TWI386977B - 荷電粒子束描繪裝置之校正用基板 - Google Patents

Description

荷電粒子束描繪裝置之校正用基板

本發明係關於一種荷電粒子束描繪裝置之校正用基板，例如係關於一種修正描繪裝置之載物台位置之校正用基板，前述描繪裝置係使用電子束在試樣上描繪圖案者。

本申請案係基於2008年3月21日於日本所申請之日本專利申請案第2008-073538號主張優先權，其全部內容以引用之方式援用於此。

擔負半導體裝置微細化進展之微影技術，在半導體製程中亦係唯一生成圖案之極重要的製程。近年來，伴隨LSI之高積體化，半導體裝置所要求之電路線寬逐年微細化。為朝此等半導體裝置形成所期望之電路圖案，需要高精度之原畫圖案(亦稱標線片或光罩)。此處，電子線(電子束)描繪技術本質上具有優良之解像性，可用於高精度之原畫圖案之生產。

圖12係用於說明先前之可變成形型電子線描繪裝置之動作之概念圖。

以下，說明可變成形型電子線(EB：Electron beam)描繪裝置之動作。在第1孔徑410形成有用於成形電子線330之矩形、例如長方形之開口411。又，在第2孔徑420形成有可變成形開口421，其係用於將通過第1孔徑410之開口411之電子線330成形為希望之矩形形狀。由荷電粒子源430照射而通過第1孔徑410之開口411之電子線330，藉由偏向器偏向而通過第2孔徑420之可變成形開口421之一部分後，照射至搭載於在特定之一方向(例如設為X方向)連續移動之載物臺上的試樣340。亦即，將可通過第1孔徑410之開口411與第2孔徑420之可變成形開口421兩者的矩形形狀，描繪於搭載於在X方向連續移動之載物臺上之試樣340的描繪區域。將通過第1孔徑410之開口411與第2孔徑420之可變成形開口421兩者，做成任意形狀之方式稱為可變成形方式(例如，參照日本特開2007-294562號公報)。

此處，在電子束描繪裝置中，例如係利用使用有雷射干涉儀之測長裝置測定載置光罩基板等試樣之載物台之位置，以判斷電子束照射位置。此時，在載物臺上配置有反射前述雷射之反射鏡。隨著時間之經過，該反射鏡之失真等會產生變化，有在整體描繪位置上產生誤差之情形。因此，電子束描繪裝置中，使用規則地配置有圖案之校正用基板，進行修正由反射鏡之失真等所產生之位置誤差之處理。先前，作為校正用基板係使用如下所述者，其係在利用氧化矽(SiO₂ )所形成之玻璃基板上蒸鍍金屬膜，對於整體位置誤差修正用之圖案部分將金屬膜完全剝除者。因此，在剝除金屬膜之圖案部分成為玻璃面露出之狀態。藉由向該校正用基板照射電子束而檢出其反射電子，測定圖案位置後進行修正誤差之處理。但，若使用上述校正用基板進行電子線掃描，則會在露出之玻璃基板引起電子之帶電，故有產生無法預料之測定誤差之問題。

此外，作為校正用基板，亦使用有對於上述之圖案部分，不是將金屬膜完全剝除而使金屬膜少許殘留者。如此，若使用以使金屬膜少許殘留之方式所形成之校正用基板來進行電子線掃描，則可避免電子帶電。但，由於在圖案部分與其他部分，係保持電子線反射率相同之金屬不變，故僅以圖案之階差決定對比度。因此，位置分解能不好，進行高精度的測定有其困難。

再者，無論在何種校正用基板中，因由電子線照射所引起之玻璃基板之發熱，基板本身熱膨脹，由此亦會產生誤差。

如上所述，產生有所謂電子帶電及對比度降低之問題。又，由玻璃基板之熱膨脹所引起之位置誤差亦成為問題。伴隨近來的圖案之精細化，要求解決此等問題，而開發用於進行高精度位置修正之校正用基板。

本發明之目的在於提供一種可進行高精度位置修正之校正用基板及描繪方法。

本發明之一態樣之荷電粒子束描繪裝置之校正用基板，其特徵在於具備：使用較氧化矽(SiO₂ )材更低之低熱膨脹材之基板本體；配置於前述基板上之第1導電膜；及選擇性配置於前述第1導電膜上，反射率較前述第1導電膜大的第2導電膜：且前述校正用基板之背面露出有前述低熱膨脹材。

此外，本發明之一態樣之描繪方法，其特徵在於：使用荷電粒子束掃描形成有反射率不同之2層膜之校正用基板上，以檢出由前述校正用基板所反射之反射電子；使用所檢出之結果，校正前述荷電粒子束照射位置之誤差；且使用業已校正照射位置之前述荷電粒子束，在試樣上描繪圖案。

以下，在實施形態中，作為荷電粒子束之一例就使用電子束之構成進行說明。但，荷電粒子束並非限定於電子束，亦可係離子束等使用其他荷電粒子之束。

實施形態1

圖1係顯示實施形態1之電子束描繪裝置之校正用基板構成之概念圖。圖2係顯示圖1之電子束描繪裝置之校正用基板剖面之概念圖。電子束描繪裝置之校正用基板10具備有基板本體12及導電膜14、16。在基板本體12上配置有導電膜14(第1導電膜)。而且，在導電膜14上選擇性地配置導電膜16(第2導電膜)。在導電膜16形成有規則配置之貫通至導電膜14之複數開口部20。複數之開口部20宜於基板表面不偏倚地整體上大致均勻地配置。該複數之開口部20成為圖案，藉由測定其各位置，可進行電子束描繪裝置之載物台位置之修正。由於各開口部20之底面為導電膜14，故即使照射電子線亦可避免電子之帶電。因此，不會產生由電子之帶電所引起之無法預料之誤差。例如，只要藉由使接地之銷由校正用基板10之上面側接觸導電膜14或導電膜16，而將校正用基板10與接地構件連接即可。

導電膜16宜使用反射率較導電膜14大的材料。作為導電膜16之材料，例如宜使用原子序73以上的原子。藉由使用原子序73以上的原子，可使其電子線之反射率比導電膜14大。此外，作為導電膜16之材料，宜使用與基板本體12相同程度之熔點高的材料。藉由使用熔點高的材料，可使其在照射電子線時不會熔化。例如，宜為熔點1000℃以上之材料。此外，作為導電膜16之材料宜為較硬且不易腐蝕的材料。如上所述，由於校正用基板係多次使用，且其表面暴露於藥液進行洗淨，故藉由使用硬且不易腐蝕之材料可抑制膜的磨耗及變形。作為滿足此等條件的材料，例如可使用鉭(Ta)、鎢(W)、鉑(Pt)、以及此等之化合物。

導電膜14宜使用電子線之反射率較導電膜16小的材料。作為導電膜14之材料，例如宜使用較原子序73小的原子。藉由使用較原子序73小的原子，可使電子線之反射率較導電膜16小。此外，作為導電膜14之材料，宜使用與基板本體12相同程度之熔點高的材料。藉由使用熔點高的材料，可使其在照射電子線時不會熔化。例如，宜為熔點1000℃以上之材料。此外，作為導電膜14之材料宜為較硬且不易腐蝕之材料。由於校正用基板係多次使用，且其表面暴露於藥液進行洗淨，故藉由使用硬且不易腐蝕之材料可抑制膜的磨耗及變形。作為滿足此等條件的材料，例如可使用鉻(Cr)、鈦(Ti)、釩(V)、以及此等之化合物。

但，導電膜14、16之材料並非限定於包含上述金屬之材料，只要係反射率不同之導電膜即可。

如上所述，藉由在開口部20之外側表面與開口部20之底面，配置反射率不同之複數之導電膜14、16，可在進行電子線掃描時使所檢出之信號的對比度增大。因此可高精度地測定圖案之位置。

基板本體12宜使用較氧化矽(SiO₂ )材更低的低熱膨脹材。先前之校正用基板係使用SiO₂ 材之玻璃基板。該玻璃基板之熱膨脹係數約為1ppm/℃，若進行後述之電子線掃描，則因由電子線照射所引起之發熱基板本身熱膨脹，由此亦會產生誤差。對此，實施形態1之基板本體12係使用較氧化矽(SiO₂ )材更低的低熱膨脹材。例如，可藉由在SiO₂ 材摻雜Ti而形成低熱膨脹基板。藉此，基板本體12之熱膨脹係數，例如可抑制於0±30ppb/℃。藉由使用如此之熱膨脹係數小的材料，可抑制因在進行電子線掃描時之熱膨脹所引起之位置誤差。

此處，校正用基板10之背面，例如不用導電材料等之膜塗覆，而係使作為基板本體12之材料的低熱膨脹材本身露出。在進行實際描繪時，在描繪裝置內係藉由3點支持來支持作為描繪對象之光罩基板等試樣。如此，試樣係放置於3個銷狀之支持構件上。因此，當藉由描繪裝置對試樣描繪圖案時，亦有因配置試樣之載物臺之移動而使試樣滑動、位置偏移。亦會產生起因於該滑動之位置偏移。因為試樣之背面係未用其他材料塗覆之玻璃基板本身，故亦宜使校正用基板10盡可能與用於實際描繪之試樣條件相同。因此，在實施形態1中校正用基板10之背面未用其他材料塗覆，而係使作為基板本體12之材料的低熱膨脹材本身露出，藉此亦可同時觀測由試樣之滑動所引起之位置偏移。

如上，根據實施形態1，可抑制由校正用基板10之熱膨脹所引起之位置誤差，並避免電子之帶電及對比度之降低。其結果可使用上述校正用基板10進行高精度的位置修正。

圖3係顯示實施形態1之描繪裝置構成之概念圖。圖3中，描繪裝置100係荷電粒子束描繪裝置之一例。描繪裝置100具備描繪部150及控制部160。描繪部150具備描繪室103及配置於描繪室103上部之電子鏡筒102。在電子鏡筒102內具有電子槍201、照明透鏡202、第1孔徑203、投影透鏡204、偏向器205、第2孔徑206、物鏡207、偏向器208、及檢出器109。而且，在描繪室103內配置有XY載物台105。在XY載物台105上配置有雷射測長用之反射鏡210。又，在XY載物臺105上載置校正用基板10。此處，作為成為描繪對象之基板，例如包含形成半導體裝置之晶圓，及將圖案轉寫至晶圓之曝光用光罩。此外，該光罩例如包含尚未形成有任何圖案之空白光罩。控制部160具有：描繪資料處理部110、偏向控制電路120、數位類比轉換器(DAC)122、放大器124、控制計算機130、雷射測長裝置132、及檢出器209用放大器140。在圖3係僅記載為說明實施形態1所必要之構成，不言而喻亦可配置其他之構成。

對描繪對象基板描繪圖案時，首先，藉由描繪資料處理部110對輸入之描繪資料進行複數段之轉換處理，製成發射(shot)資料。然後將發射資料輸出至偏向控制電路120。由偏向控制電路120輸出用於使偏向器208向希望位置偏向之數位信號。數位信號在DAC122轉換成類比電壓，並在放大器124放大後施加於偏向器208。

對描繪對象基板描繪圖案時，描繪部150進行如下之動作。由電子槍201射出之電子束200，藉由照明透鏡202照明具有矩形、例如長方形孔之第1孔徑203全體。此處，首先係將電子束200成形為矩形、例如長方形。然後，通過第1孔徑203之第1孔徑像之電子束200，藉由投影透鏡204投影至第2孔徑206上。在該第2孔徑206上之第1孔徑像之位置，可藉由偏向器205進行偏向控制，而使束之形狀與尺寸改變。然後，通過第2孔徑206之第2孔徑像之電子束200藉由物鏡207聚焦，並藉由偏向控制電路120所控制之偏向器208進行偏向，照射至連續移動之XY載物台105上之描繪對象基板之希望位置。XY載物臺105之位置，可藉由反射鏡210反射由雷射測長裝置132所照射之雷射光，用雷射測長裝置132感光前述反射光來進行測定。如此，描繪裝置100使用電子束200在描繪對象基板上描繪圖案。為高精度地修正上述描繪位置，使用校正用基板10測定其各開口部20之位置。

如上所述，為修正隨著時間之經過，由反射鏡之失真等產生之描繪位置誤差，使用校正用基板10測定其各開口部20之位置。以下說明該測定之方法。在XY載物臺105上載置有校正用基板10之狀態，由電子槍201照射電子線200。此處，因為無需成形電子束，故第1孔徑203與第2孔徑206只要以使其開口來到光軸中心之方式配置即可。然後，通過第1孔徑203與第2孔徑206之電子束，藉由偏向控制電路120所控制之偏向器208偏向，掃描校正用基板10上。然後，藉由檢出器209檢出由校正用基板10之表面反射之反射電子，經由放大器140輸出至控制計算機130。在掃描超出偏向器208之偏向區域之開口部時，只要藉由移動XY載物臺105調整其位置即可。

圖4A與圖4B係用於說明實施形態1之位置修正方法之圖。圖4A係顯示將測定點顯示於基板座標格子上之狀態。因為在實施形態1係檢出由反射率不同之導電膜14、16所反射之電子，故對比度大，可高精度地測定位置。又，因為導電膜14、16佔據校正用基板之表面，故亦可避免由電子之帶電所引起之測定誤差。再者，因為係使用低熱膨脹材，故亦可忽略由基板本體12之熱膨脹所引起之測定誤差。藉由利用多項式近似(擬合)如此獲得之測定點，可獲得圖4B所示之位置誤差圖像。在基板表面各位置之X方向之位置誤差ΔX_ij 與Y方向之位置誤差ΔY_ij ，例如可用以下所示之雙變數3次多項式(1)與式(2)近似。

(1)　ΔX_ij =A₀ +A₁ ‧X_ij +A₂ ‧Y_ij +A₃ ‧X_ij ² +A₄ ‧X_ij ‧Y_ij +A₅ ‧Y_ij ² +A₆ ‧X_ij ³ +A₇ ‧X_ij ² ‧Y_ij +A₇ ‧X_ij ‧Y_ij ² +A₉ ‧Y_ij ³

(2)　ΔY_ij =B₀ +B₁ ‧X_ij +B₂ ‧Y_ij +B₃ ‧X_ij ² +B₄ ‧X_ij ‧Y_ij +B₅ ‧Y_ij ² +B₆ ‧X_ij ³ +B₇ ‧X_jj ² ‧Y_ij +B₇ ‧X_ij ‧Y_ij ² +B₉ ‧Y_ij ³

控制計算機130將藉由演算所得到之係數A₀ ~A₉ 與B₀ ~B₉ 設定於偏向控制電路120。然後，偏向控制電路120在對描繪對象基板進行描繪時，係以使電子束200向已修正之位置偏向之方式來進行控制，前述已修正之位置係對於描繪位置之各座標，修正了利用式(1)與式(2)求得之X方向之位置誤差ΔX_ij 與Y方向之位置誤差ΔY_ij 者。藉此，可修正由反射鏡210之失真等所引起之整體的位置誤差。此外，不言而喻，於導電膜16上規則地配置之開口部20所具有之開口部座標之製作誤差程度係預先測定，預先除去其對係數A₀ ~A₉ 與B₀ ~B₉ 之影響。

但，由於上述誤差係伴隨時間之經過而變化，故需週期性地使用校正用基板10測定圖案位置，以求得用於修正該誤差之係數。例如，若以一週一次之週期進行則係合適的。

圖5A與圖5B係顯示實施形態1之位置誤差變化之一例之圖。圖5B係顯示使用校正用基板10，在前一次測定時所獲得之誤差圖像。另一方面，在圖5A係顯示使用校正用基板10，在後一次測定時所獲得之誤差圖像。如圖5A與圖5B所示，可瞭解隨著時間之經過誤差變化的情形。控制計算機130演算藉由演算所獲得之本次的係數A₀ ~A₉ 與B₀ ~B₉ ，及在前一次所獲得之係數A'₀ ~A'₉ 與B'₀ ~B'₉ 之各自之差分。然後，將所演算的係數之差分dA₀ ~dA₉ 與dB₀ ~dB₉ 發送至偏向控制電路120。繼之，偏向控制電路120在對描繪對象基板進行描繪時，對於描繪位置之各座標，係將藉由加算對應於式(1)與式(2)之各係數之差分dA₀ ~dA₉ 與dB₀ ~dB₉ 而修正之係數適用於式(1)與式(2)。偏向控制電路120係以使電子束200向修正之位置偏向之方式進行控制，前述修正之位置係修正利用如上述般修正了係數之式(1)與式(2)而求得之X方向之位置誤差ΔX_ij 與Y方向之位置誤差ΔY_ij 者。藉此，可修正由於時間之經過而變化之反射鏡210之失真等所引起之整體位置誤差。如此，假如在製作之校正用基板10上之圖案位置未能如設計座標格子般井然配置，以及因基板本體12之種類與通常之描繪對象基板不同所引起之支持撓度等之差異，而對圖案之位置誤差造成不同之影響時，亦可藉由取得前一次與本次之「差分」，除去此等之系統誤差程度。因此，特別適合於因時間經過而變化部分的校正。

此處，在上述例中，係對於校正在描繪裝置100起動後所產生之束照射位置之誤差的情形進行了說明，但校正用基板10之利用方法並不限定於此。例如，亦可在描繪裝置100之起動時，用於校正描繪位置精度之失真。先前之校正用基板10，因反射率之差小而無法獲得充分之對比度，故難於高精度地測定誤差。因此，在描繪裝置起動時之失真，一般係藉由用描繪裝置對複數之空白光罩實際描繪測試圖案後，以其他之測定器測定所得到之測試圖案之位置來測定束照射位置的誤差。然後，以修正平均複數結果之誤差之方式來校正束照射位置之誤差。因此，在直至決定位置修正參數前，需要進行複數之光罩描繪及其各自位置之測定，因此需要頗多時間與成本。

圖6A至圖6C係顯示3個測試圖案之各位置誤差樣子之一例之圖。可知在圖6A至圖6C所示之3例中任一之測試圖案中，局部誤差增大之處所，例如亦在3處所產生。

圖7A至圖7C係顯示對圖6A至圖6C所示之3例中之2例進行差分時之各圖像之圖。圖7A係顯示由圖6A所示之誤差資料差分圖6C所示之誤差資料時的圖像。圖7B係顯示由圖6B所示之誤差資料差分圖6A所示之誤差資料時的圖像。圖7C係顯示由圖6C所示之誤差資料差分圖6B所示之誤差資料時的圖像。在圖7A至圖7C所示之圖像中，上述局部之大的誤差均得到改善。在描繪裝置100中，位置修正係以改善該局部之大的誤差之方式來設定修正量。

但，用描繪裝置100對複數之空白光罩實際描繪測試圖案，於所得到之測試圖案之位置資料中，例如，包含有4nm~5nm左右之不確定性(偏差)。因此，先前為改善該4nm~5nm左右之不確定性，係演算所得到之例如3個測試圖案之位置資料的平均值。

圖8係顯示圖6A至圖6C所示之3例圖像之平均值之圖。如圖8所示，藉由平均化，可抑制網格之各格子上之隨機位置誤差的偏差，而獲得在3例之圖像共通之系統性的位置誤差。不言而喻，描繪之測試圖案之數量越多，使偏差平均化可求得更加系統性之位置誤差。

圖9係顯示由圖6A至圖6C所示之3例之各圖像差分圖8所示的平均化圖像之結果圖。在圖9係重疊顯示3例之結果。圖9所示之結果中偏差為2nm~3nm，各格子上之修正量之不確定性得到改善。如上所述，在先前之描繪複數之空白光罩之情形，係藉由平均化改善修正量之不確定性。

相對於此，以下就用描繪裝置100掃描實施形態1之校正用基板10之情形進行說明。若掃描之照射位置之誤差例如係5nm左右，則例如以校正用基板10本身的誤差為2nm以下左右來製作為適合。

圖10A至圖10C係顯示用描繪裝置100分別掃描實施形態1之3個校正用基板10時，所獲得之位置誤差之各圖像之一例的圖。在圖10A至圖10C所示之3例中，可知與圖6A至圖6C所示之3例之測試圖案一樣，局部誤差增大之處所例如亦在3處產生。

圖11A至圖11C係顯示對圖10A至圖10C所示之3例中之2例進行差分時之各圖像之圖。圖11A係顯示由圖10A所示之誤差資料差分圖10C所示之誤差資料時的圖像。圖11B係顯示由圖10B所示之誤差資料差分圖10A所示之誤差資料時的圖像。在圖11C係顯示由圖10C所示之誤差資料差分圖10B所示之誤差資料時的圖像。在圖11A至圖11C所示之圖像中，對於上述局部之大的誤差均得到改善。在描繪裝置100中，位置修正係以改善該局部之大的誤差之方式來設定修正量。而且，圖11A至圖11C所示之各圖像中，其偏差已為2nm~3nm，不需要如先前般地進行平均化。

如上所述，在實施形態1之校正用基板10中，由於反射率之差較大，可得到充分之對比度，故可高精度地測定誤差。再者，先前為提高精度，如上所述係使用複數之空白光罩進行複數次之描繪，但在實施形態1因校正用基板10本身之精度高，故可一次高精度地測定誤差。亦即，不需將複數次測定之結果平均化的誤差平均化。此外，若利用其他位置測定器事先測定校正用基板10本身之誤差(失真)，則可將利用描繪裝置100掃描校正用基板10之結果的誤差，與校正用基板10本身之誤差的差稱為描繪裝置100之固有失真。如果掃描之照射位置之誤差為例如5nm左右，則校正用基板10本身之誤差例如以2nm以下左右製作為適合。只要利用如此高精度之校正用基板10對作為試樣之描繪對象基板進行如下述般地描繪即可。

首先，在進行描繪之描繪裝置的起動時，使用電子束200掃描形成有反射率不同之2層膜的校正用基板10上，檢出由校正用基板10所反射之反射電子。

然後，使用檢出之結果校正電子束200照射位置之誤差。校正之方法只要如上述般地製作位置誤差圖像即可。在基板表面之各位置之X方向之位置誤差ΔX_ij 與Y方向之位置誤差ΔY_ij ，如上所述，例如可用式(1)與式(2)進行近似。然後，控制計算機130將藉由演算所得到之係數A₀ ~A₉ 與B₀ ~B₉ 設定於偏向控制電路120。繼之，偏向控制電路120在對描繪對象基板進行描繪時，只要係以使電子束200向修正之位置偏向之方式控制即可，前述修正之位置係對於描繪位置之各座標，修正了用式(1)與式(2)所求得之X方向之位置誤差ΔX_ij 與Y方向之位置誤差ΔY_ij 者。

如上所述，在進行描繪之描繪裝置的起動時，進行反射電子之檢出與電子束200照射位置之誤差之校正。

然後，使用業已校正了照射位置之電子束200在描繪對象基板描繪圖案即可。如此，可不進行使用複數之空白光罩作為虛設基板，基於向虛設基板之描繪來校正電子束200照射位置之誤差，而進行實際之描繪。

藉由利用如上之描繪方法進行描繪，與先前在複數之空白光罩進行描繪而校正照射位置誤差之情形比較，可大幅度縮短裝置起動時之校正時間。

以上，一面參照具體例一面對實施形態進行了說明。但，本發明並非係限定於此等具體例者。

此外，關於裝置構成及控制方法等在本發明之說明上無直接必要之部分，省略其記載，但可適當地選擇使用必要之裝置構成及控制方法。例如，關於控制描繪裝置100之具體之控制部構成，雖省略了其記載，但不言而喻，可適當選擇使用必要之控制部構成。

