TWI510754B - Detection method and detection device - Google Patents

Description

檢測方法及檢測裝置

本發明是關於一種檢測方法及檢測裝置。

在提高半導體裝置的封裝密度的目的下，將形成有電子電路的複數個基板層疊而成的層疊型半導體裝置受矚目。有一種基板貼合裝置，將複數個基板層疊的狀況下，將基板間的位置對準而貼合(參照例如專利文獻1)。

【專利文獻1】特開2009-231671號公報

將複數個基板層疊的狀況下，於定位有各基板的外形做為基準。在這種狀況是外形被透過型光學系統檢測。但是，檢測對象的基板是已經將複數個基板層疊而成的層疊基板，特別是在上段基板比下段基板外形小的狀況，正確地檢測該上段基板的外形是困難的。

在本發明的第一形態是提供一種檢測方法，檢測層疊的複數個基板中的最上層基板的位置，具備下列步驟：將照明照射至包含最上層基板邊緣之一部分以及層疊於前述最上層基板之下部基板之一部分的區域；根據藉由前述最上層基板與前述下部基板之間之段差而形成於前述照明區域的段差部的位置，確認最上層基板的 邊緣之位置；以及根據前述最上層基板之前述邊緣之位置，確認前述最上層基板的位置。

在本發明的第二形態是提供一種檢測裝置，檢測層疊的複數個基板中的最上層基板的位置，具備：照明部，將照明照射至包含最上層基板邊緣之一部分以及層疊於前述最上層基板之下部基板之一部分的區域；以及位置確認部，根據藉由最上層基板與下部基板之間之段差而形成於照明區域的段差部的位置，確認最上層基板的邊緣之位置。

又，上述發明概要，並非將本發明所有必要特徵列舉者。又，這些特徵群的次結合也能成為發明。

以下經由發明實施形態來說明本發明，但以下的實施形態並非限定關於申請專利範圍的發明。又，在實施形態中說明的特徵的所有組合，並不限於發明解決手段所必需。

第一圖是一實施形態的檢測裝置100的結構的示意斜視圖。檢測裝置100檢測層疊的下部基板102以及上部基板104中上部基板104的位置。檢測裝置100具備：平台101、照明部108、圖像取得部110以及位置確認部120。

下部基板102以及上部基板104是被基板貼合裝置等在厚度方向重合。上部基板104的外形比下部基板102的外形小。因此，於上部基板104的邊緣，上部基 板104的上面與下部基板102的上面之間形成有段差。

平台101載置檢測對象的下部基板102及上部基板104。平台101相對於X軸、Y軸及Z軸平行移動。該平台101也可以是再貼合其它基板於上部基板104等的裝置的平台。這種狀況的平台101也可以在X軸、Y軸及Z軸周圍旋轉。平台101的上面設有基準標記103。包含第一圖的斜視圖中，平台101的上面內的左右方向做為X軸，前後方向做為Y軸。垂直於X軸、Y軸而向上的是Z軸。

基準標記103用於照明部108及圖像取得部110的調整等。例如，採用做為使光學系統聚焦的基準，藉以在基板位置的檢測作業前，將縫隙像114照射至基準標記103，清晰的基準標記103的像可成像於攝影部105，。再者，該基準標記103，係藉由該基準標記103，做為比對平台101上的位置與攝影於攝影部105的圖像上的位置的基準。

照明部108提供基板位置檢測用的縫隙像114。照明部108依序具有：光源119、透鏡118、縫隙116以及透鏡115。

光源119發射攝影部105可檢測波長的光，例如在攝影部105可攝影可見光的狀況，發射可見光。透鏡118將來自光源119的光聚焦。縫隙116決定檢測上部基板104的位置時的照明範圍。透鏡115聚焦通過縫隙116後的光，將縫隙像114成像於下部基板102及上部基板104的上面。

照明部108係從對於下部基板102及上部基板104的面方向傾斜，在第一圖中從左上，照射下部基板102及上部基板104。因照明部108產生下部基板102及上部基板104上的縫隙像114，具有往圓盤狀下部基板102及上部基板104的徑方向延伸的細長形狀，其照射範圍包含上部基板104的邊緣的一部分。照明部108，在層疊基板正確載置於平台101的特定位置的狀況，預先記憶邊緣應過來的位置，將照明照射至該位置。該邊緣在下部基板102等為圓盤狀的狀況是圓周。邊緣也可以包含槽口(notch)等特徵處。

