TWI588625B - 描繪裝置、曝光描繪裝置、描繪方法以及記錄媒體 - Google Patents

描繪裝置、曝光描繪裝置、描繪方法以及記錄媒體 Download PDF

Info

Publication number
TWI588625B
TWI588625B TW102117817A TW102117817A TWI588625B TW I588625 B TWI588625 B TW I588625B TW 102117817 A TW102117817 A TW 102117817A TW 102117817 A TW102117817 A TW 102117817A TW I588625 B TWI588625 B TW I588625B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
correction amount
strain correction
strain
reference mark
substrate
Prior art date
Application number
TW102117817A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201407303A (zh
Inventor
菊池浩明
Original Assignee
亞得科技工程有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 亞得科技工程有限公司 filed Critical 亞得科技工程有限公司
Publication of TW201407303A publication Critical patent/TW201407303A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI588625B publication Critical patent/TWI588625B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0266—Marks, test patterns or identification means
    • H05K1/0269—Marks, test patterns or identification means for visual or optical inspection
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H05K3/1241—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by ink-jet printing or drawing by dispensing
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
    • H05K3/4679—Aligning added circuit layers or via connections relative to previous circuit layers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/16—Inspection; Monitoring; Aligning
    • H05K2203/163—Monitoring a manufacturing process

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

描繪裝置、曝光描繪裝置、描繪方法以及記錄媒體
本發明是有關於一種描繪裝置、曝光描繪裝置、描繪方法及記憶程式的記錄媒體，尤其是有關於一種對基板描繪電路圖案(pattern)的描繪裝置、藉由曝光對基板描繪電路圖案的曝光描繪裝置、對基板描繪電路圖案的描繪方法、以及記憶由上述描繪裝置執行的程式的記錄媒體。
先前，眾所周知有如下多層配線基板，該多層配線基板是將對玻璃布進行含浸處理並加以乾燥的預浸體(prepreg)、或剛性功能優異的金屬板等作為核心基板，且具有於該等核心基板上將樹脂層與配線層多層堆積而成的多層配線構造。此外，近年來，對該多層配線基板要求薄型化及省空間化，因此提出有一種不具有核心層的薄型的多層配線基板。
於該等多層配線基板中，存在如下情況：由於化學處理而使基板產生翹曲、或由於強度不足而使基板產生變形，故而描繪於各層的電路圖案(配線圖案)的層間的位置對準變得困難。 儘管如此，但藉由電路圖案的高密度化，電路圖案的焊盤徑(land diameter)及孔徑得以微細化，因此要求高精度的層間的位置對準。
為了滿足該要求，提出有如下技術：相應於由基板的翹曲及變形所產生的基板的應變而使電路圖案變形後，於基板進行描繪。根據該技術，雖然層間的位置對準的精度提高，但每重疊一層會蓄積應變，因此有如下之虞：描繪於上位層的電路圖案的形狀與設計上的電路圖案的形狀背離，於基板上的電子零件的安裝變得困難。
此外，亦提出有如下技術：將表示電路圖案的圖像分割成多個區域，針對每個分割區域，相應於基板的應變使上述圖像旋轉移動。根據該技術，於各分割區域，設計上的電路圖案的形狀與實際描繪的電路圖案的形狀的偏移量(amount of deviation)得以減少。然而，於該技術中，存在如下問題：由於將圖像分割成多個區域，故而圖像處理變得複雜；以及必需相對於各分割區域形成用以於層間連接電路圖案的定位孔的機構。
作為用以解決該等問題的技術，於日本專利特開2005-157326號公報及日本專利特開2011-95742號公報中，揭示有一種描繪裝置，其圖像處理不會變得複雜，並可以抑制所描繪的電路圖案自設計上的電路圖案的偏移。
即，上述日本專利特開2005-157326號公報的描繪裝置是預先取得基板的變形資訊，基於該變形資訊，以記錄於變形後的基板的電路圖案成為與由光柵資料(raster data)表示的電路圖案相同的形狀的方式，更換該光柵資料。接著，基於經更換的光柵資料而於變形前的基板記錄電路圖案。
此外，上述日本專利特開2011-95742號公報的描繪裝置是使用描繪資料，而基於基板的位置座標的位移形態而修正基準 點的位置，其中上述描繪資料包含規定作為描繪對象的對象區域的位置座標、以及設於上述對象區域的基準點的位置。接著，基於經修正的基準點的位置，以維持上述對象區域的形狀的狀態修正上述對象區域內的各座標。
此處，於在多層配線基板的各層描繪電路圖案時，存在於描繪對象層的上位側與下位側分別設置有電路圖案層的情況。 於此情況下，存在如下問題：若進行相應於基板的應變的電路圖案的變形，則有可能於上位側或下位側，安裝用焊墊(pad)的間距(pitch)自電子零件的電極的間距而偏移，於基板上的電子零件的安裝變得困難。此外，於在描繪於基板的電路圖案上描繪用以保護電路的阻焊(solder resist)圖案時，產生與相應於基板的應變進行阻焊圖案的變形同樣的問題。
然而，於日本專利特開2005-157326號公報所揭示的技術中，基於預先把握的變形狀態而使電路圖案變形，因此於已經在下位側層設置有電路圖案的情況下，用以連接下位側的層間的配線的位置對準的精度惡化。於此情況下，存在於基板上的電子零件的安裝變得困難的可能性。
此外，於日本專利特開2011-95742號公報所揭示的技術中，存在隨著各對象區域的大小自修正前的對象區域的大小變化，而安裝用焊墊的間距自設定上的數值大幅變化的可能性。於此情況下，於基板上的電子零件的安裝亦變得困難。
本發明是鑒於上述問題而提出，其目的在於提供一種描 繪裝置、曝光描繪裝置、記憶程式的記錄媒體以及描繪方法，即便於相應於基板的應變使描繪圖案變形的情況下，亦可以高精度將電子零件安裝於基板上。
