KR102267475B1 - 전자빔 노광 장치 및 이의 에러 검출 방법 - Google Patents

전자빔 노광 장치 및 이의 에러 검출 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102267475B1
KR102267475B1 KR1020130120901A KR20130120901A KR102267475B1 KR 102267475 B1 KR102267475 B1 KR 102267475B1 KR 1020130120901 A KR1020130120901 A KR 1020130120901A KR 20130120901 A KR20130120901 A KR 20130120901A KR 102267475 B1 KR102267475 B1 KR 102267475B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electron beam
line
error detection
input data
error
Prior art date
Application number
KR1020130120901A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150042107A (ko
Inventor
유상용
이상희
문성용
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020130120901A priority Critical patent/KR102267475B1/ko
Priority to US14/446,736 priority patent/US9229327B2/en
Priority to JP2014205833A priority patent/JP2015076614A/ja
Publication of KR20150042107A publication Critical patent/KR20150042107A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102267475B1 publication Critical patent/KR102267475B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/24—Optical enhancement of defects or not directly visible states, e.g. selective electrolytic deposition, bubbles in liquids, light emission, colour change
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • H01L22/34—Circuits for electrically characterising or monitoring manufacturing processes, e. g. whole test die, wafers filled with test structures, on-board-devices incorporated on each die, process control monitors or pad structures thereof, devices in scribe line
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
    • H01J2237/24507—Intensity, dose or other characteristics of particle beams or electromagnetic radiation
    • H01J2237/24514—Beam diagnostics including control of the parameter or property diagnosed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
    • H01J2237/24507—Intensity, dose or other characteristics of particle beams or electromagnetic radiation
    • H01J2237/24514—Beam diagnostics including control of the parameter or property diagnosed
    • H01J2237/24542—Beam profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
    • H01J2237/24564—Measurements of electric or magnetic variables, e.g. voltage, current, frequency
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/304—Controlling tubes
    • H01J2237/30433—System calibration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/304—Controlling tubes
    • H01J2237/30455—Correction during exposure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31774—Multi-beam
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31776—Shaped beam
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31793—Problems associated with lithography
    • H01J2237/31798—Problems associated with lithography detecting pattern defects

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명에 따른 전자빔 노광 장치는, 제1 입력 데이터에 대응하는 전자빔과 제2 입력 데이터에 대응하는 전자빔을 조사하는 전자빔 소스부; 상기 제1 입력 데이터에 기초하여 전자빔이 조사되는 마스크가 상단에 형성되며, 상기 마스크를 이동시키는 스테이지; 및 상기 제2 입력 데이터에 기초하여 조사되는 전자빔에 대한 에러를 검출하고, 에러가 검출된 전자빔에 기초하여 에러 검출 정보를 출력하는 에러 검출 장치를 포함한다.

Description

전자빔 노광 장치 및 이의 에러 검출 방법{ELECTRON BEAM EXPOSURE APPARATUS AND ERROR DETECTION METHOD THEREOF}
본 발명은 전자빔 노광 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 실시간으로 전자빔의 에러를 검출할 수 있는 전자빔 노광 장치 및 이의 에러 검출 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 집적 회로의 제조 공정은, 전자빔 노광 장치를 이용하여 원판인 마스크(mask) 상에 회로 패턴을 노광하는 단계를 포함한다.
이때, 전자빔 노광 장치의 노광 과정에 있어서, 스테이지(stage)의 이동, 마스크 슬라이딩 등의 문제로 인해 전자빔의 위치 에러 또는 사이즈 에러와 같은 전자빔에 대한 에러가 발생하게 된다.
이러한 전자빔의 에러를 판단하기 위해서는 블랭크 마스크(blank mask)에 직접 노광하여 프로세스를 거친 후 측정을 통해 에러를 판단하게 되므로, 많은 시간과 비용이 발생하게 된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적인 과제는 실시간으로 전자빔의 에러를 검출할 수 있는 전자빔 노광 장치 및 이의 에러 검출 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 전자빔 노광 장치는, 제1 입력 데이터에 대응하는 전자빔과 제2 입력 데이터에 대응하는 전자빔을 조사하는 전자빔 소스부; 상기 제1 입력 데이터에 기초하여 전자빔이 조사되는 마스크가 상단에 형성되며, 상기 마스크를 이동시키는 스테이지; 및 상기 제2 입력 데이터에 기초하여 조사되는 전자빔에 대한 에러를 검출하고, 에러가 검출된 전자빔에 기초하여 에러 검출 정보를 출력하는 에러 검출 장치를 포함한다.
상기 에러 검출 장치는, 제1 라인 및 제2 라인을 포함하며, 상기 제2 입력 데이터에 기초하여 상기 제1 라인 및 제2 라인 상에 조사되는 전자빔을 수광하고, 상기 제1 라인 및 제2 라인 각각으로부터 제1 신호 및 제2 신호를 검출하는 센서부; 및 상기 센서부로부터 검출되는 상기 제1 신호 및 상기 제2 신호를 비교한 결과에 기초하여 에러 검출 정보를 출력하는 데이터 처리부를 포함한다.
상기 센서부는, 제1 도체 상에 소정의 간격을 중심으로 부도체가 형성되고, 상기 부도체 상에 제2 도체가 형성되며, 상기 제1 도체 상에 상기 소정의 간격을 중심으로 형성된 두 개의 라인 중 하나는 상기 제1 라인이고, 다른 하나는 상기 제2 라인이다.
상기 제2 입력 데이터에 기초하여 조사되는 전자빔은 상기 소정의 간격의 폭보다 넓은 폭을 갖는다.
상기 데이터 처리부는, 상기 제1 신호와 상기 제2 신호의 값을 비교하고, 비교 결과에 따른 상기 제1 신호와 상기 제2 신호 사이의 차이 값을 출력하는 비교부; 및 상기 차이 값이 소정의 제1 기준 범위 내에 포함되는지 여부를 판단하고, 판단 결과에 기초하여 에러가 검출된 전자빔에 대응하는 에러 검출 정보를 출력하는 판단부를 포함한다.
상기 판단부는, 상기 판단 결과에 기초하여 에러가 검출된 전자빔의 개수를 카운트하는 카운터를 더 포함한다.
상기 에러 검출 장치는, 상기 제1 도체의 하부로부터 검출되는 전류의 전류량에 기초하여 상기 제2 입력 데이터에 대응하는 전자빔의 에너지량을 검출하는 증폭기를 더 포함하며, 상기 판단부는, 상기 검출된 에너지량이 소정의 제2 기준 범위 내에 포함되는지 여부를 판단하고, 판단 결과에 기초하여 에러가 검출된 전자빔에 대응하는 에러 검출 정보를 출력한다.
상기 제2 입력 데이터에 기초하여 상기 전자빔 소스부로부터 일정 주기로 반복하여 조사되는 복수의 전자빔 중에서, 제1 그룹에 대응하는 전자빔들은 상기 전자빔들의 좌우 측면이 상기 제1 라인 및 상기 제2 라인 상에 조사되고, 제2 그룹에 대응하는 전자빔들은 상기 전자빔들의 상하 측면이 상기 제1 라인 및 상기 제2 라인 상에 조사된다.
상기 에러 검출 정보는, 상기 복수의 전자빔들 중에서 에러가 검출된 전자빔들 각각에 대응하는 사이즈 정보와 위치 정보 및 상기 에러가 검출된 전자빔들의 개수 정보를 포함한다.
상기 에러 검출 장치는, 상기 마스크가 형성되는 상기 스테이지 상에 상기 마스크와 별도로 부착되어 형성되거나, 상기 마스크와 동일한 사이즈를 가지며 상기 마스크의 상단에 탈부착 가능하도록 형성된다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 전자빔 노광 장치의 에러 검출 방법은, 입력 데이터에 기초하여 제1 라인 및 제2 라인 상에 조사되는 전자빔을 수광하는 단계; 상기 수광되는 전자빔에 기초하여 상기 제1 라인 및 상기 제2 라인으로부터 출력되는 제1 신호 및 제2 신호를 검출하는 단계; 및 상기 제1 신호 및 상기 제2 신호 사이의 차이 값에 기초하여 상기 차이 값이 소정의 기준 범위 내에 포함되는지 여부를 판단하는 단계를 포함한다.
상기 차이 값이 소정의 기준 범위 내에 포함되는지 여부를 판단하는 단계는, 상기 차이 값이 소정의 기준 범위 내에 포함되지 않는 경우 상기 전자빔에 에러가 검출된 것으로 판단하고, 상기 에러가 검출된 전자빔에 대응하는 에러 검출 정보를 출력한다.
상기 에러 검출 정보는, 상기 입력 데이터에 기초하여 일정 주기로 반복하여 조사되는 복수의 전자빔 중에서 에러가 검출된 전자빔들 각각에 대응하는 사이즈 정보와 위치 정보 및 상기 에러가 검출된 전자빔들의 개수 정보를 포함한다.
상기 전자빔 노광 장치의 에러 검출 방법은 컴퓨터 프로그램으로 작성되어 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체에 저장될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 전자빔 노광 장치는 노광 과정만으로도 실시간으로 전자빔의 에러를 검출함으로써, 에러 검출을 위한 시간을 단축할 수 있으며 비용을 절감할 수 있다.
본 발명의 상세한 설명에서 인용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 에러 검출 장치를 포함하는 전자빔 노광 장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 스테이지의 상면도(top-view)이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 에러 검출 장치를 나타내는 도면이다.
도 4는 도 3에 도시된 센서부의 구조를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 5는 도 3에 도시된 에러 검출 장치의 일 실시예를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 도 5에 도시된 에러 검출 장치의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 도 3에 도시된 에러 검출 장치의 다른 실시예를 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자빔 노광 장치의 에러 검출 방법을 나타내는 흐름도이다.
본 명세서에 개시되어 있는 본 발명의 개념에 따른 실시 예들에 대해서 특정한 구조적 또는 기능적 설명들은 단지 본 발명의 개념에 따른 실시 예들을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로서, 본 발명의 개념에 따른 실시 예들은 다양한 형태들로 실시될 수 있으며 본 명세서에 설명된 실시 예들에 한정되지 않는다.
본 발명의 개념에 따른 실시 예들은 다양한 변경들을 가할 수 있고 여러 가지 형태들을 가질 수 있으므로 실시 예들을 도면에 예시하고 본 명세서에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명의 개념에 따른 실시 예들을 특정한 개시 형태들에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함한다.
제1 또는 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만, 예컨대 본 발명의 개념에 따른 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채, 제1구성요소는 제2구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2구성요소는 제1구성요소로도 명명될 수 있다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 설시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 가진다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 에러 검출 장치를 포함하는 전자빔 노광 장치를 나타내는 도면이다. 도 1을 참조하면, 전자빔 노광 장치(10)는 전자총(20), 전자빔 소스부(30), 스테이지(100), 마스크(200) 및 에러 검출 장치(300)를 포함할 수 있다.
전자총(20)은 일정한 단면적을 갖는 전자빔을 조사한다. 전자총(20)은 일정 주기로 전자빔을 반복 조사할 수 있다.
전자빔 소스부(30)는 어퍼쳐(aperture, 31) 및 디플렉터(deflector, 35)를 포함하여, 조사되는 전자빔의 크기를 조절하거나 전자빔의 방향을 제어한다. 이를 위해, 전자빔 소스부(30)는 렌즈(미도시) 및 반사기(미도시) 등을 더 포함할 수 있다.
어퍼쳐(31)는 전자빔의 일부만을 투과시켜 전자빔의 형상을 생성하고, 전자빔의 크기를 조절할 수 있다. 디플렉터(35)는 전자빔의 이동 방향을 제어할 수 있다.
스테이지(100)는 마스크(200)를 지지하기 위한 것으로, X축, Y축 및 Z축으로 이동할 수 있다. 마스크(200)는 표면에 회로 패턴(pattern)이 형성되는 석영(quartz) 재질의 유리 기판일 수 있다.
에러 검출 장치(300)는 마스크(200)가 배치된 스테이지(100)의 상단에 구비되어, 전자총(20)으로부터 전자빔 소스부(30)를 통해 조사되는 전자빔들에 대한 에러를 검출할 수 있다.
즉, 전자빔 소스부(30)는 제1 입력 데이터에 대응하는 전자빔과 제2 입력 데이터에 대응하는 전자빔을 조사하기 위해 전자총(20)으로부터 주사되는 전자빔을 제어할 수 있다. 이때, 제1 입력 데이터는 마스크(200) 상에 노광되는 회로 패턴에 대응하는 데이터이고, 제2 입력 데이터는 전자빔 노광 장치(10)에서의 전자빔의 에러를 검출하기 위해 에러 검출 장치(300) 상에 노광되는 전자빔에 대응하는 데이터일 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 스테이지의 상면도(top-view)이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 에러 검출 장치(301 내지 303)는 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 스테이지(100)의 상단의 다양한 위치에 적어도 하나 이상 구비될 수 있다.
본 발명에서는 에러 검출 장치(300)가 스테이지(100)의 상단에 마스크(200)와 별도로 부착되어 형성된 예를 도시하였으나 본 발명의 범위가 이에 한정되지 않으며, 에러 검출 장치(300)는 마스크(200)와 동일한 사이즈를 가지며 마스크(200)의 상단에 탈부착 가능하도록 형성될 수도 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 에러 검출 장치를 나타내는 도면이다. 도 3을 참조하면, 에러 검출 장치(300)는 센서부(310) 및 데이터 처리부(320)를 포함한다.
센서부(310)는 도체부(330) 상에 구비되는 제1 라인(340) 및 제2 라인(350)을 포함하며, 입력 데이터에 기초하여 제1 라인(340) 및 제2 라인(350)으로 조사되는 전자빔들을 수광할 수 있다. 이때, 전자빔들 중 일부는 좌우 측면이 제1 라인(340) 및 제2 라인(350) 상에 조사되고, 다른 일부는 상하 측면이 제1 라인(340) 및 제2 라인(350) 상에 조사될 수 있다.
센서부(310)는 수광되는 전자빔에 기초하여 제1 라인(340)을 통해 검출되는 신호(S1)와, 제2 라인(350)을 통해 검출되는 신호(S2)를 출력할 수 있다. 이러한 센서부(310)의 일 예가 도 4에 도시되어 있다.
도 4는 도 3에 도시된 센서부의 구조를 설명하기 위한 개략적인 단면도로서, 도 3에 도시되어 있는 센서부를 A-A'선에 따라 절단한 면의 단면도이다. 센서부(310)는, 도체부(330) 상에 소정의 간격(G)을 중심으로 제1 부도체(341) 및 제2 부도체(351)가 형성되고, 제1 부도체(341) 및 제2 부도체(351) 상에 제1 도체(343) 및 제2 도체(353)가 각각 형성됨으로써 구성될 수 있다.
도체부(330) 상에 소정의 간격(G)을 중심으로 일부에 형성된 제1 부도체(341) 및 제1 도체(343)는 제1 라인(340)을 형성하고, 다른 일부에 형성된 제2 부도체(351) 및 제2 도체(353)는 제2 라인(350)을 형성할 수 있다.
이때, 전자빔(beam)은 제1 라인(340) 및 제2 라인(350) 사이의 간격(G)의 폭보다 넓은 폭으로 제1 라인(340) 및 제2 라인(350) 상에 조사될 수 있다.
다시 도 3을 참조하면, 데이터 처리부(320)는 제1 라인(340)을 통해 검출되는 제1 신호(S1) 및 제2 라인(350)을 통해 검출되는 제2 신호(S2)를 수신한다. 데이터 처리부(320)는 제1 신호(S1)와 제2 신호(S2)를 비교하고, 비교 결과에 기초하여 에러 검출 정보(Output Signal)를 출력할 수 있다.
본 명세서에서는, 전자빔이 사각빔 형태인 경우를 예로 들어 도시하였으나, 본 발명의 범위가 이에 한정되는 것은 아니다.
도 5는 도 3에 도시된 에러 검출 장치의 일 실시예를 설명하기 위한 도면이고, 도 6은 도 5에 도시된 에러 검출 장치의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
실시예에 따라, 전자빔 노광 장치(10)에서 발생할 수 있는 전자빔의 위치 에러를 검출하기 위해서 입력 데이터(Input Data)에 대응하는 전자빔들이 도체부(330) 상에 구비된 제1 라인(340) 및 제2 라인(350)으로 조사될 수 있다.
예컨대, 입력 데이터(Input Data)가 제1 데이터(D1) 내지 제4 데이터(D4)를 포함하는 경우, 전자총(20)으로부터 전자빔 소스부(30)를 통해 제1 데이터(D1) 내지 제4 데이터(D4) 각각에 대응하는 제1 전자빔(b1) 내지 제24 전자빔(b24)이 일정 주기로 반복하여 조사될 수 있다.
제1 라인(340) 및 제2 라인(350)은 제1 전자빔(b1) 내지 제24 전자빔(b24) 각각에 대하여 제1 신호(S1) 및 제2 신호(S2)를 검출하고, 검출된 제1 신호(S1) 및 제2 신호(S2)를 데이터 처리부(320)로 출력한다.
데이터 처리부(320)는 제1 신호(S1) 및 제2 신호(S2)를 비교하고, 비교 결과에 기초하여 에러 검출 정보(Output Signal)를 출력한다. 이를 위해, 데이터 처리부(320)는 비교부(321) 및 판단부(323)를 포함할 수 있다.
비교부(321)는 제1 라인(340)의 제1 도체(343)로부터 검출되는 제1 신호(S1) 및 제2 라인(350)의 제2 도체(353)로부터 검출되는 제2 신호(S2)의 값을 비교하고, 비교 결과에 따른 제1 신호(S1) 및 제2 신호(S2) 사이의 차이 값(Cx)을 출력한다.
판단부(323)는 비교부(321)의 비교 결과에 따른 제1 신호(S1) 및 제2 신호(S2) 사이의 차이 값(Cx)이 소정의 제1 기준 범위(R) 내에 포함되는지 여부를 판단하고, 판단 결과에 기초하여 에러가 검출된 전자빔에 대응하는 에러 검출 정보(Output Signal)를 출력할 수 있다.
예컨대, 도 6에 도시된 바와 같이, 판단부(323)는 제1 신호(S1) 및 제2 신호(S2) 사이의 차이 값(Cx)이 소정의 제1 기준 범위(R) 내에 포함되지 않는 제11 전자빔(b11), 제12 전자빔(b12), 제15 전자빔(b15) 및 제19 전자빔(b19)에 에러가 발생한 것으로 판단할 수 있다.
그러면, 판단부(323)는 에러가 검출된 전자빔들에 대하여, 각각에 대응하는 사이즈 정보, 위치 정보 및 에러가 검출된 전자빔들의 개수 정보 등을 에러 검출 정보(Output Signal)로써 출력할 수 있다. 이를 위해, 판단부(323)는 에러가 검출된 전자빔들의 개수를 카운트하는 카운터(미도시)를 더 포함할 수 있다.
또한, 도 5에 도시되지는 않았지만, 데이터 처리부(320)는 판단부(323)로부터 출력되는 전자빔들에 대응하는 에러 검출 정보를 저장한 뒤 한번에 출력하기 위한 저장부(미도시)를 더 구비할 수도 있다.
도 7은 도 3에 도시된 에러 검출 장치의 다른 실시예를 설명하기 위한 도면이다. 도 7의 에러 검출 장치의 구성은 도 5에 도시된 것과 대부분 동일하므로, 설명의 편의를 위하여 이하에서 차이점을 위주로 설명한다.
다른 실시예에 따라, 에러 검출 장치(300)는 저항(R11) 및 증폭기(360)를 더 구비할 수 있다. 저항(R11)은 도체부(330)로 조사되는 전자빔이 반사되지 않도록 하기 위한 접지 저항의 역할을 수행한다.
증폭기(360)는 도체부(330)의 하부로부터 검출되는 전류의 전류량에 기초하여 입력 데이터(Input Data)에 대응하는 전자빔들의 에너지량을 검출할 수 있다. 이때, 에너지량은 전자총(20)으로부터 전자빔 소스부(30)를 통해 제1 라인(340) 및 제2 라인(350) 상에 조사되는 전자빔에 대한 힘의 세기일 수 있다.
판단부(323')는 증폭기(360)로부터 출력되는 값(Ax)들이 소정의 제3 기준 범위 내에 포함되는지 여부를 판단하고, 판단 결과에 기초하여 에러가 검출된 전자빔에 대응하는 에러 검출 정보(Output Signal)를 출력할 수 있다. 이때, 소정의 제3 기준 범위는, 전자빔들에 대응하는 각각의 에너지량에 대한 평균값을 기준으로 하는 소정의 범위일 수 있다.
예컨대, 전자빔에 대해 검출된 에너지량이 소정의 제2 기준 범위 내에 포함되지 않는 경우, 상기 전자빔은 전자빔 소스부(30)에 의해 다른 전자빔들과 달리 더 크거나 적은 에너지량으로 조사된 것으로 판단될 수 있다. 즉, 상기 전자빔은 다른 전자빔들과는 다른 사이즈로 조사된 것으로 판단될 수 있다.
판단부(323')는 외부로부터 입력되는 선택 신호(SEL)에 기초하여, 제1 신호(S1) 및 제2 신호(S2) 사이의 차이 값(Cx) 또는 증폭기의 출력 값(Ax)에 대한 판단 결과에 기초하여 에러가 검출된 전자빔에 대응하는 에러 검출 정보(Output Signal)를 선택적으로 출력할 수 있다.
즉, 전자빔들이 제1 라인(340) 및 제2 라인(350) 상에 조사될 때, 전자빔들 각각에 대응하는 에너지량에 기초하여 전자빔의 사이즈 에러를 판단할 수 있게 된다.
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자빔 노광 장치의 에러 검출 방법을 나타내는 흐름도이다. 도 1 내지 도 8을 참조하면, 센서부(310)는 전자총(20)으로부터 전자빔 소스부(30)를 통해 입력되는 입력 데이터(Input Data)에 기초하여 제1 라인(340) 및 제2 라인(350) 상에 조사되는 전자빔을 수광한다(S110). 이때, 전자빔 소스부(30)는 입력 데이터(Input Data)에 기초하여 복수의 전자빔을 조사할 수 있다.
센서부(310)는 수광되는 전자빔에 기초하여 제1 라인(340) 및 제2 라인(350) 각각에 대응하는 제1 신호(S1) 및 제2 신호(S2)를 검출한다(S120).
데이터 처리부(320)는 제1 신호(S1) 및 제2 신호(S2)의 값을 비교한 결과에 기초하여 제1 신호(S1) 및 제2 신호(S2) 사이의 차이 값을 출력하고(S130), 제1 신호(S1) 및 제2 신호(S2) 사이의 차이 값이 소정의 기준 범위 내에 포함되는지 여부를 판단한다(S140).
S140 단계에서의 판단 결과, 제1 신호(S1) 및 제2 신호(S2) 사이의 차이 값이 소정의 기준 범위 내에 포함되지 않는 경우, 데이터 처리부(320)는 상기 전자빔에 대응하는 에러 검출 정보를 출력한다(S150). 이때, 에러 검출 정보는, 복수의 전자빔 중에서 에러가 검출된 전자빔들 각각에 대응하는 크기 정보와 위치 정보 및 에러가 검출된 전자빔들의 개수 정보 등을 포함할 수 있다.
S110 단계 내지 S140 단계는, 입력 데이터(Input Data)에 기초하여 센서부(310)에 조사되는 복수의 전자빔에 기초하여 반복적으로 수행될 수 있다. 또한, S150 단계는, 센서부(310)에 조사되는 복수의 전자빔 각각에 대한 에러 검출 과정이 완료될 때마다 수행되거나, 모든 복수의 전자빔에 대한 에러 검출 과정이 완료된 이후 수행될 수 있다.
도 8을 참조하여 설명된 방법은 프로그램 코드로 작성되어 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체에 프로그램될 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 일 실시 예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
10: 전자빔 노광 장치
20: 전자총
30: 전자빔 소스부
100: 스테이지
200: 마스크
300: 에러 검출 장치
310: 센서부
320: 데이터 처리부

Claims (10)

  1. 제1 입력 데이터에 대응하는 전자빔과 제2 입력 데이터에 대응하는 전자빔을 조사하는 전자빔 소스부;
    상기 제1 입력 데이터에 기초하여 전자빔이 조사되는 마스크가 상단에 형성되며, 상기 마스크를 이동시키는 스테이지; 및
    상기 제2 입력 데이터에 기초하여 조사되는 전자빔에 대한 에러를 검출하고, 에러가 검출된 전자빔에 기초하여 에러 검출 정보를 출력하는 에러 검출 장치를 포함하되,
    상기 에러 검출 장치는,
    제1 라인 및 제2 라인을 포함하며, 상기 제2 입력 데이터에 기초하여 상기 제1 라인 및 제2 라인 상에 조사되는 전자빔을 수광하고, 상기 제1 라인 및 제2 라인 각각으로부터 제1 신호 및 제2 신호를 검출하는 센서부; 및
    상기 센서부로부터 검출되는 상기 제1 신호 및 상기 제2 신호를 비교한 결과에 기초하여 에러 검출 정보를 출력하는 데이터 처리부를 포함하는 전자빔 노광 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 상기 센서부는,
    제1 도체 상에 소정의 간격을 중심으로 부도체가 형성되고, 상기 부도체 상에 제2 도체가 형성되며,
    상기 제1 도체 상에 상기 소정의 간격을 중심으로 형성된 두 개의 라인 중 하나는 상기 제1 라인이고, 다른 하나는 상기 제2 라인인 전자빔 노광 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제2 입력 데이터에 기초하여 조사되는 전자빔은 상기 소정의 간격의 폭보다 넓은 폭을 갖는 전자빔 노광 장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 데이터 처리부는,
    상기 제1 신호와 상기 제2 신호의 값을 비교하고, 비교 결과에 따른 상기 제1 신호와 상기 제2 신호 사이의 차이 값을 출력하는 비교부; 및
    상기 차이 값이 소정의 제1 기준 범위 내에 포함되는지 여부를 판단하고, 판단 결과에 기초하여 에러가 검출된 전자빔에 대응하는 에러 검출 정보를 출력하는 판단부를 포함하는 전자빔 노광 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 판단부는,
    상기 판단 결과에 기초하여 에러가 검출된 전자빔의 개수를 카운트하는 카운터를 더 포함하는 전자빔 노광 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 에러 검출 장치는,
    상기 제1 도체의 하부로부터 검출되는 전류의 전류량에 기초하여 상기 제2 입력 데이터에 대응하는 전자빔의 에너지량을 검출하는 증폭기를 더 포함하며,
    상기 판단부는,
    상기 검출된 에너지량이 소정의 제2 기준 범위 내에 포함되는지 여부를 판단하고, 판단 결과에 기초하여 에러가 검출된 전자빔에 대응하는 에러 검출 정보를 출력하는 전자빔 노광 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제2 입력 데이터에 기초하여 상기 전자빔 소스부로부터 일정 주기로 반복하여 조사되는 복수의 전자빔 중에서,
    제1 그룹에 대응하는 전자빔들은 상기 전자빔들의 좌우 측면이 상기 제1 라인 및 상기 제2 라인 상에 조사되고, 제2 그룹에 대응하는 전자빔들은 상기 전자빔들의 상하 측면이 상기 제1 라인 및 상기 제2 라인 상에 조사되는 전자빔 노광 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 에러 검출 정보는,
    상기 복수의 전자빔들 중에서 에러가 검출된 전자빔들 각각에 대응하는 사이즈 정보와 위치 정보 및 상기 에러가 검출된 전자빔들의 개수 정보를 포함하는 전자빔 노광 장치.
  10. 제1 입력 데이터에 대응하는 전자빔과 제2 입력 데이터에 대응하는 전자빔을 조사하는 전자빔 소스부;
    상기 제1 입력 데이터에 기초하여 전자빔이 조사되는 마스크가 상단에 형성되며, 상기 마스크를 이동시키는 스테이지; 및
    상기 제2 입력 데이터에 기초하여 조사되는 전자빔에 대한 에러를 검출하고, 에러가 검출된 전자빔에 기초하여 에러 검출 정보를 출력하는 에러 검출 장치를 포함하되,
    상기 에러 검출 장치는, 상기 마스크와 수직으로 중첩되도록 상기 마스크 상단에 배치되는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광 장치.
KR1020130120901A 2013-10-10 2013-10-10 전자빔 노광 장치 및 이의 에러 검출 방법 KR102267475B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130120901A KR102267475B1 (ko) 2013-10-10 2013-10-10 전자빔 노광 장치 및 이의 에러 검출 방법
US14/446,736 US9229327B2 (en) 2013-10-10 2014-07-30 Electron beam exposure apparatus and method of detecting error using the same
JP2014205833A JP2015076614A (ja) 2013-10-10 2014-10-06 電子ビーム露光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130120901A KR102267475B1 (ko) 2013-10-10 2013-10-10 전자빔 노광 장치 및 이의 에러 검출 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150042107A KR20150042107A (ko) 2015-04-20
KR102267475B1 true KR102267475B1 (ko) 2021-06-21

Family

ID=52808877

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130120901A KR102267475B1 (ko) 2013-10-10 2013-10-10 전자빔 노광 장치 및 이의 에러 검출 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9229327B2 (ko)
JP (1) JP2015076614A (ko)
KR (1) KR102267475B1 (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009260273A (ja) * 2008-03-21 2009-11-05 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置の較正用基板及び描画方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5523576A (en) 1993-03-15 1996-06-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Charged beam drawing apparatus
US5650629A (en) * 1994-06-28 1997-07-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Field-symmetric beam detector for semiconductors
JP2001153637A (ja) * 1999-11-29 2001-06-08 Nec Corp マスク検査装置及び検査方法
KR100576441B1 (ko) 2003-12-31 2006-05-08 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체의 미세 패턴 형성방법
KR20060000550A (ko) 2004-06-29 2006-01-06 삼성전자주식회사 노광장치의 포커스 모니터링 방법
CN101194208B (zh) 2005-04-15 2012-09-05 麦克罗尼克激光系统公司 用于多曝光射束光刻装置的方法
KR20060122192A (ko) 2005-05-25 2006-11-30 삼성전자주식회사 위상 반전 마스크 제조 방법
CN102662309B (zh) 2005-09-09 2014-10-01 Asml荷兰有限公司 采用独立掩模误差模型的掩模验证系统和方法
JP4738114B2 (ja) 2005-09-16 2011-08-03 株式会社東芝 マスク欠陥検査方法
US7456414B2 (en) * 2005-09-28 2008-11-25 Applied Materials, Inc. Beam re-registration system and method
JP4476975B2 (ja) 2005-10-25 2010-06-09 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム照射量演算方法、荷電粒子ビーム描画方法、プログラム及び荷電粒子ビーム描画装置
KR20070062079A (ko) 2005-12-12 2007-06-15 삼성전자주식회사 위치 정렬 마크를 갖는 인쇄회로기판과 그 제조 방법
TWI550688B (zh) 2006-01-19 2016-09-21 尼康股份有限公司 液浸曝光裝置及液浸曝光方法、以及元件製造方法
JP4307470B2 (ja) 2006-08-08 2009-08-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置、試料加工方法及び半導体検査装置
KR100755413B1 (ko) 2006-10-24 2007-09-04 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조를 위한 포토마스크 레이아웃 및 이를이용한 포토 마스크 패턴의 형성방법
DE102007028172B3 (de) 2007-06-20 2008-12-11 Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co. Kg EUV-Maske und Verfahren zur Reparatur einer EUV-Maske
KR100949889B1 (ko) 2008-03-17 2010-03-25 주식회사 하이닉스반도체 노광 마스크 및 이를 이용한 반도체 소자의 형성 방법
JP5615489B2 (ja) 2008-08-08 2014-10-29 株式会社荏原製作所 基板表面の検査方法及び検査装置
KR20100094143A (ko) * 2009-02-18 2010-08-26 삼성전자주식회사 리소그래피 장치의 위치 에러 보정방법
JP2011049232A (ja) 2009-08-25 2011-03-10 Renesas Electronics Corp 露光装置、露光方法及び半導体装置の製造方法
KR101977801B1 (ko) 2011-08-25 2019-08-28 삼성전자주식회사 레티클 형성용 노광 장치 및 이를 이용한 레티클 제조 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009260273A (ja) * 2008-03-21 2009-11-05 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置の較正用基板及び描画方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150042107A (ko) 2015-04-20
JP2015076614A (ja) 2015-04-20
US9229327B2 (en) 2016-01-05
US20150102236A1 (en) 2015-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9922415B2 (en) Inspection method, inspection apparatus, and inspection system
JP4856047B2 (ja) マスクパターン寸法検査方法およびマスクパターン寸法検査装置
US9767547B2 (en) Inspection method and inspection apparatus
US10578975B2 (en) Method for correcting the critical dimension uniformity of a photomask for semiconductor lithography
JPS6010730A (ja) 半導体ウエハの位置合わせ方法
CN109580658A (zh) 检查方法及检查装置
JP2000252203A (ja) アライメントマーク及びアライメント方法
US8873830B2 (en) Method for extracting contour of pattern on photo mask, contour extraction apparatus, method for guaranteeing photo mask, and method for manufacturing semiconductor device
KR102351347B1 (ko) 제조된 컴포넌트로부터 식별된 패턴 결함들의 체계적인 및 확률론적인 특성화를 위한 시스템, 방법 및 컴퓨터 프로그램 제품
US10474133B2 (en) Inspection device for inspecting wafer and method of inspecting wafer using the same
US7643976B2 (en) Method and system for identifying lens aberration sensitive patterns in an integrated circuit chip
JP6386732B2 (ja) 検出装置、検出方法、及びリソグラフィ装置
KR102267475B1 (ko) 전자빔 노광 장치 및 이의 에러 검출 방법
US10553396B2 (en) Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method
US20060146309A1 (en) Method and system for real time uniformity feedback
US10782254B2 (en) Method of detecting a defect and apparatus for performing the same
JP2018060141A (ja) 参照画像確認方法、マスク検査方法およびマスク検査装置
CN111354670A (zh) 对准方法、对准系统及计算机可读存储介质
US7251015B2 (en) Photolithography mask critical dimension metrology system and method
CN105278252A (zh) 一种检测光阻涂布均匀度的方法及光刻制程
US20010015413A1 (en) Electron beam drawing process and electron beam drawing apparatus
KR20210000317A (ko) 디자인 정렬 개선을 위한 타겟 선택 개선
US20170268925A1 (en) Inspection apparatus
JP5483286B2 (ja) 検査装置用の標準ウエハ
KR101450518B1 (ko) 전자빔 리소그래피 장치 및 그것의 초점 보정 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant