JP2001281160A

JP2001281160A - 検査装置および検査方法、マスクの製造方法

Info

Publication number: JP2001281160A
Application number: JP2000094565A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Inoue; 広井上
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2000-03-30
Filing date: 2000-03-30
Publication date: 2001-10-10

Abstract

(57)【要約】【課題】基板上に形成されたパターンを検査する際の
位置ずれをなくすこと。【解決手段】パターンが形成された基板に光を照射し
て得られた撮像データに基づいて第１の位置基準点を算
出し、この第１の位置基準点に対応する第２の位置基準
点を参照データから算出し、第１の位置基準点と第２の
位置基準点を比較して位置ずれ量を算出する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、主に半導体素子等
のパターニングに用いられるマスク等を検査するための
検査装置、検査方法およびマスクの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】主に半導体素子等の製造に用いられるマ
スク１０２の表面に形成されたパタ−ンを検査するため
の検査装置１００は、従来は図８に示すような構成とな
っている。光源１０１からの光は照明レンズ系１０４を
介して、ＸＹテ−ブル１０５上に載置されたマスク１０
２をスポット状に照射する。マスク１０２に照射された
光によるパタ−ンの透過光像は、対物レンズ系１０７に
より検出装置であるセンサ１０８に結像する。センサ１
０８は検出した光を電気信号に変換する。この電気信号
は、センサ回路１１０でデジタル化された後、撮像デー
タとして比較回路１０９に出力される。また、ＸＹテ−
ブル１０５は、ＸＹテ−ブル駆動回路１０６によって動
作制御される。このＸＹテ−ブル１０５の位置は、レ−
ザ干渉計１０７によって計測され、その位置情報は、参
照データ抽出回路１０３に出力される。一方、マスク１
０２の製作に用いられたＣＡＤデ−タは、例えば磁気デ
ィスク装置１１１に記憶されており、展開回路１１２に
より検査に適した参照データに変換される。この参照デ
ータは、パタ−ンに全く欠陥がないとしたときに得られ
る理想的な撮像データを示したものである。

【０００３】そして、この参照データは参照データ抽出
回路１１３に出力される。参照データ抽出回路１１３
は、レ−ザ干渉計１０７からの位置情報を受けとり、そ
の位置情報に対応する参照データを参照デ−タとして抽
出し、比較回路１０９に出力する。比較回路１０９は、
参照デ−タと撮像データの差を算出し、その差が所定値
以上であれば欠陥であると判定する。従来は以上のよう
な構成、作用でパタ−ンの検査が行われている。このよ
うな検査を適正に行うためには、位置合わせを適正に行
う必要がある。すなわち、撮像データが得られた検査位
置と、その撮像データと比較するための参照デ−タを抽
出した位置とが対応していないと、適正な検査が行えな
い。従来は、以下のように位置合わせを行っていた。図
９（ａ）に示されるように、検査前に、マスク１０２上
に形成された位置合わせ用パタ−ン１２０を撮像し、そ
の位置合わせ用パタ−ン１２０が形成されている位置を
算出する。たとえば、その位置を（ｘ０，ｙ０）とす
る。そして検査を開始する。レ−ザ干渉計１０７によっ
て計測される検査位置が（ｘ，ｙ）のときの検査は以下
のように行われる。

【０００４】まず、位置合わせ用パタ−ン１２０の形成
位置と、検査位置との相対位置（ｘ−ｘ０，ｙ−ｙ０）
が算出される。次に、参照データから参照デ−タを抽出
するための位置が算出される。参照データ上で、位置合
わせ用パタ−ン１２０の形成位置は予めわかっている。
例えば、この形成位置を（ａ０，ｂ０）とする。そし
て、図９（ｂ）に示されるように、参照データ上におけ
るこの形成位置から、上記で算出された相対位置だけ離
れている位置（ｘ−ｘ０＋ａ０，ｙ−ｙ０＋ｂ０）が算
出される。この参照データ上における位置（ｘ−ｘ０＋
ａ０，ｙ−ｙ０＋ｂ０）に対応する参照データを参照デ
−タとして抽出し、撮像データとの差を算出する。この
差が、所定値以上であるかどうかで欠陥が判定される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに検査前に位置合わせ用パタ−ンを撮像し、このパタ
−ンの形成位置に基づいて検査を行った場合、以下のよ
うな問題点がある。その問題点とは、気圧変化等が原因
となって、参照データと比較して実際に形成されたパタ
−ンが膨張や収縮した場合、正確にパタ−ンが形成され
ている部分も欠陥であると判定されるという問題点であ
る。すなわち、位置合わせ用パタ−ンの形成位置とあま
り離れていない部分の検査に際しては、上記原因にとも
なう位置ずれ量が小さいため、正確にパタ−ンが形成さ
れている部分を欠陥と判定することはない。しかし、位
置合わせ用パタ−ンの形成位置とある程度はなれた位置
における検査に際しては、上記原因にともなう位置ずれ
量が大きくなるため、正確にパタ−ンが形成されている
位置についても、欠陥と判定してしまう場合がある。こ
のような問題点を解決するために、位置合わせ用パタ−
ンをマスク上に複数設けて位置合わせを何度も行うとい
う解決策も考えられる。しかし、半導体素子等の製造に
用いるためのパタ−ンのように配置が予め決まっている
場合、こうした位置合わせ用パタ−ンを複数設けること
が困難である。

【０００６】そこで本発明では、上記したように気圧変
化等が原因となって位置ずれが生じるようなパタ−ンの
検査に際しても、正確な検査が可能となる検査装置、検
査方法を提供することを目的とする。また、この検査誤
差に起因する歩留まりの低下を防止するマスクの製造方
法を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、パター
ンが形成された基板に光を照射するための照射手段と、
前記パターンの光像を撮像し撮像データを得る撮像手段
と、前記光の前記基板上の照射位置を計測し、前記撮像
データに対応する位置データを計測する手段と、前記位
置データに対応した参照データを抽出する参照データ抽
出手段と、前記撮像データと前記参照データを比較する
比較手段と、を備えこの比較結果に基づいて前記パター
ンの欠陥検査を行う検査装置において、所定位置におけ
る前記撮像データに基づいて第１の位置基準点を算出す
る第１の算出手段と、前記所定位置に対応する前記参照
データに基づいて前記第１の位置基準点に対応する第２
の位置基準点を算出する第２の算出手段と、前記第１お
よび第２の位置基準点に基づいて位置オフセット量を算
出する位置オフセット量算出手段とを備え、前記参照デ
ータ抽出手段は、この位置オフセット量に基づいてオフ
セットされた位置データから参照データを抽出するよう
に構成することを特徴とする検査装置である。また前記
検査装置において、前記第１の算出手段は、前記撮像デ
ータの変化量に基づいて前記パターンのエッジの位置を
算出する手段と、このエッジの位置に基づいて第１の位
置基準点を算出する手段とを備え、前記第２の算出手段
は、前記参照データの変化量に基づいて前記パターンの
エッジの位置を算出する手段と、このエッジの位置に基
づいて第２の位置基準点を算出する手段と、を備えてい
ることを特徴とする検査装置である。

【０００８】また、パターンが形成された基板に光を照
射するための照射工程と、前記パターンの光像を撮像し
撮像データを得る撮像工程と、前記光の前記基板上の照
射位置を計測し、前記撮像データに対応する位置データ
を計測する工程と、前記位置データに対応した参照デー
タを抽出する参照データ抽出工程と、前記撮像データと
前記参照データを比較する比較工程と、を備えこの比較
結果に基づいて前記パターンの欠陥検査を行う検査方法
において、所定の位置における前記撮像データに基づい
て第１の位置基準点を算出する第１の算出工程と、前記
所定の位置における前記参照データに基づいて前記第１
の位置基準点に対応する第２の位置基準点を算出する第
２の算出工程と、前記第１および第２の位置基準点に基
づいて位置オフセット量を算出する位置オフセット量算
出工程とを備え、前記参照データ抽出工程はこの位置オ
フセット量に基づいてオフセットされた位置データから
参照データを抽出することを特徴とする検査方法であ
る。また、前記第１の算出工程は、前記撮像データの変
化量に基づいて前記パターンのエッジの位置を算出し、
このエッジの位置に基づいて第１の位置基準点を算出す
るようにし、前記第２の算出工程は、前記参照データの
変化量に基づいて前記パターンのエッジの位置を算出
し、このエッジの位置に基づいて第２の位置基準点を算
出することを特徴とする前記検査方法である。

【０００９】また、パターンが形成された基板に光を照
射するための照射工程と、前記パターンの光像を撮像し
撮像データを得る撮像工程と、前記光の前記基板上の照
射位置を計測し、前記撮像データに対応する位置データ
を計測する工程と、前記位置データに対応した参照デー
タを抽出する参照データ抽出工程と、前記撮像データと
前記参照データを比較する比較工程と、を備えこの比較
結果に基づいて前記パターンの欠陥検査を行う検査方法
において、前記比較工程において欠陥が検出されたとき
に所定位置における前記撮像データに基づいて第１の位
置基準点を算出する工程と、前記所定位置における前記
参照データに基づいて前記第１の位置基準点に対応する
第２の位置基準点を算出する工程と、前記第１および第
２の位置基準点に基づいて位置オフセット量を算出する
位置オフセット量算出工程とを行い、前記参照データ抽
出工程は前記位置データから前記位置オフセット量だけ
オフセットした位置データに基づいて抽出するようにし
たことを特徴とする検査方法である。また、透明の基板
上に遮光膜を成膜する成膜工程と、この成膜工程により
成膜された遮光膜の所定部分をエッチングしてパターン
を形成するエッチング工程と、このエッチング工程によ
り形成されたパターンの検査を行う検査工程とを備える
マスクの製造方法において、前記検査工程は、前記検査
方法を用いて行うことを特徴とするマスクの製造方法で
ある。

【００１０】

【発明の実施の形態】（第１の実施の形態）図１は第１
の実施の形態に係る検査装置２０の構成図である。この
検査装置２０は、マスクＭに形成されたパターンを検査
する機能と、検査途中で位置補正を行う機能を有してい
る。パターンを検査する機能に係る構成要素は、マスク
Ｍに光を照射するための光源である水銀ランプ１および
照明光学系２と、マスクＭを支持するＸＹテ−ブル３
と、そのＸＹテ−ブル３を動作制御するためのＸＹテ−
ブル駆動回路４と、ＸＹテ−ブル３の位置を検出するた
めのレ−ザ干渉計５と、マスクＭに照射された光の透過
光像をセンサ７に結像させるための対物レンズ系６と、
結像されたマスクＭの透過光像を撮像するセンサ７と、
センサ７の出力をデジタル化して撮像データに変換する
ためのセンサ回路８と、マスクＭの設計製作に用いられ
たＣＡＤデ−タが記憶されている磁気ディスク装置９
と、そのＣＡＤデ−タをビット展開して参照デ−タに変
換するための展開回路１０と、レ−ザ干渉計３から入力
される位置デ−タに基づいて、参照データの中から撮像
データと比較するための参照デ−タを抽出する参照デー
タ抽出回路１１と、参照デ−タと撮像データとを比較す
る比較回路１２とから構成される。

【００１１】また、位置オフセット量の算出を行う機能
は、位置オフセット算出回路３０により満足される。こ
の位置オフセット量算出回路３０は、図２に示されるよ
うに撮像データを所定量保存する記憶手段３１ａと、こ
の保存された撮像データに基づいて位置基準点を算出す
る機能を有する位置基準点算出回路３２ａと、この撮像
データとの比較に用いられた参照データを所定量記憶す
る記憶手段３１ｂと、この記憶手段に記憶された参照デ
ータに基づいて位置基準点を算出する機能を有する位置
基準点算出回路３２ｂと、算出された２つの位置基準点
から位置オフセット量を算出する機能を有する算出回路
３３とから構成される。算出された位置オフセット量は
参照データ抽出回路に出力される。そして、レーザ干渉
計５から出力された位置データは、この位置オフセット
量の分だけオフセットされることとなる。以後は、この
オフセットされた位置データに基づいて参照データが抽
出され、この参照データと撮像データとが比較されて検
査が進行することになる。以下各構成要素について説明
する。照射手段は水銀ランプ１および照明光学系２とか
ら構成される。照明光学系２は水銀ランプ１から発せら
れた光をＸＹテ−ブル３上に載置されているマスクＭに
スポット状に照射する。

【００１２】ＸＹテ−ブル３は検査対象であるマスクＭ
を保持し、このマスクＭを任意のＸＹ方向に駆動する。
このＸＹテ−ブル３はＸＹテ−ブル駆動回路４によって
動作制御される。また、レ−ザ干渉計５は、このＸＹテ
−ブル３の位置、すなわちマスクＭに照射されるマスク
Ｍ上の光の照射位置を計測し、その位置情報を位置デ−
タとして参照データ抽出回路１１に出力する。対物レン
ズ系６はマスクＭの鉛直下方に配設され、前記照射手段
によりマスクＭに照射された光の透過光をセンサ７に結
像させる機能を有する。センサ７は、この結像された透
過光を撮像し、電気信号に変換する。このセンサ７は、
１ライン１０２４個の光電変換素子が備わっているライ
ンセンサである。センサ７からの出力信号は、センサ回
路８によってデジタル化された撮像データに変換され
る。この撮像データは、検査手段である比較回路１２お
よび位置オフセット量算出回路３０に出力される。一
方、マスクＭの製作に用いられたＣＡＤデ−タは、磁気
ディスク装置９に記憶されており展開回路１０により検
査に適した参照デ−タに変換される。この参照デ−タ
は、パタ−ンに全く欠陥がないとしたときに得られる理
想的な撮像データを示したものである。

【００１３】そして、この参照デ−タは参照デ−タ抽出
回路１１に出力される。参照データ抽出回路１１は、レ
−ザ干渉計５からの位置デ−タを受けとり、その位置デ
−タに対応する参照データを抽出し、比較回路１２およ
び位置オフセット量算出回路３０に出力する。また、後
述するように位置オフセット量算出回路１３が、検査中
に位置オフセット量を算出した後は、位置オフセット量
の分だけオフセットされた位置データに対応した参照デ
ータを抽出し、比較回路１２および位置オフセット量算
出回路３０に出力する機能を有する。比較回路１２は、
出力された参照デ−タと、センサ回路８から出力された
撮像データとの差を計算し、その差が所定のしきい値以
下であるかどうかで欠陥判定を行う。一方、位置オフセ
ット量算出回路３０に備わっている記憶手段３１ａは、
所定量の撮像データを保存する機能を有する。また、位
置基準点算出回路３２ａは、この撮像データの値の変化
が大きいところをパターンのエッジとして検出し、２点
求めたエッジの中心位置を位置基準点として算出する。
算出された位置基準点は算出回路３３に出力される。ま
た、位置オフセット量算出回路３０に備わっている記憶
手段３１ｂは、参照データ抽出回路１１から出力された
参照データを所定量保存する機能を有する。そして、位
置基準点算出回路３２ｂは、この参照データの値の変化
が大きいところをパターンのエッジとして検出し、２点
求めたエッジの中心位置を位置基準点として算出する。
算出された位置基準点は算出回路３３に出力される。

【００１４】算出回路３３は、出力された２つの位置基
準点の差を計算し、その差を位置オフセットとして参照
データ抽出回路１１に出力する機能を有する。以上のよ
うな検査装置２０における作用について以下に説明す
る。図３にこの検査のフロ−チャ−トを示す。まず試料であるマスクＭがＸＹテ−ブル３にロ−ドされ
る（Ｓ１）。このマスクＭは半導体装置の製作に用いる
ためのものであり、合成石英ガラスの基板上にクロム膜
のパタ−ンが形成されているものである。パタ−ンは、
中央部に半導体装置の製作のためのメインパタ−ンが形
成されていて、メインパタ−ンの周辺部に位置合わせの
ための基準マ−クが形成されている。つぎに基準マ−ク
である十字パターン１５での位置合わせが行われる（Ｓ
２）。この位置合わせは、十字パタ−ン１５をセンサ７
で撮像し、十字パタ−ン１５の中心位置を検出すること
で行われる。この十字パターン１５の中心位置の検出
は、たとえばパターンのエッジを検出することにより画
素以下の分解能で検出される。こうして検出された十字
パターン１５の中心位置がいわば原点とみなされる。す
なわち、この中心位置に対する相対位置に基づいて参照
データが抽出されることになる。

【００１５】以上の初期設定の後検査が開始される（Ｓ
３）。始めは、通常の検査が行われ、ＸＹテーブル３が
所定の位置まで到達すると位置オフセットの算出が行わ
れる。まず、通常の検査が行われる。検査は、メインパ
タ−ン全面をストライプとよぶ短冊状に分割し、各スト
ライプを一つずつ検査すること（以下ストライプ検査と
いう）によって実行される。水銀ランプ１から照射され
た光の透過光像は、センサ７によって撮像され、センサ
回路８でデジタル化された後撮像データとして比較回路
１２に出力される。一方、レーザ干渉計５の測定値であ
る位置データは参照データ抽出回路１１に出力される。
参照データ抽出回路１１では、この位置データと十字パ
ターン１５の中心位置との相対位置が計算され、その相
対位置に基づいて参照データが抽出される。抽出された
参照データと撮像データとは比較回路において比較され
る。すなわち、撮像データと参照デ−タとの差が計算さ
れ、その差が所定の値以上であれば欠陥であると判定さ
れる。以上のようにしてストライプ検査が行われる。そ
して所定位置までストライプ検査が進行すると、ストラ
イプ検査を一時中断し、位置オフセット量の算出が行わ
れる（Ｓ４）。この位置オフセット量の算出は、撮像デ
ータを所定量取り込んで記憶手段３１ａに保存するとと
もに、この撮像データに対応する参照データを記憶手段
３１ｂに保存し、これらの撮像データおよび参照データ
に基づいて算出される。

【００１６】図４は、記憶手段３１ａに記憶されている
撮像データの領域を示している。１ライン１０２４個の
光電変換素子について、過去１００ライン分すなわち１
０２４×１００の領域についての撮像データが記憶され
ている。まず、撮像データについての位置基準点が以下
のように算出される。なお、便宜的に縦１００個、横１
０２４個の領域を１００行×１０２４列の行列とみな
し、左上の領域を第１行第１列として説明する。位置基
準点の算出は、以下のようにして行われる。図５（ａ）
は第１行の撮像データを示している横軸が、第１行の列番号を示しており、縦軸はその撮像
データを示している。撮像データがほぼ２００を示して
いる部分は、光が透過している領域を撮像したものと考
えられる。撮像データがほぼ０を示している部分は、パ
タ−ンが形成されているため、遮光されたものと考えら
れる。したがって、撮像データが２００から０へと、ま
たは０から２００へと大きく変化している部分は、パタ
ーンのエッジであると考えられる。図５（ａ）において
は、第３０列から第３３列の間にエッジが存在する。ま
た、第３３９列から第３４２列の間にエッジが存在す
る。そして図５（ｂ）に示されるように隣り合う撮像デ
ータを線形補間したグラフを作成し、グラフの値が所定
の値になる位置をエッジとして算出する。図５（ｂ）に
おいては、撮像データが１００となる位置をエッジとみ
なしてＡ点とＢ点を算出している。以上のような作用が
複数の行および列について行われ、エッジによって囲ま
れている領域、すなわちアイランド状にパターンが形成
されている領域を検出し、そのパターンの中心点を第１
の位置基準点とみなす。

