JP2003051436A - 位置合わせ装置及び位置合わせ方法 - Google Patents

位置合わせ装置及び位置合わせ方法

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JP2003051436A JP2001236373A JP2001236373A JP2003051436A JP 2003051436 A JP2003051436 A JP 2003051436A JP 2001236373 A JP2001236373 A JP 2001236373A JP 2001236373 A JP2001236373 A JP 2001236373A JP 2003051436 A JP2003051436 A JP 2003051436A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 マスクの透過率が低い場合であっても、容易
に位置合わせを行うことができ、かつマスクの破損の生
じにくい位置合わせ装置を提供する。 【解決手段】 第1の保持手段が、第1のマークが形成
された第1の対象物を保持する。第2の保持手段が、第
2のマークが形成された第2の対象物を保持する。第2
の保持手段に保持された第2の対象物が、第1の保持手
段に保持された第1の対象物からある間隙を隔てて配置
される第1の位置、及びそれと異なる第2の位置に、移
動機構が第2の保持手段を移動させる。第1の測定装置
が、第1の対象物の第1のマークの位置、及び第2の保
持手段が第1の位置にあるときの第2のマークの位置を
測定する。第2の測定手段が、第2の保持手段が第2の
位置にあるときの第2のマークの位置を測定する。微調
機構が、第1の保持手段に保持された第1の対象物及び
第2の保持手段に保持された第2の対象物の一方を他方
に対して変位させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、位置合わせ装置及
び位置合わせ方法に関し、特に微少間隙を隔てて対向配
置された2つの対象物の位置合わせを行う装置及び位置
合わせ方法に関する。
【0002】
【従来の技術】X線露光や電子線露光において、一般的
に近接露光が用いられる。近接露光では、マスクとウエ
ハとを微少間隙(プロキシミティギャップ)を隔てて配
置し、マスクを通してウエハ表面にX線または電子線を
照射する。マスクとウエハとの位置合わせは、マスクに
形成された位置合わせ用のマスクマークと、ウエハに形
成された位置合わせ用のウエハマークとを同時に観察
し、両者の位置ずれ量を検出することにより行われる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】位置合わせ時に、ウエ
ハマークはマスクを通して観察される。マスクが可視光
を十分透過させる場合には特に問題はないが、可視光の
透過率が低い場合には、十分な明るい像を得ることがで
きず、位置合わせを行うのが困難になる。また、ウエハ
とマスクとの間隙を調節する際に、ウエハがマスクに接
触してしまい、マスクが損傷してしまう場合がある。
【0004】本発明の目的は、マスクの透過率が低い場
合であっても、容易に位置合わせを行うことができ、か
つマスクの破損の生じにくい位置合わせ装置及び位置合
わせ方法を提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の一観点による
と、第1の面上に第1のマークが形成された第1の対象
物を保持する第1の保持手段と、第2の面上に第2のマ
ークが形成された第2の対象物を保持する第2の保持手
段と、前記第2の保持手段に保持された第2の対象物の
第2の面が、前記第1の保持手段に保持された第1の対
象物の第1の面からある間隙を隔てて配置される第1の
位置、及び該第1の面の法線方向に平行な視線で見たと
き、前記第2の保持手段に保持された第2の対象物の少
なくとも一部が、前記第1の保持手段に保持された第1
の対象物と重ならない第2の位置に、前記第2の保持手
段を移動させる移動機構と、前記第1の保持手段に保持
された第1の対象物の第1のマークの位置、及び前記第
2の保持手段が前記第1の位置にあるときに、該第2の
保持手段に保持された第2の対象物の第2の面上の第2
のマークの位置を測定する第1の測定装置と、前記第2
の保持手段が前記第2の位置にあるときに、該第2の保
持手段に保持された第2の対象物の第2の面上の第2の
マークの位置を測定する第2の測定装置と、前記第1の
保持手段に保持された第1の対象物及び前記第2の保持
手段に保持された第2の対象物の一方を他方に対して変
位させる微調機構とを有する位置合わせ装置が提供され
る。
【0006】第2の保持手段に、基準マークが形成され
た部材を保持し、第2の保持手段が第1の位置に配置さ
れている時、及び第2の位置に配置されている時の基準
マークの位置を検出する。両者の位置情報を関連づける
ことにより、第2の保持手段が第2の対象物を保持して
第2の位置に配置されている時の、第2のマークの位置
情報から、第2の保持手段を第1の位置まで移動させた
ときの第2のマークの位置を知ることができる。これに
より、第2の保持手段を第2の位置から第1の位置まで
移動させたときに生ずるであろう第1の対象物と第2の
対象物との相対的な位置関係を、第2の保持手段が第2
の位置に配置されている状態で、調整することができ
る。
【0007】本発明の他の観点によると、(a)第3の
保持手段を第3の位置に配置し、第3の測定装置で、該
第3の保持手段に固定された基準マークの位置を測定す
る工程と、(b)前記第3の保持手段を第4の位置まで
移動させ、第4の測定装置で、該第3の保持手段に固定
された前記基準マークの位置を測定する工程と、(c)
前記工程で得られた前記基準マークの2つの位置情報に
基づいて、前記第3の測定装置で測定される位置情報と
前記第4の測定装置で測定される位置情報とを関連づけ
た位置関係情報を求める工程と、(d)前記第3の位置
に配置されているときの前記第3の保持手段に保持され
た第3の対象物に、ある間隙を隔てて対向するように、
第4の保持手段で第4の対象物を保持する工程と、
(e)前記第4の測定装置で、前記第4の保持手段に保
持された第4の対象物上の第4のマークの位置を測定す
る工程と、(f)第3の対象物を前記第3の保持手段で
保持し、該第3の保持手段を前記第4の位置まで移動さ
せる工程と、(g)前記第3の保持手段が前記第4の位
置まで移動した状態で、該第3の保持手段に保持された
第3の対象物に形成された第3のマークの位置を、前記
第4の測定装置で測定する工程と、(h)前記第3の保
持手段を前記第3の位置まで移動させると共に、前記第
3のマークの位置情報と、前記位置関係情報とに基づい
て、前記第3の対象物及び第4の対象物の一方を他方に
対して相対的に移動させ、両者の位置合わせを行う工程
とを有する位置合わせ方法が提供される。
【0008】第3の保持手段が第4の位置に配置されて
いる状態で、第3のマークの位置が検出される。この状
態では、第4の対象物は第3の対象物に対向配置されて
いない。このため、第4の対象物に遮られることなく、
第3のマークを観察することができる。
【0009】
【発明の実施の形態】本発明の実施例を説明する前に、
図1〜図5を参照して、実施例に関連する本願発明者の
先の提案について説明する。
【0010】図1は、先の提案による位置検出装置の概
略図を示す。先の提案による位置検出装置はウエハ/マ
スク保持部10、光学系20、及び制御装置30を含ん
で構成されている。
【0011】ウエハ/マスク保持部10は、ウエハ保持
台15、マスク保持台16、微調機構17及び18を含
んで構成されている。位置合わせ時には、ウエハ保持台
15の上面にウエハ11を保持し、マスク保持台16の
下面にマスク12を保持する。ウエハ11とマスク12
とは、ウエハ11の露光面とマスク12のウエハ側の面
(マスク面)との間に一定の間隙が形成されるようにほ
ぼ平行に配置される。ウエハ11の露光面には、位置合
わせ用のウエハマークが形成され、マスク12のマスク
面には位置合わせ用のマスクマークが形成されている。
【0012】微調機構17は、ウエハ11とマスク12
との露光面内に関する相対位置が変化するように、ウエ
ハ保持台15若しくはマスク保持台16を移動させるこ
とができる。微調機構18は、ウエハ11の露光面とマ
スク12のマスク面との間隔が変化するように、ウエハ
保持台15を移動させることができる。図の左から右に
X軸、紙面に垂直な方向に表面から裏面に向かってY
軸、露光面の法線方向にZ軸をとると、微調機構17
は、ウエハ11とマスク12の、X軸方向、Y軸方向、
Z軸の回りの回転方向(θz方向)に関する相対位置を
調整し、微調機構18は、Z軸方向、X軸及びY軸の回
りの回転(あおり)方向(θx及びθy方向)の相対位
置を調整する。
【0013】光学系20は、像検出装置21A、21
B、レンズ22、28、ハーフミラー23、26A、光
ファイバ24、ミラー26Bを含んで構成される。光学
系20の光軸25は、ZX面に平行であり、かつ露光面
に対して斜めになるように配置されている。
【0014】光ファイバ24から放射された照明光はハ
ーフミラー23で反射して光軸25に沿った光線束とさ
れ、レンズ22を通して露光面に斜入射される。レンズ
22を透過した照明光は平行光線束もしくは収束光線束
になる。
【0015】ウエハ11及びマスク12に設けられたウ
エハマーク及びマスクマークがエッジ若しくは頂点を有
する場合には、エッジ若しくは頂点で照明光が散乱され
る。散乱光のうちレンズ22に入射する光はレンズ22
で収束され、その一部がハーフミラー23と26Aを透
過して像検出装置21Aの受光面29A上に結像する。
受光面29A上への結像倍率は、例えば20倍である。
散乱光のうちハーフミラー26Aで反射した光は、ミラ
ー26Bで反射し、リレーレンズ28で収束されて像検
出装置21Bの受光面29B上に結像する。受光面29
B上への結像倍率は、例えば80〜100倍である。こ
のように、相互に倍率の異なる2つの観測光学系が配置
されている。
【0016】像検出装置21A及び21Bは、それぞれ
受光面29A及び29B上に結像したウエハ11及びマ
スク12からの散乱光による像を光電変換し画像信号を
得る。これらの画像信号は制御装置30に入力される。
【0017】制御装置30は、像検出装置21A及び2
1Bから入力された画像信号を処理して、ウエハ11と
マスク12との相対位置を検出する。さらに、ウエハ1
1とマスク12が所定の相対位置関係になるように、微
調機構17及び18に対して制御信号を送出する。微調
機構17は、この制御信号に基づいてマスク保持台16
をXY面内で平行移動させ、Z軸の回りに回転させる。
微調機構18は、この制御信号に基づいてウエハ保持台
15をZ軸方向に平行移動させ、X軸とY軸の回りに微
小回転させる。
【0018】図2(A)は、図1のウエハ11及びマス
ク12に形成された位置合わせ用のウエハマーク13
A、13B、及びマスクマーク14の相対位置関係を示
す平面図である。長方形パターンをY軸方向に3個、X
軸方向に14個、行列状に配列して各ウエハマーク13
A及び13Bが形成されている。同様の長方形パターン
をY軸方向に3個、X軸方向に5個、行列状に配置して
1つのマスクマーク14が形成されている。位置合わせ
が完了した状態では、マスクマーク14は、Y軸方向に
関してウエハマーク13Aと13Bとのほぼ中央に配置
される。
【0019】ウエハマーク13A、13B、及びマスク
マーク14の各長方形パターンの長辺はX軸と平行にさ
れ、短辺はY軸と平行にされている。各長方形パターン
の長辺の長さは例えば2μm、短辺の長さは例えば1μ
mであり、各マーク内における長方形パターンのX軸及
びY軸方向の配列ピッチは4μmである。ウエハマーク
13Aと13Bとの中心間距離は56μmである。
【0020】図2(B)は、図2(A)の一点鎖線B2
−B2における断面図を示す。ウエハマーク13A及び
13Bは、例えば露光面上に形成したSiN膜、ポリシ
リコン膜等をパターニングして形成される。マスクマー
ク14は、例えばSiC等からなるメンブレン12のマ
スク面上に形成したTa4B膜をパターニングして形成
される。
【0021】図2(C)は、図2(A)の一点鎖線C2
−C2における断面図を示す。光軸25に沿ってウエハ
マーク13A、13B及びマスクマーク14に入射した
照明光は、図2(C)の各長方形パターンの短辺側のエ
ッジで散乱される。エッジ以外の領域に照射された光は
正反射し、図1のレンズ22には入射しない。従って、