為了達成上述目的，本發明的描繪裝置包括：取得構件，取得表示第一位置的座標資料、表示描繪圖案的座標資料以及表示第二位置的座標資料，上述第一位置為設於被曝光基板的多個基準標記的設計上的位置，上述描繪圖案描繪於以上述第一位置為基準而規定的上述被曝光基板，上述第二位置為上述多個基準標記各自的實際位置；導出構件，針對每一上述多個基準標記，導出用以修正上述第一位置與上述第二位置的偏移的應變修正量；平均化構件，使由上述導出構件導出的每一上述多個基準標記的應變修正量，成為將該基準標記的應變修正量與和該基準標記最接近的基準標記的應變修正量平均化所得的值；以及修正構件，於以表示上述第二位置的座標資料為基準，而基於表示上述描繪圖案的座標資料，於上述被曝光基板描繪上述描繪圖案的情況下，基於經上述平均化構件所平均化的應變修正量，而修正表示上述描繪圖案的座標資料。
根據本發明的描繪裝置，藉由取得構件，取得表示第一位置的座標資料、表示描繪圖案的座標資料以及表示第二位置的座標資料，其中上述第一位置為設於被曝光基板的多個基準標記的設計上的位置，上述描繪圖案描繪於以上述第一位置為基準而規定的上述被曝光基板，上述第二位置為上述多個基準標記各自的實際位置；藉由導出構件，針對上述多個基準標記的各者，導出用以修正上述第一位置與上述第二位置的偏移的應變修正量。
此處，於本發明的描繪裝置中，藉由平均化構件，使由上述導出構件導出的上述多個基準標記各自的應變修正量，成為將該基準標記的應變修正量與和該基準標記最接近的基準標記的應變修正量平均化所得的值，於以表示上述第二位置的座標資料為基準，而基於表示上述描繪圖案的座標資料，於上述被曝光基板描繪上述描繪圖案的情況下，藉由修正構件，基於經上述平均化構件平均化的應變修正量，而修正表示上述描繪圖案的座標資料。
即，本發明的描繪裝置是藉由將用以修正由被曝光基板的應變所產生的基準標記的偏移的應變修正量，以接近的兩個基準標記相互平均化，而抑制該多個基準標記相互間的應變修正量，然後基於該應變修正量而修正表示描繪圖案的座標資料。本發明的描繪裝置是以此方式，來降低相對於由被曝光基板的應變所產生的基準標記的偏移的位置對準(變形)的程度。
如此，與未應用本發明的情況相比，根據本發明的描繪裝置，使相對於由被曝光基板的應變所產生的基準標記的偏移的位置對準的程度降低，因此即便於相應於基板的應變而使描繪圖案變形的情況下，亦可以高精度將電子零件安裝於基板上。
此外，本發明的描繪裝置亦可為，上述平均化構件使由上述導出構件導出的上述多個基準標記各自的應變修正量，成為該基準標記的應變修正量與和該基準標記最接近的基準標記的應變修正量的差的二分之一的值。
於此情況下，若使各基準標記的應變修正量成為該基準標記的應變修正量與和該基準標記最接近的基準標記的應變修正 量的差的二分之一的值，則於將連結該等基準標記的邊的重心的位置維持為大致固定的狀態下，變更該邊的長度。藉此，可以簡易地修正上述應變修正量。
此外，本發明的描繪裝置亦可為，上述平均化構件使由上述導出構件導出的上述多個基準標記各自的應變修正量，成為該基準標記的應變修正量與和該基準標記最接近的基準標記的應變修正量的和的二分之一的值。
於此情況下，若使各基準標記的應變修正量成為該基準標記的應變修正量與和該基準標記最接近的基準標記的應變修正量的和的二分之一的值，則於將連結該等基準標記的邊的長度維持為大致固定的狀態下，變更該邊的重心的位置。藉此，可以簡易地修正上述應變修正量。
此外，本發明的描繪裝置亦可為，上述平均化構件使由上述導出構件導出的上述多個基準標記各自的應變修正量，成為將該基準標記的應變修正量與和該基準標記最接近的基準標記的應變修正量平均化所得的值，且上述第一位置與上述第二位置的關聯越大，使該基準標記的權重越大。藉此，可以相應於被曝光基板的應變的程度而適當地修正上述應變修正量。
此外，本發明的描繪裝置亦可為，上述多個基準標記於上述被曝光基板設置成矩陣(matrix)狀，上述平均化構件使由上述導出構件導出的上述多個基準標記各自相對於列方向的應變修正量，成為將該基準標記的應變修正量與和該基準標記相對於列方向而鄰接的基準標記的應變修正量平均化所得的值，且使由上述導出構件導出的上述多個基準標記各自相對於行方向的應變修 正量，成為將該基準標記的應變修正量與和該基準標記相對於行方向而鄰接的基準標記的應變修正量平均化所得的值。藉此，可以簡易地且以高精度修正上述應變修正量。
此外，本發明的描繪裝置亦可為，上述導出構件自將上述被曝光基板的平行移動所致的偏移、旋轉所致的偏移、以及伸縮所致的偏移中的至少一者去除所得的偏移量，而導出上述應變修正量。藉此，可以更準確地導出由被曝光基板的應變所產生的應變修正量。
此外，本發明的描繪裝置亦可為，上述描繪圖案描繪於上述被曝光基板的多個區域的各者，上述基準標記設於描繪有上述描繪圖案的上述多個區域的各者，上述平均化構件使上述多個區域各自的上述應變修正量成為上述平均化的值。藉此，可以更高精度將電子零件安裝於基板上。
另一方面，為了達成上述目的，本發明的曝光描繪裝置包括本發明的描繪裝置以及曝光構件，該曝光構件是基於經上述描繪裝置的上述修正構件修正的座標資料，於上述被曝光基板曝光光束，藉此描繪上述描繪圖案。
因此，根據本發明的曝光描繪裝置，與本發明的描繪裝置同樣地發揮作用，因此與該描繪裝置同樣地，即便於相應於基板的應變而使描繪圖案變形的情況下，亦可以高精度將電子零件安裝於基板上。
此外，為了達成上述目的，本發明的程式是使電腦作為如下構件發揮功能：取得構件，取得表示第一位置的座標資料、表示描繪圖案的座標資料以及表示第二位置的座標資料，上述第 一位置為設於被曝光基板的多個基準標記的設計上的位置，上述描繪圖案描繪於以上述第一位置為基準而規定的上述被曝光基板，上述第二位置為上述多個基準標記各自的實際位置；導出構件，針對上述多個基準標記的各者，導出用以修正上述第一位置與上述第二位置的偏移的應變修正量；平均化構件，使由上述導出構件導出的上述多個基準標記各自的應變修正量，成為將該基準標記的應變修正量與和該基準標記最接近的基準標記的應變修正量平均化所得的值；以及修正構件，於以表示上述第二位置的座標資料為基準，而基於表示上述描繪圖案的座標資料，於上述被曝光基板描繪上述描繪圖案的情況下，基於經上述平均化構件所平均化的應變修正量，而修正表示上述描繪圖案的座標資料。
因此，根據本發明的程式，可使電腦與本發明的描繪裝置同樣地發揮作用，因此與該描繪裝置同樣地，即便於相應於基板的應變而使描繪圖案變形的情況下，亦可以高精度將電子零件安裝於基板上。
進而，為了達成上述目的，本發明的描繪方法包括：取得步驟，取得表示第一位置的座標資料、表示描繪圖案的座標資料以及表示第二位置的座標資料，上述第一位置為設於被曝光基板的多個基準標記的設計上的位置，上述描繪圖案描繪於以上述第一位置為基準而規定的上述被曝光基板，上述第二位置為上述多個基準標記各自的實際位置；導出步驟，針對上述多個基準標記的各者，導出用以修正上述第一位置與上述第二位置的偏移的應變修正量；平均化步驟，使由上述導出步驟導出的上述多個基準標記各自的應變修正量，成為將該基準標記的應變修正量與和 該基準標記最接近的基準標記的應變修正量平均化所得的值；以及修正步驟，於以表示上述第二位置的座標資料為基準，而基於表示上述描繪圖案的座標資料，於上述被曝光基板描繪上述描繪圖案的情況下，基於經上述平均化步驟平均化的應變修正量，而修正表示上述描繪圖案的座標資料。
因此，根據本發明的描繪方法，與本發明的描繪裝置同樣地發揮作用，因此與該描繪裝置同樣地，即便於相應於基板的應變形而使描繪圖案變形的情況下，亦可以高精度將電子零件安裝於基板上。
根據本發明，發揮如下效果：即便於相應於基板的應變而使描繪圖案變形的情況下，亦可以高精度將電子零件安裝於基板上。
10‧‧‧曝光描繪裝置
12‧‧‧平台
14‧‧‧基體
16‧‧‧基台
18‧‧‧導軌
20、32‧‧‧閘門
22‧‧‧曝光部
22a‧‧‧曝光頭
24‧‧‧光源單元
26‧‧‧光纖
28‧‧‧圖像處理單元
30‧‧‧信號線纜
34‧‧‧拍攝部
34a‧‧‧軌道
40‧‧‧系統控制部
42‧‧‧平台驅動部
44‧‧‧操作裝置
46‧‧‧拍攝驅動部
48‧‧‧外部輸入輸出部
62‧‧‧圖像
62A、62B、62C、62D‧‧‧電路圖案
64‧‧‧對象區域
66‧‧‧焊盤
68‧‧‧導通孔
C‧‧‧被曝光基板
M、M1、M2、M3、M4‧‧‧基準標記
P1‧‧‧圖像區域
P2‧‧‧完成曝光區域
S101~S121、S201、S301、S303‧‧‧步驟
SA0、SA1、SA2、SA3‧‧‧面積
X、Y、Z‧‧‧方向
圖1是表示實施方式的曝光描繪裝置的外觀的立體圖。
圖2是表示實施方式的曝光描繪裝置的主要部分的構成的立體圖。
圖3是表示實施方式的曝光描繪裝置的曝光頭(exposure head)的構成的立體圖。
圖4是表示實施方式的曝光描繪裝置中形成於被曝光基板的完成曝光區域的平面圖。
圖5是表示實施方式的曝光描繪裝置的電氣系統的構成的方 塊圖。
圖6A是供於說明實施方式的曝光描繪裝置中的曝光控制處理的原理的平面圖。
圖6B是供於說明實施方式的曝光描繪裝置中的曝光控制處理的原理的平面圖。
圖7A是表示於第一實施方式及第二實施方式的曝光描繪裝置中，成為相應於被曝光基板的應變之座標變換的對象的區域的平面圖。
圖7B是表示於第一實施方式及第二實施方式的曝光描繪裝置中，成為相應於被曝光基板的應變之座標變換的對象的區域的平面圖。
圖8是表示第一實施方式的曝光控制處理程式的處理流程的流程圖。
圖9是表示第一實施方式的曝光控制處理中的設計上的標記的位置與所測量的標記的位置的平面圖。
圖10A是表示第一實施方式的曝光描繪裝置的座標變換過程的圖像的一例的平面圖，且表示未進行相應於被曝光基板的應變之座標變換的情況。
圖10B是表示第一實施方式的曝光描繪裝置的座標變換過程的圖像的一例的平面圖，且表示已進行x方向的座標變換的情況。
圖10C是表示第一實施方式的曝光描繪裝置的座標變換過程的圖像的一例的平面圖，且表示已進行x方向及y方向的座標變換的情況。
圖11是供於說明第一實施方式的曝光控制處理中的相應於 被曝光基板的應變的座標變換的方法的平面圖。
圖12是表示於第一實施方式的曝光描繪裝置中，於被曝光基板多層地描繪電路圖案的情況下之被曝光基板的一例的剖面圖。
圖13是表示於第一實施方式的曝光描繪裝置中，於被曝光基板多層地描繪電路圖案的情況下之描繪於各層的圖像的一例的平面圖。
圖14是表示第二實施方式的曝光控制處理程式的處理流程的流程圖。
圖15A是表示第二實施方式的曝光描繪裝置的座標變換過程的圖像的一例的平面圖，且表示未進行相應於被曝光基板的應變之座標變換的情況。
圖15B是表示第二實施方式的曝光描繪裝置的座標變換過程的圖像的一例的平面圖，且表示已進行x方向的座標變換的情況。
圖15C是表示第二實施方式的曝光描繪裝置的座標變換過程的圖像的一例的平面圖，且表示已進行x方向及y方向的座標變換的情況。
圖16A是表示於第三實施方式的曝光描繪裝置中，成為相應於被曝光基板的應變之座標變換的對象的區域的平面圖。
圖16B是表示於第三實施方式的曝光描繪裝置中，成為相應於被曝光基板的應變之座標變換的對象的區域的平面圖。
圖16C是表示於第三實施方式的曝光描繪裝置中，成為相應於被曝光基板的應變之座標變換的對象的區域的平面圖。
圖17A是表示於第三實施方式的曝光描繪裝置中，成為相應於被曝光基板的應變之座標變換的對象的區域的平面圖。
圖17B是表示於第三實施方式的曝光描繪裝置中，成為相應於被曝光基板的應變之座標變換的對象的區域的平面圖。
圖17C是表示於第三實施方式的曝光描繪裝置中，成為相應於被曝光基板的應變之座標變換的對象的區域的平面圖。
圖18是表示第三實施方式的曝光控制處理程式的處理流程的流程圖。
[第一實施方式]
以下，使用附圖對實施方式的曝光描繪裝置進行詳細說明。此外，本實施方式中，列舉將本發明應用於曝光描繪裝置的情況作為例子進行說明，該曝光描繪裝置是對被曝光基板(下述被曝光基板C)曝光光束而描繪電路圖案、表示阻焊層的零件安裝用開口孔的阻焊圖案等描繪圖案。此外，被曝光基板C是印刷電路板(printed circuit board)、平板顯示器(flat panel display)用玻璃基板等平板基板。
如圖1及圖2所示，本實施方式的曝光描繪裝置10包括用以固定被曝光基板C的平板狀平台(stage)12。於平台12的上表面設置有吸入空氣的多個吸入孔。藉此，於在平台12的上表面載置被曝光基板C時，藉由吸入被曝光基板C與平台12間的空氣，而將被曝光基板C真空吸附於平台12。
此外，以下，將平台12移動的方向規定為Y方向，將相對於該Y方向而於水平面內正交的方向規定為X方向，將與Y方向於鉛垂面內正交的方向規定為Z方向。
此外，平台12由平板狀的基台16所支撐，該基台16設置為可於桌狀的基體14的上表面移動。即，於基體14的上表面設置有1根或多根(本實施方式中為2根)導軌18。基台16是以可沿導軌18在Y方向自由地移動的方式支撐，藉由包含馬達等的驅動機構(下述平台驅動部42)而驅動，從而進行移動。平台12連動於基台16的移動而沿導軌18向Y方向移動。
於基體14的上表面設置有以跨越2根導軌18的方式立設的閘門20。載置於平台12的被曝光基板C是以沿導軌18進出閘門20的開口部的方式移動。於閘門20的開口部的上部，安裝有朝向該開口部曝光光束的曝光部22。藉由該曝光部22，於平台12沿導軌18移動而位於上述開口部的情況下，對載置於平台12的被曝光基板C的上表面曝光光束。
本實施方式的曝光部22是包含多個(本實施方式中為10個)曝光頭22a而構成。各曝光頭22a是於曝光部22中排列成矩陣狀。此外，於曝光部22分別連接有光纖26及信號線纜30，該光纖26是自下述的光源單元24抽出，該信號線纜30是自下述的圖像處理單元28抽出。
各曝光頭22a具有作為反射型的空間光調變元件的數位微鏡裝置(Digital Micro-mirror Device，DMD)。曝光頭22a是藉由基於自圖像處理單元28所輸入的圖像資訊來控制DMD，而調變來自光源單元24的光束。曝光描繪裝置10藉由將該經調變的光束照射至被曝光基板C而對被曝光基板C進行曝光。此外，空間光調變元件並不限定於反射型，亦可為液晶等透射型的空間光調變元件。
於基體14的上表面，進而設置有以跨越2根導軌18的方式立設的閘門32。載置於平台12的被曝光基板C是以沿導軌18進出閘門32的開口部的方式移動。
於閘門32的開口部的上部，安裝有用以拍攝開口部的1個或多個(本實施方式中為2個)拍攝部34。拍攝部34是內設有1次發光時間極短的閃光儀(stroboscope)的電荷耦合器件(Charge Coupled Device，CCD)相機等。此外，於閘門32的開口部的上部，在水平面內沿相對於平台12的移動方向(Y方向)垂直的方向(X方向)設置有軌道34a，各個拍攝部34由軌道34a導引而可移動地設置。藉由該拍攝部34，於平台12沿導軌18移動而位於上述開口部的情況下，拍攝載置於平台12的被曝光基板C的上表面。
其次，對本實施方式的利用曝光頭22a的曝光處理進行說明。
如圖3所示，由曝光頭22a曝光的區域，即，圖像區域P1，其是一邊相對於平台12的移動方向(Y方向)而以預先規定的傾斜角傾斜的矩形狀。此外，若平台12於在閘門20的開口部移動時藉由曝光頭22a曝光光束，則隨著平台12的移動，而於被曝光基板C，相對於每個曝光頭22a形成帶狀的完成曝光區域P2。
此外，如圖4所示，矩陣狀排列的各個曝光頭22a是於X方向以圖像區域P1的長邊的長度的自然數倍(本實施方式中為1倍)的距離逐一地偏移配置。而且，各個完成曝光區域P2是與鄰接的完成曝光區域P2局部地重疊而形成。
其次，對本實施方式的曝光描繪裝置10的電氣系統的 構成進行說明。
如圖5所示，於曝光描繪裝置10中設置有系統控制部40，該系統控制部40分別電性連接於裝置各部，藉由該系統控制部40而統一地控制曝光描繪裝置10的各部。此外，曝光描繪裝置10包括平台驅動部42、操作裝置44、拍攝驅動部46以及外部輸入輸出部48。
系統控制部40包括中央處理單元(Central Processing Unit，CPU)、隨機存取記憶體(Random Access Memory，RAM)、唯讀記憶體(Read Only Memory，ROM)、以及硬碟驅動器(Hard Disk Drive，HDD)。此外，系統控制部40藉由上述CPU使光束自光源單元24出射，並且於對應平台12的移動的時序(timing)藉由圖像處理單元28輸出對應的圖像資訊，藉此控制對被曝光基板C的光束的曝光。
平台驅動部42具有包含馬達或油壓泵等的驅動機構，藉由系統控制部40的控制而驅動平台12。
操作裝置44包括顯示部與輸入部，該顯示部是藉由系統控制部40的控制而顯示各種資訊，該輸入部是藉由使用者操作而輸入各種資訊。
拍攝驅動部46具有包含馬達或油壓泵等的驅動機構，藉由系統控制部40的控制而驅動拍攝部34。
外部輸入輸出部48是與連接於曝光描繪裝置10的個人電腦等資訊處理裝置之間進行各種資訊的輸入輸出。
此處，本實施方式的曝光描繪裝置10如上所述般，對被曝光基板C描繪由圖像資訊表示的描繪圖案等圖像。另一方 面，如圖2所示，於被曝光基板C設置有作為描繪圖像時之定位的基準的對準標記(以下稱為「基準標記」)M。曝光描繪裝置10是於對被曝光基板C曝光光束前，藉由拍攝部34拍攝基準標記M，根據所拍攝的圖像測量基準標記M的位置。接著，曝光描繪裝置10根據所測量的位置而決定描繪圖像的區域。
即，如圖6A所示，於本實施方式的被曝光基板C設置有上述的4個基準標記M1至M4(以下，亦將4個基準標記統稱為基準標記M)。此外，於被曝光基板C，通常相對於基準標記M1至M4而於預先規定的相對位置描繪圖像62。此外，本實施方式中，分別於圖6A及圖6B的正視左上的位置設置有基準標記M1，於右上的位置設置有基準標記M2，於左下的位置設置有基準標記M3，以及於右下的位置設置有基準標記M4。
此外，曝光描繪裝置10是基於所測量的基準標記M1至M4的各個位置自設計上的基準標記M1至M4的位置的偏移量，而推測被曝光基板C的應變。而且，曝光描繪裝置10相應於所推測的被曝光基板C的應變，作為一例，如圖6B所示般使圖像62變形，並將變形的圖像62描繪於被曝光基板C。
此外，於本實施方式的曝光描繪裝置10中，於相應於被曝光基板C的應變而使圖像變形時，作為一例，如圖7A所示，可將作為描繪對象的區域整體設為座標變換的對象，即，對象區域(圖7A及圖7B中以點花紋表示的區域)64。對象區域64並不限定於此，若預先規定相對於基準標記M1至M4的相對位置關係，則可以設置為任意的大小及形狀。例如，如圖7B所示，亦可將由4個基準標記M1至M4包圍的矩形狀區域設為對象區域64。 本實施方式中，將由4個基準標記M1至M4包圍的矩形狀區域設為對象區域64。
此外，於在被曝光基板C的端部等描繪被曝光基板C的識別編號等電路圖案以外的圖像的情況下，可不對該圖像的描繪區域進行座標變換而僅對電路圖案的描繪區域進行座標變換。 其原因在於，例如，於對表示被曝光基板C的識別編號的圖像進行曝光描繪的情況等，相應於被曝光基板C的應變而不使該圖像變形更容易確認描繪內容。
其次，參照圖8，對本實施方式的曝光描繪裝置10的作用進行說明。此外，圖8是表示於經由操作裝置44輸入執行指示時，藉由曝光描繪裝置10的系統控制部40執行的曝光控制處理程式的處理流程的流程圖。該程式是預先記憶於設於系統控制部40的ROM的預定區域中。
首先，於步驟S101中，取得表示描繪於被曝光基板C的圖像(本實施方式中為表示外廓形狀設為矩形狀的描繪圖案的圖像)的座標資料(本實施方式中為向量資料)，即，圖像資訊。 此時，系統控制部40讀出HDD中所記憶的圖像資訊，或者藉由經由外部輸入輸出部48而自外部輸入圖像資訊，而取得圖像資訊。本實施方式中，由圖像資訊表示的圖像的外廓形狀為矩形狀，但並不限定於此，亦可為任意形狀。此外，本實施方式中，上述圖像資訊為表示描繪圖案等的向量資料，但並不限定於此，亦可為光柵資料。
於接下來的步驟S103中，取得表示被曝光基板C的設計上的基準標記M1至M4的位置(第一位置)的位置資訊作為座 標資料。此時，系統控制部40讀出HDD中預先記憶的位置資訊，或者藉由經由外部輸入輸出部48而自外部輸入位置資訊，而取得該位置資訊。
或者，亦可於HDD中預先記憶對應表，該對應表是將被曝光基板C的識別資訊與表示設計上的基準標記M1至M4的位置的位置資訊建立關聯，基於該對應表而導出設計上的基準標記M1至M4的位置。更具體而言，亦可根據藉由下述步驟S107的標記測量所獲得的基準標記M1至M4的位置，而識別被曝光基板C，並且取得與藉由識別所獲得的被曝光基板C的識別資訊建立有關聯的位置資訊。
於接下來的步驟S105中，控制平台驅動部42，以使平台12移動至底下所述位置為止，即，各個基準標記M1至M4包含於拍攝部34的拍攝區域的位置上被曝光基板C所處的位置。
於接下來的步驟S107中，測量實際的基準標記M1至M4的位置(第二位置)。此時，系統控制部40自拍攝部34所拍攝的圖像而提取對應基準標記M1至M4的區域，導出基準標記M的位置座標。本實施方式中，將上述所拍攝的圖像中的基準標記M的區域的重心座標作為基準標記M1至M4的位置座標。此外，本實施方式中，自所拍攝的圖像而導出基準標記M的位置座標，但並不限定於此，亦可自外部輸入表示利用測量而獲得的基準標記M的位置座標的資訊。
作為一例，如圖9所示，所測量的基準標記M1至M4的位置存在分別自設計上的基準標記M1至M4的位置偏移的情況。此外，圖9中，將所測量的基準標記M1至M4的位置以實線 表示，將設計上的基準標記M1至M4的位置以虛線表示。此外，以下，如圖9所示，將被曝光基板C的正視左右方向設為x方向，將正視上下方向設為y方向而進行說明。
於接下來的步驟S109中，根據步驟S103的處理中取得的設計上的基準標記M1至M4的位置與步驟S107的處理中獲得的實際的基準標記M1至M4的位置的偏移量，來導出被曝光基板C的旋轉量、偏位(offset)量、伸縮倍率中的至少一者。此外，此處所謂的上述旋轉量，是指預先規定的正交座標系(本實施方式中，作為一例，為圖9所示的x-y座標系)中，自設計上的基準標記M的位置至對應的實際的基準標記M的位置的旋轉角度。 此外，此處所謂的上述偏位量，是指上述正交座標系中，自設計上的基準標記M的位置至對應的實際的基準標記M的位置的平行移動量。而且，此處所謂的上述伸縮倍率，是指上述正交座標系中，自設計上的基準標記M的位置至對應的實際的基準標記M的位置的擴大或縮小倍率。本實施方式中，導出所有的被曝光基板C的旋轉量、偏位量、伸縮倍率。此時，藉由使用4個基準標記M1至M4的各座標的最小平方法，導出關於被曝光基板C的x方向的偏位量ofsx、y方向的偏位量ofsy、x方向的伸縮倍率kx、y方向的伸縮倍率ky、旋轉量θ等各參數。
即，於導出上述各參數時，設計上的基準標記M1至M4的位置與實際的基準標記M1至M4的位置包含上述各參數而具有明確的關係。於此情況下，以上述各參數的平均偏差達到最小的方式決定上述各參數(作為一例，參照日本專利特開昭61-44429號公報等)。決定該上述各參數的方法為仿射轉換(affine transformation)等中所使用的已知的方法，因此此處省略其以外的說明。
於接下來的步驟S111中，導出用以修正被曝光基板C的應變的應變修正量(dx，dy)。此外，被曝光基板C的應變量是由4個基準標記M1至M4的各偏移量表示。因此，將用以修正該被曝光基板C的應變的應變修正量相對於各個基準標記M1至M4分別表示為(dx0，dy0)至(dx3，dy3)。本實施方式中，將各基準標記M1至M4的應變修正量設為下述殘差(偏移量)，即，基於步驟S109中導出的偏位量、伸縮倍率及旋轉量進行修正後之設計上的基準標記M1至M4的位置與實際的基準標記M1至M4的位置的殘差(偏移量)。
於接下來的步驟S113中，自各基準標記M的應變修正量(dx，dy)減去鄰接於該基準標記M的1個基準標記M的應變修正量(dx，dy)並分成二等份，藉此將各基準標記M的應變修正量(dx，dy)平均化。此時，關於x方向的應變修正量dx，其是自該基準標記M的應變修正量減去於x方向鄰接的基準標記M(相對於基準標記M1為基準標記M2、相對於基準標記M2為基準標記M1、相對於基準標記M3為基準標記M4、相對於基準標記M4為基準標記M3)的應變修正量。此外，關於y方向的應變修正量dy，其是自該基準標記M的應變修正量減去於y方向鄰接的基準標記M(相對於基準標記M1為基準標記M3、相對於基準標記M3為基準標記M1、相對於基準標記M2為基準標記M4、相對於基準標記M4為基準標記M2)的應變修正量。此外，應變修正量(dx，dy)是於x方向或y方向上分別將一方的方向規定 為+方向的值。
本實施方式中，系統控制部40藉由將應變修正量(dx，dy)的值代入如下(1)式中，而導出平均化的應變修正量(dx'，dy')。
例如，如圖10A所示，實際的基準標記M1至M4自設計上的基準標記M1至M4的位置分別向任意的方向偏移。於此情況下，如圖10B所示，基於平均化的x方向的應變修正量dx，而修正設計上的基準標記M1至M4的位置。此外，如圖10C所示，基於平均化的y方向的應變修正量dy，而修正於x方向修正的基準標記M1至M4的位置。藉此，於基於修正的基準標記M1至M4的位置而使描繪對象的圖像變形時，該圖像的各邊的重心的位置大致維持為固定，並且各邊的倍率變化，藉由將接近的頂點按比例分配，而抑制該圖像的各頂點的位置的移動。
於接下來的步驟S115中，根據藉由步驟S113的處理獲得的應變修正量(dx'，dy')，將上述圖像資訊中作為座標變換的對象的座標(x1，y1)變換為相應於被曝光基板C的應變而修正的座標(xm，ym)。
此時，本實施方式中，作為一例如圖11所示，藉由系統控制部40，基於上述圖像資訊與作為座標變換的對象的座標值，將由上述圖像資訊表示的圖像分割成多個(例如4個)區域，導出各分割區域的面積SA0至SA3。此處，於進行該分割時，如圖11所示，於由上述圖像資訊表示的圖像中，藉由繪製包含作為變換對象的座標且相對於上述圖像的各邊平行的直線，而分割成4個區域。本實施方式中，關於各分割區域，分別將圖11的正視左上區域的面積表示為SA0，將右上區域的面積表示為SA1，將左下區域的面積表示為SA2，將右下區域的面積表示為SA3。
此外，系統控制部40是將以此方式獲得的分割區域的面積SA0至SA3、與由步驟S113的處理獲得的應變修正量(dx'，dy')代入如下(2)式中。藉此，所獲得的值為上述圖像資訊中作為座標變換的對象的各座標(x1，y1)的應變修正量(ddx，ddy)。
例如，如圖11所示，於dx0'=1、dx1'=2、dx2'=5、dx3'=10、SA0=1、SA1=3、SA2=3、SA3=9、SS=16的情況下，ddx=(10×9+5×3+2×3+1×1)/16=7。
此外，應變修正量(ddx，ddy)的導出方法並不限定於此。即，於將作為描繪對象的圖像的座標資料中的位置座標設為P(x，y)的情況下，求出相對於基準矩形的各邊的內分比。亦可 對修正後的圖像規定對應於該內分比的位置P'，將位置P與位置P'的偏移量設定為應變修正量(ddx，ddy)。
進而，系統控制部40將上述圖像資訊中的各座標的應變修正量(ddx，ddy)、x方向的偏位量ofsx、y方向的偏位量ofsy、x方向的伸縮倍率kx、y方向的伸縮倍率ky、旋轉量θ代入如下(3)式中。藉此，所獲得的值成為相應於被曝光基板C的應變並基於被曝光基板C的應變修正量而修正各座標(x1，y1)所得的座標(xm，ym)。
[數3]xm=(kx×x1+ddx)×cos θ-(ky×y1+ddy)×sin θ+ofsx ym=(kx×x1+ddx)×sin θ+(ky×y1+ddy)×cos θ+ofsy...(3)
於接下來的步驟S117中，控制平台驅動部42，以使平台12移動至下述位置，即，於藉由自曝光部22出射的光束曝光被曝光基板C的上表面的位置上被曝光基板C所處的位置。
於接下來的步驟S119中，以使用由上述步驟S115的處理所獲得的座標(xm，ym)，使由上述圖像資訊表示的圖像描繪於被曝光基板C的方式，經由光源單元24及圖像處理單元28來控制曝光頭22a。此時，系統控制部40一面藉由以使平台12按預先規定的速度移動的方式來控制平台驅動部42，而使被曝光基板C移動，一面以使上述圖像描繪於被曝光基板C的方式來控制曝光頭22a。
於接下來的步驟S121中，控制平台驅動部42，以使平台12移動直至位於被曝光基板C能自平台12卸除的位置為止後，結束本曝光控制處理程式的執行。
例如，如圖12所示，於在被曝光基板C自下位側依序積層多層(例如4層)電路圖案62A至62D而描繪的情況下，於每次各層的描繪結束時進行顯影、蝕刻、剝離等化學處理。進而，為了重疊層，而進行預浸體層的積層、導通孔的加工、填孔(filled via)鍍敷、粗化處理、乾膜光阻(Dry Film photoResist，DFR)的層壓(lamination)等。因此，如圖13所示，設想對於第一層電路圖案62A、第二層電路圖案62B、第三層電路圖案62C、第四層電路圖案62D，每重疊一層，被曝光基板C的應變增大。
本實施方式中，於描繪電路圖案時，相對於每層，以相應於被曝光基板C的應變而維持各邊的重心的位置的方式，使該電路圖案變形，藉此抑制作為描繪對象的圖像的各頂點的移動。 若抑制該圖像的各頂點的移動，則作為一例，如圖12所示般，可以將導通孔68收容至被曝光基板C的焊盤66的內部。藉此，即便於相應於被曝光基板C的應變而使電路圖案變形的情況下，亦可將電子零件以高精度安裝於基板上。
此外，於在被曝光基板C積層多個電路圖案而描繪的情況、且在被曝光基板C的最上位層描繪電路圖案的情況下，亦可將應變修正量(dx'，dy')設為(0，0)而進行上述(3)式的計算。即，於在多層配線基板的最上位層積載預先規定之形狀的電子零件的情況下，若描繪於最上位的電路圖案的應變修正量較大，則所描繪的電路圖案大幅變形而無法安裝該電子零件的可能性變高。然而，藉由於最上位層中不進行相應於該應變的修正，而避免最上位層的電路圖案的變形，防止因該電路圖案的形狀與電子零件的形狀不吻合而導致無法將該電子零件安裝於被曝光基 板C。
此外，本實施方式中，藉由自基準標記M的應變修正量減去鄰接於該基準標記M之基準標記M的應變修正量並分成二等份，而將應變修正量平均化，但平均化的方法並不限定於此。例如，亦可導入權重係數，並使用所導入的權重係數進行加權平均，其中上述權重係數是關於各個基準標記M的設計上位置與實際位置的偏移越大，使該基準標記M的影響越小。
進而，本實施方式中，對將本發明應用於在被曝光基板C曝光光束而描繪描繪圖案的曝光描繪裝置10的情況進行了說明，但並不限定於此。即，可以將本發明應用於任意的描繪裝置，此描繪裝置是用以基於設於被描繪體的基準標記的位置而描繪作為描繪對象的圖像。此外，亦可將本發明應用於用以形成導通孔等的雷射加工裝置及鑽孔加工裝置，上述導通孔用以電性連接描繪電路圖案的各層的層間。藉此，可實現更高的形狀性，且可提高層間的位置對準的精度。
[第二實施方式]
以下，對本發明的第二實施方式的曝光描繪裝置10進行說明。
第二實施方式的曝光描繪裝置10是與第一實施方式的曝光描繪裝置10同樣地設為圖1至圖6B所示的構成。
此外，第一實施方式的曝光描繪裝置10是將鄰接的基準標記M的應變修正量的差量分成二等份而設為應變修正量(dx'，dy')，而第二實施方式的曝光描繪裝置10是將鄰接的基準標記M的應變修正量的和分成二等份而設為應變修正量(dx'， dy')。
其次，參照圖14，說明本實施方式的曝光描繪裝置10的作用。此外，圖14是表示於經由操作裝置44輸入執行指示時，藉由第二實施方式的曝光描繪裝置10的系統控制部40而執行的曝光控制處理程式的處理流程的流程圖。該程式是預先記憶於系統控制部40的ROM的預定區域中。此外，對圖14中之與圖8進行相同的處理的步驟標附與圖8相同的步驟編號，原則上省略其說明。
首先，於步驟S101至步驟S111中，分別進行與第一實施方式的步驟S101至步驟S111同樣的處理。
於接下來的步驟S201中，對各個基準標記M的應變修正量(dx，dy)加上鄰接於該基準標記M的1個基準標記M的應變修正量(dx，dy)並分成二等份，藉此將各個基準標記M的應變修正量(dx，dy)平均化。此外，關於x方向的應變修正量dx，對該基準標記的應變修正量加上於x方向鄰接的基準標記的應變修正量。此外，關於y方向的應變修正量dy，對該基準標記的應變修正量加上於y方向鄰接的基準標記的應變修正量。進而，應變修正量(dx，dy)是於x方向或y方向上分別將一方的方向規定為+方向的值。
本實施方式中，系統控制部40是藉由將應變修正量(dx，dy)的值代入如下(4)式中，而導出平均化的應變修正量(dx'，dy')。
[數4]
例如，如圖15A所示，步驟S107的處理中獲得的基準標記M1至M4自設計上的基準標記M1至M4的位置分別向任意的方向偏移。於此情況下，如圖15B所示，基於平均化的x方向的應變修正量dx，而修正設計上的基準標記M1至M4的位置。 此外，如圖15C所示，基於平均化的y方向的應變修正量dy，而修正於x方向修正的基準標記M1至M4的位置。於基於經修正的基準標記M1至M4的位置而使描繪對象的圖像變形時，將該圖像的各邊的長度維持為大致固定，並且使各邊的重心變化，將接近的頂點的按比例分配。藉此，各座標的變換前後的移動量的差異減小，抑制該圖像的各頂點的位置的移動。
於接下來的步驟S117至步驟S121中，分別進行與第一實施方式的步驟S117至步驟S121同樣的處理後，結束本曝光控制處理程式的執行。
此外，本實施方式中，藉由將基準標記M的應變修正量與鄰接於該基準標記M之基準標記M的應變修正量相加並分成二等份，而將應變修正量平均化，但平均化的方法並不限定於此。 例如，亦可導入權重係數，並使用所導入的權重係數進行加權平均，其中上述權重係數是關於各個基準標記M的設計上的位置與 實際位置的偏移越大，使該基準標記M的影響越小。
[第三實施方式]
以下，對本發明的第三實施方式的曝光描繪裝置10進行說明。
第三實施方式的曝光描繪裝置10是與第一實施方式及第二實施方式的曝光描繪裝置10同樣地設為圖1至圖6B所示的構成。
第一實施方式及第二實施方式的曝光描繪裝置10是於1個對象區域64中，基於4個基準標記M1至M4，進行相應於被曝光基板C的應變的座標變換。另一方面，第三實施方式的曝光描繪裝置10是對多個對象區域64，分別基於不同的基準標記M，而進行相應於被曝光基板C的應變的座標變換。
例如，如圖16A所示，上述多個對象區域64可以作為將由圖像資訊表示的圖像分割成多個(例如4個)區域而成的各個區域。此外，於分割上述圖像時，以如下方式進行分割：以排列成格子狀的方式所設置的基準標記M中之排列成兩列兩行的4個基準標記M包含於各分割區域中。
或者，如圖16B所示，亦可於將上述圖像的外周部設為非對象區域後，將自上述圖像去除非對象區域後的區域分割成多個(例如4個)區域而成的區域設為對象區域64。此外，於分割上述圖像時，以如下方式進行分割：由以排列成矩陣狀的方式所設置的基準標記M中之排列成兩列兩行的4個基準標記M包圍的區域，作為各分割區域。
或者，如圖16C所示，亦可提取多個上述圖像中的部分 區域(例如4個)，將所提取的各個區域設為對象區域64。此外，可以如下方式提取上述各個部分區域：各對象區域64的角部分別位於，以排列成矩陣狀的方式所設置的基準標記M中之排列成兩列兩行的4個基準標記M的每一個附近。
或者，如圖17A所示，上述多個對象區域64亦可設為將由圖像資訊表示的圖像分割成多個(例如4個)區域而成的各個區域。此外，以上述多個對象區域64的各者包含排列成兩列兩行的4個基準標記M的方式進行分割。
或者，如圖17B所示，亦可於將上述圖像的外周部設為非對象區域後，將自上述圖像去除非對象區域後的區域分割成多個(例如4個)區域而成的區域，設為對象區域64。此外，以上述多個對象區域64的各者包含排列成兩列兩行的4個基準標記M的方式進行分割。
或者，如圖17C所示，亦可提取多個上述圖像中的部分區域(例如4個)，將所提取的各個區域設為對象區域64。此外，根據各對象區域64的形狀或大小，而於各對象區域64的內部或各對象區域64的外周附近形成排列成兩列兩行的4個基準標記M。
其次，參照圖18，說明本實施方式的曝光描繪裝置10的作用。此外，圖18是表示於經由操作裝置44輸入執行指示時，藉由第三實施方式的曝光描繪裝置10的系統控制部40而執行的曝光控制處理程式的處理流程的流程圖。該程式是預先記憶於系統控制部40的ROM的預定區域中。此外，對圖18中與圖8進行相同的處理的步驟標附與圖8相同的步驟編號，原則上省略其說 明。
首先，步驟S101至步驟S107中，分別進行與第一實施方式的步驟S101至步驟S107同樣的處理。
於接下來的步驟S301中，對與多個對象區域64中的1個對象區域64對應的基準標記M，以與步驟S109同樣的方法導出被曝光基板C的旋轉量、偏位量、伸縮倍率。
於接下來的步驟S111至步驟S117中，分別進行與第一實施方式的步驟S111至步驟S117同樣的處理。
於接下來的步驟S303中，對與多個對象區域64中的所有對象區域64對應的基準標記M，判定是否進行步驟S117中的座標變換。於在步驟S303中為否定判定的情況下，返回至步驟S301。
另一方面，於在步驟S303中為肯定判定的情況下，移行至步驟S119，於步驟S119至步驟S121中，分別進行與第一實施方式的步驟S119至步驟S121同樣的處理，而結束本曝光控制處理程式的執行。
此外，於使描繪於被曝光基板C中的多個區域的各者的電路圖案變形的情況下，亦可以鄰接的區域間所描繪的描繪圖案不重疊的方式，藉由平行移動或旋轉移動而調整描繪圖案的描繪區域。
此外，第三實施方式是將如下構成應用於第一實施方式的實施方式，即，於被曝光基板C中的多個區域的各者描繪描繪圖案，並且於多個區域各自的應變修正量進行平均化的構成，但應用上述構成的實施方式並不限定於此。即，亦可將上述構成應 用於第二實施方式。
關於日本專利申請案2012-1779936號的揭示，其全文通過引用而併入至本說明書中。
本說明書中所記載的所有文獻、專利申請案以及技術標準是與具體且逐一記載藉由參照引用各個文獻、專利申請案以及技術標準的情況程度相同地藉由參照併入本說明書中。
S101~S119、S121‧‧‧步驟

Claims (10)

  1. 一種描繪裝置，包括：取得構件，取得表示第一位置的座標資料、表示描繪圖案的座標資料以及表示第二位置的座標資料，上述第一位置為設於被曝光基板的多個基準標記的設計上的位置，上述描繪圖案描繪於以上述第一位置為基準而規定的上述被曝光基板，上述第二位置為上述多個基準標記各自的實際位置；導出構件，針對每一上述多個基準標記，導出用以修正上述第一位置與上述第二位置的偏移的應變修正量；平均化構件，使由上述導出構件導出的每一上述多個基準標記的應變修正量，成為將該基準標記的應變修正量及在與平均化的應變修正量的方向相同的方向上和該基準標記鄰接的基準標記的應變修正量平均化所得的值；以及修正構件，於以表示上述第二位置的座標資料為基準，而基於表示上述描繪圖案的座標資料，於上述被曝光基板描繪上述描繪圖案的情況下，基於經上述平均化構件所平均化的應變修正量，而修正表示上述描繪圖案的座標資料。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的描繪裝置，其中上述平均化構件是使由上述導出構件導出的每一上述多個基準標記的應變修正量，成為該基準標記的應變修正量及在與平均化的應變修正量的方向相同的方向上和該基準標記鄰接的基準標記的應變修正量的差的二分之一的值。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的描繪裝置，其中上述平均化構件是使由上述導出構件導出的每一上述多個基 準標記的應變修正量，成為該基準標記的應變修正量及在與平均化的應變修正量的方向相同的方向上和該基準標記鄰接的基準標記的應變修正量的和的二分之一的值。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的描繪裝置，其中上述平均化構件是使由上述導出構件導出的每一上述多個基準標記的應變修正量，成為將該基準標記的應變修正量及在與平均化的應變修正量的方向相同的方向上和該基準標記鄰接的基準標記的應變修正量平均化所得的值，且上述第一位置與上述第二位置的關聯越大，使該基準標記的權重越大。
