JP2012019129A - 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】検査モジュールによる検査で基板に異常が検出されたときに、記憶部に記憶されたデータに基づいて、後続の基板の搬送モードを、モードM1及びM2から選択するためのモード選択部を備えるように塗布、現像装置を構成する。前記モードM1は、現像処理用の単位ブロックにおける基板が処理されたモジュールを特定し、後続の基板を、特定されたモジュール以外のモジュールに搬送するように単位ブロック用の搬送機構の動作を制御するモードであり、前記モードM2は、基板が処理された現像処理用の単位ブロックを特定し、後続の基板を、特定された現像処理用の単位ブロック以外の現像処理用の単位ブロックに搬送するように受け渡し機構の動作を制御するモードである。
【選択図】図4
Description
a)前記処理ブロックは、
基板に薬液を供給して、露光処理に必要な薄膜のうち前段の薄膜を形成する液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた前段塗布用の単位ブロックを第1の前段塗布用の単位ブロック及び第2の前段塗布用の単位ブロックとして上下に二重化して互いに積層したものと、
前記前段塗布用の単位ブロックに対して積層され、露光処理に必要な薄膜のうち前記前段の薄膜の上に薬液を供給して後段の薄膜を形成する液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた後段塗布用の単位ブロックを第1の後段塗布用の単位ブロック及び第2の後段塗布用の単位ブロックとして上下に二重化して、互いに積層したものと、
前記前段塗布用の単位ブロックに対して積層され、基板に現像液を供給する液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた現像処理用の単位ブロックを第1の現像処理用の単位ブロック及び第2の現像処理用の単位ブロックとして上下に二重化して、互いに積層したものと、を含むことと、
b)前記前段の薄膜及び後段の薄膜の一方はレジスト膜を含む薄膜であることと、
c)各単位ブロック毎にキャリアブロック側に設けられ、各単位ブロックの搬送機構との間で基板の受け渡しを行う受け渡し部と、
d)キャリアから前段塗布用の各単位ブロックに対応する前記受け渡し部に基板を振り分けて受け渡すと共に、現像処理用の各単位ブロックの受け渡し部から基板をキャリアに戻し、また前段塗布用の各単位ブロックにて処理された基板を後段塗布用の各単位ブロックに対応する前記受け渡し部に受け渡すための第1の受け渡し機構と、
e)前記処理ブロックで処理された露光前の基板を受け取り、露光後の基板を現像処理用の単位ブロックに振り分けて受け渡すための第2の受け渡し機構と、
f)現像処理後の基板を検査する現像後検査モジュールと、
g)前記検査モジュールで検査を受けるまでに検査対象の基板が搬送された経路のデータを記憶する記憶部と、
h)前記検査モジュールによる検査で基板に異常が検出されたときに、記憶部に記憶されたデータに基づいて、後続の基板の搬送モードを、モードM1とモードM2とを含む現像後異常対応用のモードグループの中から選択するためのモード選択部と、
を備え、
前記モードM1は、現像処理用の単位ブロックにおいて、異常を検出された基板が処理されたモジュールを特定し、後続の基板を、特定されたモジュール以外のモジュールに搬送するように単位ブロック用の搬送機構の動作を制御するモードであり、
前記モードM2は、異常を検出された基板が処理された現像処理用の単位ブロックを特定し、後続の基板を、特定された現像処理用の単位ブロック以外の現像処理用の単位ブロックに搬送するように第2の受け渡し機構の動作を制御するモードである。
モードM3:現像処理用の単位ブロック及び前段塗布用の単位ブロックにおいて、異常を検出された基板が処理されたモジュールを特定し、後続の基板を、特定されたモジュール以外のモジュールに搬送するように単位ブロック用の搬送機構の動作を制御する。
モードM4:現像処理用の単位ブロック、前段塗布用の単位ブロック及び後段塗布用の単位ブロックにおいて、異常を検出された基板が処理されたモジュールを特定し、後続の基板を、特定されたモジュール以外のモジュールに搬送するように単位ブロック用の搬送機構の動作を制御する。
