TW201717076A - 資料修正裝置、描繪裝置、配線圖案形成系統、檢查裝置、資料修正方法及配線基板之製造方法 - Google Patents

資料修正裝置、描繪裝置、配線圖案形成系統、檢查裝置、資料修正方法及配線基板之製造方法 Download PDF

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Abstract

將於基板(9)之膜(8)上彼此鄰接而形成之光罩要素對(710)間之寬度作為光罩間隙寬度(G)，對於複數個光罩間隙寬度之各者，準備表示使用光罩要素對且藉由蝕刻而要形成於膜之圖案要素對(810)之上表面間之上表面間隙寬度(GT)、與下表面間之下表面間隙寬度(GB)之關係之參照資訊。於使用設定有複數個光罩間隙寬度之複數個光罩要素對而經進行蝕刻之處理完成基板中，取得各圖案要素對之上表面間隙寬度之測定值。藉由使用該測定值且參照參照資訊，取得複數個光罩間隙寬度之下表面間隙寬度之值，基於該值而修正膜之圖案之設計資料。藉此，可容易地實現以膜之圖案之下表面為基準之設計資料之修正。

Description

資料修正裝置、描繪裝置、配線圖案形成系統、檢查裝置、資料修正方法及配線基板之製造方法
本發明係關於一種資料修正裝置、描繪裝置、配線圖案形成系統、檢查裝置、資料修正方法及配線基板之製造方法。
過去以來，於印刷基板(以下簡稱為「基板」)之製造步驟中，對基板實施各種處理。例如，藉由於形成有銅等之導體膜之基板之表面上形成光阻之圖案，實施蝕刻，而於基板上形成該導體膜之圖案(配線圖案)。於蝕刻中，因圖案要素配置之疏密等，而有形成於基板上之圖案形狀與設計資料不同之情形。因此，於日本專利特開2001-230323號公報及日本專利特開2005-202949號公報中，揭示有藉由數值模擬，算出配線之最終寬度，進行設計資料之修正之手法。
然而，於形成於基板上之導體膜之圖案要素中，已知其剖面形狀為梯形。由於可容易地取得圖案要素之上表面之圖像，故亦可使用該圖像而容易地測定該上表面之形狀。另一方面，自圖案要素之山腳部獲得之光(照明光之反射光)之量不充分，故圖案要素之下表面之形狀之測定並非容易。因此，難以進行將導體膜之圖案之下表面設為基 準之設計資料之修正、或將導體膜之圖案之下表面設為基準之檢查。
本發明係關於修正藉由蝕刻液蝕刻已於基板之表面形成之導體膜而形成之圖案之設計資料之資料修正裝置。
本發明之資料修正裝置包含：設計資料記憶部，其記憶要於形成有導體膜之基板上藉由特定條件之蝕刻形成之上述導體膜之圖案之設計資料；參照資訊記憶部，其將於基板之導體膜上彼此鄰接而形成之光罩要素對之間之空隙之寬度作為光罩間隙寬度，對於複數個光罩間隙寬度之各者記憶參照資訊，該參照資訊係表示使用上述光罩要素對藉由蝕刻而於上述導體膜形成之圖案要素對之上表面間之間隙寬度即上表面間隙寬度、與上述圖案要素對之下表面間之間隙寬度即下表面間隙寬度之關係；下表面間隙寬度取得部，其於使用分別設定有上述複數個光罩間隙寬度之複數個光罩要素對而進行上述特定條件之蝕刻之處理完成基板中，取得與上述複數個光罩要素對對應之複數個圖案要素對之各者之上表面光罩寬度之測定值，使用上述測定值且參照上述參照資訊，而對於上述處理完成基板，取得上述複數個光罩間隙寬度之複數個下表面間隙寬度之值；及資料修正部，其基於上述複數個光罩間隙寬度之上述複數個下表面間隙寬度之值，修正上述設計資料；且就上述複數個光罩間隙寬度之各者，以多項式定時將自上述導體膜被蝕刻至上述基板之表面之狀態起將上述導體膜沿著上述表面蝕刻時之圖案要素對之形狀變化予以公式化，且以使用經進行特定時間之蝕刻之測試基板的圖案要素對之形狀的測定值之擬合而決定上述多項式之係數，藉此取得上述參照資訊。
於上述資料修正裝置中，可容易地進行將導體膜之圖案之下表面設為基準之設計資料之修正。
於本發明之一個較佳形態中，於上述處理完成基板上之複數個對象位置之各者，形成有與上述複數個光罩間隙寬度對應之複數個圖案要素對，且上述下表面間隙寬度取得部係就各光罩間隙寬度，藉由參照相同之參照資訊，而取得上述複數個對象位置之複數個下表面間隙寬度之值，上述資料修正部基於上述複數個對象位置之上述複數個下表面間隙寬度之值，修正上述設計資料。
本發明亦有關於基板上描繪圖案之描繪裝置。本發明之描繪裝置包含：上述之資料修正裝置；光源；光調變部，其基於經上述資料修正裝置修正之設計資料而調變來自上述光源之光；及掃描機構，其於基板上掃描經上述光調變部調變之光。
本發明亦有關於配線圖案形成系統。本發明之配線圖案形成系統包含：上述之資料修正裝置；及配線圖案形成機構，其基於經上述資料修正裝置修正之設計資料，於基板上形成配線圖案。
本發明亦有關於檢查藉由蝕刻液蝕刻已於基板之表面形成之導體膜而形成之圖案之檢查裝置。本發明之檢查裝置包含：設計資料記憶部，其記憶要於形成有導體膜之基板上藉由蝕刻形成之上述導體膜之圖案之設計資料；參照資訊記憶部，其將於基板之導體膜上彼此鄰接而形成之光罩要素對之間之空隙之寬度設為光罩間隙寬度，對複數個光罩間隙寬度之各者記憶參照資訊，該參照資訊係表示使用上述光罩要素對藉由蝕刻於上述導體膜形成之圖案要素對之上表面間之間隙寬度即上表面間隙寬度、與上述圖案要素對之下表面間之間隙寬度即下表面間隙寬度之關係；實際圖像記憶部，其記憶有藉由使用基於上述設計資料而形成之光罩圖案之蝕刻，於對象基板上形成之圖案之上表面之圖像資料即檢查圖像資料；上表面間隙寬度取得部，其於上述對象基板中，使用分別設定有上述複數個光罩間隙寬度之複數個光罩要素對而形成複數個圖案要素對，基於上述檢查圖像資料，取得上述 複數個圖案要素對之各者之上表面間隙寬度之測定值；資料修正部，其對於上述對象基板上之圖案之各圖案要素，使用對於上述光罩間隙寬度之上述測定值，參照自上述設計資料特定之光罩間隙寬度之上述參照資訊，而自上述檢查圖像資料所示之圖案取得上述對象基板上之上述圖案之下表面之形狀；及缺陷檢測部，其基於藉由上述資料修正部取得之上述圖案之下表面之形狀，檢測上述對象基板上之上述圖案之缺陷；且就上述複數個光罩間隙寬度之各者，以多項式定時將自上述導體膜被蝕刻至上述基板之表面之狀態後，上述導體膜沿著上述表面蝕刻時之圖案要素對之形狀之變化予以公式化，且以使用經進行特定時間之蝕刻之測試基板之圖案要素對之形狀之測定值之擬合而決定上述多項式之係數，藉此取得上述參照資訊。