  5. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的描繪裝置，其中上述多個基準標記是於上述被曝光基板設置成矩陣狀，上述平均化構件是使由上述導出構件導出的每一上述多個基準標記之相對於列方向的應變修正量，成為將該基準標記的應變修正量與和該基準標記相對於上述列方向鄰接的基準標記的應變修正量平均化所得的值，且使由上述導出構件導出的每一上述多個基準標記之相對於行方向的應變修正量，成為將該基準標記的應變修正量與和該基準標記相對於上述行方向鄰接的基準標記的應變修正量平均化所得的值。
  6. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的描繪裝置，其中上述導出構件是自將上述被曝光基板的平行移動所致的偏移、旋轉所致的偏移、以及伸縮所致的偏移中的至少一者去除所 得的偏移量，而導出上述應變修正量。
  7. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的描繪裝置，其中上述描繪圖案描繪於上述被曝光基板的多個區域的各者，上述基準標記設於描繪有上述描繪圖案的上述多個區域的各者，上述平均化構件是使每一上述多個區域的上述應變修正量成為上述平均化的值。
  8. 一種曝光描繪裝置，包括：如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的描繪裝置；以及曝光構件，基於經上述描繪裝置的上述修正構件修正的座標資料，對上述被曝光基板曝光光束，藉此描繪上述描繪圖案。
  9. 一種描繪方法，包括：(a)取得表示第一位置的座標資料、表示描繪圖案的座標資料以及表示第二位置的座標資料，上述第一位置為設於被曝光基板的多個基準標記的設計上的位置，上述描繪圖案描繪於以上述第一位置為基準而規定的上述被曝光基板，上述第二位置為上述多個基準標記各自的實際位置；(b)針對每一上述多個基準標記，導出用以修正上述第一位置與上述第二位置的偏移的應變修正量；(c)使由上述(b)導出的每一上述多個基準標記的應變修正量，成為將該基準標記的應變修正量及在與平均化的應變修正量的方向相同的方向上和該基準標記鄰接的基準標記的應變修正 量平均化所得的值；(d)於以表示上述第二位置的座標資料為基準，而基於表示上述描繪圖案的座標資料，於上述被曝光基板描繪上述描繪圖案的情況下，基於經上述(c)平均化的應變修正量而修正表示上述描繪圖案的座標資料。
  10. 一種記錄媒體，其是記憶有用以使電腦執行描繪程序的程式的電腦可讀取記錄媒體，且上述描繪程序包括：(a)取得表示第一位置的座標資料、表示描繪圖案的座標資料以及表示第二位置的座標資料，上述第一位置為設於被曝光基板的多個基準標記的設計上的位置，上述描繪圖案描繪於以上述第一位置為基準而規定的上述被曝光基板，上述第二位置為上述多個基準標記各自的實際位置；(b)針對每一上述多個基準標記，導出用以修正上述第一位置與上述第二位置的偏移的應變修正量；(c)使由上述(b)導出的每一上述多個基準標記的應變修正量，成為將該基準標記的應變修正量及在與平均化的應變修正量的方向相同的方向上和該基準標記鄰接的基準標記的應變修正量平均化所得的值；(d)於以表示上述第二位置的座標資料為基準，而基於表示上述描繪圖案的座標資料，於上述被曝光基板描繪上述描繪圖案的情況下，基於經上述(c)平均化的應變修正量而修正表示上述描繪圖案的座標資料。
TW102117817A 2012-08-14 2013-05-21 描繪裝置、曝光描繪裝置、描繪方法以及記錄媒體 TWI588625B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012179936A JP5975785B2 (ja) 2012-08-14 2012-08-14 描画装置、露光描画装置、プログラム及び描画方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201407303A TW201407303A (zh) 2014-02-16
TWI588625B true TWI588625B (zh) 2017-06-21

Family

ID=50286372

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102117817A TWI588625B (zh) 2012-08-14 2013-05-21 描繪裝置、曝光描繪裝置、描繪方法以及記錄媒體

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP5975785B2 (zh)
KR (1) KR102147105B1 (zh)
CN (1) CN104641300B (zh)
TW (1) TWI588625B (zh)
WO (1) WO2014027484A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110191568B (zh) 2018-02-22 2022-05-13 奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司 使用物理对准标记和虚拟对准标记进行对准
EP3886541A1 (en) * 2020-03-26 2021-09-29 AT & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft Alignment with limited non-linear deformation compensation of component carrier structure

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03150835A (ja) * 1989-11-08 1991-06-27 Toshiba Corp 荷電ビーム描画方法
JP2005116929A (ja) * 2003-10-10 2005-04-28 Fuji Photo Film Co Ltd パターン製造システム
TW200941152A (en) * 2008-03-31 2009-10-01 Dainippon Screen Mfg Pattern drawing apparatus and pattern drawing method
TW201123267A (en) * 2003-06-19 2011-07-01 Nikon Corp Exposure apparatus, and device manufacturing method
TW201209886A (en) * 2010-07-19 2012-03-01 Asml Netherlands Bv Method and apparatus for determining an overlay error

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08192337A (ja) * 1995-01-10 1996-07-30 Hitachi Ltd 位置合わせ方法
JP2001351843A (ja) * 2000-06-06 2001-12-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd フォトマスクの作成方法及びアライメント方法
JP2005157326A (ja) * 2003-10-29 2005-06-16 Fuji Photo Film Co Ltd 画像記録装置及び画像記録方法
JP4273030B2 (ja) * 2004-03-29 2009-06-03 富士フイルム株式会社 露光装置の校正方法及び露光装置
US20060080041A1 (en) * 2004-07-08 2006-04-13 Anderson Gary R Chemical mixing apparatus, system and method
