JP5483286B2 - 検査装置用の標準ウエハ - Google Patents
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ただし、上記式(1)において、Pは回折光のピッチ、fはレンズ18の焦点距離(例えば35mm)、λは照射するレーザの波長(例えば355nm)、dはパターンピッチである。
Claims (8)
- 検査用の光が照射され、検出された散乱光の特性値から半導体検査装置の検査機能を校正するための半導体検査装置の校正用標準ウエハにおいて、
複数のパターンが形成された複数のチップが形成され、各チップ内における複数のパターンの幅と、互いに隣接するパターンの幅の中央間の寸法であるパターンピッチとはほぼ同一であり、異なるチップどうしのパターンピッチが互いに異なり、パターン幅はほぼ同一であり、かつ、上記複数のチップは、直線上に配列され、この直線の一方向に向かうにつれて、上記チップのパターンピッチがΔdずつ増加していることを特徴とする半導体検査装置の校正用標準ウエハ。 - 請求項1に記載の半導体検査装置の校正用標準ウエハにおいて、
上記標準ウエハは、シリコンウエハであることを特徴とする半導体検査装置の校正用標準ウエハ。 - 検査用の光が照射され、検出された散乱光の特性値から半導体検査装置の検査機能を校正するための半導体検査装置の校正用標準ウエハにおいて、
複数のパターンが形成された複数のチップが形成され、これら複数のチップが複数のグループに分かれ、一つのグループ内では、各チップにおける複数のパターンの幅と、互いに隣接するパターンの幅の中央間の寸法であるパターンピッチとはほぼ同一であり、異なるチップどうしのパターンピッチが互いに異なり、パターン幅はほぼ同一であり、かつ、上記複数のチップは、直線上に配列され、この直線の一方向に向かうにつれて、上記チップのパターンピッチがΔdずつ増加していることを特徴とする半導体検査装置の校正用標準ウエハ。 - 請求項3に記載の半導体検査装置の校正用標準ウエハにおいて、
上記標準ウエハは、シリコンウエハであることを特徴とする半導体検査装置の校正用標準ウエハ。 - 請求項3に記載の半導体検査装置の校正用標準ウエハにおいて、
上記複数のチップは、パターンの形状の種類毎にグループ分けされていることを特徴とする半導体検査装置の校正用標準ウエハ。 - 請求項1に記載の標準ウエハを用いて半導体検査装置の検査機能を校正する方法において、
上記標準ウエハの検査用の光を照射し、
上記標準ウエハからの散乱光を検出し、
検出された散乱光の特性値と、予め記憶手段に記憶された特性値とを比較し、両特性値に所定以上の差があるか否かを判断し、
上記両特性値に所定以上の差がある場合は、その差に応じて、半導体検査装置の検査機能を校正することを特徴とする半導体検査装置の検査機能校正方法。 - 請求項6に記載の半導体検査装置の検査機能校正方法において、
上記半導体検査装置は、散乱光を部分的に遮光する遮光板を備え、上記両特性値に所定以上の差がある場合は、その差に応じて、上記遮光板の位置を調整することを特徴とする半導体検査装置の検査機能校正方法。 - 請求項6に記載の半導体検査装置の検査機能校正方法において、
上記半導体検査装置は、メモリを備え、上記半導体検査装置の検査機能を校正用の補正データを上記メモリに記憶し、定期的に実行された検査により得られ補正データに基づいて、上記検査機能の経年劣化を判定することを特徴とする半導体検査装置の検査機能校正方法。
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