モードM5:異常を検出された基板が処理された現像処理用の単位ブロック及び前段塗布用の単位ブロックを特定し、後続の基板を、特定された単位ブロック以外の単位ブロックに搬送するように第2の受け渡し機構の動作を制御する。
モードM6:異常を検出された基板が処理された現像処理用の単位ブロック、前段塗布用の単位ブロック及び後段塗布用の単位ブロックを特定し、後続の基板を、特定された単位ブロック以外の単位ブロックに搬送するように第2の受け渡し機構の動作を制御する。
前記塗布後検査モジュールで検査を受けるまでに検査対象の基板が搬送された経路のデータを記憶する記憶部と、
前記塗布後検査モジュールによる検査で基板に異常が検出されたときに、記憶部に記憶されたデータに基づいて、後続の基板の搬送モードを、モードN1とモードN2とを含む塗布後異常対応用のモードグループの中から選択するためモード選択部と、を更に備えていてもよい。
前記モードN1は、少なくともレジスト膜を形成する液処理モジュールを含む単位ブロックにおいて、異常を検出された基板が処理されたモジュールを特定し、後続の基板を、特定されたモジュール以外のモジュールに搬送するように単位ブロック用の搬送機構の動作を制御するモードであり、
前記モードN2は、少なくともレジスト膜を形成する液処理モジュールを含む単位ブロックにおいて、異常を検出された基板が処理された単位ブロックを特定し、後続の基板を、特定された単位ブロック以外の単位ブロックに搬送するように第2の受け渡し機構の動作を制御するモードである。
(1)前段塗布用の単位ブロックは、基板に薬液を供給して下層側の反射防止膜を形成する下層用の液処理モジュールと、前記反射防止膜の上にレジスト液を供給してレジスト膜を形成する塗布モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備え、
後段塗布用の単位ブロックは、レジスト膜が形成された基板に薬液を供給して上層側の膜を形成する上層用の液処理モジュールと、レジスト膜が形成された基板に対して、露光前の前処理を行うための前処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備える。
(2)前段塗布用の単位ブロックは、基板に薬液を供給して下層側の反射防止膜を形成する下層用の液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備え、
後段塗布用の単位ブロックは、レジスト液を供給してレジスト膜を形成する液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備える。
(3)レジスト膜が形成された基板に薬液を供給して上層側の膜を形成する上層用の液処理モジュールと、レジスト膜が形成された基板に対して、露光前の前処理を行うための前処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた上層用の単位ブロックを第1の上層用の単位ブロック及び第2の上層用の単位ブロックとして上下に二重化して、互いに積層したものを、前記後段塗布用の単位ブロックに対して積層する。
a)前記処理ブロックは、
基板に薬液を供給して露光処理に必要な薄膜のうち前段の薄膜を形成する液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた前段塗布用の単位ブロックを第1の前段塗布用の単位ブロック及び第2の前段塗布用の単位ブロックとして上下に二重化して互いに積層したものと、
前記前段塗布用の単位ブロックに対して積層され、露光処理に必要な薄膜のうち前記前段の薄膜の上に薬液を供給して後段の薄膜を形成する液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた後段塗布用の単位ブロックを第1の後段塗布用の単位ブロック及び第2の後段塗布用の単位ブロックとして上下に二重化して、互いに積層したものと、
