JP2001203157A - 粒子線投影システムおよび粒子線投影システムの較正方法 - Google Patents
粒子線投影システムおよび粒子線投影システムの較正方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30433—System calibration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 粒子線投影システムにおいて、投影されたサ
ブフィールドの倍率および回転を調整する較正工程を素
早く行うことができる較正方法を提供する。 【解決手段】 粒子線を較正用レチクルに照射する工
程、較正用レチクルのパターン像を較正用ターゲットの
パターン上に投影して走査する工程、較正用ターゲット
パターンから反射された粒子によって得られるターゲッ
トパターン信号のピーク間の距離を決める工程、反射信
号のピーク間距離について理想値からのずれを計算して
倍率ずれおよび回転ずれを計算する工程、倍率ずれおよ
び回転ずれを用いて粒子線の投影倍率および回転方向を
補正レンズにより調整する工程を有する較正方法とし
た。
ブフィールドの倍率および回転を調整する較正工程を素
早く行うことができる較正方法を提供する。 【解決手段】 粒子線を較正用レチクルに照射する工
程、較正用レチクルのパターン像を較正用ターゲットの
パターン上に投影して走査する工程、較正用ターゲット
パターンから反射された粒子によって得られるターゲッ
トパターン信号のピーク間の距離を決める工程、反射信
号のピーク間距離について理想値からのずれを計算して
倍率ずれおよび回転ずれを計算する工程、倍率ずれおよ
び回転ずれを用いて粒子線の投影倍率および回転方向を
補正レンズにより調整する工程を有する較正方法とし
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は粒子線投影システム
に関し、特に粒子線投影システムの較正に関するもので
ある。
に関し、特に粒子線投影システムの較正に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】電子線投影システム（ＥＢＰＳ）では、
投影されたサブフィールド又はセルを、隣り合うサブフ
ィールド又はセルに対して、ギャップや重複部分が生じ
ないようにつなぎ合わせるために、サブフィールド又は
セルの大きさおよび向き（回転）を調整しなければなら
ない。
投影されたサブフィールド又はセルを、隣り合うサブフ
ィールド又はセルに対して、ギャップや重複部分が生じ
ないようにつなぎ合わせるために、サブフィールド又は
セルの大きさおよび向き（回転）を調整しなければなら
ない。
【０００３】従来の較正方法は、Enichenらによる米国
特許第５，７６３，８４９号（Calibration Patterns a
nd Techniques for Charged Particle Projection Lith
ography Systems）およびSohdaらによる米国特許第５，
２８３，４４０号（Electron-Beam Writing System Use
d in a Cell Projection Method）に開示されている。
従来方法では、レチクルによって形成された像をウエハ
面のマッチングターゲットに投影し、投影された像をマ
ッチングターゲット上で走査することで、上記調整を行
っている。マッチングの程度は、反射電子（backscatte
red electron）信号のピーク信号強度を測定したり、所
定の閾値での反射電子信号の幅を測定して評価される。
サブフィールドの倍率および回転を制御するレンズ条件
を所定の範囲で変化させ、反射電子検出器からのデータ
を集める。反射電子信号が最大又は反射電子信号幅が最
小となるレンズ条件にすることで、最適な調整が行われ
たことになる。
特許第５，７６３，８４９号（Calibration Patterns a
nd Techniques for Charged Particle Projection Lith
ography Systems）およびSohdaらによる米国特許第５，
２８３，４４０号（Electron-Beam Writing System Use
d in a Cell Projection Method）に開示されている。
従来方法では、レチクルによって形成された像をウエハ
面のマッチングターゲットに投影し、投影された像をマ
ッチングターゲット上で走査することで、上記調整を行
っている。マッチングの程度は、反射電子（backscatte
red electron）信号のピーク信号強度を測定したり、所
定の閾値での反射電子信号の幅を測定して評価される。
サブフィールドの倍率および回転を制御するレンズ条件
を所定の範囲で変化させ、反射電子検出器からのデータ
を集める。反射電子信号が最大又は反射電子信号幅が最
小となるレンズ条件にすることで、最適な調整が行われ
たことになる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
較正方法（米国特許第５，７６３，８４９号および第
５，２８３，４４０号）は、１回の測定で調整を行うべ
き方向を決められないという問題点がある。最大の反射
電子信号又は最小の反射電子信号幅を設定するために
は、十分に予備調整を行う必要がある。１回の測定で
は、行った調整が最適な調整にどの程度近づいているの
か、又は最適な調整に近づくのはどの方向なのかといっ
た情報が得られない。
較正方法（米国特許第５，７６３，８４９号および第
５，２８３，４４０号）は、１回の測定で調整を行うべ
き方向を決められないという問題点がある。最大の反射
電子信号又は最小の反射電子信号幅を設定するために
は、十分に予備調整を行う必要がある。１回の測定で
は、行った調整が最適な調整にどの程度近づいているの
か、又は最適な調整に近づくのはどの方向なのかといっ
た情報が得られない。
【０００５】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
ものであり、投影されたサブフィールドの倍率および回
転を調整する較正工程を素早く行うことができる較正方
法を提供することを目的とする。
ものであり、投影されたサブフィールドの倍率および回
転を調整する較正工程を素早く行うことができる較正方
法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による粒子線投影リソグラフィシステムの較
正方法は次の工程を有する。倍率較正用レチクルおよび
倍率較正用ターゲットを用意する工程。回転較正用レチ
クルおよび回転較正用ターゲットを用意する工程。粒子
線を発生させる工程。粒子線を倍率較正用レチクルに照
射する工程。倍率較正用レチクルのパターン像を倍率較
正用ターゲットのパターン上に投影する工程。較正され
た偏向器を用いて、投影された倍率較正用レチクルのパ
ターン像を倍率較正用ターゲットのパターン上で走査す
る工程。倍率較正用ターゲットパターンから反射された
粒子によって得られるターゲットパターン信号のピーク
間の距離を決める工程。反射信号のピーク間距離につい
て理想値からのずれ（deviation）を計算し、倍率ずれ
を計算する工程。その倍率ずれを用いて粒子線の投影倍
率を補正レンズにより調整する工程。粒子線を回転較正
用レチクルに照射する工程。回転較正用レチクルのパタ
ーン像を回転較正用ターゲットのパターン上に投影する
工程。較正された偏向器を用いて、投影された回転較正
用レチクルのパターン像を回転較正用ターゲットのパタ
ーン上で走査する工程。回転較正用ターゲットパターン
から反射された粒子によって得られるターゲットパター
ン信号のピーク間の距離を決める工程。反射信号のピー
ク間距離について理想値からのずれを計算し、回転量を
計算する工程。その回転量を用いて粒子線の回転方向を
補正レンズにより調整する工程。
に、本発明による粒子線投影リソグラフィシステムの較
正方法は次の工程を有する。倍率較正用レチクルおよび
倍率較正用ターゲットを用意する工程。回転較正用レチ
クルおよび回転較正用ターゲットを用意する工程。粒子
線を発生させる工程。粒子線を倍率較正用レチクルに照
射する工程。倍率較正用レチクルのパターン像を倍率較
正用ターゲットのパターン上に投影する工程。較正され
た偏向器を用いて、投影された倍率較正用レチクルのパ
ターン像を倍率較正用ターゲットのパターン上で走査す
る工程。倍率較正用ターゲットパターンから反射された
粒子によって得られるターゲットパターン信号のピーク
間の距離を決める工程。反射信号のピーク間距離につい
て理想値からのずれ（deviation）を計算し、倍率ずれ
を計算する工程。その倍率ずれを用いて粒子線の投影倍
率を補正レンズにより調整する工程。粒子線を回転較正
用レチクルに照射する工程。回転較正用レチクルのパタ
ーン像を回転較正用ターゲットのパターン上に投影する
工程。較正された偏向器を用いて、投影された回転較正
用レチクルのパターン像を回転較正用ターゲットのパタ
ーン上で走査する工程。回転較正用ターゲットパターン
から反射された粒子によって得られるターゲットパター
ン信号のピーク間の距離を決める工程。反射信号のピー
ク間距離について理想値からのずれを計算し、回転量を
計算する工程。その回転量を用いて粒子線の回転方向を
補正レンズにより調整する工程。
【０００７】また、本発明による電子線投影リソグラフ
ィシステムの較正方法は次の工程を有する。倍率較正用
レチクルおよび倍率較正用ターゲットを用意する工程。
回転較正用レチクルおよび回転較正用ターゲットを用意
する工程。電子線を発生させる工程。電子線を縮小する
工程。電子線を回転する工程。電子線を倍率較正用レチ
クルに照射する工程。倍率較正用レチクルのパターン像
を倍率較正用ターゲットのパターン上に投影する工程。
較正された偏向器を用いて、投影された倍率較正用レチ
クルのパターン像を倍率較正用ターゲットのパターン上
で走査する工程。倍率較正用ターゲットパターンから反
射された電子又は二次電子によって得られるターゲット
パターン信号のピーク間の距離を決める工程。理想的な
信号のピーク間距離からのずれを計算し、倍率ずれを計
算する工程。その倍率ずれを用いて電子線の投影倍率を
補正レンズにより調整する工程。電子線を回転較正用レ
チクルに照射する工程。回転較正用レチクルのパターン
像を回転較正用ターゲットのパターン上に投影する工
程。較正された偏向器を用いて、投影された回転較正用
レチクルのパターン像を回転較正用ターゲットのパター
ン上で走査する工程。回転較正用ターゲットパターンか
ら反射された電子又は二次電子によって得られるターゲ
ットパターン信号のピーク間の距離を決める工程。理想
的な信号のピーク間距離からのずれを計算し、回転ずれ
を計算し、その回転ずれを用いて電子線を調整し、回転
量を用いて電子線の回転方向を補正レンズにより調整す
る工程。
ィシステムの較正方法は次の工程を有する。倍率較正用
レチクルおよび倍率較正用ターゲットを用意する工程。
回転較正用レチクルおよび回転較正用ターゲットを用意
する工程。電子線を発生させる工程。電子線を縮小する
工程。電子線を回転する工程。電子線を倍率較正用レチ
クルに照射する工程。倍率較正用レチクルのパターン像
を倍率較正用ターゲットのパターン上に投影する工程。
較正された偏向器を用いて、投影された倍率較正用レチ
クルのパターン像を倍率較正用ターゲットのパターン上
で走査する工程。倍率較正用ターゲットパターンから反
射された電子又は二次電子によって得られるターゲット
パターン信号のピーク間の距離を決める工程。理想的な
信号のピーク間距離からのずれを計算し、倍率ずれを計
算する工程。その倍率ずれを用いて電子線の投影倍率を
補正レンズにより調整する工程。電子線を回転較正用レ
チクルに照射する工程。回転較正用レチクルのパターン
像を回転較正用ターゲットのパターン上に投影する工
程。較正された偏向器を用いて、投影された回転較正用
レチクルのパターン像を回転較正用ターゲットのパター
ン上で走査する工程。回転較正用ターゲットパターンか
ら反射された電子又は二次電子によって得られるターゲ
ットパターン信号のピーク間の距離を決める工程。理想
的な信号のピーク間距離からのずれを計算し、回転ずれ
を計算し、その回転ずれを用いて電子線を調整し、回転
量を用いて電子線の回転方向を補正レンズにより調整す
る工程。
【０００８】これにより、マスク面に較正用レチクル
が、ウエハ面に較正用ターゲットが提供され、これを用
いて投影されたサブフィールドの倍率および回転を直接
測定できるので、較正工程を素早く行うことができる。
が、ウエハ面に較正用ターゲットが提供され、これを用
いて投影されたサブフィールドの倍率および回転を直接
測定できるので、較正工程を素早く行うことができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら説明する。図１（Ａ）は、２５０μｍ×
２５０μｍの正方形サブフィールドをもつ投影システム
において、サブフィールドの倍率を較正するために用い
られる、倍率較正用ターゲットＴを示す図である。倍率
較正用ターゲットＴの反射要素ＨＺ１、ＨＺ２、ＨＺ３
およびＨＺ４の材質としては、例えば金、タンタル又は
タングステンのような原子番号の大きい金属が好まし
い。このような金属は電子を強く反射し、又は二次電子
を生じ、この反射電子又は二次電子は図７に示す検出器
５０（好ましくはフォトダイオード）によって容易に検
出される。反射要素ＨＺ１、ＨＺ２、ＨＺ３およびＨＺ
４は、倍率較正用ターゲットＴの上面に矩形状に細長く
形成されている。反射要素ＨＺ１、ＨＺ２、ＨＺ３およ
びＨＺ４は、倍率較正用ターゲットＴの外周縁近くに外
周縁と平行に置かれ、倍率較正用レチクルのパターン像
で走査された時に反射電子又は二次電子を生じる。
を参照しながら説明する。図１（Ａ）は、２５０μｍ×
２５０μｍの正方形サブフィールドをもつ投影システム
において、サブフィールドの倍率を較正するために用い
られる、倍率較正用ターゲットＴを示す図である。倍率
較正用ターゲットＴの反射要素ＨＺ１、ＨＺ２、ＨＺ３
およびＨＺ４の材質としては、例えば金、タンタル又は
タングステンのような原子番号の大きい金属が好まし
い。このような金属は電子を強く反射し、又は二次電子
を生じ、この反射電子又は二次電子は図７に示す検出器
５０（好ましくはフォトダイオード）によって容易に検
出される。反射要素ＨＺ１、ＨＺ２、ＨＺ３およびＨＺ
４は、倍率較正用ターゲットＴの上面に矩形状に細長く
形成されている。反射要素ＨＺ１、ＨＺ２、ＨＺ３およ
びＨＺ４は、倍率較正用ターゲットＴの外周縁近くに外
周縁と平行に置かれ、倍率較正用レチクルのパターン像
で走査された時に反射電子又は二次電子を生じる。
【００１０】図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示す倍率較正
用ターゲットＴの各部位の寸法を示す表である。反射要
素ＨＺ１、ＨＺ２、ＨＺ３およびＨＺ４は、長さ１５０
μｍ、幅６μｍであり、２５０μｍ×２５０μｍの倍率
較正用ターゲットＴの外周縁から１６μｍの位置に形成
されている。反射要素ＨＺ１とＨＺ３は２０６μｍ離れ
ており、また反射要素ＨＺ２とＨＺ４も２０６μｍ離れ
ている。反射要素ＨＺ１、ＨＺ２、ＨＺ３およびＨＺ４
はそれぞれ、倍率較正用ターゲットＴの各外周縁に対し
て中央に位置するようになっている。
用ターゲットＴの各部位の寸法を示す表である。反射要
素ＨＺ１、ＨＺ２、ＨＺ３およびＨＺ４は、長さ１５０
μｍ、幅６μｍであり、２５０μｍ×２５０μｍの倍率
較正用ターゲットＴの外周縁から１６μｍの位置に形成
されている。反射要素ＨＺ１とＨＺ３は２０６μｍ離れ
ており、また反射要素ＨＺ２とＨＺ４も２０６μｍ離れ
ている。反射要素ＨＺ１、ＨＺ２、ＨＺ３およびＨＺ４
はそれぞれ、倍率較正用ターゲットＴの各外周縁に対し
て中央に位置するようになっている。
【００１１】図２（Ａ）は、倍率較正用ターゲットＴの
反射要素ＨＺ１、ＨＺ２、ＨＺ３およびＨＺ４のパター
ンに合う形状の開口要素ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３および
ＯＲ４を有する、倍率較正用レチクルＲを示す図であ
る。開口要素ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３およびＯＲ４は、
倍率較正用レチクルＲの外周縁近くに外周縁と平行に位
置する、矩形状に細長い窓（開口）である。この倍率較
正用レチクルＲはステンシルマスク技術を用いて作るこ
とができ、開口要素ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３およびＯＲ
４は、シリコンメンブレンの開口に相当する。またこの
開口は、J. A. LiddleらによるＳＣＡＬＰＥＬ技術
（“The Scattering with Angular Limitationin Proje
ction Electron-Beam Lithography (SCALPEL) System”
Jpn J. Appl.Phys. Vol. 4 6663 (1995)）におけるビ
ーム透過部で代用することができ、開口要素ＯＲ１、Ｏ
Ｒ２、ＯＲ３およびＯＲ４は、薄いメンブレン領域に相
当する。この薄いメンブレン領域はビームをほとんど散
乱せず、その周りは薄いメンブレン上に設けられた、散
乱度の高い物質の領域で囲まれている。パターンは高散
乱物質に囲まれた低散乱領域内にある。ＳＣＡＬＰＥＬ
については更にBergerらによる米国特許第５，３１６，
８７９号および第５，０７９，１１２号に開示されてい
る。
反射要素ＨＺ１、ＨＺ２、ＨＺ３およびＨＺ４のパター
ンに合う形状の開口要素ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３および
ＯＲ４を有する、倍率較正用レチクルＲを示す図であ
る。開口要素ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３およびＯＲ４は、
倍率較正用レチクルＲの外周縁近くに外周縁と平行に位
置する、矩形状に細長い窓（開口）である。この倍率較
正用レチクルＲはステンシルマスク技術を用いて作るこ
とができ、開口要素ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３およびＯＲ
４は、シリコンメンブレンの開口に相当する。またこの
開口は、J. A. LiddleらによるＳＣＡＬＰＥＬ技術
（“The Scattering with Angular Limitationin Proje
ction Electron-Beam Lithography (SCALPEL) System”
Jpn J. Appl.Phys. Vol. 4 6663 (1995)）におけるビ
ーム透過部で代用することができ、開口要素ＯＲ１、Ｏ
Ｒ２、ＯＲ３およびＯＲ４は、薄いメンブレン領域に相
当する。この薄いメンブレン領域はビームをほとんど散
乱せず、その周りは薄いメンブレン上に設けられた、散
乱度の高い物質の領域で囲まれている。パターンは高散
乱物質に囲まれた低散乱領域内にある。ＳＣＡＬＰＥＬ
については更にBergerらによる米国特許第５，３１６，
８７９号および第５，０７９，１１２号に開示されてい
る。
【００１２】図２（Ｂ）は、倍率較正用レチクルＲの各
部位の寸法を示す表である。（ターゲット）列の括弧内
の数値は、ターゲット面での投影像の大きさであり、図
７に示す投影光学系を用いて１／４に縮小されている。
倍率較正用レチクルＲによる像が投影光学系で１／４に
縮小され、倍率較正用ターゲットＴ上を図２（Ａ）のＸ
方向に走査される。この時、まず右側の反射要素ＨＺ３
が走査され、次に左側の反射要素ＨＺ１が走査されるよ
うにパターンが設計されているので、図３に示す曲線Ｓ
Ａ１上に２個のピークＰ１およびＰ２が作られる。
部位の寸法を示す表である。（ターゲット）列の括弧内
の数値は、ターゲット面での投影像の大きさであり、図
７に示す投影光学系を用いて１／４に縮小されている。
倍率較正用レチクルＲによる像が投影光学系で１／４に
縮小され、倍率較正用ターゲットＴ上を図２（Ａ）のＸ
方向に走査される。この時、まず右側の反射要素ＨＺ３
が走査され、次に左側の反射要素ＨＺ１が走査されるよ
うにパターンが設計されているので、図３に示す曲線Ｓ
Ａ１上に２個のピークＰ１およびＰ２が作られる。
【００１３】開口要素ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３およびＯ
Ｒ４は、長さ６００μｍ、幅２４μｍであり、１０００
μｍ×１０００μｍの倍率較正用レチクルＲの外周縁か
ら３２μｍの位置に形成されている。開口要素ＯＲ１と
ＯＲ３は８８８μｍ離れており、また開口要素ＯＲ２と
ＯＲ４も８８８μｍ離れている。開口要素ＯＲ１、ＯＲ
２、ＯＲ３およびＯＲ４はそれぞれ、倍率較正用レチク
ルＲの各外周縁に対して中央に位置するようになってい
る。
Ｒ４は、長さ６００μｍ、幅２４μｍであり、１０００
μｍ×１０００μｍの倍率較正用レチクルＲの外周縁か
ら３２μｍの位置に形成されている。開口要素ＯＲ１と
ＯＲ３は８８８μｍ離れており、また開口要素ＯＲ２と
ＯＲ４も８８８μｍ離れている。開口要素ＯＲ１、ＯＲ
２、ＯＲ３およびＯＲ４はそれぞれ、倍率較正用レチク
ルＲの各外周縁に対して中央に位置するようになってい
る。
【００１４】上記の走査によって図３に示す、２個のピ
ークＰ１およびＰ２をもつ信号ＳＡ１が得られる。この
信号は電子線の反射電子又は二次電子によって作られ、
図９（Ａ）に示す方法で用いられる。図３は、望ましい
信号ＳＡ１、すなわち、適正に調整および較正された電
子線で、上記のような理想的な走査を行う時に得られる
であろう信号を示す図である。２個のピークＰ１−Ｐ２
間距離Ｄは一般的な手法（例えば、マルチプルクリップ
レベル又はモーメントカリキュレーション）で測定でき
る。２個のピークＰ１−Ｐ２間距離は１６μｍになるよ
う設計されている。２個のピークＰ１−Ｐ２間距離の測
定値が設計値１６μｍと全く同じであれば、ずれがない
ということである。測定値が設計値と異なっている場
合、倍率ずれがあることになる。倍率ずれは、設計値か
らのずれを、倍率較正用レチクルＲの開口要素の中心線
間距離を投影光学系の縮小比で縮小した値（例えば２２
８μｍ）で割ったものである。
ークＰ１およびＰ２をもつ信号ＳＡ１が得られる。この
信号は電子線の反射電子又は二次電子によって作られ、
図９（Ａ）に示す方法で用いられる。図３は、望ましい
信号ＳＡ１、すなわち、適正に調整および較正された電
子線で、上記のような理想的な走査を行う時に得られる
であろう信号を示す図である。２個のピークＰ１−Ｐ２
間距離Ｄは一般的な手法（例えば、マルチプルクリップ
レベル又はモーメントカリキュレーション）で測定でき
る。２個のピークＰ１−Ｐ２間距離は１６μｍになるよ
う設計されている。２個のピークＰ１−Ｐ２間距離の測
定値が設計値１６μｍと全く同じであれば、ずれがない
ということである。測定値が設計値と異なっている場
合、倍率ずれがあることになる。倍率ずれは、設計値か
らのずれを、倍率較正用レチクルＲの開口要素の中心線
間距離を投影光学系の縮小比で縮小した値（例えば２２
８μｍ）で割ったものである。
【００１５】図１（Ａ）、図２（Ａ）および図３に示す
本発明による方法では、距離Ｄがピーク間距離であり、
その値は１６μｍである。「倍率ずれ」は次式で表され
る。 倍率ずれ＝（ピーク間距離−１６μｍ）／開口要素の中心線間距離・・・（１） 例えば図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図２（Ａ）、図２
（Ｂ）および図３に示す値を用いると、倍率ずれは次式
で表される。 倍率ずれ＝（ピーク間距離−１６μｍ）／２２８μｍ・・・（２） この結果を用いて、倍率ずれによる倍率誤差を補正する
量を決定することができる。この結果は、サブフィール
ドを適正な大きさにするために必要な補正量の符合と大
きさの両方を示している。ピーク間距離が設計値より小
さい場合、サブフィールドは小さいことになる。逆に、
ピーク間距離が設計値より大きい場合、サブフィールド
は大きいことになる。図２（Ａ）のＹ方向の倍率ずれの
値は、Ｙ方向に走査することで決められる。
本発明による方法では、距離Ｄがピーク間距離であり、
その値は１６μｍである。「倍率ずれ」は次式で表され
る。 倍率ずれ＝（ピーク間距離−１６μｍ）／開口要素の中心線間距離・・・（１） 例えば図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図２（Ａ）、図２
（Ｂ）および図３に示す値を用いると、倍率ずれは次式
で表される。 倍率ずれ＝（ピーク間距離−１６μｍ）／２２８μｍ・・・（２） この結果を用いて、倍率ずれによる倍率誤差を補正する
量を決定することができる。この結果は、サブフィール
ドを適正な大きさにするために必要な補正量の符合と大
きさの両方を示している。ピーク間距離が設計値より小
さい場合、サブフィールドは小さいことになる。逆に、
ピーク間距離が設計値より大きい場合、サブフィールド
は大きいことになる。図２（Ａ）のＹ方向の倍率ずれの
値は、Ｙ方向に走査することで決められる。
【００１６】図４（Ａ）を参照すると、図１、図２およ
び図３に示す技術とは別の例を示しており、図９（Ｂ）
に示す方法でサブフィールドの回転を測定することがで
きる。図４（Ａ）は、回転量を求めるために用いられ
る、回転較正用ターゲットＴを示す図である。この回転
較正用ターゲットＴは、外周縁近くに外周縁と垂直に置
かれている短い反射ストライプ要素ＨＺ５、ＨＺ６、Ｈ
Ｚ７およびＨＺ８のパターンを有する。回転較正用ター
ゲットＴの上面に、外周縁近くに、外周縁と垂直に形成
されている反射ストライプ要素の中で、互いに平行な矩
形である反射ストライプ要素ＨＺ５、ＨＺ６、ＨＺ７お
よびＨＺ８のそれぞれが１セットであり、４セットの反
射ストライプ要素群が形成されている。
び図３に示す技術とは別の例を示しており、図９（Ｂ）
に示す方法でサブフィールドの回転を測定することがで
きる。図４（Ａ）は、回転量を求めるために用いられ
る、回転較正用ターゲットＴを示す図である。この回転
較正用ターゲットＴは、外周縁近くに外周縁と垂直に置
かれている短い反射ストライプ要素ＨＺ５、ＨＺ６、Ｈ
Ｚ７およびＨＺ８のパターンを有する。回転較正用ター
ゲットＴの上面に、外周縁近くに、外周縁と垂直に形成
されている反射ストライプ要素の中で、互いに平行な矩
形である反射ストライプ要素ＨＺ５、ＨＺ６、ＨＺ７お
よびＨＺ８のそれぞれが１セットであり、４セットの反
射ストライプ要素群が形成されている。
【００１７】図４（Ａ）を再び参照すると、反射ストラ
イプ要素ＨＺ６、ＨＺ７、ＨＺ８およびＨＺ５は回転較
正用ターゲットＴの上側、右側、下側および左側にそれ
ぞれ置かれている。そして、これは上側の反射ストライ
プ要素ＨＺ６を回転することによって容易に作ることが
できる。各反射ストライプ要素は、長さ２５μｍ、幅６
μｍであり、２５０μｍ×２５０μｍの回転較正用ター
ゲットＴの外周縁から１μｍの位置に形成されている。
回転較正用ターゲットＴの上側に沿って、７個の反射ス
トライプ要素ＨＺ６から成る反射ストライプ要素群があ
り、各反射ストライプ要素は３１μｍ間隔で置かれてい
る。また、反射ストライプ要素群の最右端の反射ストラ
イプ要素ＨＺ６は、回転較正用ターゲットＴの右側外周
縁から８μｍ離れている。
イプ要素ＨＺ６、ＨＺ７、ＨＺ８およびＨＺ５は回転較
正用ターゲットＴの上側、右側、下側および左側にそれ
ぞれ置かれている。そして、これは上側の反射ストライ
プ要素ＨＺ６を回転することによって容易に作ることが
できる。各反射ストライプ要素は、長さ２５μｍ、幅６
μｍであり、２５０μｍ×２５０μｍの回転較正用ター
ゲットＴの外周縁から１μｍの位置に形成されている。
回転較正用ターゲットＴの上側に沿って、７個の反射ス
トライプ要素ＨＺ６から成る反射ストライプ要素群があ
り、各反射ストライプ要素は３１μｍ間隔で置かれてい
る。また、反射ストライプ要素群の最右端の反射ストラ
イプ要素ＨＺ６は、回転較正用ターゲットＴの右側外周
縁から８μｍ離れている。
【００１８】各反射ストライプ要素ＨＺ５、ＨＺ６、Ｈ
Ｚ７およびＨＺ８の先端は、回転較正用ターゲットＴの
外周縁からわずか１μｍの位置に置かれている。２８個
（７個×４セット）の反射ストライプ要素は、７個の反
射ストライプ要素から成る各反射ストライプ要素群にお
いてそれぞれ３１μｍ間隔で置かれている。
Ｚ７およびＨＺ８の先端は、回転較正用ターゲットＴの
外周縁からわずか１μｍの位置に置かれている。２８個
（７個×４セット）の反射ストライプ要素は、７個の反
射ストライプ要素から成る各反射ストライプ要素群にお
いてそれぞれ３１μｍ間隔で置かれている。
【００１９】図５（Ａ）は、図４（Ａ）に示す回転較正
用ターゲットＴのパターンに合う形状の開口要素ＯＲ
５、ＯＲ６、ＯＲ７およびＯＲ８を有する、回転較正用
レチクルＲを示す図である。この例では、回転較正用レ
チクルＲによる像が回転較正用ターゲットＴ上で走査さ
れる。まずサブフィールドの下部で、図５（Ａ）に示す
開口要素ＯＲ８の像と図４（Ａ）に示す反射ストライプ
要素ＨＺ８が重なる。次にサブフィールドの上部で、図
５（Ａ）に示す開口要素ＯＲ６の像と図４（Ａ）に示す
反射ストライプ要素ＨＺ６が重なる。この結果、図６に
示すように２個のピークＰ１’およびＰ２’が作られ
る。開口要素ＯＲ５、ＯＲ６、ＯＲ７およびＯＲ８は、
回転較正用レチクルＲの外周縁近くに外周縁と垂直に位
置する、矩形状の窓（開口）である。
用ターゲットＴのパターンに合う形状の開口要素ＯＲ
５、ＯＲ６、ＯＲ７およびＯＲ８を有する、回転較正用
レチクルＲを示す図である。この例では、回転較正用レ
チクルＲによる像が回転較正用ターゲットＴ上で走査さ
れる。まずサブフィールドの下部で、図５（Ａ）に示す
開口要素ＯＲ８の像と図４（Ａ）に示す反射ストライプ
要素ＨＺ８が重なる。次にサブフィールドの上部で、図
５（Ａ）に示す開口要素ＯＲ６の像と図４（Ａ）に示す
反射ストライプ要素ＨＺ６が重なる。この結果、図６に
示すように２個のピークＰ１’およびＰ２’が作られ
る。開口要素ＯＲ５、ＯＲ６、ＯＲ７およびＯＲ８は、
回転較正用レチクルＲの外周縁近くに外周縁と垂直に位
置する、矩形状の窓（開口）である。
【００２０】上記のステンシルレチクルの代わりに、Ｓ
ＣＡＬＰＥＬ（SCattering with Angular Limitation i
n Projection Electron-Beam Lithography）技術を利用
したレチクルを用いることもできる。図５（Ｂ）は、回
転較正用レチクルＲの各部位の寸法を示す表であり、図
２（Ｂ）と同様な表になっている。（ターゲット）列の
括弧内の数値は、ターゲット面での投影像の大きさであ
り、図７に示す投影光学系を用いて１／４に縮小されて
いる。回転較正用レチクルＲによる像が投影光学系で１
／４に縮小され、回転較正用ターゲットＴ上を図５
（Ａ）のＸ方向に走査される。この時、まず下側の反射
ストライプ要素ＨＺ８が走査され、次に上側の反射スト
ライプ要素ＨＺ６が走査されるようにパターンが設計さ
れている。
ＣＡＬＰＥＬ（SCattering with Angular Limitation i
n Projection Electron-Beam Lithography）技術を利用
したレチクルを用いることもできる。図５（Ｂ）は、回
転較正用レチクルＲの各部位の寸法を示す表であり、図
２（Ｂ）と同様な表になっている。（ターゲット）列の
括弧内の数値は、ターゲット面での投影像の大きさであ
り、図７に示す投影光学系を用いて１／４に縮小されて
いる。回転較正用レチクルＲによる像が投影光学系で１
／４に縮小され、回転較正用ターゲットＴ上を図５
（Ａ）のＸ方向に走査される。この時、まず下側の反射
ストライプ要素ＨＺ８が走査され、次に上側の反射スト
ライプ要素ＨＺ６が走査されるようにパターンが設計さ
れている。
【００２１】図５（Ａ）を再び参照すると、開口要素Ｏ
Ｒ６、ＯＲ７、ＯＲ８およびＯＲ５は回転較正用レチク
ルＲの上側、右側、下側および左側にそれぞれ置かれて
いる。そして、これは上側の開口要素ＯＲ６を回転する
ことによって容易に作ることができる。各開口要素は、
長さ１００μｍ、幅２４μｍであり、縦横の長さが１０
００μｍ×１０００μｍの回転較正用レチクルＲの外周
縁から４μｍの位置に置かれている。回転較正用レチク
ルＲの外周縁に沿って開口要素群があり、開口要素ＯＲ
５、ＯＲ６、ＯＲ７およびＯＲ８は、各開口要素群にお
いてそれぞれ１２４μｍ間隔で置かれている。また、一
番端の開口要素は、回転較正用レチクルＲの外周縁から
６２μｍ離れている。各開口要素ＯＲ５、ＯＲ６、ＯＲ
７およびＯＲ８の先端は、回転較正用レチクルＲの外周
縁からわずか４μｍの位置に置かれている。開口要素Ｏ
Ｒ５、ＯＲ６、ＯＲ７およびＯＲ８は、各開口要素群に
おいてそれぞれ１２４μｍ間隔で置かれている。
Ｒ６、ＯＲ７、ＯＲ８およびＯＲ５は回転較正用レチク
ルＲの上側、右側、下側および左側にそれぞれ置かれて
いる。そして、これは上側の開口要素ＯＲ６を回転する
ことによって容易に作ることができる。各開口要素は、
長さ１００μｍ、幅２４μｍであり、縦横の長さが１０
００μｍ×１０００μｍの回転較正用レチクルＲの外周
縁から４μｍの位置に置かれている。回転較正用レチク
ルＲの外周縁に沿って開口要素群があり、開口要素ＯＲ
５、ＯＲ６、ＯＲ７およびＯＲ８は、各開口要素群にお
いてそれぞれ１２４μｍ間隔で置かれている。また、一
番端の開口要素は、回転較正用レチクルＲの外周縁から
６２μｍ離れている。各開口要素ＯＲ５、ＯＲ６、ＯＲ
７およびＯＲ８の先端は、回転較正用レチクルＲの外周
縁からわずか４μｍの位置に置かれている。開口要素Ｏ
Ｒ５、ＯＲ６、ＯＲ７およびＯＲ８は、各開口要素群に
おいてそれぞれ１２４μｍ間隔で置かれている。
【００２２】図６は、ピークＰ１’およびＰ２’を有す
る望ましい信号ＳＡ２、すなわち、適正に調整および較
正された電子線で、上記のように回転較正用レチクルＲ
の像を±１５．５μｍの走査範囲で走査する時に得られ
るであろう信号を示す図である。回転較正用レチクルＲ
と回転較正用ターゲットＴのパターンに基づくと、図６
に示すピークＰ１’−Ｐ２’間距離は１５μｍである。
この値からのずれは、サブフィールドが回転しているた
めに生じる。ピークＰ１’−Ｐ２’間距離ＤＲは一般的
な手法で測定できる。
る望ましい信号ＳＡ２、すなわち、適正に調整および較
正された電子線で、上記のように回転較正用レチクルＲ
の像を±１５．５μｍの走査範囲で走査する時に得られ
るであろう信号を示す図である。回転較正用レチクルＲ
と回転較正用ターゲットＴのパターンに基づくと、図６
に示すピークＰ１’−Ｐ２’間距離は１５μｍである。
この値からのずれは、サブフィールドが回転しているた
めに生じる。ピークＰ１’−Ｐ２’間距離ＤＲは一般的
な手法で測定できる。
【００２３】図４（Ａ）、図５（Ａ）および図６に示す
本発明による方法では、回転ずれを表す１つの指標が回
転ピーク間距離であり、その値は１５μｍである。「回
転ずれ」は次式で表される。 回転ずれ＝（回転ピーク間距離−１５μｍ）／反射ストライプ要素群の中心線間 距離・・・（３） 例えば図４（Ａ）、図４（Ｂ）、図５（Ａ）、図５
（Ｂ）および図６に示す値を用いると、回転ずれは次式
で表される。 回転ずれ＝（回転ピーク間距離−１５μｍ）／２２３μｍ・・・（４） この結果を用いて、回転ずれによる誤差を補正する量を
決定することができる。符号（＋／−）は、回転ずれの
方向を表している。正符号（＋）の場合、レチクル像は
ウエハターゲットに対して半時計周りの回転ずれを持っ
ていることになる。負符号（−）の場合、レチクル像は
ウエハターゲットに対して時計周りの回転ずれを持って
いることになる。
本発明による方法では、回転ずれを表す１つの指標が回
転ピーク間距離であり、その値は１５μｍである。「回
転ずれ」は次式で表される。 回転ずれ＝（回転ピーク間距離−１５μｍ）／反射ストライプ要素群の中心線間 距離・・・（３） 例えば図４（Ａ）、図４（Ｂ）、図５（Ａ）、図５
（Ｂ）および図６に示す値を用いると、回転ずれは次式
で表される。 回転ずれ＝（回転ピーク間距離−１５μｍ）／２２３μｍ・・・（４） この結果を用いて、回転ずれによる誤差を補正する量を
決定することができる。符号（＋／−）は、回転ずれの
方向を表している。正符号（＋）の場合、レチクル像は
ウエハターゲットに対して半時計周りの回転ずれを持っ
ていることになる。負符号（−）の場合、レチクル像は
ウエハターゲットに対して時計周りの回転ずれを持って
いることになる。
【００２４】図７は、電子線リソグラフィシステムＬＳ
を示す概略図である。リソグラフィシステムＬＳは、従
来の電子線リソグラフィコンピュータシステムＣＳによ
ってケーブルＣＢを介して制御されている。なお、ケー
ブルＣＢの先は簡単のために省略している。リソグラフ
ィシステムＬＳは、電子線５２を放射する電子銃１２、
コンデンサレンズ１４、照明成形開口１６、ブランキン
グ偏向板２０、ブランキング開口２２、マスク偏向ヨー
ク２４、マスク２６、較正用レチクルＲ、マスクステー
ジ３０、ポスト偏向ヨーク３２、縮小レンズ３４、回転
／倍率補正レンズ３６、対物レンズ４０、ウエハ４２、
較正用ターゲットＴ、ウエハステージ４４、透過検出器
４６および反射検出器５０を有する。電子銃１２から電
子線５２が放射され、照明成形開口１６で特定の断面形
状に成形される。次に、成形された電子線５２はマスク
偏向ヨーク２４によってマスク２６又は較正用レチクル
Ｒ上に照射され、電子線はそのパターンの形状に成形さ
れる。
を示す概略図である。リソグラフィシステムＬＳは、従
来の電子線リソグラフィコンピュータシステムＣＳによ
ってケーブルＣＢを介して制御されている。なお、ケー
ブルＣＢの先は簡単のために省略している。リソグラフ
ィシステムＬＳは、電子線５２を放射する電子銃１２、
コンデンサレンズ１４、照明成形開口１６、ブランキン
グ偏向板２０、ブランキング開口２２、マスク偏向ヨー
ク２４、マスク２６、較正用レチクルＲ、マスクステー
ジ３０、ポスト偏向ヨーク３２、縮小レンズ３４、回転
／倍率補正レンズ３６、対物レンズ４０、ウエハ４２、
較正用ターゲットＴ、ウエハステージ４４、透過検出器
４６および反射検出器５０を有する。電子銃１２から電
子線５２が放射され、照明成形開口１６で特定の断面形
状に成形される。次に、成形された電子線５２はマスク
偏向ヨーク２４によってマスク２６又は較正用レチクル
Ｒ上に照射され、電子線はそのパターンの形状に成形さ
れる。
【００２５】本発明の好ましい実施例に従えば、リソグ
ラフィシステムＬＳの特長を図７に示している。較正用
レチクルＲとマスク２６は両方ともマスクステージ３０
に支持されている。ただし、較正用レチクルＲは常にマ
スクステージ３０上に置かれているのに対し、マスク２
６は交換できるようになっている。同様に、較正用ター
ゲットＴとウエハ４２は両方ともウエハステージ４４に
支持されているが、較正用ターゲットＴが常にウエハス
テージ４４上に置かれているのに対し、ウエハ４２は交
換できるようになっている。
ラフィシステムＬＳの特長を図７に示している。較正用
レチクルＲとマスク２６は両方ともマスクステージ３０
に支持されている。ただし、較正用レチクルＲは常にマ
スクステージ３０上に置かれているのに対し、マスク２
６は交換できるようになっている。同様に、較正用ター
ゲットＴとウエハ４２は両方ともウエハステージ４４に
支持されているが、較正用ターゲットＴが常にウエハス
テージ４４上に置かれているのに対し、ウエハ４２は交
換できるようになっている。
【００２６】電子線５２の最終形状が決まると、コンピ
ュータシステムＣＳの制御により、補正レンズ３６を用
いて回転、倍率、焦点位置の調整が行われる。次に、電
子線５２は、ウエハステージ４４に支持されているター
ゲットＴ又はウエハ４２に照射される。縮小レンズ３４
は一度調整されるだけであり、すべての小さな補正は補
正レンズ３６で行われる。ウエハ４２は電子線に反応す
るレジスト物質でコーティングされており、電子線５２
がそのレジストを、照明成形開口１６とマスク２６で決
められたパターンに露光する。透過検出器４６を用い
て、ウエハ４２又は較正用ターゲットＴを透過する電子
を検出し、その電子強度を示す信号を発生させる。ま
た、反射検出器５０（例えばフォトダイオード）を用い
て、較正用ターゲットＴ又はウエハ４２から上方へ反射
された電子又は二次電子を検出し、その強度を示す信号
を発生させる。
ュータシステムＣＳの制御により、補正レンズ３６を用
いて回転、倍率、焦点位置の調整が行われる。次に、電
子線５２は、ウエハステージ４４に支持されているター
ゲットＴ又はウエハ４２に照射される。縮小レンズ３４
は一度調整されるだけであり、すべての小さな補正は補
正レンズ３６で行われる。ウエハ４２は電子線に反応す
るレジスト物質でコーティングされており、電子線５２
がそのレジストを、照明成形開口１６とマスク２６で決
められたパターンに露光する。透過検出器４６を用い
て、ウエハ４２又は較正用ターゲットＴを透過する電子
を検出し、その電子強度を示す信号を発生させる。ま
た、反射検出器５０（例えばフォトダイオード）を用い
て、較正用ターゲットＴ又はウエハ４２から上方へ反射
された電子又は二次電子を検出し、その強度を示す信号
を発生させる。
【００２７】図９（Ａ）は、本発明による倍率ずれをも
とに倍率の調整を行う工程を示すフローチャートであ
る。図９（Ｂ）は、本発明による回転ずれをもとに回転
の調整を行う工程を示すフローチャートである。図９
（Ａ）を参照すると、工程ＳＭにおいて、レチクル像を
第一ターゲット上で走査する倍率較正用の走査が行われ
る。また図９（Ｂ）を参照すると、工程ＳＲにおいて、
レチクル像を第二ターゲット上で走査する回転較正用の
走査が行われる。
とに倍率の調整を行う工程を示すフローチャートであ
る。図９（Ｂ）は、本発明による回転ずれをもとに回転
の調整を行う工程を示すフローチャートである。図９
（Ａ）を参照すると、工程ＳＭにおいて、レチクル像を
第一ターゲット上で走査する倍率較正用の走査が行われ
る。また図９（Ｂ）を参照すると、工程ＳＲにおいて、
レチクル像を第二ターゲット上で走査する回転較正用の
走査が行われる。
【００２８】図７を再び参照すると、反射電子又は二次
電子が反射ダイオード検出器ＢＤで検出され、信号が信
号調節器ＳＣに送られる。次に、調節信号はＡ／Ｄ変換
器ＡＤを介してコンピュータシステムＣＳに送られ、ピ
ーク間距離が計算される。図９（Ａ）および図９（Ｂ）
の工程ＤＢおよびＤＢ’は、反射信号を検出し（反射ダ
イオード検出器ＢＤ）、デジタル化する（Ａ／Ｄ変換器
ＡＤ）工程である。
電子が反射ダイオード検出器ＢＤで検出され、信号が信
号調節器ＳＣに送られる。次に、調節信号はＡ／Ｄ変換
器ＡＤを介してコンピュータシステムＣＳに送られ、ピ
ーク間距離が計算される。図９（Ａ）および図９（Ｂ）
の工程ＤＢおよびＤＢ’は、反射信号を検出し（反射ダ
イオード検出器ＢＤ）、デジタル化する（Ａ／Ｄ変換器
ＡＤ）工程である。
【００２９】図７に示すコンピュータシステムＣＳで
「マルチプルクリップレベル」又は「モーメントカリキ
ュレーション」を行うが、当業者によく理解されるよう
に、専用のハードウエアを用いる。図９（Ａ）および図
９（Ｂ）の工程ＤＤおよびＤＤ’で、コンピュータシス
テムＣＳによりピーク間距離が計算される。
「マルチプルクリップレベル」又は「モーメントカリキ
ュレーション」を行うが、当業者によく理解されるよう
に、専用のハードウエアを用いる。図９（Ａ）および図
９（Ｂ）の工程ＤＤおよびＤＤ’で、コンピュータシス
テムＣＳによりピーク間距離が計算される。
【００３０】次に、その出力信号がリソグラフィシステ
ムＬＳを制御するコンピュータシステムに送られる。図
９（Ａ）の工程ＭＤで、倍率ずれの値が（１）式によっ
て計算される。図９（Ｂ）の工程ＲＤで、回転ずれの値
が（３）式によって計算される。
ムＬＳを制御するコンピュータシステムに送られる。図
９（Ａ）の工程ＭＤで、倍率ずれの値が（１）式によっ
て計算される。図９（Ｂ）の工程ＲＤで、回転ずれの値
が（３）式によって計算される。
【００３１】図９（Ａ）の工程ＡＭで、倍率がコンピュ
ータシステムＣＳによって調整される。図９（Ｂ）の工
程ＡＲで、回転がコンピュータシステムＣＳによって調
整される。
ータシステムＣＳによって調整される。図９（Ｂ）の工
程ＡＲで、回転がコンピュータシステムＣＳによって調
整される。
【００３２】リソグラフィシステムＬＳでは、従来の一
般的な技術が用いられる。さらに、当業者にはよく理解
されるように、リソグラフィシステムＬＳは、目的によ
っては別の異なる技術を用いることもある。また特に注
意すべきことは、リソグラフィシステムＬＳの倍率レン
ズを用いて、電子線５２の大きさを縮小していることで
ある。本発明は、電子線５２の大きさを縮小する荷電粒
子投影リソグラフィシステムと電子線５２の大きさを拡
大する荷電粒子投影リソグラフィシステムの両方で用い
られる。ここで用いる「倍率」という用語は、電子線５
２の大きさの拡大又は縮小という意味である。
般的な技術が用いられる。さらに、当業者にはよく理解
されるように、リソグラフィシステムＬＳは、目的によ
っては別の異なる技術を用いることもある。また特に注
意すべきことは、リソグラフィシステムＬＳの倍率レン
ズを用いて、電子線５２の大きさを縮小していることで
ある。本発明は、電子線５２の大きさを縮小する荷電粒
子投影リソグラフィシステムと電子線５２の大きさを拡
大する荷電粒子投影リソグラフィシステムの両方で用い
られる。ここで用いる「倍率」という用語は、電子線５
２の大きさの拡大又は縮小という意味である。
【００３３】ウエハ露光の前に、本発明による較正工程
で較正用レチクルＲと較正用ターゲットＴを用いる。図
７に示すリソグラフィシステムは、半導体製造装置とし
て用いることができる。例えば、図８（Ａ）は半導体チ
ップの製造工程の概略を示すブロック図である。また図
８（Ａ）は、本発明による較正方法を利用した装置で半
導体を製造する方法を示すフローチャートでもある。半
導体製造方法は主に、完成ウエハを作るウエハ製造工程
（又はウエハ準備工程）Ｐ１０、完成レチクル又はマス
クを作るマスク製造工程（又はマスク準備工程）Ｐ２
０、ウエハ加工工程Ｐ１２、チップを作る組立工程Ｐ４
０および検査工程Ｐ４２から成る。各工程（主工程）
は、当業者によく理解されているような複数の副工程か
ら成る。この主工程の中で、ウエハ加工工程Ｐ１２が、
細かい線幅を転写するために最も重要である。この工程
で、設計回路パターンをウエハに積み重ねていき、記憶
デバイス又はＭＰＣのような半導体チップをウエハに作
る。
で較正用レチクルＲと較正用ターゲットＴを用いる。図
７に示すリソグラフィシステムは、半導体製造装置とし
て用いることができる。例えば、図８（Ａ）は半導体チ
ップの製造工程の概略を示すブロック図である。また図
８（Ａ）は、本発明による較正方法を利用した装置で半
導体を製造する方法を示すフローチャートでもある。半
導体製造方法は主に、完成ウエハを作るウエハ製造工程
（又はウエハ準備工程）Ｐ１０、完成レチクル又はマス
クを作るマスク製造工程（又はマスク準備工程）Ｐ２
０、ウエハ加工工程Ｐ１２、チップを作る組立工程Ｐ４
０および検査工程Ｐ４２から成る。各工程（主工程）
は、当業者によく理解されているような複数の副工程か
ら成る。この主工程の中で、ウエハ加工工程Ｐ１２が、
細かい線幅を転写するために最も重要である。この工程
で、設計回路パターンをウエハに積み重ねていき、記憶
デバイス又はＭＰＣのような半導体チップをウエハに作
る。
【００３４】ウエハ加工工程Ｐ１２は、薄膜形成工程を
有し、絶縁のための誘電体層の形成や、リード線や電極
用の金属層形成が行われる。薄膜又はウエハ基板を酸化
する酸化工程が行われることもある。リソグラフィ工程
Ｐ３１は、選択的に薄膜又はウエハ基板を加工するため
に、レチクル又はマスクを用いてフォトレジスト又は他
のレジストにパターンを形成する工程を有する。加工工
程Ｐ３２では、リソグラフィ工程Ｐ３１で作られたレジ
ストパターンをマスクとして、薄膜又はウエハ基板のエ
ッチング、イオン又は不純物の注入が行われる。ウエハ
からレジストを取り除くレジスト剥離工程やチップの検
査工程も従来通り行われる。工程Ｐ３４に示すように、
ウエハ加工工程は、設計通りに動作可能な半導体チップ
を作るのに必要な回数だけ繰り返される。
有し、絶縁のための誘電体層の形成や、リード線や電極
用の金属層形成が行われる。薄膜又はウエハ基板を酸化
する酸化工程が行われることもある。リソグラフィ工程
Ｐ３１は、選択的に薄膜又はウエハ基板を加工するため
に、レチクル又はマスクを用いてフォトレジスト又は他
のレジストにパターンを形成する工程を有する。加工工
程Ｐ３２では、リソグラフィ工程Ｐ３１で作られたレジ
ストパターンをマスクとして、薄膜又はウエハ基板のエ
ッチング、イオン又は不純物の注入が行われる。ウエハ
からレジストを取り除くレジスト剥離工程やチップの検
査工程も従来通り行われる。工程Ｐ３４に示すように、
ウエハ加工工程は、設計通りに動作可能な半導体チップ
を作るのに必要な回数だけ繰り返される。
【００３５】図８（Ｂ）は、図８（Ａ）のウエハ加工工
程Ｐ１２又はＰ３０において重要なリソグラフィ工程Ｐ
３１を示すフローチャートである。リソグラフィ工程Ｐ
３１には、まずウエハ基板をレジストでコーティングす
るレジストコーティング工程Ｐ３１１がある。次に、本
発明による偏向器を用い、レチクル又はマスクによっ
て、レジストコーティングされたウエハを露光する露光
工程Ｐ３１２がある。その次には、露光工程Ｐ３１２で
露光されたレジストを現像するレジスト現像工程Ｐ３１
３があり、さらに、レジスト現像工程Ｐ３１３でつくら
れたレジストパターンの耐久性を高めるレジストアニー
リング工程Ｐ３１４がある。
程Ｐ１２又はＰ３０において重要なリソグラフィ工程Ｐ
３１を示すフローチャートである。リソグラフィ工程Ｐ
３１には、まずウエハ基板をレジストでコーティングす
るレジストコーティング工程Ｐ３１１がある。次に、本
発明による偏向器を用い、レチクル又はマスクによっ
て、レジストコーティングされたウエハを露光する露光
工程Ｐ３１２がある。その次には、露光工程Ｐ３１２で
露光されたレジストを現像するレジスト現像工程Ｐ３１
３があり、さらに、レジスト現像工程Ｐ３１３でつくら
れたレジストパターンの耐久性を高めるレジストアニー
リング工程Ｐ３１４がある。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
マスク面に較正用レチクルが、ウエハ面に較正用ターゲ
ットが提供され、これを用いて投影されたサブフィール
ドの倍率および回転を直接測定できるので、較正工程を
素早く行うことができる。
マスク面に較正用レチクルが、ウエハ面に較正用ターゲ
ットが提供され、これを用いて投影されたサブフィール
ドの倍率および回転を直接測定できるので、較正工程を
素早く行うことができる。
【図１】図１（Ａ）は本発明による、正方形サブフィー
ルドでサブフィールドの倍率を較正するために投影シス
テムで用いられる、倍率較正用ターゲットＴを示す図で
ある。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示す倍率較正用ター
ゲットＴの反射要素等の寸法を示す表である。
ルドでサブフィールドの倍率を較正するために投影シス
テムで用いられる、倍率較正用ターゲットＴを示す図で
ある。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示す倍率較正用ター
ゲットＴの反射要素等の寸法を示す表である。
【図２】図２（Ａ）は本発明による、倍率較正用ターゲ
ットＴの反射要素のパターンに合う形状の開口要素のパ
ターンを有する、倍率較正用レチクルＲを示す図であ
る。図２（Ｂ）は、図２（Ａ）に示す倍率較正用レチク
ルＲの開口要素等の寸法を示す表である。
ットＴの反射要素のパターンに合う形状の開口要素のパ
ターンを有する、倍率較正用レチクルＲを示す図であ
る。図２（Ｂ）は、図２（Ａ）に示す倍率較正用レチク
ルＲの開口要素等の寸法を示す表である。
【図３】本発明による、望ましい信号、すなわち適正に
調整および較正されたビームで、図２（Ａ）のレチクル
像を図１（Ａ）のターゲット上で走査した時に得られる
であろう信号を示す図である。
調整および較正されたビームで、図２（Ａ）のレチクル
像を図１（Ａ）のターゲット上で走査した時に得られる
であろう信号を示す図である。
【図４】図４（Ａ）は本発明による、正方形サブフィー
ルドでサブフィールドの回転を較正するために投影シス
テムで用いられる、回転較正用ターゲットＴを示す図で
ある。図４（Ｂ）は、図４（Ａ）に示す回転較正用ター
ゲットＴの反射要素等の寸法を示す表である。
ルドでサブフィールドの回転を較正するために投影シス
テムで用いられる、回転較正用ターゲットＴを示す図で
ある。図４（Ｂ）は、図４（Ａ）に示す回転較正用ター
ゲットＴの反射要素等の寸法を示す表である。
【図５】図５（Ａ）は本発明による、回転較正用ターゲ
ットＴの反射要素のパターンに合う形状の開口要素のパ
ターンを有する、回転較正用レチクルＲを示す図であ
る。図５（Ｂ）は、図５（Ａ）に示す回転較正用レチク
ルＲの開口要素等の寸法を示す表である。
ットＴの反射要素のパターンに合う形状の開口要素のパ
ターンを有する、回転較正用レチクルＲを示す図であ
る。図５（Ｂ）は、図５（Ａ）に示す回転較正用レチク
ルＲの開口要素等の寸法を示す表である。
【図６】本発明による、望ましい信号、すなわち適正に
調整および較正されたビームで、図５（Ａ）のレチクル
像を図４（Ａ）のターゲット上で走査した時に得られる
であろう信号を示す図である。
調整および較正されたビームで、図５（Ａ）のレチクル
像を図４（Ａ）のターゲット上で走査した時に得られる
であろう信号を示す図である。
【図７】本発明による電子線投影リソグラフィシステム
を示す概略図である。
を示す概略図である。
【図８】図８（Ａ）は、本発明による装置を用いて半導
体チップを製造する工程を示すブロック図である。図８
（Ｂ）は、図８（Ａ）のウエハ製造工程において主要な
工程であるリソグラフィ工程を示すフローチャートであ
る。
体チップを製造する工程を示すブロック図である。図８
（Ｂ）は、図８（Ａ）のウエハ製造工程において主要な
工程であるリソグラフィ工程を示すフローチャートであ
る。
【図９】図９（Ａ）は、本発明による倍率調整工程を示
すフローチャートである。図９（Ｂ）は、本発明による
回転調整工程を示すフローチャートである。
すフローチャートである。図９（Ｂ）は、本発明による
回転調整工程を示すフローチャートである。
１２・・・電子銃 １４・・・コンデンサレンズ １６・・・照明成形開口 ２０・・・ブランキング偏向板 ２２・・・ブランキング開口 ２４・・・マスク偏向ヨーク ２６・・・マスク ３０・・・マスクステージ ３２・・・ポスト偏向ヨーク ３４・・・縮小レンズ ３６・・・回転／倍率補正レンズ ４０・・・対物レンズ ４２・・・ウエハ ４４・・・ウエハステージ ４６・・・透過検出器 ５０・・・反射検出器 ５２・・・電子線 Ｒ・・・レチクル Ｔ・・・ターゲット
Claims (18)
- 【請求項１】 倍率較正用開口要素を有する倍率較正用
レチクルおよび倍率較正用反射要素を有する倍率較正用
ターゲットを用意する工程、 回転較正用開口要素を有する回転較正用レチクルおよび
回転較正用反射要素を有する回転較正用ターゲットを用
意する工程、 粒子線を発生させる工程、 前記粒子線を前記倍率較正用レチクルに照射する工程、 前記倍率較正用レチクルのパターン像を前記倍率較正用
ターゲットのパターン上に投影する工程、 較正された偏向器を用いて、前記倍率較正用レチクルの
パターン像を前記倍率較正用ターゲットのパターン上で
走査する工程、 前記倍率較正用ターゲットパターンで反射された粒子か
ら得られるターゲットパターンのピーク間距離を決定す
る工程、 前記倍率較正用ターゲットパターンの前記ピーク間距離
と基準値との差を計算し、倍率ずれを計算する工程、 前記粒子線を前記回転較正用レチクルに照射する工程、 前記回転較正用レチクルのパターン像を前記回転較正用
ターゲットのパターン上に投影する工程、 較正された偏向器を用いて、前記回転較正用レチクルの
パターン像を前記回転較正用ターゲットのパターン上で
走査する工程、 前記回転較正用ターゲットパターンで反射された粒子か
ら得られるターゲットパターンのピーク間距離を決定す
る工程、および前記回転較正用ターゲットパターンの前
記ピーク間距離と基準値との差を計算し、回転方向に関
する回転ずれを計算する工程を有することを特徴とする
粒子線投影リソグラフィシステムの較正方法。 - 【請求項２】 倍率較正用開口要素を有する倍率較正用
レチクルおよび倍率較正用反射要素を有する倍率較正用
ターゲットを用意する工程、 回転較正用開口要素を有する回転較正用レチクルおよび
回転較正用反射要素を有する回転較正用ターゲットを用
意する工程、 電子線を発生させる工程、 前記電子線を前記倍率較正用レチクルに照射する工程、 前記倍率較正用レチクルのパターン像を前記倍率較正用
ターゲットのパターン上に投影する工程、 較正された偏向器を用いて、前記倍率較正用レチクルの
パターン像を前記倍率較正用ターゲットのパターン上で
走査する工程、 前記倍率較正用ターゲットパターンで反射された電子又
は二次電子から得られるターゲットパターンのピーク間
距離を決定する工程、 前記倍率較正用ターゲットパターンの前記ピーク間距離
と基準値との差を計算し、倍率ずれを計算する工程、 前記電子線を前記回転較正用レチクルに照射する工程、 前記回転較正用レチクルのパターン像を前記回転較正用
ターゲットのパターン上に投影する工程、 較正された偏向器を用いて、前記回転較正用レチクルの
パターン像を前記回転較正用ターゲットのパターン上で
走査する工程、 前記回転較正用ターゲットパターンで反射された電子又
は二次電子から得られるターゲットパターンのピーク間
距離を決定する工程、および前記回転較正用ターゲット
パターンの前記ピーク間距離と基準値との差を計算し、
回転方向に関する回転ずれを計算する工程を有すること
を特徴とする電子線投影リソグラフィシステムの較正方
法。 - 【請求項３】 前記反射要素が原子番号の大きい物質で
構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載
の投影リソグラフィシステムの較正方法。 - 【請求項４】 前記原子番号の大きい物質が金、タンタ
ル又はタングステンであることを特徴とする請求項３に
記載の投影リソグラフィシステムの較正方法。 - 【請求項５】 前記倍率較正用開口要素および前記倍率
較正用反射要素が、前記倍率較正用レチクルおよび前記
倍率較正用ターゲットの外周縁近くに外周縁と平行に形
成された細長い矩形であり、 前記回転較正用開口要素および前記回転較正用反射要素
が、前記回転較正用レチクルおよび前記回転較正用ター
ゲットの外周縁近くに外周縁と垂直に形成された短い矩
形の列であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれ
かに記載の投影リソグラフィシステムの較正方法。 - 【請求項６】 前記倍率較正用レチクルおよび前記倍率
較正用ターゲットが正方形であり、 前記回転較正用レチクルおよび前記回転較正用ターゲッ
トが正方形であることを特徴とする請求項５に記載の投
影リソグラフィシステムの較正方法。 - 【請求項７】 前記倍率ずれを用いて前記粒子線又は前
記電子線の投影倍率を補正レンズにより調整する工程を
有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記
載の投影リソグラフィシステムの較正方法。 - 【請求項８】 前記回転ずれを用いて前記粒子線又は前
記電子線の回転方向を補正レンズにより調整する工程を
有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記
載の投影リソグラフィシステムの較正方法。 - 【請求項９】 較正手段を有する粒子線投影リソグラフ
ィシステムであって；前記較正手段は、 倍率較正用開口要素を有する倍率較正用レチクルおよび
回転較正用開口要素を有する回転較正用レチクルを保持
する手段、 倍率較正用反射要素を有する倍率較正用ターゲットおよ
び回転較正用反射要素を有する回転較正用ターゲットを
保持する手段、 粒子線を発生させる手段、 前記粒子線を前記倍率較正用レチクルに照射する手段、 前記倍率較正用レチクルのパターン像を前記倍率較正用
ターゲットのパターン上に投影する手段、 較正された偏向器を用いて、前記倍率較正用レチクルの
パターン像を前記倍率較正用ターゲットのパターン上で
走査する手段、 前記倍率較正用ターゲットパターンで反射された粒子か
ら得られるターゲットパターンのピーク間距離を決定す
る手段、 前記倍率較正用ターゲットパターンの前記ピーク間距離
と基準値との差を計算し、倍率ずれを計算する手段、 前記粒子線を前記回転較正用レチクルに照射する手段、 前記回転較正用レチクルのパターン像を前記回転較正用
ターゲットのパターン上に投影する手段、 較正された偏向器を用いて、前記回転較正用レチクルの
パターン像を前記回転較正用ターゲットのパターン上で
走査する手段、 前記回転較正用ターゲットパターンで反射された粒子か
ら得られるターゲットパターンのピーク間距離を決定す
る手段、および前記回転較正用ターゲットパターンの前
記ピーク間距離と基準値との差を計算し、回転方向に関
する回転ずれを計算する手段を有することを特徴とする
粒子線投影リソグラフィシステム。 - 【請求項１０】 較正手段を有する電子線投影リソグラ
フィシステムであって；前記較正手段は、 倍率較正用開口要素を有する倍率較正用レチクルおよび
回転較正用開口要素を有する回転較正用レチクルを保持
する手段、 倍率較正用反射要素を有する倍率較正用ターゲットおよ
び回転較正用反射要素を有する回転較正用ターゲットを
保持する手段、 電子線を発生させる手段、 前記電子線を前記倍率較正用レチクルに照射する手段、 前記倍率較正用レチクルのパターン像を前記倍率較正用
ターゲットのパターン上に投影する手段、 較正された偏向器を用いて、前記倍率較正用レチクルの
パターン像を前記倍率較正用ターゲットのパターン上で
走査する手段、 前記倍率較正用ターゲットパターンで反射された電子又
は二次電子から得られるターゲットパターンのピーク間
距離を決定する手段、 前記倍率較正用ターゲットパターンの前記ピーク間距離
と基準値との差を計算し、倍率ずれを計算する手段、 前記電子線を前記回転較正用レチクルに照射する手段、 前記回転較正用レチクルのパターン像を前記回転較正用
ターゲットのパターン上に投影する手段、 較正された偏向器を用いて、前記回転較正用レチクルの
パターン像を前記回転較正用ターゲットのパターン上で
走査する手段、 前記回転較正用ターゲットパターンで反射された電子又
は二次電子から得られるターゲットパターンのピーク間
距離を決定する手段、および前記回転較正用ターゲット
パターンの前記ピーク間距離と基準値との差を計算し、
回転方向に関する回転ずれを計算する手段を有すること
を特徴とする電子線投影リソグラフィシステム。 - 【請求項１１】 前記反射要素が原子番号の大きい物質
で構成されていることを特徴とする請求項９又は１０に
記載の投影リソグラフィシステム。 - 【請求項１２】 前記原子番号の大きい物質が金、タン
タル又はタングステンであることを特徴とする請求項１
１に記載の投影リソグラフィシステム。 - 【請求項１３】 前記倍率較正用開口要素および前記倍
率較正用反射要素が、倍率較正用レチクルおよび倍率較
正用ターゲットの外周縁近くに外周縁と平行に形成され
た細長い矩形であり、 前記回転較正用開口要素および前記回転較正用反射要素
が、回転較正用レチクルおよび回転較正用ターゲットの
外周縁近くに外周縁と垂直に形成された短い矩形の列で
あることを特徴とする請求項９乃至１２のいずれかに記
載の投影リソグラフィシステム。 - 【請求項１４】 前記倍率較正用レチクルおよび前記倍
率較正用ターゲットが正方形であり、 前記回転較正用レチクルおよび前記回転較正用ターゲッ
トが正方形であることを特徴とする請求項１３に記載の
投影リソグラフィシステム。 - 【請求項１５】 前記倍率ずれを用いて前記粒子線又は
前記電子線の投影倍率を補正レンズにより調整する手段
を有することを特徴とする請求項９乃至１４のいずれか
に記載の投影リソグラフィシステム。 - 【請求項１６】 前記回転ずれを用いて前記粒子線又は
前記電子線の回転方向を補正レンズにより調整する手段
を有することを特徴とする請求項９乃至１５のいずれか
に記載の投影リソグラフィシステム。 - 【請求項１７】 投影系によりウエハに投影すべき所定
のパターンを有するマスクを用意する工程、 前記マスクをマスクステージに保持する工程、 前記ウエハを用意する工程、 前記ウエハをウエハステージに保持する工程、 前記投影系を較正する工程、および前記投影系により前
記マスクのパターン像を前記ウエハに投影する工程を有
する粒子線投影露光方法であって；前記投影系を較正す
る工程は、 倍率較正用開口要素を有する倍率較正用レチクルおよび
倍率較正用反射要素を有する倍率較正用ターゲットを用
意する工程、 回転較正用開口要素を有する回転較正用レチクルおよび
回転較正用反射要素を有する回転較正用ターゲットを用
意する工程、 粒子線を発生させる工程、 前記粒子線を前記倍率較正用レチクルに照射する工程、 前記倍率較正用レチクルのパターン像を前記倍率較正用
ターゲットのパターン上に投影する工程、 較正された偏向器を用いて、前記倍率較正用レチクルの
パターン像を前記倍率較正用ターゲットのパターン上で
走査する工程、 前記倍率較正用ターゲットパターンで反射された粒子か
ら得られるターゲットパターンのピーク間距離を決定す
る工程、 前記倍率較正用ターゲットパターンの前記ピーク間距離
と基準値との差を計算し、倍率ずれを計算する工程、 前記粒子線を前記回転較正用レチクルに照射する工程、 前記回転較正用レチクルのパターン像を前記回転較正用
ターゲットのパターン上に投影する工程、 較正された偏向器を用いて、前記回転較正用レチクルの
パターン像を前記回転較正用ターゲットのパターン上で
走査する工程、 前記回転較正用ターゲットパターンで反射された粒子か
ら得られるターゲットパターンのピーク間距離を決定す
る工程、および前記回転較正用ターゲットパターンの前
記ピーク間距離と基準値との差を計算し、回転方向に関
する回転ずれを計算する工程を有することを特徴とする
粒子線投影露光方法。 - 【請求項１８】 ウエハ製造工程、マスク製造工程、ウ
エハ加工工程、組立工程、検査工程を有し； 倍率較正用開口要素を有する倍率較正用レチクルおよび
倍率較正用反射要素を有する倍率較正用ターゲットを用
意する工程、 回転較正用開口要素を有する回転較正用レチクルおよび
回転較正用反射要素を有する回転較正用ターゲットを用
意する工程、 粒子線を発生させる工程、 前記粒子線を前記倍率較正用レチクルに照射する工程、 前記倍率較正用レチクルのパターン像を前記倍率較正用
ターゲットのパターン上に投影する工程、 較正された偏向器を用いて、前記倍率較正用レチクルの
パターン像を前記倍率較正用ターゲットのパターン上で
走査する工程、 前記倍率較正用ターゲットパターンで反射された粒子か
ら得られるターゲットパターンのピーク間距離を決定す
る工程、 前記倍率較正用ターゲットパターンの前記ピーク間距離
と基準値との差を計算し、倍率ずれを計算する工程、 前記粒子線を前記回転較正用レチクルに照射する工程、 前記回転較正用レチクルのパターン像を前記回転較正用
ターゲットのパターン上に投影する工程、 較正された偏向器を用いて、前記回転較正用レチクルの
パターン像を前記回転較正用ターゲットのパターン上で
走査する工程、 前記回転較正用ターゲットパターンで反射された粒子か
ら得られるターゲットパターンのピーク間距離を決定す
る工程、および前記回転較正用ターゲットパターンの前
記ピーク間距離と基準値との差を計算し、回転方向に関
する回転ずれを計算する工程によって較正された荷電粒
子線投影リソグラフィシステムを用いて；半導体デバイ
スを製造することを特徴とする半導体デバイス製造方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US455681 | 1995-05-31 | ||
| US09/455,681 US6320187B1 (en) | 1999-12-07 | 1999-12-07 | Magnification and rotation calibration patterns for particle beam projection system |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001203157A true JP2001203157A (ja) | 2001-07-27 |
Family
ID=23809833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000360675A Pending JP2001203157A (ja) | 1999-12-07 | 2000-11-28 | 粒子線投影システムおよび粒子線投影システムの較正方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6320187B1 (ja) |
| JP (1) | JP2001203157A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2008117664A (ja) * | 2006-11-06 | 2008-05-22 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子線装置用試料台 |
| JP2011049556A (ja) * | 2009-08-26 | 2011-03-10 | D2S Inc | フラクチャリングまたはマスクデータ作成または近接効果補正のための方法、パターンセット形成方法、半導体素子製造方法、およびフラクチャリングまたはマスクデータ作成または近接効果補正のための装置 |
| JP2013502729A (ja) * | 2009-08-21 | 2013-01-24 | ディー・ツー・エス・インコーポレイテッド | キャラクタプロジェクションリソグラフィを用いて可変倍率で表面を製造するための方法および装置 |
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| US8900778B2 (en) | 2008-09-01 | 2014-12-02 | D2S, Inc. | Method for forming circular patterns on a surface |
| US9034542B2 (en) | 2011-06-25 | 2015-05-19 | D2S, Inc. | Method and system for forming patterns with charged particle beam lithography |
| US9038003B2 (en) | 2012-04-18 | 2015-05-19 | D2S, Inc. | Method and system for critical dimension uniformity using charged particle beam lithography |
| US9043734B2 (en) | 2008-09-01 | 2015-05-26 | D2S, Inc. | Method and system for forming high accuracy patterns using charged particle beam lithography |
| US9057956B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-06-16 | D2S, Inc. | Method and system for design of enhanced edge slope patterns for charged particle beam lithography |
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