CN114786347A - 一种电路板的加工方法 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种电路板的加工方法，包括：准备第一电路板；获取加工第一电路板的蚀刻线体的长度、预设蚀刻线速、抗蚀层宽度；基于蚀刻线体的长度、预设蚀刻线速、抗蚀层宽度对第一电路板进行加工，得到实测线宽；根据蚀刻线体的长度、预设蚀刻线速、抗蚀层宽度、实测线宽以及目标线宽，确定电路板的目标蚀刻线速；基于目标蚀刻线速进行电路板加工。通过上述方式，根据第一电路板的实测线宽，结合蚀刻线体的长度、预设蚀刻线速、抗蚀层宽度，通过计算或建模得出目标蚀刻线速，提高了电路板的线路宽度与目标宽度的一致性，实现了提高电路板的阻抗与需求的匹配能力。

Description

一种电路板的加工方法

技术领域

本申请涉及电路板领域，特别是涉及一种电路板的加工方法。

背景技术

在第5代移动通信技术(The Fifth Generation Mobile Networks，5G)大规模商用的背景下，信息传输日益趋向高频化与高速化，对PCB(print circuit board，印制电路板)的阻抗能力提出了更严格的要求。

对于PCB非电镀的内层线路而言，线路宽度是影响阻抗的因素之一。当实际生产的电路板线路宽度与客户所设计的一致性越高，PCB的阻抗匹配能力越强。然而，目前生产的PCB的阻抗难以做到与设计的阻抗一致。

发明内容

本申请主要解决的技术问题是提供一种电路板的加工方法，根据第一电路板的测试数据，通过计算或建模得出目标蚀刻线速，提高电路板的线路宽度与所设计的线路宽度的一致性，从而提高电路板的阻抗匹配能力。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种电路板的加工方法，包括：准备第一电路板；获取加工第一电路板的蚀刻线体的长度、预设蚀刻线速、抗蚀层宽度；基于蚀刻线体的长度、预设蚀刻线速、抗蚀层宽度对第一电路板进行加工，得到实测线宽；根据蚀刻线体的长度、预设蚀刻线速、抗蚀层宽度、实测线宽以及目标线宽，确定电路板的目标蚀刻线速；基于目标蚀刻线速进行电路板加工。

其中，根据蚀刻线体的长度、预设蚀刻线速、抗蚀层宽度，实测线宽以及目标线宽，确定电路板的目标蚀刻线速的步骤，包括：根据实测线宽与目标线宽，获取线宽变化量；根据蚀刻线体的长度、预设蚀刻线速、抗蚀层宽度、线宽变化量，确定电路板的目标蚀刻线速。

其中，根据蚀刻线体的长度、预设蚀刻线速、抗蚀层宽度、线宽变化量，确定电路板的目标蚀刻线速的步骤，包括：根据蚀刻线体的长度、预设蚀刻线速，得到预设蚀刻时间；根据预设蚀刻时间、抗蚀层宽度、蚀刻线体的长度、线宽变化量，确定电路板的目标蚀刻线速。

其中，根据预设蚀刻时间、抗蚀层宽度、蚀刻线体的长度、线宽变化量，确定电路板的目标蚀刻线速的步骤，包括：根据蚀刻线体的长度、抗蚀层宽度、实测线宽、目标线宽确定目标线宽变化率；根据目标线宽变化率、预设蚀刻时间、蚀刻线体的长度、线宽变化量，确定电路板的目标蚀刻线速。

其中，根据目标线宽变化率、预设蚀刻时间、蚀刻线体的长度、线宽变化量，确定电路板的目标蚀刻线速的步骤，包括：获取线宽变化率与蚀刻时间的对应关系；根据抗蚀层宽度、实测线宽、目标线宽，获取实测膜线差和目标膜线差，其中，膜线差为抗蚀层宽度与线宽的差值；根据实测膜线差、目标膜线差、线宽变化率与蚀刻时间的对应关系，确定线宽变化率与膜线差的关系；根据线宽变化率与膜线差的关系确定平均线宽变化率；根据平均线宽变化率、预设蚀刻时间、蚀刻线体的长度、线宽变化量，确定电路板的目标蚀刻线速。

其中，获取线宽变化率与蚀刻时间的对应关系的步骤，包括：对多个第二电路板进行加工，得到蚀刻时间变化量及其对应的线宽变化量；对蚀刻时间变化量及其对应的线宽变化量进行函数拟合，得到线宽变化量与蚀刻时间变化量的函数；根据线宽变化量与蚀刻时间变化量的函数，获取线宽变化率与蚀刻时间的对应关系。