於上述檢查裝置中，可容易地進行將導體膜之圖案之下表面設為基準之檢查。
本發明亦有關於修正藉由蝕刻液蝕刻於基板之表面形成之導體膜而形成之圖案之設計資料之資料修正方法、及配線基板之製造方法。
上述之目的及其他之目的、特徵、態樣及優點將參照附圖而藉由於以下進行之本發明之詳細說明而明確。
1‧‧‧描繪裝置
2‧‧‧資料處理裝置
3‧‧‧曝光裝置
4‧‧‧檢查裝置
8‧‧‧導體膜
9‧‧‧基板
10‧‧‧配線圖案形成系統
11‧‧‧描繪資料製作機構
12‧‧‧描繪機構
13‧‧‧顯像機構
14‧‧‧配線圖案形成機構
15‧‧‧檢查機構
16‧‧‧修正機構
19‧‧‧設計資料製作機構
21‧‧‧資料修正裝置
22‧‧‧資料轉換部
31‧‧‧描繪控制器
32‧‧‧載台
33‧‧‧光出射部
35‧‧‧掃描機構
41‧‧‧設計資料記憶部
42‧‧‧參照資訊記憶部
43‧‧‧實際圖像記憶部
44‧‧‧上表面間隙寬度取得部
45‧‧‧資料修正部
46‧‧‧缺陷檢測部
71‧‧‧光罩圖案
201‧‧‧CPU
202‧‧‧ROM
203‧‧‧RAM
204‧‧‧固定磁碟
205‧‧‧顯示器
207‧‧‧讀取/寫入裝置
208‧‧‧通訊部
211‧‧‧設計資料記憶部
212‧‧‧參照資訊產生部
213‧‧‧參照資訊記憶部
214‧‧‧下表面蝕刻量取得部
216‧‧‧資料修正部
331‧‧‧光源
332‧‧‧光調變部
710‧‧‧光罩要素對
711‧‧‧光罩要素
810‧‧‧圖案要素對
811‧‧‧圖案要素
4a‧‧‧檢查裝置
206a‧‧‧鍵盤
206b‧‧‧滑鼠
D1‧‧‧距離
D2‧‧‧距離
E1‧‧‧符號
E2‧‧‧符號
E3‧‧‧符號
EB‧‧‧下表面蝕刻量
ET‧‧‧上表面蝕刻量
G‧‧‧光罩間隙寬度
GB‧‧‧下表面間隙寬度
GT‧‧‧上表面間隙寬度
L1‧‧‧線
L2‧‧‧線
P‧‧‧對象位置
R1‧‧‧記錄媒體
R2‧‧‧程式
S1~S7‧‧‧步驟
S11~S17‧‧‧步驟
S21~S26‧‧‧步驟
T1‧‧‧處理時間
圖1係顯示第1實施形態之配線圖案形成系統之構成之方塊圖。
圖2係顯示製造配線基板之處理流程之圖。
圖3係顯示描繪裝置之構成之圖。
圖4係顯示資料處理裝置之構成之圖。
圖5係顯示資料處理裝置之功能之方塊圖。
圖6A係用以說明對於基板之蝕刻之圖。
圖6B係用以說明對於基板之蝕刻之圖。
圖6C係用以說明對於基板之蝕刻之圖。
圖7係顯示描繪裝置描繪之流程之圖。
圖8係放大顯示處理完成基板之一部分之俯視圖。
圖9係顯示處理完成基板上之圖案要素對之剖視圖。
圖10係顯示參照資訊之圖。
圖11係顯示處理完成基板上之複數個對象位置之圖。
圖12係顯示第2實施形態之檢查裝置之功能之方塊圖。
圖13係顯示檢查裝置之檢查流程之圖。
圖1係顯示第1實施形態之配線圖案形成系統10之構成之方塊圖。配線圖案形成系統10係於基板形成配線圖案而製造配線基板者。配線圖案形成系統10包含：描繪資料製作機構11、描繪機構12、顯像機構13、配線圖案形成機構14、檢查機構15、及修正機構16。於圖1中，亦圖示有設置於配線圖案形成系統10之外部之設計資料製作機構19。
圖2係顯示配線圖案形成系統10製造配線基板之處理流程之圖。於配線基板之製造中，藉由設計資料製作機構19製作顯示期望之配線圖案之設計資料(CAD資料)(步驟S1)，且輸出至描繪資料製作機構11。描繪資料製作機構11係藉由例如電腦實現，且將矢量資料即設計資料轉換為光柵域資料(raster data)即描繪資料。即，製作描繪資料(步驟S2)。
描繪機構12係不利用光罩而直接形成曝光圖案之直接曝光裝置(描繪裝置)，保持成為配線基板之預定之基板。於基板之絕緣層表面，形成配線形成用之導體膜，於該導體膜上形成光阻膜。於描繪機構12中，基於描繪資料，對感光性之光阻膜照射紫外線等，藉此對該光阻膜描繪(曝光)圖案(步驟S3)。
若圖案之描繪完成，則基板朝顯像裝置即顯像機構13搬送。於顯像機構13中，進行對曝光後之光阻膜噴射顯像液之顯像步驟(步驟S4)。藉由顯像步驟，去除光阻膜之不要區域，形成光阻膜之圖案(顯像圖案)。於蝕刻裝置即配線圖案形成機構14中，對顯像步驟後之基板實施蝕刻。藉此，去除未由光阻之圖案覆蓋，即，自光阻之圖案露出之導體膜之部分(切削)。其後，藉由進行光阻剝離，去除光阻之圖案。如此，可於基板上形成導體膜之圖案即配線圖案(步驟S5)。
將形成有配線圖案之基板即配線基板搬送至檢查裝置即檢查機構15，且檢查配線圖案(步驟S6)。實際而言，設計資料所示之圖案除了配線圖案以外，含有特定之測試圖案，將於基板上形成之測試圖案之檢查結果輸出至修正機構16。修正機構16係藉由例如電腦實現，基於基板上之測試圖案之檢查結果、與設計資料顯示之測試圖案之差異等，修正設計資料(步驟S7)。此時，於設計資料中修正配線圖案之形狀，未修正測試圖案之形狀。修正之設計資料係作為顯示於下一基板應描繪之圖案者，而輸出至描繪資料製作機構11。