前記前段塗布用の単位ブロックに対して積層され、基板に現像液を供給する液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた現像処理用の単位ブロックを第1の現像処理用の単位ブロック及び第2の現像処理用の単位ブロックとして上下に二重化して、互いに積層したものと、を含むことと、
b)前記前段の薄膜及び後段の薄膜の一方はレジスト膜を含む薄膜であることと、
c)各単位ブロック毎にキャリアブロック側に設けられ、各単位ブロックの搬送機構との間で基板の受け渡しを行う受け渡し部と、
d)キャリアから前段塗布用の各単位ブロックに対応する前記受け渡し部に基板を振り分けて受け渡すと共に、現像処理用の各単位ブロックの受け渡し部から基板をキャリアに戻し、また前段塗布用の各単位ブロックにて処理された基板を後段塗布用の各単位ブロックに対応する前記受け渡し部に受け渡すための第1の受け渡し機構と、
e)前記処理ブロックで処理された露光前の基板を受け取り、露光後の基板を現像処理用の単位ブロックに振り分けて受け渡すための第2の受け渡し機構と、
を備えた塗布、現像装置を用い、
現像処理後の基板を検査する現像後検査工程と、
この現像後検査工程により検査を受けるまでに検査対象の基板が搬送された経路のデータを記憶部に記憶する工程と、
前記検査モジュールによる検査で基板に異常が検出されたときに、記憶部に記憶されたデータに基づいて、現像処理用の単位ブロックにおける基板が処理されたモジュールを特定し、後続の基板を、特定されたモジュール以外のモジュールに搬送するように単位ブロック用の搬送機構の動作を制御する工程と、を含むことを特徴とする。
(1)前記検査モジュールによる検査で基板に異常が検出されたときに、記憶部に記憶されたデータに基づいて、現像処理用の単位ブロックにおける基板が処理されたモジュールを特定する代わりに、基板が処理された現像処理用の単位ブロックを特定し、後続の基板を、特定された現像処理用の単位ブロック以外の現像処理用の単位ブロックに搬送する。
(2)前記検査モジュールによる検査で基板に異常が検出されたときに、記憶部に記憶されたデータに基づいて、現像処理用の単位ブロックにおける基板が処理されたモジュールを特定することに加えて、前段塗布用の単位ブロックにおける基板が処理されたモジュールを特定し、後続の基板を、特定されたモジュール以外のモジュールに搬送する。
(3)前記検査モジュールによる検査で基板に異常が検出されたときに、記憶部に記憶されたデータに基づいて、現像処理用の単位ブロック及び前段塗布用の単位ブロックにおける基板が処理されたモジュールを特定することに加えて、後段塗布用の単位ブロックにおける基板が処理されたモジュールを特定し、後続の基板を、特定されたモジュール以外のモジュールに搬送する。
(4)前記検査モジュールによる検査で基板に異常が検出されたときに、記憶部に記憶されたデータに基づいて、基板が処理された現像処理用の単位ブロックを特定することに加えて、前段塗布用の単位ブロックにおける基板が処理された単位ブロックを特定し、後続の基板を、特定された前段塗布用の単位ブロック以外の前段塗布用の単位ブロックに搬送する。
(5)前記検査モジュールによる検査で基板に異常が検出されたときに、記憶部に記憶されたデータに基づいて、基板が処理された現像処理用の単位ブロック及び前段処理用の単位ブロックを特定することに加えて、後段塗布用の単位ブロックにおける基板が処理された単位ブロックを特定し、後続の基板を、特定された後段塗布用の単位ブロック以外の後段塗布用の単位ブロックに搬送する。
(6)レジスト膜を形成した後の基板を検査する塗布後検査工程と、
この塗布後検査工程で検査を受けるまでに検査対象の基板が搬送された経路のデータを記憶部に記憶する工程と、
前記塗布後検査工程で基板に異常が検出されたときに、記憶部に記憶されたデータに基づいて、少なくともレジスト膜を形成する液処理モジュールを含む単位ブロックにおいて異常を検出された基板が処理されたモジュールを特定し、後続の基板を、特定されたモジュール以外のモジュールに搬送する工程と、を更に含む。
(7)前記塗布後検査工程で基板に異常が検出されたときに、記憶部に記憶されたデータに基づいて、少なくともレジスト膜を形成する液処理モジュールを含む単位ブロックにおいて異常を検出された基板が処理されたモジュールを特定することに代えて、前記基板が処理された少なくともレジスト膜を形成する液処理モジュールを含む単位ブロックを特定し、後続の基板を、特定された単位ブロック以外の単位ブロックに搬送することを特徴とする請求項16に記載の塗布、現像方法。
前記コンピュータプログラムは、上記の塗布、現像方法を実施するためのものであることを特徴とする。
本発明に係る塗布、現像装置1について説明する。図1は、本発明の塗布、現像装置1をレジストパターン形成装置に適用した場合の一実施の形態の平面図を示し、図2は同概略斜視図、図3は同概略側面図である。この塗布、現像装置1は、基板であるウエハWが例えば25枚密閉収納されたキャリアCを搬入出するためのキャリアブロックS1と、ウエハWに対して、処理を行うための処理ブロックS2と、インターフェイスブロックS3と、を直線状に配列して構成されている。インターフェイスブロックS3には、液浸露光を行う露光装置S4が接続されている。
現像処理後検査C1を行い、単位ブロック毎に搬送が停止する例として、モードD1〜D3のうち、代表してモードD3が選択された場合について説明する。先ず、図11を参照しながら、塗布、現像装置1でのウエハWの搬送経路について説明する。先ず、キャリアCからウエハWが受け渡しアーム13により受け渡しモジュールBU1に搬送される。受け渡しモジュールBU1から第1の単位ブロックB1に搬送される場合は、図11(a)に示すようにウエハWは、受け渡しアーム30により疎水化処理モジュールADH1、ADH2に搬送されて疎水化処理を受け、受け渡しモジュールCPL1に搬送される。
次に、レジスト膜形成後検査C2が行われるように設定され、さらに単位ブロック毎に搬送停止させるモードD7が選択されている場合について説明する。レジスト膜形成後検査C2実行時のウエハWの搬送経路としては、レジスト塗布処理を終え、受け渡しモジュールCPL4、CPL6に搬入されたウエハWが、受け渡しアーム30により検査モジュール31に搬入される。検査モジュール31で検査された後は受け渡しモジュールCPL9、CPL12を介して第3、第4の単位ブロックに搬入される。現像処理後のウエハWは、受け渡しモジュールCPL13、CPL15→受け渡しモジュールBU1の順でキャリアCに戻される。このような違いを除けば、現像処理後検査C1実行時と同様にウエハWが搬送される。
次に、現像処理後検査C1を行い、処理モジュール毎に搬送が停止する例として、モードD4〜D6のうち、代表してモードD6が選択された場合について説明する。以降、図15を参照しながらモードD6実行時のフローについて、モードD3との差異点を中心に説明する。ウエハWに異常が検出された場合には、搬送スケジュールに基づき、単位ブロックB5,B6において、当該ウエハWを処理した処理モジュールが特定される。ウエハのIDと異常となった検査項目と、前記処理モジュールとが対応付けられてメモリ61に記憶される(ステップS11)。続けて、判定プログラム56は、ステップS11で特定した処理モジュール毎に、検査結果記憶領域60のデータに基づき、前記各処理モジュールが搬送停止基準に該当しているか否かを判定する(ステップS12)。
次に、レジスト塗布後検査C2が行われるように設定され、さらに処理モジュール毎にウエハWの搬送を停止させるモードD8が選択されている場合について、モードD6選択時との差異点を中心に説明する。モードD8実行時には、モードD7実行時と同様にウエハWの搬送が行われる。つまり、単位ブロックB1、B2で処理を終えたウエハWが検査モジュール31に搬送される。そして、ウエハWに異常が検出された場合には、モードD6と同様に当該ウエハWを処理した処理モジュールごとに搬送停止基準に該当しているか否かが判定され、搬送停止基準に該当した場合には当該処理モジュールへの搬送が停止される。このモードD8では、レジスト塗布後のウエハWを検査しているので、搬送が停止する処理モジュールは単位ブロックB1、B2の処理モジュールである。処理モジュールへの搬送は、モードD6で説明したルールに基づいて停止する。つまり、反射防止膜形成モジュールBCT及びレジスト膜形成モジュールCOTについては搬送停止基準に該当しても、これらの処理モジュールへの搬送が継続される。
次に第2の実施形態に係る塗布、現像装置の処理ブロックS5について、図17を参照しながら説明する。この処理ブロックS5においては、反射防止膜形成モジュールBCT、レジスト膜形成モジュールCOT、保護膜形成モジュールTCTを夫々含む単位ブロックが二重化されて設けられている。処理ブロックS5の各単位ブロックB1〜B4は、搭載された液処理モジュールが異なることを除き、処理ブロックS2の各単位ブロックB1〜B4と同様に構成される。処理ブロックS5の単位ブロックB1、B2、B3、B4には夫々反射防止膜形成モジュールBCT1〜BCT4、反射防止膜形成モジュールBCT5〜BCT8、レジスト膜形成モジュールCOT1〜COT4、レジスト膜形成モジュールCOT5〜COT8が設けられている。これらの液処理モジュールは、既述の処理ブロックS2の液処理モジュールと同様に処理カップ23を各々備えている。そして、キャリアブロックS1側からインターフェイスブロックS3側に向けて2基ずつ互いに隣り合うように設けられた処理カップ23は、ウエハWに処理液を供給するノズル24を共有している。
処理ブロックのさらに他の例について、図18に示した処理ブロックS6を参照して説明する。既述の処理ブロックS5との差異点として、単位ブロックが8段に積層されていることが挙げられる。この処理ブロックS6において、単位ブロックE1〜E4は、処理ブロックS5の単位ブロックB1〜B4と同様に構成されている。単位ブロックE4上には、互いに同様に構成された単位ブロックE5、E6が積層されており、これら単位ブロックE5、E6には、夫々保護膜形成モジュールTCT1〜TCT4、TCT5〜TCT8が設けられている。液処理モジュールが異なる他は単位ブロックE5、E6は他の単位ブロックE1〜E4と同様に構成されている。単位ブロックE6上には単位ブロックE7、E8が積層されており、これら単位ブロックE7、E8は第1の実施形態における処理ブロックS2の単位ブロックB5、B6と同様に構成されている。この第3の実施形態において、単位ブロックE1、E2が前段塗布用の塗布ブロック、単位ブロックE3、E4が後段塗布用の単位ブロックに相当する。
BCT1〜BCT4 反射防止膜形成モジュール
BST1〜BST4 裏面洗浄モジュール
COT1〜COT4 レジスト膜形成モジュール
DEV1〜DEV8 現像モジュール
HP 加熱モジュール
TCT1〜TCT4 保護膜形成モジュール
S1 キャリアブロック
S2 処理ブロック
S3 インターフェイスブロック
WEE 周縁露光モジュール
1 塗布、現像装置
30 受け渡しアーム
51 制御部
55 搬送プログラム
56 判定プログラム
61 メモリ
64 設定部
A1〜A6 メインアーム
Claims (18)
- キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
a)前記処理ブロックは、
基板に薬液を供給して、露光処理に必要な薄膜のうち前段の薄膜を形成する液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた前段塗布用の単位ブロックを第1の前段塗布用の単位ブロック及び第2の前段塗布用の単位ブロックとして上下に二重化して互いに積層したものと、
前記前段塗布用の単位ブロックに対して積層され、露光処理に必要な薄膜のうち前記前段の薄膜の上に薬液を供給して後段の薄膜を形成する液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた後段塗布用の単位ブロックを第1の後段塗布用の単位ブロック及び第2の後段塗布用の単位ブロックとして上下に二重化して、互いに積層したものと、
前記前段塗布用の単位ブロックに対して積層され、基板に現像液を供給する液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた現像処理用の単位ブロックを第1の現像処理用の単位ブロック及び第2の現像処理用の単位ブロックとして上下に二重化して、互いに積層したものと、を含むことと、
b)前記前段の薄膜及び後段の薄膜の一方はレジスト膜を含む薄膜であることと、
c)各単位ブロック毎にキャリアブロック側に設けられ、各単位ブロックの搬送機構との間で基板の受け渡しを行う受け渡し部と、
d)キャリアから前段塗布用の各単位ブロックに対応する前記受け渡し部に基板を振り分けて受け渡すと共に、現像処理用の各単位ブロックの受け渡し部から基板をキャリアに戻し、また前段塗布用の各単位ブロックにて処理された基板を後段塗布用の各単位ブロックに対応する前記受け渡し部に受け渡すための第1の受け渡し機構と、
e)前記処理ブロックで処理された露光前の基板を受け取り、露光後の基板を現像処理用の単位ブロックに振り分けて受け渡すための第2の受け渡し機構と、
f)現像処理後の基板を検査する現像後検査モジュールと、
g)前記検査モジュールで検査を受けるまでに検査対象の基板が搬送された経路のデータを記憶する記憶部と、
h)前記検査モジュールによる検査で基板に異常が検出されたときに、記憶部に記憶されたデータに基づいて、後続の基板の搬送モードを、モードM1とモードM2とを含む現像後異常対応用のモードグループの中から選択するためのモード選択部と、
を備え、
前記モードM1は、現像処理用の単位ブロックにおいて、異常を検出された基板が処理されたモジュールを特定し、後続の基板を、特定されたモジュール以外のモジュールに搬送するように単位ブロック用の搬送機構の動作を制御するモードであり、
前記モードM2は、異常を検出された基板が処理された現像処理用の単位ブロックを特定し、後続の基板を、特定された現像処理用の単位ブロック以外の現像処理用の単位ブロックに搬送するように第2の受け渡し機構の動作を制御するモードであることを特徴とする塗布、現像装置。 - 前記モードグループは、更にモードM3を含み、
前記モードM3は、現像処理用の単位ブロック及び前段塗布用の単位ブロックにおいて、異常を検出された基板が処理されたモジュールを特定し、後続の基板を、特定されたモジュール以外のモジュールに搬送するように単位ブロック用の搬送機構の動作を制御するモードであることを特徴とする請求項1記載の塗布、現像装置。 - 前記モードグループは、更にモードM4を含み、
前記モードM4は、現像処理用の単位ブロック、前段塗布用の単位ブロック及び後段塗布用の単位ブロックにおいて、異常を検出された基板が処理されたモジュールを特定し、後続の基板を、特定されたモジュール以外のモジュールに搬送するように単位ブロック用の搬送機構の動作を制御するモードであることを特徴とする請求項1または2記載の塗布、現像装置。 - 前記モードグループは、更にモードM5を含み、
前記モードM5は、異常を検出された基板が処理された現像処理用の単位ブロック及び前段塗布用の単位ブロックを特定し、後続の基板を、特定された単位ブロック以外の単位ブロックに搬送するように第2の受け渡し機構の動作を制御するモードであることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の塗布、現像装置 - 前記モードグループは、更にモードM6を含み、
前記モードM6は、異常を検出された基板が処理された現像処理用の単位ブロック、前段塗布用の単位ブロック及び後段塗布用の単位ブロックを特定し、後続の基板を、特定された単位ブロック以外の単位ブロックに搬送するように第2の受け渡し機構の動作を制御するモードであることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一項に記載の塗布、現像装置 - レジスト膜を形成した後、露光前の基板を検査する塗布後検査モジュールと、
前記塗布後検査モジュールで検査を受けるまでに検査対象の基板が搬送された経路のデータを記憶する記憶部と、
前記塗布後検査モジュールによる検査で基板に異常が検出されたときに、記憶部に記憶されたデータに基づいて、後続の基板の搬送モードを、モードN1とモードN2とを含む塗布後異常対応用のモードグループの中から選択するためモード選択部と、を更に備え、
前記モードN1は、少なくともレジスト膜を形成する液処理モジュールを含む単位ブロックにおいて、異常を検出された基板が処理されたモジュールを特定し、後続の基板を、特定されたモジュール以外のモジュールに搬送するように単位ブロック用の搬送機構の動作を制御するモードであり、
前記モードN2は、少なくともレジスト膜を形成する液処理モジュールを含む単位ブロックにおいて、異常を検出された基板が処理された単位ブロックを特定し、後続の基板を、特定された単位ブロック以外の単位ブロックに搬送するように第2の受け渡し機構の動作を制御するモードであることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一項に記載の塗布、現像装置。 - 前段塗布用の単位ブロックは、基板に薬液を供給して下層側の反射防止膜を形成する下層用の液処理モジュールと、前記反射防止膜の上にレジスト液を供給してレジスト膜を形成する塗布モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備え、
後段塗布用の単位ブロックは、レジスト膜が形成された基板に薬液を供給して上層側の膜を形成する上層用の液処理モジュールと、レジスト膜が形成された基板に対して、露光前の前処理を行うための前処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えたことを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一項に記載の塗布、現像装置。 - 前段塗布用の単位ブロックは、基板に薬液を供給して下層側の反射防止膜を形成する下層用の液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備え、
後段塗布用の単位ブロックは、レジスト液を供給してレジスト膜を形成する液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えたことを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一項に記載の塗布、現像装置。 - レジスト膜が形成された基板に薬液を供給して上層側の膜を形成する上層用の液処理モジュールと、レジスト膜が形成された基板に対して、露光前の前処理を行うための前処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた上層用の単位ブロックを第1の上層用の単位ブロック及び第2の上層用の単位ブロックとして上下に二重化して、互いに積層したものを、前記後段塗布用の単位ブロックに対して積層したことを特徴とする請求項8記載の塗布、現像装置。
- キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置であって、
a)前記処理ブロックは、
基板に薬液を供給して露光処理に必要な薄膜のうち前段の薄膜を形成する液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた前段塗布用の単位ブロックを第1の前段塗布用の単位ブロック及び第2の前段塗布用の単位ブロックとして上下に二重化して互いに積層したものと、
前記前段塗布用の単位ブロックに対して積層され、露光処理に必要な薄膜のうち前記前段の薄膜の上に薬液を供給して後段の薄膜を形成する液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた後段塗布用の単位ブロックを第1の後段塗布用の単位ブロック及び第2の後段塗布用の単位ブロックとして上下に二重化して、互いに積層したものと、
前記前段塗布用の単位ブロックに対して積層され、基板に現像液を供給する液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた現像処理用の単位ブロックを第1の現像処理用の単位ブロック及び第2の現像処理用の単位ブロックとして上下に二重化して、互いに積層したものと、を含むことと、
b)前記前段の薄膜及び後段の薄膜の一方はレジスト膜を含む薄膜であることと、
c)各単位ブロック毎にキャリアブロック側に設けられ、各単位ブロックの搬送機構との間で基板の受け渡しを行う受け渡し部と、
d)キャリアから前段塗布用の各単位ブロックに対応する前記受け渡し部に基板を振り分けて受け渡すと共に、現像処理用の各単位ブロックの受け渡し部から基板をキャリアに戻し、また前段塗布用の各単位ブロックにて処理された基板を後段塗布用の各単位ブロックに対応する前記受け渡し部に受け渡すための第1の受け渡し機構と、
e)前記処理ブロックで処理された露光前の基板を受け取り、露光後の基板を現像処理用の単位ブロックに振り分けて受け渡すための第2の受け渡し機構と、
を備えた塗布、現像装置を用い、
現像処理後の基板を検査する現像後検査工程と、
この現像後検査工程により検査を受けるまでに検査対象の基板が搬送された経路のデータを記憶部に記憶する工程と、
前記検査モジュールによる検査で基板に異常が検出されたときに、記憶部に記憶されたデータに基づいて、現像処理用の単位ブロックにおける基板が処理されたモジュールを特定し、後続の基板を、特定されたモジュール以外のモジュールに搬送するように単位ブロック用の搬送機構の動作を制御する工程と、を含むことを特徴とする塗布、現像方法。 - 前記検査モジュールによる検査で基板に異常が検出されたときに、記憶部に記憶されたデータに基づいて、現像処理用の単位ブロックにおける基板が処理されたモジュールを特定する代わりに、基板が処理された現像処理用の単位ブロックを特定し、後続の基板を、特定された現像処理用の単位ブロック以外の現像処理用の単位ブロックに搬送することを特徴とする請求項10記載の塗布、現像方法。
- 前記検査モジュールによる検査で基板に異常が検出されたときに、記憶部に記憶されたデータに基づいて、現像処理用の単位ブロックにおける基板が処理されたモジュールを特定することに加えて、前段塗布用の単位ブロックにおける基板が処理されたモジュールを特定し、後続の基板を、特定されたモジュール以外のモジュールに搬送することを特徴とする請求項10記載の塗布、現像方法。
- 前記検査モジュールによる検査で基板に異常が検出されたときに、記憶部に記憶されたデータに基づいて、現像処理用の単位ブロック及び前段塗布用の単位ブロックにおける基板が処理されたモジュールを特定することに加えて、後段塗布用の単位ブロックにおける基板が処理されたモジュールを特定し、後続の基板を、特定されたモジュール以外のモジュールに搬送することを特徴とする請求項12記載の塗布、現像方法。
- 前記検査モジュールによる検査で基板に異常が検出されたときに、記憶部に記憶されたデータに基づいて、基板が処理された現像処理用の単位ブロックを特定することに加えて、前段塗布用の単位ブロックにおける基板が処理された単位ブロックを特定し、後続の基板を、特定された前段塗布用の単位ブロック以外の前段塗布用の単位ブロックに搬送することを特徴とする請求項11記載の塗布、現像方法。
- 前記検査モジュールによる検査で基板に異常が検出されたときに、記憶部に記憶されたデータに基づいて、基板が処理された現像処理用の単位ブロック及び前段処理用の単位ブロックを特定することに加えて、後段塗布用の単位ブロックにおける基板が処理された単位ブロックを特定し、後続の基板を、特定された後段塗布用の単位ブロック以外の後段塗布用の単位ブロックに搬送することを特徴とする請求項11記載の塗布、現像方法。
- レジスト膜を形成した後の基板を検査する塗布後検査工程と、
この塗布後検査工程で検査を受けるまでに検査対象の基板が搬送された経路のデータを記憶部に記憶する工程と、
前記塗布後検査工程で基板に異常が検出されたときに、記憶部に記憶されたデータに基づいて、少なくともレジスト膜を形成する液処理モジュールを含む単位ブロックにおいて異常を検出された基板が処理されたモジュールを特定し、後続の基板を、特定されたモジュール以外のモジュールに搬送する工程と、を更に含むことを特徴とする請求項10ないし15のいずれか一項に記載の塗布、現像方法。 - 前記塗布後検査工程で基板に異常が検出されたときに、記憶部に記憶されたデータに基づいて、少なくともレジスト膜を形成する液処理モジュールを含む単位ブロックにおいて異常を検出された基板が処理されたモジュールを特定することに代えて、前記基板が処理された少なくともレジスト膜を形成する液処理モジュールを含む単位ブロックを特定し、後続の基板を、特定された単位ブロック以外の単位ブロックに搬送することを特徴とする請求項16に記載の塗布、現像方法。
- 塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項10ないし17のいずれか一項に記載の塗布、現像方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。
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