得られた図形デ
ータ同士を比較し、その差を第１の図形データとして抽
出する第１の比較処理と、（ｂ）前記メインツール、サ
ブツールにて、それぞれ、元の図形データに対し、前記
ＯＰＣ補正処理を含む所定の複数の図形処理のうちＯＰ
Ｃ処理以外の全ての図形処理を行ない、得られた図形デ
ータ同士を比較し、その差を第２の図形データとして抽
出する第２の比較処理と、（ｃ）第１の比較処理により
得られた第１の図形データと、第２の比較処理により得
られた第２の図形データとを比較し、その差を第３の図
形データとして抽出する第３の比較処理と、（ｄ）第３
の比較処理により得られた第３の図形データに対し、順
に所定値でアンダーサイズ処理、オーバーサイズ処理を
施し、第３の図形データからグリッドずれに起因する微
小エラーを消去した残余図形を得るフィルター処理とを
行った後、更に、（ｅ）得られた残余図形データに対
し、補正形状に合せ、小さい値から段階的に所定値で、
順にアンダーサイズ処理、オーバーサイズ処理を施し、
図形がすべて無くなれば、残余図形データ全ての箇所に
おけるメインツールの補正図形はサイズ的にＯＫと判断
し、更に図形が残れば、この図形データについては再度
検討するとする、図形サイズ確認処理と、（ｆ）得られ
た残余図形データに対し、元の図形データとの距離を、
ＤＲＣ（Ｄｅｓｉｇｎ Ｒｕｌｅ Ｃｈｅｃｋ）処理に
て確認し、全ての残余図形データが、許容値以下であれ
ば、残余図形データ全ての箇所におけるメインツールの
補正図形は、位置的にＯＫと判断し、許容値より大であ
る図形があれば、この図形データについては再度検討す
るとするもので、且つ、前記図形サイズ確認処理とＤＲ
Ｃ処理がともにＯＫである場合にのみ、メインツールで
のＯＰＣ補正処理は正常であるとする、ことを特徴とす
るものである。そして、上記において、所定の複数の図
形処理は、サイジング処理とＯＰＣ補正処理とであるこ
とを特徴とするものである。そしてまた、上記におい
て、メインツールとサブツールとでは、図形間の距離の
認識が異なることを特徴とするものである。
ータのＯＰＣ補正処理の検証方法は、メインツールに
て、元の図形データに対し、ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ
Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃｔ）補正処理を含む
所定の複数の図形処理を行なう場合に、ＯＰＣ補正処理
が正しく行われたか否かを検証する、フォトマスクデー
タのＯＰＣ補正処理の検証方法であって、（ａ）一方を
メインツール、他方をサブツールとする２つのツールに
て、それぞれ、元の図形データに対し、前記ＯＰＣ処理
を含む所定の複数の図形処理を行ない、得られた図形デ
ータ同士を比較し、その差を第１の図形データとして抽
出する第１の比較処理と、（ｂ）前記メインツール、サ
ブツールにて、それぞれ、元の図形データに対し、前記
ＯＰＣ補正処理を含む所定の複数の図形処理のうちＯＰ
Ｃ処理以外の全ての図形処理を行ない、得られた図形デ
ータ同士を比較し、その差を第２の図形データとして抽
出する第２の比較処理と、（ｃ）第１の比較処理により
得られた第１の図形データと、第２の比較処理により得
られた第２の図形データとを比較し、その差を第３の図
形データとして抽出する第３の比較処理と、（ｄ）第３
の比較処理により得られた第３の図形データに対し、順
に所定値でアンダーサイズ処理、オーバーサイズ処理を
施し、第３の図形データからグリッドずれに起因する微
小エラーを消去した残余図形を得るフィルター処理とを
行った後、更に、（ｅ）得られた残余図形データに対
し、補正形状に合せ、小さい値から段階的に所定値で、
順にアンダーサイズ処理、オーバーサイズ処理を施し、
図形がすべて無くなれば、残余図形データ全ての箇所に
おけるメインツールの補正図形はサイズ的にＯＫと判断
し、更に図形が残れば、この図形データについては再度
検討するとする、図形サイズ確認処理と、（ｆ）得られ
た残余図形データに対し、元の図形データとの距離を、
ＤＲＣ（Ｄｅｓｉｇｎ Ｒｕｌｅ Ｃｈｅｃｋ）処理に
て確認し、全ての残余図形データが、許容値以下であれ
ば、残余図形データ全ての箇所におけるメインツールの
補正図形は、位置的にＯＫと判断し、許容値より大であ
る図形があれば、この図形データについては再度検討す
るとするもので、且つ、前記図形サイズ確認処理とＤＲ
Ｃ処理がともにＯＫである場合にのみ、メインツールで
のＯＰＣ補正処理は正常であるとする、ことを特徴とす
るものである。そして、上記において、所定の複数の図
形処理は、サイジング処理とＯＰＣ補正処理とであるこ
とを特徴とするものである。そしてまた、上記におい
て、メインツールとサブツールとでは、図形間の距離の
認識が異なることを特徴とするものである。
【０００８】
【作用】本発明のフォトマスクデータのＯＰＣ補正処理
の検証方法は、このような構成にすることにより、検証
に多くの時間を必要としない、ＯＰＣ補正処理の検証方
法の提供を可能とするものである。簡単には、第１の比
較処理と、第２の比較処理と、第３の比較処理と、フィ
ルター処理とを行うことにより、第３の図形データから
グリッドずれに起因して発生した微小図形を除いた残余
図形データを得ることができるものとしている。残余図
形データは、メインツールとサブツールの両ツールでの
ＯＰＣ補正処理の補正が異なる箇所の、両ツールでの発
生させるＯＰＣ図形データ同士の差にあたる図形データ
である。そして、得られた残余図形データに対して、更
に、図形サイズ確認処理、ＤＲＣ処理とを行ない、両処
理において、それぞれ、不具合があれば、その箇所の図
形データをディスプレイで目視等により確認し、両処理
においてともに不具合がなければ、メインツールでのＯ
ＰＣ補正処理は正常であるとする判断することにより、
ＯＰＣ補正処理の検証方法を多くの時間を必要としない
ものとしている。
の検証方法は、このような構成にすることにより、検証
に多くの時間を必要としない、ＯＰＣ補正処理の検証方
法の提供を可能とするものである。簡単には、第１の比
較処理と、第２の比較処理と、第３の比較処理と、フィ
ルター処理とを行うことにより、第３の図形データから
グリッドずれに起因して発生した微小図形を除いた残余
図形データを得ることができるものとしている。残余図
形データは、メインツールとサブツールの両ツールでの
ＯＰＣ補正処理の補正が異なる箇所の、両ツールでの発
生させるＯＰＣ図形データ同士の差にあたる図形データ
である。そして、得られた残余図形データに対して、更
に、図形サイズ確認処理、ＤＲＣ処理とを行ない、両処
理において、それぞれ、不具合があれば、その箇所の図
形データをディスプレイで目視等により確認し、両処理
においてともに不具合がなければ、メインツールでのＯ
ＰＣ補正処理は正常であるとする判断することにより、
ＯＰＣ補正処理の検証方法を多くの時間を必要としない
ものとしている。
【０００９】所定の複数の図形処理として、サイジング
処理とＯＰＣ補正処理の２つの処理を行なう場合が挙げ
られる。メインツールとサブツールとで、図形間の距離
の認識が異なるものにも、対応できる。
処理とＯＰＣ補正処理の２つの処理を行なう場合が挙げ
られる。メインツールとサブツールとで、図形間の距離
の認識が異なるものにも、対応できる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明のフォトマスクデータのＯ
ＰＣ補正処理の検証方法の実施の形態の１例を、図１に
基づいて説明する。図１は本発明のフォトマスクデータ
のＯＰＣ補正処理の検証方法の実施の形態の１例のフロ
ー図である。本例は、電子ビーム描画装置用のＧＤＳＩ
Ｉ（Ｃａｌｍａ社、Ｓｔｒｅａｍ−ｆｏｒｍａｔ）デー
タ等のフォトマスク作製用の元図形データに対し、メイ
ンの図形処理ツール（メインツールと以下言う）を用い
て、サイジング処理とＯＰＣ補正処理を施し、ＯＰＣ処
理が正常に行なわれているか否かを検証する１例であ
る。先ず、メインツールと、メインツールとは別のツー
ル（以下サブツールと言う）の２つのツールにて、それ
ぞれ、元図形データ（Ｓ１１）に対し、ＯＰＣ処理、サ
イジング処理を行ない（Ｓ１２，Ｓ１３）、得られた図
形データ同士を比較し、その差を抽出する第１の比較処
理を行ない（Ｓ１４）、第１の図形データを得る。（Ｓ
１５） 一方、前記メインツール、サブツールにて、それぞれ、
元図形データ（Ｓ１１）に対し、サイジング処理を行な
い（Ｓ１６、Ｓ１７）、得られた図形データ同士を比較
し、その差を抽出する第２の比較処理を行ない（Ｓ１
８）、第２の図形データを得る。（Ｓ１９） 次いで、第１の比較処理により得られた第１の図形デー
タと、第２の比較処理により得られた第２の図形データ
とを比較し、その差を抽出する第３の比較処理を行ない
（Ｓ２０）、第３の図形データを得る。（Ｓ２１） 次いで、第３の比較処理により得られた第３の図形デー
タに対し、順に所定値でアンダーサイズ処理、オーバー