其中，根据实测膜线差、目标膜线差、线宽变化率与蚀刻时间的对应关系，确定线宽变化率与膜线差的关系的步骤，包括：根据蚀刻线体的长度、抗蚀层宽度、多个第二电路板的实测线宽机器对应的蚀刻时间，确定线宽变化率与膜线差的关系。

其中，根据线宽变化率与膜线差的关系确定平均线宽变化率的步骤，包括：根据抗蚀层宽度、实测线宽、目标线宽，获取实测膜线差和目标膜线差，根据实测膜线差、目标膜线差、线宽变化率与膜线差的关系，获取平均线宽变化率。

其中，基于蚀刻线体的长度、预设蚀刻线速、抗蚀层宽度对第一电路板进行加工，得到实测线宽的步骤，包括：从第一电路板中采集多个初始实测线宽；对多个初始实测线宽进行平均处理，得到平均线宽，并将平均线宽确定为第一电路板的实测线宽。

其中，基于目标蚀刻线速进行电路板加工，包括：利用线宽计算模型得到电路板的目标蚀刻线速。

其中，利用线宽计算模型得到电路板的目标蚀刻线速之前，包括：获取电路板的蚀刻线体的长度、预设蚀刻线速、抗蚀层宽度、实测线宽、目标线宽；根据蚀刻线体的长度、预设蚀刻线速，获取电路板的预设蚀刻时间；根据实测线宽、目标线宽，获取电路板的线宽变化量；根据蚀刻线体的长度、预设蚀刻线速、抗蚀层宽度、实测线宽、目标线宽，获取电路板的线宽变化率；根据电路板的蚀刻线体的长度、预设蚀刻时间、线宽变化量、线宽变化率，得出目标蚀刻线速；从而得到线宽计算模型。

与现有技术相比，本申请提供一种电路板的加工方法，包括：准备第一电路板；获取加工第一电路板的蚀刻线体的长度、预设蚀刻线速、抗蚀层宽度；基于蚀刻线体的长度、预设蚀刻线速、抗蚀层宽度对第一电路板进行加工，得到实测线宽；根据蚀刻线体的长度、预设蚀刻线速、抗蚀层宽度、实测线宽以及目标线宽，确定电路板的目标蚀刻线速；基于目标蚀刻线速进行电路板加工。通过上述方式，根据第一电路板的实测线宽，结合蚀刻线体的长度、预设蚀刻线速、抗蚀层宽度，通过计算或建模得出目标蚀刻线速，提高了电路板的线路宽度与目标宽度的一致性，从而提高了电路板的阻抗与需求的匹配能力。

附图说明

图1是本申请中电路板的加工方法的一实施例的流程示意图；

图2是本申请中电路板的加工方法的另一实施例的流程示意图；

图3是本申请中第一电路板加工完成后的结构示意图；

图4是本申请中目标电路板加工完成后的结构示意图；

图5是本申请中线宽计算模型的一实施例流程示意图；

图6是本申请中线宽计算模型的另一实施例流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上文清楚地表示其他含义，“多种”一般包含至少两种，但是不排除包含至少一种的情况。

应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，和/或B，可以表示：单独存在，同时存在和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

应当理解，本文中使用的术语“包括”、“包含”或者其他任何变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

本申请提供了一种电路板的加工方法，根据第一电路板，通过计算或建模得出蚀刻线速，提高了电路板的线路宽度与目标线宽的一致性，从而提高电路板的阻抗与客户需求的匹配能力。

下面结合附图和实施方式对本申请进行详细说明。

请参阅图1，图1是本申请中电路板的加工方法的一实施例的流程示意图，在本实施方式中，电路板的加工方法包括：

S11：准备第一电路板。

本实施例中，第一电路板为电路板中的的任意一个。

在其他实施例中，第一电路板还可以是多个电路板。

S12：获取加工第一电路板的蚀刻线体的长度、预设蚀刻线速、抗蚀层宽度。

根据电路板加工需求，确定电路板加工设备，根据电路板加工设备获取蚀刻线体的长度。在本实施例中，电路板的加工设备均相同，电路板加工设备对应的蚀刻线体的长度等于电路板加工设备的长度。

在其他实施例中，电路板的加工设备还可以不相同，电路板加工设备对应的蚀刻线体的长度还可以为电路板加工设备的其他参数。

在本实施例中，电路板及其加工参数均相同，抗蚀层宽度是对电路板进行加工过程中不会蚀刻的绝缘层的宽度。也就是说，本实施例中的电路板及其加工参数为已知量，那么电路板的抗蚀层宽度为已知量。

