JP2002008960A - ターゲットマーク部材、その製造方法および電子ビーム露光装置 - Google Patents
ターゲットマーク部材、その製造方法および電子ビーム露光装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電子ビーム処理装置において電子ビームの焦
点調整又はビーム形状の測定に用いられる、微細なマー
クを有するターゲットマーク部材を提供する。 【解決手段】 本発明によるターゲットマーク部材１６
０は、金属材料をエピタキシャル成長させて形成した所
定のマークパターンを有する金属マーク部２０２と、金
属マーク部２０２を支持する基材２０４とを備える。金
属マーク部２０２は、金属材料をエピタキシャル成長さ
せることにより形成されるため、金属マーク部２０２の
線幅を、微細に構成することが可能である。また、エピ
タキシャル成長技術を用いることによって、金属マーク
部２０２の線幅を、原子層オーダで制御して形成するこ
とが可能である。本発明によると、電子ビームの走査幅
の間に、基材２０４上に複数のラインマークを有する金
属マーク部２０２を設けることが可能となる。
点調整又はビーム形状の測定に用いられる、微細なマー
クを有するターゲットマーク部材を提供する。 【解決手段】 本発明によるターゲットマーク部材１６
０は、金属材料をエピタキシャル成長させて形成した所
定のマークパターンを有する金属マーク部２０２と、金
属マーク部２０２を支持する基材２０４とを備える。金
属マーク部２０２は、金属材料をエピタキシャル成長さ
せることにより形成されるため、金属マーク部２０２の
線幅を、微細に構成することが可能である。また、エピ
タキシャル成長技術を用いることによって、金属マーク
部２０２の線幅を、原子層オーダで制御して形成するこ
とが可能である。本発明によると、電子ビームの走査幅
の間に、基材２０４上に複数のラインマークを有する金
属マーク部２０２を設けることが可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子ビーム露光装
置などの電子ビーム処理装置において、電子ビームの焦
点（フォーカス）調整又は電子ビームのビーム形状の測
定に用いられるターゲットマーク部材に関し、特に、エ
ピタキシャル成長された微細な線幅を有する金属マーク
部を備えたターゲットマーク部材に関する。
置などの電子ビーム処理装置において、電子ビームの焦
点（フォーカス）調整又は電子ビームのビーム形状の測
定に用いられるターゲットマーク部材に関し、特に、エ
ピタキシャル成長された微細な線幅を有する金属マーク
部を備えたターゲットマーク部材に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子ビーム露光装置を用いて試料（ウェ
ハ）にパターンを露光する際、ウェハ面上で電子ビーム
が持つ電流分布（以下、電子ビーム形状という）を、所
望の形状に設定する必要がある。そのため、露光処理を
行う前に、電子レンズにより形成されるビームの形状を
予め求めておくことが重要である。また、電子ビーム露
光装置においては、電子ビームを試料上に結像するよう
に、焦点合わせを行うことも重要である。
ハ）にパターンを露光する際、ウェハ面上で電子ビーム
が持つ電流分布（以下、電子ビーム形状という）を、所
望の形状に設定する必要がある。そのため、露光処理を
行う前に、電子レンズにより形成されるビームの形状を
予め求めておくことが重要である。また、電子ビーム露
光装置においては、電子ビームを試料上に結像するよう
に、焦点合わせを行うことも重要である。
【０００３】図１は、従来のターゲットマーク部材１７
０を用いて電子ビームの形状測定または焦点合わせを行
う概念図を示す。ターゲットマーク部材１７０は、重金
属材料により形成される金属マーク部１６２と、シリコ
ン（Ｓｉ）などの材料で形成される基材１６４を有す
る。金属マーク部１６２は、スパッタにより基材１６４
に蒸着された重金属膜を、リソグラフィー加工すること
により形成される。従来のターゲットマーク部材１７０
において、金属マーク部１６２は、（Ｘ１−Ｘ０）の線
幅を有して形成されている。
０を用いて電子ビームの形状測定または焦点合わせを行
う概念図を示す。ターゲットマーク部材１７０は、重金
属材料により形成される金属マーク部１６２と、シリコ
ン（Ｓｉ）などの材料で形成される基材１６４を有す
る。金属マーク部１６２は、スパッタにより基材１６４
に蒸着された重金属膜を、リソグラフィー加工すること
により形成される。従来のターゲットマーク部材１７０
において、金属マーク部１６２は、（Ｘ１−Ｘ０）の線
幅を有して形成されている。
【０００４】電子ビーム形状を計測する方法の一つに、
電子ビームで金属マーク部１６２上を二次元走査し、金
属マーク部１６２から反射される反射電子信号を、偏向
回路のビーム走査信号に同期させて記録することによっ
て、偏向位置に対応したビームの二次元分布を求める方
法がある。また、電子ビームの焦点合わせを行う場合、
電子ビームをターゲットマーク部材１７０に対して偏向
走査し、電子ビーム処理装置に設けられた電子検出器に
より、ターゲットマーク部材１７０から反射される電子
量が検出される。この反射電子量の変化に基づいて、電
子ビームの焦点度を計測することにより、電子ビームの
焦点合わせが行われる。
電子ビームで金属マーク部１６２上を二次元走査し、金
属マーク部１６２から反射される反射電子信号を、偏向
回路のビーム走査信号に同期させて記録することによっ
て、偏向位置に対応したビームの二次元分布を求める方
法がある。また、電子ビームの焦点合わせを行う場合、
電子ビームをターゲットマーク部材１７０に対して偏向
走査し、電子ビーム処理装置に設けられた電子検出器に
より、ターゲットマーク部材１７０から反射される電子
量が検出される。この反射電子量の変化に基づいて、電
子ビームの焦点度を計測することにより、電子ビームの
焦点合わせが行われる。
【０００５】図２は、従来のターゲットマーク部材１７
０を用いて電子ビームの焦点合わせを行い、反射電子量
の測定を行った測定結果の一例を示す。図２（ａ）は、
反射電子量の測定プロファイルを示す。金属マーク部１
６２のエッジ近傍（Ｘ０、Ｘ１）で、飛散電子量が、ほ
ぼ最大に近い値を示している。図２（ｂ）は、図２
（ａ）の飛散電子量の測定プロファイルを微分した結果
を示す。金属マーク部１６２のエッジ近傍（Ｘ０、Ｘ
１）で、図２（ａ）の曲線の傾きが極大および極小を示
す。傾きの極大値および極小値の差分は、Ｐと表現され
る。Ｐが大きくなるときには、電子ビームの焦点が合っ
ていることが判断され、逆に、Ｐが小さいときには、電
子ビームの焦点が合っていないことが判断される。ター
ゲットマーク部材１７０は、電子ビームにより複数回走
査され、電子ビーム処理装置の制御系は、検出された複
数のＰの平均値をとることにより、電子光学系の状態の
設定を行う。
０を用いて電子ビームの焦点合わせを行い、反射電子量
の測定を行った測定結果の一例を示す。図２（ａ）は、
反射電子量の測定プロファイルを示す。金属マーク部１
６２のエッジ近傍（Ｘ０、Ｘ１）で、飛散電子量が、ほ
ぼ最大に近い値を示している。図２（ｂ）は、図２
（ａ）の飛散電子量の測定プロファイルを微分した結果
を示す。金属マーク部１６２のエッジ近傍（Ｘ０、Ｘ
１）で、図２（ａ）の曲線の傾きが極大および極小を示
す。傾きの極大値および極小値の差分は、Ｐと表現され
る。Ｐが大きくなるときには、電子ビームの焦点が合っ
ていることが判断され、逆に、Ｐが小さいときには、電
子ビームの焦点が合っていないことが判断される。ター
ゲットマーク部材１７０は、電子ビームにより複数回走
査され、電子ビーム処理装置の制御系は、検出された複
数のＰの平均値をとることにより、電子光学系の状態の
設定を行う。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の金属マーク部１
６２はリソグラフィー加工により形成されるため、その
線幅（Ｘ１−Ｘ０）を、リソグラフィーによる最小加工
寸法より細くすることは困難である。そのため、電子ビ
ーム形状の計測精度は、金属マーク部１６２の線幅に律
則され、金属マーク部１６２の線幅よりも細いビーム形
状を計測することが困難であるという問題があった。ま
た、金属マーク部１６２は、金属材料をスパッタするこ
とにより基材１６４に蒸着されるため、結晶性が悪くト
ラップ準位が形成され、また金属膜内全体でシート抵抗
が下げられず、電子ビーム照射に望ましい条件ではな
い。
６２はリソグラフィー加工により形成されるため、その
線幅（Ｘ１−Ｘ０）を、リソグラフィーによる最小加工
寸法より細くすることは困難である。そのため、電子ビ
ーム形状の計測精度は、金属マーク部１６２の線幅に律
則され、金属マーク部１６２の線幅よりも細いビーム形
状を計測することが困難であるという問題があった。ま
た、金属マーク部１６２は、金属材料をスパッタするこ
とにより基材１６４に蒸着されるため、結晶性が悪くト
ラップ準位が形成され、また金属膜内全体でシート抵抗
が下げられず、電子ビーム照射に望ましい条件ではな
い。
【０００７】また、図２に関連して説明したように、金
属マーク部１６２の線幅が太いために、電子ビームの焦
点度を測定する場合には、電子ビームによりターゲット
マーク部材１７０を複数回走査させる必要があった。そ
のため、従来のターゲットマーク部材１７０を用いる
と、焦点合わせに時間がかかるという問題があった。
属マーク部１６２の線幅が太いために、電子ビームの焦
点度を測定する場合には、電子ビームによりターゲット
マーク部材１７０を複数回走査させる必要があった。そ
のため、従来のターゲットマーク部材１７０を用いる
と、焦点合わせに時間がかかるという問題があった。
【０００８】そこで本発明は、上記課題を解決すること
のできるターゲットマーク部材、及びその製造方法、更
には、当該ターゲットマーク部材を組み込んだ電子ビー
ム処理装置を提供することを目的とする。この目的は特
許請求の範囲における独立項に記載の特徴の組み合わせ
により達成される。また従属項は本発明の更なる有利な
具体例を規定する。
のできるターゲットマーク部材、及びその製造方法、更
には、当該ターゲットマーク部材を組み込んだ電子ビー
ム処理装置を提供することを目的とする。この目的は特
許請求の範囲における独立項に記載の特徴の組み合わせ
により達成される。また従属項は本発明の更なる有利な
具体例を規定する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の第１の形態は、電子ビーム処理装置におい
て、電子ビームの焦点調整又は前記電子ビームのビーム
形状の測定に用いられるターゲットマーク部材であっ
て、金属材料をエピタキシャル成長させて形成した、所
定のマークパターンを有する金属マーク部と、前記金属
マーク部を支持する基材とを備えたことを特徴とするタ
ーゲットマーク部材を提供する。基材は、側壁を有する
溝部を備え、前記金属マーク部は、前記溝部の前記側壁
に選択エピタキシャル成長されて形成されてもよい。前
記金属マーク部の線幅は、０．１μｍ以下であってもよ
い。前記金属材料は、電子ビームの反射率の高い重金属
材料であるのが好ましい。
に、本発明の第１の形態は、電子ビーム処理装置におい
て、電子ビームの焦点調整又は前記電子ビームのビーム
形状の測定に用いられるターゲットマーク部材であっ
て、金属材料をエピタキシャル成長させて形成した、所
定のマークパターンを有する金属マーク部と、前記金属
マーク部を支持する基材とを備えたことを特徴とするタ
ーゲットマーク部材を提供する。基材は、側壁を有する
溝部を備え、前記金属マーク部は、前記溝部の前記側壁
に選択エピタキシャル成長されて形成されてもよい。前
記金属マーク部の線幅は、０．１μｍ以下であってもよ
い。前記金属材料は、電子ビームの反射率の高い重金属
材料であるのが好ましい。
【００１０】また、本発明の第２の形態は、電子ビーム
により、ウェハを露光する電子ビーム露光装置であっ
て、電子ビームを発生する電子銃と、前記ウェハの所定
の領域に対して前記電子ビームの焦点を調整する電子レ
ンズと、前記ウェハを載置するウェハステージとを備
え、前記ウェハステージが、金属材料をエピタキシャル
成長させて形成した所定のマークパターンを有する金属
マーク部と、前記金属マーク部を支持する基材とを有す
る、前記電子レンズによる前記電子ビームの焦点を調整
するために用いられるターゲットマーク部材を有するこ
とを特徴とする電子ビーム露光装置を提供する。前記金
属マーク部の線幅は、０．１μｍ以下であってもよい。
により、ウェハを露光する電子ビーム露光装置であっ
て、電子ビームを発生する電子銃と、前記ウェハの所定
の領域に対して前記電子ビームの焦点を調整する電子レ
ンズと、前記ウェハを載置するウェハステージとを備
え、前記ウェハステージが、金属材料をエピタキシャル
成長させて形成した所定のマークパターンを有する金属
マーク部と、前記金属マーク部を支持する基材とを有す
る、前記電子レンズによる前記電子ビームの焦点を調整
するために用いられるターゲットマーク部材を有するこ
とを特徴とする電子ビーム露光装置を提供する。前記金
属マーク部の線幅は、０．１μｍ以下であってもよい。
【００１１】また、本発明の第３の形態は、電子ビーム
処理装置において、電子ビームの焦点調整又は前記電子
ビームのビーム形状の測定に用いられる、所定のマーク
パターンを有する金属マーク部を備えたターゲットマー
ク部材を製造する方法であって、基材に複数の溝部を形
成する工程と、前記溝部の側壁に金属膜をエピタキシャ
ル成長させ、前記金属マーク部を形成する工程とを備え
ることを特徴とするターゲットマーク部材製造方法を提
供する。
処理装置において、電子ビームの焦点調整又は前記電子
ビームのビーム形状の測定に用いられる、所定のマーク
パターンを有する金属マーク部を備えたターゲットマー
ク部材を製造する方法であって、基材に複数の溝部を形
成する工程と、前記溝部の側壁に金属膜をエピタキシャ
ル成長させ、前記金属マーク部を形成する工程とを備え
ることを特徴とするターゲットマーク部材製造方法を提
供する。
【００１２】また、本発明の第４の形態は、電子ビーム
処理装置において、電子ビームの焦点調整又は前記電子
ビームのビーム形状の測定に用いられる、所定のマーク
パターンを有する金属マーク部を備えたターゲットマー
ク部材を製造する方法であって、基材に、第１材料によ
り第１膜をエピタキシャル成長させる第１工程と、前記
第１膜に、第２材料により第２膜をエピタキシャル成長
させる第２工程と、前記第１工程および前記第２工程と
を複数回繰り返させ、前記第１膜と前記第２膜とを交互
に成長させた膜成長基板を生成する工程と、前記膜成長
基板を劈開させ、前記金属マーク部を形成する工程とを
備えることを特徴とするターゲットマーク部材製造方法
を提供する。
処理装置において、電子ビームの焦点調整又は前記電子
ビームのビーム形状の測定に用いられる、所定のマーク
パターンを有する金属マーク部を備えたターゲットマー
ク部材を製造する方法であって、基材に、第１材料によ
り第１膜をエピタキシャル成長させる第１工程と、前記
第１膜に、第２材料により第２膜をエピタキシャル成長
させる第２工程と、前記第１工程および前記第２工程と
を複数回繰り返させ、前記第１膜と前記第２膜とを交互
に成長させた膜成長基板を生成する工程と、前記膜成長
基板を劈開させ、前記金属マーク部を形成する工程とを
備えることを特徴とするターゲットマーク部材製造方法
を提供する。
【００１３】なお上記の発明の概要は、本発明の必要な
特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群の
サブコンビネーションも又発明となりうる。
特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群の
サブコンビネーションも又発明となりうる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、発明の実施の形態を通じて
本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲
にかかる発明を限定するものではなく、又実施形態の中
で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決
手段に必須であるとは限らない。
本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲
にかかる発明を限定するものではなく、又実施形態の中
で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決
手段に必須であるとは限らない。
【００１５】図３は、本発明の１実施形態に係る電子ビ
ーム露光装置１００の構成図である。電子ビーム露光装
置１００は、電子ビームによりウェハ６４に所定の露光
処理を施すための露光部１５０と、露光部１５０の各構
成の動作を制御する制御系１４０を備える。
ーム露光装置１００の構成図である。電子ビーム露光装
置１００は、電子ビームによりウェハ６４に所定の露光
処理を施すための露光部１５０と、露光部１５０の各構
成の動作を制御する制御系１４０を備える。
【００１６】露光部１５０は、筐体１０内部に、所定の
電子ビームを照射する電子ビーム照射系１１０と、電子
ビーム照射系１１０から照射された電子ビームを偏向す
るとともに、電子ビームのマスク３０近傍における結像
位置を調整するマスク用投影系１１２と、電子ビームの
クロスオーバー像をラウンドアパーチャ部４８近傍に結
像させるための調整レンズ系１１４と、マスク３０を通
過した電子ビームをウェハステージ６２に載置されたウ
ェハ６４の所定の領域に偏向するとともに、ウェハ６４
に転写されるパターンの像の向き及びサイズを調整する
ウェハ用投影系１１６を含む電子光学系を備える。
電子ビームを照射する電子ビーム照射系１１０と、電子
ビーム照射系１１０から照射された電子ビームを偏向す
るとともに、電子ビームのマスク３０近傍における結像
位置を調整するマスク用投影系１１２と、電子ビームの
クロスオーバー像をラウンドアパーチャ部４８近傍に結
像させるための調整レンズ系１１４と、マスク３０を通
過した電子ビームをウェハステージ６２に載置されたウ
ェハ６４の所定の領域に偏向するとともに、ウェハ６４
に転写されるパターンの像の向き及びサイズを調整する
ウェハ用投影系１１６を含む電子光学系を備える。
【００１７】また、露光部１５０は、ウェハ６４に露光
すべきパターンをそれぞれ形成された複数のブロックを
有するマスク３０を載置するマスクステージ７２と、マ
スクステージ７２を駆動するマスクステージ駆動部６８
と、パターンを露光すべきウェハ６４を載置するウェハ
ステージ６２と、ウェハステージ６２を駆動するウェハ
ステージ駆動部７０とを含むステージ系を備える。さら
に、露光部１５０は、電子光学系の調整のために、ウェ
ハステージ６２側から飛散する電子を検出して、飛散し
た電子量に相当する電気信号に変換する電子検出器６０
を有する。ウェハステージ６２は、電子ビームの焦点、
偏向量及び／又はビーム形状を調整するために用いられ
