JP2016110137A - 配線パターン形成システム - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の第1の実施形態の配線パターン形成システムについて、図1〜図5を用いて説明する。
Optical Inspection)等が挙げられる。実パターンデータAと実パターンAの元データAとの差分とは、具体的には、同一の座標における実パターンデータAと実パターンAの元データAとの線幅の差異をいう。
本発明の第2の実施形態の配線パターン形成システムについて、図6、図7を用いて説明する。
本発明の第3の実施形態の配線パターン形成システムについて、図8、図9を用いて説明する。
まず、一次補正関数を作成するため、図10のテストパターン1と製品パターン(図示しない。)とを配置した、図11の実パターン基板C4cを作製するための基板として、絶縁層の表裏に5μmの銅箔を有した厚さ0.22mm、縦440mm、横510mmのMCL−E−700G(日立化成株式会社製 商品名、「MCL」は登録商標。)の銅張積層板の銅箔上に電気銅めっきで約9μmのめっきを施し、表裏面のそれぞれの面の全体の銅厚を約14μmとしたものを準備した。次に、表裏面の銅箔上に感光性のエッチングレジストを貼り合せ、製品パターンと図10のテストパターン1を露光し、水平搬送型のエッチング装置を用いてエッチングによる回路形成を行い、図11に示すような実パターン基板C4cを、9枚作製した。図10に示したテストパターンの元データ(設計値)は、パターン幅(パターン3の幅)を100μmで固定し、パターン間隙2を14〜150μmの範囲で24段階に変化させた線状の配線パターンを、表裏面のそれぞれについて、縦方向及び横方向に配置したものであり、この元データに基づいて作成した当初の露光データも元データ(設計値)と同じである。図11は実パターン基板C4cの概要を示したものであり、本実施例では実際には、製品パターン以外に、縦方向に11個、横方向に11個、全部で121個のテストパターン1を、実パターン基板C4cの表裏面のそれぞれの面内に均等に配置した。
片側補正量(μm)=(パターン間隙の仕上り値(μm)−設計値(μm))/2 …(1)
一次補正関数を用いた製品パターン7の露光データへの補正処理は、例えば、製品パターン7の露光データにおいて、設計値が30μmの個所に対しては、図12の表のパターン間隙の仕上り値が28.5μm(片側補正量が4.3μm)と、仕上り値が33.2μm(片側補正量が5.6μm)の各データから、仕上り値が30μmである場合の片側補正量の値は、これらのデータ同士を結んだ直線上にあると仮定して計算により取得した。このようにして計算で取得したパターン間隙の仕上り値が30μmのときの片側補正量は4.7μmであり、露光データ(ここでは初期の露光データを意味し、元データと同じ。)に対して片側4.7μmずつパターン間隙を狭くする補正処理を行った。つまり、製品パターン7のパターン間隙の設計データ(設計値)が30μmの箇所については、パターン間隙の補正処理後の露光データは20.6μmとなるようにした。また、実パターン基板C4c内に配置された製品パターン(図示しない。)の元データ又は露光データの補正に用いる一次補正関数は、それぞれの製品パターンと位置関係が最も近いテストパターン1を用いて作成した一次補正関数を用いた。
次に、仮の補正関数を作成するため、一次補正関数を作製するときと同様の基板を準備し、図11に概略を示すようなテストパターン1と製品パターン(図示しない。)を混在させた実パターン基板C4cを、1枚作製した。テストパターン1は、一次補正関数を作製するときと同じ設計データを用いたものであり、製品パターンは、パターンの幅/パターン間隙の設計値が30μm/30μmである箇所を有する設計データのものである。図11は実パターン基板C4cの概要を示したものであり、本実施例では実際には、全部で42個のテストパターン1を、実パターン基板C4c内に配置した。なお、実パターン基板C4c内に配置した42個のテストパターン1の実パターン基板C4c内における位置は、図11に示した一次補正関数を作成するのに用いた実パターン基板C4c内の42ポイントのテストパターン1の位置と対応している。
次に、図14の表に示すように、各設計値について、仮の補正関数と一次補正関数との差異を、X方向(図13の横方向)及びY方向(図13の縦方向)について求め、さらに、X方向及びY方向のそれぞれについて平均値を求めた。
2:パターン間隙
3:パターン
4c:実パターン基板C
5:基材
Claims (7)
- 配線パターンAの元データAを作成する元データ作成手段と、
前記元データAから露光データAを作成する露光データ作成手段と、
前記露光データAに基づいて、基板上に配置された感光性レジストに、露光パターンAを露光するパターン露光手段と、
前記露光パターンAが露光された感光性レジストを現像して現像パターンAを形成する現像パターン形成手段と、
前記現像パターンAを形成した基板に対して回路加工を行ない実パターンAを形成する実パターン形成手段と、
前記実パターンAから実パターンデータAを取得し、この実パターンデータAと前記実パターンAの元データAとの差分Aから、差分データAを作成する差分データ作成手段と、
前記差分Aを生じさせる因子と前記差分データAとの関係から、前記差分Aを生じさせる因子と差分Aを抑制するための前記露光データAの補正量Aとの関係を規定した一次補正関数を作成する一次補正関数作成手段と、
を有する配線パターン形成システム。 - 請求項1において、
前記一次補正関数に基づいて、前記差分Aを生じさせる因子と前記差分データAとの関係から、前記差分Aを生じさせる因子と差分Aを抑制するための前記露光データAの補正量Aとの関係を規定した二次補正関数を作成する二次補正関数作成手段と、
を有する配線パターン形成システム。 - 請求項2において、
前記二次補正関数が、前記差分Aを生じさせる因子と、前記一次補正関数に比べて、より少ない個所の差分データとの関係から作成される配線パターン形成システム。 - 請求項2又は3において、
前記二次補正関数が、前記一次補正関数を平行移動することにより作成される配線パターン形成システム。 - 請求項1から3の何れか一項において、
前記元データAと露光データAとの差分Aを生じさせる因子が、前記実パターンAの元データAのパターン間隙、パターンサイズ、パターン厚さ、パターン位置の何れか又は何れか2以上の組み合せである配線パターン形成システム。 - 請求項1から5の何れか一項において、
配線パターンBの元データBを作成する元データ作成手段と、
前記元データBから露光データBを作成する露光データ作成手段と、
前記二次補正関数に基づいて、前記露光データBに対する補正量Bを設定し、前記露光データBを補正して露光データB1を作成する露光データ補正手段と、
前記露光データB1に基づいて、基板上に配置された感光性レジストに、露光パターンB1を露光するパターン露光手段と、
前記露光パターンB1が露光された感光性レジストを現像して現像パターンB1を形成する現像パターン形成手段と、
前記現像パターンB1を形成した基板に対して回路加工を行ない実パターンB1を形成する実パターン形成手段と、
を有する配線パターン形成システム。 - 請求項6において、
前記配線パターンAが、差分Aを生じさせる因子を含むテストパターンであり、
前記配線パターンBが、製品パターンである配線パターン形成システム。
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