【００１７】続いて、参照データに基づく位置基準点が
算出される。撮像データに基づいて算出されたのと同様
の方法で、位置基準点が算出されることになる。なお、
上記したような位置基準点の算出方法は一つの例にすぎ
ず種々変形可能なのはいうまでもない。こうして求めら
れた２つの位置基準点の位置ずれが、位置オフセット量
として算出される。位置ずれが全くないとすると、位置
オフセット量の値は０、すなわち２つの位置基準点は、
完全に一致する。しかし諸要因により位置ずれが生じた
場合、数百ナノメートルのオーダーで位置オフセット量
が算出される。この位置オフセット量は参照データ抽出
回路１１へ出力される。以下ストライプ検査が再開され
る（Ｓ３）。位置データに対してこの位置オフセット量
だけオフセットされた位置データに基づいて参照データ
が抽出される。そしてこの参照デ−タと撮像データとが
比較され検査が進行する。そして所定位置までストライ
プ検査が行われると、検査をいったん中止し、再び上記
したように位置オフセット量の算出が行われる（Ｓ
５）。以上の動作がマスクＭのメインパタ−ン全面に渡
って行われ、検査が終了する（Ｓ６）。検査終了後はマ
スクがアンロ−ドされる（Ｓ７）。

【００１８】以上のようにして検査が行われる。検査に
おいて得られた撮像データに基づいて位置補正値を算出
し、以後はその位置補正値とレーザ干渉計による計測値
に基づいて参照データの抽出を行う構成としたため、位
置ずれに起因する欠陥の誤認識を防ぐことが可能とな
る。また、位置基準点の算出においては、隣り合う撮像
データを線形補間し、その線形補間されたデータに基づ
いて位置基準点の算出を行ったため、精度の高い位置オ
フセット量の算出を行うことが可能となった。なお、本
実施の形態においては検査前に十字パターンを撮像して
位置合わせを行ったが、十字パターンを用いずに、メイ
ンパターンを撮像してそのメインパターンから基準位置
を算出し、その基準位置に基づいて位置合わせを行うよ
うにしても良い。また、本実施の形態においてはｘ方向
とｙ方向の２方向において位置オフセット量を算出した
が、１方向についてのみ行っても良い。また、撮像手段
はラインセンサに限られずエリアセンサ等でも良い。本
実施例は、マスクのパターン検査について行ったが、エ
ッチング工程における露光後のパターン検査等様々なも
のに適用可能である。その他本実施の形態は同様の趣旨
において種々変形可能である。

【００１９】（第２の実施の形態）第２の実施の形態に
係る検査装置と第１の実施の形態に係る検査装置との変
更点は、ストライプ検査中に欠陥が検出されたときに、
位置オフセット量を行う構成となっている点である。す
なわち、第１の実施の形態に係る検査装置は、ＸＹテー
ブル３が所定位置に到達したときに、位置オフセット量
を算出したが、本実施の形態に係る検査装置は、パター
ンの欠陥が検出されるまでは位置オフセット量の算出が
行われない。以下図面を参照しながら第２の実施の形態
に係る検査装置について説明する。この検査装置のハー
ド構成は、図１に示される検査装置と同じである。第１
の実施の形態と同じ構成要素については同じ番号を付
し、説明を省略する。図６に第２の実施の形態における
検査のフロ−チャ−トを示す。ストライプ検査（Ｓ３）
を行うところまでは第１の実施の形態に示された検査と
同じである。第２の実施の形態では、比較回路１２にお
いて欠陥が検出されたときに位置オフセット量が算出さ
れる。欠陥が検出されたときに、第１の実施の形態と同
様に位置基準点の算出が行われる。このとき基準位置の
算出に用いる撮像データは、欠陥が検出された撮像デー
タを含む行、および列の撮像データを用いないように構
成される。すなわち、撮像データが得られた領域を示す
図４において、たとえば第１行第５列の撮像データにつ
いて欠陥が検出されたとすると、この撮像データを含む
第１行および第５列は、位置基準点の算出には用いられ
ない。

【００２０】同様に参照データについての位置基準点の
算出においても第１行および第５列は、位置基準点の算
出には用いられない。位置補正値算出後は、第１の実施
の形態と同様にストライプ検査が再開される（Ｓ３）。
そして再び欠陥が検出されると、その時点で位置補正値
の算出が行われる（Ｓ５）。以上のようにしてメインパ
タ−ン全面に対して検査が行われる（Ｓ６）。欠陥が検
出されるまでは位置オフセットの算出を行わないので、
位置オフセット量の算出にかかる時間の短縮を図ること
ができる。その一方、位置ずれがメインパターンの各所
で頻繁に起こるような場合、適宜位置オフセット量の算
出を行うことにより、位置ずれに伴う欠陥の誤検出を防
止することが出来る。また、通常検査装置には、検査後
にオペレータが欠陥を確認するレビュー作業時に欠陥画
像を表示するため、検査中に撮像データを保存する機能
がある。本発明においては、この機能で保存された撮像
データとともにそのときの参照データを保存しておき、
これら２つのデータから位置オフセット量を算出するも
のである。したがって、従来の検査装置と比較して、ハ
ード的な構成を付加することなく本発明に係る検査を実
施することが可能となる。

