JP2010034180A - 半導体製造装置の制御方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体製造装置の状態に応じた正確な制御データによって半導体製造装置の加工処理を制御する半導体製造装置の制御方法を得ること。
【解決手段】半導体製造装置によって加工処理されたウェハの処理結果を検査データ３１として測定するとともに、検査データ３１を加工処理の制御に反映する半導体製造装置の制御方法において、半導体製造装置のログデータＬ１，Ｌ２に基づいて、検査データ３１の中から半導体製造装置の動作状態が異常状態であった場合に加工処理されたウェハの処理結果を異常値として特定する異常処理特定ステップと、測定された検査データ３１および異常値に基づいて半導体製造装置の制御データ６１を作成する制御データ作成ステップと、作成した制御データ６１を用いて半導体製造装置の加工処理を制御する制御ステップと、を含む。
【選択図】 図４

Description

本発明は、半導体製造装置の制御方法および半導体装置の製造方法に関するものである。

半導体装置を作製する際には、露光装置などの半導体製造装置に予め露光照射量などの処理条件を設定しておき、この処理条件に従って露光処理などが行なわれている。ところが、同一の処理条件で露光処理しても、種々の要因によってウェハ上に形成されるパターンのパターン寸法にずれが生じる。このため、半導体装置を作製する際には、露光処理や現像処理が行なわれた後に、ウェハ上に形成された半導体装置のパターン寸法を測定し、測定結果に基づいて露光装置などの処理条件を制御していた。このようにして露光装置などを制御するフィードバック法では、例えば最新の１ロット分のデータを用いて、次に露光を行うロットの露光処理などを制御している。

また、特許文献１に記載の測定値検定方法では、予め処理条件を変えて作製した複数のウェハを測定することによってパターン寸法などの予想範囲を設定している。そして、実際に半導体装置を製造する際に予想範囲外のパターン寸法（測定値）を検出した場合には、フィードバックさせる測定値群から、予想範囲外のパターン寸法を除外してフィードバック制御を行っている。

上記従来の技術では、半導体製造装置の状態を無視して測定値のみに基づいてフィードバック制御を行っている。しかしながら、露光装置やレジスト塗布現像装置などの半導体製造装置は、外的要因および内的要因によって製造特性が揺らぐことがある。このような場合に、半導体製造装置の状態を無視して半導体製造装置への制御データを予測すると、かえってパターン寸法や重ね合わせ精度が劣化する場合があるという問題があった。

特開２０００−１３３５６８号公報

本発明は、半導体製造装置の状態に応じた正確な制御データによって半導体製造装置の加工処理を制御する半導体製造装置の制御方法および半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。

本願発明の一態様によれば、半導体製造装置によって加工処理されたウェハの処理結果を測定するとともに、測定された処理結果を前記半導体製造装置の制御に反映して前記加工処理を制御する半導体製造装置の制御方法において、前記半導体製造装置の動作状態の履歴であるログデータに基づいて、前記処理結果の中から前記半導体製造装置の動作状態が異常状態であった場合に加工処理されたウェハの処理結果を異常処理結果として特定する異常処理特定ステップと、前記測定された処理結果および前記異常処理結果に基づいて前記半導体製造装置の制御データを作成する制御データ作成ステップと、作成した制御データを用いて前記半導体製造装置の加工処理を制御する制御ステップと、を含むことを特徴とする半導体製造装置の制御方法が提供される。

この発明によれば、半導体製造装置の状態に応じた正確な制御データによって半導体製造装置の加工処理を制御することが可能になるという効果を奏する。

以下に、本発明に係る半導体製造装置の制御方法および半導体装置の製造方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。

（実施の形態）
図１は、本発明の実施の形態に係る半導体製造システムの構成を示す図である。半導体製造システム１０は、半導体製造装置をＡＰＣ（アドバンスド・プロセス・コントロール）によって制御しながら半導体装置（半導体デバイス）を製造するシステムであり、計算機を用いて半導体装置の品質管理（ＱＣ）を行う。なお、半導体製造システム１０は、種々の製造工程（エッチング工程、成膜工程など）に適用できるが、ここでは半導体製造システム１０をリソグラフィ工程に適用した場合について説明する。

半導体製造システム１０は、露光装置１、レジスト塗布現像装置２、データ収集装置３、データ解析装置４、制御データ予測装置５、検査装置６、制御データ送信装置７を有している。

露光装置１は、レジストの塗布されたウェハ（基板）に露光光を照射して、フォトマスク上に形成されたパターンをウェハ上に露光転写する。露光装置１は、例えばスキャンタイプの露光装置であり、フォトマスクの移動（スキャニング動作）に同期してウェハを移動させながらロット単位でウェハへの露光処理を行う。露光装置１は、露光光の照射量（露光照射量）などを調整しながら露光処理を行うとともに、フォトマスク（レチクル）の直交度や回転量、フォトマスクとウェハの同期精度などに関するログデータを取りながら露光処理を行う。露光装置１で生成されるログデータには、露光装置１の装置状態（フォトマスクの直交度など）や、露光処理履歴（露光処理したロットのロットＩＤと露光処理日時）などを含んで構成されている。露光装置１は、取得したログデータをデータ収集装置３に送信する。

レジスト塗布現像装置２は、ウェハにレジストを塗布して露光装置１に送出するとともに、露光装置１で露光転写されたウェハの現像処理を行う。レジスト塗布現像装置２は、ロット単位で塗布処理や現像処理を行う。レジスト塗布現像装置２は、レジストのベーク温度、ベーク時間、レジスト膜厚、反射防止膜の膜厚などに関するログデータを取りながら塗布処理や現像処理を行う。レジスト塗布現像装置２で生成されるログデータには、レジスト塗布現像装置２の装置状態（レジストのベーク温度）や、塗布・現像処理履歴（塗布・現像処理したロットのロットＩＤと塗布・現像処理日時）などを含んで構成されている。レジスト塗布現像装置２は、取得したログデータをデータ収集装置３に送信する。レジスト塗布現像装置２で現像処理されてレジストパターンが形成されたウェハは、ロット毎に検査装置６へ運ばれる。

データ収集装置３は、露光装置１やレジスト塗布現像装置２から送られてくるログデータを受信することによってログデータを収集する。データ収集装置３は、収集したログデータを蓄積しておく。

データ解析装置４は、データ収集装置３にアクセスしてデータ収集装置３内のログデータを解析し、露光装置１やレジスト塗布現像装置２が異常状態の間に処理（露光処理、塗布処理、現像処理）されたウェハのロットＩＤを異常ロットＩＤとして検出する。データ解析装置４は、検出した異常ロットＩＤを、制御データ予測装置５に送信する。

検査装置６は、レジスト塗布現像装置２から運ばれてくるレジストパターンが形成されたウェハを検査する装置である。検査装置６は、ウェハに施された加工処理の処理結果として、ウェハ上に形成されたレジストパターンの寸法測定やＯＬ（重ね合わせ）精度をロット毎に測定する。検査装置６は、測定結果を検査データ（品質データ）として制御データ予測装置５に送信する。

制御データ予測装置５は、異常ロットＩＤに基づいて、検査データの中から測定結果の異常値（異常処理結果）を特定して削除する。制御データ予測装置５は、測定結果の異常値を削除した検査データに基づいて、露光装置１やレジスト塗布現像装置２のフィードバック制御に用いる制御データ（制御因子とその制御量）を予測する。制御データ予測装置５は、予測した制御データを生成して制御データ送信装置７に送信する。

制御データ送信装置７は、制御データ予測装置５から送られてくる制御データを用いて露光装置１とレジスト塗布現像装置２を制御する。半導体製造システム１０内の各装置は、図示しないホスト装置と接続されており、ホスト装置から送られてくる指示情報などに基づいて動作する。

つぎに、データ解析装置４と制御データ予測装置５の詳細な構成について説明する。図２は、データ解析装置と制御データ予測装置の構成を示すブロック図である。データ解析装置４は、ログデータ入力部４１、装置異常判定部４２、異常ロットＩＤ抽出部４４、異常ロットＩＤ出力部４５を備えている。

ログデータ入力部４１は、データ収集装置３に蓄積されているログデータを入力し、装置異常判定部４２や異常ロットＩＤ抽出部４４に送る。装置異常判定部４２は、ログデータに基づいて、露光装置１やレジスト塗布現像装置２に装置異常が発生したか否かを判定する。装置異常判定部４２は、例えばログデータがフォトマスクの直交度である場合、直交度が所定値（例えば０．０５（μｒａｄ））より大きければ露光装置１の装置異常であると判断する。装置異常判定部４２は、装置異常と判断した場合に、ログデータに基づいて装置異常の発生した日時を特定する。装置異常判定部４２は、装置異常と判断した装置に関する情報（装置ＩＤなど）と、装置異常の発生した日時と、を異常ロットＩＤ抽出部４４に送信する。

異常ロットＩＤ抽出部４４は、装置異常の発生した装置の装置ＩＤ、装置異常の発生した日時に基づいて、ログデータ内から異常ロットＩＤを抽出する。異常ロットＩＤ抽出部４４は、抽出した異常ロットＩＤを異常ロットＩＤ出力部４５に送り、異常ロットＩＤ出力部４５が異常ロットＩＤを制御データ予測装置５に出力する。

制御データ予測装置５は、異常ロットＩＤ入力部５１、検査データ入力部５２、検査データ判定部５３、制御データ作成部５４、制御データ出力部５５を備えている。異常ロットＩＤ入力部５１は、データ解析装置４の異常ロットＩＤ出力部４５と接続されている。異常ロットＩＤ入力部５１は、異常ロットＩＤ出力部４５から送られてくる異常ロットＩＤを入力し、検査データ判定部５３に送る。検査データ入力部５２は、検査装置６から送られてくるレジストパターンの測定結果（検査データ）を入力し、検査データ判定部５３に送る。

検査データ判定部５３は、異常ロットＩＤに基づいて、各検査データ内の測定値が異常値であるか否かを判定し、検査データの中から測定結果の異常値を抽出する。検査データ判定部５３は、検査データから異常値を除外して制御データ作成部５４に送る。

制御データ作成部５４は、検査データ判定部５３から送られてくる検査データに基づいて、露光装置１やレジスト塗布現像装置２のフィードバック制御に用いる制御データを作成する。制御データ作成部５４は、作成した制御データを制御データ出力部５５に送り、制御データ出力部５５が制御データを制御データ送信装置７に送信する。

図３は、実施の形態に係る制御データ予測装置のハードウェア構成を示す図である。制御データ予測装置５は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）９１、ＲＯＭ（Read Only Memory）９２、ＲＡＭ（Random Access Memory）９３、表示部９４、入力部９５を有している。制御データ予測装置５では、これらのＣＰＵ９１、ＲＯＭ９２、ＲＡＭ９３、表示部９４、入力部９５がバスラインを介して接続されている。

ＣＰＵ９１は、制御データの作成を行うコンピュータプログラムである制御データ作成プログラム９７を用いて制御データを作成する。表示部９４は、液晶モニタなどの表示装置であり、ＣＰＵ９１からの指示に基づいて、制御データを作成する際に用いる種々の情報（検査データ、異常ロットＩＤなど）を表示する。入力部９５は、マウスやキーボードを備えて構成され、使用者から外部入力される指示情報（制御データの作成に必要なパラメータ等）を入力する。入力部９５へ入力された指示情報は、ＣＰＵ９１へ送られる。

制御データ作成プログラム９７は、ＲＯＭ９２内に格納されており、バスラインを介してＲＡＭ９３へロードされる。ＣＰＵ９１はＲＡＭ９３内にロードされた制御データ作成プログラム９７を実行する。具体的には、制御データ予測装置５では、使用者による入力部９５からの指示入力に従って、ＣＰＵ９１がＲＯＭ９２内から制御データ作成プログラム９７を読み出してＲＡＭ９３内のプログラム格納領域に展開して各種処理を実行する。ＣＰＵ９１は、この各種処理に際して生じる各種データをＲＡＭ９３内に形成されるデータ格納領域に一時的に記憶させておく。

本実施の形態の制御データ予測装置５で実行される制御データ作成プログラム９７は、前述の各部（異常ロットＩＤ入力部５１、検査データ入力部５２、検査データ判定部５３、制御データ作成部５４、制御データ出力部５５）を含むモジュール構成となっており、上記各部が主記憶装置上にロードされ、異常ロットＩＤ入力部５１、検査データ入力部５２、検査データ判定部５３、制御データ作成部５４、制御データ出力部５５が主記憶装置上に生成される。

また、本実施形態の制御データ予測装置５で実行される制御データ作成プログラム９７を、インターネット等のネットワークに接続されたコンピュータ上に格納し、ネットワーク経由でダウンロードさせることにより提供するように構成してもよい。また、本実施形態の制御データ予測装置５で実行される制御データ作成プログラム９７をインターネット等のネットワーク経由で提供または配布するように構成してもよい。また、本実施形態の制御データ作成プログラム９７を、ＲＯＭ等に予め組み込んで制御データ予測装置５に提供するように構成してもよい。

つぎに、半導体製造システム１０の動作処理手順について説明する。図４は、半導体製造システムの動作手順を説明するための図であり、図５は、半導体製造システムの動作手順を示すフローチャートである。

レジスト塗布現像装置２は、ウェハにレジストの塗布を行なうとともに、レジストを塗布したウェハを露光装置１に送出する。露光装置１は、ウェハの露光処理を行うとともに、露光後のウェハをレジスト塗布現像装置２に送出する。レジスト塗布現像装置２は、ウェハの現像処理を行う（ステップＳ１０）。現像処理されたウェハは、現像後ロット３０としてロット毎に検査装置６に送られる。

検査装置６は、現像後ロット３０を検査するため、ウェハ上に形成されたレジストパターンの寸法やＯＬ精度をロット毎に測定する（Ｂ１、Ｂ２）（ステップＳ２０）。検査装置６は、測定結果を検査データ３１（ＱＣデータ）として制御データ予測装置５に送信する。

露光装置１は、所定のタイミングで自装置の状態に関する履歴情報（ログデータＬ１）を生成し、データ収集装置３にログデータＬ１を送信する。ログデータＬ１には、検査装置６に送られた現像後ロット３０内のウェハを露光した際のデータなどが含まれている。

また、レジスト塗布現像装置２は、所定のタイミングで自装置の状態に関する履歴情報（ログデータＬ２）を生成し、データ収集装置３にログデータＬ２を送信する。ログデータＬ２には、検査装置６に送られた現像後ロット３０内のウェハを塗布や現像した際のデータなどが含まれている。

データ収集装置３は、露光装置１から送られてくるログデータＬ１とレジスト塗布現像装置２から送られてくるログデータＬ２を収集し、メモリなどの記憶部内に記憶させておく（Ａ１）。

データ解析装置４は、データ収集装置３にアクセスしてデータ収集装置３からログデータＬ１，Ｌ２を受信する。データ解析装置４は、ログデータＬ１，Ｌ２を解析することによって、ログデータＬ１，Ｌ２内から装置異常時に処理されたロットのＩＤ（ロットＩＤ）を検出する（Ａ２）（ステップＳ３０）。

具体的には、データ解析装置４のログデータ入力部４１は、データ収集装置３に蓄積されているログデータＬ１，Ｌ２を入力し、装置異常判定部４２や異常ロットＩＤ抽出部４４に送る。装置異常判定部４２は、ログデータＬ１，Ｌ２に基づいて、露光装置１やレジスト塗布現像装置２に装置異常が発生したか否かを判定する。また、装置異常判定部４２は、装置異常と判断した場合に、ログデータＬ１，Ｌ２に基づいて装置異常の発生した日時を特定する。装置異常判定部４２は、装置異常と判断した装置の装置ＩＤと、装置異常の発生した日時を異常ロットＩＤ抽出部４４に送信する。

異常ロットＩＤ抽出部４４は、装置異常の発生した装置の装置ＩＤ、装置異常の発生した日時に基づいて、ログデータＬ１，Ｌ２内から異常ロットＩＤ２１を抽出する。異常ロットＩＤ抽出部４４は、抽出した異常ロットＩＤ２１を異常ロットＩＤ出力部４５から制御データ予測装置５に出力する。

制御データ予測装置５は、異常ロットＩＤ２１と検査データ３１とを付き合わせて、各測定値を削除するか否かを判断する。すなわち、制御データ予測装置５は、異常ロットＩＤ２１に基づいて、検査データ３１内の各測定値が異常値であるか否かを判別し（ステップＳ４０）、検査データ３１の中から測定値の異常値を削除する（ステップＳ５０）。制御データ予測装置５は、検査データ３１の中から測定結値の異常値を除いた検査データ３１に基づいて、露光装置１やレジスト塗布現像装置２のフィードバック制御に用いる制御データを予測する（ステップＳ６０）。

具体的には、制御データ予測装置５の異常ロットＩＤ入力部５１は、データ解析装置４から送られてくる異常ロットＩＤ２１を入力し、検査データ判定部５３に送る。また、検査データ入力部５２は、検査装置６から送られてくる検査データ３１を入力し、検査データ判定部５３に送る。

そして、検査データ判定部５３は、異常ロットＩＤ２１に基づいて、検査データ３１内の各測定値が異常値であるか否かを判定し、検査データ３１の中から測定値の異常値を特定して抽出する（Ｃ１）。検査データ判定部５３は、検査データ３１から異常値を除外して制御データ作成部５４に送る（Ｃ２）。

ここで、検査データ３１内から除外する異常値について説明する。図６は、異常値の除外処理を説明するための図である。なお、ここでは検査データ３１内の測定結果がレジスト寸法である場合について説明する。

データ解析装置４は、ログデータＬ１，Ｌ２をログ解析することによって、装置状態が異常であったと判断されるロットＩＤを検出する。したがって、データ解析装置４では、ロット毎に装置状態が異常であったか否かが判定されている。そして、装置状態が異常（ＮＧ）であったロットのＩＤを異常ロットＩＤとして制御データ予測装置５に送っている。

制御データ予測装置５は、異常ロットＩＤに対応するロットのレジスト寸法を異常値であると判断して、測定結果の中から除外する。これにより、制御データ予測装置５は、異常値の含まれていない測定結果を生成することが可能となる。

制御データ作成部５４は、検査データ判定部５３から送られてくる検査データに基づいて、露光装置１やレジスト塗布現像装置２のフィードバック制御に用いる制御データ６１を予測して作成する（Ｃ３）。制御データ作成部５４は、例えば直近の５ロット分の検査データ３１に基づいて制御データ６１を作成する。

例えば、制御対象がレジスト寸法である場合、制御データ作成部５４は、直近の５ロット分の測定結果（レジスト寸法）から測定結果の平均値を算出する。そして、制御データ作成部５４は、所望のレジスト寸法と、算出したレジスト寸法の平均値と、に基づいて、レジスト寸法を制御するための条件（露光照射量、ベーク温度など）を算出する。なお、以下では、レジスト寸法を制御するための設定条件が露光照射量である場合について説明する。例えば、所望のレジスト寸法が５０ｎｍであり、算出したレジスト寸法の平均値が４５ｎｍである場合、制御データ作成部５４は、５ｎｍ分だけレジスト寸法が太くなるような露光照射量を算出し、算出した露光照射量を制御データ６１に設定する。

なお、制御データ作成部５４は、測定結果毎にレジスト寸法を制御するための露光照射量を算出してもよい。この場合、制御データ作成部５４は、算出した５ロット分の露光照射量を平均化して露光照射量を求める。そして、求めた露光照射量を制御データ６１に設定する。

制御データ作成部５４は、作成した制御データ６１を制御データ出力部５５から制御データ送信装置７に送信する。制御データ送信装置７は、制御データ予測装置５から送られてくる制御データ６１を用いて露光装置１とレジスト塗布現像装置２を制御する（Ｄ１）（ステップＳ７０）。これにより、半導体製造システム１０では、検査装置６で測定された処理結果を露光装置１やレジスト塗布現像装置２の制御に反映してウェハの加工処理を行う。

半導体製造システム１０では、このようなフィードバック制御によって、露光工程、エッチング工程、成膜工程などの各半導体製造工程が行われ、半導体製造装置によって半導体装置が製造される。

なお、データ解析装置４によるログデータＬ１，Ｌ２の解析処理と、検査装置６によるレジストパターンの寸法測定やＯＬ精度測定は、何れを先に行ってもよいし、同時に行ってもよい。

また、本実施の形態では、異常ロットＩＤ２１が送られてきたロットの測定結果を異常値と判定して測定結果から除外したが、露光装置１やレジスト塗布現像装置２の装置状態に応じた割合で測定結果に入れておいてもよい。この場合、データ解析装置４は、ログデータＬ１，Ｌ２に基づいて、露光装置１やレジスト塗布現像装置２の装置状態に応じた重み付け係数を異常ロットＩＤ毎に設定する。重み付け係数は、制御データ予測装置５が、制御データ６１を作成する際に用いる測定結果への重み付けであり、重み付けが「０」の測定結果は測定結果から除外される。一方、重み付けが「１」の測定結果は測定結果としてそのまま採用される。制御データ予測装置５は、測定結果に重み付け係数に従った重み付けを行って制御データ６１を作成する。

ここで、露光装置１やレジスト塗布現像装置２の装置状態と、重み付け係数との関係について説明する。データ解析装置４は、露光装置１やレジスト塗布現像装置２の装置状態を、ログデータＬ１，Ｌ２に基づいて判断する。なお、ここでは、露光装置１の装置状態について説明する。

図７は、露光装置のレチクル直交度と重み付け係数の関係を示す情報テーブルであり、図８は、露光装置のレチクル回転量と重み付け係数の関係を示す情報テーブルである。図７に示すレチクル直交度に関する情報テーブル１０１は、ログデータＬ１（詳細露光データ）のレチクル直交度と重み付け係数との対応関係を示している。また、図８に示すレチクル回転量に関する情報テーブル１０２は、ログデータＬ１（詳細露光データ）のレチクル回転量と重み付け係数との対応関係を示している。

データ解析装置４は、レチクル直交度に関する情報テーブル１０１やレチクル回転量に関する情報テーブル１０２に基づいて、異常ロットＩＤ２１に重み付け係数を設定する。例えば、レチクル直交度が０．０５以上である場合、データ解析装置４の装置異常判定部４２は、重み付け係数を「０」に設定する。また、レチクル直交度が０．０４以上で０．０５未満である場合、装置異常判定部４２は、重み付け係数を「０．５」に設定する。また、レチクル直交度が０．０４未満である場合、装置異常判定部４２は、重み付け係数を「１」に設定する。

さらに、レチクル回転量が０．０５以上である場合、装置異常判定部４２は、重み付け係数を「０」に設定する。また、レチクル回転量が０．０４以上で０．０５未満である場合、装置異常判定部４２は、重み付け係数を「０．５」に設定する。また、レチクル回転量が０．０４未満である場合、装置異常判定部４２は、重み付け係数を「１」に設定する。

データ解析装置４の異常ロットＩＤ抽出部４４は、装置異常判定部４２で設定された重み付け係数と異常ロットＩＤ２１とを対応付ける。そして、重み付け係数と異常ロットＩＤ２１とが対応付けられた情報が制御データ予測装置５に送信される。

制御データ予測装置５の検査データ判定部５３は、異常ロットＩＤ２１に対応するロットの測定結果（異常値）を抽出する際に、重み付け係数が「０」の測定結果は、異常値として検査データ３１内から削除する。さらに、検査データ判定部５３は、削除しなかった他の異常値を重み付け係数に対応付けて検査データ３１内に入れ、制御データ作成部５４に送る。

制御データ作成部５４は、異常値と判断されなかった測定結果と、異常値ではあるが削除されなかった測定結果（重み付け係数と対応付けされた測定結果）と、を用いて制御データ６１を作成する。

例えば、直近の５ロットの測定結果の中に重み付け係数が「０．５」である測定結果が含まれている場合、制御データ作成部５４は、この測定結果を５０％だけフィードバック制御に反映させる。具体的には、所望のレジスト寸法が５０ｎｍであり、算出したレジスト寸法の平均値が４５ｎｍである場合、制御データ作成部５４は、２．５ｎｍ分だけレジスト寸法が太くなるような露光照射量を算出する。そして、制御データ作成部５４は、正常値と判断された測定結果に基づいて算出された露光照射量と、重み付け係数を用いて算出した露光照射量と、を用いて、次に処理されるロットの露光照射量を算出する。

検査データ判定部５３から送られてきた５ロット分の測定結果が１００個のデータ（１００箇所のレジスト寸法測定値）であり、「０．５」の重み付け係数が設定された測定結果が１つだけであった場合、「０．５」の重み付け係数が設定された測定結果は、１／１００の５０％分（０．５％）だけ測定結果としてフィードバック制御に反映されることとなる。

なお、本実施の形態では、ロット単位でフィードバック制御する場合について説明したが、ウェハ単位でフィードバック制御してもよい。また、本実施の形態では、レジスト塗布現像装置２がレジストの塗布処理と現像処理を行う構成としたが、レジストの塗布処理を行う装置と現像処理を行う装置を別々の構成としてもよい。

このように実施の形態によれば、ログデータＬ１，Ｌ２に基づいて、検査データ３１から異常値を除外しているので、露光装置１やレジスト塗布現像装置２などの半導体製造装置の状態に応じた正確な制御データを作成することができる。したがって、半導体製造装置の状態に応じた正確な加工処理制御を行うことが可能になる。これにより、正確な制御データで半導体装置を製造できるので、製品歩留まりを向上させることが可能になる。また、検査データ３１の測定値に半導体製造装置の状態に応じた重み付け係数を設定して制御データを作成しているので、半導体製造装置の状態に応じたさらに正確な制御データを作成することができる。

実施の形態に係る半導体製造システムの構成を示す図である。 データ解析装置と制御データ予測装置の構成を示すブロック図である。 実施の形態に係る制御データ予測装置のハードウェア構成を示す図である。 半導体製造システムの動作手順を説明するための図である。 半導体製造システムの動作手順を示すフローチャートである。 異常値の除外処理を説明するための図である。 露光装置のレチクル直交度と重み付け係数の関係を示す図である。 露光装置のレチクル回転量と重み付け係数の関係を示す図である。

符号の説明

１ 露光装置、２ レジスト塗布現像装置、３ データ収集装置、４ データ解析装置、５ 制御データ予測装置、６ 検査装置、１０ 半導体製造システム、５３ 検査データ判定部、５４ 制御データ作成部、９７ 制御データ作成プログラム、Ｌ１，Ｌ２ ログデータ

Claims (4)

1. 半導体製造装置によって加工処理されたウェハの処理結果を測定するとともに、測定された処理結果を前記半導体製造装置の制御に反映して前記加工処理を制御する半導体製造装置の制御方法において、
   前記半導体製造装置の動作状態の履歴であるログデータに基づいて、前記処理結果の中から前記半導体製造装置の動作状態が異常状態であった場合に加工処理されたウェハの処理結果を異常処理結果として特定する異常処理特定ステップと、
   前記測定された処理結果および前記異常処理結果に基づいて前記半導体製造装置の制御データを作成する制御データ作成ステップと、
   作成した制御データを用いて前記半導体製造装置の加工処理を制御する制御ステップと、
   を含むことを特徴とする半導体製造装置の制御方法。
2. 前記異常処理特定ステップは、前記ログデータに基づいて、前記異常処理結果に前記制御データを作成する際の重み付けを設定し、
   前記制御データ作成ステップは、前記測定された処理結果および重み付けされた異常処理結果に基づいて前記半導体製造装置の制御データを作成することを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置の制御方法。
3. 前記制御データ作成ステップは、
   前記測定された処理結果の中から前記異常処理結果に対応する処理結果を除外し、除外しなかった残りの処理結果を用いて前記半導体製造装置の制御データを作成することを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置の制御方法。
4. 請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体製造装置の制御方法によって加工処理を制御して半導体装置を製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。

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