サイズ処理を施し、第３の図形データから、グリッドず
れに起因する微小エラーを消去した、残余図形データと
して得る、フィルター処理を行う。（Ｓ２２） このようにして、メインツールとサブツールの両ツール
でＯＰＣ補正処理の補正が異なる箇所の、両ツールでの
発生させるＯＰＣ図形データ同士の差に相当する図形デ
ータのみを残余図形データとして得ることができる。
ＰＣ補正処理の検証方法の実施の形態の１例を、図１に
基づいて説明する。図１は本発明のフォトマスクデータ
のＯＰＣ補正処理の検証方法の実施の形態の１例のフロ
ー図である。本例は、電子ビーム描画装置用のＧＤＳＩ
Ｉ（Ｃａｌｍａ社、Ｓｔｒｅａｍ−ｆｏｒｍａｔ）デー
タ等のフォトマスク作製用の元図形データに対し、メイ
ンの図形処理ツール（メインツールと以下言う）を用い
て、サイジング処理とＯＰＣ補正処理を施し、ＯＰＣ処
理が正常に行なわれているか否かを検証する１例であ
る。先ず、メインツールと、メインツールとは別のツー
ル（以下サブツールと言う）の２つのツールにて、それ
ぞれ、元図形データ（Ｓ１１）に対し、ＯＰＣ処理、サ
イジング処理を行ない（Ｓ１２，Ｓ１３）、得られた図
形データ同士を比較し、その差を抽出する第１の比較処
理を行ない（Ｓ１４）、第１の図形データを得る。（Ｓ
１５） 一方、前記メインツール、サブツールにて、それぞれ、
元図形データ（Ｓ１１）に対し、サイジング処理を行な
い（Ｓ１６、Ｓ１７）、得られた図形データ同士を比較
し、その差を抽出する第２の比較処理を行ない（Ｓ１
８）、第２の図形データを得る。（Ｓ１９） 次いで、第１の比較処理により得られた第１の図形デー
タと、第２の比較処理により得られた第２の図形データ
とを比較し、その差を抽出する第３の比較処理を行ない
（Ｓ２０）、第３の図形データを得る。（Ｓ２１） 次いで、第３の比較処理により得られた第３の図形デー
タに対し、順に所定値でアンダーサイズ処理、オーバー
サイズ処理を施し、第３の図形データから、グリッドず
れに起因する微小エラーを消去した、残余図形データと
して得る、フィルター処理を行う。（Ｓ２２） このようにして、メインツールとサブツールの両ツール
でＯＰＣ補正処理の補正が異なる箇所の、両ツールでの
発生させるＯＰＣ図形データ同士の差に相当する図形デ
ータのみを残余図形データとして得ることができる。
【００１１】次いで、更に、得られた残余図形データに
対し、補正形状に合せ、小さい値から段階的に所定値
で、順にアンダーサイズ処理、オーバーサイズ処理を施
し（Ｓ２４）、図形がすべて無くなれば、残余図形デー
タ全ての箇所におけるメインツールの補正図形はサイズ
的にＯＫと判断し、更に図形が残れば、この図形データ
については再度検討する。（Ｓ２５，Ｓ２６） ここで、再度検討するとは、元図形データや、メインツ
ールにより、元図形データにサイジング処理、ＯＰＣ処
理を施し（Ｓ１２）、得られた図形データについて、残
余図形が残った箇所に対応する箇所を確認し、メインツ
ールにより、元図形データにサイジング処理、ＯＰＣ処
理を施し（Ｓ１２）、得られた図形データの対応する箇
所に、必要な場合はＯＰＣ補正図形を新たに付ける、あ
るいは、ＯＰＣ補正図形変更することである。これによ
り、得られた残余図形データに対し、図形のサイズ的な
面から確認が行われる。
対し、補正形状に合せ、小さい値から段階的に所定値
で、順にアンダーサイズ処理、オーバーサイズ処理を施
し（Ｓ２４）、図形がすべて無くなれば、残余図形デー
タ全ての箇所におけるメインツールの補正図形はサイズ
的にＯＫと判断し、更に図形が残れば、この図形データ
については再度検討する。（Ｓ２５，Ｓ２６） ここで、再度検討するとは、元図形データや、メインツ
ールにより、元図形データにサイジング処理、ＯＰＣ処
理を施し（Ｓ１２）、得られた図形データについて、残
余図形が残った箇所に対応する箇所を確認し、メインツ
ールにより、元図形データにサイジング処理、ＯＰＣ処
理を施し（Ｓ１２）、得られた図形データの対応する箇
所に、必要な場合はＯＰＣ補正図形を新たに付ける、あ
るいは、ＯＰＣ補正図形変更することである。これによ
り、得られた残余図形データに対し、図形のサイズ的な
面から確認が行われる。
【００１２】一方、得られた残余図形データに対し、Ｄ
ＲＣ処理を行ない（Ｓ２７）、元図形データ（Ｓ１１）
との距離を、メインツール上で求め、許容値以下であれ
ば、残余図形データ全ての箇所におけるメインツールの
補正図形は、位置的にＯＫと判断し、許容値より大であ
る図形があれば、この図形データについては再度検討す
る。（Ｓ２８、Ｓ２９）） ここで、再度検討するとは、元図形データや、メインツ
ールにより、元図形データにサイジング処理、ＯＰＣ処
理を施し（Ｓ１２）、得られた図形データについて、残
余図形データのＤＲＣ処理において正常でないと判断さ
れた箇所に相当する箇所を確認し、メインツールによ
り、元図形データにサイジング処理、ＯＰＣ処理を施し
（Ｓ１２）、得られた図形データの対応する箇所に、必
要な場合はＯＰＣ補正図形を新たに付ける、あるいは、
ＯＰＣ補正図形変更することである。これにより、得ら
れた残余図形データに対し、元図形データ（Ｓ１１）の
図形からの距離という面から確認が行われる。
ＲＣ処理を行ない（Ｓ２７）、元図形データ（Ｓ１１）
との距離を、メインツール上で求め、許容値以下であれ
ば、残余図形データ全ての箇所におけるメインツールの
補正図形は、位置的にＯＫと判断し、許容値より大であ
る図形があれば、この図形データについては再度検討す
る。（Ｓ２８、Ｓ２９）） ここで、再度検討するとは、元図形データや、メインツ
ールにより、元図形データにサイジング処理、ＯＰＣ処
理を施し（Ｓ１２）、得られた図形データについて、残
余図形データのＤＲＣ処理において正常でないと判断さ
れた箇所に相当する箇所を確認し、メインツールによ
り、元図形データにサイジング処理、ＯＰＣ処理を施し
（Ｓ１２）、得られた図形データの対応する箇所に、必
要な場合はＯＰＣ補正図形を新たに付ける、あるいは、
ＯＰＣ補正図形変更することである。これにより、得ら
れた残余図形データに対し、元図形データ（Ｓ１１）の
図形からの距離という面から確認が行われる。
【００１３】そして、残余図形データの図形のサイズ的
な良否確認とＤＲＣ処理による結果がともにＯＫである
場合、メインツールでのＯＰＣ補正処理は正常であると
する。（Ｓ３０） このようにして、異なる２つのツールを用いることによ
り、ＯＰＣ処理が正常に行われたか否かを検証すること
ができる。
な良否確認とＤＲＣ処理による結果がともにＯＫである
場合、メインツールでのＯＰＣ補正処理は正常であると
する。（Ｓ３０） このようにして、異なる２つのツールを用いることによ
り、ＯＰＣ処理が正常に行われたか否かを検証すること
ができる。
【００１４】
【発明の効果】本発明は、上記のように、検証に多くの
時間を必要としない、ＯＰＣ補正処理の検証方法の提供
を可能とした。これにより、実用レベルでＯＰＣ処理作
業を可能とした。
時間を必要としない、ＯＰＣ補正処理の検証方法の提供
を可能とした。これにより、実用レベルでＯＰＣ処理作
業を可能とした。
【図１】本発明のフォトマスクデータのＯＰＣ補正処理
の検証方法の実施の形態の１例のフロー図
の検証方法の実施の形態の１例のフロー図
【図２】ツールの距離認識の違いを説明するための図
【図３】ツールのサイジングの違いを説明するための図
【図４】ＯＰＣ補正を説明するための図
２１１、２１２、２１３、２１４ 図形 ２１５ セリフ（Ｓｅｒｉｆ） ３１０ 元の図形 ３１５ サイジング後の図形 ３２０ 元の図形 ３２５ サイジング後の図形 ８１０ 設計図形データ ８１５ 形成パタン ８２０ 補正図形データ ８２５ 形成パタン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大河原 雅彦 東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号 大日本印刷株式会社内 (72)発明者 坂口 若彦 東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号 大日本印刷株式会社内 Ｆターム(参考） 2H095 BA01 BB02 BB06 BB36 BC09 5B046 AA08 BA04 JA02
Claims (3)
- 【請求項１】 メインツールにて、元の図形データに対
し、ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃ
ｏｒｒｅｃｔ）補正処理を含む所定の複数の図形処理を
行なう場合に、ＯＰＣ補正処理が正しく行われたか否か
を検証する、フォトマスクデータのＯＰＣ補正処理の検
証方法であって、（ａ）一方をメインツール、他方をサ
ブツールとする２つのツールにて、それぞれ、元の図形
データに対し、前記ＯＰＣ処理を含む所定の複数の図形
処理を行ない、得られた図形データ同士を比較し、その
差を第１の図形データとして抽出する第１の比較処理
と、（ｂ）前記メインツール、サブツールにて、それぞ
れ、元の図形データに対し、前記ＯＰＣ補正処理を含む
所定の複数の図形処理のうちＯＰＣ処理以外の全ての図
形処理を行ない、得られた図形データ同士を比較し、そ
の差を第２の図形データとして抽出する第２の比較処理
と、（ｃ）第１の比較処理により得られた第１の図形デ
ータと、第２の比較処理により得られた第２の図形デー
タとを比較し、その差を第３の図形データとして抽出す
る第３の比較処理と、（ｄ）第３の比較処理により得ら
れた第３の図形データに対し、順に所定値でアンダーサ
イズ処理、オーバーサイズ処理を施し、第３の図形デー
タからグリッドずれに起因する微小エラーを消去した残
余図形データを得るフィルター処理とを行った後、更
に、（ｅ）得られた残余図形データに対し、補正形状に
合せ、小さい値から段階的に所定値で、順にアンダーサ
イズ処理、オーバーサイズ処理を施し、図形がすべて無
くなれば、残余図形データ全ての箇所におけるメインツ
ールの補正図形はサイズ的にＯＫと判断し、更に図形が
残れば、この図形データについては再度検討するとす
る、図形サイズ確認処理と、（ｆ）得られた残余図形デ
ータに対し、元の図形データとの距離を、ＤＲＣ（Ｄｅ
ｓｉｇｎ Ｒｕｌｅ Ｃｈｅｃｋ）処理にて確認し、全
ての残余図形データが、許容値以下であれば、残余図形
データ全ての箇所におけるメインツールの補正図形は、
位置的にＯＫと判断し、許容値より大である図形があれ
ば、この図形データについては再度検討するとするもの
で、且つ、前記図形サイズ確認処理とＤＲＣ処理がとも
にＯＫである場合にのみ、メインツールでのＯＰＣ補正
処理は正常であるとする、ことを特徴とするフォトマス
クデータのＯＰＣ補正処理の検証方法。 - 【請求項２】 請求項１において、所定の複数の図形処
理は、サイジング処理とＯＰＣ補正処理とであることを
特徴とするフォトマスクデータのＯＰＣ補正処理の検証
方法。 - 【請求項３】 請求項１ないし２において、メインツー
ルとサブツールとでは、図形間の距離の認識が異なるこ
とを特徴とするフォトマスクデータのＯＰＣ補正処理の
検証方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001080446A JP4562934B2 (ja) | 2001-03-21 | 2001-03-21 | フォトマスクデータのｏｐｃ補正処理の検証方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001080446A JP4562934B2 (ja) | 2001-03-21 | 2001-03-21 | フォトマスクデータのｏｐｃ補正処理の検証方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002278041A true JP2002278041A (ja) | 2002-09-27 |
| JP4562934B2 JP4562934B2 (ja) | 2010-10-13 |
Family
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001080446A Expired - Fee Related JP4562934B2 (ja) | 2001-03-21 | 2001-03-21 | フォトマスクデータのｏｐｃ補正処理の検証方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP4562934B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004097521A1 (ja) * | 2003-04-30 | 2004-11-11 | Fujitsu Limited | 光近接効果補正処理検証方法 |
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-
2001
- 2001-03-21 JP JP2001080446A patent/JP4562934B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| CN113051866B (zh) * | 2021-03-15 | 2023-11-03 | 上海华力微电子有限公司 | 针对sram图形opc一致性检测的方法 |
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