CN113051866A - 针对sram图形opc一致性检测的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种针对SRAM图形OPC一致性检测的方法,包括:提供SRAM图形,图形具有拐角;获取OPC基准单元;对SRAM图形进行匹配,挑选出SRAM图形上OPC差异片段数量大于或等于3的边,从该边上选出靠近拐角处的OPC差异片段作为拐角OPC差异片段;若拐角OPC差异片段的OPC基准单元与SRAM图形的绝对差值大于第一设定值,则对相邻OPC差异片段的OPC基准单元添加与第一设定值相反并且是二分之一第一设定值的公差,否则,对该OPC差异片段的OPC基准单元添加与OPC基准单元与SRAM图形的绝对差值相同的公差,对相邻OPC差异片段的OPC基准单元添加与OPC基准单元与SRAM图形的绝对差值相反的值的公差;以调整后的OPC基准单元对SRAM图形进行OPC处理。最终提高SRAM图形中重复单元的OPC结果的一致性。

Description

针对SRAM图形OPC一致性检测的方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其是涉及一种针对SRAM图形OPC一致性检测的方法。
背景技术
目前,在对版图中SRAM图形的OPC结果的检查中,通过使用SRAM图形特定检测算法得到OPC修正后尺寸一致数量最多的图形,以此作为对SRAM图形OPC结果检查的最小检测单元,利用该最小单元对版图进行扫描匹配,在所有SRAM图形中筛选出与之尺寸不一致的图形,针对各处位置上的OPC差异,调试多种OPC测试程序,再对每个程序所得到的结果进行OPC一致性检测,根据检测结果,选出OPC一致性最优的程序。
然而,版图上的SRAM图形均为重复单元,由于OPC算法的不唯一性,其修正结果具有一定地随机性,导致对SRAM区域同种图形的修正无法保证全部一致,通常会在OPC结束后检测修正结果的一致性。由于OPC程序算法的不唯一性,导致OPC结果具有一定的随机性,该现象会给SRAM图形OPC一致性的判定引入干扰,会给测试结果带来干扰,并且大量地分批试验十分地占用OPC资源以及人力,对于OPC高效出版非常不利。
发明内容
本发明的目的在于提供一种针对SRAM图形OPC一致性检测的方法,可以提高SRAM图形中重复单元的OPC结果的一致性。为了达到上述目的,本发明提供了一种针对SRAM图形OPC一致性检测的方法,包括:
提供SRAM图形的原始版图,所述SRAM图形具有拐角;
获取所述SRAM图形的最小单元,并将其形状和尺寸作为OPC基准单元的形状和尺寸;
利用所述OPC基准单元对所述SRAM图形进行匹配,挑选出所述SRAM图形上OPC差异片段数量大于或等于3的边,从该边上选出靠近拐角处的OPC差异片段作为拐角OPC差异片段;
若所述拐角OPC差异片段的OPC基准单元与SRAM图形的绝对差值大于第一设定值,则对相邻OPC差异片段的OPC基准单元添加与第一设定值相反并且是二分之一第一设定值的公差;
若所述拐角OPC差异片段的OPC基准单元与SRAM图形的绝对差值小于或等于第一设定值,则对该OPC差异片段的OPC基准单元添加与OPC基准单元与SRAM图形的绝对差值相同的公差,对相邻OPC差异片段的OPC基准单元添加与OPC基准单元与SRAM图形的绝对差值相反的值的公差;
以调整后的OPC基准单元对所述SRAM图形进行OPC处理。
可选的,在所述的针对SRAM图形OPC一致性检测的方法中,获取所述SRAM图形的最小单元的方法包括:
利用原始版图中SRAM图形在有源层和孔层的层次上的关联性,获取SRAM图形的最小单元。
可选的,在所述的针对SRAM图形OPC一致性检测的方法中,判断OPC差异片段的方法包括:
若所述OPC基准单元和所述SRAM图形非重合,则此OPC基准单元为OPC差异片段。
可选的,在所述的针对SRAM图形OPC一致性检测的方法中,所述SRAM图形包括2D图形。
可选的,在所述的针对SRAM图形OPC一致性检测的方法中,所述2D图形包括多条边,相邻所述边的交集形成拐角。
可选的,在所述的针对SRAM图形OPC一致性检测的方法中,所述拐角OPC差异片段至少为两个。
可选的,在所述的针对SRAM图形OPC一致性检测的方法中,挑选出所述SRAM图形上OPC差异片段数量等于3的边,该边上的OPC差异片段分别为第一OPC差异片段、第二OPC差异片段和第三OPC差异片段,所述第一OPC差异片段和第二OPC差异片段为相邻差异片段,所述第二OPC差异片段和第三OPC差异片段为相邻差异片段。
可选的,在所述的针对SRAM图形OPC一致性检测的方法中,所述第一OPC差异片段和第三OPC差异片段为拐角OPC差异片段。
可选的,在所述的针对SRAM图形OPC一致性检测的方法中,挑选出所述SRAM图形上OPC差异片段数量等于4的边,该边上的OPC差异片段分别为第一OPC差异片段、第二OPC差异片段、第三OPC差异片段和第四OPC差异片段,所述第一OPC差异片段和第二OPC差异片段为相邻差异片段,所述第二OPC差异片段和第三OPC差异片段为相邻差异片段,所述第三OPC差异片段和第四OPC差异片段为相邻差异片段。
可选的,在所述的针对SRAM图形OPC一致性检测的方法中,所述第一OPC差异片段和第四OPC差异片段为拐角OPC差异片段。
在本发明提供的针对SRAM图形OPC一致性检测的方法中,在对SRAM图形进行OPC处理前,通过对拐角处的OPC差异片段进行处理,若拐角OPC差异片段的OPC基准单元与SRAM图形的绝对差值大于第一设定值,则对相邻OPC差异片段的OPC基准单元添加与第一设定值相反并且是二分之一第一设定值的公差;若拐角OPC差异片段的OPC基准单元与SRAM图形的绝对差值小于或等于第一设定值,则对该OPC差异片段的OPC基准单元添加与OPC基准单元与SRAM图形的绝对差值相同的公差,对相邻OPC差异片段的OPC基准单元添加与OPC基准单元与SRAM图形的绝对差值相反的值的公差。实现OPC随机性差异的预滤除,提高SRAM图形中重复单元的OPC结果的一致性。较现有检测方法更有利后续OPC程序调试,缩减调试周期,减少调试过程对OPC资源及人力资源的占用,提高OPC出版的效率。
附图说明
图1是本发明实施例的针对SRAM图形OPC一致性检测的方法的流程图;
图2是本发明实施例的对SRAM图形OPC一致性检测的示意图;
图中:110-SRAM图形、120-OPC图形、121-第一OPC差异片段、122-第二OPC差异片段、123-第三OPC差异片段。
具体实施方式
下面将结合示意图对本发明的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述,本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例,仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
在下文中,术语“第一”“第二”等用于在类似要素之间进行区分,且未必是用于描述特定次序或时间顺序。要理解,在适当情况下,如此使用的这些术语可替换。类似的,如果本文所述的方法包括一系列步骤,且本文所呈现的这些步骤的顺序并非必须是可执行这些步骤的唯一顺序,且一些所述的步骤可被省略和/或一些本文未描述的其他步骤可被添加到该方法。
请参照图1,本发明提供了一种针对SRAM图形OPC一致性检测的方法,包括:
S11:提供SRAM图形的原始版图,所述SRAM图形具有拐角;
S12:获取所述SRAM图形的最小单元,并将其形状和尺寸作为OPC基准单元的形状和尺寸;
S13:利用所述OPC基准单元对所述SRAM图形进行匹配,挑选出所述SRAM图形上OPC差异片段数量大于或等于3的边,从该边上选出靠近拐角处的OPC差异片段作为拐角OPC差异片段;
S14:若所述拐角OPC差异片段的OPC基准单元与SRAM图形的绝对差值大于第一设定值,则对相邻OPC差异片段的OPC基准单元添加与第一设定值相反并且是二分之一第一设定值的公差;
S15:若所述拐角OPC差异片段的OPC基准单元与SRAM图形的绝对差值小于或等于第一设定值,则对该OPC差异片段的OPC基准单元添加与OPC基准单元与SRAM图形的绝对差值相同的公差,对相邻OPC差异片段的OPC基准单元添加与OPC基准单元与SRAM图形的绝对差值相反的值的公差;
S16:以调整后的OPC基准单元对所述SRAM图形进行OPC处理。
进一步的,所述SRAM图形包括2D图形,所述2D图形包括多条边,相邻所述边的交集形成拐角。
进一步的,获取所述SRAM图形的最小单元的方法包括:利用原始版图中SRAM图形在有源层和孔层的层次上的关联性,获取SRAM图形的最小单元。
进一步的,判断OPC差异片段的方法包括:若所述OPC基准单元和所述SRAM图形非重合,则此OPC基准单元为OPC差异片段一个图形上可能有至少一个OPC差异片段。其中,若OPC差异片段在靠近拐角处的某个边上,则认为是拐角OPC差异片段,所述拐角OPC差异片段至少为两个。
请参照图2,对SRAM图形110进行OPC处理得到OPC图形120,可以看出OPC图形120中具有多处OPC差异片段。进一步的,挑选出所述SRAM图形上OPC差异片段数量等于3的边,该边上的OPC差异片段分别为第一OPC差异片段121、第二OPC差异片段122和第三OPC差异片段123,所述第一OPC差异片段121和第二OPC差异片段122为相邻差异片段,所述第二OPC差异片段122和第三OPC差异片段123为相邻差异片段。所述第一OPC差异片段121和第三OPC差异片段123为拐角OPC差异片段。从图2可以看出,在第一OPC差异片段121和第三OPC差异片段123会在OPC过程中产生随机性差异,处于2D图形拐角处的OPC差异,通过对OPC随机性差异的预滤除,使检测出的OPC差异具有约束性及针对性;其次,较现有检测方法更有利后续OPC程序调试,缩减OPC程序调试时间,减少调试过程对OPC资源及人力资源的占用,提高OPC出版的效率。具体的,第一OPC差异片段121较SRAM图形110向外多修正1nm,其余位置无OPC差异;第二OPC差异片段122较SRAM图形110向内多修正1nm,其余位置无OPC差异。
进一步的,挑选出所述SRAM图形上OPC差异片段数量等于4的边,该边上的OPC差异片段分别为第一OPC差异片段、第二OPC差异片段、第三OPC差异片段和第四OPC差异片段,所述第一OPC差异片段和第二OPC差异片段为相邻差异片段,所述第二OPC差异片段和第三OPC差异片段为相邻差异片段,所述第三OPC差异片段和第四OPC差异片段为相邻差异片段。所述第一OPC差异片段和第四OPC差异片段为拐角OPC差异片段。本发明用OPC差异片段数量等于3和等于4来作为两个例子进行讲解,实际上在本发明的其他实施例中,可能会是其他不小于3的数量。
综上,在本发明实施例提供的针对SRAM图形OPC一致性检测的方法中,在对SRAM图形进行OPC处理前,通过对拐角处的OPC差异片段进行处理,若拐角OPC差异片段的OPC基准单元与SRAM图形的绝对差值大于第一设定值,则对相邻OPC差异片段的OPC基准单元添加与第一设定值相反并且是二分之一第一设定值的公差;若拐角OPC差异片段的OPC基准单元与SRAM图形的绝对差值小于或等于第一设定值,则对该OPC差异片段的OPC基准单元添加与OPC基准单元与SRAM图形的绝对差值相同的公差,对相邻OPC差异片段的OPC基准单元添加与OPC基准单元与SRAM图形的绝对差值相反的值的公差。实现OPC随机性差异的预滤除,提高SRAM图形中重复单元的OPC结果的一致性。较现有检测方法更有利后续OPC程序调试,缩减调试周期,减少调试过程对OPC资源及人力资源的占用,提高OPC出版的效率。
上述仅为本发明的优选实施例而已,并不对本发明起到任何限制作用。任何所属技术领域的技术人员,在不脱离本发明的技术方案的范围内,对本发明揭露的技术方案和技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动,均属未脱离本发明的技术方案的内容,仍属于本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种针对SRAM图形OPC一致性检测的方法,其特征在于,包括:
提供SRAM图形的原始版图,所述SRAM图形具有拐角;
获取所述SRAM图形的最小单元,并将其形状和尺寸作为OPC基准单元的形状和尺寸;
利用所述OPC基准单元对所述SRAM图形进行匹配,挑选出所述SRAM图形上OPC差异片段数量大于或等于3的边,从该边上选出靠近拐角处的OPC差异片段作为拐角OPC差异片段;
若所述拐角OPC差异片段的OPC基准单元与SRAM图形的绝对差值大于第一设定值,则对相邻OPC差异片段的OPC基准单元添加与第一设定值相反并且是二分之一第一设定值的公差;
若所述拐角OPC差异片段的OPC基准单元与SRAM图形的绝对差值小于或等于第一设定值,则对该OPC差异片段的OPC基准单元添加与OPC基准单元与SRAM图形的绝对差值相同的公差,对相邻OPC差异片段的OPC基准单元添加与OPC基准单元与SRAM图形的绝对差值相反的值的公差;
以调整后的OPC基准单元对所述SRAM图形进行OPC处理。
2.如权利要求1所述的针对SRAM图形OPC一致性检测的方法,其特征在于,获取所述SRAM图形的最小单元的方法包括:
利用原始版图中SRAM图形在有源层和孔层的层次上的关联性,获取SRAM图形的最小单元。
3.如权利要求1所述的针对SRAM图形OPC一致性检测的方法,其特征在于,判断OPC差异片段的方法包括:
若所述OPC基准单元和所述SRAM图形非重合,则此OPC基准单元为OPC差异片段。
4.如权利要求1所述的针对SRAM图形OPC一致性检测的方法,其特征在于,所述SRAM图形包括2D图形。
5.如权利要求1所述的针对SRAM图形OPC一致性检测的方法,其特征在于,所述2D图形包括多条边,相邻所述边的交集形成拐角。
6.如权利要求1所述的针对SRAM图形OPC一致性检测的方法,其特征在于,所述拐角OPC差异片段至少为两个。
7.如权利要求1所述的针对SRAM图形OPC一致性检测的方法,其特征在于,挑选出所述SRAM图形上OPC差异片段数量等于3的边,该边上的OPC差异片段分别为第一OPC差异片段、第二OPC差异片段和第三OPC差异片段,所述第一OPC差异片段和第二OPC差异片段为相邻差异片段,所述第二OPC差异片段和第三OPC差异片段为相邻差异片段。
8.如权利要求7所述的针对SRAM图形OPC一致性检测的方法,其特征在于,所述第一OPC差异片段和第三OPC差异片段为拐角OPC差异片段。
9.如权利要求1所述的针对SRAM图形OPC一致性检测的方法,其特征在于,挑选出所述SRAM图形上OPC差异片段数量等于4的边,该边上的OPC差异片段分别为第一OPC差异片段、第二OPC差异片段、第三OPC差异片段和第四OPC差异片段,所述第一OPC差异片段和第二OPC差异片段为相邻差异片段,所述第二OPC差异片段和第三OPC差异片段为相邻差异片段,所述第三OPC差异片段和第四OPC差异片段为相邻差异片段。
10.如权利要求9所述的针对SRAM图形OPC一致性检测的方法,其特征在于,所述第一OPC差异片段和第四OPC差异片段为拐角OPC差异片段。
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