圖像取得部110包含攝影部105與透鏡112。圖像取得部110將包含上部基板104邊緣一部分的區域，從對於上部基板104等的面方向為傾斜的方向，在第一圖中從右上攝影。這種狀況也是，圖像取得部110，在層疊基板被正確載置於平台101的特定位置的狀況，預先記憶邊緣應過來的位置，攝影包含該位置的區域。

透鏡112將從下部基板102及上部基板104的上面反射的光成像於攝影部105。攝影部105的一例，是圖像被二維排列的CCD、CMOS等。攝影部105藉由將成像於攝影面的像的光訊號各像素地變換為電性訊號，來取得圖像106。位置確認部120分析圖像106，根據呈現於圖像106的段差部的位置，確認上部基板104的邊緣位置。

第一圖所示結構，並非限定照明部108及圖像取得部110的光學系統。例如，透鏡118、115、112是概略 表示光學系統者，並不限於一個透鏡。又，圖像取得部110的光學系統，也可以是非偏向(Tilt)光學系統，也可以是偏向光學系統。偏向光學系統藉由將攝影部105傾斜，來對於對主光線傾斜的上部基板104及下部基板102的表面，可以廣範圍地聚焦。

以下，用第一圖所示的檢測裝置100來說明檢測上部基板104的位置的檢測方法。本檢測方法具備取得圖像的步驟與確認位置的步驟。取得圖像的步驟具有：以照明部108於包含上部基板104邊緣一部分的區域，從左上將照明照射來形成縫隙像114的步驟；以及將在下部基板102與上部基板104的上面反射的縫隙像114，從對於下部基板102與上部基板104傾斜的方向，以攝影部105來攝影而取得圖像106的步驟。

第二圖是圖像取得部110已取得的基板邊緣部的圖像106的概念圖。於圖像106的上部基板反射像132是縫隙像114中在上部基板104反射後的部分的圖像。另一方面，下部基板反射像134是縫隙像114中在下部基板102反射部分的圖像。

確認位置的步驟具有：將圖像106從攝影部105傳送至位置確認部120的步驟；以及以位置確認部120的圖像分析，根據呈現於上部基板反射像132與下部基板反射像134之間的段差部E的位置，確認上部基板104的邊緣位置。

圖像106上的段差部E對應於上部基板104的邊緣位置。在第一圖中，當縫隙像114照射區域內的上部基 板104的邊緣，對於紙面往內方向移動，則圖像106的段差部E的位置往左移動，當上部基板104的邊緣對於紙面往前方向移動，則圖像106的段差部E往右移動。因此，藉由分析段差部E的位置，可以確認上部基板104的邊緣位置。

位置確認部120根據縫隙116的尺寸、照明部108以及圖像取得部110的光學倍率等，預先記憶上部基板反射像132的縱寬D。位置確認部120根據縫隙116的尺寸、照明部108以及圖像取得部110的光學倍率等，預先記憶呈現於上部基板反射像132的橫寬L的最大值L_max 。

分析圖像106時，首先以選擇窗136來選定分析圖像範圍。在確認圖像106的上部基板反射像132的上下位置的目的下，較佳為選擇窗136的縱寬b比上述寬D還寬，選擇窗136的橫寬a比上述寬L_max 還窄。由於上部基板反射像132的部分的亮度比周邊高，位置確認部120藉由分析在選擇窗136選擇的圖像的縱方向亮度，可以取得上部基板反射像132的上下位置以及寬D。

第三圖是確認段差部位置的說明圖。在確認段差部E位置的目的下，較佳為選擇窗136的橫寬a比上述寬L_max 還寬，選擇窗136的縱寬b比上述寬D還窄。位置確認部120藉由分析在選擇窗136選擇的圖像的橫方向亮度，可以確認段差部E的位置。從圖像106的段差部E的位置，可以確認在縫隙像114照射區域的上部基板104的邊緣的，於平台101的位置。

第四圖為呈現於圖像106的上部基板反射像132的段差部E的亮度變化的示意曲線。橫軸表示第二圖等的圖像106的橫方向座標，縱軸表示亮度。同圖是做為可看到上部基板反射像132的亮度變化者。理想地，如折線142，上部基板反射像132在段差部E表示清晰的亮度變化，但現實地，以光學系統的像差如曲線144，在段差部E具有上部基板反射像132的亮度和緩地變化的區域。在此，亮度和緩地變化的區域的半值寬Sx稱為散景(Bokeh)量。

因攝影面上的繞射產生散景量Sx，是β λ/NA的位數(order)。在此，β是光學系統成像倍率，λ是入射光的波長，NA是透鏡開口數。為了將段差部E正確地確認，較佳為包含三點以上的計測點於散景量的範圍內。例如，在攝影部105用CCD的狀況，將CCD的像素尺寸做為u，則包含三個以上的像素於Sx的範圍的條件是(β λ/NA)>3u。也就是說，該條件變成NA<(β λ/3u)。

例如，在β=1、u=5μm、λ=0.67μm的狀況，變成NA<0.045。該NA條件式表示用上述β、u及λ的狀況的NA的較佳上限值。又，在用偏向光學系統的狀況，將上述β置換為偏向光學系統的橫倍率β′即可。

第五圖是說明其他條件的說明圖。除了第四圖所示的散景量Sx之外，在上部基板反射像132及下部基板反射像134的縱方向也存在散景量Sy。若要段差部E 被確認，較佳為段差部E的高度H大於(Sy+mu)。m是用來確認段差部E的像素數，所以是一以上的整數。當考慮散景量Sy也是β λ/NA的位數，則較佳為滿足接下來的上述式。

H>(β λ/NA)+mu (1)

段差部E的高度H，是對應下部基板102的上面與上部基板104的上面的間隔h，即對應上部基板104的厚度，H的大小是以下式來決定。

H=2h β sin θ_i (2)

其中，h是下部基板102的上面與上部基板104的上面的間隔，θ_i 是入射光的入射角。在用偏向光學系統的狀況，將β置換為偏向光學系統的橫倍率β′。

在θ_i 為90°的狀況，sin θ_i 表示最大值1。因此，H的最大值可以用下式來表現。

H_max =2h β (3)

將式(3)帶入式(1)，則得到下式。

2h β>(β λ/NA)+mu (4)

例如，在β=1、u=5μm、λ=0.67μm、m=1的狀況，若要檢測30μm的間隔h，NA>0.0012。該條件式表示用上述β、u、λ及m的狀況的NA的較佳下限值。

在更正確地檢測上部基板104的形狀的目的下，包含入射光線與反射光線的入射平面，較佳為鄰接上部基板104的邊緣。當入射平面從基板的切線方向偏離，則在檢測結果產生誤差。在將該誤差抑制於容許範圍的目的下，入射平面與上部基板104的切線方向所成角度，較佳為調整在5°以內。

第六圖表示確認上部基板104的邊緣位置的其它實施形態。該實施形態中，於上部基板104的邊緣的三個區域，分別形成縫隙像114、172、174，取得在各區域反射後的圖像，確認上部基板104的位置。在這種狀況，具備分別對應縫隙像114、縫隙像172、縫隙像174的檢測裝置100，各檢測裝置100以上述檢測方法，可以確認對應的部位的邊緣位置。

該實施形態中，上述基板104的形狀若為已知，則藉由確認圖像106上的上部基板104的三處邊緣位置，可以更正確地檢測平台101上的上部基板104的位置。例如，若上部基板104為圓盤狀，則藉由確認上部基板104的三處邊緣位置，可以確認上部基板104的中心位置及半徑。由此，可以正確檢測上部基板104的位置。根據本實施形態，不只是檢測效率高，也可以防止在移動基板檢測複數個地方的狀況所產生的誤差。

第七圖及第八圖表示確認上部基板104的邊緣位置的又一實施形態。這些第七圖及第八圖表示繼續第六圖的動作。在該實施形態中，將上部基板104等與被照射至該上部基板104的照明及攝影區域相對地移動，並 取得複數個地方的圖像，確認槽口等特徵處。

在這種狀況，如第七圖所示，縫隙像114照射包含上部基板104的槽口的區域，縫隙像172照射對槽口90度旋轉的位置，縫隙像174照射對槽口180度旋轉的位置。縫隙像114、縫隙像172、縫隙像174，於各自位置，形成往上部基板104的徑方向延伸的細長照明。各檢測裝置100取得各區域的圖像，確認對應部位的邊緣位置。如第七圖所示，藉由確認上部基板104的槽口，可以確認上部基板104的旋轉。

從第六圖到第八圖中，縫隙像114及縫隙像174的長邊方向是Y軸方向，縫隙像172的長邊方向是X軸方向。這種狀況，縫隙像114或縫隙像174的入射平面是垂直於Y軸的面。縫隙像172的入射方向是垂直於X軸的面。

第七圖及第八圖中，藉由平台101從第六圖所示的上部基板104等的位置往X方向，往圖中右方向移動，來移動上部基板104及下部基板102，檢測邊緣的複數位置。這種狀況，在照明部108及圖像取得部110被固定的狀態，平台101以一定速度移動，且圖像取得部攝影複數圖像106。這種狀況，也可以是平台101間歇地被移動，取得當平台101的停止時的圖像106。

第九圖表示以從第六圖到第八圖表示的實施形態獲得邊緣的複數位置資訊的一例。在第九圖中，表示從第六圖到第八圖中的縫隙像114所對應的圖像106的段差部位置Y1、Y2......，與沿著此時平台101的X軸的 位置X1、X2......。由此，可以確認平台101上的槽口的XY位置。

移動上部基板104等，確認邊緣的複數位置的方法，不限於如第六圖到第八圖所示，將三個縫隙像照射至層疊基板上的狀況，即，不限於用三個檢測裝置100，確認層疊基板上的三點的狀況。在如第一圖所示，確認一點的狀況，以及，在確認未滿三點、比三點多的複數點的狀況也可以使用。即使是確認一點的狀況，藉由移動上部基板104等，並確認複數位置的邊緣，可以檢測上部基板104的位置及形狀。

在此，以平台101的移動所伴隨的振動等，變動移動中平台101與攝影部105的位置關係，有產生位置的特定誤差之虞。對此，在如第六圖到第八圖所示，確認複數處的狀況，從對應縫隙像114及縫隙像174的檢測裝置100，檢測因Y軸振動產生的移位。根據該Y軸的振動移位值，修正從縫隙像172已確認位置資訊中Y軸的值。同樣地，縫隙像172所對應的檢測裝置100，檢測因X軸的振動導致的移位。根據該X軸的振動移位值，修正從縫隙像114及縫隙像174已確認的位置資訊中X軸的值。以該修正，可以更正確地檢測上部基板104的形狀及位置。

第十圖及第十一圖是說明將照明掃瞄的實施形態的正面圖。第十圖及第十一圖的實施形態中，替代移動平台101，將照明的照射位置移動，並檢測邊緣的複數位置。

如第十圖所示，照明部108於透鏡115的像側，即於與層疊基板之間，具有平行平板玻璃182。在第十圖所示狀態中，由於平行平板玻璃182的入射面垂直於主光線地被配設，所以即使通過該平行平板玻璃182，照明的照射位置也會變成從透鏡中心往主光線方向延長的位置X₁ 。

如第十一圖所示，對於來自透鏡的主光線，當平行平板玻璃的角度傾斜，則可以保持往層疊基板的入射角度，並將照射位置從X₁ 往X₂ 移動。由此，可以變更平行平板玻璃182的角度，並掃瞄照射位置，檢測邊緣的複數位置。

第十二圖是說明將照明掃瞄的其它實施形態的正面圖。第十二圖中，照明部108具有反射鏡184於瞳孔位置。藉由變更反射鏡184的角度，可以移動縫隙像114的照射位置。

根據第十圖到第十二圖的實施形態，可以不移動載置層疊基板的平台101。因此，可以更小巧地設計檢測裝置100的整體。

在更正確地檢測上部基板104的形狀的目的下，具有入射光線及反射光線的入射平面，較佳為鄰接上部基板104的邊緣。若平台101或入射光線的移動範圍變大，則在檢測範圍內與入射平面成大角度的邊緣也被包含，這樣的部分的檢測精度會低落(參照第六圖至第八圖)。因此，移動平台101或入射光線並計測的狀況，較佳為限定其移動範圍。例如，當用寬0.065mm的縫 隙116，檢測約300mm的上部基板104的邊緣時，可以預先調準成上部基板104的槽口對於基板中心向著Y方向來配置於平台101，平台101或入射光線在5mm以內的範圍移動，並正確地檢測上部基板104的邊緣。

第十三圖表示確認四點的實施形態。除了第六圖中的縫隙像114、縫隙像172及縫隙像174之外，更設有縫隙像188，縫隙像188是照射相對於縫隙像172旋轉180度的位置，藉此可以同時確認四個區域的邊緣位置。這種狀況，四個縫隙像中，即使是一個縫隙像照射上部基板104的槽口位置的狀況，以其他三個縫隙像，也可以同時檢測上部基板104的中心位置。

第十四圖是在三片相異尺寸的基板被重疊的狀況，以第一圖所示的檢測裝置100可取得的基板邊緣部的圖像的概念圖。例如，將比下部基板102更大的基板重合於第一圖的下部基板102的下方時，三片基板在圖像106以從上開始的順序分別形成上部基板反射像132、下部基板反射像134以及三層基板反射像192。即使是這種狀況，若對應最上方的上部基板104的邊緣，於上部基板反射像132出現可識別程度的段差部E，則以上述方法可以檢測該邊緣位置。

以上，根據本實施形態，使複數個基板貼合來製造層疊半導體裝置的裝置中，可以正確地檢測應貼合的基板外形、位置。由此，可以正確調整作為貼合對象的基板彼此間的相對位置。

又，上述實施形態中有圖像取得部110，圖像取得 部11取得因照明部108導致傾斜照明的正反射所產生的圖像。但是，照明部108及圖像取得部110的配置不限於此。做為其他例，也可以是照明部108相對於基板面方向為傾斜，圖像取得部110取得面的法線方向的圖像。再做為其他例，也可以是照明部108從基板的面的法線方向將照明照射，圖像取得部110從相對於面方向傾斜來取得圖像。再做為其他例，也可以是照明部108及圖像取得部110之任一者，在相對於基板面為傾斜、彼此偏離正反射的位置。

又，上述實施形態中，用縫隙像114做為照明。但是照明的例不限於此。做為其他例，也可以是縫隙像114與正負的關係，即，也可以是具有縫隙狀的影而周圍是明亮的照明。這種狀況較佳為，於基板是圓形的狀況，具有在徑方向延伸的圖案的照明。

以上，已用實施形態來說明本發明，但本發明的技術範圍並不限於上述實施形態中記載的範圍。上述實施形態中，可以施加各種變更或改良是所屬領域具有通常知識者能明瞭的。經施加各種變更或改良的形態也能包含在本發明的技術範圍，從申請專利範圍的記載就能明瞭。

在申請專利範圍、說明書及圖式中所示的裝置、系統、程式及方法中的動作、順序、步驟及階段等各處理的執行順序，只要未特別明示是「更之前」、「首先」等，且只要不是將前處理之輸出用在後處理的狀況，注意可以任意順序來實現。關於申請專利範圍、說明書及圖式 中的動作流程，即使是方便上用「首先」、「接下來」來說明，也不代表必須以該順序來實施。

100‧‧‧檢測裝置

101‧‧‧平台

102‧‧‧下部基板

103‧‧‧基準標記

104‧‧‧上部基板

105‧‧‧攝影部

106‧‧‧圖像

108‧‧‧照明部

110‧‧‧圖像取得部

112、115、118‧‧‧透鏡

114、172、174‧‧‧縫隙像

116‧‧‧縫隙

119‧‧‧光源

120‧‧‧位置確認部

132‧‧‧上部基板反射像

134‧‧‧下部基板反射像

136‧‧‧選擇窗

142‧‧‧折線

144‧‧‧曲線

182‧‧‧平行平板玻璃

184‧‧‧反射鏡

192‧‧‧三層基板反射像

E‧‧‧段差部

a、b、D、L‧‧‧寬

第一圖：檢測裝置100結構的示意斜視圖。

第二圖：圖像取得部取得的基板邊緣部的圖像106的概念圖。

第三圖：以位置確認部確認基板邊緣部位置的說明圖。

第四圖：於段差部E的亮度變化的示意曲線。

第五圖：檢測裝置的檢測條件的說明圖。

第六圖：從基板邊緣部的三處取得圖像的說明圖。

第七圖：移動基板並取得圖像的說明圖。

第八圖：移動基板並取得圖像的說明圖。

第九圖：以檢測出的基板邊緣位置來判斷基板外形及位置的說明圖。

第十圖：說明掃瞄入射光線的實施形態的正面圖。

第十一圖：說明掃瞄入射光線的實施形態的正面圖。

第十二圖：說明掃瞄入射光線的其他實施形態的正面圖。

第十三圖：從基板邊緣部的四處取得圖像的說明圖。

第十四圖：三層基板的基板邊緣部的圖像的概念圖。

100‧‧‧檢測裝置

101‧‧‧平台

102‧‧‧下部基板

103‧‧‧基準標記

104‧‧‧上部基板

105‧‧‧攝影部

106‧‧‧圖像

108‧‧‧照明部

110‧‧‧圖像取得部

112、115、118‧‧‧透鏡

114‧‧‧縫隙像

116‧‧‧縫隙

119‧‧‧光源

120‧‧‧位置確認部

Claims (20)

1. 一種檢測方法，檢測層疊的複數個基板中的最上層基板之位置，具備下列步驟：將照明照射至包含前述最上層基板邊緣之一部分以及層疊於前述最上層基板之下部基板之一部分的區域；取得來自前述區域之反射像之圖像；藉由使將照明照射至前述區域的方向以及將前述區域攝影的方向的至少一者，對於前述基板之面之方向傾斜，且藉由前述最上層基板與前述下部基板之間之段差，而於來自前述最上層基板之反射像以及來自前述下部基板之反射像之間形成段差部，根據前述段差部的位置，確認前述最上層基板的邊緣之位置；以及根據前述最上層基板之前述邊緣之位置，確認前述最上層基板的位置。
2. 如申請專利範圍第1項所述的檢測方法，其中確認前述最上層基板的前述邊緣之位置的步驟中，根據來自前述最上層基板之反射像與來自前述下部基板之反射像之間之亮度之變化來檢測前述段差部。
3. 如申請專利範圍第1或2項所述的檢測方法，其中前述取得圖像的步驟包含圖像，該圖像是在前述將照明照射的步驟中，照射出的照明在前述區域正反射產生的圖像。
4. 如申請專利範圍第1或2項所述的檢測方法，其中於前述將照明照射的步驟，照明的入射光線與反射光線 做出的面，與在前述基板為圓形的狀況的徑方向交叉。
5. 如申請專利範圍第1或2項所述的檢測方法，其中前述將照明照射的步驟中，照射具有圖案的照明，該圖案在前述特定基板為圓形的狀況的徑方向延伸。
6. 如申請專利範圍第1項所述的檢測方法，更具備與在前述特定基板為圓形的狀況的徑方向交叉的方向上，移動前述複數個基板的步驟；在前述取得圖像的步驟中，分別於前述基板移動的前述基板的複數個位置，取得將前述區域，從相對於前述基板的面方向傾斜的方向攝影得到的圖像；在前述確認基板位置的步驟中，根據在前述基板的複數個位置的前述圖像的前述段差部的位置，檢測包含於前述邊緣的特徵處的位置。
7. 如申請專利範圍第1項所述的檢測方法，其中在前述將照明照射的步驟中，在與前述徑方向交叉的方向掃瞄前述照明；在前述取得圖像的步驟中，分別於前述照明的掃瞄的前述照明的複數個位置，取得將前述區域，從相對於前述基板的面方向傾斜的方向攝影得到的圖像；在前述確認基板位置的步驟中，根據在前述照明的複數個位置的前述圖像的前述段差部的位置，確認包含於前述邊緣的特徵處的位置。
8. 如申請專利範圍第1項所述的檢測方法，其中前述取得圖像的步驟，包含：在前述特定基板的邊緣具有槽口的狀況，取得攝影圖像，該攝影圖像是攝影前述特定 基板包含前述槽口的區域以及其它區域得到的圖像；前述確認基板位置的步驟，包含：根據攝影前述其它區域得到的圖像，確認前述特定基板的位置的步驟，以及，根據攝影包含前述槽口的區域得到的圖像，確認前述槽口的旋轉方向的步驟。
9. 如申請專利範圍第8項所述的檢測方法，其中前述取得圖像的步驟，是取得關於做為前述其它區域的複數個相異區域的圖像。
10. 如申請專利範圍第8或9項所述的檢測方法，其中在前述將照明照射的步驟中，照明具有在前述特定基板為大致圓盤狀的狀況的徑方向延伸的圖案，從相對於前述基板的面方向傾斜的方向將該照明照射在包含前述槽口的區域以及前述其它區域。
11. 如申請專利範圍第10項所述的檢測方法，更具備將前述複數個基板在與前述徑方向交叉的方向移動；在前述取得圖像的步驟中，分別在前述基板移動的前述基板的複數個位置，取得圖像，該圖像是將包含至少前述槽口的區域，從相對於前述基板的面方向傾斜的方向來攝影得到的圖像；在前述確認邊緣位置的步驟中，根據在前述基板的複數個位置的前述圖像的前述段差部的位置，檢測包含於前述槽口的特徵處的位置。
12. 如申請專利範圍第11項所述的檢測方法，其中在前述取得圖像的步驟中，分別在前述基板移動的複數個位置，取得圖像，該圖像是將前述其它區域，從相對於前述基板的面方向傾斜的方向來攝影得到的圖像； 根據前述其它區域的前述複數個位置所對應的圖像間的邊緣位置的移位，修正前述槽口的特徵處的位置。
13. 如申請專利範圍第10項所述的檢測方法，其中在前述將照明照射的步驟中，在與前述徑方向交叉的方向掃瞄前述照明；在前述取得圖像的步驟中，分別於前述照明的複數個位置，取得圖像，該圖像是將包含前述槽口的區域，從相對於前述基板的面方向傾斜的方向來攝影得到的圖像；在前述確認基板位置的步驟中，根據前述照明之複數個位置所對應的複數個圖像之前述段差部之位置，來確認包含前述槽口的特徵處的位置。
14. 如申請專利範圍第8或9項所述的檢測方法，其中在前述取得圖像的步驟中，前述其它區域，包含對於在前述基板為圓形的狀況的前述槽口以90度旋轉的位置。
15. 如申請專利範圍第8或9項所述的檢測方法，其中在前述取得圖像的步驟中，前述其它區域，包含對於在前述基板為圓形的狀況的前述槽口以180度旋轉的位置。
16. 如申請專利範圍第1項所述的檢測方法，其中在前述取得圖像的步驟中，使用偏向光學系統。
17. 一種檢測裝置，檢測層疊的複數個基板中的最上層基板的位置，具備：照明部，將照明照射至包含前述最上層基板邊緣之一部分以及層疊於前述最上層基板之下部基板之一部 分的區域；圖像取得部，取得來自前述區域之反射像之圖像；以及位置確認部，根據以前述圖像取得部取得之前述圖像，確認前述最上層基板的邊緣之位置；藉由前述照明部將照明照射至前述區域的方向，以及，藉由前述圖像取得部攝影前述區域的方向的至少一者，對於前述基板的面方向是傾斜的；前述位置確認部根據藉由前述最上層基板與前述下部基板之間之段差而形成於來自前述最上層基板之反射像以及來自前述下部基板之反射像之間的段差部之位置，確認前述最上層基板的邊緣之位置。
18. 如申請專利範圍第17項所述的檢測方法，其中前述位置確認部根據來自前述最上層基板之反射像與來自前述下部基板之反射像之間之亮度之變化來檢測前述段差部。
19. 如申請專利範圍第17項所述的檢測裝置，其中在前述照明部，照明的入射光線與反射光線做出的面，與在前述基板為圓形的狀況的徑方向交叉。
20. 如申請專利範圍第17項所述的檢測裝置，其中為了照射前述基板的複數個各區域而設有複數個前述照明部，並設有對應前述複數個照明部的複數個前述圖像取得部。