JP2006251160A (ja) * 2005-03-09 2006-09-21 Fuji Photo Film Co Ltd 描画方法および装置
JP2008058797A (ja) * 2006-09-01 2008-03-13 Fujifilm Corp 描画装置及び描画方法
JP3983275B2 (ja) * 2007-01-29 2007-09-26 松下電器産業株式会社 電子部品実装方法及び装置
JP2007173855A (ja) * 2007-01-29 2007-07-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品実装方法及び装置
JP2008251797A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Fujifilm Corp 基準位置計測装置及び方法、並びに描画装置
JP5591695B2 (ja) * 2007-06-26 2014-09-17 マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー 薄膜カプセル内の半導体ウェハの再結晶化およびその関連工程
NL1036525A1 (nl) * 2008-02-07 2009-08-10 Asml Netherlands Bv Method for determining exposure settings, lithographic exposure apparatus, computer program and data carrier.
JP5096965B2 (ja) * 2008-02-29 2012-12-12 キヤノン株式会社 位置合わせ方法、位置合わせ装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2009223262A (ja) * 2008-03-19 2009-10-01 Orc Mfg Co Ltd 露光システムおよび露光方法
JP2009267099A (ja) * 2008-04-25 2009-11-12 Omron Corp 基板検査方法および自動外観検査の検査結果確認システム
JP5449702B2 (ja) * 2008-05-30 2014-03-19 株式会社オーク製作所 描画データを補正可能な露光装置
US8120781B2 (en) * 2008-11-26 2012-02-21 Zygo Corporation Interferometric systems and methods featuring spectral analysis of unevenly sampled data
JP2011022329A (ja) * 2009-07-15 2011-02-03 Fujifilm Corp 描画装置、プログラム及び描画方法
JP2011039264A (ja) * 2009-08-11 2011-02-24 Sony Chemical & Information Device Corp 積層基板の製造方法
US8271919B2 (en) * 2009-10-30 2012-09-18 Ibiden Co., Ltd. Method for correcting image rendering data, method for rendering image, method for manufacturing wiring board, and image rendering system
JP5441633B2 (ja) * 2009-11-16 2014-03-12 富士フイルム株式会社 マーク認識装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03150835A (ja) * 1989-11-08 1991-06-27 Toshiba Corp 荷電ビーム描画方法
TW201123267A (en) * 2003-06-19 2011-07-01 Nikon Corp Exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2005116929A (ja) * 2003-10-10 2005-04-28 Fuji Photo Film Co Ltd パターン製造システム
TW200941152A (en) * 2008-03-31 2009-10-01 Dainippon Screen Mfg Pattern drawing apparatus and pattern drawing method
TW201209886A (en) * 2010-07-19 2012-03-01 Asml Netherlands Bv Method and apparatus for determining an overlay error

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014038176A (ja) 2014-02-27
KR102147105B1 (ko) 2020-08-24
WO2014027484A1 (ja) 2014-02-20
TW201407303A (zh) 2014-02-16
CN104641300B (zh) 2017-09-22
KR20150043322A (ko) 2015-04-22
CN104641300A (zh) 2015-05-20
JP5975785B2 (ja) 2016-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101850163B1 (ko) 패턴 정렬을 수행하기 위한 방법 및 장치
US20080112609A1 (en) Position detecting method and device, patterning device, and subject to be detected
TW202319844A (zh) 在無光罩微影系統中處理設備與基板的方法
TWI606313B (zh) 描繪裝置、曝光描繪裝置、記錄程式的記錄媒體及描繪方法
TWI588625B (zh) 描繪裝置、曝光描繪裝置、描繪方法以及記錄媒體
TWI791041B (zh) 曝光系統對準及校正方法
TWI620999B (zh) 描繪裝置、曝光描繪裝置、描繪方法及記錄媒體
JP2006267191A (ja) 露光装置
JP6637120B2 (ja) 描画装置、露光描画装置、プログラム及び描画方法
JP6326170B2 (ja) 描画装置、露光描画装置、プログラム及び描画方法
KR101665764B1 (ko) 묘화 장치, 기판 처리 시스템 및 묘화 방법
JP2017068002A (ja) 補正情報生成装置、描画装置、補正情報生成方法および描画方法
JP6234694B2 (ja) 描画装置、露光描画装置、プログラム及び描画方法
JP2012209443A (ja) パターン描画装置およびパターン描画方法
JP4603451B2 (ja) 直接描画装置
JP2008009084A (ja) カラーフィルタの描画方法
KR20240041212A (ko) 템플릿 생성 장치, 묘화 시스템, 템플릿 생성 방법 및 기록 매체에 기록된 프로그램
JP5752970B2 (ja) パターン描画装置、パターン描画方法
JP2022052111A (ja) 基板位置検出方法、描画方法、基板位置検出装置および描画装置
JP2024046014A (ja) 描画位置情報取得方法および描画方法
JP2003022954A (ja) 重ね合わせ誤差測定装置
JP2006259204A (ja) パターン描画装置、パターン検査装置、基板、パターン描画方法およびパターン検査方法