JPS60223124A - パタ−ン検査装置 - Google Patents
パタ−ン検査装置Info
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- JPS60223124A JPS60223124A JP8060484A JP8060484A JPS60223124A JP S60223124 A JPS60223124 A JP S60223124A JP 8060484 A JP8060484 A JP 8060484A JP 8060484 A JP8060484 A JP 8060484A JP S60223124 A JPS60223124 A JP S60223124A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明はＸ線露光用マスクのような薄板構造体に形成
されたパターンを検査する装置の改良に関するものであ
る。
されたパターンを検査する装置の改良に関するものであ
る。
第１図は従来のパターン検査装置の第１の例の構成を示
す模式正面断面図で、（１）は光源、（２）はパターン
を検査すべき試料、（３）はこの試料（２）を透過して
得られた光像を拡大するレンズ、（４）は光検知器、（
５）はデータ処理部である。
す模式正面断面図で、（１）は光源、（２）はパターン
を検査すべき試料、（３）はこの試料（２）を透過して
得られた光像を拡大するレンズ、（４）は光検知器、（
５）はデータ処理部である。
この装置では、光源（１）から発せられた光（破線矢印
で示す）は試料（２）上に投射され、′試料（２）上の
パターンは光に対して不透明な部分と透明な部分とによ
って光源を形成し、それがレンズ（３）によって拡大さ
れて、光検知器（４）上に結像し、電気信号としてデー
タ処理部（５）に送られ、データ処理部（５）で基準パ
ターンと比較され、欠陥部分が抽出される。
で示す）は試料（２）上に投射され、′試料（２）上の
パターンは光に対して不透明な部分と透明な部分とによ
って光源を形成し、それがレンズ（３）によって拡大さ
れて、光検知器（４）上に結像し、電気信号としてデー
タ処理部（５）に送られ、データ処理部（５）で基準パ
ターンと比較され、欠陥部分が抽出される。
箸２図は従来のパターン検査装置の第２の例を示す模式
正面断面図で、（６）は真空容器、（７）は荷電ビーム
源、（８）は収束レンズ、（９）は偏向板、αυは荷電
ビーム位置決め制御装置、ａ９は反射荷電粒子及び２次
電子の検出器、（至）はデータ処理部である。
正面断面図で、（６）は真空容器、（７）は荷電ビーム
源、（８）は収束レンズ、（９）は偏向板、αυは荷電
ビーム位置決め制御装置、ａ９は反射荷電粒子及び２次
電子の検出器、（至）はデータ処理部である。
この装置では、荷電ビーム源（７）から尾せられた荷電
ビーム（一点鎖線矢印で示す）は収束レンズ（８）によ
って細く絞られ、偏向板（９）を介して荷電ビーム位置
決め制御装置αＯによって試料〔２）の上を走査する。
ビーム（一点鎖線矢印で示す）は収束レンズ（８）によ
って細く絞られ、偏向板（９）を介して荷電ビーム位置
決め制御装置αＯによって試料〔２）の上を走査する。
そして、試料（２）からの反射荷電粒子および２次電子
は検出器αＤによって検出され試料パターンを示す電気
信号としてデータ処理部（２）に送られ、ここで基準パ
ターンと比較されて、欠陥部分が抽出される。
は検出器αＤによって検出され試料パターンを示す電気
信号としてデータ処理部（２）に送られ、ここで基準パ
ターンと比較されて、欠陥部分が抽出される。
ところが、従来の装置、第１図のような光測用の装置は
、光の解像性の限界から、微細パターンの欠陥検査には
限度があり、第２図のような収束荷電ビーム使用の装置
は、試料上を走査するため、検査時間が長いという欠点
があった。
、光の解像性の限界から、微細パターンの欠陥検査には
限度があり、第２図のような収束荷電ビーム使用の装置
は、試料上を走査するため、検査時間が長いという欠点
があった。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、荷電ビームを試料全面に同時に照
射し、２次元検出器により検知することによって、高速
で高解１！！度なパターン検査装置を提供中るものであ
る。
めになされたもので、荷電ビームを試料全面に同時に照
射し、２次元検出器により検知することによって、高速
で高解１！！度なパターン検査装置を提供中るものであ
る。
第３図はこの発明の一実施例の構成を示す模式正面断面
図で、αｊは真空容器、α→は均一分布で直進する荷電
ビームを出す荷電ビーム源、αＱは試料（２）を保持す
る保持台、α・は試料を通過した荷電ビームを拡大する
レンズ系、αηは拡大した荷電ビームを受けて２次元的
に電気信号に変換する検出器。
図で、αｊは真空容器、α→は均一分布で直進する荷電
ビームを出す荷電ビーム源、αＱは試料（２）を保持す
る保持台、α・は試料を通過した荷電ビームを拡大する
レンズ系、αηは拡大した荷電ビームを受けて２次元的
に電気信号に変換する検出器。
（ト）はデータ処理部である。
この実施例では、荷電ビーム源α荀から放出された均一
分布の直進する荷電ビーム（一点鎖線矢印で示す）は光
源から斃せられた光と同様に試料（２）の上に照射され
る。試料（２）に照射された荷電ビームは試料（２）内
に侵入し、荷電粒子のエネルギー。
分布の直進する荷電ビーム（一点鎖線矢印で示す）は光
源から斃せられた光と同様に試料（２）の上に照射され
る。試料（２）に照射された荷電ビームは試料（２）内
に侵入し、荷電粒子のエネルギー。
試料（２）の各部分の構成元素、密度などできまる透過
率に応じて、薄板状の試料（２）を透過したり、試料（
２）内にとどまったりする。例えば、第４図に断面図で
示す基板（２ａ）の表面に金（Ａｕ）のパターン（２ｂ
）を有する試料＋２）（Ｘ線露光用マスク）では、金の
パターン（２ｂ）の部分では荷電粒子は透過をさえぎら
れ、基板（２ａ）のみの部分は荷電粒子が透過する。
率に応じて、薄板状の試料（２）を透過したり、試料（
２）内にとどまったりする。例えば、第４図に断面図で
示す基板（２ａ）の表面に金（Ａｕ）のパターン（２ｂ
）を有する試料＋２）（Ｘ線露光用マスク）では、金の
パターン（２ｂ）の部分では荷電粒子は透過をさえぎら
れ、基板（２ａ）のみの部分は荷電粒子が透過する。
従って、試料（２）を透過した荷電ビームには試料（２
）上のパターン（２ｂ）に応じて、ビーム密度の小さい
部分と大きい部分とが形成される。このように試料（２
）を透過した荷電ビームを、その下部に設置されている
電磁形または静電形のレンズ系（１１で拡大する。この
拡大率は２次元検出器αηの解像度に見合う値にすれば
よい。２次元検出５（１７）は２次元的に並んだ荷電ビ
ーム検出器で、ビーム密度の大きい部分では大きい電気
信号を、ビーム密度の小さい部分では小さい電気信号を
出すもので１例えば。
）上のパターン（２ｂ）に応じて、ビーム密度の小さい
部分と大きい部分とが形成される。このように試料（２
）を透過した荷電ビームを、その下部に設置されている
電磁形または静電形のレンズ系（１１で拡大する。この
拡大率は２次元検出器αηの解像度に見合う値にすれば
よい。２次元検出５（１７）は２次元的に並んだ荷電ビ
ーム検出器で、ビーム密度の大きい部分では大きい電気
信号を、ビーム密度の小さい部分では小さい電気信号を
出すもので１例えば。
マイクロチャネルプレートなどが考えられる。このよう
にして得られた２次元的なパターンデータ信号はデータ
処理部（至）で処理されて欠陥が抽出される。−例とし
て、３枚の画像データメモリを設け、試料（２）から得
たデータを第１のメモリに収容し、栴２のメモリに格納
しである基準パターンめデータと比較演算して、欠陥部
分を第３のメモリに抽出収容することによって欠陥の位
置、形状情報が得られる。
にして得られた２次元的なパターンデータ信号はデータ
処理部（至）で処理されて欠陥が抽出される。−例とし
て、３枚の画像データメモリを設け、試料（２）から得
たデータを第１のメモリに収容し、栴２のメモリに格納
しである基準パターンめデータと比較演算して、欠陥部
分を第３のメモリに抽出収容することによって欠陥の位
置、形状情報が得られる。
なお、上記実施例では試料（２）の全面に一度に荷電ビ
ームを照射して検査するようにしており、検査スピード
の点からはこれが望ましｂが、均一な分布をもつ大照射
面積の荷電ビームが得にくい場合は、試料（２）をいく
つかのフィールドに分けて検査してもよい。
ームを照射して検査するようにしており、検査スピード
の点からはこれが望ましｂが、均一な分布をもつ大照射
面積の荷電ビームが得にくい場合は、試料（２）をいく
つかのフィールドに分けて検査してもよい。
以と説明したように、この発明になるパターン検査装置
では上記のように構成したので、従来の光を用いた検査
装置の光の波長による解像度の低さの問題および従来の
収束荷電ビーム走査形の検査装置の処理時間が長くなる
という問題を解決し。
では上記のように構成したので、従来の光を用いた検査
装置の光の波長による解像度の低さの問題および従来の
収束荷電ビーム走査形の検査装置の処理時間が長くなる
という問題を解決し。
高解像度、高処理速度でパターンの検査を行うことがで
きる。
きる。
Ｋ１図および第２図はそれぞれ従来のパターン検査装置
の第１の例および第２の例の構成を示す模式正面断面図
、第３図はこの発明の一実施例の構成を示す模式正面断
面図、Ｋ４図け゛被検査試料の一例を示す断面図である
。 図ニおいて、（２）は被検査試料、Ｑ４１は荷電ビーム
源、０時はレンズ系、 Ｑ７１は２次元検出器、（ト）
はデータ処理部である。 なお１図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 第２図
の第１の例および第２の例の構成を示す模式正面断面図
、第３図はこの発明の一実施例の構成を示す模式正面断
面図、Ｋ４図け゛被検査試料の一例を示す断面図である
。 図ニおいて、（２）は被検査試料、Ｑ４１は荷電ビーム
源、０時はレンズ系、 Ｑ７１は２次元検出器、（ト）
はデータ処理部である。 なお１図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 第２図
Claims (3)
- （１）被検査試料に均一な分布で荷電ビームを直進的に
入射させる荷電ビーム源、上記被検査試料を透過した上
記荷電ビームを一様に拡大するレンズ系、このレンズ系
で拡大された上記荷電ビームを２次元的に検出する２次
元検出器、及び上記２次元検出器で検出された上記被検
査試料上のパターンに対応するパターンデータを基準の
パターンデータと比較して上記検出されたパターンデー
タの欠陥を抽出するデータ処理部を備えたパターン検査
装置。 - （２）２次元検出器はマイクロチャネルプレートである
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のパターン
検査装置。 - （３） データ処理部は３個の２次元メモリを有し。 第１のメモリには検出パターンデータ、第２のメモリに
は基準パターンデータを収容し、比較演算の結果欠陥の
パターンデータを第３のメモリに抽出し、その位置、形
状を知り得るようにしたことを特徴とする特許請求の範
囲第１項または第２項記載のパターン検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8060484A JPS60223124A (ja) | 1984-04-18 | 1984-04-18 | パタ−ン検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8060484A JPS60223124A (ja) | 1984-04-18 | 1984-04-18 | パタ−ン検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60223124A true JPS60223124A (ja) | 1985-11-07 |
Family
ID=13722929
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8060484A Pending JPS60223124A (ja) | 1984-04-18 | 1984-04-18 | パタ−ン検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60223124A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63266754A (ja) * | 1987-04-24 | 1988-11-02 | Hitachi Ltd | パターン検査方法およびその装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5321575A (en) * | 1976-08-11 | 1978-02-28 | Fujitsu Ltd | Pattern inspection method |
| JPS58134429A (ja) * | 1982-02-04 | 1983-08-10 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | パタ−ン欠陥検査装置 |
| JPS5963725A (ja) * | 1982-10-05 | 1984-04-11 | Toshiba Corp | パタ−ン検査装置 |
-
1984
- 1984-04-18 JP JP8060484A patent/JPS60223124A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5321575A (en) * | 1976-08-11 | 1978-02-28 | Fujitsu Ltd | Pattern inspection method |
| JPS58134429A (ja) * | 1982-02-04 | 1983-08-10 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | パタ−ン欠陥検査装置 |
| JPS5963725A (ja) * | 1982-10-05 | 1984-04-11 | Toshiba Corp | パタ−ン検査装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63266754A (ja) * | 1987-04-24 | 1988-11-02 | Hitachi Ltd | パターン検査方法およびその装置 |
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