【００２１】なお、本実施の形態は第１の実施の形態と
同様に種々変形可能である。（第３の実施の形態）第３の実施の形態はマスクの製造
方法に関するものである。マスクの製造工程は、透明基
板上に遮光膜を成膜する成膜工程と、前記成膜工程によ
り成膜された遮光膜の所定部分をエッチングするエッチ
ング工程と、前記エッチング工程により形成されたパタ
−ンの検査を行う検査工程とからなる。まず、成膜工程
が行われる。図７（ａ）に示されるように充分に良く研
磨、洗浄された合成石英ガラスの基板４０上に、スパッ
タ成膜法を用いて、遮光膜となるクロム膜４１を約１０
０ｎｍの厚みに形成する。次にエッチング工程が行われ
る。図７（ｂ）に示されるように、クロム膜４１の上に
電子線レジスト４２を約５０ｎｍの厚みでスピナ−を用
いて塗布する。その後電子線描画装置を用いて所望のパ
タ−ンに露光した後、現像を行う。続いて図７（ｃ）に
示されるように塩素系ガスを用いて、クロム膜４１に対
しプラズマエッチングを行い、パタ−ンを形成させる。
その後図７（ｄ）に示されるようにアッシングを行って
電子線レジストを除去する。

【００２２】そして、形成されたパタ−ンの検査が第１
の実施の形態と同様に行われる。以上のようにしてマス
クの製造が行われた。検査工程において、検査中に位置
オフセットを算出し、以後はその位置オフセット量に基
づいて参照データの抽出に用いる位置データを補正する
構成としたため、位置ずれに起因する欠陥の誤認識を防
ぐことが可能となる。従って、マスクの製造における歩
留まりの低下を防止することが可能となる。なお、第２
の実施の形態で示された検査装置を用いて、パターンの
検査を行っても良い。なお、本発明に係るマスクの製造
方法は、本実施の形態に限られるものではなく、同様の
趣旨において種々変形可能である。

【００２３】

【発明の効果】以上詳記したように、本発明では位置ず
れが生じるようなパタ−ンの検査に際しても、正確な検
査が可能となる検査装置、検査方法を提供することがで
きる。また、この検査誤差に起因する歩留まりの低下を
防止するマスクの製造方法を提供するができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施の形態に係る検査装置の構成図。

【図２】第１の実施の形態に係る検査装置の位置オフセ
ット量算出回路の構成図。

【図３】第１の実施の形態に係る検査のフローチャート
を示した図。

【図４】第１の実施の形態において保存されている撮像
データの領域を示した図。

【図５】第１の実施の形態において位置基準点を算出す
るためのグラフを示した図。

【図６】第２の実施の形態における検査のフローチャー
ト。

【図７】第３の実施の形態におけるフォトマスクの製造
方法を示した図。

【図８】従来の検査装置の構成図。

【図９】従来における位置合わせを示した図。

【符号の説明】

５レーザ干渉計、７センサ、１１参照データ抽出
回路、１２比較回路、３０位置オフセット量算出回
路。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2F065 AA03 AA07 AA14 AA56 AA61 BB01 BB27 CC18 DD11 EE00 FF01 FF61 GG03 HH13 JJ02 JJ25 PP12 QQ25 RR08 SS04 UU05 2G051 AA56 AB20 AC21 CA03 CB02 DA07 DA09 EA14 2H095 BD02 BD12 BD15 BD25 BD27

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】パターンが形成された基板に光を照射す
るための照射手段と、前記パターンの光像を撮像し撮像
データを得る撮像手段と、前記光の前記基板上の照射位
置を計測し、前記撮像データに対応する位置データを計
測する手段と、前記位置データに対応した参照データを
抽出する参照データ抽出手段と、前記撮像データと前記
参照データとを比較する比較手段と、を備えこの比較結
果に基づいて前記パターンの欠陥検査を行う検査装置に
おいて、所定の位置における前記撮像データに基づいて
第１の位置基準点を算出する第１の算出手段と、前記所
定の位置に対応する前記参照データに基づいて前記第１
の位置基準点に対応する第２の位置基準点を算出する第
２の算出手段と、前記第１および第２の位置基準点に基
づいて位置オフセット量を算出する位置オフセット量算
出手段とを備え、前記参照データ抽出手段は、前記位置
オフセット量に基づいてオフセットされた位置データか
ら参照データを抽出するように構成されていることを特
徴とする検査装置。
【請求項２】前記第１の算出手段は、前記撮像データ
の変化量に基づいて前記パターンのエッジの位置を算出
する手段と、このエッジの位置に基づいて第１の位置基
準点を算出する手段とを備え、前記第２の算出手段は、
前記参照データの変化量に基づいて前記パターンのエッ
ジの位置を算出する手段と、このエッジの位置に基づい
て第２の位置基準点を算出する手段と、を備えているこ
とを特徴とする請求項１記載の検査装置。
【請求項３】パターンが形成された基板に光を照射す
るための照射工程と、前記パターンの光像を撮像し撮像
データを得る撮像工程と、前記光の前記基板上の照射位
置を計測し、前記撮像データに対応する位置データを計
測する工程と、前記位置データに対応する参照データを
抽出する参照データ抽出工程と、前記撮像データと前記
参照データとを比較する比較工程と、を備え、この比較
結果に基づいて前記パターンの欠陥検査を行う検査方法
において、所定の位置における前記撮像データに基づい
て第１の位置基準点を算出する第１の算出工程と、前記
所定の位置に対応する前記参照データに基づいて前記第
１の位置基準点に対応する第２の位置基準点を算出する
第２の算出工程と、前記第１および第２の位置基準点に
基づいて位置オフセット量を算出する位置オフセット量
算出工程とを備え、前記参照データ抽出工程は、前記位
置オフセット量に基づいてオフセットされた位置データ
から参照データを抽出することを特徴とする検査方法。
【請求項４】前記第１の算出工程は、前記撮像データ
の変化量に基づいて前記パターンのエッジの位置を算出
し、このエッジの位置に基づいて第１の位置基準点を算
出するようにし、前記第２の算出工程は、前記参照デー
タの変化量に基づいて前記パターンのエッジの位置を算
出し、このエッジの位置に基づいて第２の位置基準点を
算出することを特徴とする請求項３記載の検査方法。
【請求項５】パターンが形成された基板に光を照射す
るための照射工程と、前記パターンの光像を撮像し撮像
データを得る撮像工程と、前記光の前記基板上の照射位
置を計測し、前記撮像データに対応する位置データを計
測する工程と、前記位置データに対応した参照データを
抽出する参照データ抽出工程と、前記撮像データと前記
参照データとを比較する比較工程と、を備えこの比較結
果に基づいて前記パターンの欠陥検査を行う検査方法に
おいて、前記比較工程において欠陥が検出されたとき
に、前記撮像データに基づいて第１の位置基準点を算出
する工程と、前記参照データに基づいて前記第１の位置
基準点に対応する第２の位置基準点を算出する工程と、
前記第１および第２の位置基準点に基づいて位置オフセ
ット量を算出する位置オフセット量算出工程とを行い、
前記参照データ抽出工程は前記位置データから前記位置
オフセット量だけオフセットした位置データに基づいて
抽出するようにしたことを特徴とする検査方法。
【請求項６】透明の基板上に遮光膜を成膜する成膜工
程と、この成膜工程により成膜された遮光膜の所定部分
をエッチングしてパターンを形成するエッチング工程
と、このエッチング工程により形成されたパターンの検
査を行う検査工程とを備えるマスクの製造方法におい
て、前記検査工程は、請求項３または請求項５記載の検
査方法を用いて行うことを特徴とするマスクの製造方
法。