像検出装置21A及び21Bでエッジからの散乱光のみ
を検出することができる。ここで、正反射とは、入射光
のうちほとんどの成分が、同一の反射方向に反射するよ
うな態様の反射をいい、反射角が入射角と等しくなる。
【0022】図1の光学系20の物空間において光軸2
5に垂直な1つの平面上の複数の点からの散乱光が、像
検出装置21A及び21Bの受光面29A及び29B上
に同時に結像する。受光面29A及び29B上に結像し
ている物空間内の物点の集合した平面を「物面」と呼ぶ
こととする。
【0023】図2(C)において、ウエハマーク13
A、13B及びマスクマーク14の各エッジのうち、物
面27上にあるエッジからの散乱光は受光面上に合焦す
るが、物面上にないエッジからの散乱光は合焦せず、エ
ッジの位置が物面から遠ざかるに従って当該エッジから
の散乱光による像のピントが合わなくなる。従って、各
マークのエッジのうち物面に最も近い位置にあるエッジ
からの散乱光による像が最も鮮明になり、物面から離れ
た位置にあるエッジからの散乱光による像はぼける。
【0024】図3は、エッジからの散乱光による受光面
上の像のスケッチである。図3のu軸が図2(C)にお
ける物面27とZX面との交線方向に相当し、V軸が図
2(C)におけるY軸に相当する。ウエハマーク13A
及び13Bからの散乱光による像40A及び40Bがv
軸方向に離れて現れ、その間にマスクマーク14からの
散乱光による像41が現れる。
【0025】各長方形パターンの前方のエッジと後方の
エッジによる散乱光が観測されるため、1つの長方形パ
ターンに対して2つの点状の像が現れる。各像におい
て、図2(C)の物面27近傍のエッジからの散乱光に
よる像がはっきりと現れ、それからu軸方向に離れるに
従ってぼけた像となる。また、図2(C)に示すよう
に、観測光軸25が露光面に対して傾いているため、ウ
エハマークからの散乱光による像40A及び40Bの最
もピントの合っている位置とマスクマークからの散乱光
による像41の最もピントの合っている位置とは、u軸
方向に関して一致しない。
【0026】マスクマークからの散乱光による像41
が、v軸方向に関して像40Aと40Bとの中央に位置
するように、図1のウエハ保持台15とマスク保持台1
6とを移動させることにより、Y軸方向、即ち物面と露
光面との交線方向に関してウエハ11とマスク12との
位置合わせを行うことができる。
【0027】図1に示す位置検出装置では、ウエハマー
ク及びマスクマークを斜方から観測するため、光学系2
0を露光のためのエネルギビーム40の経路内に配置す
る必要がない。このため、露光時に光学系20を露光範
囲外に退避させる必要がない。また、位置合わせ完了後
にウエハを露光する場合、露光中も常時位置検出が可能
である。さらに、照明光軸と観察光軸を同軸にしている
ため、軸ずれがなく常に安定した像を得ることができ
る。
【0028】図4(A)及び図4(B)は、像検出装置
21により得られた画像信号を示す。横軸は図3のv軸
に対応し、縦軸は光強度を表す。なお、この画像信号
は、図3に示す受光面を走査して得られた画像信号のう
ち、像40A及び40Bの最もピントの合っている位置
の走査線と像41の最もピントの合っている位置の走査
線に対応する画像信号を合成したものである。
【0029】図4(A)は、ウエハマークがポリシリコ
ンで形成されている場合、図4(B)はウエハマークが
SiNで形成されている場合を示す。なお、マスクマー
クは、共に、Ta4Bで形成されている。図4(A)及
び図4(B)に示すように、ほぼ中央にマスクマークに
対応する3本のピークが現れ、その両側にウエハマーク
に対応する3本のピークが現れている。
【0030】以下、図4(A)または図4(B)に示す
波形から、マスクマークとウエハマークとの相対位置を
検出する方法の一例を簡単に説明する。まず、マスクマ
ークに対応するピーク波形をv軸方向にずらしながら2
つのウエハマークの各々に対応するピーク波形との相関
係数を計算する。最大の相関係数を与えるずらし量が、
ウエハマークとマスクマークとの中心間距離に対応す
る。
【0031】マスクマークに対応するピーク波形とその
両側のウエハマークの各々に対応するピーク波形との間
隔が等しくなるように、ウエハとマスクとを移動するこ
とにより、図1のY軸方向に関して位置合わせを行うこ
とができる。
【0032】なお、図3に示す2次元の画像信号を、u
軸方向及びv軸方向に平行移動し、マスクマークの像と
ウエハマークの像との相似性パターンマッチングを行う
ことにより、ウエハとマスクとの相対位置を求めてもよ
い。2次元画像のパターンマッチングを行うことによ
り、u軸方向とv軸方向に関する像間の距離を求めるこ
とができる。
【0033】次に、ウエハとマスクとの間隔を測定する
方法について説明する。図3において、ウエハマークか
らの散乱光による像40A、40B内のu軸方向に関し
て最もピントの合っている位置u0が、図2(C)にお
ける物面27と露光面との交線P0に相当する。また、
図3において、マスクマークからの散乱光による像41
のうち、u軸方向に関して最もピントの合っている位置
1が、図2(C)における物面27とマスク面との交
線P1に相当する。例えば、図3に示す2次元画像のパ
ターンマッチングにより位置u0とu1間の距離を求める
ことができる。
【0034】線分P01の長さをL(P01)で表す
と、ウエハ11とマスク12との間隔δは、
【0035】
【数1】δ=L(P01)×sin(α) と表される。ここで、αは露光面の法線方向と光軸25
とのなす角である。従って、図3におけるu軸上の位置
0とu1間の距離L(u01)を測定して線分P 01
長さを求めることにより、間隔δを知ることができる。
【0036】なお、観測された像同士のパターンマッチ
ングを行うのではなく、基準となる像とのパターンマッ
チングを行ってもよい。この場合、所望の相対位置関係
を満たすようにウエハとマスクとを配置した状態におけ
る基準画像信号を、予め記憶しておく。観測されたウエ
ハマークと予め記憶されているウエハマークの像同士の
相似性パターンマッチングを行うことにより、ウエハの
基準位置からのずれ量を求める。同様にマスクの基準位
置からのずれ量を求める。このずれ量から、ウエハとマ
スクの相対位置を知ることができる。
【0037】図1に示すY軸方向に関する位置合わせに
要求される精度は、集積回路装置の集積度向上に伴って
厳しくなっている。例えば、16Gビットの記憶容量を
有するダイナミックRAMの場合、12.5nm程度の
位置合わせ精度が要求される。
【0038】図4に示す画像信号に基づいて位置合わせ
を行うためには、ウエハとマスクとの相対位置合わせが
ある程度の誤差範囲内に納まっていることが好ましい。
しかし、図1に示すウエハ11をウエハ保持台15に保
持し、マスク12をマスク保持台16に、この誤差範囲
内に納まる精度で保持することは困難である。このた
め、ウエハ11とマスク12とを保持した後、この誤差
範囲内に納まるように粗い位置合わせ(コースアライメ
ント)を行うことが好ましい。
【0039】結像倍率の低い受光面29A上の像による
画像信号に基づいて、このコースアライメントを容易に
行うことができる。コースアライメントが完了した後、
結像倍率の高い受光面29B上の像による画像信号に基
づいて、より高精度の位置合わせ(ファインアライメン
ト)を行うことができる。ファインアライメントを行う
前にコースアライメントを行うことにより、ウエハとマ
スクとを保持する時に要求される位置合わせ精度が緩和
される。
【0040】また、集積度向上に伴い、ウエハ11とマ
スク12との間隔も一定に保つことが要求される。この
間隔は、例えば、線幅0.1μmのX線露光の場合に
は、10〜20μm程度であり、±1μm程度の精度が
要求される。結像倍率の低い受光面29A上の像による
画像信号に基づいて、ウエハとマスクとの間隔を検出す
る。
【0041】図1では、照明光の光軸と観測光学系の光
軸とが一致する場合について示したが、照明光の正反射
光が観測光学系20のレンズ22に入射しないような構
成であれば、必ずしも2つの光軸を一致させる必要はな
い。
【0042】次に、図5を参照して、倍率補正量検出方
法ついて説明する。
【0043】図5は、位置合わせすべきウエハ11とマ
スク12、及び光学系の概略平面図を示す。ウエハの露
光すべき表面内に、XY直交座標系を考える。ウエハ1
1の表面上に、第1及び第2のX軸用ウエハマークUX
1及びUX2が形成されている。両者は、X軸方向に関し
て相互に異なる位置に配置されている。さらに、ウエハ
11の表面上に、第1及び第2のY軸用ウエハマークU
1及びUY2が配置されている。両者は、Y軸方向に関
して相互に異なる位置に配置されている。
【0044】マスク12には、第1及び第2のx軸用マ
スクマークMX1及びMX2、第1及び第2のY軸用マス
クマークMY1及びMY2が形成されている。第1及び第
2のX軸用マスクマークMX1及びMX2は、それぞれ第
1及び第2のX軸用ウエハマークUX1及びUX2に対応
する位置に配置され、第1及び第2のY軸用マスクマー
クMY1及びMY2は、それぞれ第1及び第2のY軸用ウ
エハマークUY1及びUY2に対応する位置に配置されて
いる。
【0045】これらのウエハマーク及びマスクマーク
は、図2(A)に示したものと同様の構成を有する。光
学系20X1が、第1のX軸用ウエハマークUX1及び第
1のX軸用マスクマークMX1のX軸方向のずれ量Δx1
を観測する。光学系20X2が、第2のX軸用ウエハマ
ークUX2及び第2のX軸用マスクマークMX2のX軸方
向のずれ量Δx2を観測する。光学系20Y1が、第1の
Y軸用ウエハマークUY 1及び第1のY軸用マスクマー
クMY1のY軸方向のずれ量Δy1を観測する。光学系2
0Y2が、第2のY軸用ウエハマークUY2及び第2のY
軸用マスクマークMY2のY軸方向のずれ量Δy2を観測
する。これら光学系20X1〜20Y2の各々は、図1に
示す光学系20と同様の構成を有する。
【0046】次に、マスク12の倍率補正量を検出する
方法を説明する。最初に、各ウエハマークUX1〜UY2
と、それらに対応するマスクマークMX1〜MY2を観測
し、粗い位置合わせを行う。
【0047】次に、ずれ量Δx1、Δy1、及びΔy2
測定する。ずれ量Δx1に基づいて、ウエハ11とマス
ク12とのX軸方向の相対位置を調節する。より具体的
には、ずれ量Δx1が0になるように、ウエハ11に対
してマスク12をX軸方向に移動させる。
【0048】ずれ量Δy1及びΔy2に基づいて、ウエハ
11とマスク12とのY軸方向の相対位置を調節する。
例えば、(Δy1+Δy2)/2が0になるように、ウエ
ハ11に対してマスク12をY軸方向に移動させる。さ
らに、ずれ量Δy1及びΔy2に基づいて、ウエハ11と
マスク12との面内回転方向の相対位置を調節する。例
えば、tan-1〔(Δy1−Δy2)/Lx〕から求まる
角度だけ、マスク12を面内方向に回転させる。
【0049】ここまでの操作により、X軸方向に関して
は、第1のX軸用ウエハマークUX 1が形成されている
位置において、ウエハ11とマスク12との位置が整合
する。マスク12が熱膨張等により変形している場合、
その他の位置においては、両者の位置がマスクの変形量
だけずれる。Y軸方向に関しては、第1のY軸用ウエハ
マークUY1と第2のY軸用ウエハマークUY2とが配置
されている位置のほぼ中央の位置において、ウエハ11
とマスク12との位置が整合する。
【0050】次に、ずれ量Δx2を測定する。ずれ量Δ
2が0でない場合には、長さLxに対してずれ量Δx2
だけ、マスク12がX軸方向に歪んでいることになる。
すなわち、Δx2/Lxから、X軸方向の倍率補正量を
求めることができる。
【0051】次に、ずれ量Δx1、Δx2、及びΔy1
測定する。なお、ここまでの工程で、ずれ量Δx1を0
とし、そのときのずれ量Δx2を測定しているため、再
度測定し直さなくてもよい。Y軸方向に関しては、ずれ
量Δy1を測定した後、マスク12をY軸方向に移動さ
せているため、再度ずれ量Δy1を測定する必要があ
る。
【0052】ずれ量Δy1に基づいて、ウエハ11とマ
スク12とのY軸方向の相対位置を調節する。より具体
的には、ずれ量Δy1が0になるように、ウエハ11に
対してマスク12をY軸方向に移動させる。
【0053】ずれ量Δx1及びΔx2に基づいて、ウエハ
11とマスク12とのX軸方向の相対位置を調節する。
例えば、(Δx1+Δx2)/2が0になるように、ウエ
ハ11に対してマスク12をX軸方向に移動させる。さ
らに、ずれ量Δx1及びΔx2に基づいて、ウエハ11と
マスク12との面内回転方向の相対位置を調節する。例
えば、tan-1〔(Δx1−Δx2)/Ly〕から求まる
角度だけ、マスク12を面内方向に回転させる。
【0054】ここまでの操作により、Y軸方向に関して
は、第1のY軸用ウエハマークUY 1が形成されている
位置において、ウエハ11とマスク12との位置が整合
する。マスク12が熱膨張等により変形している場合、
その他の位置においては、両者の位置がマスクの変形量
だけずれる。X軸方向に関しては、第1のX軸用ウエハ
マークUX1と第2のX軸用ウエハマークUX2とが配置
されている位置のほぼ中央の位置に置いて、ウエハ11
とマスク12との位置が整合する。
【0055】次に、ずれ量Δy2を測定する。ずれ量Δ
2が0でない場合には、長さLyに対してずれ量Δy2
だけ、マスク12がY軸方向に歪んでいることになる。
すなわち、Δy2/Lyから、Y軸方向の倍率補正量を
求めることができる。
【0056】X軸方向及びY軸方向の倍率補正量が求ま
ると、この補正量に基づいてマスク12の倍率補正を行
う。
【0057】倍率補正は、例えば、マスクを局所的に加
熱して熱変形させることにより行われる。加熱部位を適
当に選択することにより、X軸方向またはY軸方向にほ
ぼ独立に変形させることができる(島津らによる「X線
マスク熱変形補正による合わせ法の提案」、1997年
秋期第58回応用物理学会学術講演予稿集、講演番号4
p−ZL−8、第700頁参照)。または、マスクに外
部から応力を加えてマスクを変形させてもよい。マスク
の倍率補正を行った後、露光を行う。なお、倍率補正後
に、再度微細な位置合わせを行ってもよい。
【0058】次に、図6を参照して、本発明の実施例に
よる位置合わせ装置について説明する。
【0059】基台50の上に、リニアガイド51が取り
付けられ、移動機構52が、リニアガイド51に沿って
並進移動する。移動機構52に、微調機構17及び18
を介してウエハ保持台15が取り付けられている。ウエ
ハ保持台15が、その上面にウエハ11を保持する。ウ
エハ保持台15の上方にマスク保持台16が配置されて
いる。マスク保持台16は、その下面にマスク12を保
持する。微調機構17、18、ウエハ保持台15、及び
マスク保持台16の構成は、図1に示した先の提案によ
る位置合わせ装置の構成と同様である。図6に示した位
置合わせ装置においても、図1に示したXYZ直交座標
系と同様の座標系を考える。リニアガイド51は、移動
機構52をY軸に平行な方向に案内する。
【0060】移動機構52は、ウエハ保持台15を、ウ
エハ11がマスク12に対向する露光位置53から待避
位置54まで移動させることができる。ウエハ保持台1
5が待避位置54に配置されると、ウエハ保持台15に
保持されたウエハ11は、Z軸に平行な視線で見た時、
マスク保持台16に保持されたマスク12と重ならない
ように配置される。
【0061】マスク保持台16の上方に光学系20X1
及び20X2が配置されている。光学系20X1及び20
2の各々は、図1に示した光学系20と同様のもので
ある。なお、図6では、2つの光学系しか示されていな
いが、実際には、図5に示したように、4つの光学系2
0X1、20X2、20Y1、及び20Y2が配置されてい
る。これらの光学系20X1、20X2、20Y1、及び
20Y2は、マスク12に形成されたマスクマークの位
置を検出するとともに、ウエハ保持台15が露光位置5
3に配置されている状態で、ウエハ11の露光面に形成
されたウエハマークの位置を検出する。これらのマーク
の位置検出方法は、図3及び図4を参照して説明したの
で、ここでは説明を省略する。さらに、図2(C)及び
図3を参照して説明したように、マスク12とウエハ1
1とのギャップを測定することができる。
【0062】なお、図3では、ウエハマークの像40A
及び40Bと、マスクマークの像41とが、同時に観測
される場合を説明したが、両者は必ずしも同時に観測さ
れる必要はない。例えば、マスク12がマスク保持台1
6に保持されていない状態で、ウエハマークの像41の
みを観測して、最もピントの合っている位置u1を検出
する。次に、マスク12を取り付けて、マスクマークの
像40A及び40Bを観測して、最もピントの合ってい
る位置u0を検出する。マスク12を取り付ける前後
で、ウエハ11のZ軸方向の位置(高さ)が変化しない
ならば、異なる時期に測定された位置u0とu1とから、
マスク12とウエハ11とのギャップを求めることがで
きる。X軸方向及びY軸方向の位置も、異なる時期に測
定することが可能である。
【0063】移動機構52が待避位置54に配置されて
いるときのウエハ保持台15の上方に、光学系60
1、60X2、60Y1、及び60Y2が配置されてい
る。光学系60X1、60X2、60Y1、及び60Y
2は、それぞれ光学系20X1、20X2、20Y1、及び
20Y2と同様の構成及び機能を有する。
【0064】光学系20X1、20X2、20Y1、20
2、60X1、60X2、60Y1、及び60Y2の測定
結果が、制御装置に30に入力される。制御装置30
は、測定結果を記憶装置30Aに記憶する。記憶装置3
0Aは、例えば半導体メモリで構成される。さらに、制
御装置30は、微調機構17、18、及び移動機構52
を制御する。
【0065】次に、図7〜図10を参照して、本発明の
実施例による位置合わせ方法について説明する。図7〜
図10は、マスク保持台16、ウエハ保持台15、及び
光学系20X1、20X2、20Y1、20Y2、60
1、60X2、60Y1、及び60Y2の配置を示す平面
図である。
【0066】図7に示すように、ウエハ保持台15にダ
ミーウエハ55を保持し露光位置53に配置する。この
とき、マスクは未だマスク保持台16に保持されていな
い。ダミーウエハ55の表面上に、4つの基準マーク5
6X1、56X2、56Y1、及び56Y2が形成されてい
る。基準マーク56X1、56X2、56Y1、及び56
2の各々は、図2(A)に示したウエハマーク13A
及び13Bと同様の構成を有し、それぞれ図5に示した
ウエハマークUX1、UX2、UY1、及びUY2に対応す
る。光学系20X1〜20Y2で、それぞれ基準マーク5
6X1〜56Y2の位置を測定する。
【0067】以下、基準マーク56X1を取り上げて説
明するが、その他の基準マーク56X2、56Y1及び5
6Y2についても以下の説明と同様の手順を実行する。
【0068】基準マーク56X1の中心のX座標をx1
し、Z軸方向の高さをz1とする。ウエハ保持台15
を、待避位置54まで移動させる。光学系60X1で、
基準マーク56X1の位置を測定する。基準マーク56
1のX座標をx2とし、Z軸方向の高さをz2とする。
ウエハ保持台15をY軸方向に移動させたとき、X軸方
向及びZ軸方向への変位がなく、かつ光学系20X1
観測座標と光学系60X1の観測座標との相対関係が調
整済みであれば、x1=x2、かつz1=z2になるが、一
般的には、x1≠x2、かつz1≠z2となる。
【0069】位置関係情報Δx、Δzを、それぞれΔx
=x1−x2、Δz=z1−z2と定義する。位置関係情報
Δx及びΔzは、図6に示した記憶装置30Aに記憶さ
れる。基準マーク56X1〜56Y2の位置を測定した
後、ダミーウエハ55をウエハ保持台15から取り外
す。
【0070】図8に示すように、マスク保持台16にマ
スク12を保持する。マスク12のマスク面に、マスク
マーク57X1、57X2、57Y1、及び57Y2が形成
されている。マスクマーク57X1、57X2、57
1、及び57Y2の各々は、図2(A)に示したウエハ
マーク14と同様の構成を有し、それぞれ図5に示した
マスクマークMX1、MX2、MY1、及びMY2に対応す
る。
【0071】光学系20X1で、マスクマーク57X1
X軸方向に関する位置、及びZ軸方向の高さを測定す
る。マスクマーク57X1のX座標をx0、Z軸方向の高
さをz 0とし、両者を記憶装置30Aに記憶させる。他
のマスクマーク57X2、57Y 1、及び57Y2につい
ても同様の手順を実行する。
【0072】図9に示すように、ウエハ保持台15にウ
エハ11を保持し、待避位置54に配置する。ウエハ1
1の露光面に、複数の単位露光領域11Aが画定されて
いる。単位露光領域11Aごとに、位置合わせ及び露光
が行われる。
【0073】単位露光領域11Aの各々に、4つのウエ
ハマーク58X1、58X2、58Y 1、及び58Y2が形
成されている。光学系60X1でウエハマーク58X1
位置を測定する。ウエハマーク58X1のX座標をx3
Z軸方向の高さをz3とする。他のウエハマーク58
2、58Y1、及び58Y2についても同様の手順を実
行する。
【0074】ウエハ保持台15を露光位置53まで移動
させると、ウエハマーク58X1とマスクマーク57X1
とのX軸方向の位置ずれ量はx0−(x3−Δx)とな
り、ウエハマーク58X1が形成された位置におけるマ
スクとウエハとの間隙の大きさは、z0−(z3−Δz)
となる。同様に、ウエハマーク58X2とマスクマーク
57X2とのX軸方向の位置ずれ量、ウエハマーク58
1とマスクマーク57Y1とのY軸方向の位置ずれ量、
及びウエハマーク58Y2とマスクマーク57Y 2とのY
軸方向の位置ずれ量が求まる。さらに、これらのマーク
が形成された位置におけるウエハとマスクとの間隙の大
きさが求まる。
【0075】これらの情報から、ウエハとマスクとの位
置合わせを行うためのX軸、Y軸方向の移動量、及びθ
z方向の回転角度を求めることができる。これにより、
ウエハとマスクとの位置合わせを行うことができる。ウ
エハ保持台15が待避位置54に配置されている状態で
微調機構17及び18を動作させ、位置合わせを行う。
【0076】図10に示すように、ウエハ保持台15を
露光位置53まで移動させる。待避位置54で位置合わ
せが行われているため、ウエハ保持台15を露光位置5
3まで移動させた状態で、既にウエハとマスクとの位置
合わせは完了している。
【0077】上記実施例では、図9に示したように、ウ
エハマークを、マスクを介することなく直接観察するこ
とができる。このため、マスクの透過率が低い場合であ
っても、ウエハマークの位置を容易に検出することがで
きる。また、ウエハ保持台15が待避位置54に配置さ
れている状態で位置合わせが行われるため、ウエハがマ
スクに接触することによるマスクの破損を防止すること
ができる。
【0078】上記実施例では、ダミーウエハ55を用い
て位置関係情報Δx及びΔzを求めたが、ダミーウエハ
55の代わりに、実際に露光すべきウエハを用いて位置
関係情報Δx及びΔzを求めることも可能である。例え
ば、決められた期間ごとに、最初に処理されるウエハを
用いて位置関係情報を求めてもよい。2枚目以降のウエ
ハを処理する際には、1枚目のウエハを用いて得られた
位置関係情報を利用して、マスクとウエハとの位置合わ
せが行なわれる。
【0079】次に、図11を参照して、本発明の他の実
施例による位置合わせ装置について説明する。
【0080】図11(A)は、他の実施例による位置合
わせ装置のウエハ保持台及びそれに取り付けられたター
ゲットステージの平面図を示し、図11(B)は、その
一点鎖線B11−B11における断面図を示す。
【0081】図11(B)に示すように、ターゲットス
テージ70が、リニアアクチュエータ71及び接続部材
73を介してウエハ保持台15に取り付けられている。
ターゲットステージ70は、ウエハ保持台15に保持さ
れたウエハ11の露光面に平行なターゲット面70Aを
有する。リニアアクチュエータ71は、ターゲット70
をZ軸方向に変位させ、ターゲット面70Aがウエハ1
1の露光面と同じ高さになるように調整することができ
る。
【0082】図11(A)に示すように、ターゲット面
70A上に、基準マーク72X1、72X2、72Y1
及び72Y2が形成されている。これらの基準マーク
は、図7に示したダミーウエハ55に形成されていた基
準マーク56X1〜56Y2と同様のものである。図7を
参照して説明した手順におけるダミーウエハ55の基準
マーク56X1〜56Y2の代わりにターゲット70の基
準マーク72X1〜72Y2を用いて、位置関係情報Δx
及びΔzを求めることができる。このとき、ターゲット
面70Aの高さをウエハ11の露光面と同一の高さにし
ておくことが好ましい。
【0083】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
【0084】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ウエハの露光面に形成されたウエハマークを、マスクを
通すことなく直接観察し、その位置を検出することがで
きる。また、マスクの配置されていない待避位置で、ウ
エハとマスクとの間隙の調節を行うことができるため、
ウエハがマスクに接触することによるマスクの破損を防
止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】先の提案による位置合わせ装置の概略を示す断
面図である。
【図2】ウエハマークとマスクマークの平面図及び断面
図である。
【図3】ウエハマークとマスクマークからの散乱光によ
る像をスケッチした図である。
【図4】図1に示す位置検出装置により得られた散乱光
による像の画像信号の一例を示すグラフである。
【図5】先の提案による位置検出装置におけるウエハ、
マスク及び光学系の配置を説明するための平面図であ
る。
【図6】実施例による位置合わせ装置の主要部の概略断
面図である。
【図7】実施例による位置合わせ方法を説明するための
ダミーウエハ、それを保持するウエハ保持台、及び光学
系の位置関係を示す概略平面図である。
【図8】実施例による位置合わせ方法を説明するための
マスク及び光学系の位置関係を示す概略平面図である。
【図9】実施例による位置合わせ方法を説明するための
ウエハ、それを保持するウエハ保持台、及び光学系の位
置関係を示す概略平面図である。
【図10】実施例による位置合わせ方法を説明するため
のマスク、ウエハ、及び光学系の位置関係を示す概略平
面図である。
【図11】他の実施例による位置合わせ装置のウエハ保
持台及びターゲットの平面図及び断面図である。
【符号の説明】
10 ウエハ/マスク保持部 11 ウエハ 12 マスク 13A、13B ウエハマーク 14 マスクマーク 15 ウエハ保持台 16 マスク保持台 17、18 微調機構 20、60 光学系 21A、21B 像検出装置 22 レンズ 23、26A ハーフミラー 24 光ファイバ 25 光軸 26B ミラー 27 物面 28 リレーレンズ 29A、29B 結像面 30 制御装置 31 変形補償手段 40A、40B ウエハマークからの散乱光による像 41 マスクマークからの散乱光による像 50 基台 51 リニアガイド 52 移動機構 53 露光位置 54 退避位置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/30 541K Fターム(参考) 2F065 AA20 BB27 CC20 FF01 FF04 JJ03 JJ05 JJ08 LL02 LL04 PP12 QQ31 UU02 5F031 CA02 JA38 JA50 MA27 5F046 BA02 CC01 CC03 DA16 EA04 EA09 EB01 EB02 ED01 FA10 FA17 FC04 FC06 FC07 GA02 GA18 5F056 AA25 BD05 CC07 FA06

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1の面上に第1のマークが形成された
    第1の対象物を保持する第1の保持手段と、 第2の面上に第2のマークが形成された第2の対象物を
    保持する第2の保持手段と、 前記第2の保持手段に保持された第2の対象物の第2の
    面が、前記第1の保持手段に保持された第1の対象物の
    第1の面からある間隙を隔てて配置される第1の位置、
    及び該第1の面の法線方向に平行な視線で見たとき、前
    記第2の保持手段に保持された第2の対象物の少なくと
    も一部が、前記第1の保持手段に保持された第1の対象
    物と重ならない第2の位置に、前記第2の保持手段を移
    動させる移動機構と、 前記第1の保持手段に保持された第1の対象物の第1の
    マークの位置、及び前記第2の保持手段が前記第1の位
    置にあるときに、該第2の保持手段に保持された第2の
    対象物の第2の面上の第2のマークの位置を測定する第
    1の測定装置と、 前記第2の保持手段が前記第2の位置にあるときに、該
    第2の保持手段に保持された第2の対象物の第2の面上
    の第2のマークの位置を測定する第2の測定装置と、 前記第1の保持手段に保持された第1の対象物及び前記
    第2の保持手段に保持された第2の対象物の一方を他方
    に対して変位させる微調機構とを有する位置合わせ装
    置。
  2. 【請求項2】 前記移動機構が、前記第1の保持手段に
    保持された第1の対象物の第1の面に平行な直線に沿っ
    て、前記第2の保持手段を並進移動させる請求項1に記
    載の位置合わせ装置。
  3. 【請求項3】 前記第1の測定装置が、前記第1の保持
    手段に保持された第1の対象物の第1の面に平行な方
    向、及び垂直な方向に関して、マークの位置を測定する
    ことができ、前記第2の測定装置が、前記第2の保持手
    段に保持された第2の対象物の第2の面に平行な方向、
    及び垂直な方向に関して、マークの位置を測定すること
    ができる請求項1または2に記載の位置合わせ装置。
  4. 【請求項4】 さらに、前記移動機構を駆動すると、前
    記第2の保持手段と共に移動し、該第2の保持手段に保
    持された第2の対象物の第2の面と同一方向を向くター
    ゲット面、及び該ターゲット面上に形成された基準マー
    クを有し、該基準マークの位置が、前記第1及び第2の
    測定装置で測定可能であるステージターゲットを有する
    請求項1〜3のいずれかに記載の位置合わせ装置。
  5. 【請求項5】 さらに、前記第2の保持手段が前記第1
    の位置にあるときに、該第2の保持手段に固定された前
    記第2の対象物の第2のマークを、前記第1の測定装置
    で測定して得られた第1の位置情報と、該第2の保持手
    段を前記第2の位置まで移動させたときに、前記第2の
    測定装置で測定された該第2のマークの第2の位置情報
    とに基づいて、前記移動機構及び前記微調機構を駆動す
    る制御手段を有する請求項1〜3のいずれかに記載の位
    置合わせ装置。
  6. 【請求項6】 前記制御手段は、前記第1の位置情報と
    前記第2の位置情報とから求められた位置関係情報を記
    憶する記憶手段を有する請求項5に記載の位置合わせ装
    置。
  7. 【請求項7】 さらに、前記第2の保持手段が前記第1
    の位置にあるときに、該第2の保持手段に固定された基
    準マークを、前記第1の測定装置で測定して得られた第
    1の位置情報と、該第2の保持手段を前記第2の位置ま
    で移動させたときに、前記第2の測定装置で測定された
    該基準マークの第2の位置情報とに基づいて、前記移動
    機構及び前記微調機構を駆動する請求項4に記載の位置
    合わせ装置。
  8. 【請求項8】 前記制御手段は、前記第1の位置情報と
    前記第2の位置情報とから求められた位置関係情報を記
    憶する記憶手段を有する請求項7に記載の位置合わせ装
    置。
  9. 【請求項9】 (a)第3の保持手段を第3の位置に配
    置し、第3の測定装置で、該第3の保持手段に固定され
    た基準マークの位置を測定する工程と、 (b)前記第3の保持手段を第4の位置まで移動させ、
    第4の測定装置で、該第3の保持手段に固定された前記
    基準マークの位置を測定する工程と、 (c)前記工程で得られた前記基準マークの2つの位置
    情報に基づいて、前記第3の測定装置で測定される位置
    情報と前記第4の測定装置で測定される位置情報とを関
    連づけた位置関係情報を求める工程と、 (d)前記第3の位置に配置されているときの前記第3
    の保持手段に保持された第3の対象物に、ある間隙を隔
    てて対向するように、第4の保持手段で第4の対象物を
    保持する工程と、 (e)前記第4の測定装置で、前記第4の保持手段に保
    持された第4の対象物上の第4のマークの位置を測定す
    る工程と、 (f)第3の対象物を前記第3の保持手段で保持し、該
    第3の保持手段を前記第4の位置まで移動させる工程
    と、 (g)前記第3の保持手段が前記第4の位置まで移動し
    た状態で、該第3の保持手段に保持された第3の対象物
    に形成された第3のマークの位置を、前記第4の測定装
    置で測定する工程と、 (h)前記第3の保持手段を前記第3の位置まで移動さ
    せると共に、前記第3のマークの位置情報と、前記位置
    関係情報とに基づいて、前記第3の対象物及び第4の対
    象物の一方を他方に対して相対的に移動させ、両者の位
    置合わせを行う工程とを有する位置合わせ方法。
  10. 【請求項10】 前記両者の位置合わせを行う工程にお
    いて、前記第3のマークの位置情報と、前記位置関係情
    報とに基づいて、前記第3の対象物を変位させ、その
    後、前記第3の保持手段を前記第3の位置まで移動させ
    る請求項9に記載の位置合わせ方法。
  11. 【請求項11】 前記工程(a)が、 前記基準マークが設けられた第5の対象物を前記第3の
    保持手段に保持する工程と、 前記第3の保持手段に保持された前記第5の対象物に設
    けられた前記基準マークの位置を測定する工程とを含む
    請求項10に記載の位置合わせ方法。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007512694A (ja) * 2003-11-28 2007-05-17 ズス・マイクロテック・リソグラフィ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング マスク位置調節装置における直接的アライメント
JP2009260273A (ja) * 2008-03-21 2009-11-05 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置の較正用基板及び描画方法
JP2009302531A (ja) * 2008-06-02 2009-12-24 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2012089575A (ja) * 2010-10-15 2012-05-10 Canon Inc リソグラフィ装置及び物品の製造方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007512694A (ja) * 2003-11-28 2007-05-17 ズス・マイクロテック・リソグラフィ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング マスク位置調節装置における直接的アライメント
JP2009260273A (ja) * 2008-03-21 2009-11-05 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置の較正用基板及び描画方法
JP2009302531A (ja) * 2008-06-02 2009-12-24 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2010034516A (ja) * 2008-06-02 2010-02-12 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
US8264671B2 (en) 2008-06-02 2012-09-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8446564B2 (en) 2008-06-02 2013-05-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8477289B2 (en) 2008-06-02 2013-07-02 Asml Netherlands B.V. Position measurement using natural frequency vibration of a pattern
JP2012089575A (ja) * 2010-10-15 2012-05-10 Canon Inc リソグラフィ装置及び物品の製造方法

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