JP5449702B2 - 描画データを補正可能な露光装置 - Google Patents
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
DCX=(DX0+DX1+DX2+DX3)/4
DCY=(DY0+DY1+DY2+DY3)/4
MCX=(MX0+MX1+MX2+MX3)/4
MCY=(MY0+MY1+MY2+MY3)/4 ・・・(1)
したがって、オフセット量(OFFX、OFFY)は、中心座標DC(DCX,DCY)からのMC(MCX,MCY)のずれ量として次式により求められる。
OFFX=MCX−DCX
OFFY=MCY−DCY ・・・(2)
MDX0=(DX0+DX1)/2
MDY0=(DY0+DY1)/2
MDX1=(DX1+DX2)/2
MDY1=(DY1+DY2)/2
MDX2=(DX2+DX3)/2
MDY2=(DY2+DY3)/2
MDX3=(DX3+DX0)/2
MDY3=(DY3+DY0)/2
MMX0=(MX0+MX1)/2
MMY0=(MY0+MY1)/2
MMX1=(MX1+MX2)/2
MMY1=(MY1+MY2)/2
MMX2=(MX2+MX3)/2
MMY2=(MY2+MY3)/2
MMX3=(MX3+MX0)/2
MMY3=(MY3+MY0)/2 ・・・(3)
DLX=((MDX1−MDX3)2+(MDY1−MDY3)2)1/2
DLY=((MDX2−MDX0)2+(MDY2−MDY0)2)1/2
・・・・(4)
MLX=((MMX1−MMY3)2+(MMY1−MMY3)2)1/2
MLY=((MMX2−MMY0)2+(MMY2−MMY0)2)1/2
・・・・(5)
SCX=MLX/DLX
SCY=MLY/DLY ・・・・(6)
θX=arctan(W1/W2)−arctan(W3/W4)
θY=arctan(W5/W6)−arctan(W7/W8)
・・・・(7)
ただし、
W1=MMY0−MMY2
W2=MMX0−MMX2
W3=MDY0−MDY2
W4=MDX0−MDX2
W5=MMY3−MMY1
W6=MMX3−MMX1
W7=MDY3−MDY1
W8=MDX3−MDX1
XX=X’cos(θX)−Y’sin(θY)
YY=X’sin(θX)−Y’cos(θY)
・・・・(8)
ただし、
X’=(x−DCX)×SCX+DCX+OFFX
Y’=(y−DCY)×SCY+DCY+OFFY
Y=a0×X+b0
Y=a1×X+b1
Y=a2×X+b2
Y=a3×X+b3
・・・(9)
ただし、
a0=(MY1−MY0)/(MX1−MX0)
a1=(MY1−MY2)/(MX1−MX2)
a2=(MY2−MY3)/(MX2−MX3)
a3=(MY0−MY3)/(MX0−MX3)
b0=MY0−a0×MX0
b1=MY1−a1×MX1
b2=MY2−a2×MX2
b3=MY0−a3×MX3
Y=a0×X+B0
Y=a1×X+B1
Y=a2×X+B2
Y=a3×X+B3
・・・(10)
ただし、
B0=b0+L×(12+a02)1/2
B1=b1+L×(12+a12)1/2
B2=b2−L×(12+a22)1/2
B3=b3−L×(12+a32)1/2
mx0=(B0−B3)/(a3−a0)
my0=a0×MX0+B0
mx1=(B1−B0)/(a0−a1)
my1=a1×MX1+B1
mx2=(B2−B1)/(a1−a2)
my2=a2×MX2+B2
mx3=(B3−B2)/(a2−a3)
my3=a3×MX3+B3
・・・・(11)
B2=L2+KM2=L2+aL2
B=L(1+a2)1/2
・・・・(12)
これによって、平行四辺形状でもない描画領域に対しても、基板の変形に即した描画位置座標の補正を行うことができる。
13 CCD
22 DMD
30 描画制御部
SW 基板
Z0 基準矩形
M 変形四角形
Z1、Z2 補正四角形
Claims (9)
- 露光対象に対して規定される座標系に基づいた位置座標情報をもつ描画データに従ってパターンを投影する露光装置であって、
基準四角形の頂点を構成するように前記露光対象にあらかじめ設けられた4つの計測用指標の位置を、前記露光対象が変形した状態で計測可能な計測手段と、
計測された4つの計測用指標を頂点とする変形四角形に基づいて、描画データの位置座標を補正する補正手段と、
補正された描画データに基づいて露光動作を実行する露光手段とを備え、
前記補正手段が、前記露光対象の変形量に基づいて、相似性を維持するように前記変形四角形を拡大もしくは縮小した補正四角形を規定し、前記基準四角形における描画データの相対的位置に対応するように、前記補正四角形において描画データを補正し、
前記補正手段が、前記基準四角形において描画データ位置から求まる各辺の内分比に基づいて、描画データを補正することを特徴とする露光装置。 - 前記変形量が、前記露光対象の全体的な収縮もしくは膨張の程度に基づいていることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記補正手段が、前記基準四角形において描画データ位置から各辺に対する内分比を求め、規定された前記補正四角形に対してその内分比に応じた位置を、描画データの補正位置として定めることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 基準四角形の頂点を構成するように露光対象にあらかじめ設けられた4つの計測用指標の位置を、前記露光対象が変形した状態で検出する測定手段と、
計測された4つの計測用指標を頂点とする変形四角形に基づいて、描画データの位置座標を補正する補正手段とを備え、
前記補正手段が、前記露光対象の変形量に基づいて、相似性を維持するように前記変形四角形を拡大もしくは縮小した補正四角形を規定し、前記基準四角形における描画データの相対的位置に対応するように、前記補正四角形において描画データを補正し、
前記補正手段が、前記基準四角形において描画データ位置から求まる各辺の内分比に基づいて、描画データを補正することを特徴とする描画データ補正装置。 - 露光装置を、
基準四角形の頂点を構成するように露光対象にあらかじめ設けられた4つの計測用指標の位置を、前記露光対象が変形した状態で検出する測定手段と、
計測された4つの計測用指標を頂点とする変形四角形に基づいて、描画データの位置座標を補正する補正手段として機能させ、
前記露光対象の変形量に基づいて、相似性を維持するように前記変形四角形を拡大もしくは縮小した補正四角形を規定し、前記基準四角形における描画データの相対的位置に対応するように、前記補正四角形において描画データを補正するように、前記補正手段として機能させ、
前記基準四角形において描画データ位置から求まる各辺の内分比に基づいて、描画データを補正するように、前記補正手段として機能させることを特徴とするプログラム。 - 基準四角形の頂点を構成するように露光対象にあらかじめ設けられた4つの計測用指標の位置を、前記露光対象が変形した状態で検出し、
計測された4つの計測用指標を頂点とする変形四角形に基づいて、描画データの位置座標を補正する描画データ補正方法であって、
前記露光対象の変形量に基づいて、相似性を維持するように前記変形四角形を拡大もしくは縮小した補正四角形を規定し、前記基準四角形における描画データの相対的位置に対応するように、前記補正四角形において描画データを補正し、
前記基準四角形において描画データ位置から求まる各辺の内分比に基づいて、描画データを補正することを特徴とする描画データ補正方法。 - 前記補正手段が、前記変形四角形の頂点位置座標と、あらかじめデータとして記憶された前記基準四角形の頂点の位置座標との差に基き、前記変形四角形と前記補正四角形との各辺の距離を表す補正量を算出し、算出された補正量によって前記補正四角形を規定することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記補正手段が、あらかじめ用意された幾つかの距離の中から、前記露光対象の変形具合に応じた距離を決定することを特徴とする請求項7に記載の露光装置。
- 前記露光装置が、露光対象に対して直接パターンを形成する描画装置であることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
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