於描繪資料製作機構11中，自經修正之設計資料製作描繪資料(步驟S2)，以與上述相同之條件，進行描繪步驟、顯像步驟及配線圖案形成步驟(步驟S3~S5)。即，基於經修正之設計資料，於基板上形成配線圖案。藉此，製造具有與藉由設計資料製造機構19製造之設計資料，即，原來之設計資料(未修正之設計資料)所示之配線圖案近似之配線圖案之配線基板。於配線圖案形成系統10中，每次製造配線基板，進行基於檢查步驟及檢查結果之設計資料之修正(對原來之設計資料之修正)(步驟S6、S7)，經修正之設計資料被利用於對下一基板之配線圖案之形成(步驟S2~S5)。另，亦可為設計資料之修正係以每特定數量之配線基板之製造、及每預先決定之期間等，以任意決定之間隔進行。
圖3係顯示包含上述描繪資料製作機構11、描繪機構12及修正機構16之一例之描繪裝置1之構成之圖。描繪裝置1係藉由將光照射至設置於基板9表面之感光材料即光阻膜，而於光阻膜上直接描繪圖案之圖像之直接描繪装置。於藉由描繪裝置1描繪圖案之基板9上，於各種裝置中實施顯像、蝕刻(參照圖1)。藉此，於基板9上形成圖案。對基板9之蝕刻係例如對基板9賦予蝕刻液而進行之濕式蝕刻。
描繪裝置1包含資料處理裝置2與曝光裝置3。資料處理裝置2修正描繪於基板9上之圖案之設計資料，產生描繪資料。曝光裝置3基於自資料處理裝置2發送之描繪資料而進行對基板9之描繪(即、曝光)。資料處理裝置2與曝光裝置3若於兩裝置間之資料可授受，則亦可物理上分離，當然亦可設置為一體。
圖4係顯示資料處理裝置2之構成之圖。資料處理裝置2成為包含進行各種運算處理之CPU201、記憶基本程式之ROM202、及記憶各種資訊之RAM203之一般電腦系統之構成。資料處理裝置2進而包含：固定磁碟204，其進行資訊記憶；顯示器205，其進行圖像等之各種資訊之顯示；鍵盤206a及滑鼠206b，其接收來自操作者之輸入；讀取/寫入裝置207，其自光碟、磁碟、磁光碟等之可電腦讀取之記錄媒體R1進行資訊之讀取及寫入；及通訊部208，其與描繪裝置1之其他構成等之間收發信號。
於資料處理裝置2中，事先經由讀取/寫入裝置207自記錄媒體R1讀取程式R2而記憶於固定磁碟204。CPU201按照程式R2一面利用RAM203或固定磁碟204，一面執行運算處理(即藉由電腦藉由執行程式)，藉此實現後述之功能。
圖5係顯示資料處理裝置2之功能之方塊圖。於圖5中，一併顯示連接於資料處理裝置2之曝光裝置3之構成之一部分(描繪控制器31)、及外部之檢查裝置4。資料處理裝置2具備資料修正裝置21與資料轉換 部22。資料修正裝置21係修正於基板9上藉由蝕刻形成之圖案之設計資料。資料修正裝置21具備設計資料記憶部211、參照資訊產生部212、參照資訊記憶部213、下表面蝕刻量取得部214、及資料修正部216。於資料轉換部22，輸入藉由資料修正裝置21修正之設計資料(以下稱為「修正完成資料」)。修正完成資料通常為多邊形等之矢量資料。資料轉換部22係將矢量資料即修正完成資料轉換為光柵資料即描繪資料。資料處理裝置2之功能可藉由專用之電性電路實現，亦可部分使用專用之電性電路。
如圖3所示，曝光裝置3具備描繪控制器31、載台32、光出射部33、及掃描機構35。描繪控制器31控制光出射部33及掃描機構35。載台32將基板9保持於光出射部33之下方。光出射部33具備光源331與光調變部332。光源331朝光調變部332出射雷射光。光調變部332調變來自光源331之光。將經光調變部332調變之光照射至載台32上之基板9。作為光調變部332，使用例如將複數個光調變元件二維排列之DMD(Digital Mirror Device：數位鏡面裝置)。光調變部332亦可為將複數個光調變元件一維排列之調變器等。
掃描機構35將載台32朝水平方向移動。具體而言，藉由掃描機構35，將載台32朝主掃描方向、及與主掃描方向垂直之副掃描方向移動。藉此，將經光調變部332調變之光於基板9上於主掃描方向及副掃描方向掃描。於曝光裝置3中，亦可設置水平地旋轉載台32之旋轉機構。又，亦可設置將光出射部33朝上下方向移動之升降機構。掃描機構35只要可將來自光出射部33之光於基板9上掃描即可，未必需要移動載台32之機構。例如，亦可藉由掃描機構35，將光出射部33於載台32之上方朝主掃描方向及副掃描方向移動。
此處，就對基板9之蝕刻進行說明。圖6A至圖6C係用以說明對基板9蝕刻之圖，且為基板9之剖視圖。如圖6A所示，於進行對基板9之 蝕刻時，事先於基板9之主面形成由金屬(例如銅)等之導電性材料形成之導體膜8，於導體膜8上形成光阻材料之光罩圖案71。基板9之主面係例如設置於基板9之絕緣層(亦可為基板9自身)之表面。導體膜8及光罩圖案71之厚度係預先決定。光罩圖案71係複數個光罩要素711之集合。
接著，對基板9進行利用蝕刻液之濕式蝕刻。此時，基板9(之絕緣層)及光罩圖案71不會被蝕刻液蝕刻。因此，如圖6B所示，藉由蝕刻去除未被光罩要素711覆蓋之導體膜8之上表面之區域。
藉由蝕刻液去除導體膜8係自未被光罩要素711覆蓋之導體膜8之上表面之區域起，大致等向性進行，如圖6C所示，亦及於光罩要素711與基板9之間之區域。其結果，於使用各光罩要素711而於導體膜8形成之圖案要素811中，與該光罩要素711接觸之上表面之寬度成為較與基板9接觸之下表面之寬度更窄。即，圖案要素811之剖面形狀成為梯形。於圖6C中，僅顯示剖面形狀成為梯形之各圖案要素811之單側之側壁附近。與包含於光罩圖案71之複數個光罩要素711對應之複數個圖案要素811彼此分離，複數個圖案要素811之集合成為導體膜8之圖案。
接著，一面參照圖7，一面就描繪裝置1之描繪流程進行說明。首先，於資料修正裝置21中，將於後述之處理中所利用之參照資訊記憶於參照資訊記憶部213，藉此予以準備(步驟S11)。關於參照資訊之細節將於後述。又，於基板9上將藉由蝕刻形成之預定圖案之設計資料輸入至資料修正裝置21，且記憶於設計資料記憶部211，藉此予以準備(步驟S12)。
接著，準備藉由曝光裝置3將設計資料所顯示之圖案描繪於光阻膜，進而進行顯像、蝕刻、光阻剝離等處理之基板9(以下稱為「處理完成基板9」)。處理完成基板9係與進行後述之步驟S17之描繪之基板 9為相同之形狀及大小。設計資料所顯示之圖案除了應形成基板9上之配線圖案以外，亦包含測試圖案。
圖8係放大顯示處理完成基板9之一部分之俯視圖，顯示測試圖案之區域。顯示測試圖案之複數個圖案要素811之各者係朝一方向延伸之大致直線狀。將圖8所示之複數個圖案要素811中彼此鄰接之2個圖案要素811作為圖案要素對810，於處理完成基板9中，形成複數個圖案要素對810。
圖9係顯示處理完成基板9上之一個圖案要素對810之圖，顯示與圖案要素811之長度方向垂直之剖面。又，於圖9中，以二點鏈線顯示於圖案要素對810之2個圖案要素811之形成所用之2個光罩要素711。於以下之說明中，將與各圖案要素對810對應之2個光罩要素711稱為「光罩要素對710」。
處理完成基板9之複數個圖案要素對810係分別使用複數個光罩要素對710而藉由蝕刻形成。具體而言，首先，藉由曝光裝置3對光阻膜之描繪、及光阻膜之顯像，形成複數個光罩要素對710。包含於各光罩要素對710之2個光罩要素711於導體膜8上彼此鄰接。若將光罩要素對710之2個光罩要素711間之間隙之寬度G設為光罩間隙寬度G，則於複數個光罩要素對710，分別設定彼此不同之複數個光罩間隙寬度G。然後，藉由將蝕刻液之種類、濃度、溫度、或處理時間等設為特定之設定條件之蝕刻，使用複數個光罩要素對710，形成導體膜8之複數個圖案要素對810。於處理完成基板9中，藉由光阻剝離去除複數個光罩要素711。
如上所述，於使用各光罩要素711於導體膜8形成之圖案要素811中，與該光罩要素711接觸之上表面之寬度成為較與基板9接觸之下表面之寬度更窄。於以下之說明中，於包含於光罩要素對710之各光罩要素711中，將自規定光罩間隙寬度G之邊緣，至與該光罩要素711對 應之圖案要素811之上表面之邊緣為止之距離(與圖案要素811之長度方向垂直且沿著基板9主面之方向之距離)稱為「上表面蝕刻量ET」，將至圖案要素811之下表面之邊緣為止之距離稱為「下表面蝕刻量EB」。上表面蝕刻量ET與下表面蝕刻量EB係依存於光罩間隙寬度G而變化。
於設置於描繪裝置1外部之檢查裝置4中，取得處理完成基板9之複數個圖案要素對810之上表面之圖像，基於該圖像，測定各圖案要素對810之上表面間之間隙寬度即上表面間隙寬度GT。另，亦可將檢查裝置4設置於描繪裝置1。將各圖案要素對810之上表面間隙寬度GT之測定值輸入至下表面蝕刻量取得部214。
於下表面蝕刻量取得部214中，自處理完成基板9之圖案描繪所用之設計資料，特定出於各圖案要素對810之形成所用之光罩要素對710之光罩間隙寬度G。然後，取得自上表面間隙寬度GT之測定值減去該光罩間隙寬度G而獲得之值之一半，作為上表面蝕刻量ET之測定值(步驟S13)。於本實施形態中，將光罩圖案71之各光罩要素711之位置、形狀、大小設為與設計資料顯示之圖案嚴格一致者。
此處，對於步驟S11準備之上述參照資訊進行說明。圖10係顯示參照資訊之一例之圖。於圖10中，以線L1顯示蝕刻之上表面蝕刻量ET之經時變化，以線L2顯示下表面蝕刻量EB之經時變化。參照資訊係實質地顯示使用光罩要素對710進行蝕刻而於導體膜8形成之圖案要素對810之上表面蝕刻量ET、及下表面蝕刻量EB之關係。上表面蝕刻量ET自蝕刻開始時刻起隨著處理時間之經過而逐漸增大。於自蝕刻開始時刻起經過特定時間後之時刻，蝕刻液到達至基板9之表面(參照圖6B中以二點鏈線顯示之導體膜8之形狀E2)，下表面蝕刻量EB自該時刻起隨著處理時間之經過而逐漸增大。另，就圖9之左右方向，當圖案要素811之下表面之邊緣位於光罩要素對710之間之情形時，下表 面蝕刻量EB成為負值，當該邊緣位於光罩要素711之下方之情形時，下表面蝕刻量EB成為正值。參照資訊係對於複數個光罩間隙寬度G之各者而產生。有關產生參照資訊之處理將於後述。
於下表面蝕刻量取得部214中，例如於一個光罩間隙寬度G之上表面蝕刻量ET之測定值為D1之情形時，特定出於圖10中表示上表面蝕刻量ET之變化之線L1成為距離D1之處理時間T1。且，取得於表示下表面蝕刻量EB之變化之線L2中之處理時間T1之距離D2作為下表面蝕刻量EB之值。如此，藉由使用各光罩間隙寬度G之上表面蝕刻量ET之測定值且參照一參照資訊，對於處理完成基板9，取得複數個光罩間隙寬度G之複數個下表面蝕刻量EB之值(步驟S14)。光罩間隙寬度G與下表面蝕刻量EB之關係，典型為下表面蝕刻量EB隨著光罩間隙寬度G變小而逐漸變小，且變化率逐漸增大。
於資料修正部216中，基於複數個光罩間隙寬度G之複數個下表面蝕刻量EB之值，修正記憶於設計資料記憶部211之設計資料，產生修正完成資料(步驟S15)。於設計資料之修正中，考量到進行對於基板9上之導體膜8按照下表面蝕刻量EB之過量(即超過期望量)蝕刻。即，參照複數個光罩間隙寬度G之複數個下表面蝕刻量EB之值，以將蝕刻後之基板9上之圖案之各圖案要素811之下表面以期望之線寬或大小而形成之方式，進行將設計資料之配線圖案所含之圖案要素之線寬或大小加以變更之修正。實際而言，與上述複數個光罩間隙寬度G不同之間隙寬度(光罩要素711之間隙寬度)之下表面蝕刻量EB之值係藉由各種插入運算求出，且將表示間隙寬度與下表面蝕刻量EB之關係之蝕刻曲線用於設計資料之修正。另，不變更(修正)於設計資料之測試圖案所含之圖案要素之形狀。
將修正完成資料自資料修正部216向資料轉換部22發送。於資料轉換部22中，將矢量資料即修正完成資料轉換為光柵資料即描繪資料 (步驟S16)。將該描繪資料自資料轉換部22發送至曝光裝置3之描繪控制器31。於曝光裝置3中，基於描繪資料，藉由描繪控制器31控制光出射部33之光調變部332及掃描機構35，藉此進行對基板9之描繪(步驟S17)。對經進行描繪之基板9進行顯像、蝕刻等之處理，藉此於基板9上形成表示配線圖案(及測試圖案)之複數個圖案要素811。
於本實施形態中，圖7之步驟S13係與圖2之步驟S6之檢查步驟對應，步驟S14、S15係與步驟S7之設計資料修正步驟對應。又，步驟S16係與步驟S2之描繪資料製作步驟對應，步驟S17係與步驟S3之描繪步驟對應。因此，於圖2之步驟S2~S7之重複中，重複圖7之步驟S13~S17。此時，於步驟S17描繪圖案，將經過步驟S4、S5而形成配線圖案之基板9作為處理完成基板9，對其他之基板9進行步驟S13~S17。另，圖7之步驟S11、S12係包含於圖2之步驟S1。
接著，對參照資訊之產生進行敘述。於導體膜8之蝕刻中，於導體膜8中與蝕刻液接觸之面即蝕刻界面經過於圖6B中附有符號E1之形狀、附有符號E2之形狀，成為圖6C中之附有符號E3之形狀。此處，蝕刻開始(參照圖6A)後，至蝕刻界面到達基板9表面之時點之成為形狀E2之過程中，蝕刻係以一定速度大致等向地進行，於蝕刻界面自形狀E2成為形狀E3之過程中，假設為蝕刻界面之形狀可由關於多項式定時表現。於此種假設下，自蝕刻開始後至蝕刻界面成為形狀E2所需之時間係由根據實驗等預先要求之蝕刻速度(即每單位時間進行蝕刻之距離，亦可稱為蝕刻速率)與導體膜8厚度求出。又，將蝕刻界面自形狀E2變為形狀E3之過程之上表面蝕刻量ET之時間變化ET(t)、及下表面蝕刻量EB之時間變化EB(t)係分別由數1及數2表現。於數1及數2中，t係自蝕刻界面到達基板9之表面之時刻起之時間。
(數1)ET(t)=a0+a1*t+a2*t2+a3*t3+…
(數2)EB(t)=b0+b1*t+b2*t2+b3*t3+…
由於於蝕刻界面自形狀E2成為形狀E3之過程中，認為蝕刻無特異變化，故數1及數2中時間t之3次項以後可忽略，而將上表面蝕刻量ET之時間變化ET(t)、及下表面蝕刻量EB之時間變化EB(t)以數3及數4模型化(公式化)。
(數3)ET(t)=a0+a1*t+a2*t2
(數4)EB(t)=b0+b1*t+b2*t2
數3及數4實質上係將蝕刻之圖案要素對810之形狀之變化(自形狀E2之變化)公式化之多項式。於參照資訊產生部212中，關於複數個光罩間隙寬度G之各者，決定數3及數4之係數a0、a1、a2、b0、b1、b2。具體而言，數3及數4之係數a0、b0係t為0，即蝕刻界面到達基板9表面之時點之上表面蝕刻量ET及下表面蝕刻量EB。t=0之上表面蝕刻量ET(即係數a0)可使用上述之蝕刻速度而取得，t=0之下表面蝕刻量EB(即係數b0)為(-G/2)。又，數3及數4之係數a1、b1係t=0之上表面蝕刻量ET之變化量(ET'(0))、及t=0之下表面蝕刻量EB之變化量(EB'(0))，此處，係設為與蝕刻速度相同者。
數3及數4之係數a2、b2係使用進行蝕刻之測試基板而決定。具體而言，於測試基板之導體膜8上，形成分別設定複數個光罩間隙寬度G之複數個光罩要素對710，使用該複數之光罩要素對710，藉由蝕刻形成複數個圖案要素對810。測試基板較佳為形狀及尺寸與上述基板9相同。蝕刻之蝕刻液種類、濃度、溫度或處理時間與對上述之處理完成基板9之處理相同。測試基板之蝕刻之處理時間亦可於適當地形成與複數個光罩要素對710對應之複數個圖案要素對810之範圍內變更。
其後，於檢查裝置4中測定測試基板上之複數個圖案要素對810之上表面間隙寬度GT(參照圖9)。又，亦測定各圖案要素對810之下表面間之間隙寬度即下表面間隙寬度GB。複數個圖案要素對810之上表面間隙寬度GT及下表面間隙寬度GB之測定值，即複數個光罩間隙寬度G之上表面間隙寬度GT及下表面間隙寬度GB之測定值與測試基板之蝕刻之處理時間一起輸入至參照資訊產生部212。另，下表面間隙寬度GB(及上表面間隙寬度GT)亦可利用顯微鏡等而測定。
如上所述，若將蝕刻開始後至蝕刻界面到達基板9表面之時間(蝕刻界面成為形狀E2為止之時間)設為Tm，則數3及數4係顯示自蝕刻開始後經過時間Tm後之上表面蝕刻量ET之時間變化ET(t)、及下表面蝕刻量EB之時間變化EB(t)。又，時間Tm係自蝕刻速度及導體膜8之厚度求出。進而，於參照資訊產生部212中，自各光罩間隙寬度G之上表面間隙寬度GT及下表面間隙寬度GB之測定值，求出上表面蝕刻量ET及下表面蝕刻量EB之值(測定值)。因此，於決定係數a0、a1之數3中，分別將自測試基板之蝕刻之處理時間減去時間Tm而獲得之值代入t，上表面蝕刻量ET之測定值代入ET(t)，而求出係數a2。相同地，於決定係數b0、b1之數4中，分別將自測試基板之蝕刻之處理時間減去Tm獲得之值代入t，將下表面蝕刻量EB之測定值代入EB(t)，而求出係數b2。
於參照資訊產生部212中，藉由對於各光罩間隙寬度G決定數3及數4之係數a0、a1、a2、b0、b1、b2，而取得顯示蝕刻之圖案要素對810之上表面蝕刻量ET之經時變化、與下表面蝕刻量EB之經時變化之參照資訊(參照圖10)。參照資訊係實質性顯示圖案要素對810之上表面蝕刻量ET與下表面蝕刻量EB之關係。參照資訊亦可由資訊修正裝置21之外部之電腦產生而輸入至參照資訊記憶部213。
如以上說明般，於資料修正裝置21中，於參照資訊記憶部213， 對於複數個光罩間隙寬度G之各者記憶有顯示圖案要素對810之上表面蝕刻量ET、與下表面蝕刻量EB之關係之參照資訊。又，針對使用分別設定有複數個光罩間隙寬度G之複數個光罩要素對710而進行蝕刻之處理完成基板9，取得與複數個光罩要素對710對應之複數個圖案要素對810之各者之上表面蝕刻量ET之測定值。然後，使用該測定值且參照該參照資訊，藉此對於處理完成基板9取得複數個光罩間隙寬度G之複數個下表面蝕刻量EB之值，基於複數個下表面蝕刻量EB之值而修正設計資料。藉此，可容易地進行將導體膜8之圖案之下表面設為基準之設計資料之修正。
又，於取得參照資訊時，關於複數個光罩間隙寬度G之各者，自導體膜8蝕刻至基板9表面之狀態(即蝕刻界面到達基板9表面之時點之狀態)後，導體膜8沿著該表面蝕刻時之圖案要素對810之形狀之變化以多項式定時予以公式化。然後，該多項式之係數藉由使用進行特定時間之蝕刻之測試基板之圖案要素對810之形狀之測定值並代入而決定。藉此，可容易地取得參照資訊。另，亦可將基於設計資料而形成圖案之處理完成基板9作為測試基板而處理。
如上述般，於圖2之步驟S2~S7之重複中，原則上由各步驟進行相同條件之處理。然而，蝕刻裝置之蝕刻條件(例如蝕刻液之溫度等)稍微有變化。此時，處理完成基板9之複數個光罩間隙寬度G之上表面蝕刻量ET之測定值產生變動。
於該情形時，於下表面蝕刻量取得部214中，亦於圖10之參照資訊中特定出與上表面蝕刻量ET之測定值對應之處理時間，取得與該處理時間對應之下表面蝕刻量EB之值。即，蝕刻條件之稍微之變化所致之上表面蝕刻量ET之測定值變動係實質地換算為蝕刻之處理時間之變動，而精度較佳地取得下表面蝕刻量EB之值。藉此，可精度較佳地進行將導體膜8之圖案之下表面設為基準之設計資料之修正(對 原本設計資料之修正)。
然而，於對基板9之蝕刻中，有時依存於基板9上之位置而蝕刻量(上表面蝕刻量ET及下表面蝕刻量EB)不同。於此種情形時，較佳為如圖11所示般，於處理完成基板9上，於複數個位置P(以下，稱為「對象位置P」)配置測試圖案。即，於複數個對象位置P之各者中，形成與複數個光罩間隙寬度G對應之複數個圖案要素對810。
於使用圖11之處理完成基板9之圖7之處理中，對於各對象位置P取得複數個圖案要素對810之上表面蝕刻量ET之測定值(步驟S13)。接著，於各光罩間隙寬度G之參照資訊(參照圖10)中，特定出與各對象位置P之該光罩間隙寬度G之上表面蝕刻量ET之測定值對應之處理時間，取得與該處理時間對應之下表面蝕刻量EB之值(步驟S14)。即，依存於基板9上之位置之蝕刻量之差異(上表面蝕刻量ET之測定值之差異)係使用相同之參照資訊而實質地換算為蝕刻之處理時間之差異，取得下表面蝕刻量EB之值。
於資料修正部216中，基於複數個對象位置P之複數個下表面蝕刻量EB之值而修正設計資料，產生修正完成資料(步驟S15)。此時，於設計資料顯示之基板9上之各位置之圖案要素之修正中，參照例如最靠近該位置之對象位置P之下表面蝕刻量EB之值。藉此，考慮依存於基板9上之位置之蝕刻量之差異，修正設計資料。將修正完成資料轉換為描繪資料(步驟S16)，基於該描繪資料，進行對基板9之描繪(步驟S17)。
如上所述，於資料修正裝置21中，於在處理完成基板9上之複數個對象位置P之各者配置測試圖案之情形時，關於各光罩間隙寬度G，參照相同之參照資訊，藉此取得複數個對象位置P之複數個下表面蝕刻量EB之值。藉此，基於該複數個下表面蝕刻量EB之值，實現容易地進行設計資料之高精度之修正。
如自圖9可明確般，圖案要素對810之上表面間之間隙寬度即上表面間隙寬度GT係對上表面蝕刻量ET之2倍加上光罩間隙寬度G之值。因此，於各光罩間隙寬度G中，可將上表面間隙寬度GT與上表面蝕刻量ET作為等價者而處理。相同地，圖案要素對810之下表面間之間隙寬度即下表面間隙寬度GB係對下表面蝕刻量EB之2倍加上光罩間隙寬度G之值。因此，於各光罩間隙寬度G中，可將下表面間隙寬度GB與下表面蝕刻量EB作為等價者而處理。
因此，於資料修正裝置21之參照資訊記憶部213中，對於複數個光罩間隙寬度G之各者記憶實質地顯示圖案要素對810之上表面間隙寬度GT與下表面間隙寬度GB之關係之參照資訊。又，下表面蝕刻量取得部214可領略作為藉由使用處理完成基板9之上表面間隙寬度GT之測定值且參照該參照資訊，而對於處理完成基板9，取得複數個光罩間隙寬度G之複數個下表面間隙寬度GB之值之下表面間隙寬度取得部。然後，於資料修正部216中，實質地進行基於複數個光罩間隙寬度G之複數個下表面間隙寬度GB值之設計資料之修正。
接著，對本發明之第2實施形態之檢查裝置進行說明。圖12係顯示檢查裝置4a之功能之方塊圖。檢查裝置4a係檢查藉由基於設計資料描繪後之蝕刻而於基板9上形成之圖案之裝置。檢查裝置4a與圖2所示之資料處理裝置2相同，成為一般電腦系統之構成。
檢查裝置4a包含設計資料記憶部41、參照資訊記憶部42、實際圖像記憶部43、上表面間隙寬度取得部44、資料修正部45、及缺陷檢測部46。設計資料記憶部41及參照資訊記憶部42與圖5之設計資料記憶部211及參照資訊記憶部213相同。實際圖像記憶部43將顯示於檢查對象之基板9(以下稱為「對象基板9」)上形成之導體膜8之圖案之上表面的圖像資料作為檢查圖像資料而記憶。上表面間隙寬度取得部44基於檢查圖像資料而取得包含於測試圖案之圖案要素對810之上表面間 隙寬度GT(參照圖9)之測定值。資料修正部45使用上表面間隙寬度GT之測定值，自檢查圖像資料顯示之導體膜8之圖案，取得對象基板9上之該圖案之下表面之形狀。缺陷檢測部46基於導體膜8之圖案之下表面之形狀而檢測該圖案之缺陷。
接著，一面參照圖13，一面對檢查裝置4a之檢查流程進行說明。於檢查裝置4a之檢查中，首先，關於複數個光罩間隙寬度G之各者，將顯示圖案要素對810之上表面間隙寬度GT與下表面間隙寬度GB之關係之參照資訊記憶於參照資訊記憶部42，藉此予以準備(步驟S21)。參照資訊係由設置於外部之電腦或檢查裝置4a之參照資訊產生部產生。又，藉由將於對象基板9上形成導體膜8之圖案時利用之設計資料記憶於設計資料記憶部41而準備(步驟S22)。
接著，取得顯示於對象基板9上形成之導體膜8之圖案之上表面之圖像資料，將該圖像資料作為檢查圖像資料而記憶於實際圖像記憶部43(步驟S23)。此處，對象基板9上之導體膜8之圖案係基於設計資料而將於基板9上之光阻膜描繪之圖案顯像而形成光阻膜之光罩圖案71，且使用該光罩圖案71而實施蝕刻，藉此於對象基板9上形成之圖案。與參照圖7而說明之處理相同，設計資料顯示之圖案除了配線圖案以外，亦含有測試圖案。因此，使用分別設定有光罩間隙寬度G之複數個光罩要素對710，於對象基板9上形成複數個圖案要素對810。另，檢查圖像資料係由設置於檢查裝置4a之外部或設置於檢查裝置4a之攝像部取得。
於上表面間隙寬度取得部44中，基於檢查圖像資料，取得測試圖案所含之複數個圖案要素對810之各者之上表面間隙寬度GT之測定值(步驟S24)。即，取得與複數個光罩間隙寬度G之各者對應之複數個上表面間隙寬度GT之測定值。
於資料修正部45中，將對象基板9上之一個圖案要素811作為注目 圖案要素811，將於注目圖案要素811之形成所用之光罩要素711、及與該光罩要素711鄰接之光罩要素711之間之間隙寬度作為光罩要素711之間隙寬度並基於設計資料而特定。接著，藉由使用與該光罩間隙寬度G對應之上表面間隙寬度GT之測定值且參照與該間隙寬度近似或一致之光罩間隙寬度G之參照資訊，而取得下表面間隙寬度GB之值。然後，於檢查圖像資料顯示之圖像中，基於例如上表面間隙寬度GT之測定值與下表面間隙寬度GB之值之差(正確而言，為圖9之上表面蝕刻量ET與下表面蝕刻量EB之差)而變更注目圖案要素811之區域之線寬或大小，藉此取得對象基板9上之注目圖案要素811之下表面之形狀。
與圖5之資料修正部216相同，藉由各種插入運算求出與上述光罩間隙寬度G不同之間隙寬度之上述差，亦可產生顯示上述差與間隙寬度之關係之曲線。於該情形時，自該曲線取得與對於注目圖案要素811之光罩要素711之間隙寬度對應之上述差，利用於注目圖案要素811之區域之線寬或大小之變更。利用該曲線之處理實質而言，亦可將對於注目圖案要素811而自設計資料特定出之光罩間隙寬度G之參照資訊領略為使用該光罩間隙寬度G之測定值並參照。
於資料修正部45中，於對象基板9上將包含於配線圖案之全部之圖案要素811之各者作為注目圖案要素811進行上述處理，藉此自檢查圖像資料所示之圖案，取得於對象基板9上形成之導體膜8之圖案之下表面之形狀(步驟S25)。於缺陷檢測部46中，基於藉由資料修正部45取得之圖案之下表面之形狀，檢測對象基板9上之導體膜8之圖案之缺陷(步驟S26)。例如，於求出各圖案要素811之下表面之邊緣、及與該圖案要素811鄰接之圖案要素811之下表面之邊緣之間之距離，且該距離為特定之閾值以下之情形時，兩圖案要素811作為缺陷而被檢出。亦可由各種手法進行缺陷之檢測。
如以上說明般，於檢查裝置4a中，對於複數個光罩間隙寬度G之各者準備顯示圖案要素對810之上表面間隙寬度GT與下表面間隙寬度GB之關係之參照資訊。又，準備於對象基板9上形成之圖案之上表面之圖像資料即檢查圖像資料，基於該檢查圖像資料，取得複數個圖案要素對810之各者之上表面間隙寬度GT之測定值。然後，對於對象基板9上之圖案之各圖案要素811，使用對於該光罩間隙寬度G之測定值且參照自設計資料特定之光罩間隙寬度G之參照資訊，藉此自檢查圖像資料顯示之圖案取得對象基板9上之圖案之下表面之形狀。藉此，可實現容易地進行將導體膜8之圖案之下表面設為基準之檢查。
上述資料修正裝置21、描繪裝置1、配線圖案形成系統10及檢查裝置4a，可進行各種變更。
圖7及圖13之處理順序亦可適當變更。例如，於圖7之處理中亦可互換步驟S11與步驟S12之順序(圖13之步驟S21、S22亦相同)。
基板9除了印刷基板以外，亦可為半導體基板或玻璃基板等。資料修正裝置21亦可與描繪裝置1獨立利用。
上述實施形態及各變化例之構成係只要不相互矛盾亦可適當組合。
雖已詳細描述並說明本發明，但如上所述之說明為例示性而並非限定者。因此，只要不脫離本發明之範圍，可謂可有多種變化或態樣。
8‧‧‧導體膜
9‧‧‧基板
71‧‧‧光罩圖案
710‧‧‧光罩要素對
711‧‧‧光罩要素
810‧‧‧圖案要素對
811‧‧‧圖案要素
EB‧‧‧下表面蝕刻量
ET‧‧‧上表面蝕刻量
G‧‧‧光罩間隙寛度
GB‧‧‧下表面間隙寬度
GT‧‧‧上表面間隙寬度

Claims (8)

  1. 一種資料修正裝置，其係修正藉由蝕刻液蝕刻已於基板之表面形成之導體膜而形成之圖案之設計資料者，且具備：設計資料記憶部，其記憶要於形成有導體膜之基板上藉由特定條件之蝕刻形成之上述導體膜之圖案之設計資料；參照資訊記憶部，其將於基板之導體膜上彼此鄰接而形成之光罩要素對之間之間隙寬度作為光罩間隙寬度，對於複數個光罩間隙寬度之各者記憶參照資訊，該參照資訊係表示使用上述光罩要素對且藉由蝕刻而要於上述導體膜形成之圖案要素對之上表面間之間隙寬度即上表面間隙寬度、與上述圖案要素對之下表面間之間隙寬度即下表面間隙寬度之關係；下表面間隙寬度取得部，其於使用分別設定有上述複數個光罩間隙寬度之複數個光罩要素對而進行上述特定條件之蝕刻之處理完成基板中，取得與上述複數個光罩要素對對應之複數個圖案要素對之各者之上表面光罩寬度之測定值，使用上述測定值而參照上述參照資訊，藉此對於上述處理完成基板，取得上述複數個光罩間隙寬度之複數個下表面間隙寬度之值；及資料修正部，其基於上述複數個光罩間隙寬度之上述複數個下表面間隙寬度之值，修正上述設計資料；且就上述複數個光罩間隙寬度之各者，以多項式定時將自上述導體膜被蝕刻至上述基板之表面之狀態起將上述導體膜沿著上述表面蝕刻時之圖案要素對之形狀之變化予以公式化，且以使用經進行特定時間之蝕刻之測試基板之圖案要素對之形狀之測定值之擬合而決定上述多項式之係數，藉此取得上述參照資訊。
  2. 如請求項1之資料修正裝置，其中於上述處理完成基板上之複數個對象位置之各者，形成有與上述複數個光罩間隙寬度對應之複數個圖案要素對，且上述下表面間隙寬度取得部係就各光罩間隙寬度，藉由參照相同之參照資訊，而取得上述複數個對象位置之複數個下表面間隙寬度之值；且上述資料修正部基於上述複數個對象位置之上述複數個下表面間隙寬度之值，修正上述設計資料。
  3. 一種描繪裝置，其係於基板上描繪圖案者，且包含：如請求項1或2之資料修正裝置；光源；光調變部，其基於經上述資料修正裝置修正之設計資料而調變來自上述光源之光；及掃描機構，其於基板上掃描經上述光調變部調變之光。
  4. 一種配線圖案形成系統，其包含：如請求項1或2之資料修正裝置；及配線圖案形成機構，其基於經上述資料修正裝置修正之設計資料，於基板上形成配線圖案。
  5. 一種檢查裝置，其係檢查藉由蝕刻液蝕刻已於基板之表面形成之導體膜而形成之圖案者，且具備：設計資料記憶部，其記憶要於形成有導體膜之基板上藉由蝕刻形成之上述導體膜之圖案之設計資料；參照資訊記憶部，其將基板之導體膜上彼此鄰接而形成之光罩要素對之間之間隙寬度設為光罩間隙寬度，對複數個光罩間隙寬度之各者記憶有參照資訊，該參照資訊係表示使用上述光罩要素對且藉由蝕刻而要於上述導體膜形成之圖案要素對之上 表面間之間隙寬度即上表面間隙寬度、與上述圖案要素對之下表面間之間隙寬度即下表面間隙寬度之關係；實際圖像記憶部，其記憶有藉由使用基於上述設計資料而形成之光罩圖案之蝕刻，而於對象基板上形成之圖案之上表面之圖像資料即檢查圖像資料；上表面間隙寬度取得部，其於上述對象基板中，使用分別設定有上述複數個光罩間隙寬度之複數個光罩要素對而形成複數個圖案要素對，基於上述檢查圖像資料，取得上述複數個圖案要素對之各者之上表面間隙寬度之測定值；資料修正部，其對於上述對象基板上之圖案之各圖案要素，使用對於上述光罩間隙寬度之上述測定值，參照自上述設計資料特定出之光罩間隙寬度之上述參照資訊，而自上述檢查圖像資料所示之圖案取得上述對象基板上之上述圖案之下表面之形狀；及缺陷檢測部，其基於藉由上述資料修正部取得之上述圖案之下表面之形狀，檢測上述對象基板上之上述圖案之缺陷；且就上述複數個光罩間隙寬度之各者，以多項式定時將自上述導體膜被蝕刻至上述基板之表面之狀態起將上述導體膜沿著上述表面而蝕刻時之圖案要素對之形狀之變化予以公式化，且以使用經進行特定時間之蝕刻之測試基板之圖案要素對之形狀之測定值之擬合而決定上述多項式之係數，藉此取得上述參照資訊。
  6. 一種資料修正方法，其係修正藉由蝕刻液蝕刻已於基板之表面形成之導體膜而形成之圖案之設計資料者，且具備以下步驟：(a)準備要於形成有導體膜之基板上藉由特定條件之蝕刻形成之上述導體膜之圖案之設計圖案； (b)將基板之導體膜上彼此鄰接而形成之光罩要素對之間之間隙寬度設為光罩間隙寬度，對於複數個光罩間隙寬度之各者準備參照資訊之步驟，該參照資訊係表示使用上述光罩要素對且藉由蝕刻而要於上述導體膜形成之圖案要素對之上表面間之間隙寬度即上表面間隙寬度、與上述圖案要素對之下表面間之間隙寬度即下表面間隙寬度之關係；(c)於使用分別設定上述複數個光罩間隙寬度之複數個光罩要素對而經進行上述特定條件之蝕刻之處理完成基板中，取得與上述複數個光罩要素對對應之複數個圖案要素對之各者之上表面間隙寬度之測定值；(d)藉由使用上述測定值且參照上述參照資訊，對於上述處理完成基板，取得上述複數個光罩間隙寬度之複數個下表面間隙寬度之值；及(e)基於上述複數個光罩間隙寬度之上述複數個下表面間隙寬度之值，修正上述設計資料；且就上述複數個光罩間隙寬度之各者，以多項式定時將自上述導體膜被蝕刻至上述基板之表面之狀態起將上述導體膜沿著上述表面蝕刻時之圖案要素對之形狀之變化予以公式化，且以使用經進行特定時間之蝕刻之測試基板之圖案要素對之形狀之測定值之擬合而決定上述多項式之係數，藉此取得上述參照資訊。
  7. 如請求項6之資料修正方法，其中於上述處理完成基板上之複數個對象位置之各者，形成有與上述複數個光罩間隙寬度對應之複數個圖案要素對，且於上述(d)步驟中，就各光罩間隙寬度，參照相同之參照資訊，藉此取得上述複數個對象位置之複數個下表面間隙寬度之 值，且於上述(e)步驟中，基於上述複數個對象位置之上述複數個下表面間隙寬度之值，修正上述設計資料。
  8. 一種配線基板之製造方法，其具備以下步驟：藉由如請求項1或2之資料修正裝置而修正設計資料；及基於經修正之設計資料，於基板上形成配線圖案。
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