另外，具備本發明之要素，本行業者可適當進行設計變更之全部之荷電粒子束描繪裝置之校正用基板，均包含於本發明之範圍。

本發明之其他優點及變形例由本行業者當可輕易實施。因此，由廣義而言本發明不限於發明詳細說明及實施形態。在不脫離本發明之請求範圍之要旨之範圍內可有各種各樣之變形例。

10．．．校正用基板

12．．．基板

14、16．．．導電膜

20．．．開口部

100．．．描繪裝置

102．．．電子鏡筒

103．．．描繪室

105．．．XY載物台

110．．．描繪資料處理部

120．．．偏向控制電路

122．．．DAC

124、140．．．放大器

130．．．控制計算機

132．．．雷射測長裝置

150．．．描繪部

160．．．控制部

200．．．電子束

201．．．電子槍

202．．．照明透鏡

203、410．．．第1孔徑

204．．．投影透鏡

205、208．．．偏向器

206、420．．．第2孔徑

207．．．物鏡

209．．．檢出器

210．．．反射鏡

330．．．電子線

340．．．試樣

411．．．開口

421．．．可變成形開口

430．．．荷電粒子源

圖1係顯示實施形態1之電子束描繪裝置之校正用基板之構成之概念圖；

圖2係顯示圖1之電子束描繪裝置之校正用基板之剖面之概念圖；

圖3係顯示實施形態1之描繪裝置之構成之概念圖；

圖4A與圖4B係用於說明實施形態1之位置修正方法之圖；

圖5A與圖5B係顯示實施形態1之位置誤差變化之一例之圖；

圖6A至圖6C係顯示3個測試圖案之各位置誤差樣子之一例之圖；

圖7A至圖7C係顯示對圖6A至圖6C所示之3例中之2例進行差分時之各圖像圖；

圖8係顯示圖6A至圖6C所示之3例之圖像之平均值圖；

圖9係顯示由圖6A至圖6C所示之3例之各圖像差分圖8所示之平均化圖像之結果圖；

圖10A至圖10C係顯示用描繪裝置100分別掃描實施形態1之3個校正用基板10時所獲得之位置誤差之各圖像之一例的圖；

圖11A至圖11C係顯示對圖10A至圖10C所示之3例中之2例進行差分時之各圖像圖；及

圖12係用於說明先前之可變成形型電子線描繪裝置之動作之概念圖。

10．．．校正用基板

12．．．基板

14、16．．．導電膜

20．．．開口部

Claims (10)

1. 一種用以修正荷電粒子束描繪裝置之載物台位置之校正用基板，其特徵在於具備：基板本體，使用熱膨脹較氧化矽(SiO₂ )材低之低熱膨脹材；第1導電膜，配置於前述基板上；及第2導電膜，選擇性地直接配置於前述第1導電膜上，反射率較前述第1導電膜大；且係用以修正利用荷電粒子束對試料描繪圖案之荷電粒子束描繪裝置的載物台位置者；前述校正用基板之背面露出有前述低熱膨脹材。
2. 如請求項1之校正用基板，其中前述第1導電膜包含鉻(Cr)、鈦(Ti)、及釩(V)中之一者。
3. 如請求項1之校正用基板，其中前述第2導電膜包含鉭(Ta)、鎢(W)、及鉑(Pt)中之一者。
4. 如請求項1之校正用基板，其中在前述第2導電膜形成有規則配置之貫通至前述第1導電膜之複數之開口部。
5. 如請求項1之校正用基板，其中前述反射率係電子線之反射率。
6. 如請求項1之校正用基板，其中前述第2導電膜係使用比前述第1導電膜原子序大的原子作為材料。
7. 如請求項1之校正用基板，其中在前述基板本體摻雜有鈦(Ti)。
8. 如請求項1之校正用基板，其中作為前述第1導電膜之材 料使用鉻(Cr)，作為前述第2導電膜之材料使用鉭(Ta)。
9. 一種描繪方法，其特徵在於：使用荷電粒子束掃描形成有反射率不同之2層膜的校正用基板上，以檢出由前述校正用基板所反射之反射電子；使用所檢出之結果，校正前述荷電粒子束照射位置之誤差；且使用業已校正照射位置之前述荷電粒子束，對試樣描繪圖案。
10. 如請求項9之描繪方法，其在進行描繪之描繪裝置的起動時，進行檢出前述反射電子及校正前述荷電粒子束照射位置之誤差；不基於在虛設基板之描繪來校正前述荷電粒子束照射位置之誤差，而進行實際之描繪。