CN113324497A - 一种平整度检测方法、装置、找平系统及存储介质 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供一种平整度检测方法、装置、找平系统及存储介质，该方法包括：确定已有采样点的数量小于目标数量的第一曝光区域；从所述第一曝光区域的相邻曝光区域中确定第二曝光区域，所述第一曝光区域与所述第二曝光区域的采样点数量的和，不小于所述目标数量；从所述第二曝光区域的采样点中，确定为所述第一曝光区域补充的补充采样点，所述补充采样点的数量与所述已有采样点的数量的和，等同于所述目标数量；根据所述已有采样点和所述补充采样点，检测所述第一曝光区域的平整度。本发明实施例可提升平整度检测结果的准确性，增加可检测平整度的曝光区域。

Description

一种平整度检测方法、装置、找平系统及存储介质

技术领域

本发明实施例涉及曝光工艺技术领域，具体涉及一种平整度检测方法、装置、找平系统及存储介质。

背景技术

目前的芯片制造过程中，需要在晶圆曝光之前，对承载晶圆的工件承载平台进行表面平整度检测，以避免晶圆曝光后出现曝光散焦等问题；工件承载平台的表面可以划分为多个用于曝光的曝光区域，检测工作平台的表面平整度可通过检测各个曝光区域的平整度实现。

目前主要基于激光感应方式检测曝光区域的平整度，具体通过多支激光发射器向工件承载平台的表面投射激光，从而在工件承载平台的表面形成多个采样点，进而通过感应曝光区域内的采样点的反射光束，以检测曝光区域的平整度；这种方式要求曝光区域内存在的采样点数量达到目标数量，才能较为准确的检测出曝光区域的平整度，而对于采样点数量未达到目标数量的曝光区域，只能采用相邻曝光区域的平整度来替代该曝光区域的平整度，这导致平整度检测结果的准确性较低。

因此，提供一种改进的平整度检测方案，以提升平整度检测结果的准确性，成为了本领域技术人员亟需解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种平整度检测方法、装置、找平系统及存储介质，以提升平整度检测结果的准确性。

为实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：

一种平整度检测方法，包括：

确定已有采样点的数量小于目标数量的第一曝光区域；

从所述第一曝光区域的相邻曝光区域中确定第二曝光区域；所述第一曝光区域与所述第二曝光区域的采样点数量的和，不小于所述目标数量；

从所述第二曝光区域的采样点中，确定为所述第一曝光区域补充的补充采样点；所述补充采样点的数量与所述已有采样点的数量的和，等同于所述目标数量；

根据所述已有采样点和所述补充采样点，检测所述第一曝光区域的平整度。

本发明实施例还提供一种平整度检测装置，包括：

第一曝光区域确定模块，用于确定已有采样点的数量小于目标数量的第一曝光区域；

第二曝光区域确定模块，用于从所述第一曝光区域的相邻曝光区域中确定第二曝光区域；所述第一曝光区域与所述第二曝光区域的采样点数量的和，不小于所述目标数量；

补充采样点确定模块，用于从所述第二曝光区域的采样点中，确定为所述第一曝光区域补充的补充采样点；所述补充采样点的数量与所述已有采样点的数量的和，等同于所述目标数量；

检测执行模块，用于根据所述已有采样点和所述补充采样点，检测所述第一曝光区域的平整度。

本发明实施例还提供一种找平系统，包括：

向工作承载平台的表面投射激光的多个激光发射器；

感应所述工作承载平台表面的曝光区域中采样点对应的反射光束的感应器；

与所述感应器连接的处理芯片；所述处理芯片被配置为执行权利要求1-10任一项所述的平整度检测方法。

本发明实施例还提供一种存储介质，所述存储介质存储一条或多条计算机可执行指令，所述一条或多条计算机可执行指令用于执行上述所述的平整度检测方法。

本发明实施例提供的平整度检测方法可针对已采样点数量小于目标数量的第一曝光区域，实现平整度检测；具体的，针对第一曝光区域，本发明实施例可从所述第一曝光区域的相邻曝光区域中确定第二曝光区域，所述第一曝光区域与所述第二曝光区域的采样点数量的和，不小于所述目标数量；从而，从所述第二曝光区域的采样点中，确定为所述第一曝光区域补充的补充采样点，所述补充采样点的数量与所述已有采样点的数量的和，等同于所述目标数量，即一个第二曝光区域的补充采样点与第一曝光区域的已有采样点相集合后，可得到目标数量的采样点；进而，本发明实施例可根据所述已有采样点和所述补充采样点，检测所述第一曝光区域的平整度。

本发明实施例提供的平整度检测方法可从第一曝光区域的相邻曝光区域的采样点中，为第一曝光区域补充采样点，使得补充采样点后的第一曝光区域能够达到目标数量的采样点，并基于此检测第一曝光区域的平整度；由于第一曝光区域的平整度检测结合了第一曝光区域本身已有的采样点，以及在位置上邻近的相邻曝光区域的采样点，因此本发明实施例提供的平整度检测，能够较为准确的检测第一曝光区域的平整度，相比于直接使用相邻曝光区域的平整度替代第一曝光区域的平整度，本发明实施例可提升第一曝光区域的平整度检测准确性；进而基于本发明实施例的平整度检测结果，进行后续曝光工作，可降低晶圆发生曝光散焦等问题的概率，提升晶圆加工的产品良率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为找平系统的结构示意图；

图2为曝光区域的示例图；

图3为本发明实施例提供的平整度检测方法的流程图；

图4为第一曝光区域与第二曝光区域的示例图；

图5为本发明实施例提供的确定补充采样点的流程图；

图6为确定补充采样点的示例图；

图7为本发明实施例提供的确定补充采样点的另一流程图；

图8为确定补充采样点的另一示例图；

图9为检测第一曝光区域的平整度的流程图；

图10为基准平面的示例图；

图11为本发明实施例与现有技术的效果比对示例图；

图12为本发明实施例提供的平整度检测装置的框图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

找平系统可用于检测工作承载平台的表面平整度，图1示出了找平系统的可选结构示意图，如图1所示，找平系统可以包括：多个激光发射器1，感应器2，处理芯片3；

具体的，在对工件承载平台的表面承载的晶圆进行曝光前，多个激光发射器1可向工作承载平台的表面投射激光，从而在工作承载平台的表面形成多个采样点；

各个采样点反射的反射光束可被感应器2所感应，感应器2所感应的反射光束信息可传递给所连接的处理芯片3；从而由处理芯片3执行平整度检测流程，实现检测工作承载平台的表面平整度。

处理芯片可检测工件承载平台表面的各个曝光区域的平整度，来检测工作承载平台的表面平整度；具体的，在工件承载平台的表面划分多个用于曝光的曝光区域的情况下，对于采样点数量达到目标数量的曝光区域，由于该曝光区域中的采样点数量已足够反映该曝光区域的平整度水平，因此可直接通过该曝光区域的采样点的高度信息，计算该曝光区域的平整度；

而对于采样点数量未达到目标数量的曝光区域，由于该曝光区域中的采样点数量无法反映该曝光区域的平整度水平，因此无法直接通过该曝光区域的采样点的高度信息，来计算该曝光区域的平整度，此时只能考虑其他方式来计算该曝光区域的平整度；目前对于采样点数量未达到目标数量的曝光区域，可在该曝光区域的周围寻找采样点数量达到目标数量的相邻曝光区域，从而使用相邻曝光区域的平整度替代该曝光区域的平整度。

为便于说明，图2示例了工件承载平台的表面划分的多个曝光区域，结合图1和图2所示，在多个激光发射器1向工作承载平台的表面投射激光后，各个曝光区域中激光的投射点可作为是采样点；工件承载平台的表面可通过网格形式划分出多个曝光区域，由于工件承载平台的表面形状一般与晶圆形状类似，因此边缘处的曝光区域(即边缘曝光区域)被网格划分后并不规则，同时受激光发射器的架设角度和位置的影响，边缘曝光区域的采样点数量有可能小于非边缘曝光区域的采样点数量；需要说明的是，一般情况下，激光发射器的数量可设置为与目标数量相一致，在理论上，一个曝光区域内应存在目标数量的采样点，但受激光发射器的架设角度和位置的影响，以及边缘曝光区域的不规则形状影响，边缘曝光区域极可能存在采样点未达到目标数量的情况；

进一步，以图2示例的边缘曝光区域A和非边缘曝光区域B为例，假设目标数量为4(目标数量的具体数值可根据实际情况设定，此处数值仅为示例)，非边缘曝光区域B中存在4个采样点(为便于示例，图2仅示例了边缘曝光区域A和非边缘曝光区域B的采样点，并使用图中的黑点表示采样点)，则基于非边缘曝光区域B中4个采样点的高度信息，可计算出非边缘曝光区域B的平整度；而对于边缘曝光区域A，边缘曝光区域A中仅有2个采样点，无法直接基于边缘曝光区域A的2个采样点，来计算边缘曝光区域A的平整度，此时，需要从边缘曝光区域A的周围确定采样点数量达到4个的相邻曝光区域，从而以该相邻曝光区域的平整度替代边缘曝光区域A的平整度；一般情况下，假设边缘曝光区域A在左边，则取其右边的采样点数量达到目标数量的相邻曝光区域的平整度来替代，假设边缘曝光区域A在右边，则取其左边的采样点数量达到目标数量的相邻曝光区域的平整度来替代。

可见，目前的平整度检测方案，对于采样点数量未达到目标数量的曝光区域，采样其周围相邻的采样点数量达到目标数量的曝光区域的平整度来替代，这种方式在曝光区域的实际平整度与其相邻曝光区域的平整度相差较大时，无疑存在平整度检测结果的准确性较低的问题，从而导致该方式无法适用进行大范围适应，特别是无法适用于边缘曝光区域；同时，如果基于该种方式得到的平整度检测结果来进行后续曝光工作，极可能加大晶圆发生曝光散焦等问题的概率，降低了晶圆加工的产品良率。

基于此，为解决上述问题，本发明实施例提供改进的平整度检测方案，以针对采样点数量未达到目标数量的曝光区域，提升其平整度检测结果的准确性。

在可选实现中，图3示出了本发明实施例提供的平整度检测方法的流程图，该平整度检测方法可由找平系统执行，可选的，在该平整度检测方法配置为程序方法时，具体可由找平系统的处理芯片执行该平整度检测方法；参照图3，本发明实施例提供的平整度检测方法可以包括：

步骤S100、确定已有采样点的数量小于目标数量的第一曝光区域。

在本发明实施例中，为便于说明，第一曝光区域指代：工件承载平台的表面，已有采样点的数量小于目标数量的曝光区域。

在可选实现中，基于感应器感应的采样点的反射光束信息，本发明实施例可确定采样点的位置、高度、反射率等信息，基于预存的各曝光区域的位置范围，本发明实施例可将采样点的位置与各曝光区域的位置范围进行匹配，从而确定出各曝光区域中的采样点。

在确定各曝光区域中的采样点后，基于各曝光区域中的采样点数量，本发明实施例可确定采样点数量小于目标数量的曝光区域(即第一曝光区域)，以及采样点数量不小于目标数量的曝光区域；针对采样点数量不小于目标数量的曝光区域，可直接使用该曝光区域中的采样点的高度，计算该曝光区域的平整度；而对于采样点数量小于目标数量的第一曝光区域，则可使用本发明实施例提供的平整度检测方法来实现检测平整度。

可选的，第一曝光区域一般为工件承载平台的表面的边缘曝光区域。

需要说明的是，第一曝光区域的已有采样点的数量虽然小于目标数量，但应大于0；即本发明实施例适用于曝光区域的已有采样点的数量大于0，而小于目标数量的情况，对于已有采样点的数量为0的曝光区域，本发明实施例并不适用。

步骤S110、从所述第一曝光区域的相邻曝光区域中确定第二曝光区域；所述第一曝光区域与所述第二曝光区域的采样点数量的和，不小于所述目标数量。

由于第一曝光区域本身已具有采样点，本发明实施例考虑借用第一曝光区域周围的相邻曝光区域的采样点，来为第一曝光区域补充采样点，从而使得补充采样点后的第一曝光区域的采样点数量能够达到目标数量，进而为检测第一曝光区域的平整度提供足够数量的采样点支持。

可选的，第一曝光区域的相邻曝光区域可以是与第一曝光区域至少存在邻接点的曝光区域，如第一曝光区域与相邻曝光区域可能是点邻接，也可能是边邻接。

针对第一曝光区域，本发明实施例可确定第一曝光区域的相邻曝光区域，并确定各相邻曝光区域的采样点数量；由于从相邻曝光区域为第一曝光区域补充采样点，是为使得补充采样点后的第一曝光区域的采样点数量能够达到目标数量，因此本发明实施例可从第一曝光区域的相邻曝光区域中确定能够为第一曝光区域补足目标数量采样点的曝光区域，为便于说明，该曝光区域可称为第二曝光区域；即所述第一曝光区域与所述第二曝光区域的采样点数量的和，不小于所述目标数量；

假设目标数量为n，第一曝光区域中已有采样点的数量为m，则本发明实施例可从第一曝光区域的相邻曝光区域中确定采样点数量不小于n-m的第二曝光区域；

示例的，以目标数量为4为例，如图4所示，与第一曝光区域a相邻的曝光区域为b，c和d，其中，第一曝光区域a的已有采样点数量为2，曝光区域b和c的采样点数量均为4，曝光区域d的采样点数量为3，则曝光区域b、c和d均可为第一曝光区域a补足4个采样点，从而曝光区域b、c和d均可视为是本发明实施例所指的第二曝光区域。

步骤S120、从所述第二曝光区域的采样点中，确定为所述第一曝光区域补充的补充采样点；所述补充采样点的数量与所述已有采样点的数量的和，等同于所述目标数量。

在从第一曝光区域的相邻曝光区域中，确定为第一曝光区域补足采样点的第二曝光区域后，本发明实施例可从第二曝光区域的采样点中，确定为第一曝光区域补充的补充采样点，即对于任一个第二曝光区域，该第二曝光区域的补充采样点的数量加上第一曝光区域的已有采样点的数量，可达到目标数量。

假设目标数量为n，第一曝光区域中已有采样点的数量为m，则本发明实施例可从第二曝光区域中确定n-m个采样点作为补充采样点，将该补充采样点补充给第一曝光区域，可使得补充采样点后的第一曝光区域的采样点数量达到目标数量n。可选的，目标数量的具体数值可根据实际情况设定，例如大于或等于3，可选为4，当然，此处的数值仅是示例的，对于目标数量的具体数值，本发明实施例并不设限。

在可选实现中，本发明实施例可从第二曝光区域的采样点中，随机确定m-n个采样点，作为补充采样点；也可以从第二曝光区域的采样点中，选择与第一曝光区域的已有采样点最近的m-n个采样点，作为所述补充采样点。

需要说明的是，如果第二曝光区域的数量为多个，则针对每一个第二曝光区域，本发明实施例均需确定为所述第一曝光区域补充的补充采样点，从而各个第二曝光区域的补充采样点与第一曝光区域的已有采样点可形成多个采样点集合。示例的，结合图4所示，曝光区域b、c和d均为第二曝光区域，则本发明实施例可从曝光区域b中确定2个补充采样点，该2个补充采样点与第一曝光区域a中的已有采样点集合为一个采样点数量为4的采样点集合；同时，本发明实施例可从曝光区域c中确定2个补充采样点，该2个补充采样点与第一曝光区域a中的已有采样点集合为一个采样点数量为4的采样点集合；并且，本发明实施例可从曝光区域d中确定2个补充采样点，该2个补充采样点与第一曝光区域a中的已有采样点集合为一个采样点数量为4的采样点集合；也就是说，基于图4情况而言，本发明实施例可得到采样点数量均为4的3个采样点集合。

步骤S130、根据所述已有采样点和所述补充采样点，检测所述第一曝光区域的平整度。

在可选实现中，一个第二曝光区域的补充采样点和第一曝光区域的已有采样点，可形成一个采样点集合。如果第二曝光区域的数量为多个，则相应形成多个采样点集合，本发明实施例可基于该多个采样点集合，分别计算各采样点集合对应的基准平面的平整度，得到多个基准平面的平整度，从而基于该多个基准平面的平整度，确定第一曝光区域的平整度；如从该多个基准平面的平整度中确定绝对值最大的平整度或者平均平整度，作为第一曝光区域的平整度。如果第二曝光区域的数量为一个，则相应形成一个采样点集合，本发明实施例可基于该采样点集合，计算采样点集合对应的基准平面的平整度，得到第一曝光区域的平整度。

可选的，由于一个采样点集合中的采样点数量为目标数量，则一个采样点集合对应的基准平面的平整度可以认为是，一个采样点集合的目标数量的采样点形成的基准平面的平整度；基准平面的平整度可选表示基准平面在水平、垂直方向的倾斜度，如以X方向表示水平方向，以Y方向表示垂直方向，则基准平面的平整度可表示为基准平面在X方向的倾斜度Rx，和在Y方向的倾斜度Ry。

本发明实施例提供的平整度检测方法可针对已采样点数量小于目标数量的第一曝光区域，实现平整度检测；具体的，针对第一曝光区域，本发明实施例可从所述第一曝光区域的相邻曝光区域中确定第二曝光区域，所述第一曝光区域与所述第二曝光区域的采样点数量的和，不小于所述目标数量；从而，从所述第二曝光区域的采样点中，确定为所述第一曝光区域补充的补充采样点，所述补充采样点的数量与所述已有采样点的数量的和，等同于所述目标数量，即一个第二曝光区域的补充采样点与第一曝光区域的已有采样点相集合后，可得到目标数量的采样点；进而，本发明实施例可根据所述已有采样点和所述补充采样点，检测所述第一曝光区域的平整度。

本发明实施例提供的平整度检测方法可从第一曝光区域的相邻曝光区域的采样点中，为第一曝光区域补充采样点，使得补充采样点后的第一曝光区域能够达到目标数量的采样点，并基于此检测第一曝光区域的平整度；由于第一曝光区域的平整度检测结合了第一曝光区域本身已有的采样点，以及在位置上邻近的相邻曝光区域的采样点，因此本发明实施例提供的平整度检测，能够较为准确的检测第一曝光区域的平整度，相比于直接使用相邻曝光区域的平整度替代第一曝光区域的平整度，本发明实施例可提升第一曝光区域的平整度检测准确性；进而基于本发明实施例的平整度检测结果，进行后续曝光工作，可降低晶圆发生曝光散焦等问题的概率，提升晶圆加工的产品良率。

在可选实现中，无论确定出一个还是多个第二曝光区域，对于任一个第二曝光区域而言，第二曝光区域可能存在采样点数量与第一曝光区域的已有采样点数量的和，大于或等于目标数量的情况；当第二曝光区域的采样点数量与第一曝光区域的已有采样点数量的和，大于目标数量时，本发明实施例需要从第二曝光区域的采样点中确定刚好使得第一曝光区域补足目标数量的补充采样点，此时存在从第二曝光区域的采样点中选择所述补充采样点的情况。

进一步，在一种可选实现中，本发明实施例可随机从第二曝光区域的采样点中，选择所述补充采样点，使得所选择的补充采样点的数量与第一曝光区域中已有采样点的数量的和，等同于目标数量。

进一步，在另一种可选实现中，由于第二曝光区域中越靠近所述已有采样点的采样点，在位置上与所述已有采样点越相关，因此将第二曝光区域中靠近所述已有采样点的采样点，作为所述补充采样点，可使得后续检测的第一曝光区域的平整度更为准确；基于此，图5示出了本发明实施例提供的确定补充采样点的一种可选流程，如图5所示，该流程可以包括：

步骤S200、若所述已有采样点的数量与所述第二曝光区域的采样点数量的和，大于所述目标数量，获取所述第一曝光区域中各采样点的位置信息。

步骤S210、根据所述第二曝光区域中各采样点的位置，与所述已有采样点的位置，从所述第二曝光区域的采样点中确定所述补充采样点。

为确定第二曝光区域中靠近第一曝光区域的已有采样点的采样点，本发明实施例可获取第二曝光区域中各采样点的位置信息。

基于第二曝光区域中各采样点的位置，与第一曝光区域中已有采样点的位置，本发明实施例可分别计算第二曝光区域中的各采样点与所述已有采样点的位置距离，从而基于所计算的位置距离，本发明实施例可从第二曝光区域的采样点中确定为第一曝光区域补充的补充采样点；在可选实现中，本发明实施例可计算第一曝光区域的已有采样点的数量与目标数量的差值，假设该差值为k，则基于所计算的第二曝光区域中的各采样点到已有采样点的位置距离，本发明实施例可从第二曝光区域的采样点中选择位置距离最小的前k个采样点，作为所述补充采样点。

在一种示例中，如图6所示，假设目标数量为4，第一曝光区域a的已有采样点的数量为1，并且采样点以A标识，第二曝光区域为b，c，d，且各第二曝光区域的采样点分别以B，C，D标识，其中，第二曝光区域b和c的采样点数量均为4，第二曝光区域d的采样点数量为3个；以从第二曝光区域b中确定补充采样点为例，则本发明实施例可计算第二曝光区域b中各采样点B与第一曝光区域的已有采样点A的位置距离，从而从第二曝光区域b的采样点中选择位置距离最小的3个采样点作为补充采样点；从第二曝光区域c中确定补充采样点的方式同理实现；对于第二曝光区域d，由于第二曝光区域d的采样点数量与第一曝光区域的已有采样点数量的和正好为4，因此第二曝光区域d的采样点均作为补充采样点。

进一步，需要说明的是，如果第一曝光区域中已有采样点的数量为多个，则在计算第二曝光区域中的采样点与第一曝光区域中已有采样点的位置距离时，针对第二曝光区域中的任一采样点，本发明实施例可该采样点与第一曝光区域中整体已有采样点的位置距离；可选的，图7示出了本发明实施例提供的确定补充采样点的另一种可选流程，如图7所示，该流程可以包括：

步骤S300、针对所述第二曝光区域中的任一采样点，分别计算所述采样点与各所述已有采样点的位置距离，根据所述采样点与各所述已有采样点的位置距离的集合结果，确定所述采样点对应的位置距离。

示例的，如图8所示，假设目标数量为4，第一曝光区域a的已有采样点的数量为2，并且采样点以A1和A2标识，第二曝光区域为b，c，d，其中第二曝光区域b的采样点为4个，以B1，B2，B3和B4标识，则以从第二曝光区域b中确定补充采样点为例：针对第二曝光区域b中的采样点B1，可计算采样点B1分别与第一曝光区域a的采样点A1和A2的位置距离，得到一个位置距离的集合结果(B1A1，B1A2)，相应的，(B1A1，B1A2)可以作为采样点B1对应的位置距离；针对第二曝光区域b中的采样点B2，可计算采样点B2分别与第一曝光区域a的采样点A1和A2的位置距离，得到一个位置距离的集合结果(B2A1，B2A2)，相应的，(B2A1，B2A2)可以作为采样点B2对应的位置距离；针对第二曝光区域b中的采样点B3，可计算采样点B3分别与第一曝光区域a的采样点A1和A2的位置距离，得到一个位置距离的集合结果(B3A1，B3A2)，相应的，(B3A1，B3A2)可以作为采样点B3对应的位置距离；针对第二曝光区域b中的采样点B4，可计算采样点B4分别与第一曝光区域a的采样点A1和A2的位置距离，得到一个位置距离的集合结果(B4A1，B4A2)，相应的，(B4A1，B4A2)可以作为采样点B4对应的位置距离。关于第二曝光区域c和d中任一采样点与第一曝光区域a中各采样点的位置距离，可以上述方式同理确定，此处不再进一步说明。

可以看出，在第一曝光区域的已有采样点的数量为多个时，对于第二曝光区域中的任一采样点，本发明实施例可分别计算该采样点与第一曝光区域中各已有采样点的位置距离，从而得到多个位置距离，该多个位置距离可进行集合，得到该采样点对应的位置距离；从而，针对任一第二曝光区域，第二曝光区域中各个采样点以此处理，则本发明实施例可得到第二曝光区域中各个采样点对应的位置距离。

步骤S310、从所述第二曝光区域的采样点中，确定采样点对应的位置距离最小的前k个补充采样点。

在得到第二曝光区域中各个采样点对应的位置距离后，本发明实施例可将位置距离最小的前k个采样点，作为所述补充采样点。k为第一曝光区域的已有采样点的数量与所述目标数量的差值，目标数量的数值可以根据实际情况设定。

结合图8示例，针对第二曝光区域b，本发明实施例需从第二曝光区域b中确定2个补充采样点，在得到第二曝光区域b的采样点B1对应的位置距离(B1A1，B1A2)，B2对应位置距离(B2A1，B2A2)，B3对应的位置距离(B3A1，B3A2)，B4对应的位置距离(B4A1，B4A2)后，本发明实施例可从采样点B1-B4中确定对应的位置距离最小的2个采样点，作为补充给第一曝光区域的补充采样点；可选的，B1对应的位置距离(B1A1，B1A2)的距离数值可以是B1A1+B1A2，即在可选实现中，对于第二曝光区域的任一采样点，一个采样点的位置距离的集合结果中各位置距离相加，可得到该采样点对应的位置距离。

可选的，在第二曝光区域的数量为多个时，图9示出了本发明实施例提供的根据所述已有采样点和所述补充采样点，检测所述第一曝光区域的平整度的可选流程，参照图9，该流程可以包括：

步骤S400、将各个第二曝光区域的补充采样点分别与所述已有采样点相集合，得到多个采样点集合。

示例的，假设目标数量为4，第一曝光区域a的已有采样点为2个，第二曝光区域为b和c，则第二曝光区域b和c分别确定出2个补充采样点，从而第二曝光区域b的2个补充采样点与第一曝光区域a的已有采样点，形成一个采样点集合，第二曝光区域c的2个补充采样点与第一曝光区域a的已有采样点，形成另一个采样点集合。

步骤S410、根据所述多个采样点集合中的采样点高度，检测所述第一曝光区域的平整度。

针对任一个采样点集合，一个采样点集合中目标数量的采样点可形成一个基准平面，在可选实现中，本发明实施例可分别根据各个采样点集合中的采样点高度，确定各个采样点集合对应的基准平面；从而，本发明实施例可根据各个采样点集合对应的基准平面，确定所述第一曝光区域的平整度，示例的，本发明实施例可通过计算各采样点集合对应的基准平面的平整度，得到多个平整度，从而从该多个平整度中选择绝对值最大的平整度，作为第一曝光区域的平整度。

示例的，如图10所示，以第一曝光区域的已有采样点数量为1，且使用A标识为例，一个第二曝光区域的补充采样点数量为3个，且使用B标识为例，图10示出了补充采样点和已有采样点对应的基准平面的示例，可进行参照。

相比于现有的采用相邻曝光区域的平整度替代第一曝光区域的平整度方式，利用本发明实施例提供的平整度检测方法，可以提升边缘曝光区域的平整度检测准确性，并且使得工作承载平台表面可计算平整度的曝光区域得到提升；在一种示例中，图11示出了本发明实施例提供的平整度检测方案与现有技术的效果比对示例，可进行参照，通过图11可以明显的看出，基于本发明实施例能够提升第一曝光区域的平整度检测结果的准确性，本发明实施例的平整度检测方法可以对已有采样点数量小于目标数量的曝光区域进行平整度检测，可增加可计算平整度的曝光区域的数量，从图11可以看出，该增加的可计算平整度的曝光区域基本为边缘曝光区域，而边缘曝光区域的已有采样点数量一般小于目标数量。

进一步，基于本发明实施例提供的准确性较高的平整度检测结果，本发明实施例可在后续晶圆曝光工作时，降低晶圆出现曝光散焦等问题的概率，从而提升产品的良率。

下面对本发明实施例提供的平整度检测装置进行介绍，下文描述的平整度检测装置可以认为是，为实现本发明实施例提供的平整度检测方法所需设置的功能模块。下文描述的平整度检测装置的内容，可与上文描述的平整度检测方法的内容相互对应参照。

可选的，图12示出了本发明实施例提供的平整度检测装置的框图，参照图12，该平整度检测装置可以包括：

第一曝光区域确定模块100，用于确定已有采样点的数量小于目标数量的第一曝光区域；

第二曝光区域确定模块110，用于从所述第一曝光区域的相邻曝光区域中确定第二曝光区域；所述第一曝光区域与所述第二曝光区域的采样点数量的和，不小于所述目标数量；

补充采样点确定模块120，用于从所述第二曝光区域的采样点中，确定为所述第一曝光区域补充的补充采样点；所述补充采样点的数量与所述已有采样点的数量的和，等同于所述目标数量；

检测执行模块130，用于根据所述已有采样点和所述补充采样点，检测所述第一曝光区域的平整度。

可选的，补充采样点确定模块120，用于从所述第二曝光区域的采样点中，确定为所述第一曝光区域补充的补充采样点，包括：

若所述已有采样点的数量与所述第二曝光区域的采样点数量的和，大于所述目标数量，获取所述第二曝光区域中各采样点的位置信息；

根据所述第二曝光区域中各采样点的位置，与所述已有采样点的位置，从所述第二曝光区域的采样点中确定所述补充采样点。

可选的，补充采样点确定模块120，用于根据所述第二曝光区域中各采样点的位置，与所述已有采样点的位置，从所述第二曝光区域的采样点中确定所述补充采样点，包括：

分别计算所述第二曝光区域中各采样点与所述已有采样点的位置距离；

从所述第二曝光区域的采样点中，确定所述位置距离最小的前k个补充采样点；k为所述已有采样点的数量与所述目标数量的差值。

可选的，若所述已有采样点的数量大于1，则补充采样点确定模块120，用于分别计算所述第二曝光区域中各采样点与所述已有采样点的位置距离，包括：

针对所述第二曝光区域中的任一采样点，分别计算所述采样点与各所述已有采样点的位置距离，根据所述采样点与各所述已有采样点的位置距离的集合结果，确定所述采样点对应的位置距离；

可选的，补充采样点确定模块120，用于从所述第二曝光区域的采样点中，确定所述位置距离最小的前k个补充采样点，包括：

从所述第二曝光区域的采样点中，确定采样点对应的位置距离最小的前k个补充采样点。

可选的，补充采样点确定模块120，用于从所述第二曝光区域的采样点中，确定为所述第一曝光区域补充的补充采样点，包括：

若所述已有采样点的数量与所述第二曝光区域的采样点数量的和，等于所述目标数量，将所述第二曝光区域中的各采样点均确定为所述补充采样点。

可选的，若所述第二曝光区域的数量为多个，则检测执行模块130，用于根据所述已有采样点和所述补充采样点，检测所述第一曝光区域的平整度，包括：

将各个第二曝光区域的补充采样点分别与所述已有采样点相集合，得到多个采样点集合；

根据所述多个采样点集合中的采样点高度，检测所述第一曝光区域的平整度。

可选的，检测执行模块130，用于根据所述多个采样点集合中的采样点高度，检测所述目标区域的平整度，包括：

分别根据各个采样点集合中的采样点高度，确定各个采样点集合对应的基准平面；

根据各个采样点集合对应的基准平面，确定所述第一曝光区域的平整度。

可选的，检测执行模块130，用于根据各个采样点集合对应的基准平面，确定所述第一曝光区域的平整度，包括：

确定各个采样点集合对应的基准平面的平整度；

将所确定的平整度中绝对值最大的平整度，作为所述第一曝光区域的平整度。

可选的，所述相邻曝光区域为与所述第一曝光区域至少存在邻接点的曝光区域。

可选的，所述目标数量可以大于或等于3。

本发明实施例提供的平整度检测装置可对已有采样点数量小于目标数量的第一曝光区域进行平整度检测，且可提升第一曝光区域的平整度检测准确性；进而基于本发明实施例的平整度检测结果，进行后续曝光工作，可降低晶圆发生曝光散焦等问题的概率，提升晶圆加工的产品良率。

在进一步的可选实现中，本发明实施例还提供一种找平系统，该找平系统的结构可以如图1所示，包括：

向工作承载平台的表面投射激光的多个激光发射器；

感应所述工作承载平台表面的曝光区域中采样点对应的反射光束的感应器；

与所述感应器连接的处理芯片；所述处理芯片被配置为执行本发明实施例提供的平整度检测方法。

本发明实施例还提供一种存储介质，该存储介质可存储一条或多条计算机可执行指令，所述一条或多条计算机可执行指令用于执行本发明实施例提供的平整度检测方法。

本发明实施例提供的平整度检测方法的相关内容可参照前文相应部分的描述，此处不再赘述。

上文描述了本发明实施例提供的多个实施例方案，各实施例方案介绍的各可选方式可在不冲突的情况下相互结合、交叉引用，从而延伸出多种可能的实施例方案，这些均可认为是本发明实施例披露、公开的实施例方案。

虽然本发明实施例披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (13)

1.一种平整度检测方法，其特征在于，包括：

确定已有采样点的数量小于目标数量的第一曝光区域；

从所述第一曝光区域的相邻曝光区域中确定第二曝光区域；所述第一曝光区域与所述第二曝光区域的采样点数量的和，不小于所述目标数量；

从所述第二曝光区域的采样点中，确定为所述第一曝光区域补充的补充采样点；所述补充采样点的数量与所述已有采样点的数量的和，等同于所述目标数量；

根据所述已有采样点和所述补充采样点，检测所述第一曝光区域的平整度。

2.根据权利要求1所述的平整度检测方法，其特征在于，所述从所述第二曝光区域的采样点中，确定为所述第一曝光区域补充的补充采样点，包括：

若所述已有采样点的数量与所述第二曝光区域的采样点数量的和，大于所述目标数量，获取所述第二曝光区域中各采样点的位置；

根据所述第二曝光区域中各采样点的位置，与所述已有采样点的位置，从所述第二曝光区域的采样点中确定所述补充采样点。

3.根据权利要求2所述的平整度检测方法，其特征在于，所述根据所述第二曝光区域中各采样点的位置，与所述已有采样点的位置，从所述第二曝光区域确定所述补充采样点包括：

分别计算所述第二曝光区域中各采样点与所述已有采样点的位置距离；

从所述第二曝光区域的采样点中，确定所述位置距离最小的前k个补充采样点；k为所述已有采样点的数量与所述目标数量的差值。

4.根据权利要求3所述的平整度检测方法，其特征在于，若所述已有采样点的数量大于1，所述分别计算所述第二曝光区域中各采样点与所述已有采样点的位置距离包括：

针对所述第二曝光区域中的任一采样点，分别计算所述采样点与各所述已有采样点的位置距离，根据所述采样点与各所述已有采样点的位置距离的集合结果，确定所述采样点对应的位置距离；

所述从所述第二曝光区域的采样点中，确定所述位置距离最小的前k个补充采样点包括：

从所述第二曝光区域的采样点中，确定采样点对应的位置距离最小的前k个补充采样点。

5.根据权利要求1所述的平整度检测方法，其特征在于，所述从所述第二曝光区域的采样点中，确定为所述第一曝光区域补充的补充采样点，包括：

若所述已有采样点的数量与所述第二曝光区域的采样点数量的和，等于所述目标数量，将所述第二曝光区域中的各采样点均确定为所述补充采样点。

6.根据权利要求1-5任一项所述的平整度检测方法，其特征在于，若所述第二曝光区域的数量为多个，所述根据所述已有采样点和所述补充采样点，检测所述第一曝光区域的平整度包括：

将各个第二曝光区域的补充采样点分别与所述已有采样点相集合，得到多个采样点集合；

根据所述多个采样点集合中的采样点高度，检测所述第一曝光区域的平整度。

7.根据权利要求6所述的平整度检测方法，其特征在于，所述根据所述多个采样点集合中的采样点高度，检测所述目标区域的平整度包括：

分别根据各个采样点集合中的采样点高度，确定各个采样点集合对应的基准平面；

根据各个采样点集合对应的基准平面，确定所述第一曝光区域的平整度。

8.根据权利要求7所述的平整度检测方法，其特征在于，所述根据各个采样点集合对应的基准平面，确定所述第一曝光区域的平整度包括：

确定各个采样点集合对应的基准平面的平整度；

将所确定的平整度中绝对值最大的平整度，作为所述第一曝光区域的平整度。

9.根据权利要求1所述的平整度检测方法，其特征在于，所述相邻曝光区域为与所述第一曝光区域至少存在邻接点的曝光区域。

10.根据权利要求1所述的平整度检测方法，其特征在于，所述目标数量大于或等于3。

11.一种平整度检测装置，其特征在于，包括：

第一曝光区域确定模块，用于确定已有采样点的数量小于目标数量的第一曝光区域；

第二曝光区域确定模块，用于从所述第一曝光区域的相邻曝光区域中确定第二曝光区域；所述第一曝光区域与所述第二曝光区域的采样点数量的和，不小于所述目标数量；

补充采样点确定模块，用于从所述第二曝光区域的采样点中，确定为所述第一曝光区域补充的补充采样点；所述补充采样点的数量与所述已有采样点的数量的和，等同于所述目标数量；

检测执行模块，用于根据所述已有采样点和所述补充采样点，检测所述第一曝光区域的平整度。

12.一种找平系统，其特征在于，包括：

向工作承载平台的表面投射激光的多个激光发射器；

感应所述工作承载平台表面的曝光区域中采样点对应的反射光束的感应器；

与所述感应器连接的处理芯片；所述处理芯片被配置为执行权利要求1-10任一项所述的平整度检测方法。

13.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质存储一条或多条计算机可执行指令，所述一条或多条计算机可执行指令用于执行权利要求1-10任一项所述的平整度检测方法。

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