TWI606313B - 描繪裝置、曝光描繪裝置、記錄程式的記錄媒體及描繪方法 - Google Patents

Description

描繪裝置、曝光描繪裝置、記錄程式的記錄媒體及描繪方法

本發明是有關於一種描繪裝置、曝光描繪裝置、記錄媒體及描繪方法，特別是有關於一種對基板描繪描繪圖案的描繪裝置、藉由曝光對基板描繪描繪圖案的曝光描繪裝置、記錄藉由上述描繪裝置執行的程式的記錄媒體及對基板描繪描繪圖案的描繪方法。

先前，如下的多層配線基板已為人所知，即，將對玻璃布進行含浸處理並使其乾燥而成的預浸物(prepreg)或剛性功能優異的金屬板等作為芯(core)基板，且具有在該些芯基板上堆積多層樹脂層與配線層而成的多層配線構造。而且，近年來，因對該多層配線基板要求薄型化及省空間化，故提出不具有芯層的薄型的多層配線基板。

該些多層配線基板中，因化學處理而基板發生翹曲，或因強度不足而基板發生變形，藉此有時描繪於各層的描繪圖案(配線圖案)的層間的對準變得困難。儘管如此，藉由描繪圖案的高 密度化而描繪圖案中的焊墊直徑(land diameter)及孔徑微細化，因而仍要求高精度的層間的對準。

為了滿足該要求，而提出有如下技術，即，相應於藉由基板的翹曲及變形所發生的基板的應變(strain)而使描繪圖案變形，然後在基板上進行描繪。根據該技術，層間的對準的精度提高，但隨著將層重疊而應變累積，因此於上位層描繪的描繪圖案的形狀會背離設計上的描繪圖案的形狀，從而擔心難以對基板安裝電子零件。

而且，亦提出如下技術，即，將表示描繪圖案的圖像分割為多個區域，相應於基板的應變而在每個分割區域中使上述圖像旋轉移動。根據該技術，在各分割區域，設計上的描繪圖案的形狀與實際所描繪的描繪圖案的形狀的偏離量得以降低。然而，該技術中，存在圖像處理變複雜的課題、及必須有相對於各分割區域而形成用以在層間連接描繪圖案的定位孔的機構的課題。

作為用以解決該些課題的技術，在日本專利特開2005-157326號公報及日本專利特開2011-95742號公報中，揭示有如下的描繪裝置，即，圖像處理不會變得複雜，且可抑制所描繪的描繪圖案偏離設計上的描繪圖案。

亦即，上述日本專利特開2005-157326號公報的描繪裝置預先獲取基板的變形資訊，並根據該變形資訊，以記錄於變形後的基板的描繪圖案與由光柵資料(raster data)表示的描繪圖案為同一形狀的方式，轉換該光柵資料。然後，根據經轉換的光柵 資料對變形前的基板記錄描繪圖案。

而且，上述專利文獻2的描繪裝置中，使用具有規定作為描繪對象的區域的位置座標與設置於上述區域的基準點的位置的描繪資料，根據基板的位置座標的位移形態來修正基準點的位置。而且，根據經修正的基準點的位置在維持上述區域的形狀的狀態下修正該區域內的各座標。

上述日本專利特開2005-157326號公報中揭示的技術中，因根據所獲取的變形資訊來使描繪圖案大幅變形，故電子零件對最終獲得的基板的安裝得以改善，但仍存在與下層對準的精度劣化的可能性之類的課題。

而且，上述日本專利特開2011-95742號公報中揭示的技術中，伴隨作為描繪對象的區域的大小自修正前的區域的大小而變化，最終發生安裝用焊墊與電子零件的電極的位置偏離，從而亦存在難以對基板上安裝電子零件的可能性。

本發明鑒於上述課題而完成，目的在於提供一種可一面抑制安裝用焊墊與電子零件的電極的間距偏離、一面實現高精度的層間的對準的描繪裝置，曝光描繪裝置，程式及描繪方法。

為了達成上述目的，本發明的描繪裝置包括：獲取部，獲取下述座標資料：表示設置於被曝光基板的作為多個基準標記於設計上的位置的第1位置的座標資料、表示以上述第1位置為基準而規定的描繪於上述被曝光基板上的描繪圖案的座標資料、 及表示作為上述多個基準標記的各自的實際的位置的第2位置的座標資料；導出部，根據上述第1位置及上述第2位置而導出表示上述被曝光基板的應變的大小的物理量，且對上述多個基準標記的每一個導出針對上述第1位置及上述第2位置的偏離的修正量；降低部，上述物理量越大，則從由上述導出部導出的各修正量降低越多的量；以及修正部，在以上述第2位置為基準而對上述被曝光基板描繪上述描繪圖案的情況下，根據由上述降低部降低的修正量來修正表示上述描繪圖案的座標資料。

根據本發明的描繪裝置，藉由獲取部而獲取下述座標資料：表示設置於被曝光基板的作為多個基準標記於設計上的位置的第1位置的座標資料、表示以上述第1位置為基準而規定的描繪於上述被曝光基板上的描繪圖案的座標資料、及表示作為上述多個基準標記的各自的實際的位置的第2位置的座標資料。而且，藉由導出部，根據上述第1位置及上述第2位置而導出表示上述被曝光基板的應變的大小的物理量，且對上述多個基準標記的每一個導出針對上述第1位置及上述第2位置的偏離的修正量。

此處，本發明的描繪裝置中，藉由降低部，上述物理量越大，則從由上述導出部導出的各修正量降低越多的量。

而且，本發明的描繪裝置中，藉由修正部，在以上述第2位置為基準而對上述被曝光基板描繪上述描繪圖案的情況下，根據由上述降低部降低的修正量來修正表示上述描繪圖案的座標資料。

亦即，本發明的描繪裝置中，上述物理量越大，則從根據基準標記的設計上的位置與實際的位置的偏離量而導出的各修正量降低越多的量，且根據降低後的修正量來修正表示上述描繪圖案的座標資料。

如此，根據本發明的描繪裝置，被曝光基板的應變的大小越大則使修正量越小，結果，修正後的描繪圖案的形狀接近被曝光基板的應變的形狀，從而可一面抑制安裝用焊墊與電子零件的電極的間距偏離，一面實現高精度的層間的對準。

另外，本發明的描繪裝置中，亦可為上述導出部導出上 述多個基準標記中的各自的上述第1位置及上述第2位置的偏離量的最大值、上述偏離量的各自的平均值、及上述偏離量的各自的積算值中的至少一個來作為上述物理量。而且，本發明的描繪裝置中，亦可為上述導出部導出根據上述第1位置而獲得的上述多個基準標記的相互間的距離與根據對應的上述第2位置而獲得的上述多個基準標記的相互間的距離的差分的最大值、上述差分的各自的平均值、及上述差分的各自的積算值中的至少一個來作為上述物理量。藉由導出基準標記中的各自的偏離量的最大值來作為上述物理量，而可更確實地進行修正。而且，藉由導出基準標記中的各自的偏離量的平均值，而可抑制因異常的偏離引起的誤修正的發生。進而，藉由導出基準標記中的各自的偏離量的積算值，而可進行反映出所有偏離量的修正。

另外，本發明的描繪裝置中，亦可為上述降低部對由上 述導出部導出的各修正量，進行如下處理中的至少一種：上述物理量越大則乘以越小的小於1的正的值、上述物理量越大則除以越大的超過1的值、及上述物理量越大則減去越大但小於該修正量的正的值，藉此上述物理量越大，則從由上述導出部導出的各修正量降低越多的量。藉此，能夠藉由簡單的運算而使修正量降低。

另外，本發明的描繪裝置中，亦可為上述描繪圖案為表示電子配線的電路圖案，上述修正部在由上述降低部降低的修正量大於第1修正量的情況下，根據上述第1修正量來修正表示上述描繪圖案的座標資料，上述第1修正量被規定為在上述描繪圖案中的焊墊的內部可容納導通通道者。藉此，可防止成為被曝光基板的不良的原因的焊墊缺口(導通通道向焊墊外的凸出)。

另外，本發明的描繪裝置中，亦可為上述描繪圖案為表示阻焊層的零件安裝用的開口孔的阻焊劑圖案，上述修正部在由上述降低部降低的修正量大於第2修正量的情況下，根據上述第2修正量來修正表示上述描繪圖案的座標資料，上述第2修正量被規定為在用以與零件接合的導體焊墊的內部可容納上述開口孔者。藉此，可防止成為被曝光基板的不良的原因的導體焊墊與開口孔的位置偏離。

另外，本發明的描繪裝置中，亦可為上述導出部根據如下的偏離量來導出上述修正量，上述偏離量是從上述第1位置及上述第2位置的偏離量中減去上述被曝光基板的平行移動所致的 偏離、旋轉所致的偏離及伸縮所致的偏離中的至少一個所得。藉此，可更確實地抑制安裝用焊墊與電子零件的電極的間距偏離。

另外，本發明的描繪裝置中，亦可為更包括接收部，上述接收部接收上述物理量及上述修正量的降低率分別相關聯所得的降低資訊的輸入，上述降低部使用由上述接收部接收的降低資訊中與由上述導出部導出的上述物理量相關聯所得的降低率，而降低由上述導出部導出的修正量。藉此，可容易地設定修正量的降低的程度，結果可提高對於用戶而言的便利性。

另一方面，為了達成上述目的，本發明的曝光描繪裝置包括：本發明的描繪裝置；以及曝光部，根據由上述描繪裝置的上述修正部而修正的座標資料來對上述被曝光基板曝光並描繪上述描繪圖案。

因此，根據本發明的曝光描繪裝置，因與本發明的描繪裝置同樣地發揮作用，故與該描繪裝置同樣地，可一面抑制安裝用焊墊與電子零件的電極的間距偏離，一面實現高精度的層間的對準。

另外，本發明的曝光描繪裝置中，亦可為更包括控制部，上述控制部在對上述被曝光基板積層並描繪多層的描繪圖案的情況下，對上述獲取部、上述導出部、上述降低部、上述修正部、及上述曝光部進行控制，對上述多層的每一個進行上述獲取部的獲取、上述導出部的導出、上述降低部的降低、上述修正部的修正及上述曝光部的曝光的各個。藉此，即便在使多個描繪圖 案積層而描繪的情況下，亦可一面抑制安裝用焊墊與電子零件的電極的間距偏離，一面實現高精度的層間的對準。

另外，本發明的曝光描繪裝置中，亦可為更包括記憶部，上述記憶部記憶容許量資訊，上述容許量資訊表示上述物理量的最大容許量，上述物理量的最大容許量是作為上述被曝光基板的應變的大小而被容許的上限，上述控制部在由上述導出部導出的上述物理量大於藉由上述容許量資訊表示的最大容許量的情況下，禁止上述曝光部對上述被曝光基板的曝光。藉此，可避免無用的曝光的實施。

而且，為了達成上述目的，記錄於本發明的記錄媒體的程式用以使電腦執行如下處理：獲取下述座標資料，表示設置於被曝光基板的作為多個基準標記於設計上的位置的第1位置的座標資料、表示以上述第1位置為基準而規定的描繪於上述被曝光基板上的描繪圖案的座標資料、及表示作為上述多個基準標記的各自的實際的位置的第2位置的座標資料；根據上述第1位置及上述第2位置而導出表示上述被曝光基板的應變的大小的物理量，且對上述多個基準標記的每一個導出針對上述第1位置及上述第2位置的偏離的修正量，上述物理量越大，則從所導出的各上述修正量降低越多的量；以及在以上述第2位置為基準而對上述被曝光基板描繪上述描繪圖案的情況下，根據降低後的上述修正量來修正表示上述描繪圖案的座標資料。

因此，根據記錄於本發明的記錄媒體的程式，可使電腦 與本發明的描繪裝置同樣地發揮作用，因而可與該描繪裝置同樣地，一面抑制安裝用焊墊與電子零件的電極的間距偏離，一面實現高精度的層間的對準。

進而，為了達成上述目的，本發明的描繪方法獲取下述座標資料：表示設置於被曝光基板的作為多個基準標記於設計上的位置的第1位置的座標資料、表示以上述第1位置為基準而規定的描繪於上述被曝光基板上的描繪圖案的座標資料、及表示作為上述多個基準標記的各自的實際的位置的第2位置的座標資料；根據上述第1位置及上述第2位置而導出表示上述被曝光基板的應變的大小的物理量，且對上述多個基準標記的每一個導出針對上述第1位置及上述第2位置的偏離的修正量，上述物理量越大，則從所導出的各上述修正量降低越多的量；以及在以上述第2位置為基準而對上述被曝光基板描繪上述描繪圖案的情況下，根據降低後的上述修正量來修正表示上述描繪圖案的座標資料。

因此，根據本發明的描繪方法，與本發明的描繪裝置同樣地發揮作用，因而可與該描繪裝置同樣地，一面抑制安裝用焊墊與電子零件的電極的間距偏離，一面實現高精度的層間的對準。

根據本發明，一面抑制安裝用焊墊與電子零件的電極的間距偏離，一面實現高精度的層間的對準。

10‧‧‧曝光描繪裝置

12‧‧‧平台

14‧‧‧基體

16‧‧‧基台

18‧‧‧導軌

20、32‧‧‧閘

22‧‧‧曝光部

22a‧‧‧曝光頭

22b‧‧‧圖像區域

22c‧‧‧已曝光區域

24‧‧‧光源單元

26‧‧‧光纖

28‧‧‧圖像處理單元

30‧‧‧訊號電纜

34‧‧‧攝影部

34a‧‧‧軌道

40‧‧‧系統控制部

40A‧‧‧硬碟驅動器(HDD)

42‧‧‧平台驅動部

44‧‧‧操作裝置

46‧‧‧攝影驅動部

48‧‧‧外部輸入輸出部

50‧‧‧降低資訊

62‧‧‧對象圖像

62A、62B、62C、62D‧‧‧描繪圖案

64‧‧‧對象區域

66‧‧‧焊墊

68‧‧‧導通通道

C‧‧‧被曝光基板

D‧‧‧焊墊直徑

d‧‧‧孔徑

de‧‧‧偏離量

dx‧‧‧相對於x方向的偏離量

dx0'、dy0'‧‧‧基準標記M1的降低修正量

dx1'、dy1'‧‧‧基準標記M2的降低修正量

dx2'、dy2'‧‧‧基準標記M3的降低修正量

dx3'、dy3'‧‧‧基準標記M4的降低修正量

dy‧‧‧相對於y方向的偏離量

L‧‧‧孔環的寬度

M、M1、M2、M3、M4‧‧‧基準標記

Pa1、Pa2、Pa3、Pa4、Pa5、Pa6、Pb1、Pb2、Pb3、Pb4、Pb5、Pb6‧‧‧距離

SA0、SA1、SA2、SA3‧‧‧面積

X、Y、Z‧‧‧方向

S101~S135‧‧‧步驟

圖1是表示實施形態的曝光描繪裝置的外觀的立體圖。

圖2是表示實施形態的曝光描繪裝置的主要部分的構成的立體圖。

圖3是表示實施形態的曝光描繪裝置的曝光頭的構成的立體圖。

圖4是表示實施形態的曝光描繪裝置中形成於被曝光基板的已曝光區域的平面圖。

圖5是表示實施形態的曝光描繪裝置的電氣系統的構成的方塊圖。

圖6A是表示未發生應變的被曝光基板的一例的平面圖。

圖6B是表示發生應變的被曝光基板的一例的平面圖。

圖7是用於說明實施形態的曝光控制處理中的應變量的導出方法的平面圖。

圖8是用於說明實施形態的曝光控制處理中的應變量的導出方法的另一例的平面圖。

圖9是表示實施形態的降低資訊的一例的示意圖。

圖10是表示實施形態的曝光控制處理中表示被曝光基板的應變的大小的物理量與降低率的關係的一例的曲線圖。

圖11A是表示實施形態的曝光描繪裝置中作為與被曝光基板的應變相應的座標轉換的對象的區域的一例的平面圖。

圖11B是表示實施形態的曝光描繪裝置中作為與被曝光基板 的應變相應的座標轉換的對象的區域的另一例的平面圖。

圖11C是表示實施形態的曝光描繪裝置中作為與被曝光基板的應變相應的座標轉換的對象的區域的另一例的平面圖。

圖12是表示第1實施形態的曝光控制處理程式的處理的流程的流程圖。

圖13是用於說明實施形態的曝光控制處理中的與被曝光基板的應變相應的座標轉換的方法的平面圖。

圖14A是表示第1實施形態的曝光描繪裝置中，未進行與被曝光基板的應變相應的座標轉換的情況下的對象圖像的一例的平面圖。

圖14B是表示第1實施形態的曝光描繪裝置中，一面降低修正量一面進行與被曝光基板的應變相應的座標轉換的情況下的座標轉換後的對象圖像的一例的平面圖。

圖15是表示第1實施形態的曝光描繪裝置中對被曝光基板多層地描繪描繪圖案的情況下的被曝光基板的一例的剖面圖。

圖16是表示第1實施形態的曝光描繪裝置中對被曝光基板多層地描繪描繪圖案的情況下的各層上所描繪的對象圖像的一例的平面圖。

圖17是用於說明孔環(annular ring)的平面圖。

圖18是表示第2實施形態的曝光控制處理程式的處理的流程的流程圖。

圖19是表示第2實施形態的曝光描繪裝置中，一面降低修正 量一面進行與被曝光基板的應變相應的座標轉換的情況下的座標轉換後的對象圖像的一例的放大平面圖。

圖20是表示第2實施形態的曝光描繪裝置中，不限制降低修正量而進行與被曝光基板的應變相應的座標轉換的情況下的座標轉換後的對象圖像的一例(左圖)，及一面限制降低修正量一面進行與被曝光基板的應變相應的座標轉換的情況下的座標轉換後的對象圖像的一例(右圖)的平面圖。

[第1實施形態]

以下，根據隨附圖式對實施形態的曝光描繪裝置進行詳細說明。本實施形態中，以將本發明應用於如下的曝光描繪裝置的情況為例進行說明，該曝光描繪裝置對被曝光基板(後述的被曝光基板C)曝光光束而描繪電路圖案、表示阻焊層的零件安裝用的開口孔的阻焊劑圖案等描繪圖案。另外，作為被曝光基板，例示印刷配線基板、平板顯示器用玻璃基板等平板基板。而且，本實施形態的曝光描繪裝置中，作為曝光描繪的對象的被曝光基板呈矩形狀的形狀。

如圖1及圖2所示，本實施形態的曝光描繪裝置10包括用以固定被曝光基板C的平板狀的平台12。在平台12的上表面設置著吸入空氣的多個吸入孔。藉此，當在平台12的上表面載置著被曝光基板C時，藉由吸入被曝光基板C及平台12間的空氣而將被曝光基板C真空吸附於平台12。

本實施形態的平台12被平板狀的基台16支持，該平板狀的基台16可移動地設置在桌狀的基體14的上表面。亦即，在基體14的上表面設置著1根或多根(本實施形態中為2根)導軌18。基台16以可沿導軌18自如移動的方式被導軌18支持，且藉由包含馬達、油壓泵等的驅動機構(後述的平台驅動部42)驅動而移動。因此，平台12與基台16的移動聯動地沿導軌18移動。

另外，如圖2所示，以下將平台12移動的方向規定為Y方向，將相對於該Y方向而在水平面內正交的方向規定為X方向，將與Y方向在鉛垂面內正交的方向規定為Z方向。

在基體14的上表面，設置著以跨越2根導軌18的方式而立設的閘20。載置於平台12的被曝光基板C以沿著導軌18出入閘20的開口部的方式而移動。在閘20的開口部的上部，安裝著朝向該開口部而曝光光束的曝光部22。藉由該曝光部22，在平台12沿導軌18移動而位於上述開口部的情況下，對載置於平台12的被曝光基板C的上表面曝光光束。

本實施形態的曝光部22包含多個(本實施形態中為10個)曝光頭22a而構成。而且，在曝光部22上，分別連接著從後述的光源單元24抽出的光纖26、及從後述的圖像處理單元28抽出的訊號電纜30。

各曝光頭22a具有作為反射型的空間光調變元件的數位微鏡裝置(digital micromirror device，DMD)。另一方面，曝光描繪裝置10包括：對曝光頭22a出射光束的光源單元24，及對曝光 頭22a輸出圖像資訊的圖像處理單元28。曝光頭22a根據從圖像處理單元28輸入的圖像資訊來控制DMD，藉此對來自光源單元24的光束進行調變。曝光描繪裝置10藉由將該經調變的光束照射至被曝光基板C而對被曝光基板C進行曝光。另外，空間光調變元件並不限定於反射型，亦可為液晶等透過型的空間光調變元件。

在基體14的上表面，進而設置著以跨越2根導軌18的方式而立設的閘32。載置於平台12的被曝光基板C以沿著導軌18出入閘32的開口部的方式而移動。

在閘32的開口部的上部，安裝著用以對該開口部進行攝影的1個或多個(本實施形態中為2個)攝影部34。攝影部34為內置著1次發光時間極短的閃光儀(strobo)的電荷耦合裝置(Charge Coupled Device，CCD)相機等。而且，在閘32的開口部的上部，沿著相對於平台12的移動方向(Y方向)而在水平面內垂直的方向(X方向)設置著軌道34a，各攝影部34設置成由軌道34a導引而可移動。在平台12沿導軌18移動而位於上述開口部的情況下，藉由該攝影部34對載置於平台12的被曝光基板C的上表面進行攝影。

其次，對本實施形態的曝光頭22a的曝光處理進行說明。

如圖3所示，作為由本實施形態的曝光頭22a曝光的區域的圖像區域22b，為一邊相對於平台12的移動方向(Y方向)以預先規定的傾斜角傾斜的矩形狀。而且，若在平台12於閘20的開口部移動時藉由曝光頭22a曝光光束，則伴隨平台12的移動 而在被曝光基板C上由每個曝光頭22a形成帶狀的已曝光區域22c。

而且，如圖2及圖3所示，各曝光頭22a在曝光部22上呈矩陣狀地排列，如圖4所示，在X方向上，以圖像區域22b的長邊的長度的自然數倍(本實施形態中為1倍)的距離錯開而配置。而且，各已曝光區域22c與鄰接的已曝光區域22c部分地重疊而形成。

其次，對本實施形態的曝光描繪裝置10的電氣系統的構成進行說明。

如圖5所示，在曝光描繪裝置10中設置著分別與裝置各部電性連接的系統控制部40，藉由該系統控制部40對曝光描繪裝置10的各部進行總括控制。而且，曝光描繪裝置10具有平台驅動部42、操作裝置44、攝影驅動部46及外部輸入輸出部48。

系統控制部40具有中央處理單元(Central Processing Unit，CPU)、隨機存取記憶體(Random Access Memory，RAM)、唯讀記憶體(Read Only Memory，ROM)及硬碟驅動器(Hard Disk Drive，HDD)40A。而且，系統控制部40藉由上述CPU，自光源單元24出射光束，並且在與平台12的移動相應的時間點藉由圖像處理單元28輸出對應的圖像資訊，由此控制光束對被曝光基板C的曝光。

平台驅動部42如上述般具有包含馬達、油壓泵等的驅動機構，且藉由系統控制部40的控制使平台12移動。

操作裝置44具有：藉由系統控制部40的控制而顯示各種資訊的顯示部，及藉由用戶操作而輸入各種資訊的輸入部。

攝影驅動部46具有包含馬達、油壓泵等的驅動機構，且藉由系統控制部40的控制使攝影部34移動。

外部輸入輸出部48與連接於曝光描繪裝置10的個人電腦等資訊處理裝置之間進行各種資訊的輸入輸出。

此外，如圖2所示，在本實施形態的被曝光基板C上，設置著成為描繪圖像時的定位的基準的多個(本實施形態中為4個)對準標記(alignment mark)(以下稱作「基準標記」)M。作為一例，如圖6A所示，本實施形態的曝光描繪裝置10中，在被曝光基板C的各角部設置著基準標記M1至基準標記M4(以下將4個統一稱作「基準標記M」)。具體而言，分別在被曝光基板C的圖6A的前視時左上的位置設置基準標記M1，在右上的位置設置基準標記M2，在左下的位置設置基準標記M3，及在右下的位置設置基準標記M4。

本實施形態的曝光描繪裝置10對被曝光基板C，在相對於各基準標記M而被預先規定的相對位置描繪由圖像資訊表示的描繪圖案等圖像(以下稱作「對象圖像」)62。本實施形態的曝光描繪裝置10中，對象圖像62的外圍形狀為矩形狀，但並不限定於此，亦可為橢圓形狀、星型形狀等任意的形狀。

曝光描繪裝置10在描繪對象圖像62時，在對被曝光基板C曝光光束前，藉由攝影部34對各基準標記M進行攝影，並 根據攝影圖像來計測基準標記M的各自的位置。而且，曝光描繪裝置10根據所計測的基準標記M的各自的位置來決定描繪對象圖像62的區域，且對經決定的區域描繪對象圖像62。

而且，作為一例，如圖6B所示，在現有的曝光描繪裝置10中，有在對被曝光基板C描繪對象圖像62前，根據基準標記M的各自的位置而導出被曝光基板C的應變量者。而且，該現有的曝光描繪裝置10中，相應於所導出的應變的大小來修正對象圖像62的形狀。

此時，為了防止藉由設計上的對象圖像62的形狀與經描繪的對象圖像62的形狀背離而電子零件的安裝的精度降低，本實施形態的曝光描繪裝置10降低對象圖像62的針對被曝光基板C的應變的修正量。此時，本實施形態的曝光描繪裝置10中，表示被曝光基板C的應變的大小的物理量越大，則從與基準標記M的各自的偏離量相對應的修正量(以下稱作「純修正量」)降低越多的量。藉此，對象圖像62的從設計上的形狀發生的變形得到抑制。而且，本實施形態的曝光描繪裝置10相應於降低後的基準標記M的各自的修正量(以下稱作「降低修正量」)而使對象圖像62變形。

另外，作為一例，如圖7所示，本實施形態的曝光描繪裝置10使用基準標記M的每一個的設計上的位置與經計測所得的位置(實際的位置)的偏離量de的最大值來作為上述物理量。圖7中，由實線將設計上的基準標記M的各自的位置連接而加以表 示，並由虛線將經計測所得的基準標記M的各自的位置連接而加以表示。而且，若將圖7的前視時左右方向設為x方向，前視時上下方向設為y方向，相對於x方向的偏離量設為偏離量dx，相對於y方向的偏離量設為偏離量dy，則偏離量de由下述(1)式表示。

如此，本實施形態的曝光描繪裝置10中，將上述偏離量的最大值用作上述物理量，但並不限定於此，亦可將該偏離量的各自的平均值、或該偏離量的各自的積算值用作上述物理量。而且，亦可將上述最大值、上述平均值、上述積算值的多個組合用作上述物理量。

或者，作為一例，如圖8所示，將與基準標記M1至基準標記M4的相互間的設計上的距離Pa1至距離Pa6、經計測所得的距離Pb1至距離Pb6相對應的距離彼此的差分的最大值用作上述物理量。另外，圖8中與圖7同樣地，由實線將設計上的基準標記M的各自的位置連接而加以表示，並由虛線將計測所得的基準標記M的各自的位置連接而加以表示。另外，亦可將上述差分的各自的平均值、或上述差分的各自的積算值用作上述物理量。 進而，將上述最大值、上述平均值、及上述積算值的多個組合用作上述物理量。

另一方面，本實施形態的曝光描繪裝置10為了導出降低修正量，而將由座標資料表示設計上的基準標記M的各自的位置而得的位置資訊與降低資訊50，預先記憶於系統控制部40的HDD 40A的規定區域中。

作為一例，如圖9所示，本實施形態的降低資訊50為如下資訊：將表示上述物理量的物理量資訊、表示降低純修正量時的降低率的降低率資訊、及表示對被曝光基板C的處理內容的處理內容資訊分別相關聯所得。另外，如圖9所示，上述降低率資訊中，在由範圍來表示降低率的情況下，降低率表現為在該範圍內直線性地或曲線性地增大。

而且，本實施形態的降低資訊50中，記憶對被曝光基板C描繪對象圖像62的曝光描繪處理、及不對被曝光基板C描繪對象圖像62而排出被曝光基板C的錯誤處理中的任一者來作為上述處理內容資訊。在由降低資訊50中的與上述物理量相關聯的處理內容資訊而表示的處理內容為曝光描繪處理的情況下，曝光描繪裝置10以由與該物理量相關聯的降低率資訊表示的降低率來使純修正量降低，之後執行曝光描繪處理。另一方面，在由降低資訊50中的與上述物理量相關聯的處理內容資訊而表示的處理內容為錯誤處理的情況下，曝光描繪裝置10不進行曝光描繪處理而將被曝光基板C從曝光描繪裝置10中排出。然而，錯誤處理的處理 內容並不限定於此，亦可將相對於被曝光基板C的降低率設為固定值而進行曝光描繪處理，之後將表示發生了錯誤的資訊描繪於被曝光基板C。另外，本實施形態的曝光描繪裝置10中，如圖9所示，降低資訊50中，將上述物理量為100μm以上的情況下的處理內容設為錯誤處理。

此處，作為一例，如圖9及圖10所示，本實施形態的曝光描繪裝置10中，降低資訊50中，上述物理量越大，則使上述降低率越大。這意味著上述物理量越大，則相對於純修正量的降低量越多，亦即降低修正量越少。該情況下，與對象圖像62不使用降低修正量的情況相比，從對象圖像62的設計上的形狀變形為接近被曝光基板C的應變的形狀的形狀。藉此，安裝用焊墊與電子零件的電極的位置偏離受到抑制。

另外，本實施形態的曝光描繪裝置10中，如圖10所示，上述物理量越大，則越使降低率呈階段狀地增多，但使降低率增多的方法並不限定於此。例如，亦可為上述物理量越大，則越使降低率呈直線狀地增多。而且，亦可呈上述物理量越大則降低率的增加量越多的曲線狀，或上述物理量越大則降低率的增加量越少的曲線狀，來使降低率變化。

本實施形態的曝光描繪裝置10使用上述物理量與降低資訊50來決定降低率，並根據純修正量與降低率而導出降低修正量。而且，曝光描繪裝置10相應於所導出的降低修正量來修正基準標記M的各自的位置，並根據經修正的基準標記M的各自的位 置來使對象圖像62變形，從而將變形後的對象圖像62描繪於被曝光基板C上。

另外，本實施形態的曝光描繪裝置10中，藉由用戶並經由操作裝置44的輸入部而接收降低資訊50的輸入，並將所接收的降低資訊50記憶於系統控制部40的HDD 40A中。然而，並不限定於此，例如，亦可將降低資訊50中的各資訊設為固定值，而預先記憶於系統控制部40的HDD 40A中。

而且，本實施形態的曝光描繪裝置10中，在使對象圖像62變形時，作為一例，如圖11A所示，將對象圖像62的整個區域設為作為座標轉換的對象的對象區域(圖11A及圖11B中由點圖案表示的區域)64。然而，對象區域64並不限定於此，作為一例，如圖11B所示，亦可為將以4個基準標記M1至基準標記M4的重心的位置作為角點(angular point)的矩形狀的區域設為對象區域64。或者，作為一例，如圖11C所示，亦可將作為被曝光基板C的曝光對象的整個面設為對象區域64，或者將對象圖像62的一部分區域設為對象區域64。

而且，有時對被曝光基板C的端部等描繪被曝光基板C的識別編號等電路圖案以外的圖像，但在該情況下，宜為不對該圖像的描繪區域進行座標轉換而僅對電路圖案的描繪區域進行座標轉換。這是因為：表示被曝光基板C的識別編號等字符串的圖像不依存於被曝光基板C的應變的狀況，不進行變形則更容易確認描繪內容。

其次，參照圖12，對本實施形態的曝光描繪裝置10的作用進行說明。另外，圖12是表示在經由操作裝置44的輸入部而輸入執行指示時由曝光描繪裝置10的系統控制部40執行的曝光控制處理程式的處理的流程的流程圖。該程式由系統控制部40預先記憶於上述ROM的規定區域。

而且，為了容易進行說明，以作為表示對象圖像62的座標資料(本實施形態中為向量資料)的圖像資訊記憶於系統控制部40的HDD 40A中的情況為例進行說明。另外，本實施形態的曝光描繪裝置10中，上述圖像資訊為表示描繪圖案的向量資料，但並不限定於此，亦可為光柵資料。

首先，步驟S101中，藉由自HDD 40A讀出而獲取作為表示所描繪的對象圖像62的座標資料的圖像資訊。然而，系統控制部40經由外部輸入輸出部48而自外部輸入圖像資訊，藉此亦可獲取圖像資訊。

下一步驟S103中，藉由自HDD 40A讀出而獲取上述由座標資料表示設計上的基準標記M的各自的位置而得的位置資訊。

如此，本實施形態的曝光描繪裝置10中，系統控制部40是藉由自HDD 40A讀出而獲取上述位置資訊，但獲取方法並不限定於此，亦可為經由外部輸入輸出部48而自外部輸入位置資訊的方法。

下一步驟S105中，以被曝光基板C通過使各基準標記 M包含於攝影部34的攝影區域的位置的方式，使平台12移動。

下一步驟S107中，對實際的基準標記M的各自的位置進行計測。此時，系統控制部40從攝影部34的攝影圖像中抽出與各基準標記M相對應的區域，將抽出的區域的重心座標作為基準標記M的各自的位置座標而導出。如此，本實施形態的曝光描繪裝置10中，使用上述攝影圖像來計測基準標記M的各自的位置，但並不限定於此，亦可由外部裝置進行該計測，並從外部經由外部輸入輸出部48而輸入表示計測結果的資訊。

下一步驟S109中，根據步驟S103的處理中獲取的設計上的基準標記M的各自的位置與步驟S107的處理中計測出的基準標記M的各自的位置的偏離量，分別導出被曝光基板C的旋轉量、偏移量、伸縮倍率。另外，此處提及的上述旋轉量為從預先規定的正交座標系(本實施的形態中，作為一例為如圖9所示的x-y座標系)中的設計上的基準標記M的位置到對應的實際的基準標記M的位置的旋轉角度。而且，此處提及的上述偏移量為從上述正交座標系中的設計上的基準標記M的位置到對應的實際的基準標記M的位置的平行移動量。進而，此處提及的上述伸縮倍率為從上述正交座標系中的設計上的基準標記M的位置到對應的實際的基準標記M的位置的放大倍率或縮小倍率。

系統控制部40藉由使用了基準標記M的各自的位置座標的最小平方法，將x方向的偏移量ofsx、y方向的偏移量ofsy、x方向的伸縮倍率kx、y方向的伸縮倍率ky、及旋轉量θ的各參 數針對被曝光基板C的每一個而導出。

亦即，在導出上述各參數時，不考慮被曝光基板C的應變，而假定設計上的基準標記M的各自的位置與計測出的基準標記M的各自的位置包含上述各參數而處於明確的關係。而且，以上述各參數的平均偏差為最小的方式來決定上述各參數(作為一例，參照日本專利特開昭61-44429號公報等)。該決定上述各參數的方法為使用仿射轉換(affine transformation)等的已知的方法，因而省略說明。

下一步驟S111中，根據上述步驟S109的處理中導出的旋轉量、偏移量、及伸縮倍率，對步驟S107的處理中計測出的基準標記M的各自的位置座標進行轉換。藉此，將被曝光基板C配置於平台12時的配置位置的偏離所致的基準標記M的各自的位置的偏離量得以消除。

如此，本實施形態的曝光描繪裝置10中，根據被曝光基板C的旋轉量、偏移量、及伸縮倍率的各個來對步驟S107的處理中計測出的基準標記M的各自的位置座標進行轉換，但並不限於此。例如，亦可根據被曝光基板C的旋轉量、偏移量、及伸縮倍率中的任一個來進行轉換，還可根據多個組合來進行轉換。

下一步驟S113中，根據上述步驟S111的處理中經座標轉換的基準標記M的各自的位置座標來導出純修正量。以下，將基準標記M1、基準標記M2、基準標記M3、基準標記M4的各自的純修正量分別表示為(dx0，dy0)、(dx1，dy1)、(dx2，dy2)、 (dx3，dy3)。

下一步驟S114中，根據上述步驟S103中獲取的上述位置資訊、及上述步驟S111的處理中經座標轉換的基準標記M的各自的位置座標，而導出上述物理量(本實施形態中為基準標記M的各自的偏離量的最大值)。

下一步驟S115中，從系統控制部40的HDD 40A中讀出降低資訊50。

下一步驟S117中，在所讀出的降低資訊50中，進行如下判定：由與表示上述步驟S114的處理中導出的物理量的物理量資訊相關聯的處理內容資訊而表示的處理內容，是否為曝光描繪處理。

在步驟S117中為肯定判定的情況下移行至步驟S119。另一方面，在步驟S117中為否定判定的情況下移行至步驟S135，作為錯誤處理，使平台12移動至將被曝光基板C從平台12卸下的位置為止，從而結束本曝光控制處理程式的執行。該情況下，被曝光基板C不進行曝光描繪處理便從平台12卸下，並排出至曝光描繪裝置10的外部。

另一方面，步驟S119中，讀出的降低資訊50中，使用由與表示上述步驟S114的處理中導出的物理量的物理量資訊相關聯的降低率資訊而表示的降低率N來降低純修正量，藉此導出降低修正量。以下，將基準標記M1、基準標記M2、基準標記M3、基準標記M4的各自的降低修正量分別表示為(dx0'，dy0')、(dx1'， dy1')、(dx2'，dy2')、(dx3'，dy3')。

本實施形態的曝光描繪裝置10中，對純修正量(dx0，dy0)至純修正量(dx3，dy3)乘以降低率N而獲得降低修正量(dx0'，dy0')至降低修正量(dx3'，dy3')，且該降低修正量(dx0'，dy0')至降低修正量(dx3'，dy3')由下述(2)式表示。

[數2](dx,dy)={(dx0,dy0),(dx1,dy1),(dx2,dy2),(dx3,dy3)}dx'=N×dx,dy'=N×dy,…(2)

下一步驟S127中，使用藉由步驟S119的處理而獲得的降低修正量(dx'，dy')，來進行對象圖像62的對象區域64內的各座標的座標轉換。

此處，對本實施形態的曝光描繪裝置10中對象圖像62的對象區域64內的各座標的座標轉換的方法進行說明。首先，作為一例，如圖13所示，系統控制部40根據作為座標轉換的對象的座標，將對象圖像62分割為多個(本實施形態中為4個)區域，並導出各分割區域的面積SA0至面積SA3。此時，如圖13所示，在對象圖像62的內部引出相對於各邊平行且通過作為轉換對象的座標的直線，藉此將對象圖像62分割為4個區域。

另外，關於各分割區域的各個，將與基準標記M1對向 的區域(亦即包含基準標記M4的區域)即圖13的前視時右下的區域的面積表示為SA1。而且，將與基準標記M2對向的區域(亦即包含基準標記M3的區域)即左下的區域的面積表示為SA0。而且，將與基準標記M3對向的區域(亦即包含基準標記M2的區域)即右上的區域的面積表示為SA3。進而，將與基準標記M4對向的區域(亦即包含基準標記M1的區域)即左上的區域的面積表示為SA2。

而且，系統控制部40將如此獲得的分割區域SA0至分割區域SA3的面積、與藉由步驟S115的處理而獲得的降低修正量(dx0'，dy0')至降低修正量(dx3'，dy3')代入至下述(3)式。藉此獲得的值成為作為上述座標轉換的對象的座標的針對被曝光基板C的應變的修正量(ddx，ddy)。

例如，如圖13所示，在為dx0'=1、dx1'=2、dx2'=5、dx3'=10、SA0=3、SA1=9、SA2=1、SA3=3、SS=16的情況下，成為ddx=(3×1+9×2+3×5+1×10)/16≒2.9。

另外，針對被曝光基板C的應變的修正量(ddx，ddy)的導出方法並不限定於此。亦即，從座標轉換前的對象圖像62的規定位置即位置A(x，y)相對於對象圖像62的各邊而引出垂線，藉此將對象圖像62的各邊內分(divide internally)。藉此，求出相對於位置A的對象圖像62的各邊的內分比。亦可在座標轉換後的對象圖像62中規定與該內分比相對應的位置B，將位置A與位置B的偏離量規定為修正量(ddx，ddy)。

進而，系統控制部40將對象圖像62中的各座標的修正量(ddx，ddy)、x方向的偏移量ofsx、y方向的偏移量ofsy、x方向的伸縮倍率kx、y方向的伸縮倍率ky、及旋轉量θ代入至下一(4)式。藉由該(4)式，而求出關於作為座標轉換的對象的各座標(x1，y1)的座標轉換後的座標(xm，ym)。

[數4]xm=(kx×xl+ddx)×cosθ-(ky×yl+ddy)×sinθ+ofsx ym=(kx×xl+ddx)×sinθ-(ky×yl+ddy)×cosθ+ofsy…(4)

下一步驟S129中，以使平台12移動至藉由自曝光部22出射的光束而將被曝光基板C的上表面曝光的位置為止的方式，來控制平台驅動部42。

下一步驟S131中，以使用座標轉換後的座標(xm，ym) 對被曝光基板C描繪對象圖像62的方式，經由光源單元24及圖像處理單元28對曝光頭22a進行控制。此時，系統控制部40一面以使平台12以預先規定的速度移動的方式對平台驅動部42進行控制，藉此使被曝光基板C移動，一面以對被曝光基板C描繪對象圖像62的方式控制曝光頭22a。

下一步驟S133中，使平台12移動至將被曝光基板C從平台12卸下的位置為止，從而結束本曝光控制處理程式的執行。

如此，本實施形態的曝光描繪裝置10中，作為一例，如圖14A所示，在上述降低率為0%的情況下(N=0)，系統控制部40不降低針對被曝光基板C的應變的修正量便描繪對象圖像62。

另一方面，作為一例，如圖14B所示，在上述降低率大於0%的情況下(N>0)，系統控制部40相應於降低率而使針對被曝光基板C的應變的修正量降低，之後使對象圖像62變形而進行描繪。另外，圖14A及圖14B中，在作為描繪對象的描繪圖案中，為了容易明白焊墊66及導通通道68的位置關係，而在作為描繪對象的層的基準標記M的位置設置著焊墊66，在其他層的基準標記M的位置設置著導通通道68。

在普通的曝光描繪裝置中，例如，如圖15所示，在對被曝光基板C從下位側依次積層多層(例如4層)描繪圖案62A至描繪圖案62D而進行描繪的情況下，每當各層中的描繪結束時便進行顯影、蝕刻、剝離等化學處理。而且，普通的曝光描繪裝 置中，為了進一步將層(layer)進行重疊，而進行預浸物層的積層、導通通道的加工、填孔(filled via)鍍敷、粗化處理、乾膜光阻劑(Dry Film photoResist，DFR)的疊層等。因此，如圖16所示，假定每次在對第1層描繪圖案62A、第2層描繪圖案62B、第3層描繪圖案62C、第4層描繪圖案62D重疊層時，被曝光基板C的應變增大。

然而，本實施形態的曝光描繪裝置10中，在描繪描繪圖案時，在每層上，上述物理量越大，則越使降低量增多，且越使針對被曝光基板C的應變的修正量降低。藉此，可高精度地將電子零件安裝於基板上。

而且，本實施形態的曝光描繪裝置10中，對基準標記M的各自的修正量乘以比1小的正的值(降低率)，藉此使純修正量降低，但並不限定於此。亦即，亦可將純修正量除以超過1的值，或從純修正量減去正的值，藉此使純修正量降低。或者，亦可將上述乘法運算、除法運算、減法運算組合多個而使純修正量降低。

進而，在對被曝光基板C積層多個描繪圖案而進行描繪的情況下、且對被曝光基板C的最下位的層描繪描繪圖案的情況下，亦可不進行對被曝光基板C的應變的修正。

而且，本實施形態的曝光描繪裝置10中，對將本發明應用於對被曝光基板C曝光光束而描繪描繪圖案的曝光描繪裝置10的情況進行了說明，但並不限定於此。亦即，亦可將本發明應 用於根據設置於被描繪體的基準標記M的位置，而描繪作為描繪對象的圖像的任意的描繪裝置中。而且，亦可將本發明應用於形成將描繪描繪圖案的各層的層間電性連接的導通通道等的雷射加工裝置及鑽孔加工裝置中。而且，亦可應用於以形成用以保護基板的描繪圖案的阻焊層的零件安裝用孔為目的的曝光描繪裝置及加工裝置中。藉此，可高精度地將電子零件安裝於基板上。

[第2實施形態]

以下，對本發明的第2實施形態的曝光描繪裝置10進行說明。

第2實施形態的曝光描繪裝置10因具有與第1實施形態的曝光描繪裝置10相同的構成，故省略各構成的說明。

第2實施形態的曝光描繪裝置10在相應於被曝光基板C的應變來進行修正時，相應於孔環的值而對降低修正量(dx'，dy')設定限制。如圖17所示，孔環為在焊墊66的內部空出導通通道68的情況下的包圍導通通道68的全周的環狀區域，將焊墊直徑設為D、孔徑設為d的情況下的環狀區域的寬度即孔環的寬度L由L=(D-d)/2表示。

本實施形態的曝光描繪裝置10中，在系統控制部40的HDD 40A中預先記憶表示焊墊66的焊墊直徑D及導通通道68的孔徑d的資訊。

其次，參照圖18，對本實施形態的曝光描繪裝置10的作用進行說明。另外，圖18是表示在經由操作裝置44輸入執行指示時由第2實施形態的曝光描繪裝置10的系統控制部40執行 的曝光控制處理程式的處理的流程的流程圖。該程式預先記憶於系統控制部40的上述ROM的規定區域中。而且，對圖18中的進行與圖12相同的處理的步驟附上與圖12相同的步驟編號，並極力省略其說明。

本第2實施形態的曝光描繪裝置10中，在進行上述步驟S119的處理後，移行至步驟S121。

步驟S121中，獲取表示孔環的寬度L的資訊。本實施形態的曝光描繪裝置10中，自系統控制部40的HDD 40A讀出表示焊墊66的焊墊直徑D及導通通道68的孔徑d的資訊，且將焊墊直徑D及孔徑d的值代入至如下(5)式中，藉此導出孔環的寬度L。

另外，焊墊直徑D及孔徑d亦可由用戶根據被曝光基板C的種類或描繪圖案的設計值並經由操作裝置44而輸入。

另外，孔環的寬度L的獲取方法並不限定於此。該獲取方法例如可為從與外部連接的資訊處理裝置經由外部輸入輸出部48而輸入的方法。而且，該獲取方法亦可為將表示孔環的寬度L (例如30μm)的資訊預先記憶於系統控制部40的RAM、HDD 40A等記憶部中，並從該記憶部讀出的方法。而且，考慮到被曝光基板C的載置位置的誤差、描繪的位置的誤差等，能夠以藉由使孔環的寬度L的值比實物窄，而導通通道68不從焊墊66凸出的方式留有裕度。

下一步驟S123中，判定從純修正量(dx0，dy0)至純修正量(dx3，dy3)減去降低修正量(dx0'，dy0')至降低修正量(dx3'，dy3')所得的值，是否大於孔環的寬度L。此時，對各基準標記M進行判定，在即便有一個滿足該條件的情況下亦為肯定判定。在步驟S123中為否定判定的情況下移行至上述步驟S127，另一方面，在為肯定判定的情況下移行至步驟S126。

步驟S126中，為了避免因針對被曝光基板C的應變的修正而焊墊66與導通通道68的位置發生偏離，而限制降低修正量(dx0'，dy0')至降低修正量(dx3'，dy3')。此時，將純修正量(dx0，dy0)至純修正量(dx3，dy3)、及孔環的寬度L代入至下述(6)式所得的值設為降低修正量(dx0'，dy0')至降低修正量(dx3'，dy3')。

[數6]

另外，上述(6)式中，將如上述般藉由限制降低修正量(dx0'，dy0')至降低修正量(dx3'，dy3')而獲得的偏離量設為偏離量de'。

藉此，如圖19所示，以一面確保對被曝光基板C的最低限度的修正量，一面在焊墊66的內部容納導通通道68的方式，降低針對被曝光基板C的應變的修正量，之後使上述圖像發生變形。藉此，導通通道68容納在焊墊66的內部，從而可將電子零件高精度地安裝於被曝光基板C上。

作為一例，如圖20的左圖所示，在將降低率N設為40%而導出降低修正量(降低修正量=de×0.4)並使對象圖像62變形的情況下，焊墊66與導通通道68的位置發生偏離。該情況下，如圖20的右圖所示，根據孔環的寬度L來限制降低修正量(降低修正量=de-L)，藉此可將導通通道68容納在焊墊66的內部。另外，圖20中，作為描繪對象的描繪圖案中，為了容易明白焊墊66及導通通道68的位置關係，而在作為描繪對象的層的基準標記M的位置設置焊墊66，在其他層的基準標記M的位置設置導通通道 68。

用以實現由如以上般構成的曝光描繪裝置10進行的曝光控制處理的各種處理，亦可藉由執行程式，利用電腦並由軟體構成來實現。然而，並不限於由軟體構成來實現，還可由硬體構成或硬體構成與軟體構成的組合來實現。

日本專利申請案2013-074227號的揭示的所有內容藉由參考而結合於本說明書中。

本說明書所記載的所有文獻、專利申請案及技術規格，與具體且分別地記錄藉由參考而結合各個文獻、專利申請案及技術規格的情況同程度地，藉由參考而結合於本說明書中。

S101~S135‧‧‧步驟

Claims (13)

1. 一種描繪裝置，包括：獲取部，獲取下述座標資料：表示設置於被曝光基板中作為座標轉換的對象的對象區域的四個角落上的作為多個基準標記於設計上的位置的第1位置的座標資料、表示以上述第1位置為基準而規定的描繪於上述被曝光基板上的描繪圖案的座標資料、及表示作為上述多個基準標記的各自的實際的位置的第2位置的座標資料；導出部，根據上述第1位置及上述第2位置而導出表示上述被曝光基板的應變的大小的物理量，且對上述多個基準標記的每一個利用基於上述第1位置及上述第2位置的偏移量、伸縮倍率及旋轉量中至少一個，來導出對應於上述基準標記的每一個的偏離量的修正量；降低部，上述物理量越大，則從由上述導出部導出的各修正量降低越多的量；以及修正部，在以上述第2位置為基準而對上述被曝光基板描繪上述描繪圖案的情況下，根據由上述降低部降低的上述修正量來修正表示上述描繪圖案的上述座標資料。
2. 如申請專利範圍第1項所述的描繪裝置，其中上述導出部導出上述多個基準標記的每一個的上述第1位置及上述第2位置的偏離量的最大值、上述偏離量的各自的平均值、及上述偏離量的各自的積算值中的至少一個來作為上述物理量。
3. 如申請專利範圍第1項所述的描繪裝置，其中上述導出部導出根據上述第1位置而獲得的上述多個基準標記的相互間的距離與根據對應的上述第2位置而獲得的上述多個基準標記的相互間的距離的差分的最大值、上述差分的各自的平均值、及上述差分的各自的積算值中的至少一個來作為上述物理量。
4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的描繪裝置，其中上述降低部對由上述導出部導出的各上述修正量，進行如下處理中的至少一種：上述物理量越大則乘以越小的小於1的正的值、上述物理量越大則除以越大的超過1的值、及上述物理量越大則減去越大的但小於該修正量的正的值，藉此上述物理量越大，則從由上述導出部導出的各上述修正量降低越多的量。
5. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的描繪裝置，其中上述描繪圖案為表示電子配線的電路圖案，上述修正部在由上述降低部降低的上述修正量大於第1修正量的情況下，根據上述第1修正量來修正表示上述描繪圖案的上述座標資料，上述第1修正量被規定為在上述描繪圖案中的焊墊的內部容納導通通道者。
6. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的描繪裝置，其中 上述描繪圖案為表示阻焊層的零件安裝用的開口孔的阻焊劑圖案，上述修正部在由上述降低部降低的上述修正量大於第2修正量的情況下，根據上述第2修正量來修正表示上述描繪圖案的上述座標資料，上述第2修正量被規定為在用以與零件接合的導體焊墊的內部容納上述開口孔者。
7. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的描繪裝置，其中上述導出部根據如下的偏離量來導出上述修正量，上述偏離量是從上述第1位置及上述第2位置的偏離量中減去上述被曝光基板的平行移動所致的偏離、旋轉所致的偏離及伸縮所致的偏離中的至少一個所得。
8. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的描繪裝置，其更包括接收部，上述接收部接收將上述物理量及上述修正量的降低率分別相關聯所得的降低資訊的輸入，上述降低部使用由上述接收部接收的上述降低資訊中與由上述導出部導出的上述物理量相關聯所得的降低率，而降低由上述導出部導出的上述修正量。
9. 一種曝光描繪裝置，包括：如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的描繪裝置；以及曝光部，根據由上述描繪裝置的上述修正部而修正的座標資 料來對上述被曝光基板曝光並描繪上述描繪圖案。
10. 如申請專利範圍第9項所述的曝光描繪裝置，其更包括控制部，上述控制部在對上述被曝光基板積層並描繪多層的上述描繪圖案的情況下，對上述獲取部、上述導出部、上述降低部、上述修正部、及上述曝光部進行控制，從而對上述多層的每一個進行上述獲取部的獲取、上述導出部的導出、上述降低部的降低、上述修正部的修正及上述曝光部的曝光的各個。
11. 如申請專利範圍第10項所述的曝光描繪裝置，其更包括記憶部，上述記憶部記憶容許量資訊，上述容許量資訊表示上述物理量的最大容許量，上述物理量的上述最大容許量是作為上述被曝光基板的應變的大小而被容許的上限，上述控制部在由上述導出部導出的上述物理量大於藉由上述容許量資訊表示的上述最大容許量的情況下，禁止上述曝光部對上述被曝光基板的曝光。
12. 一種記錄媒體，記錄有程式，上述程式用以使電腦執行如下處理：獲取下述座標資料：表示設置於被曝光基板板中作為座標轉換的對象的對象區域的四個角落上的作為多個基準標記於設計上的位置的第1位置的座標資料、表示以上述第1位置為基準而規定的描繪於上述被曝光基板上的描繪圖案的座標資料、及表示作為上述多個基準標記的各自的實際的位置的第2位置的座標資料；根據上述第1位置及上述第2位置而導出表示上述被曝光基 板的應變的大小的物理量，且對上述多個基準標記的每一個利用基於上述第1位置及上述第2位置的偏移量、伸縮倍率及旋轉量中至少一個，來導出對應於上述基準標記的每一個的偏離量的修正量；上述物理量越大，則從所導出的各上述修正量降低越多的量；以及在以上述第2位置為基準而對上述被曝光基板描繪上述描繪圖案的情況下，根據降低後的上述修正量來修正表示上述描繪圖案的上述座標資料。
13. 一種描繪方法，獲取下述座標資料：表示設置於被曝光基板板中作為座標轉換的對象的對象區域的四個角落上的作為多個基準標記於設計上的位置的第1位置的座標資料、表示以上述第1位置為基準而規定的描繪於上述被曝光基板上的描繪圖案的座標資料、及表示作為上述多個基準標記的各自的實際的位置的第2位置的座標資料；根據上述第1位置及上述第2位置而導出表示上述被曝光基板的應變的大小的物理量，且對上述多個基準標記的每一個利用基於上述第1位置及上述第2位置的偏移量、伸縮倍率及旋轉量中至少一個，來導出對應於上述基準標記的每一個的偏離量的修正量；上述物理量越大，則從所導出的各上述修正量降低越多的量；以及 在以上述第2位置為基準而對上述被曝光基板描繪上述描繪圖案的情況下，根據降低後的上述修正量來修正表示上述描繪圖案的上述座標資料。