在其他实施例中，在电路板及其加工参数已知确定时，抗蚀层宽度也为已知量。

在本实施例中，电路板及其加工参数确定后，根据以往的电路板加工数据，预先设置预设蚀刻线速，也可以将电路板加工设备的默认蚀刻线速确定为预设蚀刻线速。

在其他实施例中，还可以根据历史记录确定预设蚀刻线速。

S13：基于蚀刻线体的长度、预设蚀刻线速、抗蚀层宽度对第一电路板进行加工，得到实测线宽。

利用电路板加工设备，按照预设蚀刻线速对第一电路板进行加工，在其他实施例中，并记录加工后第一电路板的线宽，即为实测线宽。

当电路板加工设备不同时，需要在多种不同的电路板加工设备分别加工多个第一电路板，从而获取多个加工后第一电路板的线宽。

为了提高第一电路板的实测线宽的精度，在其他实施例中，还可以加工多个第一电路板，从而获取多个第一电路板的线宽，对多个第一电路板的线宽求取平均值，平均值即为实测线宽。

S14：根据蚀刻线体的长度、预设蚀刻线速、抗蚀层宽度、实测线宽以及目标线宽，确定电路板的目标蚀刻线速。

本实施例中，电路板设计线宽为定值，目标线宽即为电路板设计线宽。在其他实施例中，电路板设计线宽还可以是一个范围，目标线宽可以是电路板设计线宽范围中的最优值，还可以是电路板设计线宽范围的其他值。

根据上文所述，蚀刻线体的长度、预设蚀刻线速、抗蚀层宽度、实测线宽以及目标线宽均已获取，根据电路板的目标蚀刻线速与蚀刻线体的长度、预设蚀刻线速、抗蚀层宽度、实测线宽以及目标线宽的关系，便可以获取电路板的目标蚀刻线速。

S15：基于目标蚀刻线速进行电路板加工。

根据获取的电路板的目标蚀刻线速，对电路板进行加工。为了保证电路板与目标线宽的一致性，提高电路板的加工精度，本实施例中，电路板加工的过程中，定时或定量抽检电路板线宽的加工情况。

在其他实施例中，还可以集中检查电路板批量生产件的首件或多件电路板，并测量电路板线宽。

通过本实施方式，利用电路板加工设备和第一电路板得到获取电路板目标蚀刻线速的多个参数值，然后通过计算获得目标蚀刻线速，根据目标蚀刻线速进行电路板加工，提高了电路板的线路宽度与目标线宽的一致性，从而提高电路板的阻抗的匹配能力。

请参阅图2，图2是本申请中电路板的加工方法的另一实施例的流程示意图，在本实施方式中，电路板的加工方法包括：

S21：准备第一电路板。

本实施例中，在电路板中任意选取多个电路板，作为第一电路板。

在其他实施例中，还可以选取其他数量的电路板，作为第一电路板。

S22：获取加工第一电路板的蚀刻线体的长度、预设蚀刻线速、抗蚀层宽度。

本实施例中，电路板的加工设备均相同，根据电路板加工设备获取蚀刻线体的长度。在其他实施例中，还可以利用多种电路板的加工设备进行电路板加工。当电路板的加工设备包括多种时，优选地，每种电路板的加工设备对应一个或一组第一电路板。

根据电路板及其加工参数获取电路板的抗蚀层宽度，本实施例中，电路板的抗蚀层紧邻电路板的加工层，电路板的抗蚀层宽度与电路板加工要求相关。在其他实施例中，电路板的抗蚀层宽度还可以通过其他方式获取。

本实施例中，根据同类型的电路板加工经验，设置预设蚀刻线速。在其他实施例中，还可以将电路板加工设备的默认蚀刻线速确定为预设蚀刻线速，还可以通过其他方式获取电路板的预设蚀刻线速。

S23：基于蚀刻线体的长度、预设蚀刻线速、抗蚀层宽度对第一电路板进行加工，得到实测线宽。

本实施例中，电路板加工设备按照预设蚀刻线速对多个第一电路板进行加工，然后记录加工过程中第一电路板的预设蚀刻线速及其对应的线宽。本实施例中，对于同一预设蚀刻线速，将其对应的多个第一电路板的线宽进行求平均值操作，得到多个第一电路板的线宽平均值，线宽平均值即为实测线宽。

在其他实施例中，当电路板的加工设备包括多种时，在对多个第一电路板的线宽进行求平均值操作时，需要先进行分类，优选地，对每一种设备对应的同一预设蚀刻线速的第一电路板的线宽进行求取平均值操作。

在其他实施例中，还可以从第一电路板上的多个取样点中获取多个初始实测线宽，然后对多个初始实测线宽进行平均处理，得到平均线宽，将获得的平均线宽确定为第一电路板的实测线宽。

通过平均处理得到第一电路板的实测线宽，实现了减小测量过程中固有的误差对测试结果的影响，有利于提高最终获取目标蚀刻线速的准确性。

S24：根据实测线宽与目标线宽，获取线宽变化量。

请参阅图3，图3是本申请中第一电路板加工完成后的结构示意图，第一电路板包括绝缘层11、待加工层12，其中，绝缘层11的抗蚀层宽度为a，待加工层12在加工后的实测线宽为W₀。

另外，为了便于对比理解，请参阅图4，图4是本申请中目标电路板加工完成后的结构示意图，目标电路板包括绝缘层21、待加工层22，其中，绝缘层21的抗蚀层宽度也为a，待加工层22在加工后的目标线宽为W₁。

电路板的实测线宽与目标线宽的差值为电路板的线宽变化量，线宽变化量ΔW的计算公式为：

ΔW＝W₀-W₁

本实施例中，第一电路板的实测线宽与目标线宽的差值即为第一电路板的线宽变化量。

在其他实施例中，当电路板的加工设备包括多种时，在获取第一电路板的线宽变化量之前，需要先对第一电路板进行分类分组，优选地，对每一种加工设备对应的同一预设蚀刻线速的电路板，直接获取其目标线宽即为第一电路板的目标线宽，将不同的加工设备、不同的预设蚀刻线速的电路板分组处理，获取各自的第一电路板的目标线宽。

S25：根据蚀刻线体的长度、预设蚀刻线速、抗蚀层宽度、线宽变化量，确定电路板的目标蚀刻线速。

本申请的目标就是通过获取第一电路板的实测线宽，结合电路板的目标蚀刻速度与预设蚀刻线速、抗蚀层宽度、线宽变化量的关系，得到生产出目标电路板的目标线宽W₁的目标蚀刻速度。

本实施例中，根据蚀刻线体的长度、第一电路板的预设蚀刻线速得到第一电路板的预设蚀刻时间；根据蚀刻线体的长度、第一电路板的预设蚀刻线速、第一电路板的抗蚀层宽度、多个第一电路板的实测线宽以及多个第一电路板的目标线宽的得到第一电路板的线宽变化率。

根据第一电路板的蚀刻线体的长度、预设蚀刻时间、线宽变化量、线宽变化率，得到电路板的目标蚀刻线速，其中，计算目标蚀刻线速V₁的公式如下：

当线宽变化量ΔW大于0时，目标蚀刻线速

当线宽变化量ΔW小于0时，目标蚀刻线速

其中，V₁为目标蚀刻线速、X为蚀刻线体的长度、T₀为预设蚀刻时间、ΔW为线宽变化量、K为线宽变化率。

S26：基于目标蚀刻线速进行电路板加工。

根据上述获取的电路板的目标蚀刻线速，对电路板进行加工。

通过本实施方式，通过获取多个第一电路板的线宽，经平均处理得到实测线宽，由加工设备的固有属性和电路板的加工要求获取其他数据，再经过计算确定电路板的目标蚀刻线速，减少了获取电路板的目标蚀刻线速的步骤，降低了获取电路板的目标蚀刻线速的难度，提高了电路板的线路宽度与目标线宽的一致性，实现了提高电路板的阻抗与需求的匹配能力。

进一步地，为了固化获取目标蚀刻线速的计算过程，本申请提出建立线宽计算模型，如图5所示，图5是本申请中线宽计算模型的一实施例流程示意图，包括如下步骤：

S31：获取到加工多个样本电路板的蚀刻线体的长度、预设蚀刻线速、蚀刻线速、抗蚀层宽度、实测线宽以及目标线宽。

根据电路板的型号和加工要求确定电路板加工设备，本实施例中，电路板加工设备均相同，从而得到样本电路板的蚀刻线体的长度；根据电路板的型号和加工要求，得到电路板的抗蚀层宽度、目标线宽；结合电路板加工经验，得到电路板的预设蚀刻线速。

在其他实施例中，当电路板的型号、电路板的加工要求或者电路板加工设备不同时，优选地，对不同电路板进行分组处理。

本实施例中，利用电路板的加工设备，根据预设蚀刻线速对多个样本电路板进行加工，得到多个样本电路板的蚀刻线速及其对应的线宽。其中，蚀刻线速接近预设蚀刻线速。为了提高样本电路板的线宽有效性，在每个样本电路板中选取多个取样点，测量多个取样点的线宽，对每个样本电路板的多个线宽进行平均处理得到平均线宽，将获得的平均线宽确定为每个样本电路板的的实测线宽。

在其他实施例中，当电路板的型号、电路板的加工要求或者电路板加工设备不同时，不同组的样本电路板蚀刻线速不同，需要分开记录，每组样本电路板的蚀刻线速接近预设蚀刻线速；对应记录每组样本电路板的实测线宽。

S32：根据各蚀刻线体的长度、预设蚀刻线速、蚀刻线速，获取各样本电路板的蚀刻时间变化量。

蚀刻线体的长度与预设蚀刻线速的比值为电路板的预设蚀刻时间，蚀刻线体的长度与样本电路板的蚀刻线速的比值为样本电路板的蚀刻时间，样本电路板的蚀刻时间与电路板的预设蚀刻时间的差值为样本电路板的蚀刻时间变化量。

本实施例中，根据各样本电路板蚀刻线体的长度、预设蚀刻线速、蚀刻线速，得到每个样本电路板的预设蚀刻时间和蚀刻时间，再经过求差计算，得到每个样本电路板的蚀刻时间变化量。

在其他实施例中，还可以通过其他方式得到样本电路板的蚀刻时间变化量。

S33：根据各实测线宽与目标线宽得到各样本电路板的线宽变化量。

电路板的实测线宽与电路板的目标线宽的差值为样本电路板的线宽变化量。

本实施例中，根据多个样本电路板的实测线宽和电路板的目标线宽，经过求差计算，得到每个样本电路板的线宽变化量。

在其他实施例中，还可以通过其他方式得到每个样本电路板的线宽变化量。

S34：根据各样本电路板的蚀刻时间变化量及其对应的各样本电路板的线宽变化量，拟合得到加工多个样本电路板的线宽变化率函数。

本实施例中，以电路板的目标线宽、预设蚀刻线速为基准，将覆铜板的实测线宽与目标线宽作差得到覆铜板的线宽变化量；覆铜板的实测线宽与对应的蚀刻线速的比值为覆铜板的实测蚀刻时间，覆铜板的目标线宽与预设蚀刻线速的比值为覆铜板的基准蚀刻时间，覆铜板的实测蚀刻时间与基准蚀刻时间作差得到覆铜板的蚀刻时间变化量。

根据每个样本电路板的线宽变化量及其对应的蚀刻时间变化量，进行函数拟合，得到样本电路板的线宽变化量关于蚀刻时间变化量的函数。

本实施例中，多个样本电路板是基于预设蚀刻速度、预设蚀刻时间得到的每个样本电路板的线宽变化量及其对应的蚀刻时间变化量。在其他实施例中，还可以依据其他参数获取每个样本电路板的线宽变化量及其对应的蚀刻时间变化量。

进一步地，基于样本电路板的线宽变化量与蚀刻时间变化量的函数，进行求导计算，便得到了单位时间对应的线宽变化率，即线宽变化率与蚀刻时间的对应关系。在其他实施例中，还可以通过其他方式得到样本电路板的线宽变化率函数关系。

S35：利用线宽变化率函数得到加工多个样本电路板的蚀刻线体的长度、蚀刻时间、预设蚀刻线速、抗蚀层宽度、实测线宽、目标线宽与目标蚀刻线速的对应关系，以得到线宽计算模型。

特别地，电路板的线宽变化率与电路板的膜线差存在函数关系，其中，电路板的抗蚀层宽度与电路板的线宽的差值为电路板的膜线差，膜线差的计算公式为：

c＝a-W

其中，c为电路板的膜线差，a为电路板的抗蚀层宽度，W为电路板的线宽。

根据多个样本电路板的膜线差对应的实测线宽，得到多个样本电路板的膜线差对应的蚀刻时间，然后联立电路板的线宽变化率关于蚀刻时间的函数，得到样本电路板的线宽变化率关于膜线差的函数。

对样本电路板的线宽变化率关于蚀刻时间变化量的函数进行积分得到样本电路板的线宽累积量。

又因为线宽变化量与线宽变化量对时间变化量的累积量相等，所以得到获取目标蚀刻线速V₁的公式如下：

当ΔW大于0时，目标蚀刻线速

当ΔW小于0时，目标蚀刻线速

其中，蚀刻线体的长度为X、覆铜板的预设蚀刻时间为T₀、覆铜板的线宽变化量为ΔW、线宽变化率为K。

通过本实施方式，根据蚀刻设备确定蚀刻线体的长度X；根据待加工的电路板确定目标线宽W₁、预设蚀刻线速V₀，结合蚀刻线体的长度X，可以确定预设蚀刻时间T₀；根据第一电路板的实测线宽W₀，确定电路板的线宽变化量ΔW。也就是说，通过本实施方式，只需要确定线宽变化率K的值，便能确定目标蚀刻线速。

为了描述得到线宽变化率的确定过程，如图6所示，图6是本申请中线宽计算模型的另一实施例流程示意图，本线宽计算模型包括：

S41：获取多个第二电路板的蚀刻线体的长度、预设蚀刻线速、蚀刻线速、抗蚀层宽度、实测线宽以及目标线宽。

本实施例中，多个第二电路板选择同批次的11块覆铜板，其中，覆铜板的蚀刻线体的长度为4.7m，即本实施例中的蚀刻线体的长度X为4.7m。根据覆铜板的型号和加工要求，得到电路板的抗蚀层宽度为110μm，目标线宽为110μm，即抗蚀层宽度a为110μm，目标线宽W₁为110μm。根据本实施例中覆铜板的加工经验，电路板的预设蚀刻线速5.5m/min。

本实施例中，为了提高测量精度，每块覆铜板对应的取样点≥25个，以每块覆铜板的取样点平均线宽作为实测线宽进行计算，其中，11块覆铜板对应的实测线宽分别为98.29、98.98、99.83、100.42、101.42、101.55、102.80、104.07、106.32、108.56、112.63μm。在实施过程中，通过测量仪器获取覆铜板的实测蚀刻线速，其中，实测线宽分别为98.29、98.98、99.83、100.42、101.42、101.55、102.80、104.07、106.32、108.56、112.63μm的每块覆铜板，对应的蚀刻线速分别为5.0、5.1、5.2、5.3、5.4、5.5、5.6、5.7、5.8、5.9、6.0m/min。

在其他实施例中，还可以加工其他材质的电路板，覆铜板样品还可以是其他数量。

S42：根据覆铜板的长度、预设蚀刻线速、蚀刻线速，获取各覆铜板的蚀刻时间变化量。

覆铜板的蚀刻线体的长度与对应的蚀刻线速的比值为覆铜板的实测蚀刻时间，本实施例中，实测线宽分别为98.29、98.98、99.83、100.42、101.42、101.55、102.80、104.07、106.32、108.56、112.63μm的每块覆铜板，对应的实测蚀刻时间分别为56.40、55.29、54.23、53.21、52.22、51.27、50.36、49.47、48.62、47.80、47.00s。特殊地，为了减少小数计算，本实施中的蚀刻时间单位为s。

覆铜板的蚀刻线体的长度与预设蚀刻线速的比值为覆铜板的基准蚀刻时间，覆铜板的基准蚀刻时间为51.27s。

覆铜板的实测蚀刻时间与基准蚀刻时间作差得到覆铜板的蚀刻时间变化量，本实施例中，覆铜板的实测线宽分别为98.29、98.98、99.83、100.42、101.42、101.55、102.80、104.07、106.32、108.56、112.63μm的每块覆铜板，对应的蚀刻时间变化量分别为5.13、4.02、2.96、1.94、0.95、0、-0.91、-1.8、-2.65、-3.47、-4.27s。

在其他实施例中，还可以加通过其他方式得到覆铜板的蚀刻时间变化量。

S43：根据覆铜板的实测线宽与目标线宽得到覆铜板的线宽变化量。

覆铜板的实测线宽与目标线宽作差得到覆铜板的线宽变化量。

本实施例中，覆铜板的目标线宽W₁为110μm，覆铜板的实测线宽W₀分别为98.29、98.98、99.83、100.42、101.55、102.80、104.07、106.32、108.56、112.63μm的每块覆铜板。根据线宽变化量ΔW的计算公式：

ΔW＝W₀-W₁

得到覆铜板的实测线宽分别为98.29、98.98、99.83、100.42、101.55、102.80、104.07、106.32、108.56、112.63μm的每块覆铜板，对应的线宽变化量分别为-11.71、-11.02、-10.17、-9.58、-8.58、-8.45、-7.2、-5.93、-3.68、-1.44、2.63μm。

在其他实施例中，还可以加通过其他方式得到覆铜板的线宽变化量。

S44：根据覆铜板的蚀刻时间变化量及其对应的覆铜板的线宽变化量，拟合得到覆铜板的线宽变化率函数。

为了得到覆铜板的线宽变化量与蚀刻时间变化量的函数，将覆铜板的线宽变化量与对应的蚀刻时间变化量进行函数拟合，得到覆铜板的线宽变化量与蚀刻时间变化量的函数。

具体地，本实施例中，覆铜板的实测线宽变化量关于蚀刻时间变化量的函数，具体方程为：

W＝0.086T²-1.392T

其中，W为实测线宽变化量，T为蚀刻时间变化量。

进一步地，为了获取覆铜板的线宽变化率，对覆铜板的实测线宽变化量关于蚀刻时间变化量的函数进行求导，得到覆铜板的线宽变化率关于蚀刻时间的函数关系。其中，覆铜板的线宽变化率关于蚀刻时间的函数的具体方程为：

其中，K为覆铜板的线宽变化率，W为覆铜板的线宽，T为覆铜板的蚀刻时间。

S45：利用线宽变化率函数得到覆铜板的蚀刻线体的长度、蚀刻时间、预设蚀刻线速、抗蚀层宽度、实测线宽、目标线宽与目标蚀刻线速的对应关系，以得到线宽计算模型。

覆铜板的线宽变化率与覆铜板的膜线差存在函数关系，其中，覆铜板的膜线差为覆铜板的抗蚀层宽度与覆铜板实测线宽的差值。具体地，求得膜线差c的公式为：

c＝a-W

其中，a为抗蚀层宽度，W为线宽。

本实施例中，为了得到每块覆铜板的膜线差，对每块覆铜板的抗蚀层宽度与每块覆铜板的实测线宽进行作差运算，覆铜板的抗蚀层宽度a为110μm，得到实测线宽分别为98.29、98.98、99.83、100.42、101.42、101.55、102.80、104.07、106.32、108.56、112.63μm的每块覆铜板，对应的膜线差分别为16.73、16.02、15.18、14.58、13.59、13.27、12.21、10.88、8.69、6.44、2.37μm。

根据覆铜板的膜线差对应的实测线宽得到覆铜板的蚀刻时间，然后联立覆铜板的线宽变化率关于蚀刻时间的函数，得到覆铜板的线宽变化率关于膜线差的函数。

本实施例中，覆铜板的线宽变化率关于膜线差的函数方程为：

K＝0.1127c-2.6492

其中，K为覆铜板的线宽变化率，c为覆铜板的膜线差。

通过上述关系，得到覆铜板的蚀刻线体的长度、蚀刻时间、预设蚀刻线速、抗蚀层宽度、实测线宽、目标线宽与目标蚀刻线速的对应关系，具体地，求得目标蚀刻线速的函数关系如下：

当ΔW大于0时，蚀刻线速

当ΔW小于0时，蚀刻线速

其中，蚀刻线体的长度为X、覆铜板的预设蚀刻时间为T₀、覆铜板的线宽变化量为ΔW、线宽变化率为K。

进一步地，在实施生产过程中，为了简化计算，一般根据覆铜板的线宽变化率关于膜线差的函数方程，结合抗蚀层宽度a、实测线宽W₀、目标线宽W₁，获取对应的K₀和K₁，然后根据K₀和K₁获取目标线宽变化率K平，其中

本实施例中，将覆铜板的线宽变化率关于膜线差的函数方程代入，得到线宽变化率K平，其中，

即本实施例中，求得目标蚀刻线速的函数关系为：

当ΔW大于0时，蚀刻线速

当ΔW小于0时，蚀刻线速

通过上述线宽计算模型，在获取电路板蚀刻设备的蚀刻线体的长度、电路板样品的蚀刻时间、电路板样品的实测线宽与目标线宽的线宽变化量及电路板样品的目标线宽变化率后，利用上述公式便能直接获取电路板的目标蚀刻线速。

在其他实施例中，当第二电路板为其他材料或者其他型号时，覆铜板的线宽变化率关于膜线差的函数方程的系数将发生一定的变化。但是毫无疑问的是，本实施例中获取第二电路板的实测线宽变化量关于蚀刻时间变化量的函数关系的方法同样适用于其他电路板获取其他电路板线宽变化量关于蚀刻时间变化量的函数关系。

以上所述仅为本申请的实施例，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (11)

1.一种电路板的加工方法，其特征在于，所述电路板的加工方法包括：

准备第一电路板；

获取加工所述第一电路板的蚀刻线体的长度、预设蚀刻线速、抗蚀层宽度；

基于所述蚀刻线体的长度、预设蚀刻线速、抗蚀层宽度对所述第一电路板进行加工，得到实测线宽；

根据所述蚀刻线体的长度、所述预设蚀刻线速、所述抗蚀层宽度、所述实测线宽以及目标线宽，确定电路板的目标蚀刻线速；

基于所述目标蚀刻线速进行电路板加工。

2.根据权利要求1所述的电路板的加工方法，其特征在于，所述根据所述蚀刻线体的长度、所述预设蚀刻线速、所述抗蚀层宽度，所述实测线宽以及所述目标线宽，确定电路板的目标蚀刻线速的步骤，包括：

根据所述实测线宽与所述目标线宽，获取线宽变化量；

根据所述蚀刻线体的长度、所述预设蚀刻线速、所述抗蚀层宽度、所述线宽变化量，确定所述电路板的所述目标蚀刻线速。

3.根据权利要求2所述的电路板的加工方法，其特征在于，所述根据所述蚀刻线体的长度、所述预设蚀刻线速、所述抗蚀层宽度、所述线宽变化量，确定所述电路板的所述目标蚀刻线速的步骤，包括：

根据所述蚀刻线体的长度、所述预设蚀刻线速，得到预设蚀刻时间；

根据所述预设蚀刻时间、所述抗蚀层宽度、所述蚀刻线体的长度、所述线宽变化量，确定所述电路板的所述目标蚀刻线速。

4.根据权利要求3所述的电路板的加工方法，其特征在于，所述根据所述预设蚀刻时间、所述抗蚀层宽度、所述蚀刻线体的长度、所述线宽变化量，确定所述电路板的所述目标蚀刻线速的步骤，包括：

根据所述蚀刻线体的长度、所述抗蚀层宽度、所述实测线宽、所述目标线宽确定目标线宽变化率；

根据所述目标线宽变化率、所述预设蚀刻时间、所述蚀刻线体的长度、所述线宽变化量，确定所述电路板的所述目标蚀刻线速。

5.根据权利要求4所述的电路板的加工方法，其特征在于，所述根据所述目标线宽变化率、所述预设蚀刻时间、所述蚀刻线体的长度、所述线宽变化量，确定所述电路板的所述目标蚀刻线速的步骤，包括：

获取所述线宽变化率与蚀刻时间的对应关系；

根据所述抗蚀层宽度、所述实测线宽、所述目标线宽，获取实测膜线差和目标膜线差，其中，膜线差为抗蚀层宽度与线宽的差值；

根据所述实测膜线差、所述目标膜线差、所述线宽变化率与蚀刻时间的所述对应关系，确定所述线宽变化率与所述膜线差的关系；

根据所述线宽变化率与所述膜线差的所述关系确定所述平均线宽变化率；

根据所述平均线宽变化率、所述预设蚀刻时间、所述蚀刻线体的长度、所述线宽变化量，确定所述电路板的所述目标蚀刻线速。

6.根据权利要求5所述的电路板的加工方法，其特征在于，所述获取所述线宽变化率与蚀刻时间的对应关系的步骤，包括：

对多个第二电路板进行加工，得到蚀刻时间变化量及其对应的线宽变化量；

对所述蚀刻时间变化量及其对应的所述线宽变化量进行函数拟合，得到所述线宽变化量与所述蚀刻时间变化量的函数；

根据所述线宽变化量与所述蚀刻时间变化量的所述函数，获取所述线宽变化率与所述蚀刻时间的所述对应关系。

7.根据权利要求5所述的电路板的加工方法，其特征在于，所述根据所述实测膜线差、所述目标膜线差、所述线宽变化率与蚀刻时间的所述对应关系，确定所述线宽变化率与所述膜线差的关系的步骤，包括：

根据所述蚀刻线体的长度、所述抗蚀层宽度、所述多个第二电路板的实测线宽机器对应的所述蚀刻时间，确定所述线宽变化率与所述膜线差的关系。

8.根据权利要求5所述的电路板的加工方法，其特征在于，所述根据所述线宽变化率与所述膜线差的所述关系确定所述平均线宽变化率的步骤，包括：

根据所述抗蚀层宽度、所述实测线宽、所述目标线宽，获取实测膜线差和目标膜线差，

根据所述实测膜线差、所述目标膜线差、所述线宽变化率与所述膜线差的所述关系，获取所述平均线宽变化率。

9.根据权利要求1所述的电路板的加工方法，其特征在于，所述基于所述蚀刻线体的长度、预设蚀刻线速、抗蚀层宽度对所述第一电路板进行加工，得到实测线宽的步骤，包括：

从所述第一电路板中采集多个初始实测线宽；

对所述多个初始实测线宽进行平均处理，得到平均线宽，并将所述平均线宽确定为所述第一电路板的实测线宽。

10.根据权利要求1～9任一项所述的电路板的加工方法，其特征在于，所述基于目标蚀刻线速进行电路板加工，包括：

利用线宽计算模型得到所述电路板的所述目标蚀刻线速。

11.根据权利要求10所述的电路板的加工方法，其特征在于，所述利用线宽计算模型得到所述电路板的所述目标蚀刻线速之前，包括：

获取到加工多个样本电路板的所述蚀刻线体的长度、所述预设蚀刻线速、所述蚀刻线速、所述抗蚀层宽度、所述实测线宽以及所述目标线宽；

根据各所述蚀刻线体的长度、所述预设蚀刻线速、所述蚀刻线速，获取各所述样本电路板的蚀刻时间变化量；

根据各所述实测线宽与所述目标线宽得到各所述样本电路板的线宽变化量；

根据各所述样本电路板的蚀刻时间变化量及其对应的各所述样本电路板的线宽变化量，拟合得到加工所述多个样本电路板的线宽变化率函数；

利用所述线宽变化率函数得到所述加工所述多个样本电路板的蚀刻线体的长度、所述蚀刻时间、所述预设蚀刻线速、所述抗蚀层宽度、所述实测线宽、目标线宽与目标蚀刻线速的对应关系，以得到所述线宽计算模型。

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