るターゲットマーク部材１６０を有する。
すべきパターンをそれぞれ形成された複数のブロックを
有するマスク３０を載置するマスクステージ７２と、マ
スクステージ７２を駆動するマスクステージ駆動部６８
と、パターンを露光すべきウェハ６４を載置するウェハ
ステージ６２と、ウェハステージ６２を駆動するウェハ
ステージ駆動部７０とを含むステージ系を備える。さら
に、露光部１５０は、電子光学系の調整のために、ウェ
ハステージ６２側から飛散する電子を検出して、飛散し
た電子量に相当する電気信号に変換する電子検出器６０
を有する。ウェハステージ６２は、電子ビームの焦点、
偏向量及び／又はビーム形状を調整するために用いられ
るターゲットマーク部材１６０を有する。
【００１８】電子ビーム照射系１１０は、電子ビームを
発生させる電子銃１２による、クロスオーバーの焦点位
置を定める第１電子レンズ１４と、電子ビームを通過さ
せる矩形形状の開口（スリット）が形成されたスリット
部１６とを有する。電子銃１２は、安定した電子ビーム
を発生するのに所定の時間がかかるので、電子銃１２
は、露光処理期間において常に電子ビームを発生しても
よい。スリットは、マスク３０に形成された所定のパタ
ーンを含むブロックの形状に合わせて形成されるのが好
ましい。図３において、電子ビーム照射系１１０から照
射された電子ビームが、電子光学系により偏向されない
場合の電子ビームの光軸を、一点鎖線Ａで表現する。
発生させる電子銃１２による、クロスオーバーの焦点位
置を定める第１電子レンズ１４と、電子ビームを通過さ
せる矩形形状の開口（スリット）が形成されたスリット
部１６とを有する。電子銃１２は、安定した電子ビーム
を発生するのに所定の時間がかかるので、電子銃１２
は、露光処理期間において常に電子ビームを発生しても
よい。スリットは、マスク３０に形成された所定のパタ
ーンを含むブロックの形状に合わせて形成されるのが好
ましい。図３において、電子ビーム照射系１１０から照
射された電子ビームが、電子光学系により偏向されない
場合の電子ビームの光軸を、一点鎖線Ａで表現する。
【００１９】マスク用投影系１１２は、電子ビームを偏
向するマスク用偏向系としての第１偏向器１８、第２偏
向器２２及び第３偏向器２６と、電子ビームの焦点を調
整するマスク用焦点系としての第２電子レンズ２０、さ
らに、第１ブランキング電極２４を有する。第１偏向器
１８及び第２偏向器２２は、電子ビームをマスク３０上
の所定の領域に照射する偏向を行う。例えば、所定の領
域は、ウェハ６４に転写するパターンを有するブロック
であってよい。電子ビームがパターンを通過することに
より、電子ビームの断面形状は、パターンと同一の形状
になる。所定のパターンが形成されたブロックを通過し
た電子ビームの像をパターン像と定義する。第３偏向器
２６は、第１偏向器１８及び第２偏向器２２を通過した
電子ビームの軌道を光軸Ａに略平行に偏向する。第２電
子レンズ２０は、スリット部１６の開口の像を、マスク
ステージ７２上に載置されるマスク３０上に結像させる
機能を有する。
向するマスク用偏向系としての第１偏向器１８、第２偏
向器２２及び第３偏向器２６と、電子ビームの焦点を調
整するマスク用焦点系としての第２電子レンズ２０、さ
らに、第１ブランキング電極２４を有する。第１偏向器
１８及び第２偏向器２２は、電子ビームをマスク３０上
の所定の領域に照射する偏向を行う。例えば、所定の領
域は、ウェハ６４に転写するパターンを有するブロック
であってよい。電子ビームがパターンを通過することに
より、電子ビームの断面形状は、パターンと同一の形状
になる。所定のパターンが形成されたブロックを通過し
た電子ビームの像をパターン像と定義する。第３偏向器
２６は、第１偏向器１８及び第２偏向器２２を通過した
電子ビームの軌道を光軸Ａに略平行に偏向する。第２電
子レンズ２０は、スリット部１６の開口の像を、マスク
ステージ７２上に載置されるマスク３０上に結像させる
機能を有する。
【００２０】調整レンズ系１１４は、第３電子レンズ２
８と、第４電子レンズ３２とを有する。第３電子レンズ
２８及び第４電子レンズ３２は、電子ビームのウェハ６
４に対する焦点を合わせる。ウェハ用投影系１１６は、
第５電子レンズ４０と、第６電子レンズ４６と、第７電
子レンズ５０と、第８電子レンズ５２と、第９電子レン
ズ６６と、第４偏向器３４と、第５偏向器３８と、第６
偏向器４２と、主偏向器５６と、副偏向器５８と、第２
ブランキング電極３６と、ラウンドアパーチャ部４８と
を有する。
８と、第４電子レンズ３２とを有する。第３電子レンズ
２８及び第４電子レンズ３２は、電子ビームのウェハ６
４に対する焦点を合わせる。ウェハ用投影系１１６は、
第５電子レンズ４０と、第６電子レンズ４６と、第７電
子レンズ５０と、第８電子レンズ５２と、第９電子レン
ズ６６と、第４偏向器３４と、第５偏向器３８と、第６
偏向器４２と、主偏向器５６と、副偏向器５８と、第２
ブランキング電極３６と、ラウンドアパーチャ部４８と
を有する。
【００２１】レンズ強度の設定値に依存してパターン像
は回転する。第５電子レンズ４０は、マスク３０の所定
のブロックを通過した電子ビームのパターン像の回転量
を調整する。第６電子レンズ４６及び第７電子レンズ５
０は、マスク３０に形成されたパターンに対する、ウェ
ハ６４に転写されるパターン像の縮小率を調整する。第
８電子レンズ５２及び第９電子レンズ６６は、対物レン
ズとして機能する。第４偏向器３４及び第６偏向器４２
は、電子ビームの進行方向に対するマスク３０の下流に
おいて、電子ビームを光軸Ａの方向に偏向する。第５偏
向器３８は、電子ビームを光軸Ａに略平行になるように
偏向する。主偏向器５６及び副偏向器５８は、ウェハ６
４上の所定の領域に電子ビームが照射されるように、電
子ビームを偏向する。本実施形態では、主偏向器５６
は、１ショットの電子ビームで照射可能な領域（ショッ
ト領域）を複数含むサブフィールド間で電子ビームを偏
向するために用いられ、副偏向器５８は、サブフィール
ドにおけるショット領域間の偏向のために用いられる。
は回転する。第５電子レンズ４０は、マスク３０の所定
のブロックを通過した電子ビームのパターン像の回転量
を調整する。第６電子レンズ４６及び第７電子レンズ５
０は、マスク３０に形成されたパターンに対する、ウェ
ハ６４に転写されるパターン像の縮小率を調整する。第
８電子レンズ５２及び第９電子レンズ６６は、対物レン
ズとして機能する。第４偏向器３４及び第６偏向器４２
は、電子ビームの進行方向に対するマスク３０の下流に
おいて、電子ビームを光軸Ａの方向に偏向する。第５偏
向器３８は、電子ビームを光軸Ａに略平行になるように
偏向する。主偏向器５６及び副偏向器５８は、ウェハ６
４上の所定の領域に電子ビームが照射されるように、電
子ビームを偏向する。本実施形態では、主偏向器５６
は、１ショットの電子ビームで照射可能な領域（ショッ
ト領域）を複数含むサブフィールド間で電子ビームを偏
向するために用いられ、副偏向器５８は、サブフィール
ドにおけるショット領域間の偏向のために用いられる。
【００２２】ラウンドアパーチャ部４８は、円形の開口
（ラウンドアパーチャ）を有する。第１ブランキング電
極２４および第２ブランキング電極３６は、電子ビーム
を高速に同期してオン／オフすることができ、具体的に
は、電子ビームをラウンドアパーチャの外側に当たるよ
うに偏向する機能を有する。すなわち、第１ブランキン
グ電極２４および第２ブランキング電極３６は、ウェハ
６４上に結像されるパターン像に変位をもたらすことな
く、ウェハ６４上に到達する電子ビームの量を制御する
ことができる。従って、第１ブランキング電極２４およ
び第２ブランキング電極３６は、電子ビームの進行方向
に対してラウンドアパーチャ部４８から下流に電子ビー
ムが進行することを防ぐことができる。電子銃１２は、
露光処理期間において常に電子ビームを照射するので、
第１ブランキング電極２４および第２ブランキング電極
３６は、ウェハ６４に転写するパターンを変更すると
き、更には、パターンを露光するウェハ６４の領域を変
更するときに、ラウンドアパーチャ部４８から下流に電
子ビームが進行しないように電子ビームを偏向すること
が望ましい。
（ラウンドアパーチャ）を有する。第１ブランキング電
極２４および第２ブランキング電極３６は、電子ビーム
を高速に同期してオン／オフすることができ、具体的に
は、電子ビームをラウンドアパーチャの外側に当たるよ
うに偏向する機能を有する。すなわち、第１ブランキン
グ電極２４および第２ブランキング電極３６は、ウェハ
６４上に結像されるパターン像に変位をもたらすことな
く、ウェハ６４上に到達する電子ビームの量を制御する
ことができる。従って、第１ブランキング電極２４およ
び第２ブランキング電極３６は、電子ビームの進行方向
に対してラウンドアパーチャ部４８から下流に電子ビー
ムが進行することを防ぐことができる。電子銃１２は、
露光処理期間において常に電子ビームを照射するので、
第１ブランキング電極２４および第２ブランキング電極
３６は、ウェハ６４に転写するパターンを変更すると
き、更には、パターンを露光するウェハ６４の領域を変
更するときに、ラウンドアパーチャ部４８から下流に電
子ビームが進行しないように電子ビームを偏向すること
が望ましい。
【００２３】制御系１４０は、統括制御部１３０及び個
別制御部１２０を備える。個別制御部１２０は、偏向制
御部８２と、マスクステージ制御部８４と、ショット制
御部８６と、電子レンズ制御部８８と、反射電子処理部
９０と、ウェハステージ制御部９２とを有する。統括制
御部１３０は、例えばワークステーションであって、個
別制御部１２０に含まれる各制御部を統括制御する。偏
向制御部８２は、第１偏向器１８、第２偏向器２２、第
３偏向器２６、第４偏向器３４、第５偏向器３８、第６
偏向器４２、主偏向器５６、及び副偏向器５８を制御す
る。マスクステージ制御部８４は、マスクステージ駆動
部６８を制御して、マスクステージ７２を移動させる。
別制御部１２０を備える。個別制御部１２０は、偏向制
御部８２と、マスクステージ制御部８４と、ショット制
御部８６と、電子レンズ制御部８８と、反射電子処理部
９０と、ウェハステージ制御部９２とを有する。統括制
御部１３０は、例えばワークステーションであって、個
別制御部１２０に含まれる各制御部を統括制御する。偏
向制御部８２は、第１偏向器１８、第２偏向器２２、第
３偏向器２６、第４偏向器３４、第５偏向器３８、第６
偏向器４２、主偏向器５６、及び副偏向器５８を制御す
る。マスクステージ制御部８４は、マスクステージ駆動
部６８を制御して、マスクステージ７２を移動させる。
【００２４】ショット制御部８６は、第１ブランキング
電極２４及び第２ブランキング電極３６を制御する。本
実施形態では、第１ブランキング電極２４及び第２ブラ
ンキング電極３６は、露光時には、電子ビームをウェハ
６４に照射させ、露光時以外には、電子ビームをウェハ
６４に到達させないように制御されるのが望ましい。電
子レンズ制御部８８は、第１電子レンズ１４、第２電子
レンズ２０、第３電子レンズ２８、第４電子レンズ３
２、第５電子レンズ４０、第６電子レンズ４６、第７電
子レンズ５０、第８電子レンズ５２および第９電子レン
ズ６６に供給する電流を制御する。反射電子処理部９０
は、電子検出部６０により検出された電気信号に基づい
て電子量を示すデジタルデータを検出する。
電極２４及び第２ブランキング電極３６を制御する。本
実施形態では、第１ブランキング電極２４及び第２ブラ
ンキング電極３６は、露光時には、電子ビームをウェハ
６４に照射させ、露光時以外には、電子ビームをウェハ
６４に到達させないように制御されるのが望ましい。電
子レンズ制御部８８は、第１電子レンズ１４、第２電子
レンズ２０、第３電子レンズ２８、第４電子レンズ３
２、第５電子レンズ４０、第６電子レンズ４６、第７電
子レンズ５０、第８電子レンズ５２および第９電子レン
ズ６６に供給する電流を制御する。反射電子処理部９０
は、電子検出部６０により検出された電気信号に基づい
て電子量を示すデジタルデータを検出する。
【００２５】ウェハステージ制御部９２は、ウェハステ
ージ駆動部７０によりウェハステージ６２を所定の位置
に移動させる。
ージ駆動部７０によりウェハステージ６２を所定の位置
に移動させる。
【００２６】本実施形態に係る電子ビーム露光装置１０
０の動作について説明する。電子ビーム露光装置１００
は、露光処理を行う前に、電子光学系などの構成を予め
調整する調整処理を行う。以下において、まず、露光処
理前の電子光学系の調整処理について説明する。ウェハ
ステージ６２は、電子ビームの焦点および偏向度などの
調整、及び／又は電子ビームのサイズ測定に用いられる
ターゲットマーク部材１６０を備える。ターゲットマー
ク部材１６０は、ウェハステージ６２上において、ウェ
ハを載置する領域以外の場所に設けられるのが好まし
い。
０の動作について説明する。電子ビーム露光装置１００
は、露光処理を行う前に、電子光学系などの構成を予め
調整する調整処理を行う。以下において、まず、露光処
理前の電子光学系の調整処理について説明する。ウェハ
ステージ６２は、電子ビームの焦点および偏向度などの
調整、及び／又は電子ビームのサイズ測定に用いられる
ターゲットマーク部材１６０を備える。ターゲットマー
ク部材１６０は、ウェハステージ６２上において、ウェ
ハを載置する領域以外の場所に設けられるのが好まし
い。
【００２７】電子ビームの焦点合わせを行うために、ウ
ェハステージ制御部９２が、ウェハステージ駆動部７０
によりウェハステージ６２に設けられた焦点調整用のタ
ーゲットマーク部材１６０を光軸Ａ近傍に移動させる。
本実施形態において、ターゲットマーク部材１６０は、
金属材料をエピタキシャル成長させた微細なマークパタ
ーンを有する金属マーク部を備える。次いで、各レンズ
の焦点位置を所定の位置に調整し、偏向器により電子ビ
ームをターゲットマーク部材１６０の金属マーク部上を
走査させるとともに、電子検出器６０が、ターゲットマ
ーク部材１６０に電子ビームが照射されることにより発
生する反射電子に応じた電気信号を出力し、反射電子処
理部９０が反射電子量を検出し、統括制御部１３０に通
知する。統括制御部１３０は、検出された電子量に基づ
いて、レンズ系の焦点が合っているか否かを判断する。
統括制御部１３０は、反射電子の検出波形の微分値が最
大となるように、各電子レンズに供給する電流を制御す
る。
ェハステージ制御部９２が、ウェハステージ駆動部７０
によりウェハステージ６２に設けられた焦点調整用のタ
ーゲットマーク部材１６０を光軸Ａ近傍に移動させる。
本実施形態において、ターゲットマーク部材１６０は、
金属材料をエピタキシャル成長させた微細なマークパタ
ーンを有する金属マーク部を備える。次いで、各レンズ
の焦点位置を所定の位置に調整し、偏向器により電子ビ
ームをターゲットマーク部材１６０の金属マーク部上を
走査させるとともに、電子検出器６０が、ターゲットマ
ーク部材１６０に電子ビームが照射されることにより発
生する反射電子に応じた電気信号を出力し、反射電子処
理部９０が反射電子量を検出し、統括制御部１３０に通
知する。統括制御部１３０は、検出された電子量に基づ
いて、レンズ系の焦点が合っているか否かを判断する。
統括制御部１３０は、反射電子の検出波形の微分値が最
大となるように、各電子レンズに供給する電流を制御す
る。
【００２８】また、ビーム形状の測定を行うために、ウ
ェハステージ制御部９２が、ウェハステージ駆動部７０
によりウェハステージ６２に設けられたビーム形状測定
用のターゲットマーク部材１６０を光軸Ａ近傍に移動さ
せる。本実施形態において、ビーム形状の測定に用いら
れるターゲットマーク部材１６０は、焦点合わせに用い
られるターゲットマーク部材１６０と同一であってよ
い。金属マーク部の上面は、ウェハ６４面に合わせられ
るのが好ましい。金属マーク部に電子ビームを二次元走
査すると、金属マーク部からビームの分布に比例した電
子が反射される。この反射電子信号を偏向回路のビーム
走査信号に同期させて記録することによって、偏向位置
に対応したビームの二次元分布を得て、ビーム形状が計
測される。
ェハステージ制御部９２が、ウェハステージ駆動部７０
によりウェハステージ６２に設けられたビーム形状測定
用のターゲットマーク部材１６０を光軸Ａ近傍に移動さ
せる。本実施形態において、ビーム形状の測定に用いら
れるターゲットマーク部材１６０は、焦点合わせに用い
られるターゲットマーク部材１６０と同一であってよ
い。金属マーク部の上面は、ウェハ６４面に合わせられ
るのが好ましい。金属マーク部に電子ビームを二次元走
査すると、金属マーク部からビームの分布に比例した電
子が反射される。この反射電子信号を偏向回路のビーム
走査信号に同期させて記録することによって、偏向位置
に対応したビームの二次元分布を得て、ビーム形状が計
測される。
【００２９】例えば、高精度な露光処理を行うために電
子ビーム露光装置１００の座標系をレーザ干渉計などを
基準として構成するとき、電子ビームの偏向座標系とレ
ーザ干渉計を基準とした直交座標系とが厳密に校正され
ていることが必要である。そのため、電子ビームの焦点
合わせを行った後、偏向量を調整（校正）するために、
ウェハステージ制御部９２が、ウェハステージ駆動部７
０によりウェハステージ６２に設けられた偏向量調整用
の所定のマークを形成されたターゲットマーク部材１６
０を光軸Ａ近傍に移動させる。
子ビーム露光装置１００の座標系をレーザ干渉計などを
基準として構成するとき、電子ビームの偏向座標系とレ
ーザ干渉計を基準とした直交座標系とが厳密に校正され
ていることが必要である。そのため、電子ビームの焦点
合わせを行った後、偏向量を調整（校正）するために、
ウェハステージ制御部９２が、ウェハステージ駆動部７
０によりウェハステージ６２に設けられた偏向量調整用
の所定のマークを形成されたターゲットマーク部材１６
０を光軸Ａ近傍に移動させる。
【００３０】偏向器が、電子ビームを、ターゲットマー
ク部材１６０の偏向量調整用マーク上で複数回走査さ
せ、電子検出器６０が、ターゲットマーク部材１６０か
ら反射した反射電子の変化を検出し、統括制御部１３０
に通知する。統括制御部１３０は、反射電子の検出波形
に基づいて、マークのエッジを定め、マーク座標の中心
位置を求めることができる。以上のマーク検出を行うこ
とによって、偏向座標系と直交座標系の校正を実現する
ことができ、偏向器が、ウェハ上の所定の領域に高精度
に電子ビームを照射させることが可能となる。
ク部材１６０の偏向量調整用マーク上で複数回走査さ
せ、電子検出器６０が、ターゲットマーク部材１６０か
ら反射した反射電子の変化を検出し、統括制御部１３０
に通知する。統括制御部１３０は、反射電子の検出波形
に基づいて、マークのエッジを定め、マーク座標の中心
位置を求めることができる。以上のマーク検出を行うこ
とによって、偏向座標系と直交座標系の校正を実現する
ことができ、偏向器が、ウェハ上の所定の領域に高精度
に電子ビームを照射させることが可能となる。
【００３１】次に、電子ビーム露光装置１００が露光処
理を行う際の各構成の動作について説明する。マスクス
テージ７２上には、所定のパターンを形成された複数の
ブロックを有するマスク３０が載置され、マスク３０
は、所定の位置に固定されている。また、ウェハステー
ジ６２上には、露光処理が施されるウェハ６４が載置さ
れている。ウェハステージ制御部９２は、ウェハステー
ジ駆動部７０によりウェハステージ６２を移動させて、
ウェハ６４の露光されるべき領域が光軸Ａ近傍に位置す
るようにする。また、電子銃１２は、露光処理期間にお
いて常に電子ビームを照射するので、露光の開始前にお
いて、スリット部１６の開口を通過した電子ビームがウ
ェハ６４に照射されないように、ショット制御部８６が
第１ブランキング電極２４及び第２ブランキング電極３
６を制御する。マスク用投影系１１２において、電子レ
ンズ２０及び偏向器（１８、２２、２６）は、ウェハ６
４に転写するパターンが形成されたブロックに電子ビー
ムを照射できるように調整される。調整レンズ系１１４
において、電子レンズ（２８、３２）は、電子ビームの
クロスオーバをラウンドアパーチャ部４８にフォーカス
するように調整される。また、ウェハ用投影系１１６に
おいて、電子レンズ（４０、４６、５０、５２、６６）
及び偏向器（３４、３８、４２、５６、５８）は、ウェ
ハ６４の所定の領域にパターン像を転写できるように調
整される。
理を行う際の各構成の動作について説明する。マスクス
テージ７２上には、所定のパターンを形成された複数の
ブロックを有するマスク３０が載置され、マスク３０
は、所定の位置に固定されている。また、ウェハステー
ジ６２上には、露光処理が施されるウェハ６４が載置さ
れている。ウェハステージ制御部９２は、ウェハステー
ジ駆動部７０によりウェハステージ６２を移動させて、
ウェハ６４の露光されるべき領域が光軸Ａ近傍に位置す
るようにする。また、電子銃１２は、露光処理期間にお
いて常に電子ビームを照射するので、露光の開始前にお
いて、スリット部１６の開口を通過した電子ビームがウ
ェハ６４に照射されないように、ショット制御部８６が
第１ブランキング電極２４及び第２ブランキング電極３
６を制御する。マスク用投影系１１２において、電子レ
ンズ２０及び偏向器（１８、２２、２６）は、ウェハ６
４に転写するパターンが形成されたブロックに電子ビー
ムを照射できるように調整される。調整レンズ系１１４
において、電子レンズ（２８、３２）は、電子ビームの
クロスオーバをラウンドアパーチャ部４８にフォーカス
するように調整される。また、ウェハ用投影系１１６に
おいて、電子レンズ（４０、４６、５０、５２、６６）
及び偏向器（３４、３８、４２、５６、５８）は、ウェ
ハ６４の所定の領域にパターン像を転写できるように調
整される。
【００３２】マスク投影系１１２、調整レンズ系１１４
及びウェハ用投影系１１６が調整された後、ショット制
御部８６が、第１ブランキング電極２４及び第２ブラン
キング電極３６による電子ビームの偏向を停止する。こ
れにより、以下に示すように、電子ビームはマスク３０
を介してウェハ６４に照射される。電子銃１２が電子ビ
ームを生成し、第１電子レンズ１４が電子ビームの焦点
位置を調整して、スリット部１６に照射させる。そし
て、第１偏向器１８及び第２偏向器２２がスリット部１
６の開口を通過した電子ビームをマスク３０の転写すべ
きパターンが形成された所定の領域に照射するように偏
向する。スリット部１６の開口を通過した電子ビーム
は、矩形の断面形状を有している。第１偏向器１８及び
第２偏向器２２により偏向された電子ビームは、第３偏
向器２６により光軸Ａと略平行になるように偏向され
る。また、電子ビームは、第２電子レンズ２０により、
マスク３０上の所定の領域にスリット部１６の開口の像
が結像するように調整される。
及びウェハ用投影系１１６が調整された後、ショット制
御部８６が、第１ブランキング電極２４及び第２ブラン
キング電極３６による電子ビームの偏向を停止する。こ
れにより、以下に示すように、電子ビームはマスク３０
を介してウェハ６４に照射される。電子銃１２が電子ビ
ームを生成し、第１電子レンズ１４が電子ビームの焦点
位置を調整して、スリット部１６に照射させる。そし
て、第１偏向器１８及び第２偏向器２２がスリット部１
６の開口を通過した電子ビームをマスク３０の転写すべ
きパターンが形成された所定の領域に照射するように偏
向する。スリット部１６の開口を通過した電子ビーム
は、矩形の断面形状を有している。第１偏向器１８及び
第２偏向器２２により偏向された電子ビームは、第３偏
向器２６により光軸Ａと略平行になるように偏向され
る。また、電子ビームは、第２電子レンズ２０により、
マスク３０上の所定の領域にスリット部１６の開口の像
が結像するように調整される。
【００３３】そして、マスク３０に形成されたパターン
を通過した電子ビームは、第４偏向器３４及び第６偏向
器４２により光軸Ａに近づく方向に偏向され、第５偏向
器３８により、光軸Ａと略平行になるように偏向され
る。また、電子ビームは、第３電子レンズ２８及び第４
電子レンズ３２により、マスク３０に形成されたパター
ンの像がウェハ６４の表面に焦点が合うように調整さ
れ、第５電子レンズ４０によりパターン像の回転量が調
整され、第６電子レンズ４６及び第７電子レンズ５０に
より、パターン像の縮小率が調整される。それから、電
子ビームは、主偏向器５６及び副偏向器５８により、ウ
ェハ６４上の所定のショット領域に照射されるように偏
向される。本実施形態では、主偏向器５６が、ショット
領域を複数含むサブフィールド間で電子ビームを偏向
し、副偏向器５８が、サブフィールドにおけるショット
領域間で電子ビームを偏向する。所定のショット領域に
偏向された電子ビームは、電子レンズ５２及び電子レン
ズ６６によって調整されて、ウェハ６４に照射される。
これによって、ウェハ６４上の所定のショット領域に
は、マスク３０に形成されたパターンの像が転写され
る。
を通過した電子ビームは、第４偏向器３４及び第６偏向
器４２により光軸Ａに近づく方向に偏向され、第５偏向
器３８により、光軸Ａと略平行になるように偏向され
る。また、電子ビームは、第３電子レンズ２８及び第４
電子レンズ３２により、マスク３０に形成されたパター
ンの像がウェハ６４の表面に焦点が合うように調整さ
れ、第５電子レンズ４０によりパターン像の回転量が調
整され、第６電子レンズ４６及び第７電子レンズ５０に
より、パターン像の縮小率が調整される。それから、電
子ビームは、主偏向器５６及び副偏向器５８により、ウ
ェハ６４上の所定のショット領域に照射されるように偏
向される。本実施形態では、主偏向器５６が、ショット
領域を複数含むサブフィールド間で電子ビームを偏向
し、副偏向器５８が、サブフィールドにおけるショット
領域間で電子ビームを偏向する。所定のショット領域に
偏向された電子ビームは、電子レンズ５２及び電子レン
ズ６６によって調整されて、ウェハ６４に照射される。
これによって、ウェハ６４上の所定のショット領域に
は、マスク３０に形成されたパターンの像が転写され
る。
【００３４】所定の露光時間が経過した後、ショット制
御部８６が、電子ビームがウェハ６４を照射しないよう
に、第１ブランキング電極２４及び第２ブランキング電
極３６を制御して、電子ビームを偏向させる。以上のプ
ロセスにより、ウェハ６４上の所定のショット領域に、
マスク３０に形成されたパターンが露光される。次のシ
ョット領域に、マスク３０に形成されたパターンを露光
するために、マスク用投影系１１２において、電子レン
ズ２０及び偏向器（１８、２２、２６）は、ウェハ６４
に転写するパターンを有するブロックに電子ビームを照
射できるように調整される。調整レンズ系１１４におい
て、電子レンズ（２８、３２）は、電子ビームのクロス
オーバをラウンドアパーチャ部４８に対して焦点が合う
ように調整される。また、ウェハ用投影系１１６におい
て、電子レンズ（４０、４６、５０、５２、６６）及び
偏向器（３４、３８、４２、５６、５８）は、ウェハ６
４の所定の領域にパターン像を転写できるように調整さ
れる。
御部８６が、電子ビームがウェハ６４を照射しないよう
に、第１ブランキング電極２４及び第２ブランキング電
極３６を制御して、電子ビームを偏向させる。以上のプ
ロセスにより、ウェハ６４上の所定のショット領域に、
マスク３０に形成されたパターンが露光される。次のシ
ョット領域に、マスク３０に形成されたパターンを露光
するために、マスク用投影系１１２において、電子レン
ズ２０及び偏向器（１８、２２、２６）は、ウェハ６４
に転写するパターンを有するブロックに電子ビームを照
射できるように調整される。調整レンズ系１１４におい
て、電子レンズ（２８、３２）は、電子ビームのクロス
オーバをラウンドアパーチャ部４８に対して焦点が合う
ように調整される。また、ウェハ用投影系１１６におい
て、電子レンズ（４０、４６、５０、５２、６６）及び
偏向器（３４、３８、４２、５６、５８）は、ウェハ６
４の所定の領域にパターン像を転写できるように調整さ
れる。
【００３５】具体的には、副偏向器５８は、マスク用投
影系１１２により生成されたパターン像が、次のショッ
ト領域に露光されるように電界を調整する。この後、上
記と同様に当該ショット領域にパターンを露光する。サ
ブフィールド内の露光すべきショット領域のすべてにパ
ターンを露光した後に、主偏向器５６は、次のサブフィ
ールドにパターンを露光できるように磁界を調整する。
電子ビーム露光装置１００は、この露光処理を、繰り返
し実行することによって、所望の回路パターンを、ウェ
ハ６４に露光することができる。
影系１１２により生成されたパターン像が、次のショッ
ト領域に露光されるように電界を調整する。この後、上
記と同様に当該ショット領域にパターンを露光する。サ
ブフィールド内の露光すべきショット領域のすべてにパ
ターンを露光した後に、主偏向器５６は、次のサブフィ
ールドにパターンを露光できるように磁界を調整する。
電子ビーム露光装置１００は、この露光処理を、繰り返
し実行することによって、所望の回路パターンを、ウェ
ハ６４に露光することができる。
【００３６】図４は、本発明の一実施形態によるターゲ
ットマーク部材１６０を用いて電子ビームの形状測定ま
たは焦点合わせを行う概念図を示す。本実施形態による
ターゲットマーク部材１６０は、電子ビーム露光装置１
００などの電子ビーム処理装置において、電子ビームの
形状測定または焦点調整のために用いられるのが好まし
い。ターゲットマーク部材１６０は、金属材料をエピタ
キシャル成長させて形成した所定のマークパターンを有
する金属マーク部２０２と、金属マーク部２０２を支持
する基材２０４とを備える。特に、ターゲットマーク部
材１６０を電子ビーム形状の測定または焦点調整のため
に用いる場合、金属マーク部２０２は、電子ビームの反
射率が高いタングステン（Ｗ）などの重金属材料を用い
て形成されることが好ましい。
ットマーク部材１６０を用いて電子ビームの形状測定ま
たは焦点合わせを行う概念図を示す。本実施形態による
ターゲットマーク部材１６０は、電子ビーム露光装置１
００などの電子ビーム処理装置において、電子ビームの
形状測定または焦点調整のために用いられるのが好まし
い。ターゲットマーク部材１６０は、金属材料をエピタ
キシャル成長させて形成した所定のマークパターンを有
する金属マーク部２０２と、金属マーク部２０２を支持
する基材２０４とを備える。特に、ターゲットマーク部
材１６０を電子ビーム形状の測定または焦点調整のため
に用いる場合、金属マーク部２０２は、電子ビームの反
射率が高いタングステン（Ｗ）などの重金属材料を用い
て形成されることが好ましい。
【００３７】本実施形態における金属マーク部２０２
は、金属材料をエピタキシャル成長させることにより形
成されるため、金属マーク部２０２の線幅は、従来のタ
ーゲットマーク部材１７０における金属マーク部１６２
の線幅よりも、微細に構成されることが可能である。ま
た、エピタキシャル成長技術を用いることによって、金
属マーク部２０２の線幅を、原子層オーダで制御して形
成することが可能である。金属マーク部２０２の線幅
は、０．１５μｍ以下に形成されることが好ましく、ま
たは０．１μｍ以下に形成されることが好ましく、更に
は０．０１μm以下に形成されることが好ましい。金属
マーク部２０２の線幅を電子ビーム形状よりも微細にす
ることによって、電子ビーム形状を正確に測定すること
が可能となる。
は、金属材料をエピタキシャル成長させることにより形
成されるため、金属マーク部２０２の線幅は、従来のタ
ーゲットマーク部材１７０における金属マーク部１６２
の線幅よりも、微細に構成されることが可能である。ま
た、エピタキシャル成長技術を用いることによって、金
属マーク部２０２の線幅を、原子層オーダで制御して形
成することが可能である。金属マーク部２０２の線幅
は、０．１５μｍ以下に形成されることが好ましく、ま
たは０．１μｍ以下に形成されることが好ましく、更に
は０．０１μm以下に形成されることが好ましい。金属
マーク部２０２の線幅を電子ビーム形状よりも微細にす
ることによって、電子ビーム形状を正確に測定すること
が可能となる。
【００３８】本実施形態によると、電子ビームの走査幅
の間に、基材２０４上に複数のラインマークを有する金
属マーク部２０２を設けることが可能となる。また、金
属マーク部２０２は結晶性を有するために、従来の金属
マーク部１６２よりも低い抵抗を有する。そのため、金
属マーク部２０２は電子ビームを照射されても、金属マ
ーク部１６２よりもチャージ（帯電）されにくい特徴を
有する。
の間に、基材２０４上に複数のラインマークを有する金
属マーク部２０２を設けることが可能となる。また、金
属マーク部２０２は結晶性を有するために、従来の金属
マーク部１６２よりも低い抵抗を有する。そのため、金
属マーク部２０２は電子ビームを照射されても、金属マ
ーク部１６２よりもチャージ（帯電）されにくい特徴を
有する。
【００３９】図５は、図４に示されるように、本発明に
よるターゲットマーク部材１６０を用いて、金属マーク
部２０２から飛散された電子量の測定を行った測定結果
の一例を示す。図５（ａ）は、飛散電子量の測定プロフ
ァイルを示す。金属マーク部２０２のエッジ近傍（Ｙ０
〜Ｙ９）で、飛散電子量が、ほぼ最大に近い値を示して
いる。図５（ｂ）は、図５（ａ）の飛散電子量の測定プ
ロファイルを微分した結果を示す。金属マーク部２０２
のエッジ近傍（Ｙ０〜Ｙ９）で、図５（ａ）の曲線の傾
きが極大および極小を示す。傾きの極大値および極小値
の差分は、Ｐ（ｎ）と表現される。図５（ｂ）に示され
るように、本発明によるターゲット部材１６０を用いる
と、５つの差分Ｐ（１）〜Ｐ（５）を得ることが可能と
なる。
よるターゲットマーク部材１６０を用いて、金属マーク
部２０２から飛散された電子量の測定を行った測定結果
の一例を示す。図５（ａ）は、飛散電子量の測定プロフ
ァイルを示す。金属マーク部２０２のエッジ近傍（Ｙ０
〜Ｙ９）で、飛散電子量が、ほぼ最大に近い値を示して
いる。図５（ｂ）は、図５（ａ）の飛散電子量の測定プ
ロファイルを微分した結果を示す。金属マーク部２０２
のエッジ近傍（Ｙ０〜Ｙ９）で、図５（ａ）の曲線の傾
きが極大および極小を示す。傾きの極大値および極小値
の差分は、Ｐ（ｎ）と表現される。図５（ｂ）に示され
るように、本発明によるターゲット部材１６０を用いる
と、５つの差分Ｐ（１）〜Ｐ（５）を得ることが可能と
なる。
【００４０】図２に示されるように、従来のターゲット
マーク部材１７０を用いて焦点合わせを行った場合、一
回のビーム走査により、一つの差分値Ｐしか得ることが
できなかった。そのため、従来では、ターゲットマーク
部材１７０を複数回ビーム走査することによって得られ
た差分値Ｐを平均化して、焦点合わせを行っていた。し
かし、本発明によるターゲットマーク部材１６０を用い
て焦点合わせを行うと、一回のビーム走査で、複数の差
分値Ｐ（１）〜Ｐ（５）を得ることができるため、これ
らの差分値を平均化して焦点合わせを行うことが可能と
なり、焦点合わせのためのビーム走査回数を低減するこ
とができる。その結果、焦点合わせにかかる時間を短縮
することが可能となる。
マーク部材１７０を用いて焦点合わせを行った場合、一
回のビーム走査により、一つの差分値Ｐしか得ることが
できなかった。そのため、従来では、ターゲットマーク
部材１７０を複数回ビーム走査することによって得られ
た差分値Ｐを平均化して、焦点合わせを行っていた。し
かし、本発明によるターゲットマーク部材１６０を用い
て焦点合わせを行うと、一回のビーム走査で、複数の差
分値Ｐ（１）〜Ｐ（５）を得ることができるため、これ
らの差分値を平均化して焦点合わせを行うことが可能と
なり、焦点合わせのためのビーム走査回数を低減するこ
とができる。その結果、焦点合わせにかかる時間を短縮
することが可能となる。
【００４１】図６は、電子ビーム露光装置などの電子ビ
ーム処理装置において電子ビームの焦点調整又は電子ビ
ームの形状測定に用いられる、所定のマークパターンを
有する金属マーク部２０２を備えたターゲットマーク部
材１６０を製造する方法の一実施形態を示す。まず、図
６（ａ）に示されるように、基材２０４を用意する。例
えば、基材２０４は、シリコン（Ｓｉ）であってよい。
それから、フォトレジストを塗布し、形成する金属マー
ク部２０２のパターンに基づいて、基材２０４の所定の
領域を露光し、現像して、エッチングする。その結果、
図６（ｂ）に示されるように、基材２０４に複数の溝部
２１０が形成される。溝部２１０は、基材２０４中に、
一定の間隔で形成されるのが好ましい。
ーム処理装置において電子ビームの焦点調整又は電子ビ
ームの形状測定に用いられる、所定のマークパターンを
有する金属マーク部２０２を備えたターゲットマーク部
材１６０を製造する方法の一実施形態を示す。まず、図
６（ａ）に示されるように、基材２０４を用意する。例
えば、基材２０４は、シリコン（Ｓｉ）であってよい。
それから、フォトレジストを塗布し、形成する金属マー
ク部２０２のパターンに基づいて、基材２０４の所定の
領域を露光し、現像して、エッチングする。その結果、
図６（ｂ）に示されるように、基材２０４に複数の溝部
２１０が形成される。溝部２１０は、基材２０４中に、
一定の間隔で形成されるのが好ましい。
【００４２】それから、図６（ｃ）に示されるように、
溝部２１０の側壁に金属材料をエピタキシャル成長さ
せ、金属マーク部２０２を形成する。金属材料は、タン
グステン（Ｗ）などの電子ビームの反射率が高い重金属
材料であり、且つ、基材２０４に対して選択的に成長さ
せることができる材料であるのが好ましい。例えば、溝
部２１０の底部をＳｉＯ2などの金属材料を成長させな
い材料で覆うことによって、金属膜を、溝部２１０の側
壁に選択的に成長させることが好ましい。本実施形態に
よると、金属マーク部２０２を、金属材料をエピタキシ
ャル成長させることによって形成するため、金属マーク
部２０２の厚さ（線幅）を所望に制御することが可能と
なる。ターゲットマーク部材１６０がビームの焦点調整
に利用されるとき、金属マーク部２０２のラインマーク
は、側壁から同じ高さ（厚さ）を有し、且つ互いに等間
隔に配置されるように形成されるのが好ましい。この例
においては、金属マーク部２０２が、溝部２１０の一方
の側壁にのみ形成されているが、別の実施例において
は、両方の側壁に形成されてもよい。この別の実施例に
おいても同様に、金属マーク部２０２のラインマーク
は、側壁から同じ高さ（厚さ）を有し、且つ互いに等間
隔に配置されるように形成されるのが好ましい。
溝部２１０の側壁に金属材料をエピタキシャル成長さ
せ、金属マーク部２０２を形成する。金属材料は、タン
グステン（Ｗ）などの電子ビームの反射率が高い重金属
材料であり、且つ、基材２０４に対して選択的に成長さ
せることができる材料であるのが好ましい。例えば、溝
部２１０の底部をＳｉＯ2などの金属材料を成長させな
い材料で覆うことによって、金属膜を、溝部２１０の側
壁に選択的に成長させることが好ましい。本実施形態に
よると、金属マーク部２０２を、金属材料をエピタキシ
ャル成長させることによって形成するため、金属マーク
部２０２の厚さ（線幅）を所望に制御することが可能と
なる。ターゲットマーク部材１６０がビームの焦点調整
に利用されるとき、金属マーク部２０２のラインマーク
は、側壁から同じ高さ（厚さ）を有し、且つ互いに等間
隔に配置されるように形成されるのが好ましい。この例
においては、金属マーク部２０２が、溝部２１０の一方
の側壁にのみ形成されているが、別の実施例において
は、両方の側壁に形成されてもよい。この別の実施例に
おいても同様に、金属マーク部２０２のラインマーク
は、側壁から同じ高さ（厚さ）を有し、且つ互いに等間
隔に配置されるように形成されるのが好ましい。
【００４３】図７は、電子ビーム処理装置において電子
ビームの焦点調整又は電子ビームの形状測定に用いられ
る、所定のマークパターンを有する金属マーク部を備え
たターゲットマーク部材１６０を製造する方法の別の実
施形態を示す。まず、図７（ａ）に示されるように、シ
リコンなどの基材２０４を用意する。それから、図７
（ｂ）に示されるように、基材２０４に、第１材料によ
り第１膜２１２をエピタキシャル成長させる第１工程を
行う。ここで、第１材料は、電子ビームの反射率が高い
金属材料であるのが好ましく、さらに、タングステン
（Ｗ）などの重金属材料であるのが好ましい。それか
ら、第１膜２１２に、第２材料により第２膜２１４をエ
ピタキシャル成長させる第２工程を行う。第２材料は、
第１材料とは反射率の異なる材料であることが好まし
く、例えば基材２０４と同一のシリコンなどの材料であ
ってもよい。
ビームの焦点調整又は電子ビームの形状測定に用いられ
る、所定のマークパターンを有する金属マーク部を備え
たターゲットマーク部材１６０を製造する方法の別の実
施形態を示す。まず、図７（ａ）に示されるように、シ
リコンなどの基材２０４を用意する。それから、図７
（ｂ）に示されるように、基材２０４に、第１材料によ
り第１膜２１２をエピタキシャル成長させる第１工程を
行う。ここで、第１材料は、電子ビームの反射率が高い
金属材料であるのが好ましく、さらに、タングステン
（Ｗ）などの重金属材料であるのが好ましい。それか
ら、第１膜２１２に、第２材料により第２膜２１４をエ
ピタキシャル成長させる第２工程を行う。第２材料は、
第１材料とは反射率の異なる材料であることが好まし
く、例えば基材２０４と同一のシリコンなどの材料であ
ってもよい。
【００４４】この第１工程および第２工程とを複数回繰
り返して、第１膜２１２と第２膜２１４とを交互に成長
させた膜成長基板２２０を生成する。本実施形態におい
ては、第１工程と第２工程をそれぞれ５回ずつ繰り返し
ている。繰り返しの回数は、最下層の第１膜２１２と最
上層の第１膜２１２との間隔が、電子ビーム露光装置１
００における電子ビームの走査幅内に収まるように定め
られることが好ましい。また、エピタキシャル成長させ
る第１膜２１２の厚さは、繰り返される第１工程におい
てそれぞれ同一となるように形成されるのが好ましく、
同様に、第２膜２１４の厚さは、繰り返される第２工程
においてそれぞれ同一となるように形成されるのが好ま
しい。第１膜２１２同士の膜厚、および第２膜２１４同
士の膜厚をそれぞれ均一に制御することによって、複数
の第１膜２１２を、等間隔に形成することが可能とな
る。別の例においては、第１膜２１２を、異なる間隔で
形成してもよい。また、電子ビーム露光装置１００に配
置されたときに、電子ビームの走査幅内にできるだけ多
くのラインマークが存在するようにするために、第１膜
２１２および第２膜２１４の膜厚は、できるだけ薄く形
成されることが好ましい。
り返して、第１膜２１２と第２膜２１４とを交互に成長
させた膜成長基板２２０を生成する。本実施形態におい
ては、第１工程と第２工程をそれぞれ５回ずつ繰り返し
ている。繰り返しの回数は、最下層の第１膜２１２と最
上層の第１膜２１２との間隔が、電子ビーム露光装置１
００における電子ビームの走査幅内に収まるように定め
られることが好ましい。また、エピタキシャル成長させ
る第１膜２１２の厚さは、繰り返される第１工程におい
てそれぞれ同一となるように形成されるのが好ましく、
同様に、第２膜２１４の厚さは、繰り返される第２工程
においてそれぞれ同一となるように形成されるのが好ま
しい。第１膜２１２同士の膜厚、および第２膜２１４同
士の膜厚をそれぞれ均一に制御することによって、複数
の第１膜２１２を、等間隔に形成することが可能とな
る。別の例においては、第１膜２１２を、異なる間隔で
形成してもよい。また、電子ビーム露光装置１００に配
置されたときに、電子ビームの走査幅内にできるだけ多
くのラインマークが存在するようにするために、第１膜
２１２および第２膜２１４の膜厚は、できるだけ薄く形
成されることが好ましい。
【００４５】それから、図７（ｃ）のラインＡ−Ａ’に
沿って、図７（ｄ）に示されるように、膜成長基板２２
０を劈開させ、金属マーク部２０２を形成する。本実施
形態においては、膜成長基板２２０の劈開面に現れる複
数の第１膜２１２を、所定のマークパターンを有する金
属マーク部２０２として利用し、劈開した膜成長基板２
２０を、ターゲットマーク部材として利用する。また、
図７（ｅ）に示されるように、金属マーク部２０２の電
子ビーム反射率を上げるために、劈開面に垂直な方向に
第２膜２１４を選択エッチングし、金属マーク部２０２
を浮き上がらせるのが好ましい。
沿って、図７（ｄ）に示されるように、膜成長基板２２
０を劈開させ、金属マーク部２０２を形成する。本実施
形態においては、膜成長基板２２０の劈開面に現れる複
数の第１膜２１２を、所定のマークパターンを有する金
属マーク部２０２として利用し、劈開した膜成長基板２
２０を、ターゲットマーク部材として利用する。また、
図７（ｅ）に示されるように、金属マーク部２０２の電
子ビーム反射率を上げるために、劈開面に垂直な方向に
第２膜２１４を選択エッチングし、金属マーク部２０２
を浮き上がらせるのが好ましい。
【００４６】以上、本実施形態によるターゲットマーク
部材１６０について、電子ビーム露光装置１００に関連
して説明したが、別の実施形態においては、他の電子ビ
ーム処理装置、例えば、電子顕微鏡、電子ビーム試験装
置、および電子ビーム測長器などにおいても、ターゲッ
トマーク部材１６０を利用することが可能である。
部材１６０について、電子ビーム露光装置１００に関連
して説明したが、別の実施形態においては、他の電子ビ
ーム処理装置、例えば、電子顕微鏡、電子ビーム試験装
置、および電子ビーム測長器などにおいても、ターゲッ
トマーク部材１６０を利用することが可能である。
【００４７】上記説明から明らかなように、本発明によ
れば、微細な線幅を有するターゲットマーク部材を提供
することができる。以上、本発明を実施の形態を用いて
説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記
載の範囲には限定されない。上記実施形態に、多様な変
更又は改良を加えることができることが当業者に明らか
である。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の
技術的範囲に含まれることが、特許請求の範囲の記載か
ら明らかである。
れば、微細な線幅を有するターゲットマーク部材を提供
することができる。以上、本発明を実施の形態を用いて
説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記
載の範囲には限定されない。上記実施形態に、多様な変
更又は改良を加えることができることが当業者に明らか
である。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の
技術的範囲に含まれることが、特許請求の範囲の記載か
ら明らかである。
【００４８】
【発明の効果】本発明によると、微細な線幅を有する金
属マーク部２０２を備えたターゲットマーク部材を提供
することが可能となる。
属マーク部２０２を備えたターゲットマーク部材を提供
することが可能となる。
【図１】従来のターゲットマーク部材１７０を用いて電
子ビームの形状測定または焦点合わせを行う概念図を示
す。
子ビームの形状測定または焦点合わせを行う概念図を示
す。
【図２】従来のターゲットマーク部材１７０を用いて、
飛散された電子量の測定を行った測定結果の一例を示
す。
飛散された電子量の測定を行った測定結果の一例を示
す。
【図３】本発明の１実施形態に係る電子ビーム露光装置
１００の構成図である。
１００の構成図である。
【図４】本発明の一実施形態によるターゲットマーク部
材１６０を用いて電子ビームの焦点合わせを行う概念図
を示す。
材１６０を用いて電子ビームの焦点合わせを行う概念図
を示す。
【図５】本発明によるターゲットマーク部材１６０を用
いて、飛散された電子量の測定を行った測定結果の一例
を示す。
いて、飛散された電子量の測定を行った測定結果の一例
を示す。
【図６】電子ビーム露光装置などの電子ビーム処理装置
において電子ビームの焦点を調整するために用いられ
る、所定のマークパターンを有する金属マーク部２０２
を備えたターゲットマーク部材１６０を製造する方法の
一実施形態を示す。
において電子ビームの焦点を調整するために用いられ
る、所定のマークパターンを有する金属マーク部２０２
を備えたターゲットマーク部材１６０を製造する方法の
一実施形態を示す。
【図７】電子ビーム処理装置において電子ビームの焦点
を調整するために用いられる、所定のマークパターンを
有する金属マーク部を備えたターゲットマーク部材１６
０を製造する方法の別の実施形態を示す。
を調整するために用いられる、所定のマークパターンを
有する金属マーク部を備えたターゲットマーク部材１６
０を製造する方法の別の実施形態を示す。
１０・・・筐体、１２・・・電子銃、１４・・・第１電
子レンズ、１６・・・スリット部、１８・・・第１偏向
器、２０・・・第２電子レンズ、２２・・・第２偏向
器、２４・・・第１ブランキング偏向器、２６・・・第
３偏向器、２８・・・第３電子レンズ、３０・・・マス
ク、３２・・・第４電子レンズ、３４・・・第４偏向
器、３６・・・第２ブランキング偏向器、３８・・・第
５偏向器、４０・・・第５電子レンズ、４２・・・第６
偏向器、４６・・・第６電子レンズ、４８・・・ラウン
ドアパーチャ、５０・・・第７電子レンズ、５２・・・
第８電子レンズ、５６・・・主偏向器、５８・・・副偏
向器、６０・・・電子検出器、６２・・・ウェハステー
ジ、６４・・・ウェハ、６６・・・第９電子レンズ、６
８・・・マスクステージ駆動部、７０・・・ウェハステ
ージ駆動部、７２・・・マスクステージ、８２・・・偏
向制御部、８４・・・マスクステージ制御部、８６・・
・ショット制御部、８８・・・電子レンズ制御部、９０
・・・反射電子処理部、９２・・・ウェハステージ制御
部、１００・・・電子ビーム露光装置、１１０・・・電
子ビーム照射系、１１２・・・マスク用投影系、１１４
・・・焦点調整レンズ系、１１６・・・ウェハ用投影
系、１２０・・・個別制御部、１３０・・・統括制御
部、１４０・・・制御系、１５０・・・露光部、１６
０、１７０・・・ターゲットマーク部材、１６２、２０
２・・・金属マーク部、１６４、２０４・・・基材、２
１０・・・溝部、２１２・・・第１膜、２１４・・・第
２膜
子レンズ、１６・・・スリット部、１８・・・第１偏向
器、２０・・・第２電子レンズ、２２・・・第２偏向
器、２４・・・第１ブランキング偏向器、２６・・・第
３偏向器、２８・・・第３電子レンズ、３０・・・マス
ク、３２・・・第４電子レンズ、３４・・・第４偏向
器、３６・・・第２ブランキング偏向器、３８・・・第
５偏向器、４０・・・第５電子レンズ、４２・・・第６
偏向器、４６・・・第６電子レンズ、４８・・・ラウン
ドアパーチャ、５０・・・第７電子レンズ、５２・・・
第８電子レンズ、５６・・・主偏向器、５８・・・副偏
向器、６０・・・電子検出器、６２・・・ウェハステー
ジ、６４・・・ウェハ、６６・・・第９電子レンズ、６
８・・・マスクステージ駆動部、７０・・・ウェハステ
ージ駆動部、７２・・・マスクステージ、８２・・・偏
向制御部、８４・・・マスクステージ制御部、８６・・
・ショット制御部、８８・・・電子レンズ制御部、９０
・・・反射電子処理部、９２・・・ウェハステージ制御
部、１００・・・電子ビーム露光装置、１１０・・・電
子ビーム照射系、１１２・・・マスク用投影系、１１４
・・・焦点調整レンズ系、１１６・・・ウェハ用投影
系、１２０・・・個別制御部、１３０・・・統括制御
部、１４０・・・制御系、１５０・・・露光部、１６
０、１７０・・・ターゲットマーク部材、１６２、２０
２・・・金属マーク部、１６４、２０４・・・基材、２
１０・・・溝部、２１２・・・第１膜、２１４・・・第
２膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｊ 37/305 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５４１Ｎ Ｆターム(参考） 2H097 BA01 BB01 CA16 JA01 KA38 LA10 5C001 AA01 CC04 CC06 5C033 MM05 MM07 5C034 BB06 BB08 5F056 AA22 BA08 BB01 BB07 BC02 BD04 BD06 CB33 CC10
Claims (8)
- 【請求項１】 電子ビーム処理装置において、電子ビー
ムの焦点調整又は前記電子ビームのビーム形状の測定に
用いられるターゲットマーク部材であって、 金属材料をエピタキシャル成長させて形成した、所定の
マークパターンを有する金属マーク部と、 前記金属マーク部を支持する基材とを備えたことを特徴
とするターゲットマーク部材。 - 【請求項２】 前記基材は、側壁を有する溝部を備え、 前記金属マーク部は、前記溝部の前記側壁に選択エピタ
キシャル成長されて形成されていることを特徴とする請
求項１に記載のターゲットマーク部材。 - 【請求項３】 前記金属マーク部の線幅は、０．１μｍ
以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の
ターゲットマーク部材。 - 【請求項４】 前記金属材料は、重金属材料であること
を特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のターゲ
ットマーク部材。 - 【請求項５】 電子ビームにより、ウェハを露光する電
子ビーム露光装置であって、 電子ビームを発生する電子銃と、 前記ウェハの所定の領域に対して前記電子ビームの焦点
を調整する電子レンズと、 前記ウェハを載置するウェハステージとを備え、 前記ウェハステージが、金属材料をエピタキシャル成長
させて形成した所定のマークパターンを有する金属マー
ク部と、前記金属マーク部を支持する基材とを有する、
前記電子レンズによる前記電子ビームの焦点を調整する
ために用いられるターゲットマーク部材を有することを
特徴とする電子ビーム露光装置。 - 【請求項６】 前記金属マーク部の線幅は、０．１μｍ
以下であることを特徴とする請求項５に記載の電子ビー
ム露光装置。 - 【請求項７】 電子ビーム処理装置において、電子ビー
ムの焦点調整又は前記電子ビームのビーム形状の測定に
用いられる、所定のマークパターンを有する金属マーク
部を備えたターゲットマーク部材を製造する方法であっ
て、 基材に複数の溝部を形成する工程と、 前記溝部の側壁に金属膜をエピタキシャル成長させ、前
記金属マーク部を形成する工程とを備えることを特徴と
するターゲットマーク部材製造方法。 - 【請求項８】 電子ビーム処理装置において、電子ビー
ムの焦点調整又は前記電子ビームのビーム形状の測定に
用いられる、所定のマークパターンを有する金属マーク
部を備えたターゲットマーク部材を製造する方法であっ
て、 基材に、第１材料により第１膜をエピタキシャル成長さ
せる第１工程と、 前記第１膜に、第２材料により第２膜をエピタキシャル
成長させる第２工程と、 前記第１工程および前記第２工程とを複数回繰り返さ
せ、前記第１膜と前記第２膜とを交互に成長させた膜成
長基板を生成する工程と、 前記膜成長基板を劈開させ、前記金属マーク部を形成す
る工程とを備えることを特徴とするターゲットマーク部
材製造方法。
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| JP5662816B2 (ja) * | 2011-01-31 | 2015-02-04 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置 |
| JP5927067B2 (ja) * | 2012-07-06 | 2016-05-25 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 計測検査装置、及び計測検査方法 |
| US10325753B2 (en) * | 2015-09-23 | 2019-06-18 | Kla Tencor Corporation | Method and system for focus adjustment of a multi-beam scanning electron microscopy system |
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-
2000
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-
2001
- 2001-04-17 TW TW090109101A patent/TW499705B/zh active
- 2001-05-30 KR KR1020010030157A patent/KR20010113475A/ko not_active Application Discontinuation
- 2001-06-13 DE DE10129019A patent/DE10129019A1/de not_active Withdrawn
- 2001-06-14 US US09/879,992 patent/US20010052573A1/en not_active Abandoned
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014017008A1 (ja) * | 2012-07-23 | 2014-01-30 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 試料ホルダおよび電子顕微鏡像の観察方法 |
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