KR20110043433A - 하전 입자 빔 묘화 방법 및 하전 입자 빔 묘화 장치 시스템 - Google Patents

하전 입자 빔 묘화 방법 및 하전 입자 빔 묘화 장치 시스템 Download PDF

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가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
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Abstract

본 발명의 과제는 기판에 대하여 다른 하전 입자 빔 묘화 장치에 의해 묘화 처리를 행할 때, 2번째의 하전 입자 빔 묘화 장치에 대한 기판 위의 전자 빔 조사 위치 어긋남량을 작게 할 수 있는 하전 입자 빔 묘화 방법 및 하전 입자 빔 묘화 장치 시스템을 제공하는 것이다.
제1 하전 입자 빔 묘화 장치에 있어서, 반사율이 다른 2층의 막이 형성된 교정용 기판 위를 하전 입자 빔으로 주사하고, 교정용 기판으로부터의 반사 신호를 검출해서 조사 위치의 오차를 구한다. 제2 하전 입자 빔 묘화 장치에 있어서도, 마찬가지의 방법으로 조사 위치의 오차를 구한다. 제1 하전 입자 빔 묘화 장치에 있어서의 조사 위치의 오차와, 제2 하전 입자 빔 묘화 장치에 있어서의 조사 위치의 오차의 차분을 구하고, 이 차분을 이용하여, 제2 하전 입자 빔 묘화 장치에 있어서의 하전 입자 빔의 조사 위치의 오차를 교정한다.

Description

하전 입자 빔 묘화 방법 및 하전 입자 빔 묘화 장치 시스템 {CHARGED-PARTICLE BEAM WRITING METHOD AND CHARGED-PARTICLE BEAM WRITING APPARATUS SYSTEM}
본 발명은, 하전 입자 빔 묘화 방법 및 하전 입자 빔 묘화 장치 시스템에 관한 것이다.
반도체 소자는, 회로 패턴이 형성된 원화 패턴(마스크 또는 레티클을 가리킨다. 이하에서는, 마스크라 칭함)을 이용하여, 소위 스테퍼라고 불리는 축소 투영 노광 장치로 웨이퍼 위에 패턴을 노광 전사해서 회로 형성함으로써 제조된다. 마스크의 제조에는, 미세 패턴을 묘화 가능한 전자 빔 묘화 장치가 이용된다(예를 들어, 특허 문헌 1 참조). 또한, 레이저 빔을 이용해서 묘화하는 레이저 빔 묘화 장치의 개발도 시도되고 있다. 또한, 전자 빔 묘화 장치는 웨이퍼에 직접 패턴 회로를 묘화하는 경우에도 이용된다.
최근, 대규모 집적 회로(LSI)의 고집적화 및 대용량화에 수반하여, 반도체 소자에 요구되는 회로선 폭은 점점 좁아지고 있다. 구체적으로는, LSI의 최소 치수는, 패턴을 전사하는데 이용되는 광(光)의 파장과 동일 정도로 되어 오고 있다. 해상도의 새로운 향상을 위해서는, 전사에 이용하는 광의 파장 자체를 짧게 하거나, 혹은 파장보다 작은 광학 화상을 형성 가능한 새로운 기술의 개발이 필요해진다. 이러한 기술 중 하나로서, 광의 위상 정보를 이용한 위상 시프트법이 있다.
마스크에 나란히 마련된 개구부를 투과한 광은, 렌즈 광학계를 지나 웨이퍼에 마스크의 패턴상을 형성한다. 여기서, 마스크를 조명하는 광은 위상이 정렬된 코히런트(coherent)한 광이라고 가정한다. 인접한 개구부로부터의 회절광은, 통상 서로 위상이 일치되어 있으므로, 개구부의 간격이 좁아지면 간섭이 일어나, 상을 분리할 수 없게 된다. 한편, 인접한 개구부의 한쪽으로부터 나오는 광의 위상을 180°변화시키면, 인접한 개구부로부터의 회절광은 간섭하지만, 위상이 역전되어 있음으로써 서로 상쇄되므로, 개구부의 상은 분리된다. 예를 들어, 라인 앤드 스페이스 패턴(line and space pattern)과 같이 개구수가 반복하여 존재하는 경우, 1개 간격의 개구부 패턴을 투과하는 광의 위상을 180°어긋나게 함으로써, 해상도를 비약적으로 향상하는 것이 가능해진다.
대표적인 위상 시프트 마스크로서는, 레벤손형, 하프톤형, 림형 등이 있다. 이들은 모두 마스크를 투과하는 광의 일부의 위상을 180°어긋나게 함으로써, 광의 간섭에 의한 해상도나 초점 심도의 저하를 개선할 수 있다. 광에 위상차를 부여하기 위해서는, 마스크 기판 위에 두께 d이고 굴절률 n의 투명한 박막(시프터)을 마련하면 좋다. 예를 들어, 하프톤 마스크의 시프터에는 Cr 산화막, MoSi 산화막 또는 이들의 적층막 등이 사용된다. 시프터의 두께 d를 다음 식으로 주어지도록 하면, 180°의 위상차를 얻을 수 있다.
d(㎚) = λ(㎚)/2(n - 1)
일본 특허 출원 공개 평 9-293670호 공보
상기 위상 시프트 마스크의 제조에는 전자 빔 묘화 장치가 이용된다. 예를 들어, 기판 위에 레지스트막을 마련한 후, 제1 전자 빔 묘화 장치를 이용해서 레지스트막 위에 제1 패턴을 전사한다. 계속해서, 제1 전자 빔 묘화 장치로부터 기판을 취출하고, 노광 후의 레지스트막 위에, 레지스트막에 있어서의 대전을 방지하기 위한 대전 방지막을 마련한다. 레지스트막에 조사 전자가 체류함으로써, 레지스트 위의 공간이나 막 중에 전계가 형성되고, 그 후에 입사되어 오는 전자빔의 궤도가 구부러져 전자 빔의 묘화 위치 정밀도가 저하되는 것을 방지하기 위해서이다. 대전 방지막을 형성한 후는, 기판을 제2 전자 빔 묘화 장치로 반송하고, 전자 빔에 의해 레지스트막 위에 제2 패턴을 전사한다.
제2 패턴을 전사할 때에, 제1 패턴을 전사하는데 사용한 전자 빔 묘화 장치와는 다른 장치로 하는 것은 다음의 이유에 의한다.
전자 빔 묘화 장치는, 스테이지 위에 적재된 기판에 전자 빔을 조사해서 패턴을 묘화하도록 구성되어 있다. 또한, 전자 빔 묘화 장치는 반송 로봇을 구비하고 있으며, 기판은 반송 로봇에 의해 반송되어 스테이지 위에 적재된다. 여기서, 반송 로봇이 제어 데이터대로 동작해도, 스테이지 위의 소정 위치에 기판이 적재되지 않는 경우가 있다. 그러면, 기판에 전사되는 패턴의 위치가 어긋나 버린다. 그래서, 기판에 위치 정렬 마크를 마련하고, 전자 빔 주사에 의해 위치 정렬 마크를 검출하여, 소정 위치에 전자 빔이 조사되도록 하고 있다.
위치 정렬 마크 검출 시에는, 레지스트막 위에서 전자 빔이 주사된다. 이때 전자 빔의 조사에 의해 레지스트막이 비산하고, 전자 빔 묘화 장치 내가 비산한 레지스트막으로 오염될 우려가 있다. 그래서, 제2 패턴을 전사할 때에는 제1 전자 빔 묘화 장치에 비해 다소의 오염은 허용되는 제2 전자 빔 묘화 장치가 사용된다.
그러나 동일한 전자 빔 묘화 장치를 이용해서 제1 패턴과 제2 패턴을 전사할 경우, 반송 로봇에 의한 기판의 위치 어긋남은 100㎛ 오더이다. 이에 반해, 다른 전자 빔 묘화 장치를 이용할 경우에는, 수㎜ 오더에서의 위치 어긋남이 일어난다. 이로 인해, 제2 전자 빔 묘화 장치 내에서 위치 정렬 마크를 검출할 때, 비교적 넓은 범위를 전자 빔으로 주사해야만 해, 제2 전자 빔 묘화 장치 내에서의 레지스트의 비산량이 허용량을 초과해 버린다고 하는 문제가 있었다. 또한, 전자 빔에 의한 주사 범위를 좁히려고 하면, 새롭게 고액의 좌표 측정 장치가 필요했다.
본 발명은, 이러한 점에 비추어 이루어진 것이다. 즉, 본 발명의 목적은 기판에 대하여 다른 하전 입자 빔 묘화 장치에 의해 묘화 처리를 행할 때, 2번째의 하전 입자 빔 묘화 장치에 대한 기판 위의 전자 빔 조사 위치 어긋남량을 작게 할 수 있는 하전 입자 빔 묘화 방법 및 하전 입자 빔 묘화 장치 시스템을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적 및 이점은, 이하의 기재로부터 명백해질 것이다.
본 발명의 제1 형태는, 제1 하전 입자 빔 묘화 장치에 의해 기판에 제1 패턴을 묘화한 후, 제2 하전 입자 빔 묘화 장치에 의해 기판에 제2 패턴을 묘화하는 하전 입자 빔 묘화 방법이며,
제1 하전 입자 빔 묘화 장치에 있어서, 반사율이 다른 2층의 막이 형성된 교정용 기판 위를 하전 입자 빔으로 주사하고, 교정용 기판으로부터의 반사 신호를 검출해서 조사 위치의 오차를 구하는 공정과,
제2 하전 입자 빔 묘화 장치에 있어서, 교정용 기판 위를 하전 입자 빔으로 주사하고, 교정용 기판으로부터의 반사 신호를 검출해서 조사 위치의 오차를 구하는 공정과,
제1 하전 입자 빔 묘화 장치에 있어서의 조사 위치의 오차와, 제2 하전 입자 빔 묘화 장치에 있어서의 조사 위치의 오차의 차분(差分)을 구하는 공정과,
차분을 이용하여, 제2 하전 입자 빔 묘화 장치에 있어서의 하전 입자 빔의 조사 위치의 오차를 교정하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명의 제1 형태에서는, 기판에 위치 정렬 마크가 마련되어 있어,
제1 하전 입자 빔 묘화 장치에 기판을 반입하고, 위치 정렬 마크를 하전 입자 빔으로 주사해서 기판의 위치 정렬을 행하는 공정과,
제2 하전 입자 빔 묘화 장치에 기판을 반입하고, 위치 정렬 마크를 하전 입자 빔으로 주사해서 기판의 위치 정렬을 행하는 공정을 가질 수 있다.
본 발명의 제1 형태에 있어서, 교정용 기판은 산화 실리콘(SiO2)보다도 낮은 열팽창 계수의 재료를 이용한 기판 본체와,
기판 본체 위에 마련된 제1 도전막과,
제1 도전막 위에 선택적으로 배치되고, 제1 도전막보다도 반사율이 큰 제2 도전막을 갖는 것이 바람직하다.
제1 도전막은 크롬(Cr), 티탄(Ti) 및 바나듐(V)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나를 포함하고,
제2 도전막은 탄탈(Ta), 텅스텐(W) 및 백금(Pt)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나를 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 제2 형태는, 제1 하전 입자 빔 묘화 장치와,
제2 하전 입자 빔 묘화 장치를 갖고,
제2 하전 입자 빔 묘화 장치는, 제1 하전 입자 빔 묘화 장치에 있어서의 조사 위치의 오차와, 제2 하전 입자 빔 묘화 장치에 있어서의 조사 위치의 오차의 차분을 이용하여, 제2 하전 입자 빔 묘화 장치에 있어서의 하전 입자 빔의 조사 위치의 오차를 교정하도록 구성되어 있으며,
차분은 제1 하전 입자 빔 묘화 장치에 있어서, 반사율이 다른 2층의 막이 형성된 교정용 기판 위를 하전 입자 빔으로 주사하고, 교정용 기판으로부터의 반사 신호를 검출해서 얻어진 조사 위치의 오차와, 제2 하전 입자 빔 묘화 장치에 있어서, 교정용 기판 위를 하전 입자 빔으로 주사하고, 교정용 기판으로부터의 반사 신호를 검출해서 얻어진 조사 위치의 오차의 차분인 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 장치 시스템에 관한 것이다.
본 발명의 제1 형태에 의하면, 기판에 대하여 다른 하전 입자 빔 묘화 장치에 의해 묘화 처리를 행할 때, 2번째의 하전 입자 빔 묘화 장치에 대한 기판 위의 전자 빔 조사 위치 어긋남량을 작게 할 수 있는 하전 입자 빔 묘화 방법이 제공된다.
본 발명의 제2 형태에 따르면, 기판에 대하여 다른 하전 입자 빔 묘화 장치에 의해 묘화 처리를 행할 때, 2번째의 하전 입자 빔 묘화 장치에 대한 기판 위의 전자 빔 조사 위치 어긋남량을 작게 할 수 있는 하전 입자 빔 묘화 장치 시스템이 제공된다.
도 1은 본 실시 형태에 의한 전자 빔 묘화 장치를 옆에서 본 단면도.
도 2는 본 실시 형태에 의한 전자 빔 묘화 장치를 위에서 본 단면도.
도 3은 교정용 기판의 구성을 도시하는 개념도.
도 4는 도 3의 교정용 기판의 단면을 도시하는 개념도.
도 5의 (a) 및 (b)는 교정용 기판을 이용한 위치 보정 방법의 설명도.
도 6의 (a) 내지 (c)는 기판의 외형에 대하여 묘화되는 패턴 전체의 위치가 어긋나는 모습을 도시하는 도면.
도 7의 (a)는 기판과 조사 스폿의 주사 궤적을 도시하는 도면이며, 도7의 (b)는 기판의 위치 정렬 마크 부분의 단면도.
도 8은 조사 스폿의 위치와 수광량과의 관계를 도시하는 도면.
본 실시 형태에서는, 위상 시프트 마스크의 제조를 예로 들어 설명하지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 기판에 대하여 다른 하전 입자 빔 묘화 장치에 의해 묘화 처리를 행하는 경우이면 본 발명의 적용이 가능하다.
도 1, 도 2는 본 실시 형태에 있어서의 제1 전자 빔 묘화 장치를 도시하고 있다. 또한, 본 실시 형태에 있어서는 제2 전자 빔 묘화 장치도 마찬가지의 구성으로 한다. 그리고 제1 하전 입자 빔 묘화 장치와 제2 하전 입자 빔 묘화 장치를 이용하여 본 발명의 하전 입자 빔 묘화 장치 시스템이 구성된다.
제1 전자 빔 묘화 장치는 묘화실(1)과, 묘화실(1)의 천장부에 세워 설치된 빔 조사 수단인 전자 경통(2)과, 묘화실(1)에 인접하는 반송실(3)과, 반송실(3) 옆에 인접하는 얼라인먼트실(4)을 구비하고 있다. 묘화실(1)에는 서로 직교하는 X 방향 및 Y 방향으로 이동 가능한 스테이지(5)가 설치되어 있다. 그리고 얼라인먼트실(4)에서 정위치에 위치 결정된 기판(S)을, 반송실(3)에 배치한 반송 로봇(6)에 전달하고, 반송 로봇(6)에 의해 기판(S)을 스테이지(5) 위로 반송해서 적재하도록 하고 있다. 기판(S)은, 예를 들어 글래스 기판 위에 Cr 산화막과 레지스트막이 적층된 마스크 기판이다.
반송 로봇(6)은 X 방향 및 Y 방향에 직교하는 Z 방향의 축선 주위로 회전 가능한 회전축(6a)과, 회전축(6a)에 고정된 좌표계의 수평한 1축 방향으로 신축 가능한 로봇 아암(6b)과, 로봇 아암(6b)의 선단부에 부착한, 기판(S)을 보유 지지하는 로봇 핸드(6c)를 갖는 극 좌표형 로봇으로 구성되어 있다. 로봇 아암(6b)의 신축 방향은, 스테이지(5) 위에 기판(S)을 적재할 때에, Y 방향과 평행해진다. 또한, 로봇 핸드(6c)는 로봇 아암(6b)의 신축 방향에 일치하는 자세로 항상 유지된다. 또한, 본 실시 형태에서는 로봇 아암(6b)을 한 쌍의 아암의 굴신 동작으로 신축하는 것으로 구성하고 있지만, 텔레스코픽형의 아암으로 로봇 아암(6b)을 구성해도 좋다.
전자 경통(2)은 내장하는 전자총으로부터 발하게 된 전자 빔을 소요의 단면 형상으로 성형한 후 편향되게 해서 기판(S)에 조사하는 공지의 것이며, 그 상세한 설명은 생략한다. 전자 경통(2)은 조사 제어부(7)에 의해 제어되고, 스테이지(5)는 스테이지 제어부(8)에 의해 제어되고, 반송 로봇(6)은 로봇 제어부(9)에 의해 제어된다. 그리고 이들 조사 제어부(7), 스테이지 제어부(8) 및 로봇 제어부(9)는 전체 제어부(10)에서 통괄 제어된다. 전체 제어부(10)에는 제1 메모리(111)와 제2 메모리(112)가 접속되어 있다. 제1 메모리(111)에는 패턴 데이터가 기억되어 있다. 전체 제어부(10)는 패턴 데이터를 기초로 하여 묘화해야 할 도형의 형상, 위치를 규정하는 묘화 데이터를 작성하고, 이것을 제2 메모리(112)에 기억시킨다.
또한, 전자 빔 묘화 장치는 스테이지(5)의 X 방향 및 Y 방향의 위치를 측정하는 스테이지 위치 측정기(12)와, 스테이지(5)에 적재된 기판(S)의 높이(Z 방향 위치)를 측정하는 높이 측정기(13)를 구비하고 있다. 스테이지 위치 측정기(12)는, 도 2에 도시한 바와 같이, 스테이지(5)에 고정한 X 방향의 법선을 갖는 스테이지 미러(5a)로의 레이저광의 입반사로 스테이지(5)의 X 방향 위치를 측정하는 레이저 측장계(12a)와, 스테이지(5)에 고정한 Y 방향의 법선을 갖는 스테이지 미러(5b)에의 레이저광의 입반사로 스테이지(5)의 Y 방향 위치를 측정하는 레이저 측장계(12b)로 구성되어 있다.
높이 측정기(13)는 레이저광을 기판(S)의 표면에 경사 상방으로부터 수렴하여 조사하는 투광부(13a)와, 기판(S)으로부터의 반사광을 수광해서 반사광의 위치를 검출하는 수광부(13b)와, 반사광의 위치로부터 기판(S)의 높이를 산출하는 높이 신호 처리부(13c)로 구성되어 있다. 높이 측정기(13)로 측정된 기판(S)의 높이 데이터는, 전체 제어부(10)로부터 높이 데이터 판독 지령을 수신했을 때에, 전체 제어부(10)에 응답 데이터로서 입력된다. 그리고 전체 제어부(10)는, 기판(S) 높이의 정규 높이로부터 어긋남량에 따라서, 묘화 정밀도를 유지하는데 필요한 전자 빔의 편향각이나 초점 범위를 산출하여, 묘화 데이터를 보정한다. 또한, 높이 신호 처리부(13c)는 수광부(13b)로부터 얻을 수 있는 높이 신호를 연산해서 반사광의 수광량을 검출하는 기능을 아울러 갖는다.
그런데 스테이지 위치 측정기(12)에서는 기판(S)의 위치를 측정할 수 없으므로, 스테이지(5) 위의 소정 위치에 기판(S)이 적재되어 있지 않으면, 기판(S)의 외형에 대하여 묘화되는 패턴 전체의 위치가 어긋난다. 여기서, 반송 로봇(6)이 제어 데이터대로 동작해도, 스테이지(5) 위의 소정 위치에 기판(S)이 적재되지 않는 경우가 있다. 그래서, 규칙적으로 패턴을 배치한 교정용 기판을 사용해서 글로벌한 위치 오차를 보정한다.
도 3은 교정용 기판의 구성을 도시하는 개념도이다. 또한, 도 4는, 도 3의 교정용 기판의 단면을 도시하는 개념도이다. 교정용 기판(110)은 기판 본체(112)와, 도전막(114, 116)을 구비하고 있으며, 기판 본체(112) 위에 도전막(114)(제1 도전막)이 배치되어 있다. 그리고 도전막(114) 위에 도전막(116)(제2 도전막)이 선택적으로 배치된다. 도전막(116)에는 규칙적으로 배치된 도전막(114)까지 관통하는 복수의 개구부(120)가 형성된다. 복수의 개구부(120)는, 기판 표면에 편재하지 않도록 전체적으로 대략 균일하게 배치되면 적합하다. 이러한 복수의 개구부(120)가 패턴이 되어 각 위치를 측정함으로써 전자 빔 묘화 장치의 스테이지 위치의 보정을 행할 수 있다. 각 개구부(120)의 저면은 도전막(114)이 되므로, 전자 빔을 조사해도 전자의 대전을 회피할 수 있다. 그로 인해, 전자의 대전에 의한 예기치 않은 오차가 발생하는 일이 없다. 예를 들어, 지락(地絡)시킨 핀을 교정용 기판(110)의 상면측으로부터 도전막(114) 혹은 도전막(116)에 접촉시킴으로써, 교정용 기판(110)과 어스 부재를 접속하면 좋다.
도전막(116)은 도전막(114)보다도 반사율이 큰 재료를 이용하면 적합하다. 도전막(116)의 재료로서, 예를 들어 원자 번호 73 이상의 원자를 이용하면 적합하다. 원자 번호 73 이상의 원자를 이용함으로써 전자 빔의 반사율을 도전막(114)보다도 크게 할 수 있다. 또한, 도전막(116)의 재료로서, 기판 본체(112)와 동일 정도로 융점이 높은 재료를 이용하면 적합하다. 융점이 높은 재료를 이용함으로써, 전자 빔을 조사했을 때에 녹지 않도록 할 수 있다. 예를 들어 1000℃ 이상의 재료가 적합하다. 또한, 도전막(116)의 재료로서는, 훨씬 단단하고 부식되기 어려운 재료가 적합하다. 교정용 기판은 몇 번이나 사용되고, 또한 표면은 약액 세정에 노출되므로, 단단하고 부식되기 어려운 재료를 이용함으로써 막의 마모나 변형을 억제할 수 있다. 이들의 조건을 충족시키는 재료로서, 예를 들어 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 백금(Pt) 및 그들의 화합물을 이용할 수 있다.
도전막(114)은 도전막(116)보다도 전자 빔의 반사율이 낮은 재료를 이용하면 적합하다. 도전막(114)의 재료로서는, 예를 들어 원자 번호 73보다 작은 원자를 이용하면 적합하다. 원자 번호 73보다 작은 원자를 이용함으로써 전자 빔의 반사율을 도전막(116)보다도 작게 할 수 있다. 또한, 도전막(114)의 재료로서 기판 본체(112)와 동일 정도로 융점이 높은 재료를 이용하면 적합하다. 융점이 높은 재료를 이용함으로써, 전자 빔을 조사했을 때에 녹지 않도록 할 수 있다. 예를 들어, 1000℃ 이상의 재료가 적합하다. 또한, 도전막(114)의 재료로서는, 훨씬 단단하고 부식되기 어려운 재료가 적합하다. 교정용 기판은 몇 번이나 사용되고, 또한 표면은 약액 세정에 노출되므로, 단단하고 부식되기 어려운 재료를 이용함으로써 막의 마모나 변형을 억제할 수 있다. 이들의 조건을 충족시키는 재료로서, 예를 들어 크롬(Cr), 티탄(Ti), 바나듐(V) 또는 그들의 화합물을 들 수 있다.
단, 도전막(114, 116)의 재료는 서로 반사율이 다른 도전막이면 좋고, 상술한 금속 함유 재료에 한정되는 것은 아니다.
이상과 같이, 개구부(120)의 저면과 개구부(120)의 외측 표면에, 반사율이 다른 복수의 도전막(114, 116)을 배치함으로써 전자 빔에 의한 주사를 행할 때에 검출되는 신호의 콘트라스트를 크게 할 수 있다. 따라서, 패턴의 위치를 고정밀도로 측정할 수 있다.
기판 본체(112)에는, SiO2보다도 낮은 열팽창 계수를 갖는 재료를 이용하는 것이 바람직하다. 교정용 기판으로서 SiO2로 이루어지는 유리 기판을 이용한 경우, 기판의 열팽창 계수는 대략 1ppm/℃이므로, 전자 빔 주사에 의한 발열에 의해 기판 자체가 열팽창해서 오차를 발생시킨다. 이에 반해, SiO2보다도 낮은 열팽창 계수의 재료, 예를 들어 SiO2재에 Ti를 도핑한 재료이면, 기판 본체(112)의 열팽창 계수를 0±30ppb/℃로 억제할 수 있다. 따라서, 전자 빔 주사를 행할 때의 열팽창에 의한 위치 오차를 억제할 수 있다.
실제로 묘화를 행할 때, 기판(S)은 3개의 핀 형상의 지지 부재 위에 놓여져 지지된다. 이로 인해, 스테이지의 이동에 의해 기판(S)이 미끄러져 위치 어긋남을 일으킬 우려가 있다. 그래서, 이러한 위치 어긋남을 관측하기 위해, 교정용 기판(110)의 이면은 기판(S)의 이면과 가능한 한 동일한 상태로 하는 것이 바람직하다. 기판(S)의 이면은, 통상은 기판 본체가 노출된 상태이므로, 교정용 기판(110)의 이면도 기판 본체(112)의 재료인 저 열팽창재가 노출된 상태로 하는 것이 바람직하다.
교정용 기판(110)에 의한 묘화 위치의 보정은, 각 개구부(120)의 위치를 측정함으로써 행한다. 이 측정 방법에 대해, 이하에서 설명한다.
제1 전자 빔 묘화 장치는, 스테이지(5) 위에 교정용 기판(110)이 적재된 상태에서, 전자 경통(2)에 내장된 전자총으로부터 전자 빔을 조사한다. 이 경우, 전자 빔의 성형은 불필요하다. 전자 빔은, 조사 제어부(7)에서의 편향 제어에 의해, 교정용 기판(110) 위를 주사한다. 그리고 교정용 기판(110)의 표면으로부터 반사된 반사 전자는, 도시하지 않은 검출기에 의해 검출되고, 신호가 증폭된 후, 전체 제어부(10)에 출력된다. 또, 조사 제어부(7)에 의한 편향 영역을 초과하는 개구부를 주사할 때에는, 스테이지(5)를 이동시킴으로써 위치를 조정하면 좋다.
도 5의 (a) 및 (b)는 교정용 기판(110)을 이용한 위치 보정의 방법을 설명하는 도면이다. 도 5의 (a)에는, 측정점을 기판의 좌표 그리드 위에 나타낸 상태가 도시되어 있다. 반사율이 다른 도전막(114, 116)으로부터 반사된 전자를 검출하도록 함으로써, 검출 신호의 콘트라스트가 커져, 고정밀도인 위치 측정이 가능해진다. 또한, 도전막(114, 116)이 교정용 기판(110)의 표면을 차지하고 있으므로, 전자의 대전에 의한 측정 오차도 회피할 수 있다. 또한, 열 팽창 계수가 낮은 재료를 이용함으로써, 기판 본체(112)의 열팽창에 의한 측정 오차도 무시할 수 있다.
상기 측정에서 얻어진 측정점을 다항식에서 근사(피팅)함으로써, 도 5의 (b)에 도시하는 위치 오차 맵을 얻을 수 있다. 여기서, 기판 표면의 각 위치에 있어서의 X 방향의 위치 오차 ΔXij와 Y 방향의 위치 오차 ΔYij는, 예를 들어 이하에 도시하는 2 변수 3차 다항식 (1), (2)에서 근사할 수 있다.
(1) ΔXij = A0 ＋ A1·Xij ＋ A2·Yij ＋ A3·Xij 2
＋ A4·Xij·Yij ＋ A5·Yij 2 ＋ A6·Xij 3
＋ A7·Xij 2·Yij ＋ A8·Xij·Yij 2 ＋ A9·Yij 3
(2) ΔYij = B0 ＋ B1·Xij ＋ B2·Yij ＋ B3·Xij 2
＋ B4·Xij·Yij ＋ B5·Yij 2 ＋ B6·Xij 3
＋ B7·Xij 2·Yij ＋ B8·Xij·Yij 2 ＋ B9·Yij 3
전체 제어부(10)는 연산에 의해 얻어진 계수 A0 내지 A9와 B0 내지 B9를 조사 제어부(7)로 설정한다. 그리고 조사 제어부(7)는, 묘화 대상이 되는 기판(S)에 묘화할 때에, 묘화 위치의 각 좌표에 대해 식 (1)과 식 (2)에서 구해지는 X 방향의 위치 오차 ΔXij와 Y 방향의 위치 오차 ΔYij를 보정한 위치로 전자 빔을 편향하도록 제어한다. 이에 의해, 글로벌한 위치 오차를 보정할 수 있다. 또한, 도전막(116) 위에 규칙적으로 배치된 개구부(120)가 갖는 개구부 좌표의 제작 오차분에 대해서는 미리 측정하고, 계수 A0 내지 A9와 B0 내지 B9로의 기여를 제외해 둔다.
다음에, 제1 전자 빔 묘화 장치에 의해 기판(S)에 제1 패턴을 묘화하는 방법에 대해서 서술한다.
우선, 제1 전자 빔 묘화 장치의 구동 시에, 전자 빔에 의해 반사율이 다른 2층의 막이 형성된 교정용 기판(110) 위를 주사하여, 교정용 기판(110)으로부터 반사된 반사 전자를 검출한다.
그리고 검출된 결과를 이용하여, 전자 빔의 조사 위치의 오차를 교정한다. 교정 방법은, 상술한 바와 같이 위치 오차 맵을 작성하면 좋다. 기판 표면의 각 위치에 있어서의 X 방향의 위치 오차 ΔXij와 Y 방향의 위치 오차 ΔYij는, 예를 들어 식 (1)과 식 (2)에서 근사할 수 있다. 전체 제어부(10)는 연산에 의해 얻어진 계수 A0 내지 A9와 B0 내지 B9를 조사 제어부(7)에 설정한다. 그러면, 조사 제어부(7)는 묘화 대상인 기판(S)에 묘화할 때에, 묘화 위치의 각 좌표에 대해서 식 (1)과 식 (2)에서 구해지는 X 방향의 위치 오차 ΔXij와 Y 방향의 위치 오차 ΔYij를 보정한 위치에 전자 빔이 편향하도록 제어한다. 이에 의해, 기판(S) 위의 원하는 위치에 제1 패턴이 묘화된다.
제1 패턴을 묘화한 후는, 기판(S)을 제1 전자 빔 묘화 장치로부터 취출한다. 그리고 기판(S)의 표면에 대전 방지막을 형성한다. 그 후, 기판(S)을 제2 전자 빔 묘화 장치로 반송한다. 또, 제2 전자 빔의 묘화 장치의 구성은, 도 1에서 설명한 제1 전자 빔 묘화 장치와 마찬가지로 한다.
제1 전자 빔 묘화 장치에서 구한 X 방향의 위치 오차 ΔXij와 Y 방향의 위치 오차 ΔYij를 이용하여, 제2 전자 빔 묘화 장치로 전자 빔의 조사 위치를 보정해도, 전자 빔을 기판(S)의 원하는 위치에 조사할 수는 없다. 예를 들어, 동일한 전자 빔 묘화 장치를 이용해서 제1 패턴과 제2 패턴을 전사할 경우, 기판(S)의 위치 어긋남은 100㎛ 오더이지만, 다른 전자 빔 묘화 장치를 이용할 경우에는, 수㎜ 오더에서의 위치 어긋남이 일어난다. 이것은, 장치 사이에 위치 어긋남이 있는 것을 나타내고 있다.
그래서, 본 실시 형태에 있어서는, 제2 전자 빔 묘화 장치에 대해서도 제1 전자 빔 묘화 장치에서 이용한 교정용 기판(110)에 의해 위치 오차 맵을 작성한다. 그리고 제1 전자 빔 묘화 장치에 있어서의 위치 오차와, 제2 전자 빔 묘화 장치에 있어서의 위치 오차의 차분을 구함으로써, 제1 전자 빔 묘화 장치와 제2 전자 빔 묘화 장치와의 장치 간의 위치 오차를 얻는다. 이 위치 오차를 제2 전자 빔 묘화 장치의 조사 제어부에 설정하면, 장치 간의 위치 오차를 없앨 수 있다.
위치 오차 맵의 작성 방법은, 상기와 마찬가지이다. 즉, 제2 전자 빔 묘화 장치에 있어서, 교정용 기판(110) 위를 전자 빔으로 주사해서 얻어진 측정점을 다항식에서 근사(피팅)함으로써, 위치 오차 맵을 얻을 수 있다.
제2 전자 빔 묘화 장치에 있어서, 기판 표면의 각 위치에 있어서의 X 방향의 위치 오차 ΔXij'와 Y 방향의 위치 오차 ΔYij'는, 예를 들어 이하에 나타내는 2변수 3차 다항식 (3), (4)에서 근사할 수 있다.
(3) ΔXij' = A0' ＋ A1'·Xij ＋ A2'·Yij ＋ A3'·Xij 2
＋ A4'·Xij·Yij ＋ A5'·Yij 2 ＋ A6'·Xij 3
＋ A7'·Xij 2·Yij ＋ A8'·Xij·Yij 2 ＋ A9'·Yij 3
(4) ΔYij' = B0' ＋ B1'·Xij ＋ B2'·Yij ＋ B3'·Xij 2
＋ B4'·Xij·Yij ＋ B5'·Yij 2 ＋ B6'·Xij 3
＋ B7'·Xij 2·Yij ＋ B8'·Xij·Yij 2 ＋ B9'·Yij 3
제2 전자 빔 묘화 장치의 전체 제어부는, 제1 전자 빔 묘화 장치에서 얻어진 계수 A0 내지 A9와 B0 내지 B9와, 제2 전자 빔 묘화 장치에서 얻어진 계수 A0' 내지 A9'와 B0' 내지 B9'와의 각각의 차분을 연산한다. 그리고 연산된 계수의 차분(A0' － A0) 내지 (A9' － A9)와 (B0' － B0) 내지 (B9' － B9)를 조사 제어부로 송신한다. 조사 제어부는 묘화 대상인 기판(S)에 묘화할 때에, 묘화 위치의 각 좌표에 대해 식 (3)과 식 (4)의 각 계수에 대응하는 차분 dA0 내지 dA9와 dB0 내지 dB9를 가산함으로써 보정한 계수를 식 (3)과 식 (4)에 적용한다. 여기서, 예를 들어 dA0 = (A0 － A0')이다. 이와 같이 계수가 보정된 식 (3)과 식 (4)에서 구해지는 X 방향의 위치 오차 ΔXij'와 Y 방향의 위치 오차 ΔYij'를 보정한 위치에 전자 빔이 편향하도록 제어한다. 이에 의해, 제2 전자 빔 묘화 장치에 대한 기판(S)의 위치 정렬이 쉬워진다. 또한, 기판(S)에 위치 정렬 마크가 마련되어 있는 경우에는, 이 위치 정렬 마크에 대한 전자 빔의 주사 범위를 좁힐 수 있으므로, 레지스트막의 비산을 줄일 수 있다.
도 6의 (a) 내지 (c)는, 스테이지의 소정 위치에 기판(S)이 적재되지 않음으로써, 기판(S)의 외형에 대하여 묘화되는 패턴 전체의 위치가 어긋나는 모습을 모식적으로 도시한 것이다. 도 6의 (a)는, 제1 묘화 장치에 있어서의 교정용 기판(110)의 글로벌한 위치 어긋남의 모습을 도시하고 있다. 도면의 부호 201은 기판(S)이 본래 있어야 할 소정의 위치를 나타내고 있으며, 부호 202는 교정용 기판(110)의 위치 오차를 나타내고 있다. 또한, 도 6의 (b)는 제2 묘화 장치에 있어서의 교정용 기판(110)의 글로벌한 위치 어긋남의 모습을 도시하고 있다. 도면의 부호 203은 기판(S)이 본래 있어야 할 소정의 위치를 나타내고 있으며, 부호 204는 교정용 기판(110)의 위치 오차를 나타내고 있다. 또한, 도 6의 (c)에 있어서, 부호 205는 기판(S)이 본래 있어야 할 소정의 위치를 나타내고 있으며, 부호 206은 제1 묘화 장치에 있어서의 위치 오차와 제2 묘화 장치에 있어서의 위치 오차의 차분을 나타내고 있다.
다음에, 위치 정렬 마크를 이용한 기판(S)의 위치 정렬 방법을, 도 1과 도 7 및 도 8을 이용해서 설명한다.
위치 정렬 마크는, 도 7의 (a)에 도시한 바와 같이, 광의 반사율이 다른 부분과는 다른, 서로 직교하는 방향으로 연장되는 선 형상의 2개의 마크부(101, 102)를 형성한 것이다. 기판(S)이 스테이지(5) 위의 소정 위치에 적재되었을 때, 제1 마크부(101)는 Y 방향으로 평행해지고, 제2 마크부(102)는 X 방향으로 평행해진다. 또한, 본 실시 형태에서는 기판(S)으로서, 도 7의 (b)에 도시한 바와 같이, 유리 기판(103) 표면의 일부에 크롬막 등의 차광막(104)이 적재된 것을 이용한다. 차광막(104)의 제거 부분에서 마크부(101, 102)가 구성되므로, 마크부(101, 102)에 있어서의 광의 반사율은 다른 부분보다 낮아진다.
본 실시 형태에 따르면, 위치 정렬 마크를 전자 빔으로 주사하므로, 조사 스폿(SP)의 주사 궤적과 각 마크부(101, 102)의 교차 부위의 위치를 정밀도 좋게 측정할 수 있게 된다. 예를 들어, 레이저광을 이용한 위치 정렬 마크의 검출에서는, 레이저광의 스폿 지름이 비교적 크기 때문에 수광량의 변화 패턴은 가우시안 형상(정규 분포 형상)이 된다. 한편, 전자 빔의 스폿 지름은 레이저광에 비해 작기 때문에, 검출되는 반사 신호는 도 8과 같아진다. 이 파형으로부터 명백한 바와 같이, 전자 빔에 의하면 조사 스폿(SP)의 주사 궤적과 각 마크부(101, 102)의 교차 부위의 위치 정밀도가 좋은 측정이 가능하다. 그리고 본 발명에 따르면, 위치 정렬 마크를 검출할 때의 전자 빔의 주사 범위를 좁힐 수 있으므로, 레지스트막의 비산을 억제할 수 있다.
그 후는, 기판(S)에 대하여 전자 빔을 조사해 제2 패턴을 묘화한다. 본 실시 형태에 따르면, 제1 전자 빔 묘화 장치에서 얻어진 계수 A0 내지 A9와 B0 내지 B9와, 제2 전자 빔 묘화 장치에서 얻어진 계수 A0' 내지 A9'와 B0' 내지 B9'와의 각각의 차분을 연산하고, 이렇게 해서 얻어진 값을 제2 전자 빔 묘화 장치의 조사 제어부로 송신한다. 조사 제어부는 묘화 대상인 기판(S)에 제2 패턴을 묘화할 때에, 묘화 위치의 각 좌표에 대해 식 (3)과 식 (4)의 각 계수에 대응하는 차분 dA0 내지 dA9와 dB0 내지 dB9를 가산함으로써 보정한 계수를 식 (3)과 식 (4)에 적용한다. 여기서, 예를 들어 dA0 = (A0 － A0')이다. 이와 같이 계수가 보정된 식 (3)과 식 (4)에서 구해지는 X 방향의 위치 오차 ΔXij'와 Y 방향의 위치 오차 ΔYij'를 보정한 위치에 전자 빔이 편향하도록 제어한다. 이에 의해, 기판(S)에 마련된 위치 정렬 마크에 대한 전자 빔의 주사 범위를 좁혀, 레지스트막의 비산을 줄일 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 하전 입자 빔 묘화 방법에서는, 제1 하전 입자 빔 묘화 장치에 있어서, 반사율이 다른 2층의 막이 형성된 교정용 기판 위를 하전 입자 빔으로 주사하고, 교정용 기판으로부터의 반사 신호를 검출해서 조사 위치의 오차를 구한다. 또한, 제2 하전 입자 빔 묘화 장치에 있어서, 상기와 동일한 교정용 기판 위를 하전 입자 빔으로 주사하고, 교정용 기판으로부터의 반사 신호를 검출해서 조사 위치의 오차를 구한다. 그리고 제1 하전 입자 빔 묘화 장치에 있어서의 조사 위치의 오차와, 제2 하전 입자 빔 묘화 장치에 있어서의 조사 위치의 오차의 차분을 구하고, 이 차분을 이용하여, 제2 하전 입자 빔 묘화 장치에 있어서의 하전 입자 빔의 조사 위치의 오차를 교정한다. 이에 의해, 제2 하전 입자 빔 묘화 장치에 대한 기판 위의 전자 빔 조사 위치 어긋남량을 작게 할 수 있다.
또한, 본 발명에서 위치 정렬 마크를 하전 입자 빔으로 주사해서 기판의 위치 정렬을 행하는 방법에 따르면, 고정밀도인 위치 정렬이 가능해진다. 그리고 본 발명에 따르면, 상기와 같이 제2 하전 입자 빔 묘화 장치에 대한 기판 위의 전자 빔 조사 위치 어긋남량을 작게 할 수 있으므로, 위치 정렬 마크에 대한 하전 입자 빔의 주사 범위를 좁혀, 레지스트막의 비산을 줄일 수 있다. 따라서, 기판의 적재 위치를 보정하지 않아도, 하전 입자 빔의 조사 위치를 보정함으로써 원하는 패턴을 전사하는 것이 가능하다.
또한, 본 발명의 하전 입자 빔 묘화 장치 시스템은, 제1 하전 입자 빔 묘화 장치와, 제2 하전 입자 빔 묘화 장치를 갖고, 제2 하전 입자 빔 묘화 장치는 제1 하전 입자 빔 묘화 장치에 있어서의 조사 위치의 오차와, 제2 하전 입자 빔 묘화 장치에 있어서의 조사 위치의 오차의 차분을 이용하여, 제2 하전 입자 빔 묘화 장치에 있어서의 하전 입자 빔의 조사 위치의 오차를 교정하도록 구성되어 있다. 여기서, 차분은 제1 하전 입자 빔 묘화 장치에 있어서, 반사율이 다른 2층의 막이 형성된 교정용 기판 위를 하전 입자 빔으로 주사하고, 교정용 기판으로부터의 반사 신호를 검출해서 얻어진 조사 위치의 오차와, 제2 하전 입자 빔 묘화 장치에 있어서, 교정용 기판 위를 하전 입자 빔으로 주사하고, 교정용 기판으로부터의 반사 신호를 검출해서 얻어진 조사 위치의 오차의 차분이다. 이에 의해, 기판에 대하여 다른 하전 입자 빔 묘화 장치에 의해 묘화 처리를 행할 때, 2번째의 하전 입자 빔 묘화 장치에 대한 기판 위의 전자 빔 조사 위치 어긋남량을 작게 할 수 있는 하전 입자 빔 묘화 장치 시스템이 제공된다.
이상, 본 발명의 실시 형태에 대해 도면을 참조해서 설명했지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 실시 형태에서는 기판 위에 레지스트막을 마련한 후, 제1 전자 빔 묘화 장치를 이용해서 레지스트막 위에 제1 패턴을 전사하고, 계속해서 제1 전자 빔 묘화 장치로부터 기판을 취출하여, 노광 후의 레지스트막 위에 대전 방지막을 마련한 후, 기판을 제2 전자 빔 묘화 장치로 반송해서 레지스트막 위에 제2 패턴을 전사하는 경우에 대해 서술했다. 그러나 본 발명은 이 공정에 한정되는 것은 아니며, 또한 위상 시프트 마스크의 제조에 한정되는 것도 아니다. 기판에 대하여 다른 하전 입자 빔 묘화 장치에 의해 묘화 처리를 행하는 경우이면 본 발명의 적용에 의해 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다.
또한, 상기 실시 형태는 전자 빔을 조사하는 전자 빔 묘화 장치에 있어서의 기판 적재 위치의 측정에 본 발명을 적용한 것이지만, 이온 빔 등의 다른 하전 입자 빔을 조사하는 묘화 장치에도 마찬가지로 본 발명을 적용할 수 있다.
상기 기재에 있어서는, 전자 빔 묘화 장치의 구성이나 제어 방법 등에 대해, 본 발명의 설명에 직접 필요로 하지 않는 부분에 대한 기재를 생략했지만, 필요해지는 장치 구성이나 제어 방법을 적절하게 선택해서 이용할 수 있다. 예를 들어, 전자 빔 묘화 장치를 제어하는 구체적인 제어부 구성에 대해서는 기재를 생략했지만, 필요해지는 제어부 구성을 적절하게 선택해서 이용할 수 있는 것은 물론이다.
S : 기판
1 : 묘화실
2 : 전자 경통(빔 조사 수단)
3 : 반송실
4 : 얼라인먼트실(얼라인먼트부)
5 : 스테이지
5a, 5b : 스테이지 미러
6 : 반송 로봇
6a : 회전축
6b : 로봇 아암
6c : 로봇 핸드
7 : 조사 제어부
8 : 스테이지 제어부
9 : 로봇 제어부
10 : 전체 제어부
111 : 제1 메모리
112 : 제2 메모리
12 : 스테이지 위치 측정기
12a, 12b : 레이저 측장계
13 : 높이 측정기
13a : 투광부
13b : 수광부
13c : 높이 신호 처리부
101 : 제1 마크부
102 : 제2 마크부
103 : 글래스 기판
104 : 차광막
x1, x2, y1, y2 : 측정 위치
110 : 교정용 기판
112 : 기판 본체
114, 116 : 도전막
120 : 개구부

Claims (5)

  1. 제1 하전 입자 빔 묘화 장치에 의해 기판에 제1 패턴을 묘화한 후, 제2 하전 입자 빔 묘화 장치에 의해 상기 기판에 제2 패턴을 묘화하는 하전 입자 빔 묘화 방법이며,
    제1 하전 입자 빔 묘화 장치에 있어서, 반사율이 다른 2층의 막이 형성된 교정용 기판 위를 하전 입자 빔으로 주사하고, 상기 교정용 기판으로부터의 반사 신호를 검출해서 조사 위치의 오차를 구하는 공정과,
    제2 하전 입자 빔 묘화 장치에 있어서, 상기 교정용 기판 위를 하전 입자 빔으로 주사하고, 상기 교정용 기판으로부터의 반사 신호를 검출해서 조사 위치의 오차를 구하는 공정과,
    상기 제1 하전 입자 빔 묘화 장치에 있어서의 조사 위치의 오차와, 상기 제2 하전 입자 빔 묘화 장치에 있어서의 조사 위치의 오차의 차분을 구하는 공정과,
    상기 차분을 이용하여, 상기 제2 하전 입자 빔 묘화 장치에 있어서의 하전 입자 빔의 조사 위치의 오차를 교정하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는, 하전 입자 빔 묘화 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판에는 위치 정렬 마크가 마련되어 있으며,
    상기 제1 하전 입자 빔 묘화 장치에 상기 기판을 반입하고, 상기 위치 정렬 마크를 하전 입자 빔으로 주사해서 상기 기판의 위치 정렬을 행하는 공정과,
    상기 제2 하전 입자 빔 묘화 장치에 상기 기판을 반입하고, 상기 위치 정렬 마크를 하전 입자 빔으로 주사해서 상기 기판의 위치 정렬을 행하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는, 하전 입자 빔 묘화 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 교정용 기판은 산화 실리콘(SiO2)보다도 낮은 열팽창 계수의 재료를 이용한 기판 본체와,
    상기 기판 본체 위에 마련된 제1 도전막과,
    상기 제1 도전막 위에 선택적으로 배치되고, 상기 제1 도전막보다도 반사율이 큰 제2 도전막을 갖는 것을 특징으로 하는, 하전 입자 빔 묘화 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1 도전막은 크롬(Cr), 티탄(Ti) 및 바나듐(V)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나를 포함하고,
    상기 제2 도전막은 탄탈(Ta), 텅스텐(W) 및 백금(Pt)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는, 하전 입자 빔 묘화 방법.
  5. 제1 하전 입자 빔 묘화 장치와,
    제2 하전 입자 빔 묘화 장치를 갖고,
    상기 제2 하전 입자 빔 묘화 장치는, 상기 제1 하전 입자 빔 묘화 장치에 있어서의 조사 위치의 오차와, 상기 제2 하전 입자 빔 묘화 장치에 있어서의 조사 위치의 오차의 차분을 이용하여, 상기 제2 하전 입자 빔 묘화 장치에 있어서의 하전 입자 빔의 조사 위치의 오차를 교정하도록 구성되어 있으며,
    상기 차분은, 상기 제1 하전 입자 빔 묘화 장치에 있어서, 반사율이 다른 2층의 막이 형성된 교정용 기판 위를 하전 입자 빔으로 주사하고, 상기 교정용 기판으로부터의 반사 신호를 검출해서 얻어진 조사 위치의 오차와, 상기 제2 하전 입자 빔 묘화 장치에 있어서, 상기 교정용 기판 위를 하전 입자 빔으로 주사하고, 상기 교정용 기판으로부터의 반사 신호를 검출하여 얻어진 조사 위치의 오차의 차분인 것을 특징으로 하는, 하전 입자 빔 묘화 장치 시스템.
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