KR102138066B1

KR102138066B1 - 묘화 장치, 노광 묘화 장치, 프로그램을 기록한 기록 매체 및 묘화 방법

Info

Publication number: KR102138066B1
Application number: KR1020157023787A
Authority: KR
Inventors: 히로아키 키쿠치
Original assignee: 가부시키가이샤 아도테크 엔지니어링
Priority date: 2013-03-29
Filing date: 2013-11-25
Publication date: 2020-07-27
Also published as: CN105143985B; JP2014199298A; TWI606313B; WO2014155830A1; KR20150138180A; CN105143985A; TW201437770A; JP6470484B2

Abstract

묘화 장치. 상기 묘화 장치는 피노광 기판에 형성된 복수의 기준 마크의 설계상의 위치인 제 1 위치를 나타내는 좌표 데이터, 상기 제 1 위치를 기준으로 해서 정해진 상기 피노광 기판에 묘화하는 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터, 및 상기 복수의 기준 마크의 각각의 실제 위치인 제 2 위치를 나타내는 좌표 데이터를 취득하는 취득부와, 상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치에 의거하여 상기 피노광 기판의 변형의 크기를 나타내는 물리량을 도출하고, 또한 상기 복수의 기준 마크의 각각마다 상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치의 어긋남에 대한 보정량을 도출하는 도출부와, 상기 도출부에서 도출된 보정량의 각각으로부터 상기 물리량이 커질수록 많은 양을 저감하는 저감부와, 상기 제 2 위치를 기준으로 해서 상기 피노광 기판에 상기 묘화 패턴을 묘화할 경우, 상기 저감부에서 저감된 보정량에 의거하여 상기 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터를 보정하는 보정부를 구비하고 있다.

Description

묘화 장치, 노광 묘화 장치, 프로그램을 기록한 기록 매체 및 묘화 방법{LITHOGRAPHIC DEVICE, LITHOGRAPHIC EXPOSURE DEVICE, RECORDING MEDIUM HAVING PROGRAM RECORDED THEREON, AND LITHOGRAPHIC PROCESS}

본 발명은 묘화 장치, 노광 묘화 장치, 기록 매체 및 묘화 방법에 관한 것이고, 특히 기판에 대하여 묘화 패턴을 묘화하는 묘화 장치, 기판에 대하여 묘화 패턴을 노광에 의해 묘화하는 노광 묘화 장치, 상기 묘화 장치에 의해 실행되는 프로그램을 기록한 기록 매체, 및 기판에 대하여 묘화 패턴을 묘화하는 묘화 방법에 관한 것이다.

종래, 유리 클로스에 대하여 함침 처리를 행해서 건조시킨 프리프레그나, 강성 기능이 뛰어난 금속판 등을 코어 기판이라고 하고, 이들 코어 기판 상에 수지층과 배선층을 다층으로 쌓아 겹친 다층 배선 구조를 갖는 다층 배선 기판이 알려져 있다. 또한, 최근 이 다층 배선 기판에 대하여 박형화 및 공간 절약화가 요구되고 있기 때문에, 코어층을 갖지 않는 박형의 다층 배선 기판이 제안되어 있다.

이들 다층 배선 기판에서는 화학 처리에 의해 기판이 휘어 버리거나, 강도 부족에 의해 기판이 변형되어 버리거나 함으로써, 각 층에 묘화되는 묘화 패턴(배선 패턴)의 층간의 위치 맞춤이 곤란해지는 경우가 있다. 그것에도 상관없이, 묘화 패턴의 고밀도화에 의해 묘화 패턴에 있어서의 랜드 지름 및 구멍 지름이 미세화되어 있기 때문에, 고정밀도인 층간의 위치 맞춤이 요구되고 있다.

이 요구를 만족시키기 위해, 기판의 휨 및 변형에 의해 발생하는 기판의 변형에 따라서 묘화 패턴을 변형시킨 후에 기판에 묘화하는 기술이 제안되어 왔다. 이 기술에 의하면, 층간의 위치 맞춤의 정밀도는 향상되지만 층을 겹칠 때마다 변형이 축적되기 때문에, 상위층에 묘화되는 묘화 패턴의 형상이 설계상의 묘화 패턴의 형상으로부터 괴리되어 기판 상으로의 전자 부품의 실장이 곤란해지는 것이 염려된다.

또한, 묘화 패턴을 나타내는 화상을 복수의 영역으로 분할하고, 기판의 변형에 따라서 분할 영역마다 상기 화상을 회전 이동시키는 기술도 제안되어 있다. 이 기술에 의하면, 각 분할 영역에 있어서 설계상의 묘화 패턴의 형상과 실제로 묘화되는 묘화 패턴의 형상의 어긋남량이 저감된다. 그러나, 이 기술에서는 화상 처리가 복잡해진다고 하는 과제, 및 묘화 패턴을 층간에서 접속하기 위한 위치 결정 구멍을 각 분할 영역에 대하여 형성하는 기구가 필요하다고 하는 과제가 있었다.

이들 과제를 해결하기 위한 기술로서, 일본 특허 공개 2005-157326호 공보 및 일본 특허 공개 2011-95742호 공보에는 화상 처리가 복잡해지는 일 없이, 묘화되는 묘화 패턴의 설계상의 묘화 패턴으로부터의 어긋남을 억제할 수 있는 묘화 장치가 개시되어 있다.

즉, 상기 일본 특허 공개 2005-157326호 공보의 묘화 장치는 기판의 변형 정보를 미리 취득해 두고, 상기 변형 정보에 의거하여 변형 후의 기판에 기록된 묘화 패턴이 래스터 데이터에 의해 나타내어지는 묘화 패턴과 동일 형상이 되도록 상기 래스터 데이터를 변환한다. 그리고, 변환된 래스터 데이터에 의거하여 변형 전의 기판에 묘화 패턴을 기록한다.

또한, 상기 특허문헌 2의 묘화 장치는 묘화 대상으로 하는 영역을 규정하는 위치 좌표와, 상기 영역에 형성된 기준점의 위치를 갖는 묘화 데이터를 이용하여 기판의 위치 좌표의 변위 형태에 의거하여 기준점의 위치를 보정한다. 그리고, 보정한 기준점의 위치에 의거하여 상기 영역의 형상을 유지한 상태로 상기 영역 내의 각 좌표를 보정한다.

상기 일본 특허 공개 2005-157326호 공보에 개시되어 있는 기술에서는 취득한 변형 정보에 의거하여 묘화 패턴을 크게 변형시키기 때문에, 최종적으로 얻어지는 기판으로의 전자 부품의 실장은 개선되지만, 하층과의 위치 맞춤의 정밀도가 악화될 가능성이 있다는 과제가 있었다.

또한, 상기 일본 특허 공개 2011-95742호 공보에 개시되어 있는 기술에서도 묘화 대상으로 하는 영역의 크기가 보정 전의 영역의 크기로부터 변화됨에 따라, 최종적으로 실장용 패드와 전자 부품의 전극의 위치 어긋남이 발생하여 기판 상으로의 전자 부품의 실장이 곤란해져 버릴 가능성이 있다.

본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로서, 실장용 패드와 전자 부품의 전극의 피치 어긋남을 억제하면서, 고정밀도인 층간의 위치 맞춤을 실현할 수 있는 묘화 장치, 노광 묘화 장치, 프로그램 및 묘화 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 의한 묘화 장치는 피노광 기판에 형성된 복수의 기준 마크의 설계상의 위치인 제 1 위치를 나타내는 좌표 데이터, 상기 제 1 위치를 기준으로 해서 정해진 상기 피노광 기판에 묘화하는 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터, 및 상기 복수의 기준 마크의 각각의 실제 위치인 제 2 위치를 나타내는 좌표 데이터를 취득하는 취득부와, 상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치에 의거하여 상기 피노광 기판의 변형의 크기를 나타내는 물리량을 도출하고, 또한 상기 복수의 기준 마크의 각각마다 상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치의 어긋남에 대한 보정량을 도출하는 도출부와, 상기 도출부에서 도출된 보정량의 각각으로부터 상기 물리량이 커질수록 많은 양을 저감하는 저감부와, 상기 제 2 위치를 기준으로 해서 상기 피노광 기판에 상기 묘화 패턴을 묘화할 경우, 상기 저감부에서 저감된 보정량에 의거하여 상기 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터를 보정하는 보정부를 구비하고 있다.

본 발명에 의한 묘화 장치에 의하면, 취득부에 의해 피노광 기판에 형성된 복수의 기준 마크의 설계상의 위치인 제 1 위치를 나타내는 좌표 데이터, 상기 제 1 위치를 기준으로 해서 정해진 상기 피노광 기판에 묘화하는 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터, 및 상기 복수의 기준 마크의 각각의 실제 위치인 제 2 위치를 나타내는 좌표 데이터가 취득된다. 또한, 도출부에 의해 상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치에 의거하여 상기 피노광 기판의 변형의 크기를 나타내는 물리량이 도출되고, 또한 상기 복수의 기준 마크의 각각마다 상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치의 어긋남에 대한 보정량이 도출된다.

여기에서, 본 발명에 의한 묘화 장치에서는 저감부에 의해 상기 도출부에서 도출된 보정량의 각각으로부터 상기 물리량이 커질수록 많은 양이 저감된다.

또한, 본 발명에 의한 묘화 장치에서는 보정부에 의해 상기 제 2 위치를 기준으로 해서 상기 피노광 기판에 상기 묘화 패턴을 묘화할 경우, 상기 저감부에서 저감된 보정량에 의거하여 상기 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터가 보정된다.

즉, 본 발명에 의한 묘화 장치는 기준 마크의 설계상의 위치와 실제 위치의 어긋남량으로부터 도출된 보정량의 각각으로부터 상기 물리량이 커질수록 많은 양을 저감시키고, 저감시킨 보정량에 의거하여 상기 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터를 보정한다.

이와 같이, 본 발명에 의한 묘화 장치에 의하면 피노광 기판의 변형의 크기가 커질수록 보정량을 작게 하는 결과, 보정 후의 묘화 패턴의 형상이 피노광 기판의 변형의 형상에 근접하고, 실장용 패드와 전자 부품의 전극의 피치 어긋남을 억제하면서, 고밀도인 층간의 위치 맞춤을 실현할 수 있다.

또한, 본 발명에 의한 묘화 장치는 상기 도출부가 상기 물리량으로서 상기 복수의 기준 마크의 각각마다의 상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치의 어긋남량의 최대값, 상기 어긋남량의 각각의 평균값, 및 상기 어긋남량의 각각의 적산값 중 적어도 하나를 도출하도록 해도 좋다. 또한, 본 발명에 의한 묘화 장치는 상기 도출부가 상기 물리량으로서 상기 제 1 위치에 의거해서 얻어지는 상기 복수의 기준 마크의 상호간의 거리와, 대응하는 상기 제 2 위치에 의거해서 얻어지는 상기 복수의 기준 마크의 상호간의 거리의 차분의 최대값, 상기 차분의 각각의 평균값, 및 상기 차분의 각각의 적산값 중 적어도 하나를 도출하도록 해도 좋다. 상기 물리량으로서 기준 마크의 각각마다의 어긋남량의 최대값을 도출함으로써, 보다 확실하게 보정을 행할 수 있다. 또한, 기준 마크의 각각마다의 어긋남량의 평균값을 도출함으로써, 특이한 어긋남에 기인하는 오보정의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 기준 마크의 각각마다의 어긋남량의 적산값을 도출함으로써, 모든 어긋남량을 반영한 보정을 행할 수 있다.

또한, 본 발명에 의한 묘화 장치는 상기 저감부가 상기 도출부에서 도출된 보정량의 각각에 상기 물리량이 커질수록 작은 1 미만의 정의 값을 승산하는 것, 상기 물리량이 커질수록 큰 1을 초과하는 값으로 제산하는 것, 및 상기 물리량이 커질수록 크고 또한 상기 보정량보다 작은 정의 값을 감산하는 것 중 적어도 하나를 행함으로써, 상기 도출부에서 도출된 보정량의 각각으로부터 상기 물리량이 커질수록 많은 양을 저감하도록 해도 좋다. 이에 따라, 간이한 연산에 의해 보정량을 저감시킬 수 있다.

또한, 본 발명에 의한 묘화 장치는 상기 묘화 패턴이 전자 배선을 나타내는 회로 패턴이며, 상기 보정부가 상기 저감부에서 저감된 보정량이 상기 묘화 패턴에 있어서의 랜드의 내부에 도통 비아가 수용되는 것으로서 정해진 제 1 보정량보다 클 경우, 상기 제 1 보정량에 의거하여 상기 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터를 보정하도록 해도 좋다. 이에 따라, 피노광 기판의 불량의 원인이 되는 랜드 결함(도통 비아의 랜드 밖으로의 돌출)을 방지할 수 있다.

또한, 본 발명에 의한 묘화 장치는 상기 묘화 패턴이 솔더 레지스트층의 부품 실장용의 개구 구멍을 나타내는 솔더 레지스트 패턴이며, 상기 보정부가 상기 저감부에서 저감된 보정량이 상기 개구 구멍이 부품과 접합하기 위한 도체 패드의 내부에 수용되는 것으로서 정해진 제 2 보정량보다 클 경우, 상기 제 2 보정량에 의거하여 상기 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터를 보정하도록 해도 좋다. 이에 따라, 피노광 기판의 불량의 원인이 되는 도체 패드와 개구 구멍의 위치 어긋남을 방지할 수 있다.

또한, 본 발명에 의한 묘화 장치는 상기 도출부가 상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치의 어긋남량으로부터 상기 피노광 기판의 평행 이동에 의한 어긋남, 회전에 의한 어긋남, 및 신축에 의한 어긋남 중 적어도 하나를 감산한 어긋남량에 의거하여 상기 보정량을 도출하도록 해도 좋다. 이에 따라, 실장용 패드와 전자 부품의 전극의 피치 어긋남을 보다 확실하게 억제할 수 있다.

또한, 본 발명에 의한 묘화 장치는 상기 물리량 및 상기 보정량의 저감률이 각각 대응된 저감 정보의 입력을 접수하는 접수부를 더 구비하고, 상기 저감부가 상기 접수부에서 접수된 저감 정보에 있어서 상기 도출부에서 도출된 상기 물리량에 대응된 저감률을 이용하여 상기 도출부에서 도출된 보정량을 저감하도록 해도 좋다. 이에 따라, 보정량의 저감의 정도를 용이하게 설정할 수 있는 결과, 유저에게 있어서의 편리성을 향상시킬 수 있다.

한편, 상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 노광 묘화 장치는, 본 발명에 의한 묘화 장치와, 상기 묘화 장치의 상기 보정부에서 보정된 좌표 데이터에 의거하여 상기 피노광 기판에 상기 묘화 패턴을 노광해서 묘화하는 노광부를 구비하고 있다.

따라서, 본 발명에 의한 노광 묘화 장치에 의하면 본 발명에 의한 묘화 장치와 마찬가지로 작용하므로, 상기 묘화 장치와 마찬가지로 실장용 패드와 전자 부품의 전극의 피치 어긋남을 억제하면서, 고정밀도인 층간의 위치 맞춤을 실현할 수 있다.

또한, 본 발명에 의한 노광 묘화 장치는 상기 피노광 기판에 복수의 층의 묘화 패턴을 적층시켜서 묘화할 경우에, 상기 취득부, 상기 도출부, 상기 저감부, 상기 보정부, 및 상기 노광부를 제어하고, 상기 복수의 층의 각각마다 상기 취득부에 의한 취득, 상기 도출부에 의한 도출, 상기 저감부에 의한 저감, 상기 보정부에 의한 보정, 및 상기 노광부에 의한 노광의 각각을 행하는 제어부를 더 구비하도록 해도 좋다. 이에 따라, 복수의 묘화 패턴을 적층시켜서 묘화할 경우에도 실장용 패드와 전자 부품의 전극의 피치 어긋남을 억제하면서, 고정밀도인 층간의 위치 맞춤을 실현할 수 있다.

또한, 본 발명에 의한 노광 묘화 장치는 상기 피노광 기판의 변형의 크기로서 허용되는 상한인 상기 물리량의 최대 허용량을 나타내는 허용량 정보를 기억하는 기억부를 더 구비하고, 상기 제어부가 상기 도출부에서 도출된 상기 물리량이 상기 허용량 정보에 의해 나타내어지는 최대 허용량보다 클 경우, 상기 피노광 기판에 대한 상기 노광부에 의한 노광을 금지하도록 해도 좋다. 이에 따라, 쓸데없는 노광의 실시를 회피할 수 있다.

또한, 상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 기록 매체에 기록되어 있는 프로그램은 컴퓨터에, 피노광 기판에 형성된 복수의 기준 마크의 설계상의 위치인 제 1 위치를 나타내는 좌표 데이터, 상기 제 1 위치를 기준으로 해서 정해진 상기 피노광 기판에 묘화하는 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터, 및 상기 복수의 기준 마크의 각각의 실제 위치인 제 2 위치를 나타내는 좌표 데이터를 취득하고, 상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치에 의거하여 상기 피노광 기판의 변형의 크기를 나타내는 물리량을 도출하고, 또한 상기 복수의 기준 마크의 각각마다 상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치의 어긋남에 대한 보정량을 도출하고, 도출된 상기 보정량의 각각으로부터 상기 물리량이 커질수록 많은 양을 저감하고, 상기 제 2 위치를 기준으로 해서 상기 피노광 기판에 상기 묘화 패턴을 묘화할 경우, 저감된 상기 보정량에 의거하여 상기 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터를 보정하는 처리를 실행시킨다.

따라서, 본 발명에 의한 기록 매체에 기록되어 있는 프로그램에 의하면 컴퓨터를 본 발명에 의한 묘화 장치와 마찬가지로 작용시킬 수 있으므로, 상기 묘화 장치와 마찬가지로 실장용 패드와 전자 부품의 전극의 피치 어긋남을 억제하면서, 고정밀도인 층간의 위치 맞춤을 실현할 수 있다.

또한, 상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 묘화 방법은 피노광 기판에 형성된 복수의 기준 마크의 설계상의 위치인 제 1 위치를 나타내는 좌표 데이터, 상기 제 1 위치를 기준으로 해서 정해진 상기 피노광 기판에 묘화하는 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터, 및 상기 복수의 기준 마크의 각각의 실제 위치인 제 2 위치를 나타내는 좌표 데이터를 취득하고, 상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치에 의거하여 상기 피노광 기판의 변형의 크기를 나타내는 물리량을 도출하고, 또한 상기 복수의 기준 마크의 각각마다 상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치의 어긋남에 대한 보정량을 도출하고, 도출된 상기 보정량의 각각으로부터 상기 물리량이 커질수록 많은 양을 저감하고, 상기 제 2 위치를 기준으로 해서 상기 피노광 기판에 상기 묘화 패턴을 묘화할 경우, 저감된 상기 보정량에 의거하여 상기 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터를 보정한다.

따라서, 본 발명에 의한 묘화 방법에 의하면 본 발명에 의한 묘화 장치와 마찬가지로 작용하므로, 상기 묘화 장치와 마찬가지로 실장용 패드와 전자 부품의 전극의 피치 어긋남을 억제하면서, 고정밀도인 층간의 위치 맞춤을 실현할 수 있다.

(발명의 효과)

본 발명에 의하면, 실장용 패드와 전자 부품의 전극의 피치 어긋남을 억제하면서, 고정밀도인 층간의 위치 맞춤을 실현한다.

도 1은 실시형태에 의한 노광 묘화 장치의 외관을 나타내는 사시도이다.
도 2는 실시형태에 의한 노광 묘화 장치의 주요부의 구성을 나타내는 사시도이다.
도 3은 실시형태에 의한 노광 묘화 장치의 노광 헤드의 구성을 나타내는 사시도이다.
도 4는 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 있어서 피노광 기판에 형성되는 노광이 완료된 영역을 나타내는 평면도이다.
도 5는 실시형태에 의한 노광 묘화 장치의 전기계의 구성을 나타내는 블록도이다.
도 6a는 변형이 발생하고 있지 않은 피노광 기판의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 6b는 변형이 발생하고 있는 피노광 기판의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 7은 실시형태에 의한 노광 제어 처리에 있어서의 변형량의 도출 방법의 설명에 제공하는 평면도이다.
도 8은 실시형태에 의한 노광 제어 처리에 있어서의 변형량의 도출 방법의 다른 예의 설명에 제공하는 평면도이다.
도 9는 실시형태에 의한 저감 정보의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 10은 실시형태에 의한 노광 제어 처리에 있어서의 피노광 기판의 변형의 크기를 나타내는 물리량과 저감률의 관계의 일례를 나타내는 그래프이다.
도 11a는 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 있어서, 피노광 기판의 변형에 따른 좌표 변환의 대상이 되는 영역의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 11b는 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 있어서, 피노광 기판의 변형에 따른 좌표 변환의 대상이 되는 영역의 다른 예를 나타내는 평면도이다.
도 11c는 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 있어서, 피노광 기판의 변형에 따른 좌표 변환의 대상이 되는 영역의 다른 예를 나타내는 평면도이다.
도 12는 제 1 실시형태에 의한 노광 제어 처리 프로그램의 처리의 흐름을 나타내는 플로우차트이다.
도 13은 실시형태에 의한 노광 제어 처리에 있어서의 피노광 기판의 변형에 따른 좌표 변환의 방법의 설명에 제공하는 평면도이다.
도 14a는 제 1 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 있어서, 피노광 기판의 변형에 따른 좌표 변환을 행하고 있지 않을 경우의 대상 화상의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 14b는 제 1 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 있어서, 피노광 기판의 변형에 따른 좌표 변환을 보정량을 저감시키면서 행했을 경우의 좌표 변환 후의 대상 화상의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 15는 제 1 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 있어서, 피노광 기판에 다층에 묘화 패턴을 묘화했을 경우의 피노광 기판의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 16은 제 1 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 있어서, 피노광 기판에 다층에 묘화 패턴을 묘화했을 경우의 각 층에 묘화되는 대상 화상의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 17은 애뉼러 링의 설명에 제공하는 평면도이다.
도 18은 제 2 실시형태에 의한 노광 제어 처리 프로그램의 처리의 흐름을 나타내는 플로우차트이다.
도 19는 제 2 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 있어서, 피노광 기판의 변형에 따른 좌표 변환을 보정량을 저감시키면서 행했을 경우의 좌표 변환 후의 대상 화상의 일례를 나타내는 확대 평면도이다.
도 20은 제 2 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 있어서, 피노광 기판의 변형에 따른 좌표 변환을 저감 보정량을 제한하지 않고 행했을 경우의 좌표 변환 후의 대상 화상의 일례(좌측 도면), 및 저감 보정량을 제한하면서 행했을 경우의 좌표 변환 후의 대상 화상의 일례(우측 도면)를 나타내는 평면도이다.

〔제 1 실시형태〕

이하, 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 대해서 첨부된 도면을 이용하여 상세하게 설명한다. 본 실시형태에서는 본 발명을 피노광 기판[후술하는 피노광 기판(C)]에 광빔을 노광해서 회로 패턴, 솔더 레지스트층의 부품 실장용의 개구 구멍을 나타내는 솔더 레지스트 패턴 등의 묘화 패턴을 묘화하는 노광 묘화 장치에 적용했을 경우를 예를 들어서 설명한다. 또한, 피노광 기판으로서는 프린트 배선 기판, 플랫 패널 디스플레이용 유리 기판 등의 평판 기판이 예시된다. 또한, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에서는 노광 묘화가 대상으로 하는 피노광 기판이 직사각형상의 형상을 나타낸 것으로 되어 있다.

도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)는 피노광 기판(C)을 고정하기 위한 평판 형상의 스테이지(12)를 구비하고 있다. 스테이지(12)의 상면에는 공기를 흡입하는 복수의 흡입 구멍이 형성되어 있다. 이에 따라, 스테이지(12)의 상면에 피노광 기판(C)이 적재되었을 때에 피노광 기판(C) 및 스테이지(12)간의 공기가 흡입됨으로써 피노광 기판(C)이 스테이지(12)에 진공 흡착된다.

본 실시형태에 의한 스테이지(12)는 탁상의 기체(14)의 상면으로 이동 가능하게 설치된 평판 형상의 기대(16)에 지지되어 있다. 즉, 기체(14)의 상면에는 1개 또는 복수개(본 실시형태에서는 2개)의 가이드 레일(18)이 설치되어 있다. 기대(16)는 가이드 레일(18)을 따라 이동 가능하게 가이드 레일(18)에 지지되어 있고, 모터, 유압 펌프 등에 의해 구성된 구동 기구[후술하는 스테이지 구동부(42)]에 의해 구동되어서 이동한다. 따라서, 스테이지(12)는 기대(16)의 이동에 연동해서 가이드 레일(18)을 따라 이동한다.

또한, 도 2에 나타내는 바와 같이 이하에서는 스테이지(12)가 이동하는 방향을 Y방향이라고 정하고, 이 Y방향에 대하여 수평면 내에서 직교하는 방향을 X방향이라고 정하고, Y방향으로 연직면 내에서 직교하는 방향을 Z방향이라고 정한다.

기체(14)의 상면에는 2개의 가이드 레일(18)을 걸치도록 세워서 설치된 게이트(20)가 설치되어 있다. 스테이지(12)에 적재된 피노광 기판(C)은 게이트(20)의 개구부를 가이드 레일(18)을 따라 출입하도록 해서 이동한다. 게이트(20)의 개구부의 상부에는 상기 개구부를 향해서 광빔을 노광하는 노광부(22)가 부착되어 있다. 이 노광부(22)에 의해, 스테이지(12)가 가이드 레일(18)을 따라 이동해서 상기 개구부에 위치하고 있을 경우에, 스테이지(12)에 적재된 피노광 기판(C)의 상면에 광빔이 노광된다.

본 실시형태에 의한 노광부(22)는 복수개(본 실시형태에서는 10개)의 노광 헤드(22a)를 포함해서 구성되어 있다. 또한, 노광부(22)에는 후술하는 광원 유닛(24)으로부터 인출된 광파이버(26)와, 후술하는 화상 처리 유닛(28)으로부터 인출된 신호 케이블(30)이 각각 접속되어 있다.

노광 헤드(22a)의 각각은 반사형의 공간 광변조 소자로서의 디지털 마이크로미러 디바이스(DMD)를 갖고 있다. 한편, 노광 묘화 장치(10)는 노광 헤드(22a)에 대하여 광빔을 출사하는 광원 유닛(24), 및 노광 헤드(22a)에 대하여 화상 정보를 출력하는 화상 처리 유닛(28)을 구비하고 있다. 노광 헤드(22a)는 화상 처리 유닛(28)으로부터 입력한 화상 정보에 의거하여 DMD를 제어함으로써 광원 유닛(24)으로부터의 광빔을 변조한다. 노광 묘화 장치(10)는 이 변조한 광빔을 피노광 기판(C)에 조사함으로써 피노광 기판(C)에 대한 노광을 행한다. 또한, 공간 광변조 소자는 반사형에 한정되지 않고, 액정 등의 투과형의 공간 광변조 소자라도 좋다.

기체(14)의 상면에는 또한 2개의 가이드 레일(18)을 걸치도록 세워서 설치된 게이트(32)가 설치되어 있다. 스테이지(12)에 적재된 피노광 기판(C)은 게이트(32)의 개구부를 가이드 레일(18)을 따라 출입하도록 해서 이동한다.

게이트(32)의 개구부의 상부에는 상기 개구부를 촬영하기 위한 1개 또는 복수개(본 실시형태에서는 2개)의 촬영부(34)가 부착되어 있다. 촬영부(34)는 1회의 발광 시간이 매우 짧은 스트로보를 내장한 CCD 카메라 등이다. 또한, 게이트(32)의 개구부의 상부에는 스테이지(12)의 이동 방향(Y방향)에 대하여 수평면 내에 있어서 수직인 방향(X방향)을 따라 레일(34a)이 설치되고, 촬영부(34)의 각각은 레일(34a)로 안내되어서 이동 가능하게 설치되어 있다. 이 촬영부(34)에 의해, 스테이지(12)가 가이드 레일(18)을 따라 이동해서 상기 개구부에 위치하고 있을 경우에, 스테이지(12)에 적재된 피노광 기판(C)의 상면이 촬영된다.

이어서, 본 실시형태에 의한 노광 헤드(22a)에 의한 노광 처리에 대하여 설명한다.

도 3에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 의한 노광 헤드(22a)에 의해 노광되는 영역인 화상 영역(22b)은 한쪽의 변이 스테이지(12)의 이동 방향(Y방향)에 대하여 미리 정해진 경사각으로 경사진 직사각형상이다. 또한, 스테이지(12)가 게이트(20)의 개구부를 이동하고 있을 때에 노광 헤드(22a)에 의해 광빔이 노광되면, 스테이지(12)의 이동에 따라 피노광 기판(C)에 노광 헤드(22a)마다 띠 형상의 노광이 완료된 영역(22c)이 형성된다.

또한, 도 2 및 도 3에 나타내는 바와 같이 노광 헤드(22a)의 각각은 노광부(22)에 매트릭스 형상으로 배열되고, 도 4에 나타내는 바와 같이 X방향으로 화상 영역(22b)의 장변의 길이를 자연수 배(본 실시형태에서는 1배)한 거리씩 어긋나게 해서 배치되어 있다. 그리고, 노광이 완료된 영역(22c)의 각각은 인접하는 노광이 완료된 영역(22c)과 부분적으로 겹쳐져서 형성된다.

이어서, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)의 전기계의 구성에 대하여 설명한다.

도 5에 나타내는 바와 같이, 노광 묘화 장치(10)에는 장치 각 부에 각각 전기적으로 접속되는 시스템 제어부(40)가 설치되어 있고, 이 시스템 제어부(40)에 의해 노광 묘화 장치(10)의 각 부가 통괄적으로 제어된다. 또한, 노광 묘화 장치(10)는 스테이지 구동부(42), 조작 장치(44), 촬영 구동부(46), 및 외부 입출력부(48)를 갖고 있다.

시스템 제어부(40)는 CPU(Central Processing Unit), RAM(Random Access Memory), ROM(Read Only Memory), 및 HDD(Hard Disk Drive)(40A)를 갖고 있다. 또한, 시스템 제어부(40)는 상기 CPU에 의해 광원 유닛(24)으로부터 광빔을 출사시킴과 아울러, 스테이지(12)의 이동에 따른 타이밍으로 대응하는 화상 정보를 화상 처리 유닛(28)에 의해 출력시킴으로써 피노광 기판(C)에 대한 광빔의 노광을 제어한다.

스테이지 구동부(42)는 상술한 바와 같이 모터, 유압 펌프 등에 의해 구성된 구동 기구를 갖고 있고, 시스템 제어부(40)의 제어에 의해 스테이지(12)를 이동시킨다.

조작 장치(44)는 시스템 제어부(40)의 제어에 의해 각종 정보를 표시하는 표시부와, 유저 조작에 의해 각종 정보를 입력하는 입력부를 갖고 있다.

촬영 구동부(46)는 모터, 유압 펌프 등에 의해 구성된 구동 기구를 갖고 있고, 시스템 제어부(40)의 제어에 의해 촬영부(34)를 이동시킨다.

외부 입출력부(48)는 노광 묘화 장치(10)에 접속된 퍼스널컴퓨터 등의 정보 처리 장치와의 사이에서 각종 정보의 입출력을 행한다.

그런데, 도 2에 나타내는 바와 같이 본 실시형태에 의한 피노광 기판(C)에는 화상이 묘화될 때의 위치 결정의 기준이 되는 복수(본 실시형태에서는 4개)의 위치 맞춤 마크(이하, 「기준 마크」라고 함)(M)가 형성되어 있다. 일례로서 도 6a에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에서는 피노광 기판(C)의 각 부의 각각에 기준 마크(M1∼M4)(이하, 4개를 합쳐서 「기준 마크(M)」라고도 함)가 형성되어 있다. 구체적으로는, 피노광 기판(C)의 도 6a의 정면으로 보았을 때 좌측 위의 위치에 기준 마크(M1), 우측 위의 위치에 기준 마크(M2), 좌측 아래의 위치에 기준 마크(M3), 및 우측 아래의 위치에 기준 마크(M4)가 각각 형성되어 있다.

본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)는 피노광 기판(C)에 기준 마크(M)의 각각에 대하여 미리 정해진 상대 위치에 화상 정보에 의해 나타내어지는 묘화 패턴 등의 화상(이하, 「대상 화상」이라고 함)(62)을 묘화한다. 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에서는 대상 화상(62)의 외곽 형상이 직사각형상이지만 이것에 한정되지 않고, 타원형상, 별형 형상 등, 임의의 형상이라도 좋다.

노광 묘화 장치(10)는 대상 화상(62)을 묘화할 때, 피노광 기판(C)에 대하여 광빔을 노광하기 전에 촬영부(34)에 의해 기준 마크(M)의 각각을 촬영하고, 촬영 화상으로부터 기준 마크(M)의 각각의 위치를 계측한다. 그리고, 노광 묘화 장치(10)는 계측한 기준 마크(M)의 각각의 위치에 의거하여 대상 화상(62)을 묘화시키는 영역을 결정하고, 결정한 영역에 대상 화상(62)을 묘화한다.

또한, 일례로서 도 6b에 나타내는 바와 같이 종래의 노광 묘화 장치(10)에는 피노광 기판(C)에 대상 화상(62)을 묘화하기 전에 기준 마크(M)의 각각의 위치로부터 피노광 기판(C)의 변형량을 도출하는 것이 있었다. 그리고, 이 종래의 노광 묘화 장치(10)에서는 도출한 변형의 크기에 따라서 대상 화상(62)의 형상을 보정한다.

이때, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)는 설계상의 대상 화상(62)의 형상과 묘화되는 대상 화상(62)의 형상이 괴리됨으로써 전자 부품의 실장의 정밀도가 저하되는 것을 방지하기 위해서, 대상 화상(62)의 피노광 기판(C)의 변형에 대한 보정량을 저감한다. 이때, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)는 기준 마크(M)의 각각의 어긋남량에 대응하는 보정량(이하, 「순보정량」이라고 함)으로부터 피노광 기판(C)의 변형의 크기를 나타내는 물리량이 커질수록 많은 양을 저감한다. 이에 따라, 대상 화상(62)의 설계상의 형상으로부터의 변형이 억제된다. 그리고, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)는 저감한 기준 마크(M)의 각각의 보정량(이하, 「저감 보정량」이라고 함)에 따라서 대상 화상(62)을 변형시킨다.

또한, 일례로서 도 7에 나타내는 바와 같이 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)는 상기 물리량으로서 기준 마크(M)의 각각마다의 설계상의 위치와 계측에서 얻어진 위치(실제 위치)의 어긋남량(de)의 최대값을 사용한다. 도 7에서는 설계상의 기준 마크(M)의 각각의 위치를 실선으로 접속해서 나타내고, 계측에서 얻어진 기준 마크(M)의 각각의 위치를 점선으로 접속해서 나타내고 있다. 또한, 도 7의 정면으로 보았을 때 좌우 방향을 x방향, 정면으로 보았을 때 상하 방향을 y방향이라고 하고, x방향에 대한 어긋남량을 어긋남량 dx, y방향에 대한 어긋남량을 어긋남량 dy라고 하면, 어긋남량 de는 하기의 (1)식으로 나타내어진다.

이와 같이, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에서는 상기 어긋남량의 최대값을 상기 물리량으로서 사용하지만 이것에 한정되지 않고, 상기 어긋남량의 각각의 평균값, 또는 상기 어긋남량의 각각의 적산값을 상기 물리량으로서 사용해도 좋다. 또한, 상기 최대값, 상기 평균값, 상기 적산값의 복수의 조합을 상기 물리량으로서 사용해도 좋다.

또는 일례로서 도 8에 나타내는 바와 같이, 기준 마크(M1∼M4)의 상호간의 설계상의 거리(Pa1∼Pa6)와 계측에서 얻어진 거리(Pb1∼Pb6)의 대응하는 거리끼리의 차분의 최대값을 상기 물리량으로서 사용해도 좋다. 또한, 도 8에서는 도 7과 마찬가지로 설계상의 기준 마크(M)의 각각의 위치를 실선으로 접속해서 나타내고, 계측에서 얻어진 기준 마크(M)의 각각의 위치를 점선으로 접속해서 나타내고 있다. 또한, 상기 차분의 각각의 평균값, 또는 상기 차분의 각각의 적산값을 상기 물리량으로서 사용해도 좋다. 또한, 상기 최대값, 상기 평균값, 및 상기 적산값의 복수의 조합을 상기 물리량으로서 사용해도 좋다.

한편, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)는 저감 보정량을 도출하기 위해서, 설계상의 기준 마크(M)의 각각의 위치가 좌표 데이터로 나타내어진 위치 정보와 저감 정보(50)를 시스템 제어부(40)의 HDD(40A)의 소정 영역에 미리 기억하고 있다.

일례로서 도 9에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 의한 저감 정보(50)는 상기 물리량을 나타내는 물리량 정보와, 순보정량을 저감시킬 때의 저감률을 나타내는 저감률 정보와, 피노광 기판(C)에 대한 처리 내용을 나타내는 처리 내용 정보가 각각 대응된 정보이다. 또한, 도 9에 나타내는 바와 같이 상기 저감률 정보에 있어서 저감률이 범위로 나타내어지는 경우에는 저감률이 상기 범위 내에서 직선적 또는 곡선적으로 커지는 것을 나타내고 있다.

또한, 본 실시형태에 의한 저감 정보(50)에서는 상기 처리 내용 정보로서 피노광 기판(C)에 대상 화상(62)을 묘화하는 노광 묘화 처리, 및 피노광 기판(C)에 대상 화상(62)을 묘화하지 않고 피노광 기판(C)을 배출하는 에러 처리 중 어느 한쪽을 기억한다. 노광 묘화 장치(10)는 저감 정보(50)에 있어서 상기 물리량에 대응된 처리 내용 정보에 의해 나타내어지는 처리 내용이 노광 묘화 처리였을 경우, 상기 물리량에 대응된 저감률 정보에 의해 나타내어지는 저감률로 순보정량을 저감시킨 후에 노광 묘화 처리를 실행한다. 한편, 노광 묘화 장치(10)는 저감 정보(50)에 있어서 상기 물리량에 대응된 처리 내용 정보에 의해 나타내어지는 처리 내용이 에러 처리였을 경우, 노광 묘화 처리를 행하지 않고 피노광 기판(C)을 노광 묘화 장치(10)로부터 배출한다. 단, 에러 처리의 처리 내용은 이것에 한정되지 않고, 피노광 기판(C)에 대한 저감률을 고정값으로 해서 노광 묘화 처리를 행한 후에 에러가 발생한 것을 나타내는 정보를 피노광 기판(C)에 묘화해도 좋다. 또한, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에서는 도 9에 나타내는 바와 같이 저감 정보(50)에 있어서 상기 물리량이 100㎛ 이상일 경우의 처리 내용이 에러 처리로 되어 있다.

여기에서, 일례로서 도 9 및 도 10에 나타내는 바와 같이 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에서는 저감 정보(50)에 있어서 상기 물리량이 커질수록 상기 저감률을 크게 하고 있다. 이것은 상기 물리량이 커질수록 순보정량에 대한 저감량이 많아지는, 즉 저감 보정량이 적어지는 것을 의미한다. 이 경우, 대상 화상(62)이 저감 보정량을 사용하고 있지 않을 경우와 비교해서 대상 화상(62)의 설계상의 형상보다 피노광 기판(C)의 변형의 형상에 가까운 형상으로 변형된다. 이에 따라, 실장용 패드와 전자 부품의 전극의 위치 어긋남이 억제된다.

또한, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에서는 도 10에 나타내는 바와 같이 상기 물리량이 커질수록 저감률을 계단 형상으로 많게 해 가지만, 저감률을 많게 하는 방법은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 상기 물리량이 커질수록 저감률을 직선 형상으로 많게 해 가도 좋다. 또한, 상기 물리량이 커질수록 저감률의 증가량이 많아지는 곡선 형상, 또는 상기 물리량이 커질수록 저감률의 증가량이 적어지는 곡선 형상으로 저감률을 변화시켜도 좋다.

본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)는 상기 물리량과 저감 정보(50)를 이용하여 저감률을 결정하고, 순보정량과 저감률로부터 저감 보정량을 도출한다. 그리고, 노광 묘화 장치(10)는 도출한 저감 보정량에 따라서 기준 마크(M)의 각각의 위치를 보정하고, 보정한 기준 마크(M)의 각각의 위치에 의거하여 대상 화상(62)을 변형시키고, 변형시킨 대상 화상(62)을 피노광 기판(C)에 묘화한다.

또한, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에서는 유저에 의해 조작 장치(44)의 입력부를 통해서 저감 정보(50)의 입력을 접수하고, 접수한 저감 정보(50)를 시스템 제어부(40)의 HDD(40A)에 기억한다. 그러나, 이것에 한정되지 않고, 예를 들면 저감 정보(50)에 있어서의 각 정보를 고정값으로 해서 시스템 제어부(40)의 HDD(40A)에 미리 기억해 두어도 좋다.

또한, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에서는 대상 화상(62)을 변형시킬 때에, 일례로서 도 11a에 나타내는 바와 같이 대상 화상(62)의 영역 전체를 좌표 변환의 대상인 대상 영역(도 11a 및 도 11b에 있어서 도트 모양으로 나타내는 영역)(64)으로 한다. 그러나, 대상 영역(64)은 이것에 한정되지 않고, 일례로서 도 11b에 나타내는 바와 같이 4개의 기준 마크(M1∼M4)의 무게중심의 위치를 각점으로 한 직사각형상의 영역을 대상 영역(64)으로 해도 좋다. 또는 일례로서 도 11c에 나타내는 바와 같이, 피노광 기판(C)의 노광 대상으로 하는 면의 전체를 대상 영역(64)으로 해도 좋고, 또는 대상 화상(62)의 일부의 영역을 대상 영역(64)으로 해도 좋다.

또한, 피노광 기판(C)의 단부 등에 피노광 기판(C)의 식별 번호 등의 회로 패턴 이외의 화상을 묘화할 경우가 있지만, 이 경우에는 상기 화상의 묘화 영역에 대해서는 좌표 변환을 행하지 않고 회로 패턴의 묘화 영역만 좌표 변환을 행하도록 해도 좋다. 이것은 피노광 기판(C)의 식별 번호 등의 문자열을 나타내는 화상은 피노광 기판(C)의 변형의 상황에 상관없이, 변형시키지 않는 편이 묘화 내용을 확인하기 쉽기 때문이다.

이어서, 도 12를 참조하여 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)의 작용을 설명한다. 또한, 도 12는 조작 장치(44)의 입력부를 통해서 실행 지시가 입력되었을 때에 노광 묘화 장치(10)의 시스템 제어부(40)에 의해 실행되는 노광 제어 처리 프로그램의 처리의 흐름을 나타내는 플로우차트이다. 상기 프로그램은 시스템 제어부(40)에 상기 ROM의 소정 영역에 미리 기억되어 있다.

또한, 설명을 쉽게 하기 위해서 대상 화상(62)을 나타내는 좌표 데이터(본 실시형태에서는 벡터 데이터)인 화상 정보가 시스템 제어부(40)의 HDD(40A)에 기억되어 있을 경우를 예를 들어서 설명한다. 또한, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에서는 상기 화상 정보가 묘화 패턴을 나타내는 벡터 데이터이지만 이것에 한정되지 않고, 래스터 데이터라도 좋다.

우선, 스텝 S101에서는 묘화하는 대상 화상(62)을 나타내는 좌표 데이터인 화상 정보를 HDD(40A)로부터 판독함으로써 취득한다. 그러나, 시스템 제어부(40)는 외부 입출력부(48)를 통해서 외부로부터 화상 정보를 입력함으로써 화상 정보를 취득해도 좋다.

다음의 스텝 S103에서는 상술한 설계상의 기준 마크(M)의 각각의 위치가 좌표 데이터로 나타내어진 위치 정보를 HDD(40A)로부터 판독함으로써 취득한다.

이와 같이, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에서는 시스템 제어부(40)는 상기 위치 정보를 HDD(40A)로부터 판독함으로써 취득하지만 취득 방법은 이것에 한정되지 않고, 외부 입출력부(48)를 통해서 외부로부터 위치 정보를 입력하는 방법이라도 좋다.

다음의 스텝 S105에서는 기준 마크(M)의 각각이 촬영부(34)의 촬영 영역에 포함되는 위치를 피노광 기판(C)이 통과하도록 스테이지(12)를 이동시킨다.

다음의 스텝 S107에서는 실제 기준 마크(M)의 각각의 위치를 계측한다. 이때, 시스템 제어부(40)는 촬영부(34)에 의한 촬영 화상으로부터 기준 마크(M)의 각각에 대응하는 영역을 추출하고, 추출한 영역의 중심 좌표를 기준 마크(M)의 각각의 위치 좌표로서 도출한다. 이와 같이, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에서는 상기 촬영 화상을 이용하여 기준 마크(M)의 각각의 위치를 계측하지만 이것에 한정되지 않고, 상기 계측을 외부 장치로 행하고, 계측 결과를 나타내는 정보를 외부 입출력부(48)를 통해서 외부로부터 입력해도 좋다.

다음의 스텝 S109에서는 스텝 S103의 처리에서 취득한 설계상의 기준 마크(M)의 각각의 위치와 스텝 S107의 처리에서 계측한 기준 마크(M)의 각각의 위치의 어긋남량으로부터 피노광 기판(C)의 회전량, 오프셋량, 신축 배율의 각각을 도출한다. 또한, 여기에서 말하는 상기 회전량은 미리 정해진 직교 좌표계(본 실시형태에서는 일례로서 도 7에 나타내는 x-y 좌표계)에 있어서의 설계상의 기준 마크(M)의 위치로부터 대응하는 실제 기준 마크(M)의 위치에 이르는 회전 각도이다. 또한, 여기에서 말하는 상기 오프셋량은 상기 직교 좌표계에 있어서의 설계상의 기준 마크(M)의 위치로부터 대응하는 실제 기준 마크(M)의 위치에 이르는 평행 이동량이다. 또한, 여기에서 말하는 상기 신축 배율은 상기 직교 좌표계에 있어서의 설계상의 기준 마크(M)의 위치로부터 대응하는 실제 기준 마크(M)의 위치에 이르는 확대 배율 또는 축소 배율이다.

시스템 제어부(40)는 기준 마크(M)의 각각의 위치 좌표를 사용한 최소 제곱법에 의해, x방향의 오프셋량(ofsx), y방향의 오프셋량(ofsy), x방향의 신축 배율(kx), y방향의 신축 배율(ky), 및 회전량(θ)의 각 파라미터를 피노광 기판(C)의 각각마다 도출한다.

즉, 상기 각 파라미터를 도출할 때 피노광 기판(C)의 변형을 생각하지 않고, 설계상의 기준 마크(M)의 각각의 위치와 계측한 기준 마크(M)의 각각의 위치가 상기 각 파라미터를 포함해서 일의적인 관계에 있다고 가정한다. 그리고, 상기 각 파라미터의 평균적인 편차가 최소가 되도록 상기 각 파라미터를 결정한다(일례로서 일본 특허 공개 소 61-44429호 공보 등을 참조). 이 상기 각 파라미터를 결정하는 방법은 아핀 변환 등을 사용한 기지의 방법이기 때문에 설명을 생략한다.

다음의 스텝 S111에서는 스텝 S107의 처리에서 계측한 기준 마크(M)의 각각의 위치 좌표를 상기 스텝 S109의 처리에서 도출한 회전량, 오프셋량, 및 신축 배율에 의거하여 변환한다. 이에 따라, 피노광 기판(C)을 스테이지(12)에 배치할 때의 배치 위치의 어긋남에 의한 기준 마크(M)의 각각의 위치의 어긋남량이 해소된다.

이와 같이, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에서는 스텝 S107의 처리에서 계측한 기준 마크(M)의 각각의 위치 좌표를 피노광 기판(C)의 회전량, 오프셋량, 및 신축 배율의 각각에 의거하여 변환하지만 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 피노광 기판(C)의 회전량, 오프셋량, 및 신축 배율 중 어느 하나에 의거하여 변환해도 좋고, 복수의 조합에 의거하여 변환해도 좋다.

다음의 스텝 S113에서는 상기 스텝 S111의 처리에서 좌표 변환된 기준 마크(M)의 각각의 위치 좌표에 의거하여 순보정량을 도출한다. 이하, 기준 마크(M1, M2, M3, M4)의 각각의 순보정량을 각각 (dx0,dy0), (dx1,dy1), (dx2,dy2), (dx3,dy3)으로 나타낸다.

다음의 스텝 S114에서는 상기 스텝 S103에서 취득한 상기 위치 정보, 및 상기 스텝 S111의 처리에서 좌표 변환된 기준 마크(M)의 각각의 위치 좌표에 의거하여 상기 물리량[본 실시형태에서는 기준 마크(M)의 각각의 어긋남량의 최대값]을 도출한다.

다음의 스텝 S115에서는 저감 정보(50)를 시스템 제어부(40)의 HDD(40A)로부터 판독한다.

다음의 스텝 S117에서는 판독한 저감 정보(50)에 있어서, 상기 스텝 S114의 처리에서 도출한 물리량을 나타내는 물리량 정보에 대응된 처리 내용 정보에 의해 나타내어지는 처리 내용이 노광 묘화 처리인지의 여부를 판정한다.

스텝 S117에서 긍정 판정이 된 경우에는 스텝 S119로 이행한다. 한편, 스텝 S117에서 부정 판정이 된 경우에는 스텝 S135로 이행하고, 에러 처리로서 피노광 기판(C)이 스테이지(12)로부터 분리되는 위치까지 스테이지(12)를 이동시키고, 본 노광 제어 처리 프로그램의 실행을 종료한다. 이 경우, 피노광 기판(C)은 노광 묘화 처리가 행해지지 않고 스테이지(12)로부터 분리되어 노광 묘화 장치(10)의 외부로 배출된다.

한편, 스텝 S119에서는 판독한 저감 정보(50)에 있어서, 상기 스텝 S114의 처리에서 도출한 물리량을 나타내는 물리량 정보에 대응된 저감률 정보에 의해 나타내어지는 저감률(N)을 이용하여 순보정량을 저감함으로써 저감 보정량을 도출한다. 이하, 기준 마크(M1, M2, M3, M4)의 각각의 저감 보정량을 각각 (dx0',dy0'),（dx1',dy1'),（dx2',dy2'),（dx3',dy3')로 나타낸다.

본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에서는 저감 보정량 (dx0',dy0')∼(dx3',dy3')는 순보정량 (dx0,dy0)∼(dx3,dy3)에 대하여 저감률(N)을 승산해서 얻어지고, 하기의 (2)식으로 나타내어진다.

다음의 스텝 S127에서는 스텝 S119의 처리에 의해 얻어진 저감 보정량 (dx',dy')를 이용하여, 대상 화상(62)의 대상 영역(64) 내의 각 좌표의 좌표 변환을 행한다.

여기에서, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에 있어서의 대상 화상(62)의 대상 영역(64) 내의 각 좌표의 좌표 변환의 방법에 대하여 설명한다. 우선, 시스템 제어부(40)는 일례로서 도 13에 나타내는 바와 같이 좌표 변환의 대상이 되는 좌표에 의거하여 대상 화상(62)을 복수(본 실시형태에서는 4개)의 영역으로 분할하고, 각 분할 영역의 면적(SA0∼SA3)을 도출한다. 이때, 도 13에 나타내는 바와 같이 대상 화상(62)의 내부에 각 변에 대하여 평행이 되고 또한 변환 대상이 되는 좌표를 통과하는 직선을 그음으로써 대상 화상(62)을 4개의 영역으로 분할한다.

또한, 각 분할 영역의 각각에 대해서 기준 마크(M1)에 대향하는 영역[즉, 기준 마크(M4)를 포함하는 영역]인 도 10의 정면으로 보았을 때 우측 아래의 영역의 면적을 SA0이라고 나타낸다. 또한, 기준 마크(M2)에 대향하는 영역[즉, 기준 마크(M3)를 포함하는 영역]인 좌측 아래의 영역의 면적을 SA1이라고 나타낸다. 또한, 기준 마크(M3)에 대향하는 영역[즉, 기준 마크(M2)를 포함하는 영역]인 우측 위의 영역의 면적을 SA2라고 나타낸다. 또한, 기준 마크(M4)에 대향하는 영역[즉, 기준 마크(M1)를 포함하는 영역]인 좌측 위의 영역의 면적을 SA3이라고 나타낸다.

또한, 시스템 제어부(40)는 이렇게 해서 얻어진 분할 영역(SA0∼SA3)의 면적과, 스텝 S115의 처리에 의해 얻어진 저감 보정량 (dx0',dy0')∼(dx3',dy3')를 하기의 (3)식에 대입한다. 이에 따라, 얻어지는 값이 상기 좌표 변환의 대상이 되는 좌표의 피노광 기판(C)의 변형에 대한 보정량(ddx,ddy)이 된다.

예를 들면, 도 13에 나타내는 바와 같이 dx0'=1, dx1'=2, dx2'=5, dx3'=10, SA0=3, SA1=9, SA2=3, SA3=1, SS=16이었을 경우에는 ddx=(3×1+9×2+3×5+1×10)/16≒2.9가 된다.

또한, 피노광 기판(C)의 변형에 대한 보정량(ddx,ddy)의 도출 방법은 이것에 한정되지 않는다. 즉, 좌표 변환 전의 대상 화상(62)의 소정 위치인 위치 A(x,y)로부터 대상 화상(62)의 각 변에 대하여 수선을 그음으로써 대상 화상(62)의 각 변을 내분한다. 이에 따라, 위치 A에 대한 대상 화상(62)의 각 변의 내분비가 구해진다. 좌표 변환 후의 대상 화상(62)에 있어서 그 내분비에 대응하는 위치 B를 정하고, 위치 A와 위치 B의 어긋남량을 보정량(ddx,ddy)으로서 정해도 좋다.

또한, 시스템 제어부(40)는 대상 화상(62)에 있어서의 각 좌표의 보정량(ddx,ddy)과, x방향의 오프셋량(ofsx), y방향의 오프셋량(ofsy), x방향의 신축 배율(kx), y방향의 신축 배율(ky), 회전량(θ)을 다음의 (4)식에 대입한다. 이 (4)식에 의해, 좌표 변환의 대상이 되는 각 좌표(xl,yl)에 대한 좌표 변환 후의 좌표(xm,ym)가 구해진다.

다음의 스텝 S129에서는 노광부(22)로부터 출사되는 광빔에 의해 피노광 기판(C)의 상면이 노광되는 위치까지 스테이지(12)를 이동시키도록 스테이지 구동부(42)를 제어한다.

다음의 스텝 S131에서는 좌표 변환 후의 좌표(xm,ym)를 이용하여 피노광 기판(C)에 대상 화상(62)을 묘화시키도록 광원 유닛(24) 및 화상 처리 유닛(28)을 통해서 노광 헤드(22a)를 제어한다. 이때, 시스템 제어부(40)는 스테이지(12)를 미리 정해진 속도로 이동시키도록 스테이지 구동부(42)를 제어함으로써 피노광 기판(C)을 이동시키면서, 피노광 기판(C)에 대상 화상(62)을 묘화시키도록 노광 헤드(22a)를 제어한다.

다음의 스텝 S133에서는 피노광 기판(C)이 스테이지(12)로부터 분리되는 위치까지 스테이지(12)를 이동시키고, 본 노광 제어 처리 프로그램의 실행을 종료한다.

이와 같이, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에서는 일례로서 도 14a에 나타내는 바와 같이 상기 저감률이 0%였을 경우(N=0), 시스템 제어부(40)는 피노광 기판(C)의 변형에 대한 보정량을 저감시키지 않고 대상 화상(62)을 묘화한다.

한편, 일례로서 도 14b에 나타내는 바와 같이 상기 저감률이 0%보다 클 경우(N>0), 시스템 제어부(40)는 피노광 기판(C)의 변형에 대한 보정량을 저감률에 따라서 저감시킨 후에 대상 화상(62)을 변형시켜서 묘화한다. 또한, 도 14a 및 도 14b에서는 묘화 대상이 되는 묘화 패턴에 랜드(66) 및 도통 비아(68)의 위치 관계를 알기 쉽도록 묘화 대상이 되는 층의 기준 마크(M)의 위치에 랜드(66)가 형성되고, 다른 층의 기준 마크(M)의 위치에 도통 비아(68)가 형성되어 있다.

일반적인 노광 묘화 장치에서는, 예를 들면 도 15에 나타내는 바와 같이 피노광 기판(C)에 복수의 층(예를 들면, 4층)의 묘화 패턴(62A∼62D)을 하위측부터 순차적으로 적층시켜서 묘화할 경우, 각 층에 있어서의 묘화가 종료될 때마다 현상, 에칭, 박리 등의 화학 처리를 행한다. 또한, 일반적인 노광 묘화 장치에서는 레이어를 더 겹치기 위해서 프리프레그층의 적층, 도통 비아의 가공, 필드 비아 도금, 조화 처리, DFR(Dry Film photoResist)의 라미네이션 등이 행해진다. 그 때문에, 도 16에 나타내는 바와 같이 1층째의 묘화 패턴(62A), 2층째의 묘화 패턴(62B), 3층째의 묘화 패턴(62C), 4층째의 묘화 패턴(62D)과, 층을 겹칠 때마다 피노광 기판(C)의 변형이 커져 가는 것이 상정된다.

그러나, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에서는 묘화 패턴을 묘화할 때에 층마다 상기 물리량이 커질수록 저감량을 많게 하면서, 피노광 기판(C)의 변형에 대한 보정량을 저감시킨다. 이에 따라, 전자 부품을 기판 상에 고정밀도로 실장할 수 있다.

또한, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에서는 기준 마크(M)의 각각의 보정량에 대하여 1보다 작은 정의 값(저감률)을 승산함으로써 순보정량을 저감시키지만 이것에 한정되지 않는다. 즉, 순보정량을 1을 초과하는 값으로 제산하는 것, 또는 순보정량으로부터 정의 값을 감산함으로써 순보정량을 저감시켜도 좋다. 또는 상기 승산, 제산, 감산을 복수 조합시켜서 순보정량을 저감시켜도 좋다.

또한, 피노광 기판(C)에 묘화 패턴을 복수 적층시켜서 묘화할 경우에, 또한 피노광 기판(C)의 최하위의 층에 묘화 패턴을 묘화할 경우, 피노광 기판(C)의 변형의 보정을 행하지 않아도 좋다.

그리고, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에서는 본 발명을 피노광 기판(C)에 광빔을 노광해서 묘화 패턴을 묘화하는 노광 묘화 장치(10)에 적용할 경우에 대하여 설명했지만 이것에 한정되지 않는다. 즉, 본 발명을 피묘화체에 형성된 기준 마크(M)의 위치에 의거하여 묘화 대상이 되는 화상을 묘화하는 임의의 묘화 장치에 적용할 수 있다. 또한, 본 발명을 묘화 패턴을 묘화하는 각 층의 층간을 전기적으로 접속하는 도통 비아 등을 형성하는 레이저 가공 장치 및 드릴 가공 장치에 적용해도 좋다. 또한, 기판의 묘화 패턴을 보호하기 위한 솔더 레지스트층에 있어서의 부품 실장용 구멍을 형성하기 위한 노광 묘화 장치 및 가공 장치에 적용해도 좋다. 이에 따라, 고정밀도로 전자 부품을 기판 상에 실장할 수 있다.

〔제 2 실시형태〕

이하, 본 발명의 제 2 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에 대하여 설명한다.

제 2 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)는 제 1 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)와 마찬가지의 구성을 갖기 때문에, 각 구성의 설명을 생략한다.

제 2 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)는 피노광 기판(C)의 변형에 따라서 보정을 행할 때에, 애뉼러 링의 값에 따라서 저감 보정량(dx',dy')에 제한을 형성하고 있다. 도 17에 나타내는 바와 같이, 애뉼러 링은 랜드(66)의 내부에 도통 비아(68)가 형성되어 있을 경우의 도통 비아(68)의 전체 둘레를 둘러싸는 환상 영역이며, 랜드 지름을 D, 구멍 지름을 d라고 했을 경우의 환상 영역의 폭인 애뉼러 링의 폭 L은 L=(D-d)/2로 나타내어진다.

본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에서는 시스템 제어부(40)의 HDD(40A)에 랜드(66)의 랜드 지름(D) 및 도통 비아(68)의 구멍 지름(d)을 나타내는 정보가 미리 기억되어 있다.

이어서, 도 18을 참조하여 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)의 작용을 설명한다. 또한, 도 18은 조작 장치(44)를 통해서 실행 지시가 입력되었을 때에 제 2 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)의 시스템 제어부(40)에 의해 실행되는 노광 제어 처리 프로그램의 처리의 흐름을 나타내는 플로우차트이다. 상기 프로그램은 시스템 제어부(40)의 상기 ROM의 소정 영역에 미리 기억되어 있다. 또한, 도 18에 있어서의 도 12와 동일한 처리를 행하는 스텝에는 도 12와 동일한 스텝 번호를 붙여서 그 설명을 최대한 생략한다.

본 제 2 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에서는 상기 스텝 S119의 처리를 행한 후, 스텝 S121로 이행한다.

스텝 S121에서는 애뉼러 링의 폭(L)을 나타내는 정보를 취득한다. 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에서는 랜드(66)의 랜드 지름(D) 및 도통 비아(68)의 구멍 지름(d)을 나타내는 정보를 시스템 제어부(40)의 HDD(40A)로부터 판독하고, 랜드 지름(D) 및 구멍 지름(d)의 값을 다음의 (5)식에 대입함으로써 애뉼러 링의 폭(L)을 도출한다.

또한, 랜드 지름(D) 및 구멍 지름(d)은 피노광 기판(C)의 종류나 묘화 패턴의 설계값에 의거하여 유저가 조작 장치(44)를 통해서 입력해도 좋다.

또한, 애뉼러 링의 폭(L)의 취득 방법은 이것에 한정되지 않는다. 상기 취득 방법은, 예를 들면 외부에 접속된 정보 처리 장치로부터 외부 입출력부(48)를 통해서 입력하는 방법이라도 좋다. 또한, 상기 취득 방법은 애뉼러 링의 폭(L)(예를 들면, 30㎛)을 나타내는 정보를 시스템 제어부(40)의 RAM, HDD(40A) 등의 기억부에 미리 기억해 두고, 상기 기억부로부터 판독하는 방법이라도 좋다. 또한, 피노광 기판(C)의 적재 위치의 오차, 묘화하는 위치의 오차 등을 고려하여 애뉼러 링의 폭(L)의 값을 실물보다 좁게 함으로써, 랜드(66)로부터 도통 비아(68)가 돌출될 일이 없도록 여유를 갖게 해도 좋다.

다음의 스텝 S123에서는 순보정량 (dx0,dy0)∼(dx3,dy3)으로부터 저감 보정량 (dx0',dy0')∼(dx3',dy3')를 감산한 값이 애뉼러 링의 폭(L)보다 큰지의 여부를 판정한다. 이때, 기준 마크(M)의 각각에 대해서 판정을 행하고, 하나라도 이 조건을 만족시키고 있을 경우에 긍정 판정으로 한다. 스텝 S123에서 부정 판정이 된 경우에는 상기 스텝 S127로 이행하는 한편, 긍정 판정이 된 경우에는 스텝 S126으로 이행한다.

스텝 S126에서는 피노광 기판(C)의 변형에 대한 보정에 의해 랜드(66)와 도통 비아(68)의 위치 어긋남이 발생하는 것을 회피하기 위해서, 저감 보정량 (dx0',dy0')∼(dx3',dy3')를 제한한다. 이때, 순보정량 (dx0,dy0)∼(dx3,dy3), 애뉼러 링의 폭(L)을 하기의 (6)식에 대입해서 얻어진 값을 저감 보정량 (dx0',dy0')∼(dx3',dy3')로 한다.

또한, 상기 (6)식에 있어서 상술한 바와 같이 저감 보정량 (dx0',dy0')∼(dx3',dy3')를 제한함으로써 얻어지는 어긋남량을 어긋남량 de'라고 하고 있다.

이에 따라, 도 19에 나타내는 바와 같이 피노광 기판(C)에 대한 최저한의 보정량을 확보하면서, 랜드(66)의 내부에 도통 비아(68)가 수용되도록 피노광 기판(C)의 변형에 대한 보정량이 저감된 후에 상기 화상이 변형된다. 이에 따라, 도통 비아(68)가 랜드(66)의 내부에 수용되고, 전자 부품을 피노광 기판(C) 상에 고정밀도로 실장할 수 있다.

일례로서 도 20의 좌측 도면에 나타내는 바와 같이, 저감률(N)을 40%로 해서 저감 보정량을 도출하여(저감 보정량=de×0.4) 대상 화상(62)을 변형시켰을 경우에, 랜드(66)와 도통 비아(68)의 위치가 어긋나 버린다고 한다. 이 경우, 도 20의 우측 도면에 나타내는 바와 같이 애뉼러 링의 폭(L)에 의거하여 저감 보정량을 제한함으로써(저감 보정량=de-L), 도통 비아(68)를 랜드(66)의 내부에 수용할 수 있다. 또한, 도 20에서는 묘화 대상이 되는 묘화 패턴에 랜드(66) 및 도통 비아(68)의 위치 관계를 알기 쉽도록 묘화 대상이 되는 층의 기준 마크(M)의 위치에 랜드(66)가 형성되고, 다른 층의 기준 마크(M)의 위치에 도통 비아(68)가 형성되어 있다.

이상과 같이 구성된 노광 묘화 장치(10)에 의한 노광 제어 처리를 실현하기 위한 각종 처리는 프로그램을 실행함으로써 컴퓨터를 이용해서 소프트웨어 구성에 의해 실현해도 좋다. 단, 소프트웨어 구성에 의한 실현에 한정되는 것은 아니고, 하드웨어 구성이나 하드웨어 구성과 소프트웨어 구성의 조합에 의해 실현해도 좋다.

일본 특허출원 2013-074227호의 개시는 그 전체가 참조에 의해 본 명세서에 도입된다.

본 명세서에 기재된 모든 문헌, 특허출원, 및 기술규격은 개개의 문헌, 특허출원, 및 기술규격이 참조에 의해 도입되는 것이 구체적이고 또한 개별적으로 기록되었을 경우와 같은 정도로, 본 명세서 중에 참조에 의해 도입된다.

Claims

피노광 기판에 형성된 복수의 기준 마크의 설계상의 위치인 제 1 위치를 나타내는 좌표 데이터, 상기 제 1 위치를 기준으로 해서 정해진 상기 피노광 기판에 묘화하는 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터, 및 상기 복수의 기준 마크의 각각의 실제 위치인 제 2 위치를 나타내는 좌표 데이터를 취득하는 취득부와,
상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치에 의거하여 상기 피노광 기판의 변형의 크기를 나타내는 물리량을 도출하고, 또한 상기 복수의 기준 마크의 각각마다 상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치의 어긋남에 대한 보정량을 도출하는 도출부와,
상기 도출부에서 도출된 보정량의 각각으로부터 상기 물리량이 커질수록 많은 양을 저감하는 저감부와,
상기 제 2 위치를 기준으로 해서 상기 피노광 기판에 상기 묘화 패턴을 묘화할 경우, 상기 저감부에서 저감된 보정량에 의거하여 상기 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터를 보정하는 보정부를 구비하고,
상기 묘화 패턴은 솔더 레지스트층의 부품 실장용의 개구 구멍을 나타내는 솔더 레지스트 패턴이며,
상기 보정부는 상기 저감부에서 저감된 보정량이 상기 개구 구멍이 부품과 접합하기 위한 도체 패드의 내부에 수용되는 것으로서 정해진 제 2 보정량보다 클 경우, 상기 제 2 보정량에 의거하여 상기 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터를 보정하는 것을 특징으로 하는 묘화 장치.
제 1 항에 있어서,
상기 도출부는 상기 물리량으로서 상기 복수의 기준 마크의 각각마다의 상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치의 어긋남량의 최대값, 상기 어긋남량의 각각의 평균값, 및 상기 어긋남량의 각각의 적산값 중 적어도 하나를 도출하는 것을 특징으로 하는 묘화 장치.
제 1 항에 있어서,
상기 도출부는 상기 물리량으로서 상기 제 1 위치에 의거해서 얻어지는 상기 복수의 기준 마크의 상호간의 거리와, 대응하는 상기 제 2 위치에 의거해서 얻어지는 상기 복수의 기준 마크의 상호간의 거리의 차분의 최대값, 상기 차분의 각각의 평균값, 및 상기 차분의 각각의 적산값 중 적어도 하나를 도출하는 것을 특징으로 하는 묘화 장치.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 저감부는 상기 도출부에서 도출된 보정량의 각각에 상기 물리량이 커질수록 작은 1 미만의 정의 값을 승산하는 것, 상기 물리량이 커질수록 큰 1을 초과하는 값으로 제산하는 것, 및 상기 물리량이 커질수록 크고 또한 상기 보정량보다 작은 정의 값을 감산하는 것 중 적어도 하나를 행함으로써, 상기 도출부에서 도출된 보정량의 각각으로부터 상기 물리량이 커질수록 많은 양을 저감하는 것을 특징으로 하는 묘화 장치.
피노광 기판에 형성된 복수의 기준 마크의 설계상의 위치인 제 1 위치를 나타내는 좌표 데이터, 상기 제 1 위치를 기준으로 해서 정해진 상기 피노광 기판에 묘화하는 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터, 및 상기 복수의 기준 마크의 각각의 실제 위치인 제 2 위치를 나타내는 좌표 데이터를 취득하는 취득부와,
상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치에 의거하여 상기 피노광 기판의 변형의 크기를 나타내는 물리량을 도출하고, 또한 상기 복수의 기준 마크의 각각마다 상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치의 어긋남에 대한 보정량을 도출하는 도출부와,
상기 도출부에서 도출된 보정량의 각각으로부터 상기 물리량이 커질수록 많은 양을 저감하는 저감부와,
상기 제 2 위치를 기준으로 해서 상기 피노광 기판에 상기 묘화 패턴을 묘화할 경우, 상기 저감부에서 저감된 보정량에 의거하여 상기 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터를 보정하는 보정부를 구비하고,
상기 묘화 패턴은 전자 배선을 나타내는 회로 패턴이며,
상기 보정부는 상기 저감부에서 저감된 보정량이 상기 묘화 패턴에 있어서의 랜드의 내부에 도통 비아가 수용되는 것으로서 정해진 제 1 보정량보다 클 경우, 상기 제 1 보정량에 의거하여 상기 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터를 보정하는 것을 특징으로 하는 묘화 장치.
삭제
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 도출부는 상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치의 어긋남량으로부터 상기 피노광 기판의 평행 이동에 의한 어긋남, 회전에 의한 어긋남, 및 신축에 의한 어긋남 중 적어도 하나를 감산한 어긋남량에 의거하여 상기 보정량을 도출하는 것을 특징으로 하는 묘화 장치.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 물리량 및 상기 보정량의 저감률이 각각 대응된 저감 정보의 입력을 접수하는 접수부를 더 구비하고,
상기 저감부는 상기 접수부에서 접수된 저감 정보에 있어서 상기 도출부에서 도출된 상기 물리량에 대응된 저감률을 이용하여 상기 도출부에서 도출된 보정량을 저감하는 것을 특징으로 하는 묘화 장치.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 묘화 장치와,
상기 묘화 장치의 상기 보정부에서 보정된 좌표 데이터에 의거하여 상기 피노광 기판에 상기 묘화 패턴을 노광해서 묘화하는 노광부를 구비한 것을 특징으로 하는 노광 묘화 장치.
제 9 항에 있어서,
상기 피노광 기판에 복수의 층의 묘화 패턴을 적층시켜서 묘화할 경우에, 상기 취득부, 상기 도출부, 상기 저감부, 상기 보정부, 및 상기 노광부를 제어하고, 상기 복수의 층의 각각마다 상기 취득부에 의한 취득, 상기 도출부에 의한 도출, 상기 저감부에 의한 저감, 상기 보정부에 의한 보정, 및 상기 노광부에 의한 노광의 각각을 행하는 제어부를 더 구비한 것을 특징으로 하는 노광 묘화 장치.
제 10 항에 있어서,
상기 피노광 기판의 변형의 크기로서 허용되는 상한인 상기 물리량의 최대 허용량을 나타내는 허용량 정보를 기억하는 기억부를 더 구비하고,
상기 제어부는 상기 도출부에서 도출된 상기 물리량이 상기 허용량 정보에 의해 나타내어지는 최대 허용량보다 클 경우, 상기 피노광 기판에 대한 상기 노광부에 의한 노광을 금지하는 것을 특징으로 하는 노광 묘화 장치.
컴퓨터에,
피노광 기판에 형성된 복수의 기준 마크의 설계상의 위치인 제 1 위치를 나타내는 좌표 데이터, 상기 제 1 위치를 기준으로 해서 정해진 상기 피노광 기판에 묘화하는 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터, 및 상기 복수의 기준 마크의 각각의 실제 위치인 제 2 위치를 나타내는 좌표 데이터를 취득하고,
상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치에 의거하여 상기 피노광 기판의 변형의 크기를 나타내는 물리량을 도출하고, 또한 상기 복수의 기준 마크의 각각마다 상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치의 어긋남에 대한 보정량을 도출하고,
도출된 상기 보정량의 각각으로부터 상기 물리량이 커질수록 많은 양을 저감하고,
상기 제 2 위치를 기준으로 해서 상기 피노광 기판에 상기 묘화 패턴을 묘화할 경우, 저감된 상기 보정량에 의거하여 상기 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터를 보정하는 처리를 실행시키고,
상기 묘화 패턴은 솔더 레지스트층의 부품 실장용의 개구 구멍을 나타내는 솔더 레지스트 패턴이며,
상기 좌표 데이터를 보정하는 처리에서는, 상기 저감된 보정량이 상기 개구 구멍이 부품과 접합하기 위한 도체 패드의 내부에 수용되는 것으로서 정해진 제 2 보정량보다 클 경우, 상기 제 2 보정량에 의거하여 상기 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터를 보정하는 것을 특징으로 하는 프로그램을 기록한 기록 매체.
피노광 기판에 형성된 복수의 기준 마크의 설계상의 위치인 제 1 위치를 나타내는 좌표 데이터, 상기 제 1 위치를 기준으로 해서 정해진 상기 피노광 기판에 묘화하는 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터, 및 상기 복수의 기준 마크의 각각의 실제 위치인 제 2 위치를 나타내는 좌표 데이터를 취득하고,
상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치에 의거하여 상기 피노광 기판의 변형의 크기를 나타내는 물리량을 도출하고, 또한 상기 복수의 기준 마크의 각각마다 상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치의 어긋남에 대한 보정량을 도출하고,
도출된 상기 보정량의 각각으로부터 상기 물리량이 커질수록 많은 양을 저감하고,
상기 제 2 위치를 기준으로 해서 상기 피노광 기판에 상기 묘화 패턴을 묘화할 경우, 저감된 상기 보정량에 의거하여 상기 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터를 보정하고,
상기 묘화 패턴은 솔더 레지스트층의 부품 실장용의 개구 구멍을 나타내는 솔더 레지스트 패턴이며,
상기 좌표 데이터를 보정할 때, 상기 저감된 보정량이 상기 개구 구멍이 부품과 접합하기 위한 도체 패드의 내부에 수용되는 것으로서 정해진 제 2 보정량보다 클 경우, 상기 제 2 보정량에 의거하여 상기 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터를 보정하는 것을 특징으로 하는 묘화 방법.