TWI566322B - Coating device - Google Patents

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TWI566322B
TWI566322B TW104107894A TW104107894A TWI566322B TW I566322 B TWI566322 B TW I566322B TW 104107894 A TW104107894 A TW 104107894A TW 104107894 A TW104107894 A TW 104107894A TW I566322 B TWI566322 B TW I566322B
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Nobuaki Matsuoka
Akira Miyata
Shinichi Hayashi
Suguru Enokida
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Tokyo Electron Ltd
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Description

塗佈、顯像裝置
本發明係關於在基板塗佈光阻，進行顯像之塗佈、顯像裝置。
在為半導體製造工程之一的光阻工程中，在半導體晶圓(以下，稱為晶圓)之表面塗佈光阻，並以特定圖案使該光阻曝光之後予以顯像而形成光阻圖案。在用以形成上述光阻圖案之塗佈、顯像裝置上，設置有用以對晶圓進行各種之處理之處理模組的處理區塊。
處理區塊係如專利文獻1所記載般，藉由互相疊層形成光阻膜等之各種塗佈膜之單位區塊及進行顯像處理之單位區塊而被構成。晶圓順序被收授到設置在各單位區塊之處理模組而接受處理。
然而，為了形成更微細之圖案，並且提升良率，被設置在上述處理區塊之處理模組為多樣化。例如，除設置有在基板塗佈光阻之光阻膜形成模組或供給顯像液之顯像模組之外，另有設置洗淨塗佈光阻之晶圓背面的背面洗淨模組、對光阻膜之上層供給藥液並且形成膜之上層用之液處 理模組等之情形。將該些各種處理模組搭載在處理區塊，並且研究如何抑制塗佈、顯像裝置之地板占有面積。
疊層上述單位區塊之構成，用於抑制上述地板占有面積為有效，但是因晶圓依序被搬運至各單位區塊，故於在一個處理模組或單位區塊產生異常，或進行維修之時，必須停止塗佈、顯像裝置之處理全體的情形。如此一來，則有裝置之運轉效率下降之問題。
〔先行技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本特開2007-115831號公報
本發係鑒於如此之情形下而研究出，提供抑制處理區塊之設置面積，並且於單位區塊產生異常或進行維修時，可以抑制塗佈、顯像裝置之運轉效率下降的技術。
本發明之塗佈、顯像裝置係將藉由載體被搬入至載體區塊之基板收授於處理區塊，在該處理區塊形成含有光阻膜之塗佈膜後，經相對於上述處理區塊位於與載體區塊相反側之介面區塊而搬運至曝光裝置，並將經上述介面區塊而返回之曝光後的基板在上述處理區塊進行顯像處理而收授於上述載體區塊，該塗佈、顯像裝置之特徵為： (a)上述處理區塊包含：上下互相疊層各具備有將用以形成上述塗佈膜之藥液供給至基板之液處理模組，和加熱塗佈藥液之後的基板之加熱模組，和為了在該些模組間搬運基板，在連結載體區塊和介面區塊之直線搬運路徑上移動之單位區塊用之搬運機構的複數塗佈膜用之單位區塊的塗佈處理疊層體；和相對於上述塗佈處理疊層體被疊層，上下互相疊層各具備有對基板供給顯像液之液處理模組，和加熱基板之加熱模組，和在連結載體區塊和介面區塊之直線搬運路徑上移動之單位區塊用之搬運機構的複數顯像處理用之單位區塊的顯像處理疊層體，(b)上述介面區塊相對於上述處理區塊被設置在上述曝光裝置側，具備：收授部之疊層體，其係在垂直方向配置多層載置基板之收授部而構成；第1搬運機構，其係為了在上述收授部間收授基板，進行升降；第2搬運機構，其係為了在上述收授部間收授基板，進行升降，被設置成與上述第1搬運機構同時在橫方向夾著上述收授部之疊層體；及第3搬運機構，其係用以在上述收授部之疊層體和曝光裝置之間進行基板的收授，上述收授部之疊層體包含基板藉由上述第3搬運機構而被收授之曝光裝置收授用之收授部，和以基板藉由各單 位區塊之搬運機構而被收授之方式，對應於該單位區塊的單位區塊用之收授部，(c)具備有用以控制各區塊中之基板搬運的控制部，(d)上述第3搬運機構被構成在包含上下方向之移動路和橫方向的移動路，且被形成在上述第1搬運機構之升降路之下方的上述第3搬運機構用之移動路上移動，(e)上述收授用之疊層體包含用以在上述第2搬運機構和上述第3搬運機構之間收授基板的收授部。
就以處理區塊之一例而言，包含：前段處理用之單位區塊，其係具備對基板供給反射防止膜形成用之藥液而形成下層側之反射防止膜之下層用之液處理模組，和加熱基板之加熱模組，和為了在該些模組間搬運基板，在連結載體區塊和介面區塊之直線搬運路上移動之單位區塊用之搬運機構；和後段處理用之單位區塊，其係對上述前段處理用之單位區塊疊層，具備對形成有光阻膜之基板供給上層側之膜形成用之藥液而形成上層側之膜的上層用之液處理模組，和加熱基板之加熱模組，和為了在該些模組間搬運基板，在連結載體區塊和介面區塊之直線搬運路上移動之單位區塊用之搬運機構，對上述反射防止膜之上供給光阻液而形成光阻膜之塗佈模組，係被設置在前段處理用之單位區塊及後段處理用之單位區塊之至少一方，針對前段處理用之單位區塊及後段處理用之單位區塊 中之任一者，亦可以舉出各使用N個而N層化地被疊層之構成。
若藉由本發明時，作為用以形成包含光阻膜之塗佈膜之單位區塊，使用將用以形成塗佈膜之藥液供給至基板之液處理模組，和加熱塗佈藥液之後的基板之加熱模組，和為了在該些模組間搬運基板，在連結載體區塊和介面區塊之直線搬運路徑上移動之單位區塊用之搬運機構的塗佈膜用之單位區塊，並將該單位區塊互相上下疊層，使成為N層化(N為2以上之整數)。然後，該些單位區塊群又疊層上下被N層化之顯像處理用的單位區塊。因此，可以一面將處理區塊之深度尺寸設定成理想尺寸，一面縮小設置面積。再者，將各單位區塊設成N層化，故針對一個單位區塊發生異常，或進行維修之時，亦可以使用其他單位區塊，並可以抑制運轉效率之下降。
W‧‧‧晶圓
BCT1~BCT6‧‧‧反射防止膜形成模組
BST1~BST4‧‧‧背面洗淨模組
COT1~COT6‧‧‧光組膜形成模組
DEV1~DEV12‧‧‧顯像模組
HP‧‧‧加熱模組
TCT1~TCT4‧‧‧保護膜形成模組
S1‧‧‧載體區塊
S2‧‧‧處理區塊
S3‧‧‧介面區塊
WEE‧‧‧周緣曝光模組
1‧‧‧塗佈、顯像裝置
30‧‧‧收授機械臂
51‧‧‧控制部
55‧‧‧搬運程式
56‧‧‧判定程式
61‧‧‧記憶體
64‧‧‧設定部
A1~A6‧‧‧主機械臂
第1圖為本發明之塗佈、顯像裝置之俯視圖。
第2圖為上述塗佈、顯像裝置之斜視圖。
第3圖為上述塗佈、顯像裝置之縱斷側面圖。
第4圖為上述塗佈、顯像裝置之液處理模組之縱斷側面圖。
第5圖為介面區塊之縱斷正面圖。
第6圖為設置在上述介面區塊之收授模組之斜視圖。
第7圖為上述塗佈、顯像裝置之控制部之構成圖。
第8圖為表示上述控制部之記憶體之資料的模式圖。
第9圖為表示上述控制部之記憶體之資料的模式圖。
第10圖為表示上述塗佈、顯像裝置中之晶圓之搬運路徑的流程圖。
第11圖為表示至停止朝單位區塊搬運之過程的流程圖。
第12圖係表示異常被檢測出之時的晶圓之搬運路徑的模式圖。
第13圖係表示異常被檢測出之時的晶圓之搬運路徑的模式圖。
第14圖為表示至停止朝處理模組搬運之過程的流程圖。
第15圖為介面區塊之縱斷正面圖。
第16圖為介面區塊之其他縱斷正面圖。
第17圖為模式性表示本發明之塗佈、顯像裝置所使用之處理區塊之其他佈局的側面圖。
第18圖為表示使用第17圖所示之處理區塊之時之晶圓之搬運路徑的說明圖。
第19圖為模式性表示本發明之塗佈、顯像裝置所使用之處理區塊之其他佈局的側面圖。
第20圖為模式性表示本發明之塗佈、顯像裝置所使用之處理區塊之其他佈局的側面圖。
第21圖為模式性表示本發明之塗佈、顯像裝置所使用之處理區塊之其他佈局的側面圖。
針對與本發明有關之塗佈、顯像裝置1予以說明。第1圖係表示將本發明之塗佈、顯像裝置1適用於光阻圖案形成裝置之時的一實施型態的俯視圖，第2圖為同概略斜視圖，第3圖為同概略側面圖。該塗佈、顯像裝置1直線狀配列載體區塊S1和處理區塊S2和介面區塊S3而構成，該載體區塊S1係用以搬入搬出密閉收納例如25片為基板之晶圓W的載體C，該處理區塊S2係用以對晶圓W進行處理。在介面區塊S3連接有進行浸潤式曝光之曝光裝置S4。
在上述載體區塊S1設置有載置上述載體C之載置台11，和從該載置台11觀看被設置在前方之壁面的開關部12，和用以經開關部12從載體C取出晶圓W之收授機械臂13。收授機械臂13係在上下方向具備五個晶圓保持部14，構成進退自如、升降自如、繞垂直軸旋轉自如、在載體C之配列方向移動自如。後述之控制部係對載體C之晶圓W分配號碼，收授機械臂5從號碼小起每次5片依序將晶圓W一次收授至處理區塊S2之收授模組BU1。並且，將可以載置晶圓W之場所記載成模組，將該模組中對晶圓W進行加熱、液處理、氣體供給或周緣曝光等之處理的模組記載成處理模組。再者，將處理模組中，對晶 圓W供給藥液或洗淨液之模組記載成液處理模組。
在載體區塊S1，連接處理區塊S2，該處理區塊S2係從下依序疊層對晶圓W進行液處理之第1~第6區塊B1~B6而構成。也一面參照處理區塊S2之概略縱斷側面圖之第4圖，一面接著說明。為前段處理用之單位區塊之第1單位區塊B1及第2單位區塊B2係被構成相同，對晶圓W進行反射防止膜之形成及光阻膜之形成。
為後段處理用之單位區塊之第3單位區塊B3及第4單位區塊B4被構成相同，進行浸潤式曝光用之保護膜之形成及晶圓W之背面側洗淨。為顯像處理用之單位區塊的第5單位區塊B5及第6單位區塊B6被構成相同，對浸潤式曝光後之晶圓W進行顯像處理。如此一來，對晶圓W進行相同處理之單位區塊各設置兩層。再者，為了方便，將第1~第4單位區塊B1~B4稱為塗佈區塊，將第5~第6單位區塊B5~B6稱為顯像區塊。
該些單位區塊B1~B6具備有液處理模組、加熱模組、單位區塊用之搬運手段的主機械臂A、上述主機械臂A移動之搬運區域R1，在各單位區塊B同樣構成該些配置佈局。在各單位區塊B中，藉由主機械臂A互相獨立搬運晶圓W，進行處理。上述搬運區域R1係從載體區塊S1延伸至介面區塊S3之直線搬運路。在第1圖中，針對第1單位區塊B1予以表示，以下針對該第1單位區塊B1以代表予以說明。
在該第1單位區塊B1之中央，形成有上述搬運區域 R1。從載體區塊S1朝介面區塊S3側觀看該搬運區域R1之左右，各配置有液處理單元21、棚架單元U1~U6。
在液處理單元21設置有反射防止膜形成模組BCT1、BCT2，和光阻膜形成模組COT1、COT2，從載體區塊S1側朝向介面區塊S3側依照BCT1、BCT2、COT1、COT2之順序配列。反射防止膜形成模組BCT及光阻膜形成模組COT具備旋轉吸盤22，旋轉吸盤22係被構成吸附保持晶圓W之背面中央部，並且繞垂直軸旋轉自如。圖中23為處理罩杯，上側為開口。處理罩杯23係包圍旋轉吸盤22之周圍，抑制藥液之飛散。當處理晶圓W之時，在該處理罩杯23內收容晶圓W，晶圓W之背面中央部被保持於旋轉吸盤22。
再者，在反射防止膜形成模組BCT1、BCT2設置有在該些模組共用之噴嘴24。圖中25為支撐噴嘴24之機械臂，圖中26為驅動機構。驅動機構26為經機械臂25使噴嘴24移動至各處理罩杯23之配列方向，並且經機械臂25使噴嘴24升降。藉由驅動機構26，噴嘴24在反射防止膜形成模組BCT1之處理罩杯23上和反射防止膜形成模組BCT2之處理罩杯23上之間移動，並對被收授於各旋轉吸盤22之晶圓W之中心吐出反射防止膜形成用之藥液。被供給之藥液係藉由利用上述旋轉吸盤22繞垂直軸旋轉之晶圓W的離心力，朝晶圓W之周緣延展，形成反射防止膜。再者，雖然省略圖示，但反射防止膜形成模組BCT1、BCT2具備對晶圓W之周端部供給溶劑，且除去 該周端部不需要之膜的噴嘴。
光阻膜形成模組COT1、COT2係被構成與反射防止膜形成模組BCT1、BCT2相同。即是，光阻膜形成模組COT1、COT2各具備用以處理晶圓W之處理罩杯23及旋轉吸盤22，相對於各處理罩杯23及旋轉吸盤22共有噴嘴24。但是，從上述噴嘴24供給光阻取代反射防止膜形成用之藥液。並且，在此雖然以在每一個液處理模組設置各處理罩杯23，兩個液處理模組共有一個噴嘴24予以說明，但是亦可以看成一個液處理模組具備一個噴嘴24和兩個處理罩杯23，兩個處理罩杯23共有噴嘴24。
棚架單元U1~U6係從載體區塊S1側朝向介面區塊S3側依序被配列。各棚架單元U1~U5係疊層例如兩段進行晶圓W之加熱處理的加熱模組而構成。加熱模組具備有加熱晶圓W之熱板，和於加熱後冷卻晶圓W之冷卻板。因此，單位區塊B1具備有10台之加熱模組，各加熱模組設成HP100~HP109。棚架單元U6係疊層對光阻塗佈後之晶圓W而進行周緣曝光之周緣曝光模組WEE1、WEE2而構成。
在上述搬運區域R1設置有上述主機械臂A1。該主機械臂A1係被構成進退自如、升降自如、繞垂直軸旋轉自如、在處理區塊S2之長度方向移動自如，可以在單位區塊B1之所有模組間進行晶圓W之收授。
針對其他單位區塊予以說明。第2單位區塊B2係被構成與先前所述之第1單位區塊B1相同，設置有反射防 止膜形成模組BCT3、BCT4及光阻膜形成模組COT3、COT4。再者，作為構成各棚架單元U1~U5之加熱模組，設置有HP200~209的10台。就以構成棚架單元U6之周緣曝光模組而言，設置有WEE3、WEE4之兩台。
第3單位區塊B3雖然與第1單位區塊B1大略相同之構成，但差異點係具備有浸潤式曝光用之保護膜形成模組TCT1、TCT2，以取代反射防止膜形成模組BCT1、BCT2。再者，具備有背面洗淨模組BST1、BST2，以取代光阻膜形成模組COT1、COT2。該保護膜形成模組TCT1、TCT2除對晶圓W供給撥水性之保護膜之形成用之藥液外，為與反射防止膜形成模組BCT相同之構成。即是，各保護膜形成模組TCT1、TCT2各具備兩個各用以處理晶圓W之處理罩杯23及旋轉吸盤22，該些兩個處理罩杯23及旋轉吸盤22共有噴嘴24。
背面洗淨模組BST1、BST2各別地設置有對晶圓W之背面及斜切部供給洗淨液，並洗淨晶圓W之背面的噴嘴，以取代設置對晶圓W之表面供給藥液之噴嘴24。除了如此的不同，為與反射防止膜形成模組BCT相同之構成。並且，背面洗淨模組BST即使構成僅洗淨晶圓W之背面側，或上述斜切部亦可。並且，背面洗淨模組BST1、BST2除洗淨液外即使使用刷子構件藉由摩擦作用洗淨晶圓W之背面亦可。再者，第3單位區塊B3之棚架單元U6藉由加熱模組以取代周緣曝光模組WEE來構成。該棚架單元U1~U6之加熱模組設為HP300~311。
第4單位區塊B4係被構成與先前所述之第3單位區塊B3相同，設置有保護膜形成模組TCT3、TCT4及背面洗淨模組BST3、BSTT4。第4單位區塊B4之棚架單元U1~U6係藉由加熱模組HP400~411而構成。
第5單位區塊B5與單位區塊B1為大略相同之構成，但是以差異點而言，具備有顯像模組DEV1~DEV4，以取代反射防止膜形成模組BCT1及光阻膜形成模組COT。顯像模組DEV除對晶圓W供給顯像液以取代光阻外，被構成與光阻膜形成模組COT相同。再者，第5單位區塊B5之棚架單元U1~U6係藉由加熱模組HP500~511而構成。
第6單位區塊B6係被構成與單位區塊B5相同，設置有顯像模組DEV5~DEV8。再者，第6單位區塊B6之棚架單元U1~U6係藉由加熱模組HP600~HP611而構成。
在各單位區塊之液處理單元21中，被供給至晶圓W之藥液係朝被設置在塗佈、顯像裝置之下方側的無圖式之排液路排液。在反射防止膜形成模組BCT、光阻膜形成模組COT及保護膜形成模組TCT中，被供給至晶圓W之藥液之黏度較顯像液之黏度高。因此，如該實施型態般，藉由將顯像模組DEV配置在上側之單位區塊，將其他液處理模組配置在下側之單位區塊，可以快速排出各藥液。其結果，因可以防止在各處理模組藥液揮發，故可以防止液處理單元21內之處理環境變化。
在搬運區域R1之載體區塊S1側，如第1圖及第3圖所示般，設置有跨越各單位區塊B之棚架單元U7。以下，針對棚架單元U7之構成予以說明。棚架單元U7係藉由互相疊層之多數模組而構成，在第1單位區塊B1之主機械臂A1可以存取之高度位置，設置有疏水化處理模組ADH1、ADH2及收授模組CPL1~CPL3。在第2單位區塊B2之主機械臂A2可以存取之高度位置設置有疏水化處理模組ADH3、ADH4及收授模組CPL4~CPL6。在說明中，記載成CPL之收授模組具備有冷卻載置之晶圓W的冷卻平台。記載成BU之收授模組係構成收容多片晶圓W，且可以使滯留。
再者，疏水化處理模組ADH1~ADH4係對晶圓W供給處理氣體，提升晶圓W表面之疏水性。依此，浸潤式曝光時抑制各膜從晶圓W剝離。尤其，藉由提升晶圓W之斜切部(周端部)之疏水性，即使在各液處理模組除去該周端部之膜而使晶圓W之表面成為剝離之狀態，該表面亦具有撥水作用，於浸潤式曝光時進行處理使得從該周端部抑制各膜之剝離。
再者，在單位區塊B3、B4之主機械臂A3、A4可以存取之高度位置，設置有收授模組CPL7~CPL8、CPL9~CPL10。並且，在載體區塊S1之收授機械臂13可以存取之高度位置，設置有收授模組BU1及CPL0。收授模組BU1為了一次接取從先前已述之收授機械臂13所搬運之晶圓W，在上下方向具備有五個晶圓W之保持部。收授 模組CPL0係用於使被顯像處理之晶圓W返回至載體C。
並且，在單位區塊B5之主機械臂A5可以存取之高度位置，設置收授模組CPL12~CPL13及BU2，在單位區塊B6之主機械臂A6可以存取之位置，設置有收授模組CPL14~CPL15及BU3。
並且，在棚架單元U7設置有檢查模組31。從單位區塊B5、B6搬出晶圓W之時，搬入至檢查模組31之晶圓W被搬運至收授模組BU2、BU3。針對不搬入至檢查模組31之晶圓W，不經收授模組BU2、BU3而返回至載體C。藉由如此地各設定路徑，控制搬運，使得晶圓W依號碼順序即是從載體C依搬出順序返回至載體C。
再者，在處理區塊B2中，在棚架單元U7之附近，設置有升降自如、進退自如之第1收授機構的收授機械臂30，在棚架單元U7之各模組間搬運晶圓W。
針對上述檢查模組31，更予以詳細說明。如後述般，依照被選擇之檢查模組，於檢查模組31搬入光阻膜形成後、曝光前之晶圓W或是顯像處理後之晶圓W。針對光阻膜形成後，曝光前之晶圓W，檢查例如光阻膜之表面有無異物及光阻之膜厚。
於顯像處理後之晶圓W被搬運至檢查模組31之時，進行顯像後缺陷之檢查。該顯像後缺陷被分類成顯像處理起因之缺陷、顯像處理及塗佈處理起因之缺陷，就以顯像處理起因之缺陷而言，例如有圖案崩壞、線寬異常、光阻溶解不良、顯像後之氣泡附著、異物之附著、光阻圖案間 之橋接缺陷(在圖案間之上部殘留光阻)及因溶解生成物(浮渣)之殘留而引起的圖案缺陷(浮渣缺陷)。就以塗佈處理及顯像處理起因之缺陷而言，則有例如圖案崩壞及圖案之線寬之局部異常。
在該實施型態中，將有無該些各缺陷當作檢查項目而設定。後述之各檢查模式實行時，檢查模組31係將所取得之檢查資料發送至後述之控制部51。後述之控制部51係根據該檢查資料，判定有無各缺陷。
接著，針對介面區塊S3之構成，一面參照第5圖一面予以說明。在介面區塊S3於各單位區塊之主機械臂A1~A6可以存取之位置設置有棚架單元U8。棚架單元U8係在對應於第3單位區塊B3~第6單位區塊B6之位置具備有收授模組BU4。針對收授模組BU4予以後述。在收授模組BU4之下方互相疊層設置有收授模組TRS、CPL16~CPL18。
再者，在介面區塊S3疊層設置有例如四台之曝光後洗淨模組PIR1~PIR4。各曝光後洗淨模組PIR係構成與光阻膜形成模組COT相同，對晶圓W表面供給保護膜除去及洗淨用之藥液以取代光阻。
再者，在介面區塊S3設置有三台介面機械臂32、33、34。介面機械臂32、33、34係被構成升降自如及進退自如，並且介面機械臂32係被構成在水平方向移動自如。介面機械臂32係存取於曝光裝置S4、收授模組TRS、CPL16~CPL18，在該些之間收授晶圓W。介面機 械臂33係存取於收授模組TRS、CPL16~CPL18及BU4，在該些模組之間收授晶圓W。介面機械臂34係存取於收授模組BU4及曝光後洗淨模組PIR1~PIR4，在該些模組間收授晶圓W。介面機械臂32~34構成第2收授機構。
針對收授模組BU4一面參照第6圖一面予以說明。收授模組BU4具備有被配置在周方向之支柱41。在一個支柱41和其他支柱41之間拉引導線42，導線42、42互相交差構成組。在互相不同高度之位置設置多數該導線42、42之組，在導線42、42之交差部分上設置有例如圓形支撐部43。晶圓W係水平地被支撐在支撐部43上。在第6圖中，支撐部43雖然僅表示5個，但是以晶圓W收授至各階層之方式朝上方設置多數。成為在支柱41間，介面機械臂33、34及主機械臂A3~A6可以進入，進入之各機械臂藉由升降動作，在支撐部43之間收授晶圓W。即使針對收授模組BU1~BU3，也構成與例如BU4相同。
接著，針對被設置在塗佈、顯像裝置1之控制部51，一面參照第7圖一面予以說明。圖中52為匯流排，在匯流排52連接有進行各種運算之CPU53。並且，在匯流排52連接有存儲處理程式54、搬運程式55及判定程式56之程式儲存部57。處理程式54係對塗佈、顯像裝置1之各部輸出控制訊號，對各晶圓W進行藥液或洗淨液之供給、加熱等。
搬運程式55係依照所選擇之檢查模式及判定程式56之判定結果，對各單位區塊B1~B6之主機械臂A1~A6、授受機械臂30及介面機械臂32~34輸出控制訊號，控制晶圓W之搬運。判定程式56係根據從例如檢查模組31發送之檢查資料，判定晶圓W之處理有無異常。
在匯流排52連接有記憶體61，該記憶體61記憶著藉由各晶圓W之搬運行程及檢查模組31之檢查結果。第8圖表示儲存於記憶體61所含之搬運行程記憶區域63之資料的一例。該圖之資料係在藉由檢查模組31之檢查中，於晶圓W無異常之通常時之搬運行程。
在搬運行程記憶區域63，使晶圓W之ID、該晶圓W之搬運目的地之模組、被搬運之模組之順序互相對應而以搬運行程被記憶。即是，搬運行程為晶圓被搬運之路徑之資料。例如，圖中之晶圓A1係依反射防止膜形成模組BCT1、加熱模組HP100、光阻膜形成模組COT1、加熱模組HP101、周緣曝光模組WEE1、保護膜形成模組TCT1、加熱模組HP300、背面洗淨模組BST1、加熱模組500、顯像模組DEV1及加熱模組501之順序被搬運。
再者，在該例中，晶圓W係被設定成以第1單位區塊B1→第3單位區塊B3→第5單位區塊B5之順序被搬運，或以第2單位區塊B2→第4單位區塊B4→第6單位區塊B6之順序被搬運。然後，當某晶圓W被搬運至第1單位區塊B1時，接著的晶圓W則被搬運至第2單位區塊B2，並且接著的晶圓W則被搬運至第1單位區塊B1。如 此一來，接著從載體C排出之晶圓W交互分配於不同之單位區塊B。
接著，針對記憶體61所含之檢查結果記憶區域60，參照第9圖予以說明。該檢查結果記憶區域60為針對各晶圓記憶於先前所述之檢查項目有無異常之區域。再者，針對具有異常之晶圓W，記憶如後述般處理該晶圓W之模組及處理後之單位區塊。
再者，在檢查結果記憶區域60記憶有被設定在每檢查項目之搬運停止基準。該搬運停止基準，係用以停止將後續之晶圓W搬運至處理檢測出異常之晶圓W之單位區塊B或處理模組的基準。針對在上述檢查模組31被檢查之各檢查項目，產生異常之頻率於相當於該搬運停止基準之時產生停止上述搬運。
以例而言，針對第9圖所示之圖案崩壞而設定之搬運停止基準予以說明。於每後述之單位區塊B選擇停止搬運之模式時，當檢查的晶圓W初次檢測出圖案崩壞時，之後，若通過與該晶圓W通過之單位區塊B相同之單位區塊B而被檢查到之五片之晶圓W中之兩片以上之晶圓W檢測出圖案崩壞時，則停止後續晶圓W搬運至該單位區塊B。
再者，於每處理模組選擇停止搬運之模式時，當檢查的晶圓W初次檢測出圖案崩壞時，若通過與該晶圓W通過之處理模組相同之處理模組而被檢查到之五片之晶圓W中之兩片以上之晶圓W檢測出圖案崩壞時，則停止搬運 至該處理模組。並且，上述五片之晶圓W中，若圖案崩壞被檢測出之晶圓W為一片或0片時，於檢查該五片晶圓W之後，再次檢查出圖案崩壞之時，重新在檢查五片晶圓W之期間，於兩片以上之晶圓W被檢測出圖案崩壞之時，停止朝單位區塊或處理模組搬運。
即使針對第9圖之光阻溶解不良、顯像後之氣泡，雖然設定與圖案崩壞大略相同之搬運停止基準，針對該些之檢查項目，與圖案崩壞之情形不同，於一旦檢測出缺陷之後，被檢查之晶圓W五片中之一片之晶圓W被檢測出相同缺陷時，則停止朝上述單位區塊B搬運。再者，針對第9圖之浮渣缺陷，進行檢測出之後快速停止朝處理該晶圓W之單位區塊或處理模組搬運的停止處理。如此之搬運停止基準被設定在先前所述之每檢查項目。依此，於晶圓W偶發性產生缺陷之時，抑制引起停止朝單位區塊或處理模組搬運。
返回第7圖繼續說明。匯流排52連接有設定部64。設定部64係藉由例如鍵盤或滑鼠、觸控面板等而構成，成為可以設定在檢查模組31進行之檢查。就以可以設定之檢查而言，有顯像處理後檢查C1及光阻膜形成後檢查C2，使用者選擇任一者。在顯像處理後檢查C1中，在第5或第6單位區塊B5、B6中接受顯像處理之晶圓W，被搬運至檢查模組31而被檢查。在光阻膜形成後檢查C2中，於第1或第2單位區塊B1、B2形成光阻膜之晶圓W，被搬運至檢查模組31而檢查。
於選擇顯像處理後檢查C1時，使用者又選擇停止搬運至每單位區塊B之模式D1、停止搬運至每處理模組之模式D3中之任一者。再者，於選擇了光阻膜形成後檢查C2時，使用者又選擇停止搬運至每單位區塊B之模式D2、停止搬運至每處理模組之模式D4中之任一者。
並且，使用者可以從設定部64指定晶圓W之ID而決定成為檢查對象之晶圓W。再者，在匯流排52連接有例如藉由顯示器等所構成之顯示部65。在顯示部65針對例如搬運行程或各晶圓，顯示每檢查項目之檢查結果。
(模式D1)
接著，一面參照第10圖，一面針對塗佈、顯像裝置1中之晶圓W之搬運路徑予以說明。在此，事先選擇顯像處理後檢查C1，並且選擇於每單位區塊停止晶圓W之搬運的模式D1。首先，晶圓W從載體C藉由收授機械臂14而被搬運至收授模組BU1。從收授模組BU1被搬運至第1單位區塊B1之時，如第10圖(a)所示般晶圓W係藉由收授機械臂30而被搬運至疏水化處理模組ADH1、ADH2而接受疏水化處理，被搬運至收授模組CPL1。
被搬運至收授模組CPL1，主機械臂A1係以反射防止膜形成模組BCT1、BCT2→加熱模組HP100~109→收授模組CPL2→光阻膜形成模組COT1、COT2→加熱模組HP100~109→周緣曝光模組WEE3、WEE4→收授模組CPL3之順序搬運該晶圓W，依序在晶圓W形成反射防止 膜、光阻膜。
藉由收授機械臂30，晶圓W係從收授模組CPL3，被搬運至第3單位區塊B3之收授模組CPL7，主機械臂A3係以保護膜形成模組TCT1、TCT2→加熱模組HP300~311→收授模組CPL8→背面洗淨模組BST1、BST2→收授模組BU4之順序搬運該晶圓W，在晶圓W形成保護膜，並且進行背面洗淨。
藉由介面機械臂33，上述晶圓W係以收授模組CPL16~CPL18→介面機械臂32→曝光裝置S4之順序被搬運，接受浸潤式曝光處理。於曝光處理後，晶圓W以介面機械臂32→收授模組TRS→介面機械臂33→收授模組BU4→介面機械臂34→曝光後洗淨模組PIR1~PIR4→介面機械臂34→收授模組BU4中之第5單位區塊B5之高度位置之順序被搬運。
接著，上述晶圓W係藉由主機械臂A5，以加熱模組HP500~511→收授模組CPL12→顯像模組DVE1~DEV4→加熱模組HP500~511→收授模組CPL13→收授機械臂30→收授模組BU2→檢查模組31之順序被搬運而被檢查。檢查後之晶圓W係以檢查模組31→收授機械臂30→收授模組BU1之順序被搬運，從收授機械臂13返回至載體C。針對被設定成在檢查模組31不執行檢查之晶圓W，在顯像模組DEV1~DEV4、加熱模組HP500~511依序處理後，以收授模組CPL13→收授機械臂30→收授模組CPL0→收授機械臂13→載體C之順序被搬運。
晶圓W從緩衝模組BU1被搬運至第2單位區塊B2、B4、B6之時，也對晶圓W進行與搬送至上述單位區塊B1、B3、B5之時相同的處理。第10圖(b)係針對通過單位區塊B2→B4→B6之時之搬運路徑予以表示。
以下，當簡單說明搬運路徑時，上述晶圓W係以收授機械臂30→疏水化處理模組ADH3、ADH4→收授機械臂30→收授模組CPL4之順序被搬運。接著，主機械臂A2係以反射防止膜形成模組BCT3、BCT4→加熱模組HP200~209→收授模組CPL5→光阻膜形成模組COT3、COT4→加熱模組HP200~209→周緣曝光模組WEE3、WEE4→收授模組CPL6搬運晶圓W。之後，晶圓W係以收授機械臂30→收授模組CPL9之順序被搬運，藉由主機械臂A4，以保護膜形成膜組TCT3、TCT4→加熱模組HP400~411→收授模組CPL10→背面洗淨模組BST3、BST4→收授模組BU4之順序被搬運。
在介面區塊S3中，上述晶圓W係與被搬運至第1及第3單位區塊B之晶圓W同樣被搬運，接受曝光處理及曝光後洗淨處理，並且被收授至收授模組BU4之第6單位區塊B6中之高度位置。之後，上述晶圓W係藉由主機械臂A6，以加熱模組HP600~611→收授模組CPL14→顯像模組DVE5~DEV8→加熱模組HP600~611→收授模組CPL15→收授模組BU3→收授機械臂30→檢查模組31→收授機械臂30→收授模組CPL0→載體C之順序被搬運。針對，非檢查對象之晶圓W，在上述搬運路徑中，以顯 像、加熱後處理、收授模組CPL15→收授機械臂30→收授模組CPL0→收授機械臂13→載體C之順序被搬運。
一面參照第11圖，一面針對藉由控制部51停止搬運至單位區塊B之工程予以說明。在上述路徑中，於搬運晶圓W之期間，判定程式56係根據從檢查模組31發送之檢查資料，針對先前所述之各檢查項目判定有無異常，該判定結果被記憶於檢查結果記憶區域60。然後，當判定具有異常時，根據搬運行程記憶區域63之搬運行程，特定處理檢測出異常之晶圓W之處理模組及單位區塊B。並且，使晶圓之ID和成為異常之檢查項目和上述處理模組及單位區塊B對應，而記憶於記憶體61之檢查結果記，憶區域60(步驟S1)。
接著，判定程式56係根據記憶於檢查結果記憶區域60之過去之晶圓W之檢查履歷，判定是否相當於設定於其檢查項目之先前所述之搬運停止基準(步驟S2)。例如，成為異常之檢查項目為圖案崩壞之時，針對先前所述般通過相同單位區塊B之晶圓W，於最初引起圖案崩壞之後，於對五片晶圓W進行檢查之期間，判定兩片以上之晶圓W是否引起圖案崩壞。於判定不相當於搬運停止基準之時，接著藉由單位區塊B1~B6進行處理。
於判定相當於搬運停止基準之時，則停止藉由對在步驟S1檢測出異常之晶圓W而進行處理之單位區塊B5或B6之各處理模組所進行之晶圓W之處理及主機械臂A之動作。然後，搬運程式55係使用單位區塊B5、B6中， 不停止處理模組及主機械臂A之動作之一側的單位區塊，重寫搬運行程使進行處理。然後，依照其搬運行程，搬運晶圓W，而進行處理(步驟S3)。
第12圖(a)、(b)係表示停止朝第5單位區塊B5搬運晶圓W之時之搬運路徑作為一例，如該圖所示般，在第1~第4單位區塊B1~B4接受處理之晶圓W係被搬入至所有之單位區塊B6。與該例相反，於停止朝第6單位區塊B6搬運之時，在第1~第4單位區塊B1~B4接受處理之晶圓W係所有皆被搬入至第5單位區塊B5。
如此使用單方之顯像區塊，繼續進行處理。之後，當晶圓W被檢測出異常時，判定程式56係與步驟S1相同根據搬運行程記憶區域63之搬運行程，特定處理檢測出異常之晶圓W之處理模組及單位區塊，使晶圓之ID和成為異常之檢查項目和上述處理模組及單位區塊B對應而記憶於記憶體61(步驟S4)。
接著，判定程式56係參照停止朝單位區塊B5或B6搬運後的晶圓W之檢查履歷，判定是否相當於被設定在其檢查項目之單位區塊之搬運停止基準(步驟S5)。於判定不相當之時，接著藉由單位區塊B1~B4及B5或B6進行處理。
於相當於搬運停止基準之時，判定程式56係判定成為異常之檢查項目是否與在步驟S2、S3停止單位區塊B5或B6之時判定成異常之檢查項目相同(步驟S6)。於在步驟S6判定為相同檢查項目之時，判定程式56又判定在 步驟S1被判定成異常之晶圓W通過之塗佈區塊，與在步驟S4被判定成異常之晶圓W通過之塗佈區塊是否一致(步驟S7)。
在步驟S7中，當判定塗佈區塊一致之時，上述檢查項目之異常應該係在塗佈區域之處理所引起，故停止藉由該塗佈區塊之晶圓W之處理及主機械臂A之動作。即是，停止單位區塊B1及B3、B2及B4中之任一方中之晶圓W的處理。並且，搬運程式55係以使用單位區塊B1~B4中運轉之單位區塊而進行處理之方式，重寫搬運行程。然後，依照其搬運行程，搬運晶圓W，而繼續進行處理(步驟S8)。
例如，如第12圖所示般，從停止朝單位區塊B5搬運之狀態，持續有與停止朝該單位區塊B5搬運之時相同之檢查項目之異常時，依照上述步驟S6~S8，停止朝單位區塊B1、B3搬運。然後，所有之晶圓W係以第9圖(b)所示之單位區塊B2→B4→B6之路徑依序被搬運。
在步驟S6中，於判定與停止顯像區塊之時成為異常之檢查項目不同，或在步驟S7中，判定成為異常之塗佈區塊不同之時，例如朝運轉中之各單位區塊的搬運則繼續，針對在步驟S5判定相當於搬運停止基準之檢查項目，則顯示於顯示部65(步驟S9)。
(模式D2)
接著，針對被設定成進行光阻膜形成後檢查C2，並 且每單位區塊選擇搬運停止之模式D2之情形予以說明。就以實行光阻膜形成後檢查C2時之晶圓W之搬運路徑而言，結束光阻塗佈處理，被搬入至收授模組CPL4、CPL6之晶圓W藉由收授機械臂30而被搬入至檢查模組31。在檢查模組31檢查後，經收授模組CPL7、CPL9而被搬入至第3、第4單位區塊。顯像處理後之晶圓W係以收授模組CPL13、CPL15→收授模組CPL0之順序被搬運，而返回至載體C。若除如此之不同，則與實行顯像處理後檢查C1時相同地晶圓W被搬運。
即使在實行該模式D2時，與顯像處理後檢查模式實行時相同以每檢查項目，檢查晶圓W之異常，實行步驟S1~S2之處理。然後，當在步驟S2判定不相當於搬運停止基準之時，則繼續進行處理。於判定相當於搬運停止基準之時，則停止藉由對檢測出異常之晶圓W而進行處理之單位區塊B1或B2之各處理模組所進行之晶圓W之處理及主機械臂A之動作。然後，搬運程式55係使用單位區塊B1、B2中，不停止處理模組及機械臂之動作之一側的單位區塊，重寫搬運行程使進行處理。
第13圖係表示停止朝第2單位區塊B2搬運晶圓W之時之搬運路徑作為一例，如該圖所示般，後續之晶圓W係從載體C被搬入至所有之第1單位區塊B1。然後，從第1單位區塊B1被分配至第3、第4單位區塊B3、B4。相反的，於停止朝第1單位區塊B1搬運之時，後續之晶圓W全部從載體C被搬入至第2單位區塊B2。
(模式D3)
接著，針對被設定成進行顯像處理後檢查C1，並且每單位處理模組選擇搬運停止之模式D3之情形予以說明。以後，一面參照第14圖一面針對模式D3實行時之流程，以與模式D1之差異點為中心予以說明。於晶圓W檢測出異常之時，根據搬運行程，在單位區塊B5、B6中，特定處理該晶圓W之處理模組。使晶圓之ID和成為異常之檢查項目，和上述處理模組對應而記憶於記憶體61(步驟S11)。接著，判定程式56係對在步驟S11特定之每處理模組，根據檢查結果記憶區域60之資料，判定上述各處理模組是否相當於搬運停止基準(步驟S12)。
於判定任一處理模組皆不相當於搬運停止基準之時，則繼續朝各處理模組搬運晶圓W。於具有相當於搬運停止基準之處理模組之時，則停止在該處理模組處理晶圓W(步驟S13)。然後，除如此停止處理之模組外，設定搬運模組使進行搬運，繼續進行晶圓W之搬運及處理。
當繼續進行晶圓W之處理，接著晶圓W產生異常時，判定程式56與步驟S11相同，使成為異常之晶圓之ID、成為異常之檢查項目和在顯像區塊中處理該晶圓W之處理模組對應，而記憶於檢查結果記憶區域60(步驟S14)。然後，與步驟S12相同，判定程式56係對在步驟S14特定之每處理模組，根據檢查結果記憶區域60之資料，判定是否有相當於搬運停止基準之模組(步驟 S15)。
然後，當具有相當於搬運停止基準之檢查項目時，判定程式56係其檢查項目在步驟S13，判定是否為與成為停止朝處理模組搬運之檢查項目相同之檢查項目(步驟S16)。於判定非相當於相同檢查項目之時，實行步驟S13以後之處理，在顯像區塊中，停止朝相當於該搬運停止基準之處理模組搬運。
在步驟S16中，當判定為相同之檢查項目之時，判定程式56係根據搬運行程而在單位區塊B1~B4中，特定處理在步驟S14檢測出異常之晶圓W的處理模組。然後，停止在特定之處理模組中進行處理晶圓W之處理。並且，除如此停止處理之處理模組外，設定搬運行程使進行搬運，繼續進行晶圓W之搬運及處理(步驟S17)。除停止處理之處理模組外而進行搬運，當具體說明時，則是被設定成搬運至在一個單位區塊停止處理之模組的晶圓W，係被搬運至在上述單位區塊進行與該模組相同之處理之其他的可搬運之模組。即是，若藉由停止一個加熱模組之處理時，晶圓W係被搬運至設置有該加熱模組之單位區塊之其他之加熱模組而接受處理。再者，若停止一個液處理模組之處理時，晶圓W係在設置有該加熱模組之單位區塊，被搬運至與上述液處理模組相同之處理的其他液處理模組而接受處理。如此一來，除無法朝在模式D3中成為不可使用之模組搬運外，晶圓W係如第10圖所示般以與各單位區塊無異常之情形相同之路徑被搬運。
在此，針對於實行該模式D3之時搬運停止之處理模式補充說明。例如，在上述步驟S11晶圓W被檢測出圖案崩壞，該晶圓W在顯像模組DEV1及加熱模組500接受處理之時，參照在過去在DEV1接受處理之晶圓W之檢查結果，判定各處理模組是否相當於搬運停止基準。並且，參照過去在加熱模組500接受處理之晶圓W之檢查結果，判定是否相當於搬運停止基準。然後，針對DEV1及加熱模組500中，被判定相當於搬運停止基準之處理模組，停止朝該處理模組搬運。如此對每處理模組，個別地判定是否相當於搬運停止基準。
但是，顯像模組DEV1及DEV2、DEV3及DEV4、DEV5及DEV6、DEV7及DEV8各共有噴嘴24。如此一來，當決定停止朝共有噴嘴24之DEV中之一方的DEV搬運時，則決定也停止朝另一方之DEV搬運。因此，當停止朝DEV1搬運時，也停止朝DEV2搬運。然後，若未停止朝DEV3、DEV4搬運時，被搬運至單位區塊B5之晶圓W則如先前所述在該些DEV3、DEV4被處理，而返回至載體C。再者，於上述加熱模組500相當於搬運停止基準之時，則被搬運至其他加熱模組501~511。
再者，針對反射防止膜形成模組BCT、光阻膜形成模組COT及保護膜形成模組TCT，被設置在各單位區塊之兩台共有噴嘴。因此，為了防止在各單位區塊停止處理，在步驟S17不使朝該些液處理模組搬運停止，取而代之的是在步驟S15處理相當於停止基準之晶圓W的該些液處 理模組和成為異常之檢查項目對應，而顯示於顯示部65。
(模式D4)
接著，針對設定成進行光阻塗佈後檢查C2，並且選擇停止搬運至每處理模組之模式D4之時，以與模式D3選擇時之差異點為中心予以說明。於實行模式D4之時，與實行模式D2時相同，進行晶圓W之搬運。即是，在單位區塊B1、B2結束處理之晶圓W被搬運至檢查模組31。然後，於晶圓W被檢測出異常之時，則與模式D3相同，特定處理該晶圓W之處理模式，判定是否相當於停止搬運至每特定之處理模組的搬運停止基準，於相當於搬運停止基準之時，停止朝該處理模組搬運。在該模式D4中，因檢查光阻塗佈後之晶圓W，故搬運停止之處理模組為單位區塊B1、B12之處理模組。朝處理模組之搬運，根據在模式D3中說明之規則而停止。即是，針對反射防止膜形成模組BCT及光阻膜形成模組COT，即使相當於搬運停止基準，亦繼續朝模組搬運。
若藉由該塗佈、顯像裝置1時，將反射防止膜形成模組BCT及光阻膜形成模組COT配置在單位區塊B1、B2，將保護膜形成模組TCT、背面洗淨模組BST配置在單位區塊B3、B4，同樣被構成之單位區塊被上下二層化。然後，在該些單位區塊B1~B4，又上下疊層被二層化之顯像處理用之單位區塊B5、B6。因此，可以一面將 處理區塊S2之深度尺寸設定成理想尺寸，一面縮小設置面積。並且，二層化若構成單位區塊使可以對晶圓W各進行相同處理即可，並不限定於使佈局或模組數量在各單位區塊為相同。
並且，於實行模式D1、D2時，即使晶圓W被檢測出異常之時，停止朝二層化之單位區塊中之一方單位區塊搬運，繼續朝另一方之單位區塊搬運。然後，在另一方之單位區塊繼續進行晶圓W之處理之期間，使用者針對一方之單位區塊，可以進行故障時之修理或定期點檢、調整確認等之維修。因此，可以抑制塗佈、顯像裝置1之運轉效率下降。
再者，如上述般藉由階段性進行停止朝顯像區塊搬運和停止朝塗佈區塊搬運，因可以抑制停止朝不需要停止搬運之塗佈區塊搬運，故可以更確實抑制運轉效率之下降。但是，並不限定於如此階段性停止朝各單位區塊搬運。例如，於晶圓W檢測出圖案崩壞、線寬之局部異常等，包含塗佈工程之要因的顯像缺陷之時，即使同時停止朝處理該晶圓W之顯像區塊和塗佈區塊搬運亦可。此時，可以降低具有缺陷之晶圓W產生的危險。再者，在模式D1中，當將使顯像區塊停止之工程設為模式E1、將使塗佈區塊停止之工程設為模式E2時，則在上述例中，雖然於模式E1實行後自動實行模式E2，但是是否實行模式E2，即使使用者可以從設定部64選擇亦可。
再者，於實行模式D3、D4時，因停止晶圓W搬運至 每處理模組，故抑制停止運轉之處理模組之數量。因此，可以更抑制裝置之運轉效率之下降。於實行模式D3時，並不限定於階段性停止顯像區塊之處理模組和塗佈區塊之處理模式，即使依例如成為異常之檢查項目，全部停止朝處理檢測出異常之晶圓W的處理模組搬運亦可。再者，在模式D3中，當將使顯像區塊之處理模組停止之工程設為模式E3、將使塗佈區塊之處理模組停止之工程設為模式E4時，則在上述例中，雖然於模式E3實行後自動實行模式E4，但是是否實行模式E4，即使使用者可以從設定部64選擇亦可。
再者，在實行模式D3、D4時，針對液處理模組BCT、COT、TCT、BST及DEV，即使控制停止晶圓W搬運至每個處理罩杯亦可。即是，即使停止朝在該些各處理模組中處理發生異常之晶圓W之一方的處理罩杯23搬運晶圓W，繼續朝共有該處理罩杯23和噴嘴24之處理罩杯23搬運晶圓W亦可。其他，即使針對BCT、COT、TCT及BST，於決定停止朝該等液處理模組搬運之時，取代繼續朝該些液處理模組搬運，即使停止朝包含該液處理模組之單位區塊搬運晶圓W亦可。
如上述般，於上述般停止將晶圓W搬運至每處理罩杯23時，為了調整裝置內之晶圓W的處理片數，於不使用例如一個BCT之處理罩杯23時，可以設定成不使用相同單位區塊之一個的COT之處理罩杯23。同樣於不使用例如一個COT之處理罩杯23之時，相同之單位區塊之一 個BCT亦可以設定成不使用。並且，如此一來，即使在構成與停止朝COT及BCT之處理罩杯23搬運的單位區塊相同之單位區塊，藉由停止朝COT之一個處理罩杯23及BCT之一個處理罩杯23搬運，來調整晶圓W之處理片數亦可。
再者，在上述塗佈、顯像裝置1中，介面區塊S3即使構成如第15圖所示般亦可。在該例中，晶圓W係經介面區塊S3，朝單位區塊B1、B2→B3、B4搬運。當說明與第5圖所示之介面區塊S3之差異點時，則在對應於單位區塊B1、B2之高度位置，各設置有收授模組BU5、BU6。在對應於單位區塊B3之高度位置，設置有收授模組BU7、BU8。在對應於單位區塊B4之高度位置，設置有收授模組BU9、BU10。再者，對應於單位區塊B5、B6之高度位置，各設置有收授模組TRS1、TRS2。再者，設置有收授模組BU11。各收授模組互相疊層。
在單位區塊B1、B2結束處理之晶圓W，各被搬運至收授模組BU5、BU6，並且藉由介面機械臂33，被搬運至收授模組BU7、BU8。被搬運至收授模組BU7、BU8之晶圓W，係藉由收授機械臂A3、A4各被搬入至單位區塊B3、B4，而接受處理。在單位區塊B3、B4接受處理之晶圓W，各被搬運至收授模組BU9、BU10，並且藉由介面機械臂33，被搬運至收授模組CPL16、CPL17。以後，晶圓W與第5圖之例相同，以曝光裝置S4→收授模組TRS之順序被搬運，然後以收授模組TRS→介面機械臂33→收 授模組BU11→介面機械臂34→曝光後洗淨模組PIR→介面機械臂34→收授模組TRS1、TRS2被搬運，藉由主機械臂A5、A6被搬運至單位區塊B5、B6
第16圖又表示其他介面區塊S3之構成。在該第16圖之介面區塊S3中，疊層設置有曝光前洗淨模組RD1~RD4。曝光前洗淨模組RD1~RD4係將洗淨液供給至曝光前之晶圓W之表面，並沖洗該晶圓W之表面溶出物。除了設置該曝光前洗淨模組RD1~RD4之外，第16圖之介面區塊S3係構成與第15圖之介面區塊S3相同。
在第16圖之介面區塊S3中，在第3單位區塊B3或第4單位區塊B4中被處理，被搬運至收授模組BU9或BU8之晶圓W，係藉由介面機械臂33而被搬運至曝光前洗淨模組RD1~RD4而被洗淨。然後，晶圓W係以介面機械臂33→收授模組CPL14、15→曝光處理S4之順序被搬運。並且，也可以在第5圖之介面區塊S3設置曝光前洗淨模組RD，進行洗淨處理。再者，在上述各實施型態中，晶圓W從單位區塊B1、B2朝單位區塊B3、B4之搬運，即使藉由介面機械臂33而進行亦可。具體而言，在棚架單元U8之單位區塊B1、B2之高度位置，設置結束塗佈處理之收授模組，從該收授模組經介面機械臂33而將晶圓晶圓W收授至收授模組BU4之棚架單元U8之單位區塊B3、B4之高度位置，依此可以進行各層間之搬運。
再者，在上述實施型態中，即使在TCT1~TCT4形成 保護膜，將在加熱模組HP300~311或HP400~411加熱之晶圓W搬運至檢查模組31，進行檢查亦可。此時，與上述各模式相同，根據例如檢測出異常之晶圓W之搬運路徑，停止朝在該晶圓W形成反射防止膜、光阻膜及保護膜之單位區塊搬運，或停止朝上述單位區塊所包含之處理該晶圓W之模組搬運。
在上述之例中，TCT並非保護膜形成模組，即使為在光阻膜之上層形成反射防止膜之模組亦可。再者，在疏水化處理模組ADH中進行的疏水化處理，即使取代在反射防止膜形成模組BCT形成反射防止膜之前，於形成上述反射防止膜之後，光阻塗佈前進行亦可，即使於塗佈光阻後，將晶圓W搬運至單位區塊B3、B4之前進行亦可。再者，各單位區塊之疊層順序並不限定於該例，即使例如進行顯像處理之第5、第6之單位區塊被設置在進行光阻膜之第1及第2單位區塊之下方亦可。再者，在上述之例中，被二層化之各單位區塊雖然被構成各模組之數量、佈局相同，但是若可以對晶圓W進行相同處理時，則不限於如此將模組之數量、佈局設為相同。
再者，在該塗佈、顯像裝置1中，實行先前所述之各模式而處理晶圓W中，可以在任意時序進行切換至維修模式，當使用者例如從選擇部64進行特定處理時，則對裝置1之各部輸出模式之切換訊號，開始維修模式。就以維修態樣而言，舉出維修被二層化之塗佈膜之單位區塊之一方的單位區塊之情形，例如舉出維修前段處理用之單位 區塊B1、B2中之一方之情形。或是，舉出維修後段處理用之單位區塊B3、B4之中之一方的情形，或維修顯像處理用之單位區塊B5、B6中之一方的情形。此時，當將維修例如單位區塊B1之資訊輸入至控制部時，則進行晶圓之搬運控制，使得晶圓不被搬運至成為維修對象之單位區塊B1。然後，在上述實施型態中，就以晶圓之搬運路徑而言，由於準備第10圖(a)所示之路徑和第10圖(b)所示之路徑，故不將晶圓搬入單位區塊B1係不使用第10圖(a)所示之路徑，因此晶圓不被搬入至該路徑所包含之疏水化處理模組ADH1、2及單位區塊B3及B5。
在該維修模式中，不按晶圓W之檢查結果，使用者指定停止晶圓W之搬運之單位區塊，藉由不停止搬運之單位區塊繼續進行晶圓W之處理。如此若將單位區塊二層化，不使用進行維修之單位區塊所屬之搬運路徑時，則簡化包含晶圓之搬運控制的處理。
維修模式並不限定於停止朝進行維修之單位區塊所屬之搬運路徑搬運的方法。於同時維修例如包含在第10圖(a)所示之路徑之一個單位區塊的單位區塊B1，和包含在第10圖(b)所示之路徑之一個單位區塊的單位區塊B4之時，使用包含在第10圖(b)所示之路徑的單位區塊B2，和包含在第10圖(a)所示之路徑的單位區塊B3則有效率。此時，連結被二層化之單位區塊中可使用的單位區塊而進行晶圓之處理，於此時，亦可以進行邊進行維修邊抑制運轉率下降之裝置的運轉。
並且，再者在維修模式中，於被二層化之單位區塊中之一個，例如前段處理用之單位區塊B1被維修之時，針對該單位區塊B1以外之單位區塊，即使搬運晶圓亦可。此時，針對例如後段處理用之單位區塊B3及B4使運轉，將在前段處理用之單位區塊B1處理之晶圓分配成後段處理用之單位區塊B3及B4，再者即使針對顯像處理用之單位區塊B5、B6使運轉亦可。
並且，記載著本發明之其他實施型態。第17圖係表示處理區塊S2之其他例，橫之列係從下方依序對應於第4圖所示之各單位區塊B1~B6，一格表示反射防止膜形成模組BCT1等之一個液處理模組。因此，針對單位區塊B1、B2、B5及B6，為與第4圖所示之單位區塊相同之構成，若俯視觀看，例如為單位區塊B1時，則表示成第1圖般。第17圖之例與第4圖之例不同之點，係在單位區塊B3、B4中，不設置背面洗淨模組BST1~BST4，而成為空白區域。
在此，第18圖係針對先前所述之第10圖所示之晶圓之路徑中，用以形成塗佈膜之路徑，去框而概略表示之圖式。若藉由第10圖所示之實施型態時，從載體C取出之晶圓雖然經疏水化處理模組ADH1~ADH4中之任一者而被搬運至用以形成塗佈膜之塗佈膜之單位區塊，但是塗佈膜用之單位區塊係被分離成前段處理用之單位區塊B1(B2)和後段處理用之單位區塊B3(B4)。然後，雖然在前段處理用之單位區塊B1(B2)設置光阻膜形成用模 組COT1~COT4，但是即使將光阻膜形成用模組COT1~COT4配置在後段處理用之單位區塊B3(B4)亦可。
就以如此之佈局之一例而言，可以舉出第19圖之佈局。第19圖之縱橫之格子的含意是與第17圖之格子相同，在該例中，在後段處理用之單位區塊B3設置光阻膜形成用模組COT1、COT2和用以形成上層膜之模組的保護膜形成模組TCT1、TCT2，並且在後段處理用之單位區塊B4設置光阻膜形成用模組COT3、COT4和保護膜形成模組TCT3、TCT4，在第4圖之佈局中，將不設置有光阻膜形成用模組COT1~COT4之單位區塊B1、B2中之區域設為空白區域。並且，即使為在單位區塊B1設置光阻膜形成用模組COT1，並且在單位區塊B2設置光阻膜形成用模組COT2，然後在單位區塊B2設置光阻膜形成用模組COT3，並且在單位區塊B4設置光阻膜形成用模組COT4之構成亦可。此時，可以稱為將光阻膜形成用模組分散配置成前段處理用之單位區塊B1(B2)和後段處理用之單位區塊B3(B4)的構成。
再者，處理區塊S2係如第20圖所示般，即使在後段處理用之單位區塊B3、B4設置檢查模組701~704亦可。該佈局相對於第4圖之佈局，設置有檢查模組701~704，來取代背面洗淨模組BST1~BST4。檢查模組701~704係在保護膜形成模組TCT1~TCT4於晶圓W之表面形成保護膜之後，用以檢查塗佈面之塗佈狀態。具體而言，可舉出例如檢測膜厚不均、檢測在塗佈膜出現條紋狀 態、檢測未塗佈狀態。若為未塗佈狀態時，則應為噴嘴、塗佈液吐出泵、配管系統之異常等。
在檢查模組701~704中之檢查中，判定成異常時，停止處理判定成該異常之晶圓W之模組(液處理模組或加熱模組)，針對除此之外的模組，即使繼續使用亦可，或是停止使用該晶圓W之塗佈膜之每個單位區塊，針對其他單位區塊的運轉繼續進行亦可。針對要在哪一個態樣中使用(於檢查結果判定異常時，選擇模組之停止或單位區塊之停止中之任一者)，例如藉由在控制部設定模式來實施。
在以上之例中，雖然使構成塗佈膜用之單位區塊，前段處理用之單位區塊和後段處理用之單位區塊各成為二層化而互相予以疊層，但是即使非二層化而係三層化亦可，以更一般的講法，則係成為N(N為2以上之整數)層化為要件。再者，針對顯像用之區塊，同樣並不限定於二層化即使為三層化或四層化亦可。
再者，就以塗佈膜之單位區塊而言，即使不分離成前段處理用之單位區塊和後段處理用之單位區塊的構成亦可。第21圖係表示如此之處理區塊S2之佈局，在該例中，在相同單位區塊配置反射防止膜形成用之模組和光組膜形成用之模組，並將該單位區塊三段疊層使成為三層化。即是，第21圖所示之處理區塊S2，可以稱為在第4圖所示之處理區塊S2之佈局中，刪除設置有保護膜形成模組之後段處理用之單位區塊B3、B4，除前段處理用之 單位區塊B1、B2之外又疊層相同構成之單位區塊之構成。此時，因不存在後段處理用之單位區塊，故前段處理用之單位區塊成為塗佈膜用之單位區塊。
並且，在第21圖之處理區塊S2中，疊層三個顯像處理用之單位區塊使成為三層化。並且，在第21圖中，為了避免符號之繁雜化，使各層中之從下數起之層數和標示在B之後面之數字對應，與第4圖相同使用B1~B6之符號。
S3‧‧‧介面區塊
U8‧‧‧棚架單元
BU4、TRS、CPL16~CPL18‧‧‧收授模組
PIR1~PIR4‧‧‧曝光後洗淨模組
32~34‧‧‧介面機械臂
B1‧‧‧第1單位區塊
B2‧‧‧第2單位區塊
B3‧‧‧第3單位區塊
B4‧‧‧第4單位區塊
B5‧‧‧第5單位區塊
B6‧‧‧第6單位區塊

Claims (5)

  1. 一種塗佈、顯像裝置，係將藉由載體搬入至載體區塊之基板收授於處理區塊，以該處理區塊形成含有光阻膜之塗佈膜之後，相對於上述處理區塊經位於與載體區塊相反側之介面區塊而搬運至曝光裝置，在上述處理區塊對經上述介面區塊而返回之曝光後之基板進行顯像處理而收授至上述載體區塊，該塗佈、顯像裝置之特徵為：(a)上述處理區塊包含：上下互相疊層各具備有將用以形成上述塗佈膜之藥液供給至基板之液處理模組，和加熱塗佈藥液之後的基板之加熱模組，和為了在該些模組間搬運基板，在連結載體區塊和介面區塊之直線搬運路徑上移動之單位區塊用之搬運機構的複數塗佈膜用之單位區塊的塗佈處理疊層體；和相對於上述塗佈處理疊層體被疊層，上下互相疊層各具備有對基板供給顯像液之液處理模組，和加熱基板之加熱模組，和在連結載體區塊和介面區塊之直線搬運路徑上移動之單位區塊用之搬運機構的複數顯像處理用之單位區塊的顯像處理疊層體，(b)上述介面區塊相對於上述處理區塊被設置在上述曝光裝置側，具備：收授部之疊層體，其係在垂直方向配置多層載置基板之收授部而構成；第1搬運機構，其係為了在上述收授部間收授基板，進行升降； 第2搬運機構，其係為了在上述收授部間收授基板，進行升降，被設置成與上述第1搬運機構同時在橫方向夾著上述收授部之疊層體；及第3搬運機構，其係用以在上述收授部之疊層體和曝光裝置之間進行基板的收授，上述收授部之疊層體包含基板藉由上述第3搬運機構而被收授之曝光裝置收授用之收授部，和以基板藉由各單位區塊之搬運機構而被收授之方式，對應於該單位區塊的單位區塊用之收授部，(c)具備有用以控制各區塊中之基板搬運的控制部，(d)上述第3搬運機構被構成在包含上下方向之移動路和橫方向的移動路，且被形成在上述第1搬運機構之升降路之下方的上述第3搬運機構用之移動路上移動，(e)上述收授用之疊層體包含用以在上述第2搬運機構和上述第3搬運機構之間收授基板的收授部。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之塗佈、顯像裝置，其中上述曝光裝置收授用之收授部包含使被載置之基板冷卻之冷卻平台，從上述塗佈處理疊層體之單位區塊用搬運機構被收授至對應於該單位區塊之收授部的基板，於被搬入至上述曝光裝置之前，在上述冷卻平台被冷卻後，藉由上述第3搬運機構被收授至該曝光裝置。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所記載之塗佈、顯像 裝置，其中構成上述塗佈處理疊層體之複數的單位區塊具有：光阻膜形成單位區塊，其係包含在基板塗佈光阻液而形成光阻膜之光阻塗佈模組，以作為上述液處理模組：和上層膜形成單位區塊，其係被疊層在上述光阻膜形成單位區塊，包含用以在上述光阻膜上形成上層膜之上層膜塗佈模組，以作為上述液處理模組，在上述光阻塗佈模組被處理之基板被收授至對應於上述光阻膜形成單位區塊之單位區塊用之收授部，接著，藉由上述第1搬運機構或第2搬運機構，被收授至對應於上層膜形成單位區塊之單位區塊用之收授部，接著，藉由上述控制部控制各搬運機構，以使藉由上述上層膜形成單位區塊之單位區塊用之搬運機構，從上述單位區塊用之收授部，而被搬運至為了形成上述上層膜的上層膜形成模組。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所記載之塗佈、顯像裝置，其中上述介面區塊具備洗淨基板之洗淨模組，從上述收授部之疊層體觀看，上述洗淨模組為了藉由上述第1搬運機構收授基板，設置有該第1搬運機構之背面側，為了藉由第2搬運機構收授基板，設置有該第2搬運機構之背面側。
  5. 如申請專利範圍第4項所記載之塗佈、顯像裝置，其中 被設置在上述第1搬運機構之背面側的上述洗淨模組為進行曝光處理前之基板之洗淨的洗淨模組，被設置在上述第2搬運機構之背面側的上述洗淨模組為進行曝光處理後之基板之洗淨的洗淨模組。
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