CN106980719B - 版图重复单元光学邻近效应修正一致性检查方法 - Google Patents
版图重复单元光学邻近效应修正一致性检查方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106980719B CN106980719B CN201710170707.0A CN201710170707A CN106980719B CN 106980719 B CN106980719 B CN 106980719B CN 201710170707 A CN201710170707 A CN 201710170707A CN 106980719 B CN106980719 B CN 106980719B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- original design
- layout
- optical proximity
- proximity effect
- layers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
- G06F30/30—Circuit design
- G06F30/39—Circuit design at the physical level
- G06F30/398—Design verification or optimisation, e.g. using design rule check [DRC], layout versus schematics [LVS] or finite element methods [FEM]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Evolutionary Computation (AREA)
- Geometry (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
本发明提供一种版图重复单元光学邻近效应修正一致性检查方法,先建立包含有所有所述基准图形对应的原始设计层和所述原始设计层被光学邻近效应修正的图层的图形库,然后将所述图形库中所有所述基准图形对应的原始设计层与版图的原始设计的每一区域完全匹配成功的该基准图形对应的所述原始设计层被光学邻近效应修正的图层,与所述图形库中所有所述基准图形对应的所述原始设计层被光学邻近效应修正的图层作异或运算,得到差异以及对应的差异值,对上述差异中大于可接受差异值的进行归类,减少差异种类,这样就可以将数以千万级的差异归纳为几种或者数十种差异,大大提升了版图设计修正工作在重复区域修正一致性检查工作准确性与效率。
Description
技术领域
本发明涉及可制造性图形设计领域,特别涉及一种版图重复单元光学邻近效应修正一致性检查方法。
背景技术
一般来说,集成电路版图设计中设计数据均含有重复性很强的设计,例如逻辑芯片的存储区,摄像芯片的感光区。为了能保证集成电路工作中信号能保持一致,则必须要求所有图形每次经过光学邻近效应处理后所有的图形的版图数据仍然能同时保持高度的统一性。
由于设计本身或者光学邻近效应修正软件的错误较容易导致重复图形的修正结果不一致。随着集成电路工艺节点的不断推进,重复图形的修正差异对集成电路的差异影响也越来越大,同时重复图形的数量也越来越大。目前检查的工作主要通过工程师简单的检查,但工程师很难确定数以千万的图形是否每次都一致。同时,许多差异完全可以归纳为同一差异,完全检查消耗大量时间。
发明内容
本发明提供一种版图重复单元光学邻近效应修正一致性检查方法,用于将版图检查时数以千万的差异归纳为几种或者数十种差异,提升版图设计修正工作在重复区域修正一致性检查工作准确性与效率。
为达到上述目的,本发明提供一种版图重复单元光学邻近效应修正一致性检查方法,包括以下步骤:
步骤一:提供一版图的原始设计,选取任意一个最小单元图形作为基准图形,每个基准图形包括该最小单元图形对应的原始设计层以及所述原始设计层被光学邻近效应修正的图层,截取所有所述基准图形对应的原始设计层和所述原始设计层被光学邻近效应修正的图层存入图形库中;
步骤二:将所述图形库中所有所述基准图形对应的原始设计层与版图的原始设计的每一区域进行匹配,若完全匹配成功,则找出该基准图形对应的所述原始设计层被光学邻近效应修正的图层,与所述图形库中所有所述基准图形对应的所述原始设计层被光学邻近效应修正的图层作异或运算,得到差异以及对应的差异值;
步骤三:设定可接受差异值,在步骤二中得到的差异值中选取大于所述可接受差异值的差异,将选取得到的差异属于同一类的进行归类,减少差异的种类。
作为优选,步骤一中对版图的原始设计进行筛选后进行基准图形的选取。
作为优选,筛选方法为将版图的原始设计中含有重复单元的区域筛选出进行基准图形的选取。
作为优选,筛选方法为将曝光时光源照射在版图上,去除照射时光源的光学半径在版图上形成的环状带区域。
作为优选,所述光学半径范围为0μm~2μm。
作为优选,步骤三中所述可接受差异值范围为0~0.001μm。
作为优选,步骤三中设置图形归类尺寸,所述图形归类尺寸介于最小单元图形的尺寸的一半至一倍之间。
作为优选,步骤二中不能完全匹配成功则解释为由自身存在的设计差异造成的修正结果。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:本发明提供一种版图重复单元光学邻近效应修正一致性检查方法,先建立包含有所有所述基准图形对应的原始设计层和所述原始设计层被光学邻近效应修正的图层的图形库,然后将所述图形库中所有所述基准图形对应的原始设计层与版图的原始设计的每一区域完全匹配成功的该基准图形对应的所述原始设计层被光学邻近效应修正的图层,与所述图形库中所有所述基准图形对应的所述原始设计层被光学邻近效应修正的图层作异或运算,得到差异以及对应的差异值,对上述差异中大于可接受差异值的进行归类,减少差异种类,这样就可以将数以千万级的差异归纳为几种或者数十种差异,大大提升了版图设计修正工作在重复区域修正一致性检查工作准确性与效率,该方法的检查准确性为100%,无任何检查遗漏。
附图说明
图1为本发明提供的修正一致性检查方法流程图;
图2为本发明提供的重复单元修正一致性检查的区域划分;
图3(a)~(f)为本发明提供的重复单元光学邻近效应修正区域示例;
图4为本发明提供的原始设计中最小单元图形示例图;
图5为本发明提供的图4中的图形被光学邻近效应修正后的示例图;
图6(a)~(f)为本发明提供的光学邻近效应修正一致性检查示例图;
图7(a)和(b)为本发明提供的差异结构归类示意图。
本发明图示:201-环状区域、202-筛选出的区域、601~603-差异。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
请参照图1,本发明提供一种版图重复单元光学邻近效应修正一致性检查方法,包括以下步骤:
步骤一:提供一版图的原始设计,对该版图需要操作的区域进行筛选,首先筛选出原始设计中含有重复单元的区域,然后将曝光时的曝光光源照射在版图上,由于光源存在有光学半径d,一般范围为0μm~2μm,那么投影在版图上会形成由光学半径d造成的环状区域201,去除该环状区域201,并将去除环状区域201后剩余的区域作为需要操作的区域。
在上述筛选出的区域中选取任意一个最小单元图形作为基准图形,如图4所示,每个基准图形包括该最小单元图形进行光学邻近效应修正前后的数据,也就是该最小单元图形对应的原始设计层a以及所述原始设计层a被光学邻近效应修正的图层b,如图5所示,截取所有所述基准图形对应的原始设计层a作为运行匹配层集A,截取所有图层b定义为结果标记层集B,将运行匹配层集A和结果标记层集B存入图形库中;
步骤二:将所述图形库中运行匹配层集A内所有所述基准图形对应的原始设计层a与版图的原始设计的每一区域进行匹配,也就是和光学邻近效应修正前的版图的原始设计进行匹配,若完全匹配成功,则说明两者即为重复设计图形,则找出该重复设计图形对应的基准图形的原始设计层a对应的被光学邻近效应修正的图层b,将其与所述图形库中所有所述基准图形对应的所述原始设计层a被光学邻近效应修正的图层b作异或运算,得到差异以及对应的差异值,比如,可将图5中的图形与图3(a)~(f)中每一个图形进行异或运算,就可得到差异为图6(b)中的差异602、图6(d)中的差异601、图6(f)中的差异603,每个差异皆对应一个差异值;
若不能完全匹配成功,则将两者的差别解释为由于自身设计差异造成的修正结果;
步骤三:设定可接受差异值,一般范围在0~0.001μm,选取步骤二中大于所述可接受差异值的差异值,设置图形归类尺寸,所述图形归类尺寸介于图4所示的最小单元图形的尺寸的一半至最小单元图形的尺寸的一倍之间,将上述差异值对应的差异按照图形归类尺寸进行归类,减少差异的种类,最终形成图7(a)和图7(b)两个种类,从而提升版图设计修正工作在重复区域修正一致性检查工作准确性与效率。
本发明提供一种版图重复单元光学邻近效应修正一致性检查方法,先建立包含有所有所述基准图形对应的原始设计层和所述原始设计层被光学邻近效应修正的图层的图形库,然后将所述图形库中所有所述基准图形对应的原始设计层与版图的原始设计的每一区域完全匹配成功的该基准图形对应的所述原始设计层被光学邻近效应修正的图层,与所述图形库中所有所述基准图形对应的所述原始设计层被光学邻近效应修正的图层作异或运算,得到差异以及对应的差异值,对上述差异中大于可接受差异值的进行归类,减少差异种类,这样就可以将数以千万级的差异归纳为几种或者数十种差异,大大提升了版图设计修正工作在重复区域修正一致性检查工作准确性与效率,该方法的检查准确性为100%,无任何检查遗漏。
显然,本领域的技术人员可以对发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包括这些改动和变型在内。
Claims (6)
1.一种版图重复单元光学邻近效应修正一致性检查方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一:提供一版图的原始设计,筛选出所述版图的原始设计中含有重复单元的区域,并在所述含有重复单元的区域中选取一个最小单元图形作为基准图形,每个基准图形包括该最小单元图形对应的原始设计层以及所述原始设计层被光学邻近效应修正的图层,截取所有所述基准图形对应的原始设计层和所述原始设计层被光学邻近效应修正的图层存入图形库中;
步骤二:将所述图形库中所有所述基准图形对应的原始设计层与版图的原始设计的每一区域进行匹配,若完全匹配成功,则找出该基准图形对应的所述原始设计层被光学邻近效应修正的图层,与所述图形库中所有所述基准图形对应的所述原始设计层被光学邻近效应修正的图层作异或运算,得到差异以及对应的差异值;
步骤三:设定可接受差异值,在步骤二中得到的差异值中选取大于所述可接受差异值的差异,将选取得到的差异属于同一类的进行归类。
2.如权利要求1所述的版图重复单元光学邻近效应修正一致性检查方法,其特征在于,筛选方法为将曝光时光源照射在版图上,去除照射时光源的光学半径在版图上形成的环状带区域。
3.如权利要求2所述的版图重复单元光学邻近效应修正一致性检查方法,其特征在于,所述光学半径范围为0μm~2μm。
4.如权利要求1所述的版图重复单元光学邻近效应修正一致性检查方法,其特征在于,步骤三中所述可接受差异值范围为0~0.001μm。
5.如权利要求1所述的版图重复单元光学邻近效应修正一致性检查方法,其特征在于,步骤三中设置图形归类尺寸,所述图形归类尺寸介于最小单元图形的尺寸的一半至一倍之间。
6.如权利要求1所述的版图重复单元光学邻近效应修正一致性检查方法,其特征在于,步骤二中不能完全匹配成功则解释为由自身存在的设计差异造成的修正结果。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710170707.0A CN106980719B (zh) | 2017-03-21 | 2017-03-21 | 版图重复单元光学邻近效应修正一致性检查方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710170707.0A CN106980719B (zh) | 2017-03-21 | 2017-03-21 | 版图重复单元光学邻近效应修正一致性检查方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106980719A CN106980719A (zh) | 2017-07-25 |
CN106980719B true CN106980719B (zh) | 2020-07-31 |
Family
ID=59338121
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710170707.0A Active CN106980719B (zh) | 2017-03-21 | 2017-03-21 | 版图重复单元光学邻近效应修正一致性检查方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN106980719B (zh) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107481232A (zh) * | 2017-08-17 | 2017-12-15 | 上海华力微电子有限公司 | 图形匹配方法 |
CN108009316B (zh) * | 2017-11-09 | 2021-08-13 | 上海华力微电子有限公司 | Opc修正方法 |
CN107967401B (zh) * | 2017-12-21 | 2021-07-16 | 上海华力微电子有限公司 | 一种版图重复单元匹配性检查方法及系统 |
CN109190159B (zh) * | 2018-07-27 | 2023-04-18 | 上海华力微电子有限公司 | 滤除图形匹配度误报错的方法 |
CN111754479B (zh) * | 2020-06-22 | 2023-11-03 | 上海华力微电子有限公司 | 版图图形精准匹配的检查方法 |
CN113051866B (zh) * | 2021-03-15 | 2023-11-03 | 上海华力微电子有限公司 | 针对sram图形opc一致性检测的方法 |
CN115268226B (zh) * | 2022-07-20 | 2024-06-07 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 一种在光学邻近效应修正后自动修正未收敛区域的方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1940715A (zh) * | 2005-09-27 | 2007-04-04 | 力晶半导体股份有限公司 | 光掩模图案的校正方法及其形成方法 |
US7325225B2 (en) * | 2005-10-05 | 2008-01-29 | Yasushi Tanaka | Method and apparatus for reducing OPC model errors |
CN102103324A (zh) * | 2009-12-17 | 2011-06-22 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种光学邻近效应修正方法 |
CN104749896A (zh) * | 2013-12-27 | 2015-07-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 光学邻近修正方法 |
CN104991415A (zh) * | 2015-07-22 | 2015-10-21 | 上海华力微电子有限公司 | 针对特定重复图形的光学临近效应修正方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102117010B (zh) * | 2010-01-04 | 2012-09-26 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种光学邻近修正方法 |
CN102147567B (zh) * | 2011-04-01 | 2012-10-03 | 中国科学院微电子研究所 | 一种基于Cell的层次化光学邻近效应校正方法 |
TWI528201B (zh) * | 2013-08-28 | 2016-04-01 | 旺宏電子股份有限公司 | 進階修正方法 |
CN106354908B (zh) * | 2016-08-19 | 2019-05-03 | 上海华力微电子有限公司 | 改善opc版图处理不一致的方法 |
-
2017
- 2017-03-21 CN CN201710170707.0A patent/CN106980719B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1940715A (zh) * | 2005-09-27 | 2007-04-04 | 力晶半导体股份有限公司 | 光掩模图案的校正方法及其形成方法 |
US7325225B2 (en) * | 2005-10-05 | 2008-01-29 | Yasushi Tanaka | Method and apparatus for reducing OPC model errors |
CN102103324A (zh) * | 2009-12-17 | 2011-06-22 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种光学邻近效应修正方法 |
CN104749896A (zh) * | 2013-12-27 | 2015-07-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 光学邻近修正方法 |
CN104991415A (zh) * | 2015-07-22 | 2015-10-21 | 上海华力微电子有限公司 | 针对特定重复图形的光学临近效应修正方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106980719A (zh) | 2017-07-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN106980719B (zh) | 版图重复单元光学邻近效应修正一致性检查方法 | |
KR102513717B1 (ko) | 픽셀 레벨 이미지 정량화를 위한 딥 러닝 기반 결함 검출 및 분류 스킴의 사용 | |
US10754309B2 (en) | Auto defect screening using adaptive machine learning in semiconductor device manufacturing flow | |
CN110911298B (zh) | 确定晶圆检查参数方法 | |
US9529268B2 (en) | Systems and methods for improving pattern transfer | |
US9547745B1 (en) | System and method for discovering unknown problematic patterns in chip design layout for semiconductor manufacturing | |
US20150254394A1 (en) | Method and apparatus for extracting systematic defects | |
US20150113486A1 (en) | Enhanced optical proximity correction (opc) method and system | |
JP2017523390A (ja) | 検査のための高解像度フルダイイメージデータの使用 | |
US20150110384A1 (en) | Image inspection method of die to database | |
US8938695B1 (en) | Signature analytics for improving lithographic process of manufacturing semiconductor devices | |
US11360379B2 (en) | Photo mask data correction method | |
US9142014B2 (en) | System and method for identifying systematic defects in wafer inspection using hierarchical grouping and filtering | |
TWI758533B (zh) | 設計關鍵性分析擴充之製程窗合格取樣 | |
US20140019927A1 (en) | Waferless measurement recipe | |
US10642716B1 (en) | Automated software program repair | |
US20200257613A1 (en) | Automated software program repair | |
CN109752918A (zh) | 光刻掩膜优化设计方法及系统 | |
US20130336571A1 (en) | Mask pattern analysis apparatus and method for analyzing mask pattern | |
US20180357357A1 (en) | System and method for design based inspection | |
Matsunawa et al. | Generator of predictive verification pattern using vision system based on higher-order local autocorrelation | |
US20060093961A1 (en) | Method of verifying electron beam data | |
US20180165803A1 (en) | Method and system for detecting hotspots in semiconductor wafer | |
US20230186461A1 (en) | Dynamic modeling for semiconductor substrate defect detection | |
JP2009181053A (ja) | 評価パタンの作成方法および作成プログラム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |