JP2000353647A - マスクとウエハの倍率補正量検出方法及び位置合わせ装置 - Google Patents

マスクとウエハの倍率補正量検出方法及び位置合わせ装置

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JP2000353647A
JP2000353647A JP11165646A JP16564699A JP2000353647A JP 2000353647 A JP2000353647 A JP 2000353647A JP 11165646 A JP11165646 A JP 11165646A JP 16564699 A JP16564699 A JP 16564699A JP 2000353647 A JP2000353647 A JP 2000353647A
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wafer
mask
axis
mark
axis direction
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JP11165646A
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English (en)
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Tsutomu Miyatake
勤 宮武
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Sumitomo Heavy Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Heavy Industries Ltd
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 斜方検出法にも適用可能な倍率補正量の検出
方法を提供する。 【解決手段】 ウエハとマスクとの粗い位置合わせを行
う。ウエハの表面に平行なxy直交座標系を考えたと
き、ウエハの表面上のx座標の異なる位置に、位置合わ
せ用の2つのx軸用マークが配置され、y座標の異なる
位置に2つのy軸用マークが配置されている。マスクに
も、これらのマークの各々に対応する位置にマークが配
置されている。1つのx軸用マークとそれに対応するマ
スクのマークとのx軸方向の位置合わせ誤差Δx1に基
づいてx軸方向の相対位置を調節する。2つのy軸用マ
ークとそれに対応するマスクのマークとのy軸方向の位
置合わせ誤差Δy1及びΔy2に基づいてy軸方向の相対
位置を調節する。他のx軸用マークとそれに対応するマ
スクのマークとのx軸方向の位置合わせ誤差Δx2に基
づいて、マスクのx軸方向の倍率補正量を求める。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハとマスクの
位置合わせ用のマークを観測し、マスクの倍率補正量を
検出する方法、及び倍率補正量を検出できる位置合わせ
装置に関し、特に斜方からアライメントマークを観測す
る斜方検出法に適した倍率補正量検出方法及び位置合わ
せ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】レンズ系と画像処理系とを組み合わせた
アライメント装置を用いてウエハとマスクとの位置合わ
せを行う方法として、垂直検出法と斜方検出法が知られ
ている。垂直検出法は、アライメントマークをマスク面
に垂直な方向から観測する方法であり、斜方検出法は、
斜めから観測する方法である。
【0003】垂直検出法で用いられる合焦方法として、
色収差二重焦点法が知られている。色収差二重焦点法
は、マスクに形成されたマスクマークとウエハに形成さ
れたウエハマーク(ウエハマークとマスクマークとを総
称してアライメントマークと呼ぶ。)とを異なる波長の
光で観測し、レンズ系の色収差を利用してウエハマーク
とマスクマークの像を同一平面上に結像させる方法であ
る。色収差二重焦点法は、原理的にレンズの光学的な分
解能を高く設定できるため、絶対的な位置検出精度を高
めることができる。
【0004】一方、アライメントマークを垂直方向から
観測するために、観測のための光学系が露光領域に入り
込む。このままで露光すると、光学系が露光光を遮るこ
とになるため、露光時には光学系を露光領域から退避さ
せる必要がある。退避させるための移動時間が必要にな
るため、スループットが低下する。また、露光時にアラ
イメントマークを観測できないため位置検出ができなく
なる。これは、露光中のアライメント精度低下の原因に
なる。
【0005】斜方検出法は、光軸がマスク面に対して斜
めになるように光学系を配置するため、露光光を遮らな
いように配置することができる。このため、露光中に光
学系を退避させる必要がなく、露光中でもアライメント
マークを観測することができる。従って、スループット
を低下させることなく、かつ露光中の位置ずれを防止す
ることができる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】斜方検出法を用いた位
置合わせにおいて、マスクの倍率誤差を測定し、倍率補
正を行う技術は、未だ十分に確立されているとはいえな
い。
【0007】本発明の目的は、斜方検出法にも適用可能
な倍率補正量の検出方法を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の一観点による
と、ウエハとマスクとを、両者がある間隙を隔てて対向
するように配置して、粗い位置合わせを行う工程であっ
て、該ウエハの表面に平行なxy直交座標系を考えたと
き、該ウエハの表面上のx座標の異なる位置に、位置合
わせ用の第1のx軸用ウエハマークと第2のx軸用ウエ
ハマークが配置され、y座標の異なる位置に第1のy軸
用ウエハマークと第2のy軸用ウエハマークが配置さ
れ、該マスクの、前記第1及び第2のx軸用ウエハマー
ク、前記第1及び第2のy軸用ウエハマークの各々に対
応する位置にマスクマークが配置されており、各マスク
マークが、対応するウエハマークの位置にほぼ整合する
ように粗い位置合わせを行う工程と、前記第1のx軸用
ウエハマークとそれに対応するマスクマークとのx軸方
向の位置合わせ誤差Δx1、前記第1のy軸用ウエハマ
ークとそれに対応するマスクマークとのy軸方向の位置
合わせ誤差Δy1、及び前記第2のy軸用ウエハマーク
とそれに対応するマスクマークとのy軸方向の位置合わ
せ誤差Δy2を検出する第1の検出工程と、前記第1の
検出工程で検出された誤差Δx1に基づいて、前記ウエ
ハとマスクとのx軸方向の相対位置を調節し、前記第1
の検出工程で検出された誤差Δy1及びΔy2に基づい
て、前記ウエハとマスクとのy軸方向の相対位置を調節
する第1回目の微細位置合わせ工程と、前記第2のx軸
用ウエハマークとそれに対応するマスクマークとのx軸
方向の位置合わせ誤差Δx2を測定し、測定された誤差
Δx2に基づいて、前記マスクのx軸方向の倍率補正量
を求める工程とを有する倍率補正量検出方法が提供され
る。
【0009】2つのx軸用マークのうち一方のマークを
基準としてx軸方向の位置合わせを行うことにより、他
方のマークのずれ量から容易に倍率補正量を求めること
ができる。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明の実施例を説明する前に、
実施例に関連する本願発明者の先の提案について説明す
る。
【0011】図1は、先の提案による位置検出装置の概
略図を示す。先の提案による位置検出装置はウエハ/マ
スク保持部10、光学系20、及び制御装置30を含ん
で構成されている。
【0012】ウエハ/マスク保持部10は、ウエハ保持
台15、マスク保持台16、駆動機構17及び18を含
んで構成されている。位置合わせ時には、ウエハ保持台
15の上面にウエハ11を保持し、マスク保持台16の
下面にマスク12を保持する。ウエハ11とマスク12
とは、ウエハ11の露光面とマスク12のウエハ側の面
(マスク面)との間に一定の間隙が形成されるようにほ
ぼ平行に配置される。ウエハ11の露光面には、位置合
わせ用のウエハマークが形成され、マスク12のマスク
面には位置合わせ用のマスクマークが形成されている。
【0013】駆動機構17は、ウエハ11とマスク12
との露光面内に関する相対位置が変化するように、ウエ
ハ保持台15若しくはマスク保持台16を移動させるこ
とができる。駆動機構18は、ウエハ11の露光面とマ
スク12のマスク面との間隔が変化するように、ウエハ
保持台15を移動させることができる。図の左から右に
x軸、紙面に垂直な方向に表面から裏面に向かってy
軸、露光面の法線方向にz軸をとると、駆動機構17
は、ウエハ11とマスク12の、x軸方向、y軸方向、
z軸の回りの回転方向(θz方向)に関する相対位置を
調整し、駆動機構18は、z軸方向、x軸及びy軸の回
りの回転(あおり)方向(θx及びθy方向)の相対位
置を調整する。
【0014】光学系20は、像検出装置21A、21
B、レンズ22、28、ハーフミラー23、26A、光
ファイバ24、ミラー26Bを含んで構成される。光学
系20の光軸25は、xz面に平行であり、かつ露光面
に対して斜めになるように配置されている。
【0015】光ファイバ24から放射された照明光はハ
ーフミラー23で反射して光軸25に沿った光線束とさ
れ、レンズ22を通して露光面に斜入射される。レンズ
22を透過した照明光は平行光線束もしくは収束光線束
になる。
【0016】ウエハ11及びマスク12に設けられたウ
エハマーク及びマスクマークがエッジ若しくは頂点を有
する場合には、エッジ若しくは頂点で照明光が散乱され
る。散乱光のうちレンズ22に入射する光はレンズ22
で収束され、その一部がハーフミラー23と26Aを透
過して像検出装置21Aの受光面29A上に結像する。
受光面29A上への結像倍率は、例えば20倍である。
散乱光のうちハーフミラー26Aで反射した光は、ミラ
ー26Bで反射し、リレーレンズ28で収束されて像検
出装置21Bの受光面29B上に結像する。受光面29
B上への結像倍率は、例えば80〜100倍である。こ
のように、相互に倍率の異なる2つの観測光学系が配置
されている。
【0017】像検出装置21A及び21Bは、それぞれ
受光面29A及び29B上に結像したウエハ11及びマ
スク12からの散乱光による像を光電変換し画像信号を
得る。これらの画像信号は制御装置30に入力される。
【0018】制御装置30は、像検出装置21A及び2
1Bから入力された画像信号を処理して、ウエハ11と
マスク12との相対位置を検出する。さらに、ウエハ1
1とマスク12が所定の相対位置関係になるように、駆
動機構17及び18に対して制御信号を送出する。駆動
機構17は、この制御信号に基づいてマスク保持台16
をxy面内で平行移動させ、z軸の回りに回転させる。
駆動機構18は、この制御信号に基づいてウエハ保持台
15をz軸方向に平行移動させ、x軸とy軸の回りに微
小回転させる。
【0019】図2(A)は、図1のウエハ11及びマス
ク12に形成された位置合わせ用のウエハマーク13
A、13B、及びマスクマーク14の相対位置関係を示
す平面図である。長方形パターンをy軸方向に3個、x
軸方向に14個、行列状に配列して各ウエハマーク13
A及び13Bが形成されている。同様の長方形パターン
をy軸方向に3個、x軸方向に5個、行列状に配置して
1つのマスクマーク14が形成されている。位置合わせ
が完了した状態では、マスクマーク14は、y軸方向に
関してウエハマーク13Aと13Bとのほぼ中央に配置
される。
【0020】ウエハマーク13A、13B、及びマスク
マーク14の各長方形パターンの長辺はx軸と平行にさ
れ、短辺はy軸と平行にされている。各長方形パターン
の長辺の長さは例えば2μm、短辺の長さは例えば1μ
mであり、各マーク内における長方形パターンのx軸及
びy軸方向の配列ピッチは4μmである。ウエハマーク
13Aと13Bとの中心間距離は56μmである。
【0021】図2(B)は、図2(A)の一点鎖線B2
−B2における断面図を示す。ウエハマーク13A及び
13Bは、例えば露光面上に形成したSiN膜、ポリシ
リコン膜等をパターニングして形成される。マスクマー
ク14は、例えばSiC等からなるメンブレン12のマ
スク面上に形成したTa4B膜をパターニングして形成
される。
【0022】図2(C)は、図2(A)の一点鎖線C2
−C2における断面図を示す。光軸25に沿ってウエハ
マーク13A、13B及びマスクマーク14に入射した
照明光は、図2(C)の各長方形パターンの短辺側のエ
ッジで散乱される。エッジ以外の領域に照射された光は
正反射し、図1のレンズ22には入射しない。従って、
像検出装置21A及び21Bでエッジからの散乱光のみ
を検出することができる。ここで、正反射とは、入射光
のうちほとんどの成分が、同一の反射方向に反射するよ
うな態様の反射をいう。
【0023】図1の光学系20の物空間において光軸2
5に垂直な1つの平面上の複数の点からの散乱光が、像
検出装置21A及び21Bの受光面29A及び29B上
に同時に結像する。受光面29A及び29B上に結像し
ている物空間内の物点の集合した平面を「物面」と呼ぶ
こととする。
【0024】図2(C)において、ウエハマーク13
A、13B及びマスクマーク14の各エッジのうち、物
面27上にあるエッジからの散乱光は受光面上に合焦す
るが、物面上にないエッジからの散乱光は合焦せず、エ
ッジの位置が物面から遠ざかるに従って当該エッジから
の散乱光による像のピントが合わなくなる。従って、各
マークのエッジのうち物面に最も近い位置にあるエッジ
からの散乱光による像が最も鮮明になり、物面から離れ
た位置にあるエッジからの散乱光による像はぼける。
【0025】図3は、エッジからの散乱光による受光面
上の像のスケッチである。図3のu軸が図2(C)にお
ける物面27とxz面との交線方向に相当し、v軸が図
2(C)におけるy軸に相当する。ウエハマーク13A
及び13Bからの散乱光による像40A及び40Bがv
軸方向に離れて現れ、その間にマスクマーク14からの
散乱光による像41が現れる。
【0026】各長方形パターンの前方のエッジと後方の
エッジによる散乱光が観測されるため、1つの長方形パ
ターンに対して2つの点状の像が現れる。各像におい
て、図2(C)の物面27近傍のエッジからの散乱光に
よる像がはっきりと現れ、それからu軸方向に離れるに
従ってぼけた像となる。また、図2(C)に示すよう
に、観測光軸25が露光面に対して傾いているため、ウ
エハマークからの散乱光による像40A及び40Bの最
もピントの合っている位置とマスクマークからの散乱光
による像41の最もピントの合っている位置とは、u軸
方向に関して一致しない。
【0027】マスクマークからの散乱光による像41
が、v軸方向に関して像40Aと40Bとの中央に位置
するように、図1のウエハ保持台15とマスク保持台1
6とを移動させることにより、y軸方向、即ち物面と露
光面との交線方向に関してウエハ11とマスク12との
位置合わせを行うことができる。
【0028】図1に示す位置検出装置では、ウエハマー
ク及びマスクマークを斜方から観測するため、光学系2
0を露光光40の光路内に配置する必要がない。このた
め、露光時に光学系20を露光範囲外に退避させる必要
がない。また、位置合わせ完了後にウエハを露光する場
合、露光中も常時位置検出が可能である。さらに、照明
光軸と観察光軸を同軸にしているため、軸ずれがなく常
に安定した像を得ることができる。
【0029】図4(A)及び図4(B)は、像検出装置
21により得られた画像信号を示す。横軸は図3のv軸
に対応し、縦軸は光強度を表す。なお、この画像信号
は、図3に示す受光面を走査して得られた画像信号のう
ち、像40A及び40Bの最もピントの合っている位置
の走査線と像41の最もピントの合っている位置の走査
線に対応する画像信号を合成したものである。
【0030】図4(A)は、ウエハマークがポリシリコ
ンで形成されている場合、図4(B)はウエハマークが
SiNで形成されている場合を示す。なお、マスクマー
クは、共に、Ta4Bで形成されている。図4(A)及
び図4(B)に示すように、ほぼ中央にマスクマークに
対応する3本のピークが現れ、その両側にウエハマーク
に対応する3本のピークが現れている。
【0031】以下、図4(A)または図4(B)に示す
波形から、マスクマークとウエハマークとの相対位置を
検出する方法の一例を簡単に説明する。まず、マスクマ
ークに対応するピーク波形をv軸方向にずらせながら2
つのウエハマークの各々に対応するピーク波形との相関
係数を計算する。最大の相関係数を与えるずらし量が、
ウエハマークとマスクマークとの中心間距離に対応す
る。
【0032】マスクマークに対応するピーク波形とその
両側のウエハマークの各々に対応するピーク波形との間
隔が等しくなるように、ウエハとマスクとを移動するこ
とにより、図1のy軸方向に関して位置合わせを行うこ
とができる。
【0033】なお、図3に示す2次元の画像信号を、u
軸方向及びv軸方向に平行移動し、マスクマークの像と
ウエハマークの像との相似性パターンマッチングを行う
ことにより、ウエハとマスクとの相対位置を求めてもよ
い。2次元画像のパターンマッチングを行うことによ
り、u軸方向とv軸方向に関する像間の距離を求めるこ
とができる。
【0034】次に、ウエハとマスクとの間隔を測定する
方法について説明する。図3において、ウエハマークか
らの散乱光による像40A、40B内のu軸方向に関し
て最もピントの合っている位置u0が、図2(C)にお
ける物面27と露光面との交線P0に相当する。また、
図3において、マスクマークからの散乱光による像41
のうち、u軸方向に関して最もピントの合っている位置
1が、図2(C)における物面27とマスク面との交
線P1に相当する。例えば、図3に示す2次元画像のパ
ターンマッチングにより位置u0とu1間の距離を求める
ことができる。
【0035】線分P01の長さをL(P01)で表す
と、ウエハ11とマスク12との間隔δは、
【0036】
【数1】δ=L(P01)×sin(α) と表される。ここで、αは露光面の法線方向と光軸25
とのなす角である。従って、図3におけるu軸上の位置
0とu1間の距離L(u01)を測定して線分P 01
長さを求めることにより、間隔δを知ることができる。
【0037】なお、観測された像同士のパターンマッチ
ングを行うのではなく、基準となる像とのパターンマッ
チングを行ってもよい。この場合、所望の相対位置関係
を満たすようにウエハとマスクとを配置した状態におけ
る基準画像信号を、予め記憶しておく。観測されたウエ
ハマークと予め記憶されているウエハマークの像同士の
相似性パターンマッチングを行うことにより、ウエハの
基準位置からのずれ量を求める。同様にマスクの基準位
置からのずれ量を求める。このずれ量から、ウエハとマ
スクの相対位置を知ることができる。
【0038】図1に示すy軸方向に関する位置合わせに
要求される精度は、集積回路装置の集積度向上に伴って
厳しくなっている。例えば、16Gビットの記憶容量を
有するダイナミックRAMの場合、12.5nm程度の
位置合わせ精度が要求される。
【0039】図4に示す画像信号に基づいて位置合わせ
を行うためには、ウエハとマスクとの相対位置合わせが
ある程度の誤差範囲内に納まっていることが好ましい。
しかし、図1に示すウエハ11をウエハ保持台15に保
持し、マスク12をマスク保持台16に、この誤差範囲
内に納まる精度で保持することは困難である。このた
め、ウエハ11とマスク12とを保持した後、この誤差
範囲内に納まるように粗い位置合わせ(コースアライメ
ント)を行うことが好ましい。
【0040】結像倍率の低い受光面29A上の像による
画像信号に基づいて、このコースアライメントを容易に
行うことができる。コースアライメントが完了した後、
結像倍率の高い受光面29B上の像による画像信号に基
づいて、より高精度の位置合わせ(ファインアライメン
ト)を行うことができる。ファインアライメントを行う
前にコースアライメントを行うことにより、ウエハとマ
スクとを保持する時に要求される位置合わせ精度が緩和
される。
【0041】また、集積度向上に伴い、ウエハ11とマ
スク12との間隔も一定に保つことが要求される。この
間隔は、例えば、線幅0.1μmのX線露光の場合に
は、10〜20μm程度であり、±1μm程度の精度が
要求される。結像倍率の低い受光面29A上の像による
画像信号に基づいて、ウエハとマスクとの間隔を検出す
る。
【0042】図1では、照明光の光軸と観測光学系の光
軸とが一致する場合について示したが、照明光の正反射
光が観測光学系20のレンズ22に入射しないような構
成であれば、必ずしも2つの光軸を一致させる必要はな
い。
【0043】次に、図5を参照して、本発明の実施例に
よる倍率補正量検出方法ついて説明する。
【0044】図5は、位置合わせすべきウエハ11とマ
スク12、及び光学系の概略平面図を示す。ウエハの露
光すべき表面内に、xy直交座標系を考える。ウエハ1
1の表面上に、第1及び第2のx軸用ウエハマークUx
1及びUx2が形成されている。両者は、x軸方向に関し
て相互に異なる位置に配置されている。さらに、ウエハ
11の表面上に、第1及び第2のy軸用ウエハマークU
1及びUy2が配置されている。両者は、y軸方向に関
して相互に異なる位置に配置されている。
【0045】マスク12には、第1及び第2のx軸用マ
スクマークMx1及びMx2、第1及び第2のy軸用マス
クマークMy1及びMy2が形成されている。第1及び第
2のx軸用マスクマークMx1及びMx2は、それぞれ第
1及び第2のx軸用ウエハマークUx1及びUx2に対応
する位置に配置され、第1及び第2のy軸用マスクマー
クMy1及びMy2は、それぞれ第1及び第2のy軸用ウ
エハマークUy1及びUy2に対応する位置に配置されて
いる。
【0046】これらのウエハマーク及びマスクマーク
は、図2(A)に示したものと同様の構成を有する。光
学系20x1が、第1のx軸用ウエハマークUx1及び第
1のx軸用マスクマークMx1のx軸方向のずれ量Δx1
を観測する。光学系20x2が、第2のx軸用ウエハマ
ークUx2及び第2のx軸用マスクマークMx2のx軸方
向のずれ量Δx2を観測する。光学系20y1が、第1の
y軸用ウエハマークUy 1及び第1のy軸用マスクマー
クMy1のy軸方向のずれ量Δy1を観測する。光学系2
0y2が、第2のy軸用ウエハマークUy2及び第2のy
軸用マスクマークMy2のy軸方向のずれ量Δy2を観測
する。これら光学系20x1〜20y2の各々は、図1に
示す光学系20と同様の構成を有する。
【0047】次に、マスク12の倍率補正量を検出する
方法を説明する。まず最初に、各ウエハマークUx1
Uy2と、それらに対応するマスクマークMx1〜My2
を観測し、粗い位置合わせを行う。
【0048】次に、ずれ量Δx1、Δy1、及びΔy2
測定する。ずれ量Δx1に基づいて、ウエハ11とマス
ク12とのx軸方向の相対位置を調節する。より具体的
には、ずれ量Δx1が0になるように、ウエハ11に対
してマスク12をx軸方向に移動させる。
【0049】ずれ量Δy1及びΔy2に基づいて、ウエハ
11とマスク12とのy軸方向の相対位置を調節する。
例えば、(Δy1+Δy2)/2が0になるように、ウエ
ハ11に対してマスク12をy軸方向に移動させる。さ
らに、ずれ量Δy1及びΔy2に基づいて、ウエハ11と
マスク12との面内回転方向の相対位置を調節する。例
えば、tan-1〔(Δy1−Δy2)/Lx〕から求まる
角度だけ、マスク12を面内方向に回転させる。
【0050】ここまでの操作により、x軸方向に関して
は、第1のx軸用ウエハマークUx 1が形成されている
位置において、ウエハ11とマスク12との位置が整合
する。マスク12が熱膨張等により変形している場合、
その他の位置においては、両者の位置がマスクの変形量
だけずれる。y軸方向に関しては、第1のy軸用ウエハ
マークUy1と第2のy軸用ウエハマークUy2とが配置
されている位置のほぼ中央の位置に置いて、ウエハ11
とマスク12との位置が整合する。
【0051】次に、ずれ量Δx2を測定する。ずれ量Δ
2が0でない場合には、長さLxに対してずれ量Δx2
だけ、マスク12がx軸方向に歪んでいることになる。
すなわち、Δx2/Lxから、x軸方向の倍率補正量を
求めることができる。
【0052】次に、ずれ量Δx1、Δx2、及びΔy1
測定する。なお、ここまでの工程で、ずれ量Δx1を0
とし、そのときのずれ量Δx2を測定しているため、再
度測定し直さなくてもよい。y軸方向に関しては、ずれ
量Δy1を測定した後、マスク12をy軸方向に移動さ
せているため、再度ずれ量Δy1を測定する必要があ
る。
【0053】ずれ量Δy1に基づいて、ウエハ11とマ
スク12とのy軸方向の相対位置を調節する。より具体
的には、ずれ量Δy1が0になるように、ウエハ11に
対してマスク12をy軸方向に移動させる。
【0054】ずれ量Δx1及びΔx2に基づいて、ウエハ
11とマスク12とのx軸方向の相対位置を調節する。
例えば、(Δx1+Δx2)/2が0になるように、ウエ
ハ11に対してマスク12をx軸方向に移動させる。さ
らに、ずれ量Δx1及びΔx2に基づいて、ウエハ11と
マスク12との面内回転方向の相対位置を調節する。例
えば、tan-1〔(Δx1−Δx2)/Ly〕から求まる
角度だけ、マスク12を面内方向に回転させる。
【0055】ここまでの操作により、y軸方向に関して
は、第1のy軸用ウエハマークUy 1が形成されている
位置において、ウエハ11とマスク12との位置が整合
する。マスク12が熱膨張等により変形している場合、
その他の位置においては、両者の位置がマスクの変形量
だけずれる。x軸方向に関しては、第1のx軸用ウエハ
マークUx1と第2のx軸用ウエハマークUx2とが配置
されている位置のほぼ中央の位置に置いて、ウエハ11
とマスク12との位置が整合する。
【0056】次に、ずれ量Δy2を測定する。ずれ量Δ
2が0でない場合には、長さLyに対してずれ量Δy2
だけ、マスク12がy軸方向に歪んでいることになる。
すなわち、Δy2/Lyから、y軸方向の倍率補正量を
求めることができる。
【0057】x軸方向及びy軸方向の倍率補正量が求ま
ると、この補正量に基づいてマスク12倍率補正を行
う。
【0058】倍率補正は、例えば、マスクを局所的に加
熱して熱変形させることにより行われる。加熱部位を適
当に選択することにより、x軸方向またはy軸方向にほ
ぼ独立に変形させることができる(島津らによる「X線
マスク熱変形補正による合わせ法の提案」、1997年
秋期第58回応用物理学会学術講演予稿集、講演番号4
p−ZL−8、第700頁参照)。または、マスクに外
部から応力を加えてマスクを変形させてもよい。
【0059】マスクの倍率補正を行った後、露光を行
う。なお、倍率補正後に、再度微細な位置合わせを行っ
てもよい。
【0060】上記実施例で説明した位置合わせ方法の効
果を説明する前に、図6を参照して、参考例による位置
合わせ方法について簡単に説明する。
【0061】図6は、参考例によるウエハ及びマスクの
アライメントマークの配置を示す。露光エリアEA内
に、x軸用マークMx3及びMx4が配置され、y軸用マ
ークMy1及びMy2が配置されている。x軸用マークM
3とMx4は、x軸に平行な仮想直線L2上に配置さ
れ、y軸用マークMy1とMy2は、y軸に平行な仮想直
線L1上に配置されている。
【0062】x軸用マークMx3及びMx4を、それぞれ
光学系20x3及び20x4で観測することにより、x軸
方向の倍率補正量を求めることができる。y軸用マーク
My 1及びMy2を、それぞれ光学系20y1及び20y2
で観測することにより、y軸方向の倍率補正量を求める
ことができる。
【0063】ところが、これら4つのマークからでは、
面内回転方向の位置ずれを検出することができない。5
番目のy軸用マークMy5を、仮想直線L1から離れた位
置に配置し、y軸用マークMy1とMy5とを観測するこ
とにより、面内回転方向の位置ずれを検出することが可
能になる。
【0064】この場合には、光学系を5個配置しなけれ
ばならない。しかし、位置合わせ装置のウエハ及びマス
クの周辺の空間は限られているため、5個の光学系を相
互に干渉することなく配置することは困難である。
【0065】x軸用マークMx3とMx4とを1つの光学
系で観測する方法も考えられる。この場合には、マーク
Mx3を観測した後、ウエハ及びマスクをx軸方向に平
行移動して、同じ光学系でマークMx4を観測する。観
測中にウエハとマスクとを平行移動しなければならない
ため、位置合わせに必要な時間が長くなる。
【0066】本発明の実施例の場合には、光学系を4個
配置することにより、ウエハとマスクとを平行移動させ
ることなく、倍率補正量を求め、かつ位置合わせを行う
ことが可能になる。
【0067】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
【0068】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
x軸方向の位置合わせ用の1つのマークと、y軸方向の
位置合わせ用の2つのマークを用いてx軸方向とy軸方
向の位置合わせを行う。その後、x軸方向の位置合わせ
用の他のマークを観測することにより、x軸方向の倍率
補正量を求めることができる。同様の方法でy軸方向の
倍率補正量を求めることも可能である。このように、光
学系を4つ配置することにより、x軸及びy軸方向の倍
率補正量を求めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例及び先の提案による位置合わせ
装置の概略を示す断面図である。
【図2】ウエハマークとマスクマークの平面図及び断面
図である。
【図3】ウエハマークとマスクマークからの散乱光によ
る像をスケッチした図である。
【図4】図1に示す位置検出装置により得られた散乱光
による像の画像信号の一例を示すグラフである。
【図5】実施例による位置検出装置におけるウエハ、マ
スク及び光学系の配置を説明するための平面図である。
【図6】参考例による位置検出装置におけるウエハ、マ
スク及び光学系の配置を説明するための平面図である。
【符号の説明】
10 ウエハ/マスク保持部 11 ウエハ 12 マスク 13A、13B ウエハマーク 14 マスクマーク 15 ウエハ保持台 16 マスク保持台 17、18 駆動機構 20 光学系 21A、21B 像検出装置 22 レンズ 23、26A ハーフミラー 24 光ファイバ 25 光軸 26B ミラー 27 物面 28 リレーレンズ 29A、29B 結像面 30 制御装置 31 変形補償手段 40A、40B ウエハマークからの散乱光による像 41 マスクマークからの散乱光による像

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ウエハとマスクとを、両者がある間隙を
    隔てて対向するように配置して、粗い位置合わせを行う
    工程であって、該ウエハの表面に平行なxy直交座標系
    を考えたとき、該ウエハの表面上のx座標の異なる位置
    に、位置合わせ用の第1のx軸用ウエハマークと第2の
    x軸用ウエハマークが配置され、y座標の異なる位置に
    第1のy軸用ウエハマークと第2のy軸用ウエハマーク
    が配置され、該マスクの、前記第1及び第2のx軸用ウ
    エハマーク、前記第1及び第2のy軸用ウエハマークの
    各々に対応する位置にマスクマークが配置されており、
    各マスクマークが、対応するウエハマークの位置にほぼ
    整合するように粗い位置合わせを行う工程と、 前記第1のx軸用ウエハマークとそれに対応するマスク
    マークとのx軸方向の位置合わせ誤差Δx1、前記第1
    のy軸用ウエハマークとそれに対応するマスクマークと
    のy軸方向の位置合わせ誤差Δy1、及び前記第2のy
    軸用ウエハマークとそれに対応するマスクマークとのy
    軸方向の位置合わせ誤差Δy2を検出する第1の検出工
    程と、 前記第1の検出工程で検出された誤差Δx1に基づい
    て、前記ウエハとマスクとのx軸方向の相対位置を調節
    し、前記第1の検出工程で検出された誤差Δy1及びΔ
    2に基づいて、前記ウエハとマスクとのy軸方向の相
    対位置を調節する第1回目の微細位置合わせ工程と、 前記第2のx軸用ウエハマークとそれに対応するマスク
    マークとのx軸方向の位置合わせ誤差Δx2を測定し、
    測定された誤差Δx2に基づいて、前記マスクのx軸方
    向の倍率補正量を求める工程とを有する倍率補正量検出
    方法。
  2. 【請求項2】 前記第1回目の微細位置合わせ工程が、
    さらに、誤差Δy1及びΔy2に基づいて、前記ウエハと
    マスクとの面内回転方向の相対位置を調節する工程を含
    む請求項1に記載の倍率補正量検出方法。
  3. 【請求項3】 前記x軸方向の倍率補正量を求めた後、
    さらに、 前記第1のy軸用ウエハマークとそれに対応するマスク
    マークとのy軸方向の位置合わせ誤差Δy1を検出する
    第2の検出工程と、 前記第2の検出工程で検出された誤差Δy1に基づい
    て、前記ウエハとマスクとのy軸方向の相対位置を調節
    し、誤差Δx1及びΔx2に基づいて、前記ウエハとマス
    クとのx軸方向の相対位置を調節する第2回目の微細位
    置合わせ工程と、 前記第2のy軸用ウエハマークとそれに対応するマスク
    マークとのy軸方向の位置合わせ誤差Δy2を測定し、
    測定された誤差Δy2に基づいて、前記マスクのy軸方
    向の倍率補正量を求める工程とを有する請求項1または
    2に記載の倍率補正量検出方法。
  4. 【請求項4】 前記し、第2回目の微細位置合わせ工程
    が、さらに、誤差Δx1及びΔx2に基づいて、前記ウエ
    ハとマスクとの面内回転方向の相対位置を調節する工程
    を含む請求項3に記載の倍率補正量検出方法。
  5. 【請求項5】 前記第2回目の微細位置合わせ工程にお
    いて、誤差Δx1として0を採用し、誤差Δx2として、
    前記マスクのx軸方向の倍率補正量を求める工程で測定
    された誤差Δx2を採用する請求項3または4に記載の
    倍率補正量検出方法。
  6. 【請求項6】 前記第1回目の微細位置合わせ工程にお
    いて、(Δy1+Δy2)/2が0になるように、前記ウ
    エハとマスクとのy軸方向の相対位置を調節する請求項
    1〜5のいずれかに記載の倍率補正量検出方法。
  7. 【請求項7】 ウエハとマスクとを、両者がある間隙を
    隔てて対向するように保持し、該ウエハとマスクとの相
    対位置関係を調節することができるステージと、 前記ステージに保持されたウエハの表面に平行なxy直
    交座標系を考えたとき、該ウエハの表面上のx軸方向の
    ある位置に形成された第1のx軸用ウエハマークと、前
    記マスクの該第1のx軸用ウエハマークに対応する位置
    に形成されたマスクマークとを観測し、両者のx軸方向
    のずれ量Δx1を検出する第1の光学系と、 前記ウエハの表面の、前記第1のx軸用ウエハマークと
    はx座標の異なる位置に形成された第2のx軸用ウエハ
    マークと、前記マスクの該第2のx軸用ウエハマークに
    対応する位置に形成されたマスクマークとを観測し、両
    者のx軸方向のずれ量Δx2を検出する第2の光学系
    と、 前記ウエハの表面上のy軸方向のある位置に形成された
    第1のy軸用ウエハマークと、前記マスクの該第1のy
    軸用ウエハマークに対応する位置に形成されたマスクマ
    ークとを観測し、両者のy軸方向のずれ量Δy1を検出
    する第3の光学系と、 前記ウエハの表面の、前記第1のy軸用ウエハマークと
    はy座標の異なる位置に形成された第2のy軸用ウエハ
    マークと、前記マスクの該第2のy軸用ウエハマークに
    対応する位置に形成されたマスクマークとを観測し、両
    者のy軸方向のずれ量Δy2を検出する第4の光学系
    と、 前記ずれ量Δx1に基づいてウエハとマスクとのx軸方
    向のずれ量を決定し、前記ずれ量Δy1とΔy2とに基づ
    いてウエハとマスクとのy軸方向のずれ量を決定し、前
    記ずれ量Δx1、Δy1、及びΔy2に基づいてウエハと
    マスクとの面内回転方向のずれ量を決定し、決定された
    ずれ量に基づいて、前記ステージを駆動し、ウエハとマ
    スクとの相対位置関係を調節する制御手段と、 前記ずれ量Δx2に基づいて、前記マスクのx軸方向の
    倍率補正量を決定する補正量決定手段とを有する位置合
    わせ装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN102034736A (zh) * 2009-09-27 2011-04-27 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 接触孔的光刻方法
CN104736962A (zh) * 2012-09-05 2015-06-24 科磊股份有限公司 用于估计及校正偏移目标不准确度的方法

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