CN105278252A - 一种检测光阻涂布均匀度的方法及光刻制程 - Google Patents
一种检测光阻涂布均匀度的方法及光刻制程 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105278252A CN105278252A CN201510765495.1A CN201510765495A CN105278252A CN 105278252 A CN105278252 A CN 105278252A CN 201510765495 A CN201510765495 A CN 201510765495A CN 105278252 A CN105278252 A CN 105278252A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wafer
- light blockage
- uniformity coefficient
- blockage coating
- coating uniformity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
本发明涉及一种检测光阻涂布均匀度的方法及光刻制程,根据曝光机生成的表征待测晶元表面平坦度的数据的变化情况,判断待测晶元的光阻涂布均匀度是否达标;替代现有的目检方式,有效避免人为操作中易出现的漏检问题,且节省人力资源;在光刻制程中,不仅省去原有的目检制程,且无需引入新的检测制程,有效简化了光刻制程。
Description
技术领域
本发明涉及半导体光刻技术领域,特别涉及一种检测光阻涂布均匀度的方法及光刻制程。
背景技术
半导体制造中光刻制程流程包括:光阻涂布制程、曝光制程和显影制程。其中,光阻涂布制程的重要参数是晶元上涂布的光阻的厚度和均匀度。现有制程中是通过厚度控片来管控光阻的厚度,即使用厚度控片量测已涂布光阻的晶元横轴和纵轴两个方向总共49个点的值,从而获取整片晶元上光阻的厚度平均值和发散度;再将厚度检测达标的晶元置于ADI机台,采用目检的方式检测整片晶元涂布的光阻的均匀度。但是,由于此均匀度的检测采用人为操作,且操作员的目检习惯不同,操作过程中易出现漏检;另外,需配置专门的操作员,存在人力资源的耗费。
发明内容
本发明目的是提供一种检测光阻涂布均匀度的方法及光刻制程,解决现有技术中存在的上述问题。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下:
一种检测光阻涂布均匀度的方法,包括如下步骤:
步骤1,将待测晶元置于曝光机台;
步骤2,读取曝光机生成的表征所述待测晶元表面平坦度的数据;
步骤3,根据所述数据的变化情况判断所述待测晶元的光阻涂布均匀度是否达标。
本发明的有益效果是:根据曝光机生成的表征待测晶元表面平坦度的数据的变化情况,判断待测晶元的光阻涂布均匀度是否达标;替代现有的目检方式,有效避免人为操作中易出现的漏检问题,且节省人力资源。
在上述技术方案的基础上,本发明还可以做如下改进。
进一步,所述步骤3的具体实现为:按行或列依次读取并比对每行或每列的数据值,根据数据值的变化情况判断所述待测晶元的光阻涂布均匀度是否达标。
进一步,所述步骤3的具体实现包括如下步骤:
步骤31,按行或列依次读取每行或每列的数据值,并求解相邻数据值的差值的绝对值;
步骤32,将所述绝对值与预设值进行比较,当所述绝对值小于等于所述预设值,则判定所述待测晶元的光阻涂布均匀度达标;反之,则判定所述待测晶元的光阻涂布均匀度不达标。
本发明的另一技术方案如下:
一种光刻制程,将光阻涂布厚度检测达标的晶元直接置于曝光机台,采用上述一种检测光阻涂布均匀度的方法,检测所述晶元的光阻涂布均匀度是否达标,是,则进行所述晶元光刻的后续制程;否,则取下所述晶元,并结束所述晶元光刻的后续制程。
本发明的有益效果是:光刻制程包括光阻涂布制程、曝光制程和显影制程,在曝光制程中,由于输入晶元的质量不一,正式曝光之前均需通过预曝光生成表征待测晶元表面平坦度的数据,再根据所述数据补偿曝光焦距,以使晶元所有区域均达到最佳曝光效果;故,在光刻制程中使用本发明检测光阻涂布均匀度,不仅省去原有的目检制程,且无需引入新的检测制程,有效简化了光刻制程。
附图说明
图1为本发明一种检测光阻涂布均匀度的方法的方法流程图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本发明,并非用于限定本发明的范围。
如图1所示,一种检测光阻涂布均匀度的方法,包括如下步骤:
步骤1,将待测晶元置于曝光机台;
步骤2,读取曝光机生成的表征所述待测晶元表面平坦度的数据;
步骤3,根据所述数据的变化情况判断所述待测晶元的光阻涂布均匀度是否达标。
待测晶元的光阻涂布均匀度达标,则曝光机生成的表征所述待测晶元表面平坦度的数据的数据值将平滑渐变;故,当数据值出现突变,则表示待测晶元的光阻涂布均匀度不达标。
所述步骤3的具体实现为:按行或列依次读取并比对每行或每列的数据值,根据数据值的变化情况判断所述待测晶元的光阻涂布均匀度是否达标。
所述步骤3的具体实现包括如下步骤:
步骤31,按行或列依次读取每行或每列的数据值,并求解相邻数据值的差值的绝对值;
步骤32,将所述绝对值与预设值进行比较,当所述绝对值小于等于所述预设值,则判定所述待测晶元的光阻涂布均匀度达标;反之,则判定所述待测晶元的光阻涂布均匀度不达标。
一种光刻制程,将光阻涂布厚度检测达标的晶元直接置于曝光机台,采用上述一种检测光阻涂布均匀度的方法,检测所述晶元的光阻涂布均匀度是否达标,是,则进行所述晶元光刻的后续制程;否,则取下所述晶元,并结束所述晶元光刻的后续制程。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种检测光阻涂布均匀度的方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1,将待测晶元置于曝光机台;
步骤2,读取曝光机生成的表征所述待测晶元表面平坦度的数据;
步骤3,根据所述数据的变化情况判断所述待测晶元的光阻涂布均匀度是否达标。
2.根据权利要求1所述一种检测光阻涂布均匀度的方法,其特征在于,所述步骤3的具体实现为:按行或列依次读取并比对每行或每列的数据值,根据数据值的变化情况判断所述待测晶元的光阻涂布均匀度是否达标。
3.根据权利要求2所述一种检测光阻涂布均匀度的方法,其特征在于,所述步骤3的具体实现包括如下步骤:
步骤31,按行或列依次读取每行或每列的数据值,并求解相邻数据值的差值的绝对值;
步骤32,将所述绝对值与预设值进行比较,当所述绝对值小于等于所述预设值,则判定所述待测晶元的光阻涂布均匀度达标;反之,则判定所述待测晶元的光阻涂布均匀度不达标。
4.一种光刻制程,其特征在于,将光阻涂布厚度检测达标的晶元直接置于曝光机台,采用权利要求1至3任一所述一种检测光阻涂布均匀度的方法,检测所述晶元的光阻涂布均匀度是否达标,是,则进行所述晶元的后续光刻制程;否,则取下所述晶元,并结束所述晶元的后续光刻制程。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510765495.1A CN105278252B (zh) | 2015-11-11 | 2015-11-11 | 一种检测光阻涂布均匀度的方法及光刻制程 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510765495.1A CN105278252B (zh) | 2015-11-11 | 2015-11-11 | 一种检测光阻涂布均匀度的方法及光刻制程 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105278252A true CN105278252A (zh) | 2016-01-27 |
CN105278252B CN105278252B (zh) | 2019-07-05 |
Family
ID=55147513
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510765495.1A Active CN105278252B (zh) | 2015-11-11 | 2015-11-11 | 一种检测光阻涂布均匀度的方法及光刻制程 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN105278252B (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109828438A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-05-31 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 监控光刻机的涂布平台平整度的方法 |
CN113324497A (zh) * | 2020-02-28 | 2021-08-31 | 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司 | 一种平整度检测方法、装置、找平系统及存储介质 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101685271A (zh) * | 2008-09-23 | 2010-03-31 | 和舰科技(苏州)有限公司 | 一种晶圆片晶边清洗宽度的检测方法 |
CN102566327A (zh) * | 2010-12-08 | 2012-07-11 | 无锡华润上华科技有限公司 | 显影均匀性调试方法 |
CN103140805A (zh) * | 2010-09-28 | 2013-06-05 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 微光刻投射曝光设备和微光刻曝光方法 |
CN103885299A (zh) * | 2014-03-17 | 2014-06-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种曝光系统 |
-
2015
- 2015-11-11 CN CN201510765495.1A patent/CN105278252B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101685271A (zh) * | 2008-09-23 | 2010-03-31 | 和舰科技(苏州)有限公司 | 一种晶圆片晶边清洗宽度的检测方法 |
CN103140805A (zh) * | 2010-09-28 | 2013-06-05 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 微光刻投射曝光设备和微光刻曝光方法 |
CN102566327A (zh) * | 2010-12-08 | 2012-07-11 | 无锡华润上华科技有限公司 | 显影均匀性调试方法 |
CN103885299A (zh) * | 2014-03-17 | 2014-06-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种曝光系统 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109828438A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-05-31 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 监控光刻机的涂布平台平整度的方法 |
CN109828438B (zh) * | 2018-12-29 | 2021-10-15 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 监控光刻机的涂布平台平整度的方法 |
CN113324497A (zh) * | 2020-02-28 | 2021-08-31 | 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司 | 一种平整度检测方法、装置、找平系统及存储介质 |
CN113324497B (zh) * | 2020-02-28 | 2022-08-12 | 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司 | 一种平整度检测方法、装置、找平系统及存储介质 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105278252B (zh) | 2019-07-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102568074B1 (ko) | 반도체 제조 프로세스에서 딥 러닝을 사용하여 결함 및 임계 치수를 예측하기 위한 시스템 및 방법 | |
KR102169564B1 (ko) | 웨이퍼 검사 방법 및/또는 웨이퍼 상에 형성되는 디바이스의 하나 이상의 특징을 예측하는 방법 | |
TWI604545B (zh) | 使用晶圓尺寸幾何工具之晶圓高階形狀特徵化及晶圓分類之系統,方法及度量 | |
JP2014239230A5 (zh) | ||
US8295966B2 (en) | Methods and apparatus to predict etch rate uniformity for qualification of a plasma chamber | |
KR101720992B1 (ko) | 검사 장치 및 검사 장치 시스템 | |
KR101466798B1 (ko) | 제조 공정에서의 제품 불량의 원인 설비를 탐지하는 방법 및 장치 | |
KR20130095262A (ko) | 프로세스 툴 정정치를 제공하기 위한 방법 및 시스템 | |
TW201401231A (zh) | 在半導體製造中用於檢測之雜訊中所內嵌之缺陷之偵測 | |
CN105573048B (zh) | 一种光学临近修正模型的优化方法 | |
US20110110578A1 (en) | Evaluation of Image Processing Algorithms | |
KR102379329B1 (ko) | 피쳐의 위치를 결정하는 방법 | |
CN102023488A (zh) | 监测光刻工艺曝光机的能量偏移的方法 | |
JP2010034180A (ja) | 半導体製造装置の制御方法および半導体装置の製造方法 | |
CN105278252A (zh) | 一种检测光阻涂布均匀度的方法及光刻制程 | |
KR102447609B1 (ko) | 컴퓨터에 의해 지원되는 약한 패턴 검출 및 정량화 시스템 | |
JP2011192769A (ja) | 半導体デバイス製造方法、及び製造システム | |
JP6229323B2 (ja) | 表面検査方法、表面検査装置、および表面検査プログラム | |
KR20110011530A (ko) | 반도체 필드내 도즈 보정 | |
JP5078151B2 (ja) | 欠陥検出レベル調整方法および欠陥検査システム | |
US9841689B1 (en) | Approach for model calibration used for focus and dose measurement | |
KR100861376B1 (ko) | 광 강도 프로파일을 이용한 광 근접효과 보정방법 | |
KR20200016991A (ko) | 오버레이 계측에서 높은 정확도를 달성하기 위한 이미징 기술의 진폭 및 위상 비대칭 추정 | |
TW201945853A (zh) | 用於判定關於由微影製程形成之特徵之經校正尺寸參數值的方法及相關設備 | |
TWI515428B (zh) | 電子束檢測最佳化方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |