TWI559364B - Coating, developing device, coating, developing method and memory medium - Google Patents

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TWI559364B
TWI559364B TW100124223A TW100124223A TWI559364B TW I559364 B TWI559364 B TW I559364B TW 100124223 A TW100124223 A TW 100124223A TW 100124223 A TW100124223 A TW 100124223A TW I559364 B TWI559364 B TW I559364B
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Nobuaki Matsuoka
Akira Miyata
Shinichi Hayashi
Suguru Enokida
Hiroshi Tomita
Makoto Hayakawa
Tatsuhei Yoshida
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Tokyo Electron Ltd
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Description

塗佈、顯像裝置，塗佈、顯像方法及記憶媒體
本發明係關於在基板塗佈光阻，並進行顯像之塗佈、顯像裝置，塗佈、顯像方法及記憶媒體。
在為半導體製造工程之一的光阻工程中，在半導體晶圓(以下，稱為晶圓)之表面塗佈光阻，並以特定圖案使該光阻曝光之後予以顯像而形成光阻圖案。在用以形成上述光阻圖案之塗佈、顯像裝置上，設置有用以對晶圓進行各種之處理之處理模組的處理區塊。
處理區塊係如專利文獻1所記載般，藉由互相疊層形成光阻膜等之各種塗佈膜之單位區塊及進行顯像處理之單位區塊而被構成。晶圓順序被收授到設置在各單位區塊之處理模組而接受處理。
然而，為了形成更微細之圖案，並且提升良率，被設置在上述處理區塊之處理模組為多樣化。例如，除在晶圓塗佈光阻之光阻膜形成模組或供給顯像液之顯像模組之外，有洗淨塗佈有光阻之晶圓之背面的背面洗淨模組、對光阻膜之上層供給藥液並且形成膜之上層用之液處理模組等之情形。將該些各種處理模組搭載在處理區塊，並且研究如何抑制塗佈、顯像裝置之地板占有面積。
疊層上述單位區塊之構成，用於抑制上述地板占有面積為有效，但是因晶圓依序被搬運至各單位區塊，故於在一個處理模組或單位區塊產生異常，或進行維修之時，必須停止塗佈、顯像裝置之處理全體的情形。如此一來，則有裝置之運轉效率下降之問題。
[先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]　日本特開2007-115831號公報
本發明係鑒於如此之情形下而研究出，提供抑制處理區塊之設置面積，並且於單位區塊產生異常或進行維修時，可以抑制塗佈、顯像裝置之運轉效率下降的技術。
本發明之塗佈、顯像裝置係將藉由載體被搬入至載體區塊之基板收授於處理區塊，在該處理區塊形成含有光阻膜之塗佈膜後，經相對於上述處理區塊位於與載體區塊相反側之介面區塊而搬運至曝光裝置，並將經上述介面區塊而返回之曝光後的基板在上述處理區塊進行顯像處理而收授於上述載體區塊，該塗佈、顯像裝置之特徵為：
(a)上述處理區塊包含：
將具備有對基板供給藥液，而形成於曝光處理所需之薄膜中之前段薄膜的液處理模組，和加熱基板之加熱模組，和為了在該些模組間搬運基板，在連結載體區塊和介面區塊之直線搬運路上移動之單位區塊用之搬運機構的前段塗佈用之單位區塊，設為第1前段塗佈用之單位區塊及第2前段塗佈用之單位區塊予以上下二層化而互相疊層者；將對上述前段塗佈用之單位區塊疊層，且具備有對曝光處理所需之薄膜中之上述前段薄膜之上方供給藥液而形成後段薄膜之液處理模組，和加熱基板之加熱模組，和為了在該些模組間搬運基板，在連結載體區塊和介面區塊之直線搬運路上移動之單位區塊用之搬運機構的後段塗佈用之單位區塊，設為第1後段塗佈用之單位區塊及第2後段塗佈用之單位區塊予以上下二層化而互相疊層者；將對上述前段塗佈用之單位區塊疊層，且具備有對基板供給顯像液之液處理模組，和加熱基板之加熱模組，和在連結載體區塊和介面區塊之直線搬運路徑上移動之單位區塊用之搬運機構的顯像處理用之單位區塊，設為第1顯像處理用之單位區塊及第2顯像處理用之單位區塊予以上下二層化而互相疊層者，
(b)上述前段薄膜及後段薄膜之一方為包含光阻膜之薄膜，
具備：
(c)收授部，其係在每個單位區塊被設置在載體區塊側，用以在與各單位區塊之搬送機構之間進行基板之收授；
(d)第1收授機構，其係用以將基板從載體分配收授至對應於前段塗佈用之各單位區塊之上述收授部，並且使基板從顯像處理用之各單位區塊之收授部返回至載體，再者將在前段塗佈用之各單位區塊被處理之基板收授於對應於後段塗佈用之各單位區塊之上述收授部；
(e)第2收授機構，其係用以接取在上述處理區塊被處理之曝光前之基板，將曝光後之基板分配至顯像處理用之單位區塊而進行收授，
(f)顯像後檢查模組，其係用以檢查顯像處理後之基板；
(g)記憶部，其係記憶至在上述檢查模組接受檢查為止搬運檢查對象之基板的路徑之資料；及
(h)模式選擇部，其係用以當在藉由上述檢查模組之檢查檢測出基板異常時，根據被記憶於記憶部之資料，從包含模式M1和模式M2之顯像後異常對應用之模式群選擇後續基板之搬運模式，
上述模式M1係控制單位區塊用之搬運機構，使在顯像處理用之單位區塊中，特定處理被檢測出異常之基板的模組，並將後續之基板搬運至被特定之模組以外之模組的模式，上述模式M2係控制第2收授機構之動作，使特定處理被檢測出異常之基板的顯像處理用之單位區塊，並將後續之基板搬運至被特定之顯像處理用之單位區塊以外之顯像處理用之單位區塊的模式。
上述塗佈、顯像裝置即使包含下述般之模式亦可。
模式M3：控制單位區塊用之搬運機構之動作，便在顯像處理用之單位區塊及前段塗佈用單位區塊中，特定處理被檢測出異常之基板的模組，並將後續之基板搬運至被特定之模組以外之模組。
模式M4：控制單位區塊用之搬運機構之動作，使在顯像處理用之單位區塊、前段塗佈用單位區塊及後段塗佈用之單位區塊中，特定處理被檢測出異常之基板的模組，並將後續之基板搬運至被特定之模組以外之模組。
模式M5：控制第2收授機構之動作，使特定處理被檢測出異常之基板的顯像處理用之單位區塊及前段塗佈用之單位區塊，並將後續之基板搬運至被特定之單位區塊以外之單位區塊。
模式M6：控制第2收授機構之動作，使特定處理被檢測出異常之基板的顯像處理用之單位區塊、前段塗佈用之單位區塊及後段塗佈用之單位區塊，並將後續之基板搬運至被特定之單位區塊以外之單位區塊。
塗佈、顯像裝置即使又具備：塗佈後檢查模組，其係於形成光阻膜之後，檢查曝光前之基板；記憶部，其係記憶至在上述塗佈後檢查模組接受檢查為止搬運檢查對象之基板的路徑之資料；及模式選擇部，其係用以當在藉由上述塗佈後檢查模組之檢查檢測出基板異常時，根據被記憶於記憶部之資料，從包含模式N1和模式N2之塗佈後異常對應用之模式群中選擇後續基板之搬運模式亦可。
上述模式N1係控制單位區塊用之搬運機構之動作，使得在包含至少形成光阻膜之液處理模組之單位區塊中，特定處理被檢測出異常之基板的模組，並將後續之基板搬運至被特定之模組以外之模組的模式，上述模式N2係控制第2收授機構之動作，使得在包含至少形成光阻膜之液處理模組之單位區塊中，特定處理被檢測出異常之基板的單位區塊，並將後續之基板搬運至被特定之單位區塊以外之單位區塊的模式。
各單位區塊係例如下述般之構成。
(1)前段塗佈用之單位區塊具備：對基板供給藥液而形成下層側之反射防止膜之下層用之液處理模組；對上述反射防止膜上供給光阻液而形成光阻膜之塗佈模組；加熱基板之加熱模組；及為了在該些模組間搬運基板，在連結載體區塊和介面區塊之直線搬運路上移動之單位區塊用之搬運機構，後段塗佈用之單位區塊具備：對形成有光阻膜之基板供給藥液而形成上層側之膜的上層用之液處理模組；用以對形成有光阻膜之基板，進行曝光前之前處理的前處理模組；加熱基板之加熱模組；及為了在該些模組間搬運基板，在連結載體區塊和介面區塊之直線搬運路上移動之單位區塊用之搬運機構。
(2)前段塗佈用之單位區塊具備：對基板供給藥液而形成下層側之反射防止膜之下層用之液處理模組；加熱基板之加熱模組；及為了在該些模組間搬運基板，在連結載體區塊和介面區塊之直線搬運路上移動之單位區塊用之搬運機構，後段塗佈用之單位區塊具備：供給光阻液而形成光阻膜之液處理模組；加熱基板之加熱模組；及為了在該些模組間搬運基板，在連結載體區塊和介面區塊之直線搬運路上移動之單位區塊用之搬運機構。
(3)對上述後段塗佈用之單位區塊，疊層將上層用之單位區塊設為第1上層用之單位區塊及第2上層用之單位區塊予以上下二層化而互相疊層者，該上層用之單位區塊具備對形成有光阻膜之基板供給藥液而形成上層側之膜的上層用之液處理模組；用以對形成有光阻膜之基板，進行曝光前之前處理的前處理模組；加熱基板之加熱模組；及為了在該些模組間搬運基板，在連結載體區塊和介面區塊之直線搬運路上移動之單位區塊用之搬運機構之上層用之單位區塊。
本發明之塗佈、顯像方法係將藉由載體被搬入至載體區塊之基板收授於處理區塊，在該處理區塊形成含有光阻膜之塗佈膜後，經相對於上述處理區塊位於與載體區塊相反側之介面區塊而搬運至曝光裝置，並將經上述介面區塊而返回之曝光後的基板在上述處理區塊進行顯像處理而收授於上述載體區塊，該塗佈、顯像裝置之特徵為：
(a)上述處理區塊包含：
將具備有對基板供給藥液，而形成於曝光處理所需之薄膜中之前段薄膜的液處理模組，和加熱基板之加熱模組，和為了在該些模組間搬運基板，在連結載體區塊和介面區塊之直線搬運路上移動之單位區塊用之搬運機構的前段塗佈用之單位區塊，設為第1前段塗佈用之單位區塊及第2前段塗佈用之單位區塊予以上下二層化而互相疊層者；將對上述前段塗佈用之單位區塊疊層，且具備有對曝光處理所需之薄膜中之上述前段薄膜之上方供給藥液而形成後段薄膜之液處理模組，和加熱基板之加熱模組，和為了在該些模組間搬運基板，在連結載體區塊和介面區塊之直線搬運路上移動之單位區塊用之搬運機構的後段塗佈用之單位區塊，設為第1後段塗佈用之單位區塊及第2後段塗佈用之單位區塊予以上下二層化而互相疊層者；將對上述前段塗佈用之單位區塊疊層，且具備有對基板供給顯像液之液處理模組，和加熱基板之加熱模組，和在連結載體區塊和介面區塊之直線搬運路徑上移動之單位區塊用之搬運機構的顯像處理用之單位區塊，設為第1顯像處理用之單位區塊及第2顯像處理用之單位區塊予以上下二層化而互相疊層者，
(b)上述前段薄膜及後段薄膜之一方為包含光阻膜之薄膜，
使用具備下述構件之塗佈、顯像裝置
(c)收授部，其係在每個單位區塊被設置在載體區塊側，用以在與各單位區塊之搬送機構之間進行基板之收授；
(d)第1收授機構，其係用以將基板從載體分配收授至對應於前段塗佈用之各單位區塊之上述收授部，並且使基板從顯像處理用之各單位區塊之收授部返回至載體，再者將在前段塗佈用之各單位區塊被處理之基板收授於對應於後段塗佈用之各單位區塊之上述收授部；
(e)第2收授機構，其係用以接取在上述處理區塊被處理之曝光前之基板，將曝光後之基板分配至顯像處理用之單位區塊而進行收授，具備：檢查顯像處理後之基板的顯像後檢查工程；將至藉由該顯像後檢查工程接受檢查為止搬運檢查對象之基板的路徑之資料記憶於記憶部之工程；及控制單位區塊用之搬運機構之動作，使得於藉由上述檢查模組之檢查於基板檢測出異常時，根據記憶於記憶部之資料而特定在顯像處理用之單位區塊中該基板被處理的模組，並將後續之基板搬運至被特定之模組以外之模組的工程。
就以上述塗佈、顯像方法之具體態樣而言，例如下述般。
(1)於在藉由上述檢查模組之檢查中檢測出基板異常時，根據記憶於記憶部之資料，特定基板被處理之顯像處理用之單位區塊，以取代特定在顯像處理用之單位區塊中基板被處理之模組，並將後續之基板搬運至被特定之顯像處理用之單位區塊以外之顯像處理用之單位區塊。
(2)於在藉由上述檢查模組之檢查中檢測出基板異常時，根據記憶於記憶部之資料，除特定在顯像處理用之單位區塊中基板被處理之模組外，又特定在前段塗佈用之單位區塊中基板被處理之模組，並將後續之基板搬運至被特定之模組以外之模組。
(3)於在藉由上述檢查模組之檢查中檢測出基板異常時，根據記憶於記憶部之資料，除特定在顯像處理用之單位區塊及前段塗佈用之單位區塊中基板被處理之模組，又特定在後段塗佈用之單位區塊中基板被處理之模組，並將後續之基板搬運至被特定之模組以外之模組。
(4)於在藉由上述檢查模組之檢查中檢測出基板異常時，根據記憶於記憶部之資料，除特定基板被處理之顯像處理用之單位區塊外，又特定在前段塗佈用之單位區塊中基板被處理之單位區塊，並將後續之基板搬運至被特定之前段塗佈用之單位區塊以外之前段塗佈用之單位區塊。
(5)於在藉由上述檢查模組之檢查中檢測出基板異常時，根據記憶於記憶部之資料，除特定基板被處理之顯像處理用之單位區塊及前段處理用之單位區塊外，又特定在後段塗佈用之單位區塊中基板被處理之單位區塊，並將後續之基板搬運至被特定之後段塗佈用之單位區塊以外之後段塗佈用之單位區塊。
又包含：(6)檢查形成光阻膜之後之基板的塗佈後檢查工程；將至在該塗佈後檢查工程接受檢查為止搬運檢查對象之基板的路徑之資料記憶於記憶部之工程；及於在上述塗佈後檢查工程中檢測出基板異常時，根據記憶於記憶部之資料，特定在包含至少形成光阻膜之液處理模組之單位區塊中檢測出異常之基板被處理之模組，並將後續之基板搬運至被特定之模組以外之模組的工程。
(7)於在上述塗佈後檢查工程中檢測出基板異常時，根據被記憶於記憶部之資料，特定上述基板被處理之包含至少形成光阻膜之液處理模組的單位區塊，以取代特定在包含至少形成光阻膜之液處理模組之單位區塊中檢測出異常之基板被處理之模組，並將後續之基板搬運至被特定之單位區塊以外之單位區塊。
本發明之記憶媒體係記憶有塗佈、顯像裝置所使用之電腦程式，該記憶媒體之特徵為：上述電腦程式為用以實施上述塗佈、顯像方法。
若藉由本發明時，在前段處理用之單位區塊配置用以形成下層側之反射防止膜及光阻膜之模組，在後段處理用之單位區塊配置用以形成光阻膜之上層側之膜及進行曝光前之處理例如基板之背面洗淨的模組，並將各單位區塊二層化成上下。然後，該些單位區塊群又疊層上下被二層化之顯像處理用的單位區塊。因此，可以一面將處理區塊之深度尺寸設定成理想尺寸，一面縮小設置面積。再者，由於將各單位區塊設成二層化，故即使針對一個單位區塊發生異常，或進行維修之時，亦可以使用其他單位區塊，並可以抑制運轉效率之下降。然後，因於在顯像後藉由檢查模組之檢查中檢測出基板異常時，根據被記憶於記憶部之資料，準備將後續之基板搬運至在顯像處理用之單位區塊中先前之基板通過之模組以外的模組，和搬運至先前之基板通過之顯像處理用之單位區塊以外之顯像處理用之單位區塊的模式，故可以柔軟地對應於運轉率、後續控制之基板之處理片數、基板之異常狀態等之當時的狀況。
 (第1實施型態)
針對與本發明有關之塗佈、顯像裝置1予以說明。第1圖係表示將本發明之塗佈、顯像裝置1適用於光阻圖案形成裝置之時的一實施型態的俯視圖，第2圖為同概略斜視圖，第3圖為同概略側面圖。該塗佈、顯像裝置1直線狀配列載體區塊S1和處理區塊S2和介面區塊S3而構成，該載體區塊S1係用以搬入搬出密閉收納例如25片為和基板之晶圓W的載體C，該處理區塊S2係用以對晶圓W進行處理。在介面區塊S3連接有進行浸潤式曝光之曝光裝置S4。
在上述載體區塊S1設置有載置上述載體C之載置台11，和從該載置台11觀看被設置在前方之壁面的開關部12，和用以經開關部12從載體C取出晶圓W之收授機械臂13。收授機械臂13係在上下方向具備五個晶圓保持部14，構成進退自如、升降自如、繞垂直軸旋轉自如、在載體C之配列方向移動自如。後述之控制部51係對載體C之晶圓W分配號碼，收授機械臂13從號碼小起每次5片將晶圓W一次收授至處理區塊S20之收授模組BU1。然後，自號碼小依序從收授模組BU1分配至各單位區塊。並且，將可以載置晶圓W之場所記載成模組，將該模組中對晶圓W進行加熱、液處理、氣體供給或周緣曝光等之處理的模組記載成處理模組。再者，將處理模組中，對晶圓W供給藥液或洗淨液之模組記載成液處理模組。
在載體區塊S1，連接處理區塊S2，該處理區塊S2係從下依序疊層對晶圓W進行液處理之第1～第6區塊B1～B6而構成。也一面參照處理區塊S2之概略縱斷側面圖之第4圖，一面接著說明。為前段處理用之單位區塊之第1單位區塊B1及第2單位區塊B2係被構成相同，對晶圓W進行反射防止膜之形成及光阻膜之形成。
為後段處理用之單位區塊之第3單位區塊B3及第4單位區塊B4被構成相同，進行浸潤式曝光用之保護膜之形成及晶圓W之背面側洗淨。為顯像處理用之單位區塊的第5單位區塊B5及第6單位區塊B6被構成相同，對浸潤式曝光後之晶圓W進行顯像處理。如此一來，對晶圓W進行相同處理之單位區塊各設置兩層。再者，為了方便，將第1～第4單位區塊B1～B4稱為塗佈區塊，將第5～第6單位區塊B5～B6稱為顯像區塊。在該第1實施型態中，第1及第2單位區塊B1、B2相當於前段塗佈用之單位區塊，第3及第4單位區塊B3、B4相當於後段塗佈用之單位區塊。
該些單位區塊B1～B6具備有液處理模組、加熱模組、單位區塊用之搬運手段的主機械臂A、上述主機械臂A移動之搬運區域R1，在各單位區塊B同樣構成該些配置佈局。在各單位區塊B中，藉由主機械臂A互相獨立搬運晶圓W，進行處理。上述搬運區域R1係從載體區塊S1延伸至介面區塊S3之直線搬運路。在第1圖中，針對第1單位區塊B1予以表示，以下針對該第1單位區塊B1為代表予以說明。
在該第1單位區塊B1之中央，形成有上述搬運區域R1。從載體區塊S1朝介面區塊S3側觀看該搬運區域R1之左右，各配置有液處理單元21、棚架單元U1～U6。
在液處理單元21設置有反射防止膜形成模組BCT1、BCT2，和光阻膜形成模組COT1、COT2，從載體區塊S1側朝向介面區塊S3側依照BCT1、BCT2、COT1、COT2之順序配列。反射防止膜形成模組BCT及光阻膜形成模組COT具備旋轉吸盤22，旋轉吸盤22係被構成吸附保持晶圓W之背面中央部，並且繞垂直軸旋轉自如。圖中23為處理罩杯，上側為開口。處理罩杯23係包圍旋轉吸盤22之周圍，抑制藥液之飛散。當處理晶圓W之時，在該處理罩杯23內收容晶圓W，晶圓W之背面中央部被保持於旋轉吸盤22。
再者，在反射防止膜形成模組BCT1、BCT2設置有在該些模組共用之噴嘴24。圖中25為支撐噴嘴24之機械臂，圖中26為驅動機構。驅動機構26為經機械臂25使噴嘴24移動至各處理罩杯23之配列方向，並且經機械臂25使噴嘴24升降。藉由驅動機構26，噴嘴24在反射防止膜形成模組BCT1之處理罩杯23上和反射防止膜形成模組BCT2之處理罩杯23上之間移動，並對被收授於各旋轉吸盤22之晶圓W之中心吐出反射防止膜形成用之藥液。被供給之藥液係藉由利用上述旋轉吸盤22繞垂直軸旋轉之晶圓W的離心力，朝晶圓W之周緣延展，形成反射防止膜。再者，雖然省略圖示，但反射防止膜形成模組BCT1、BCT2具備對晶圓W之周端部供給溶劑，且除去該周端部不需要之膜的噴嘴。
光阻膜形成模組COT1、COT2係被構成與反射防止膜形成模組BCT1、BCT2相同。即是，光阻膜形成模組COT1、COT2各具備各用以處理晶圓W之處理罩杯23及旋轉吸盤22，相對於處理罩杯23及旋轉吸盤22共有噴嘴24。但是，從上述噴嘴24供給光阻取代反射防止膜形成用之藥液。並且，在此雖然以在每一個液處理模組設置各處理罩杯23，兩個液處理模組共有一個噴嘴24予以說明，但是亦可以看成一個液處理模組具備一個噴嘴24和兩個處理罩杯23，兩個處理罩杯共有噴嘴24。
棚架單元U1～U6係從載體區塊S1側朝向介面區塊S3側依序被配列。各棚架單元U1～U5係疊層例如兩段進行晶圓W之加熱處理的加熱模組而構成。因此，單位區塊B1具備有10台之加熱模組，各加熱模組設成HP100～HP109。棚架單元U6係疊層對光阻塗佈後之晶圓W而進行周緣曝光之周緣曝光模組WEE1、WEE2而構成。
在上述搬運區域R1設置有上述主機械臂A1。該主機械臂A1係被構成進退自如、升降自如、繞垂直軸旋轉自如、在處理區塊S2之長度方向移動自如，可以在單位區塊B1之所有模組間進行晶圓W之收授。
針對其他單位區塊予以說明。第2單位區塊B2係被構成與先前所述之第1單位區塊B1相同，設置有反射防止膜形成模組BCT3、BCT4及光阻膜形成模組COT3、COT4。再者，作為構成各棚架單元U1～U5之加熱模組，設置有HP200～209的10台。就以構成棚架單元U6之周緣曝光模組而言，設置有WEE3、WEE4之兩台。
第3單位區塊B3雖然與第1單位區塊B1大略相同之構成，但差異點係具備有浸潤式曝光用之保護膜形成模組TCT1、TCT2，以取代反射防止膜形成模組BCT1、BCT2。再者，具備有背面洗淨模組BST1、BST2，以取代光阻膜形成模組COT1、COT2。該保護膜形成模組TCT1、TCT2除對晶圓W供給撥水性之保護膜之形成用之藥液外，為與反射防止膜形成模組BCT相同之構成。即是，各保護膜形成模組TCT1、TCT2各具備兩個各用以處理晶圓W之處理罩杯23及旋轉吸盤22，該些兩個處理罩杯23及旋轉吸盤22共有噴嘴24。
背面洗淨模組BST1、BST2各別地設置有對晶圓W之背面及周緣之斜切部供給洗淨液，並洗淨晶圓W之背面的噴嘴，以取代設置對晶圓W之表面供給藥液之噴嘴24。除了如此的不同，為與反射防止膜形成模組BCT相同之構成。並且，背面洗淨模組BST即使構成僅洗淨晶圓W之背面側，或上述斜切部亦可。再者，第3單位區塊B3之棚架單元U6藉由加熱模組以取代周緣曝光模組WEE來構成。該棚架單元U1～U6之加熱模組設為HP300～311。
第4單位區塊B4係被構成與先前所述之第3單位區塊B3相同，設置有保護膜形成模組TCT3、TCT4及背面洗淨模組BST3、BSTT4。第4單位區塊B4之棚架單元U1～U6係藉由加熱模組HP400～411而構成。
第5單位區塊B5與單位區塊B1為大略相同之構成，但是以差異點而言，具備有顯像模組DEV1～DEV4，以取代反射防止膜形成模組BCT1及光阻膜形成模組COT。顯像模組DEV除對晶圓W供給顯像液以取代光阻外，被構成與光阻膜形成模組COT相同。再者，第5單位區塊B5之棚架單元U1～U6係藉由加熱模組HP500～511而構成。
第6單位區塊B6係被構成與單位區塊B5相同，設置有顯像模組DEV5～DEV8。再者，第6單位區塊B6之棚架單元U1～U6係藉由加熱模組HP600～HP611而構成。
在各單位區塊之液處理單元21中，被供給至晶圓W之藥液係朝被設置在例如塗佈顯像裝置之下方側的無圖式之排液路排液。在反射防止膜形成模組BCT、光阻膜形成模組COT及保護膜形成模組TCT中，被供給至晶圓W之藥液之黏度較顯像液之黏度高。因此，如該實施型態般，藉由將顯像模組DEV配置在上側之單位區塊，將其他液處理模組配置在下側之單位區塊，可以快速排出各藥液。其結果，因可以防止在各處理模組藥液發揮，故可以防止液處理單元21內之處理環境變化。
在搬運區域R1之載體區塊S1側，如第1圖及第3圖所示般，設置有跨越各單位區塊B之棚架單元U7。以下，針對棚架單元U7之構成予以說明。棚架單元U7係藉由互相疊層之多述模組而構成，在第1單位區塊B1之主機械臂A1可以存取之高度位置，設置有疏水化處理模組ADH1、ADH2及收授模組CPL1～CPL3。在第2單位區塊B2之主機械臂A2可以存取之高度位置設置有疏水化處理模組ADH3、ADH4及收授模組CPL4～CPL6。在說明中，記載成CPL之收授模組具備有冷卻載置之晶圓W的冷卻平台。記載成BU之收授模組係構成收容可以多片晶圓W，且使滯留。
再者，疏水化處理模組ADH1～ADH6係對晶圓W供給處理氣體，提升晶圓W表面之疏水性。依此，浸潤式曝光時抑制各膜從晶圓W剝離。尤其，藉由提升晶圓W之斜切部(周端部)之疏水性，即使在各液處理模組除去該周端部之膜而使晶圓W之表面成為剝離之狀態，該表面亦具有撥水作用，於浸潤式曝光時進行處理使得從該周端部抑制各膜之剝離。
再者，在單位區塊B3、B4之主機械臂A3、A4可以存取之高度位置，設置有收授模組CPL7～CPL8、CPL9～CPL10。並且，在載體區塊S1之收授機械臂13可以存取之高度位置，設置有收授模組BU1及CPL0。收授模組BU1為了一次接取從先前已述之收授機械臂13所搬運之晶圓W，在上下方向具備有五個晶圓W之保持部。收授模組CPL0係用於使被顯像處理之晶圓W返回至載體C。
並且，在單位區塊B5之主機械臂A5可以存取之高度位置，設置收授模組CPL12～CPL13及BU2，在單位區塊B6之主機械臂A6可以存取之位置，設置有收授模組CPL14～CPL15及BU3。
並且，在棚架單元U7設置有檢查模組31。從單位區塊B5、B6搬出晶圓W之時，搬入至檢查模組31之晶圓W被搬運至收授模組BU2、BU3。針對不搬入至檢查模組31之晶圓W，被搬入至收授模組CPL12～15。如此一來，藉由分別使用收授模組，以上述號碼順序，即是從載體C搬出之順序，使晶圓W返回至載體C之方式，控制晶圓W之搬運。
再者，在處理區塊B2中，在棚架單元U7之附近，設置有升降自如、進退自如之第1收授機構的收授機械臂30，在棚架單元U7之各模組間搬運晶圓W。
針對上述檢查模組31，更予以詳細說明。如後述般，依照被選擇之檢查模組，於檢查模組31搬入光阻膜形成後之晶圓W或是顯像處理後之晶圓W。針對光阻膜形成後之晶圓W，檢查例如光阻膜之表面有無異物及光阻之膜厚。
於顯像處理後之晶圓W被搬運至檢查模組31之時，進行顯像後缺陷之檢查。該顯像後缺陷被分類成顯像處理起因之缺陷、顯像處理及塗佈處理起因之缺陷，就以顯像處理起因之缺陷而言，例如有圖案倒塌、線寬異常、光阻溶解不良、顯像後之氣泡附著、異物、光阻圖案間之橋接缺陷及因溶解生成物(浮渣)之殘留而引起的圖案缺陷(浮渣缺陷)。就以塗佈處理及顯像處理起因之缺陷而言，則有例如圖案倒塌及圖案之線寬之局部異常。
在該實施型態中，將有無該些各缺陷當作檢查項目而設定。後述之各檢查模式實行時，檢查模組31係將所取得之檢查資料發送至後述之控制部51。後述之控制部51係根據該檢查資料，判定有無各缺陷。
接著，針對介面區塊S3之構成，一面參照第5圖一面予以說明。在介面區塊S3於各單位區塊之主機械臂A1～A6可以存取之位置設置有棚架單元U8。棚架單元U8係在對應於第3單位區塊B3～第6單位區塊B6之位置具備有收授模組BU4。針對收授模組BU4予以後述。在收授模組BU4之下方互相疊層設置有收授模組TRS、CPL16～CPL18。
再者，在介面區塊S3疊層設置有例如四台之曝光後洗淨模組PIR1～PIR4。各曝光後洗淨模組PIR係構成與光阻膜形成模組COT相同，對晶圓W表面供給保護膜除去及洗淨用之藥液以取代光阻。
再者，在介面區塊S3設置有三台介面機械臂32、33、34。介面機械臂32、33、34係被構成升降自如及進退自如，並且介面機械臂32係被構成在水平方向移動自如。介面機械臂32係存取於曝光裝置S4、收授模組TRS、CPL16～CPL18，在該些之間收授晶圓W。介面機械臂33係存取於收授模組TRS、CPL16～CPL18及BU4，在該些模組之間收授晶圓W。介面機械臂34係存取於收授模組BU4及曝光後洗淨模組PIR1～PIR4，在該些模組間收授晶圓W。介面機械臂32～34構成第2收授機構。
針對收授模組BU4一面參照第6圖一面予以說明。收授模組BU4具備有被配置在周方向之支柱41。在一個支柱41和其他支柱41之間拉引導線42，導線42、42互相交差構成組。在互相不同高度之位置設置多數該導線42、42之組，在導線42、42之交差部分上設置有例如圓形支撐部43。晶圓W係水平地被支撐在支撐部43上。在第6圖中，支撐部43雖然僅表示5個，但是以晶圓W收授至各階層之方式朝上方設置多數。成為在支柱41間，介面機械臂33、34及主機械臂A3～A6可以進入，進入之各機械臂藉由升降動作，在支撐部43之間收授晶圓W。即使針對收授模組BU1～BU3，也構成與例如BU4相同。
接著，針對被設置在塗佈、顯像裝置1之控制部51，一面參照第7圖一面參照予以說明。圖中52為匯流排，在匯流排52連接有進行各種運算之CPU53。並且，在匯流排52連接有存儲處理程式54、搬運程式55及判定程式56之程式儲存部57。處理程式54係對塗佈、顯像裝置1之各部輸出控制訊號，對各晶圓W進行藥液或洗淨液之供給、加熱等。
搬運程式55係依照所選擇之檢查模組及判定程式56之判定結果，對各單位區塊B1～B6之主機械臂A1～A6、授受機械臂30及介面機械臂32～34輸出控制訊號，控制晶圓W之搬運。判定程式56係根據從例如檢查模組31發送之檢查資料，判定晶圓W之處理有無異常。
在匯流排52連接有記憶體61，該記憶體61記憶著藉由各晶圓W之搬運行程及檢查模組31之檢查結果。第8圖表示儲存於記憶體61所含之搬運行程記憶區域63之資料的一例。該圖之資料係在藉由檢查模組31之檢查中，於晶圓W無異常之通常時之搬運行程。
在搬運行程記憶區域63，使晶圓W之ID、該晶圓W之搬運目的地之模組、被搬運之模組之順序互相對應而以搬運行程被記憶。例如，圖中之晶圓A1係依反射防止膜形成模組BCT1、加熱模組HP100、光阻膜形成模組COT1、加熱模組HP101、周緣曝光模組WEE1、保護膜形成模組TCT1、加熱模組HP300、背面洗淨模組BST1、加熱模組500、顯像模組DEV1及加熱模組501之順序被搬運。
再者，在該例中，晶圓W係被設定成以第1單位區塊B1→第3單位區塊B3→第5單位區塊B5之順序被搬運，或以第2單位區塊B2→第4單位區塊B4→第6單位區塊B6之順序被搬運。然後，當某晶圓W被搬運至第1單位區塊B1時，接著的晶圓則被搬運至第2單位區塊B2，並且接著的晶圓W則被搬運至第1單位區塊B1。如此一來，接著從載體C排出之晶圓W交互分配於不同之單位區塊B。
接著，針對記憶體61所含之檢查結果記憶區域60，參照第9圖予以說明。該檢查結果記憶區域60為針對各晶圓記憶於先前所述之檢查項目有無異常之區域。再者，針對具有異常之晶圓W，記憶如後述般處理該晶圓W之模組及處理後之單位區塊。
再者，在檢查結果記憶區域60記憶有被設定在每檢查項目之搬運停止基準。該搬運停止基準，係用以停止將後續之晶圓W搬運至處理檢測出異常之晶圓W之單位區塊B或處理模組的基準。針對在上述檢查模組31被檢查之各檢查項目，產生異常之頻率於相當於該搬運停止基準之時產生停止上述搬運。
以例而言，針對第9圖所示之圖案倒塌而設定之搬運停止基準予以說明。於每後述之單位區塊B選擇停止搬運之模式時，當檢查的晶圓W初次檢測出圖案倒塌時，之後，若通過與該晶圓W通過之單位區塊B相同之單位區塊B而被檢查到之五片之晶圓W中之兩片以上之晶圓W檢測出圖案倒塌時，則停止後續晶圓W搬運至該單位區塊B。再者，於每處理模組選擇停止搬運之模式時，當檢查的晶圓W初次檢測出圖案倒塌時，若通過與該晶圓W通過之處理模組相同之處理模組而被檢查到之五片之晶圓W中之兩片以上之晶圓W檢測出圖案倒塌時，則停止搬運至該處理模組。並且，上述五片之晶圓W中，若圖案倒塌被檢測出之晶圓W為一片或0片時，於檢查該五片晶圓W之後，再次檢查出圖案倒塌之時，重新在檢查五片晶圓W之期間，於兩片以上之晶圓W被檢測出圖案倒塌之時，停止朝單位區塊或處理模組搬運。
即使針對第9圖之光阻溶解不良、顯像後之氣泡，雖然設定與圖案倒塌大略相同之搬運停止基準，但針對該些之檢查項目，與圖案倒塌之情形不同，於一旦檢測出缺陷之後，被檢查之晶圓W五片中之一片之晶圓W被檢測出圖案倒塌時，則停止朝上述單位區塊B搬運。再者，針對第9圖之浮渣缺陷，進行檢測出快速朝處理該晶圓W之單位區塊或處理模組搬運的停止處理。如此之搬運停止基準設定在先前所述之每檢查項目。依此，於晶圓W偶發性產生缺陷之時，抑制引起停止朝單位區塊或處理模組搬運。
返回第7圖持續說明。匯流排52連接有設定部64。設定部64係藉由例如鍵盤或滑鼠、觸控面板等而構成，成為可以設定在檢查模組31進行之檢查。第10圖表示可以從該設定部64設定之檢查及檢查模式。就以上述檢查而言，有顯像處理後檢查C1及光阻膜形成後檢查C2，使用者選擇任一者。在顯像處理後檢查C1中，在第5或第6單位區塊B5、B6中接受顯像處理之晶圓W，被搬運至檢查模組31而被檢查。在光阻膜形成後檢查C2中，於第1或第2單位區塊B1、B2形成光阻膜之晶圓W，被搬運至檢查模組31而檢查。
於選擇顯像處理檢查C1時，使用者又選擇停止朝檢測出異常之晶圓W通過之單位區塊搬運之模式，或停止朝上述晶圓W通過之每處理模組搬運晶圓W之模式。就以停止朝單位區塊搬運之模式而言，有模式D1、D2、D3之三種。在該些模式D1～D3中，於檢測出晶圓W異常時，停止後續之晶圓搬運的單位區塊不同。在模式D1中，停止朝單位區塊為B5、B6中之任一者之單位區塊搬運後續之晶圓W。在模式D2中，除單位區塊為B5、B6中之任一者外，也停止朝單位區塊B1、B2中之任一者搬運後續之晶圓W。在模式D3中，停止朝單位區塊B1、B2中之任一者，和朝B3、B4中之任一者，和朝B5、B6中之任一者搬運後續之晶圓W。
就以停止朝每個上述處理模組搬運晶圓W之模式而言，則有模式D4、D5、D6之三種類。在該些模式D1～D6中，與於檢測出晶圓W異常時停止朝任一單位區塊之處理模組搬運後續之晶圓W的模式不同。在模式D4中，停止朝單位區塊為B5、B6中之任一者之處理模組搬運。在模式D2中，除單位區塊為B5、B6中之任一者之處理模組外，也停止朝單位區塊B1、B2中之任一者之處理模組搬運。在模組D3中，停止朝單位區塊B1、B2中之任一者的處理模組搬運，和朝B3、B4中之任一者的處理模組搬運，和朝B5、B6中之任一者的處理模組搬運。
再者，於光阻膜形成後檢查C2時，使用者又選擇停止搬運至每單位區塊B之模式D7、於停止搬運至每處理模組之模式D8中之任一者。並且，針對與申請專利範圍之對應，模式D1、D2、D3各對應於M2、M5、M6。模式D4、D5、D6各對應於M1、M3、M4。模式D7、D8各對應於N2、N1。
並且，使用者可以從例如設定部64指定晶圓W之ID而決定成為檢查對象之晶圓W。再者，在匯流排52連接有藉由顯示器等所構成之顯示部65。在顯示部65針對例如搬運行程或各晶圓，顯示每檢查項目之檢查結果。
(模式D3)
進行顯像處理後檢查C1，就以停止搬運至每單位區塊之例而言，針對模式D1～D3中，以模式D3為代表被選擇之情形予以說明。首先，一面參照第11圖，一面針對塗佈、顯像裝置1中之晶圓W之搬運路徑予以說明。首先，晶圓W從載體C藉由收授機械臂13而被搬運至收授模組BU1。從收授模組BU1被搬運至第1單位區塊B1之時，如第11圖(a)所示般晶圓W係藉由收授機械臂30而被搬運至疏水化處理模組ADH1、ADH2而接受疏水化處理，被搬運至收授模組CPL1。
被搬運至收授模組CPL1，主機械臂A1係以反射防止膜形成模組BCT1、BCT2→加熱模組HP100～109→收授模組CPL2→光阻膜形成模組COT1、COT2→加熱模組HP100～109→周緣曝光模組WEE3、WEE4→收授模組CPL3之順序搬運該晶圓W，依序在晶圓W形成反射防止膜、光阻膜。
藉由收授機械臂30，晶圓W係從收授模組CPL3，被搬運至第3單位區塊B3之收授模組CPL7，主機械臂A3係以保護膜形成模組TCT1、TCT2→加熱模組HP300～311→收授模組CPL8→背面洗淨模組BST1、BST2→收授模組BU4之順序搬運該晶圓W，在晶圓W形成保護膜，並且進行背面洗淨。
藉由介面機械臂33，上述晶圓W係以收授模組CPL16～CPL18→介面機械臂32→光裝置S4之順序被搬運，接受浸潤式曝光處理。於曝光處理後，晶圓W以介面機械臂32→收授模組TRS→介面機械臂33→收授模組BU4→介面機械臂34→曝光後洗淨模組PIR1～PIR4→介面機械臂34→收授模組BU4中之第5單位區塊B5之高度位置之順序被搬運。
接著，上述晶圓W係藉由主機械臂A5，以加熱模組HP500～511→收授模組CPL12→顯像模組DVE1→DEV4→收授模組BU2→檢查模組30→檢察模組31之順序被搬運而被檢查。檢查後之晶圓W係以檢查模組31→收授機械臂30→收授模組BU1之順序被搬運，從收授機械臂13返回至載體C。針對被設定成在檢查模組31不執行檢查之晶圓W，在顯像模組DEV1～DEV4處理後，以收授模組CPL14、15→檢查模組31→收授機械臂30→收授模組CPLL0→收授機械臂13→載體C之順序被搬運。
晶圓W從緩衝模組BU1被搬運至第2單位區塊B2、B4、B6之時，也對晶圓W進行與上述單位區塊B1、B3、B5之時相同的處理。第11圖(b)係針對通過單位區塊B2→B4→B6之時之搬運路徑予以表示。
以下，當簡單說明搬運路徑時，上述晶圓W係以收授機械臂30→疏水化處理模組ADH3、ADH4→收授機械臂30→收授模組CPL4之順序被搬運。接著，主機械臂A2係以反射防止膜形成模組BCT3、BCT4→加熱模組HP200～209→收授模組CPL5→光阻膜形成模組COT3、COT4→加熱模組HP200～209→周緣曝光模組WEE3、WEE4→收授模組CPL6搬運晶圓W。之後，晶圓W係以收授機械臂30→收授模組CPL9之順序被搬運，藉由主機械臂A4，以保護膜形成膜型TCT3、TCT4→加熱模組HP400～411→收授模組CPL10→背面洗淨模組BST3、BST4→收授模組BU4之順序被搬運。
在介面區塊S3中，上述晶圓W係與被搬運至第1及第3單位區塊B之晶圓W同樣被搬運，接受曝光處理及曝光後洗淨處理，並且被收授至收授模組BU4之第6單位區塊B6中之高度位置。之後，上述晶圓W係藉由主機械臂A6，以加熱模組HP600～611→收授模組CPL14→顯像模組DVE5～DEV8→加熱模組HP600～611→收授模組BU3→收授機械臂30→檢查模組31→收授機械臂30→收授模組CPL0→載體C之順序被搬運。
雖然針對晶圓W在檢查模組31被檢查之時的路徑予以表示，但是即使針對非檢查對象之晶圓W，在上述搬運路徑中，以顯像、加熱後處理、收授模組CPL14、15→收授機械臂30→收授模組CPL0→收授機械臂13→載體C之順序被搬運。
一面參照第12圖，一面針對藉由控制部51停止搬運至單位區塊B之工程予以說明。在上述路徑中，於搬運晶圓W之期間，判定程式56係根據從檢查模組31發送之檢查資料，針對先前所述之各檢查項目判定有無異常，該判定結果被記憶於檢查結果記憶區域60。然後，當判定具有異常時，根據搬運行程記憶區域63之搬運行程，特定處理檢測出異常之晶圓W之處理模組及單位區塊B。並且，使晶圓之ID和成為異常之檢查項目和上述處理模組及單位區塊B對應，而記憶於記憶體61之檢查結果記憶區域60(步驟S1)。
接著，判定程式56係根據記異於檢查結果記憶區域60之過去之晶圓W之檢查履歷，判定是否相當於設定於其檢查項目之先前所述之搬運停止基準(步驟S2)。例如，成為異常之檢查項目為圖案倒塌之時，針對先前述般通過相同單位區塊B之晶圓W，於最初引起圖案倒塌之後，於對五片晶圓W進行檢查之期間，判定兩片以上之晶圓W是否引起圖案倒塌。於判定不相當於搬運停止基準之時，接著藉由單位區塊B1～B6進行處理。
於判定相當於搬運停止基準之時，則停止藉由對在步驟S1檢測出異常之晶圓W而進行處理之單位區塊B5或B6之各處理模組所進行之晶圓W之處理及主機械臂A之動作。然後，搬運程式55係使用單位區塊B5、B6中，不停止處理模組及主機械臂A之動作之一側的單位區塊，重寫搬運行程使進行處理。然後，依照其搬運行程，搬運晶圓W，而進行處理(步驟S3)。
第13圖(a)、(b)係表示停止朝第5單位區塊B5搬運晶圓W之時之搬運路徑作為一例，如該圖所示般，在第1～第4單位區塊B1～B4接受處理之晶圓W係所有被搬入至第6單位區塊B6。與該例相反，於停止朝第6單位區塊B6搬運之時，在第1～第4單位區塊B1～B4接受處理之晶圓W係所有被搬入至第5單位區塊B5。
如此使用單方之顯像區塊，持續進行處理。之後，當晶圓W被檢測出異常時，判定程式56係與步驟S1相同根據搬運行程記憶區域63之搬運行程，特定處理檢測出異常之晶圓W之處理模組及單位區塊，使晶圓之ID和成為異常之檢查項目和上述處理模組及單位區塊B對應而記憶於記憶體61(步驟S4)。
接著，判定程式56係參照停止朝單位區塊B5或B6搬運後的晶圓W之檢查履歷，判定是否相當於被設定在其檢查項目之單位區塊之搬運停止基準(步驟S5)。於判定不相當之時，接著藉由單位區塊B1～B4及B5或B6進行處理。
於相當於搬運停止基準之時，判定程式56係判定成為異常之檢查項目是否與在步驟S2、S3停止單位區塊B5或B6之時判定成異常之檢查項目相同(步驟S6)。於在步驟S6判定為相同檢查項目之時，判定程式56又判定在步驟S1被判定成異常之晶圓W通過之塗佈區塊，與在步驟S4被判定成異常之晶圓W通過之塗佈區塊是否一致(步驟S7)。
在步驟S7中，當判定塗佈區塊一致之時，上述檢查項目之異常應該係在塗佈區域之處理所引起，故停止藉由該塗佈區塊之晶圓W之處理及主機械臂A之動作。即是，停止單位區塊B1及B3、B2及B4中之任一方中之晶圓W的處理。並且，搬運程式55係以使用單位區塊B1～B4中運轉之單位區塊而進行處理之方式，重寫搬運行程。然後，依照其搬運行程，搬運晶圓W，而持續進行處理(步驟S8)。
例如，如第13圖所示般，從停止朝單位區塊B5搬運之狀態，持續有與停止朝該單位區塊B5搬運之時相同之檢查項目之異常時，依照上述步驟S6～S8，停止朝單位區塊B1、B3搬運。然後，所有之晶圓W係以第9圖(b)所示之單位區塊B2→B4→B6之路徑依序被搬運。
在步驟S6中，於判定與停止顯像區塊之時成為異常之檢查項目不同，或在步驟S7中，判定成為異常之塗佈區塊不同之時，例如朝運轉中之各單位區塊的搬運則繼續，針對在步驟S5判定相當於搬運停止基準之檢查項目，則顯示於顯示部65(步驟S9)。
於選擇D1、D2時，則進行與上述模式D3大略相同之處理工程。當針對差異點予以說明時，於選擇模式D1時，則實施從上述步驟S1至S3為止之工程。因此，不停止朝單位區塊B1～B4搬運晶圓W。再者，於選擇模式D2時，雖然實施上述步驟S1～S9之工程，但是在步驟S8不會停止朝單位區塊B3及B4搬運晶圓W。
(模式D7)
接著，針對被設定成進行光阻膜形成後檢查C2，並且選擇停止搬運至每單位區塊之模式D7之情形予以說明。就以實行光阻膜形成後檢查C2時之晶圓W之搬運路徑而言，結束光阻塗佈處理，被搬入至收授模組CPL4、CPL6之晶圓W藉由收授機械臂30而被搬入至檢查模組31。在檢查模組31檢查後，經收授模組CPL9、CPL12而被搬入至第3、第4單位區塊。顯像處理後之晶圓W係以收授模組CPL13、CPL15→收授模組BU1之順序被搬運，而返回至載體C。若除如此之不同，則與實行顯像處理後檢查C1時相同晶圓W被搬運。
即使在實行該模式D7時，與顯像處理後檢查模式相同以每檢查項目，檢查晶圓W之異常，實行步驟S1～S2之處理。然後，當在步驟S2判定不相當於搬運停止基準之時，則繼續進行處理。於判定相當於搬運停止基準之時，則停止藉由對檢測出異常之晶圓W而進行處理之單位區塊B1或B2之各處理模組所進行之晶圓W之處理及主機械臂A之動作。然後，搬運程式55係使用單位區塊B1、B2中，不停止處理模組及機械臂之動作之一側的單位區塊，重寫搬運行程使進行處理。
第14圖係表示停止朝第2單位區塊B2搬運晶圓W之時之搬運路徑作為一例，如該圖所示般，後續之晶圓W係所有從載體C被搬入至第1單位區塊B1。然後，從第1單位區塊B1被分配至第3、第4單位區塊B3、B4。相反的，於停止朝第1單位區塊B1之時，後續之晶圓W全部從載體C被搬入至第1單位區塊B1。
(模式D6)
接著，進行顯像處理後檢查C1，就以停止搬運至每單位區塊之例而言，針對模式D4～D6中，以模式D6為代表被選擇之情形予以說明。以後，一面參照第15圖一面針對模式D6實行時之流程，以與模式D3之差異點為中心予以說明。於晶圓W檢測出異常之時，根據搬運行程，在單位區塊B5、B6中，特定處理該晶圓W之處理模組。使晶圓之ID和成為異常之檢查項目，和上述處理模組對應而記憶於記憶體61(步驟S11)。接著，判定程式56係對在步驟S11特定之每處理模組，根據檢查結果記憶區域60之資料，判定上述各處理模組是否相當於搬運停止基準(步驟S12)。
於判定任一處理模組都不相當於搬運停止基準之時，則繼續朝各處理模組搬運晶圓W。於具有相當於搬運停止基準之處理模組之時，則停止在該處理模組處理晶圓W(步驟S13)。然後，除如此停止處理之模組外，設定搬運模組使進行搬運，持續進行晶圓W之搬運及處理。
當持續進行晶圓W之處理，接著晶圓W產生異常時，判定程式56與步驟S11相同，使成為異常之晶圓之ID、成為異常之檢查項目和在顯像區塊中處理該晶圓W之處理模組對應，而記憶於檢查結果記憶區域60(步驟S14)。然後，與步驟S12相同，判定程式56係對在步驟S14特定之每處理模組，根據檢查結果記憶區域60之資料，判定是否有相當於搬運停止基準之模組(步驟S15)。
然後，當具有相當於搬運停止基準之檢查項目時，判定程式56係其檢查項目在步驟S13，判定是否為與成為停止朝處理模組搬運之檢查項目相同之檢查項目(步驟S16)。於判定非相當於相同檢查項目之時，實行步驟S13以後之處理，在顯像區塊中，停止朝相當於該搬運停止基準之處理模組搬運。
在步驟S16中，當判定為相同之檢查項目之時，判定程式56係根據搬運行程而在單位區塊B1～B4中，特定處理在步驟S14檢測出異常之晶圓W的處理模組。然後，停止在特定之處理模組中進行處理晶圓W之處理。並且，除如此停止處理之模組外，設定搬運模組使進行搬運，持續進行晶圓W之搬運及處理(步驟S17)。
在此，針對於實行該模式D6之時搬運停止之處理模式補充說明。例如，在上述步驟S11晶圓W被檢測出圖案倒塌，該晶圓W在顯像模組DEV1及加熱模組600接受處理之時，參照在過去在DEV1接受處理之晶圓W之檢查結果，判定各處理模組是否相當於搬運停止基準。並且，參照過去在加熱模組600接受處理之晶圓W之檢查結果，判定是否相當於搬運停止基準。然後，針對DEV1及加熱模組600中，被判定相當於搬運停止基準之處理模組，停止朝該處理模組搬運。如此對每處理模組，個別地判定是否相當於搬運停止基準。
但是，顯像模組DEV1及DEV2、DEV3及DEV4、DEV5及DEV6、DEV7及DEV8各共有噴嘴24。如此一來，當決定停止朝共有噴嘴24之DEV中之一方的DEV搬運時，則決定也停止朝另一方之DEV搬運。因此，當停止朝DEV1搬運時，也停止朝DEV2搬運。
再者，針對反射防止膜形成模組BCT、光阻膜形成模組COT及保護膜形成模組TCT，被設置在各單位區塊之兩台共有噴嘴。因此，為了防止在各單位區塊停止處理，在步驟S17不使朝該些液處理模組搬運停止，取而代之的是在步驟S15處理相當於停止基準之晶圓W的該些液處理模組和成為異常之檢查項目對應，而顯示於顯示部65。
然而，於選擇D4、D5時，則進行與上述模式D6大略相同之處理工程。當針對差異點予以說明時，於選擇模式D4時，則實施從上述步驟S11至S13為止之工程。因此，不停止朝單位區塊B1～B4之處理模組搬運。再者，於選擇模式D5時，雖然實施上述步驟S11～S17之工程，但是在步驟S17不會停止朝單位區塊B3及B4之處理模組搬運。
(模式D8)
接著，針對設定成進行光阻塗佈後檢查C2，並且選擇停止對每處理模組搬運晶圓W之模式D8之時，以與選擇模式D6時之差異點為中心予以說明。於實行模式D8之時，與實行模式D7時相同，進行晶圓W之搬運。即是，在單位區塊B1、B2結束處理之晶圓W被搬運至檢查模組31。然後，於晶圓W被檢測出異常之時，則與模式D6相同，對每個處理該晶圓W之處理模組判定是否相當於搬運停止基準，於相當於搬運停止基準之時，停止朝該處理模組搬運。在該模式D8中，因檢查光阻塗佈後之晶圓W，故搬運停止之處理模組為單位區塊B1、B12之處理模組。朝處理模組之搬運，根據在模式D6中說明之規則而停止。即是，針對反射防止膜形成模組BCT及光阻膜形成模組COT，即使相當於搬運停止基準，亦持續朝該些處理模組搬運。
若藉由該塗佈、顯像裝置1時，在被二層化之單位區塊B1、B2配置用以形成反射防止膜及光阻膜之模組，在被二層化之單位區塊B3、B4配置形成光阻膜之上層的膜及進行曝光前之處理例如基板之背面洗淨之模組。然後，在該些單位區塊B1～B4又疊層被二層化成上下之顯像處理用之單位區塊B5、B6。因此，可以一面將處理區塊之深度尺寸設定成理想尺寸，一面縮小設置面積。再者，由於將各單位區塊設成二層化，故即使針對一方之單位區塊發生異常，或進行維修、定期檢點或確認調整等之維修時，亦可以使用另一方之單位區塊，並可以抑制運轉效率之下降。然後，於在顯像後藉由檢查模組31之檢查中檢測出晶圓W異常時，根據被記憶於記憶體61之資料，因準備先搬運至先前晶圓W通過之單位區塊以外之單位區塊的模式，和將後續之晶圓W搬運至先前基板通過之模組以外之模組，故可以柔軟地對應於運轉率、後續控制之晶圓W之處理片數、晶圓W之異常狀態等之當時的狀況。然後，又在該例中，藉由使用者選擇模式D1～D6，可以選擇包含於晶圓W產生異常時停止搬運之單位區塊及成為搬運停止之模組之單位區塊。並且，該塗佈、顯像裝置1具備有檢查光阻塗佈後之晶圓W，停止朝處理該晶圓W之單位區塊或處理處理模組搬運之模式D7、D8。藉由具備該些模式D1～D8，因應使用者檢測出異常之狀況，取得更柔軟之對應。並且，二層化若構成單位區塊使可以對晶圓W各進行相同處理即可，並不限定於使佈局或模組數量在各單位區塊為相同。
再者，在上述模式D2、D3中，藉由階段性進行停止朝顯像區塊搬運和停止朝塗佈區塊搬運，因可以抑制停止朝不需要停止搬運之塗佈區塊搬運，故可以更確實抑制塗佈、顯像裝置1之運轉效率之下降。但是，並不限定於如此階段性停止朝各單位區塊搬運。例如，於實行模式D2、D3時，晶圓W檢測出圖案倒塌、線寬之局部異常等，包含塗佈工程之要因的顯像缺陷之時，即使同時停止朝處理該晶圓W之顯像區塊和塗佈區塊搬運亦可。針對上述模式D5、D6，因同樣階段性停止朝顯像區塊之處理模組搬運，和朝塗佈區塊之處理模組搬運，故可以更確實抑制塗佈、顯像裝置1之運轉效率下降，即使一次停止朝該些處理模組搬運亦可。
再者，在實行模式D4～D6時，針對液處理模組BCT、COT、TCT、BST及DEV，即使控制停止晶圓W搬運至每個處理罩杯亦可。即是，停止朝在該些各處理模組中處理發生異常之晶圓W之一方的處理罩杯23搬運晶圓W，持續朝共有該處理罩杯23和噴嘴24之處理罩杯23搬運晶圓W。其他，即使針對BCT、COT、TCT及BST，於決定停止朝該液處理模組搬運之時，取代持續朝該些液處理模組搬運，停止朝包含該液處理模組之單位區塊搬運晶圓W亦可。再者，如上述般，停止將晶圓W搬運至每處理罩杯23時，為了調整裝置內之晶圓W的處理片數，於不使用例如一個BCT之處理罩杯23時，可以設定成不使用相同單位區塊之一個的COT之處理罩杯23。同樣於不使用例如一個COT之處理罩杯23之時，相同之單位區塊之一個BCT亦可以設定成不使用。並且，如此一來，即使在構成與停止朝COT及BCT之處理罩杯23搬運的單位區塊相同之單位區塊，藉由停止朝COT之一個處理罩杯23及BCT之一個處理罩杯23搬運，來調整晶圓W之處理片數亦可。
再者，在上述塗佈、顯像裝置1中，介面區塊S3即使構成如第16圖所示般亦可。在該例中，晶圓W係經介面區塊S3，朝單位區塊B1、B2→B3、B4搬運。當說明與第5圖所示之介面區塊S3之差異點時，則在對應於單位區塊B1、B2之高度位置，各設置有收授模組BU5、BU6。在對應於單位區塊B3之高度位置，設置有收授模組BU7、BU8。在對應於單位區塊B4之高度位置，設置有收授模組BU9、BU10。再者，對應於單位區塊B5、B6之高度位置，各設置有收授模組TRS1、TRS2。再者，設置有收授模組BU11。各收授模組互相疊層。
在單位區塊B1、B2結束處理之晶圓W，各被搬運至收授模組BU5、BU6，並且藉由介面機械臂33，被搬運至收授模組BU7、BU8。被搬運至收授模組BU7、BU8之晶圓W，係藉由收授機械臂A3、A4各被搬入至單位區塊B3、B4，而接受處理。在單位區塊B3、B4接受處理之晶圓W，各被搬運至收授模組BU9、BU10，並且藉由介面機械臂33，被搬運至收授模組CPL14、CPL15。以後，晶圓W與第5圖之例相同，以曝光裝置S4→收授模組TRS之順序被搬運，然後以收授模組TRS→介面機械臂33→收授模組BU11→收授模組TRS1、TRS2被搬運，藉由主機械臂A5、A6被搬運至單位區塊B5、B6。
再者，在上述實施型態中，即使在TCT1～TCT4形成保護膜，將在加熱模組HP300～311或HP400～411加熱之晶圓W搬運至檢查模組31，進行檢查亦可。此時，針對例如檢測出異常之晶圓W，停止朝在該晶圓W形成有反射防止膜、光阻膜及保護膜之單位區塊搬運，或停止朝上述單位區塊所包含之處理該晶圓W之模組搬運。
在上述之例中，TCT並非保護膜形成模組，即使為在光阻膜之上層形成反射防止膜之模組亦可。再者，在疏水化處理模組ADH中進行的疏水化處理，即使於形成上述反射防止膜之後，光阻塗佈前進行，來取代在反射防止膜形成模組BCT形成反射防止膜之前亦可，即使於塗佈光阻後，將晶圓W搬運至單位區塊B3、B4之前進行亦可。再者，各單位區塊之疊層順序並不限定於該例，即使例如進行顯像處理之第5、第6之單位區塊被設置在進行形成光阻膜之第1及第2單位區塊之下方亦可。
(第2實施型態)
接著，針對第2實施型態所涉及之塗佈、顯像裝置之處理區塊S5，一面參照第17圖一面予以說明。在該處理區塊S5中，各包含反射防止膜形成模組BCT、光阻膜形成模組COT、保護膜形成模組TCT的單位區塊被二層化而設置。處理區塊S5之各單位區塊B1～B4除搭載之液處理模組不同之外，構成與處理區塊S2之各單位區塊B1～B4相同。在處理區塊S5之單位區塊B1、B2、B3、B4各設置有反射防止膜形成模組BCT1～BCT4、反射防止膜形成模組BCT5～BCT8、光阻膜形成模組COT1～COT4、光阻膜形成模組COT5～COT8。該些之液處理模組係與先前所述之處理區塊S2之液處理模組相同各具備有處理罩杯23。然後，從載體區塊S1側朝向介面區塊S3側，設置成兩台互相鄰接之處理罩杯23共有對晶圓W供給處理液之噴嘴24。
單位區塊B1、B2互相被構成相同，再者，單位區塊B3、B4互相被構成相同。然後，晶圓W係與處理區塊S2相同在各單位區塊間收授。即是，在單位區塊B1、B2接受處理之晶圓W係經棚架單元U7之收授模組CPL及收授機械臂30而被搬運至單位區塊B3、B4。再者，經棚架單元U8之收授模組而被收授至單位區塊B3～B6及曝光裝置S4。
如此一來，藉由構成處理區塊S5，進行先前所述之顯像後檢查C1之晶圓W，係以單位區塊B1、B2→單位區塊B3、B4→曝光裝置S4→單位區塊B5、B6→檢查模組31之順序被搬運而接受處理。再者，於進行光阻塗佈後檢查C2之時，晶圓W係以單位區塊B1、B2→單位區塊B3、B4→檢查模組31之順序被搬運而處理之後，經棚架單元U7及單位區塊B3、B4而被搬運至介面區塊S3，以曝光裝置S4→單位區塊B5、B6之順序被搬運而接受處理。
即使在具備有該處理區塊S5之塗佈、顯像裝置1，使用者例如先前述般可以選擇各檢查模式D1～D8，於晶圓W被檢查出異常時，可以因應所選擇之模式停止晶圓W搬運至每單位區塊或每處理模組。再者，在該處理區塊S5中，因在各層各設置兩個共有噴嘴24之處理罩杯23之組，故於選擇停止搬運至每模組之模式D4～D6或D8，決定停止朝液處理模組搬運之時，晶圓W則被分配置至例如在與成為停止搬運之該液處理模組同層不共有噴嘴24的液處理模組。即是，例如COT1成為搬運停止之時，後續之晶圓W則朝不共有噴嘴24之COT3、COT4分配。
在該第2實施型態中，與第1實施型態相同，即使處理檢測出異常之晶圓W的單位區塊或模組停止，亦可以在其他單位區塊或模組繼續進行晶圓W之處理。因可以進行在其一方停止之單位區塊或模組之故障修理或定期點檢、停止確認等之維修，故可以抑制處理量下降。
(第3實施型態)
針對處理區塊之又一其他例，參照第18圖所示之處理區塊S6而予以說明。就以先前所述之處理區塊S5之差異點，可舉出單位區塊8段疊層。在該處理區塊S6中，單位區塊E1～E4係構成與處理區塊S5之單位區塊B1～B4相同。在單位區塊E4上，疊層互相構成相同之單位區塊E5、E6，在該些單位區塊E5、E6，各設置有保護膜形成模組TCT1～TCT4、TCT5～TCT8。液處理模組不同之外，單位區塊E5、E6係被構成與其他單位區塊E1～E4相同。在單位區塊E6上疊層有單位區塊E7、E8，該些單位區塊E7、E8係構成與第1實施型態中之處理區塊S2之單位區塊B5、B6相同。在該第3實施型態中，單位區塊E1、E2相當於前段塗佈用之塗佈區塊，單位區塊E3、E4相當於後段塗佈用之單位區塊。
晶圓W經棚架單元U7之各收授模組CPL及收授機械臂30可以在該處理區塊S6中之單位區塊E1～E6間移動。再者，經棚架單元U8之各收授模組及各介面機械臂32～34，可以在單位區塊E5～E8及曝光裝置S4之間進行晶圓W之收授。依此，於進行顯像後檢查C1之晶圓W，係以單位區塊E1、E2→單位區塊E3、E4→單位區塊E5、E6→曝光裝置S4→單位區塊E7、E8→檢查模組31之順序被搬運。再者，於進行光阻塗佈檢查C2之晶圓W，係以單位區塊E1、E2→單位區塊E3、E4→檢查模組→單位區塊E5、E6→曝光裝置S4→單位區塊E7、E8之順序被搬運而接受處理。
即使針對該處理區塊S6之塗佈、顯像裝置，也與第1及第2實施型態相同，設置藉由檢查模組31之檢查結果而控制晶圓W之搬運的各種模式，可以對晶圓W進行顯像後之檢查獲光阻塗佈後、曝光前之檢查。第19圖係表示從該塗佈、顯像裝置之設定部64可以選擇之檢查種類及模式。在該塗佈、顯像裝置之顯像處理後檢查C1，包含各對應於先前所述之模式D～D6之模式F1～F6。
在模式F1中，停止朝單位區塊E7、E8中處理成為異常之晶圓W的單位區塊搬運晶圓W。在模式F2中，停止朝單位區塊E1～E4、E7、E8中處理成為異常之晶圓W的單位區塊搬運晶圓W。在模式F3中，停止朝單位區塊E1～E8中處理成為異常之晶圓W的單位區塊搬運晶圓W。在模式F4中，停止朝單位區塊E7、E8中處理成為異常之晶圓W的單位區塊之模組搬運晶圓W。在模式F5中，停止朝單位區塊E1～E4、E7、E8中處理成為異常之晶圓W的單位區塊之模組搬運晶圓W。在模式F6中，停止朝單位區塊E1～E8中處理成為異常之晶圓W的單位區塊之模組搬運晶圓W。
再者，在該塗佈、顯像裝置1之光阻塗佈後檢查C2，包含例如各對應於先前所述之模式D7～D8之模式F7～F8。在模式F7中，針對單位區塊E1～E4，停止處理成為異常之晶圓W的單位區塊搬運後續之晶圓W。在模式F8中，針對單位區塊E1～E4，停止處理成為異常之晶圓W的處理模組搬運後續之晶圓W。
如上述般，即使在形成有處理區塊S6之時，因可以一面進行停止晶圓W之搬運的單位區塊或處理模組之維修，一面繼續進行晶圓W之處理，故可以取得與上述塗佈、顯像裝置1相同之效果。
W．．．晶圓
BCT1～BCT4．．．反射防止膜形成模組
BST1～BST4．．．背面洗淨模組
COT1～COT4．．．光阻膜形成模組
DEV1~DEV8‧‧‧顯像模組
HP‧‧‧加熱模組
TCT1~TCT4‧‧‧保護膜形成模組
S1‧‧‧載體區塊
S2‧‧‧處理區塊
S3‧‧‧介面區塊
WEE‧‧‧周緣曝光模組
1‧‧‧塗佈、顯像裝置
30‧‧‧收授機械臂
51‧‧‧控制部
55‧‧‧搬運程式
56‧‧‧判定程式
61‧‧‧記憶體
64‧‧‧設定部
A1~A6‧‧‧主機械臂
第1圖為本發明之塗佈、顯像裝置之俯視圖。
第2圖為上述塗佈、顯像裝置之斜視圖。
第3圖為上述塗佈、顯像裝置之縱斷側面圖。
第4圖為上述塗佈、顯像裝置之液處理模組之縱斷側面圖。
第5圖為介面區塊之縱斷正面圖。
第6圖為設置在上述介面區塊之收授模組之斜視圖。
第7圖為上述塗佈、顯像裝置之控制部之構成圖。
第8圖為表示上述控制部之記憶體之資料的模式圖。
第9圖為表示上述控制部之記憶體之資料的模式圖。
第10圖為表示藉由設定部可選擇之模式之說明圖。
第11圖為表示上述塗佈、顯像裝置中之晶圓之搬運路徑的流程圖。
第12圖為表示至停止朝單位區塊搬運之過程的流程圖。
第13圖係表示異常被檢測出之時的晶圓之搬運路徑的模式圖。
第14圖係表示異常被檢測出之時的晶圓之搬運路徑的模式圖。
第15圖為表示至停止朝處理模組搬運之過程的流程圖。
第16圖為介面區塊之縱斷正面圖。
第17圖為其他處理區塊之縱斷側面圖。
第18圖為其他處理區塊之縱斷側面圖。
第19圖為表示藉由設定部可選擇之模式之說明圖。
W．．．晶圓
BCT1～BCT4．．．反射防止膜形成模組
BST1～BST4．．．背面洗淨模組
COT1～COT4．．．光組膜形成模組
DEV1～DEV8．．．顯像模組
TCT1～TCT4．．．保護膜形成模組
22．．．旋轉吸盤
23．．．處理罩杯

Claims (18)

  1. 一種塗佈、顯像裝置，係具備有載體區塊、處理區塊和能連接於曝光裝置之介面區塊的塗佈、顯像裝置，其係被構成將藉由載體被搬入至載體區塊之基板收授於處理區塊，在該處理區塊於上述基板形成含有光阻膜之至少兩個塗佈膜，將上述基板經介面區塊而搬運至曝光裝置，並將經上述介面區塊而返回之曝光後的基板在上述處理區塊進行顯像處理，然後上述基板將收授於上述載體區塊，該塗佈、顯像裝置之特徵為：(a)上述處理區塊具備互相上下疊層之兩個前段塗佈用之單位區塊，和互相上下疊層之兩個後段塗佈用之單位區塊，和互相上下疊層之兩個顯像處理用之單位區塊，上述兩個前段塗佈用之單位區塊、上述兩個後段塗佈用之單位區塊及上述兩個顯像處理用之單位區塊被疊層，上述各前段塗佈用之單位區塊具有複數處理模組，其包含被構成對基板施予相同處理，並且，對基板供給藥液，而形成於曝光處理所需之薄膜中之下側薄膜的液處理模組，和加熱基板之加熱模組，並且，為了在該些複數模組間搬運基板，在上述各前段塗佈用之單位區塊，設置有在從載體區塊朝向介面區塊延伸之直線搬運路上移動之搬運機構，上述各後段塗佈用之單位區塊具有複數處理模組，其包含被構成對基板施予相同處理，並且對曝光處理所需之薄膜中之上述下側薄膜之上方供給藥液而形成上側薄膜之 液處理模組，和加熱基板之加熱模組，並且，為了在該些複數模組間搬運基板，在上述各前段塗佈用之單位區塊，設置有在從載體區塊朝向介面區塊延伸之直線搬運路上移動之搬運機構，上述各顯像處理用之單位區塊具有複數處理模組，其包含對基板供給顯像液之液處理模組，和加熱基板之加熱模組，並且，為了在該些複數模組間搬運基板，在上述各前段塗佈用之單位區塊設置有在從載體區塊朝向介面區塊延伸之直線搬運路徑上移動之搬運機構，(b)上述前段塗佈用之單位區塊或後段塗佈用之單位區塊包含在基板形成光阻膜之光阻膜形成模組，以當作上述處理模組，上述塗佈、顯像裝置又具備：(c)收授部，其係被設置在上述前段塗佈用之單位區塊、上述後段塗佈用之單位區塊及上述顯像處理用之單位區塊之各個的載體區塊側，用以在關連的單位區塊之搬送機構之間進行基板之收授；(d)第1收授機構，其係被構成將基板從載體分配收授至對應於上述前段塗佈用之各單位區塊之上述收授部，並且使基板從上述顯像處理用之各單位區塊之收授部返回至載體，再者將在上述前段塗佈用之各單位區塊被處理之基板收授於對應於上述後段塗佈用之各單位區塊之上述收授部；(e)第2收授機構，其係用以接取在上述處理區塊被 處理之曝光前之基板，將曝光後之基板分配至上述顯像處理用之單位區塊而進行收授，(f)顯像後檢查模組，其係用以檢查顯像處理後之基板；(g)記憶部，其係記憶當作檢查對象被選擇之基板在上述顯像後檢查模組接受檢查為止之期間被搬運的搬運路徑之資料；(h)控制部，其係控制上述塗佈、顯像裝置之動作；及(i)模式選擇部，其係用以當在藉由上述顯像後檢查模組之檢查檢測出基板異常時，根據被記憶於記憶部之資料，從包含模式M1和模式M2之顯像後異常對應用之模式群中選擇後續基板之搬運模式，上述模式M1係上述控制部根據被記憶於上述記憶部之資料，控制上述顯像處理用之單位區塊用之搬運機構之動作，使在上述顯像處理用之單位區塊中，特定處理被檢測出異常之基板的處理模組，並將後續之基板搬運至被特定之處理模組以外並且與被特定之處理模組相同類型的處理模組的模式，上述模式M2係上述控制部根據被記憶於上述記憶部之資料，控制第2收授機構之動作，使特定處理被檢測出異常之基板的上述顯像處理用之單位區塊，並將後續之基板搬運至被特定之顯像處理用之單位區塊以外之顯像處理用之單位區塊的模式。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之塗佈、顯像裝置，其中上述模式群又包含模式M3，上述模式M3係控制單位區塊用之搬運機構之動作，使在顯像處理用之單位區塊及前段塗佈用之單位區塊中，特定處理被檢測出異常之基板的模組，並將後續之基板搬運至被特定之模組以外之模組的模式。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所記載之塗佈、顯像裝置，其中上述模式群又包含模式M4，上述模式M4係控制單位區塊用之搬運機構之動作，使在顯像處理用之單位區塊、前段塗佈用之單位區塊及後段塗佈用之單位區塊中，特定處理被檢測出異常之基板的模組，並將後續之基板搬運至被特定之模組以外之模組的模式。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所記載之塗佈、顯像裝置，其中上述模式群又包含模式M5，上述模式M5係控制第2收授機構之動作，使特定處理被檢測出異常之基板的顯像處理用之單位區塊及前段塗佈用之單位區塊，並將後續之基板搬運至被特定之單位區塊以外之單位區塊的模式。
  5. 如申請專利範圍第1或2項所記載之塗佈、顯像裝置，其中 上述模式群又包含模式M6，上述模式M6係控制第2收授機構之動作，使特定處理被檢測出異常之基板的顯像處理用之單位區塊、前段塗佈用之單位區塊及後段塗佈用之單位區塊，並將後續之基板搬運至被特定之單位區塊以外之單位區塊的模式。
  6. 如申請專利範圍第1或2項所記載之塗佈、顯像裝置，其中又具備：塗佈後檢查模組，其係於形成光阻膜之後，檢查曝光前之基板；記憶部，其係記憶至在上述塗佈後檢查模組接受檢查為止搬運檢查對象之基板的路徑之資料；及模式選擇部，其係用以當在藉由上述塗佈後檢查模組之檢查檢測出基板異常時，根據被記憶於記憶部之資料，從包含模式N1和模式N2之塗佈後異常對應用之模式群中選擇後續基板之搬運模式，上述模式N1係控制單位區塊用之搬運機構之動作，使得在包含至少形成光阻膜之液處理模組之單位區塊中，特定處理被檢測出異常之基板的模組，並將後續之基板搬運至被特定之模組以外之模組的模式，上述模式N2係控制第2收授機構之動作，使得在包含至少形成光阻膜之液處理模組的單位區塊中，特定處理被檢測出異常之基板的單位區塊，並將後續之基板搬運至被特定之單位區塊以外之單位區塊的模式。
  7. 如申請專利範圍第1或2項所記載之塗佈、顯像裝 置，其中前段塗佈用之單位區塊具備：對基板供給藥液而形成下層側之反射防止膜之下層用之液處理模組；對上述反射防止膜上供給光阻液而形成光阻膜之塗佈模組；加熱基板之加熱模組；及為了在該些模組間搬運基板，在連結載體區塊和介面區塊之直線搬運路上移動之單位區塊用之搬運機構，後段塗佈用之單位區塊具備：對形成有光阻膜之基板供給藥液而形成上層側之膜的上層用之液處理模組；用以對形成有光阻膜之基板，進行曝光前之前處理的前處理模組；加熱基板之加熱模組；及為了在該些模組間搬運基板，在連結載體區塊和介面區塊之直線搬運路上移動之單位區塊用之搬運機構。
  8. 如申請專利範圍第1或2項所記載之塗佈、顯像裝置，其中前段塗佈用之單位區塊具備：對基板供給藥液而形成下層側之反射防止膜之下層用之液處理模組；加熱基板之加熱模組；及為了在該些模組間搬運基板，在連結載體區塊和介面區塊之直線搬運路上移動之單位區塊用之搬運機構，後段塗佈用之單位區塊具備：供給光阻液而形成光阻膜之液處理模組；加熱基板之加熱模組；及為了在該些模組間搬運基板，在連結載體區塊和介面區塊之直線搬運路上移動之單位區塊用之搬運機構。
  9. 如申請專利範圍第8項所記載之塗佈、顯像裝置，其中對上述後段塗佈用之單位區塊，疊層將上層用之單位區塊設為第1上層用之單位區塊及第2上層用之單位區塊予以上下二層化而互相疊層者，該上層用之單位區塊具備對形成有光阻膜之基板供給藥液而形成上層側之膜的上層用之液處理模組；用以對形成有光阻膜之基板，進行曝光前之前處理的前處理模組；加熱基板之加熱模組；及為了在該些模組間搬運基板，在連結載體區塊和介面區塊之直線搬運路上移動之單位區塊用之搬運機構。
  10. 一種塗佈、顯像方法，其係在塗佈、顯像裝置被實行之塗佈、顯像方法，該塗佈、顯像裝置具備有載體區塊、處理區塊和能連接於曝光裝置之介面區塊，該塗佈、顯像裝置被構成將藉由載體被搬入至載體區塊之基板收授於處理區塊，在該處理區塊於上述基板形成含有光阻膜之至少兩個塗佈膜，將上述基板經介面區塊而搬運至曝光裝置，並將經上述介面區塊而返回之曝光後的基板在上述處理區塊進行顯像處理，然後將上述基板收授於上述載體區塊，(a)上述處理區塊具備互相上下疊層之兩個前段塗佈用之單位區塊，和互相上下疊層之兩個後段塗佈用之單位區塊，和互相上下疊層之兩個顯像處理用之單位區塊，上述兩個前段塗佈用之單位區塊、上述兩個後段塗佈用之單位區塊及上述兩個顯像處理用之單位區塊被疊層， 上述各前段塗佈用之單位區塊具有複數處理模組，其包含被構成對基板施予相同處理，並且，對基板供給藥液，而形成於曝光處理所需之薄膜中之下側薄膜的液處理模組，和加熱基板之加熱模組，並且，為了在該些複數模組間搬運基板，在上述各前段塗佈用之單位區塊，設置有從載體區塊朝向介面區塊延伸之直線搬運路上移動之搬運機構，上述各後段塗佈用之單位區塊具有複數處理模組，其包含被構成對基板施予相同處理，並且對曝光處理所需之薄膜中之上述下側薄膜之上方供給藥液而形成上側薄膜之液處理模組，和加熱基板之加熱模組，並且，為了在該些複數模組間搬運基板，在上述各前段塗佈用之單位區塊，設置有在從載體區塊朝向介面區塊延伸之直線搬運路上移動之搬運機構，上述各顯像處理用之單位區塊具有複數處理模組，其包含對基板供給顯像液之液處理模組，和加熱基板之加熱模組，並且，為了在該些複數模組間搬運基板，在上述各前段塗佈用之單位區塊設置有在從載體區塊朝向介面區塊延伸之直線搬運路徑上移動之搬運機構，(b)上述前段塗佈用之單位區塊或後段塗佈用之單位區塊包含在基板形成光阻膜之光阻膜形成模組，以當作上述處理模組，上述塗佈、顯像裝置又具備：(c)收授部，其係被設置在上述前段塗佈用之單位 區塊、上述後段塗佈用之單位區塊及上述顯像處理用之單位區塊之各個的載體區塊側，用以在關連的單位區塊之搬送機構之間進行基板之收授；(d)第1收授機構，其係被構成將基板從載體分配收授至對應於上述前段塗佈用之各單位區塊之上述收授部，並且使基板從上述顯像處理用之各單位區塊之收授部返回至載體，再者將在上述前段塗佈用之各單位區塊被處理之基板收授於對應於上述後段塗佈用之各單位區塊之上述收授部；(e)第2收授機構，其係用以接取在上述處理區塊被處理之曝光前之基板，將曝光後之基板分配至上述顯像處理用之單位區塊而進行收授，(f)顯像後檢查模組，其係用以檢查顯像處理後之基板，上述塗佈、顯像方法包含：藉由上述顯像後檢查模組，檢查顯像處理後之基板的顯像後檢查工程；將至藉由上述顯像後檢查工程接受檢查為止搬運檢查對象之基板的路徑之資料記憶於記憶部之工程；於藉由上述顯像後檢查模組之檢查於基板檢測出異常時，根據記憶於記憶部之資料而特定在上述顯像處理用之單位區塊中檢查出異常之基板被處理的模組之特定工程；及以將後續之基板搬運至被特定之處理模組以外並且與 被特定之處理模組相同類型之處理模組之方式，控制上述顯像處理用之單位區塊用之搬運機構之工程。
  11. 如申請專利範圍第10項所記載之塗佈、顯像方法，其中於在藉由上述顯像後檢查模組之檢查中檢測出基板異常時，根據記憶於記憶部之資料，特定基板被處理之顯像處理用之單位區塊，以取代特定在顯像處理用之單位區塊中基板被處理之模組，並將後續之基板搬運至被特定之顯像處理用之單位區塊以外之顯像處理用之單位區塊。
  12. 如申請專利範圍第10項所記載之塗佈、顯像方法，其中於在藉由上述顯像後檢查模組之檢查中檢測出基板異常時，根據記憶於記憶部之資料，除特定在顯像處理用之單位區塊中基板被處理之模組外，又特定在前段塗佈用之單位區塊中基板被處理之模組，並將後續之基板搬運至被特定之模組以外之模組。
  13. 如申請專利範圍第12項所記載之塗佈、顯像方法，其中於在藉由上述顯像後檢查模組之檢查中檢測出基板異常時，根據記憶於記憶部之資料，除特定在顯像處理用之單位區塊及前段塗佈用之單位區塊中基板被處理之模組外，又特定在後段塗佈用之單位區塊中基板被處理之模組，並將後續之基板搬運至被特定之模組以外之模組。
  14. 如申請專利範圍第11項所記載之塗佈、顯像方 法，其中於在藉由上述顯像後檢查模組之檢查中檢測出基板異常時，根據記憶於記憶部之資料，除特定基板被處理之顯像處理用之單位區塊外，又特定在前段塗佈用之單位區塊中基板被處理之單位區塊，並將後續之基板搬運至被特定之前段塗佈用之單位區塊以外之前段塗佈用之單位區塊。
  15. 如申請專利範圍第11項所記載之塗佈、顯像方法，其中於在藉由上述顯像後檢查模組之檢查中檢測出基板異常時，根據記憶於記憶部之資料，除特定基板被處理之顯像處理用之單位區塊及前段處理用之單位區塊外，又特定在後段塗佈用之單位區塊中基板被處理之單位區塊，並將後續之基板搬運至被特定之後段塗佈用之單位區塊以外之後段塗佈用之單位區塊。
  16. 如申請專利範圍第10至15項中之任一項所記載之塗佈、顯像方法，其中又包含：檢查形成光阻膜之後之基板的塗佈後檢查工程；將至在該塗佈後檢查工程接受檢查為止搬運檢查對象之基板的路徑之資料記憶於記憶部之工程；及於在上述塗佈後檢查工程中檢測出基板異常時，根據記憶於記憶部之資料，特定在包含至少形成光阻膜之液處理模組之單位區塊中檢測出異常之基板被處理之模組，並將後續之基板搬運至被特定之模組以外之模組的工程。
  17. 如申請專利範圍第16項所記載之塗佈、顯像方法，其中於在上述塗佈後檢查工程中檢測出基板異常時，根據被記憶於記憶部之資料，特定上述基板被處理之包含至少形成光阻膜之液處理模組的單位區塊，以取代特定在包含至少形成光阻膜之液處理模組之單位區塊中檢測出異常之基板被處理之模組，並將後續之基板搬運至被特定之單位區塊以外之單位區塊。
  18. 一種記憶媒體，係記憶有塗佈、顯像裝置所使用之電腦程式，該記憶媒體之特徵為：上述電腦程式係用以實施申請專利範圍第10項中之任一項所記載之塗佈、顯像方法。
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