JP2003115439A

JP2003115439A - 電子線描画装置及び電子線描画方法

Info

Publication number: JP2003115439A
Application number: JP2001307300A
Authority: JP
Inventors: Koji Ieda; 浩司家田; Yasuko Aoki; 康子青木
Original assignee: Hitachi High Technologies Corp; Hitachi High Tech Corp
Current assignee: Hitachi High Tech Corp
Priority date: 2001-10-03
Filing date: 2001-10-03
Publication date: 2003-04-18

Abstract

(57)【要約】【課題】発明は電子線描画装置において不可欠である電
子線校正を精度良く実施するすることにある。【解決手段】ウェハ１２にマーク位置２５Ａ，２５Ｂを
使って偏向歪みの補正を施し、この偏向歪み値に応じて
位置決め偏向器８の偏向位置を補正し、補正された電子
線９をウェハ１２に照射し、ウェハ１２にパターンを正
確に描画することにより、電子線の校正を精度良く実施
する事が可能となり、電子線描画装置を高精度にて稼動
でき歩留まりの向上を達成することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は電子線描画装置に関
し、特にビーム偏向歪み補正を実際に描画する試料（ウ
ェハ等）に形成されたマークで実施することにより、高
精度なビーム位置決めが可能となるビーム偏向制御の自
動校正方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体デバイスは描画するライン
の太さを１００ｎｍルールにするために各社製品化に向
けて凌ぎを削っている。製造装置としてキーを握るのは
リソ装置であり、その候補としての代表はＫｒＦステッ
パと電子線描画装置が挙げられる。ＫｒＦステッパはデ
バイス製造としての実績はあるが、１００ｎｍルールで
の使用は変形照明や位相シフトマスクを使っても製造マ
ージンが不足する懸念がある。

【０００３】一方、電子線描画装置は原理的に解像性能
は優れており解像能力的には優位だが、電子線を高速高
精度で制御する性質上、電子線をいかに安定良く制御す
るかが課題となる。

【０００４】電子線描画装置では、この問題を解決する
ため実際の描画位置（ウェハ相当位置）にビームを校正
する為の基準マークを設け、定期的に電子線のフォーカ
ス・ビームサイズ・偏向といった誤差を計測して、自主
校正により電子線の試料面におけるフォーカスや照射位
置などを補正している。

【０００５】図５により従来例を説明する。電子源１よ
り照射された電子線９は第一マスク２を透過し、成形レ
ンズ４を通過し、第二マスク６に到達する。第２マスク
６に電子線９を照射する場合、成形偏向器３に制御計算
機２２より成形偏向制御回路１５に成形寸法が指定さ
れ、成形偏向制御回路１５より成形偏向器３に電圧がか
かり、ウェハ１２上で指定寸法となるような矩形状の電
子線９が第２マスク６を透過する。

【０００６】第２マスク６を透過した電子線９は縮小レ
ンズ７にて縮小され、制御用計算機２１にて指定された
偏向位置を位置決め偏向制御回路１６に設定することに
より、位置決め偏向器８に偏向信号が設定され、電子線
９は指定の位置に偏向され対物レンズ１０を通して、試
料台１３上のウェハ１２に照射される。試料台１３は、
試料台位置決め機構１４、試料台位置測長回路２０及び
試料台位置制御回路１８にて制御計算機２１の指定によ
り正確に位置決めされる。

【０００７】図１は１軸のみの表記だが実際は少なくと
も２軸以上を有し、Ｘ方向、Ｙ方向、及びヨーイング成
分が正確に計測され位置決められる。前述のような電子
線９の制御と、試料台１３の制御により、ウェハ１２上
の指定された位置に指定された形状のＬＳＩパターンを
描画することが可能となる。

【０００８】また、ウェハ１２や基準プレート１９上の
マークに照射された電子線９の反射電子２３は反射電子
検出器１１にて検出され、マーク検出回路１７にて信号
処理され、制御用計算機２２によって試料台１３上での
マークの位置を正確に計測することができる。

【０００９】上記の構成において描画精度上問題になる
のが位置決め偏向器８による偏向歪みである。この問題
を解決する為、電子線描画装置では描画開始前等の適当
なタイミングで偏向歪量の測定を実施して、実際の描画
時に補正するシステムが組まれている。偏向歪み量の測
定手段について以下説明する。

【００１０】試料台１３上に設けた基準プレート位置１
９には位置検出用の基準マークが設けてある。基準マー
ク位置１９は上述の如く試料台位置測長回路２０により
正確に測長される。基準マーク位置１９を図５の点線で
示すδだけ移動させた時に、位置決め偏向器８で相当量
δだけ電子線９を偏向させて基準マーク位置１９を検出
する。この時、試料台位置測長回路２０による移動量計
測値とマーク検出回路１７による基準マーク位置１９に
おける検出結果との差分が位置決め偏向器８の偏向歪み
量となる。

【００１１】上記要領で位置決め偏向器８の偏向領域を
２次元的に隈なく測定し偏向歪み量を測定する。偏向歪
み補正の他に実際は同様な要領で電子線９のサイズ補正
やドリフト補正等も実施している。上述補正に関して特
開昭５６−１０３４２０号公報が考えられた。

【００１２】特開昭５６−１０３４２０号公報の特徴は
上述補正を高さ方向に少なくとも２個所の基準マーク位
置で補正する事で、ウェハ面の反りによる高さ変動にも
高精度で補正できる事である。しかし、上記公報では精
度を維持する為に高頻度で校正を実施する必要があり、
基準マーク位置に電子線を照射すると表面状態が時系列
的にハイドロカーボン付着が発生し汚染される為、定期
的に基準マークを交換する必要があった。

【００１３】特開平９−１３４８６１号公報では、電子
線照射による汚染状態を付着した汚染物質膜厚の測定に
より監視出来る機能を備えたもので、発明対象が電子線
通過路の途中における絞りやマスク位置での監視をする
発明であり、同様な目的や手段が本発明とは異なる。

【００１４】特開平１０−１８９４３７号公報では試料
台上の基準マークをシャッター機能により保護する提案
がされているが、校正が必要な時は当然基準マークを照
射する必要があり、不用意には汚染されないメリットは
あるが、基準マークの汚染を永久的に避けられるもので
は無い。

【００１５】以上のように従来技術では、基準マークの
汚染は避けられないもので、基準マークの交換は不可欠
であった。更に、実際にデバイスウェハに上述の偏向歪
量から算出した偏向量補正量を用いて露光する場合、基
準マークとデバイスウェハの材質の違いによること、電
子線によるレジストチャージアップによること等によっ
て所望とする位置に描画できない場合があった。

【００１６】その場合、実際の描画結果から補正量を算
出し、前述の偏向量の補正に重乗して補正を行ってい
た。この補正はデバイスウェハのレイヤ、品種間で変動
することがあるため、確認の手間が煩雑であった。ま
た、実際に露光して確認するため、工程短縮への妨げと
なっていた。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】基準マークによって求
められた偏向歪量は実際に描画する対象である実デバイ
スウェハ上での補正量と、１）レジストによるチャージ
アップの影響、２）下地層の材質による電子の後方散乱
の影響、３）ウェハチャック電圧による表面電位、４）
ステージ温度によるウェハの伸縮等の要因により厳密に
一致しない可能性があり、またこの補正量はデバイスウ
ェハの工程や品種間でも変動することがある。

【００１８】このため、現実は実際に描画して偏向歪量
を確認しており、手間が煩雑で工程短縮への妨げとなっ
ていた。また、磁性膜付きウェハ及びウェハの一部に帯
電している電荷などの磁場の影響によりビームが変移
し、所望とする偏向位置に描画できなく、描画時の偏向
幅を極力小さくするなどの方法をとっているが、偏向幅
を狭めたことによりスループット低下などの課題があっ
た。

【００１９】本発明の目的は、偏向歪み補正の校正を基
準マークではなく、実デバイスウェハ上にマークを使用
することにより、実デバイスウェハの状態を反映した偏
向歪み量を少なした電子線描画装置を提供することにあ
る。

【００２０】

【課題を解決するための手段】前述の目的を達成するた
めに、本発明の電子線描画装置では、試料の位置マーク
での測定値Ｄａと、試料台での基準マーク位置の測定結
果をＤｃとし、ＤｃとＤａとの差分値を閾値とすれば、
Ｄａが閾値より大きい時には、Ｄａの値分だけ位置決め
偏向器の偏向位置を補正することを特徴とする。

【００２１】

【発明の実施の形態】即ち、本発明の通常実デバイスウ
ェハ上には工程間でのパターン重ね合わせが必要で、各
工程でウェハ位置検出用のアライメントマークが設けら
れている。電子線描画装置においても同様で、各チップ
に１個〜数個のマークが配備されている。又、前述アラ
イメントマークはＸ，Ｙ双方向を同時に位置検出可能な
ように十字マークやＺマークで形成されるのが一般であ
る。このアライメントマークを用いて、ウェハ描画前
に、ビーム偏向制御の校正を実施する。

【００２２】また、デバイスのプロセス条件により、ウ
ェハ上での校正は任意の位置により任意のマーク数で校
正を可能とする。各マークでの校正結果はマーク毎にメ
モリに格納される。実際の描画の際には、基準マークで
の校正結果とウェハ上のマークでの校正結果を比較し、
最適な校正結果を判断する判定回路により判別された校
正結果が、偏向制御装置の校正定数として最終的に反映
される。

【００２３】以上により、デバイスウェハでのプロセス
誤差要因を反映したビーム偏向校正が可能となり、当該
ウェハ上で最適な補正量を算出できる。本手段によれ
ば、露光確認を必要としないため、校正確認の手間を減
らし、工程を短縮できる。

【００２４】以下、本発明の具体的な実施例を次の図面
により説明する。図１に本発明を実現するための電子線
描画装置の概略図を示す。電子線描画装置の基本動作に
ついては上述従来例と同様なので説明を割愛し、偏向制
御装置の校正動作について図１により説明する。

【００２５】図１では半導体ウェハ１２の表面において
２箇所のマークでの校正例を示す。マーク数については
当然任意に設定可能だが、説明を簡素化する為２箇所で
の例で説明する。電子線描画装置での描画開始前に実施
する偏向歪み補正を実施する際、まず試料台１３上に設
けた装置付属の基準マーク１９で校正動作を実施する。
校正は、試料台１３における偏向領域内を二次元的に隈
なく移動させ、各試料台位置でのマーク位置１９に位置
決め偏向器８からの電子線９を照射し、その反射電子線
２２を検出用反射電子検出器１１で検出し、マーク検出
回路１７にて信号処理がなされ制御計算機２１で２次元
的な偏向歪補正量が算出される。算出された補正量は格
納メモリ２３に一旦格納される。

【００２６】次に、試料台１３上に載置されたウェハ１
２上に予め形成されたアライメントのマーク位置２５Ａ
に試料台１３を移動させる。以降基準マーク１９での校
正動作と同様に最終的に偏向歪の補正量が算出され格納
メモリ２３に格納させる。

【００２７】次にマーク位置２５Ｂに試料台１３を移動
させる。以降、前述マーク位置２５Ａでの校正動作と同
様動作にて偏向歪補正量が算出され、最終的に格納メモ
リ２３に格納される。又、格納メモリ２３にはマーク位
置２５Ａと２５Ｂにて得られた偏向歪補正量の平均デー
タも制御計算機２１により計算し、格納される。尚、マ
ーク位置２５Ａ，２５Ｂは図２においてＺで表示してい
る。

【００２８】以上により算出された基準マーク１９及び
ウェハ上のマーク位置２５Ａ，２５Ｂ及び，マーク位置
２５Ａ，２５Ｂの平均値での偏向歪補正量は、判定回路
２４により適切な偏向補正量が選別されて、最終的に位
置決め偏向制御回路１６に補正量とし、転送される。前
述の補正量により校正された偏向制御により、電子源１
より発した電子線９を位置決め偏向器８により正確に位
置決めされてウェハ１２上に電子線９を照射し、所望の
パターンを描画する。次に判定回路２４での具体的な判
別手段について図２、図３、図４で説明する。

【００２９】図２はウェハ１２の拡大図で、ウェハ１２
の描画領域をＡ，Ｂのブロックに分割した例であり、各
ブロック内のマーク位置２５Ａと２５Ｂが配備されてい
る。各々のマーク位置２５Ａと２５Ｂは予めウェハ上で
の座標が登録されており、試料台位置測長回路２０によ
り試料台が二次元的（ｘ，ｙ）座標に位置決めされて任
意のマーク位置への移動が可能となる。前述したように
格納メモリ２３内には校正動作により得られた偏向歪補
正量がマーク種毎に格納されている。

【００３０】図３(Ａ)，(Ｂ)に具体的な格納データ例を
示す。偏向可能領域内を２次元的に任意マトリクス（図
３では３ｘ３）で分割し、各々位置でのＸＹ偏向補正量
が算出されている。

【００３１】図３(Ａ)の横欄の項目にはマーク位置２５
Ａ，２５Ｂの測定結果をＤａ，Ｄｂと、基準マーク位置
１９の測定結果をＤｃと、ＤｃとＤａ，Ｄｂとの差分値
の閾値と、Ｄａ，Ｄｂの平均値をＤａｂとを記載する。
また縦欄には図３(Ｂ)のＸ軸及びＹ軸の測定位置(１，
１)，(１，３)，(３，１)，(３，３)に前述の項目に応
じた偏向歪値(ｎｍ)の測定結果を記載した。

【００３２】このような測定結果に基き位置決め偏向器
８の偏向位置を決定するフロチャートを図４により説明
する。

【００３３】ウェハ１２に少なくとも２個以上のマーク
位置２５Ａ，２５Ｂを設け、このマーク位置２５Ａ，２
５Ｂの測定結果をＤａ，Ｄｂとし、基準マーク位置１９
の測定結果をＤｃとし、ＤｃとＤａ，Ｄｂとの差分値を
閾値とすれば、次の式が成り立つ、Ｄｃ−Ｄａ≦閾値(２０ｎｍ)…（１）Ｄｃ−Ｄｂ≦閾値(２０ｎｍ)…（２）Ａ)、Ｄａ，Ｄｂ≦閾値の時には、Ｙｅｓとなり閾値を
選択する。即ち、閾値分だけ位置決め偏向器８の偏向位
置を補正し、位置決め偏向器８からの補正された電子線
９をウェハ１２に照射し、ウェハ１２にパターンを描写
する。

【００３４】Ｎｏの場合にはＢ)Ｎｏ及びＣ)Ｙｅｓにつ
いて説明する。

【００３５】Ｂ)の場合には、Ｄａ，Ｄｂのいずれか一
方が閾値より大き時には、Ｄａ，Ｄｂの平均値分だけ位
置決め偏向器８の偏向位置を補正する。

【００３６】Ｃ)の場合には、Ｄａ，Ｄｂ＞閾値の時に
は、Ｄａ，Ｄｂの各値分だけ位置決め偏向器８の偏向位
置を補正する。

【００３７】更に前述のＡ)，Ｂ)，Ｃ)の場合につい
て、例えば、閾値＝２０(ｎｍ)、基準マーク位置１９の
測定結果をＤｃ＝２５、試料マーク位置２５Ａ，２５Ｂ
の測定結果をＤａ＝１５(ｎｍ)，Ｄｂ＝２０(ｎｍ)とす
る。

【００３８】Ａ)の場合、前述（１）より１０≦２０、
（２）より１５≦２０のときには、閾値(２０ｎｍ)だけ
位置決め偏向器８の偏向位置を補正する。

【００３９】Ｂ)の場合、閾値＝２０、基準マーク位置
１９の測定結果をＤｃ＝２５、試料マーク位置２５Ａ，
２５Ｂの測定結果をＤａ＝５０，Ｄｂ＝４０とすれば、
前述（１）より２５＞２０、（２）より１５≦２０の時
には、Ｄａ（５０），Ｄｂ（４０）の平均値分（４５）
だけ位置決め偏向器８の偏向位置を補正する。

【００４０】Ｃ)の場合、閾値＝２０、基準マーク位置
の測定結果をＤｃ＝２５、試料マーク位置の測定結果を
Ｄａ＝５０，Ｄｂ＝７５とすれば、前述（１）より２５
＞２０，（２）より５０＞２０の時には、Ｄａ（５０）
とＤｂ（７５）の値分だけ位置決め偏向器８の偏向位置
を補正する。尚、Ｃ)の場合はＤａ＝５０，Ｄｂ＝７５
のいずれか１個を採用しても、本発明の以下に記載した
効果を達成することができる。

【００４１】このように各偏向歪みに応じて、位置決め
偏向器８の偏向位置を補正することにより、位置決め偏
向器８から補正された電子線９がウェハ１２に照射し、
ウェハ１２にパターンを描画することができる。この
際、補正された電子線９はウェハ１２の電荷による電子
線９の変移は予めマーク位置２５Ａ，２５Ｂの測定結果
に測定されているから、電荷による影響を予め校正した
電子線９により正確にパターンをウェハ１２に描画する
ことが出来るようになった。

【００４２】また補正する場合には、Ｃ)の場合のよう
にＤａ，Ｄｂ＞閾値の時には、各Ｄａ、Ｄｂの値分だけ
位置決め偏向器８の偏向位置を補正するだけでも、補正
された分だけ電子線９がより正確にパターンをウェハ１
２に描画することが出来るから、ウェハ１２にパターン
を描画する歩留は従来技術に比べて著しく向上すること
ができる。

【００４３】またＢ)の場合もＣ)の効果と同様である他
に、Ｂ)の場合はＣ)の場合に比べて、偏向歪が小さくて
良いから、位置決め偏向器８の偏向位置を補正する範囲
が狭くて良い分だけ、位置決め偏向器８における移動時
間を短くできるので、作業スピードを速くすることがで
きる。

【００４４】更に、図４及び前述では２０ｎｍの閾値に
対して判定しているが、判定レベルは任意に設定可能で
ある。ここでまず判定レベル基準には、測定値が閾値よ
り小さい場合には閾値が適切な補正量とし、採用され
る。次に、測定値が閾値より大きな場合には、各々の測
定値がすべて閾値より大きいか、或いはそのうちの１個
が大きいかにより補正を判別する。図４では２０ｎｍの
閾値に対して判定しているが、前述と同ように任意に設
定可能である。

【００４５】即ち、位置による差分つまり測定値が閾値
より大きい場合は、各ブロック毎に各ブロック内マーク
での校正結果（ＡブロックはＤａ、ＢブロックはＤｂ）
で各ブロック毎に偏向補正量が採用される。差分の１個
が閾値より大きい場合には、Ｄａｂが適切な補正量とし
て採用される。勿論、前述は自動判定の場合であり、ユ
ーザが任意の補正量を選択して描画することも可能であ
ると共に、事前に描画結果で判断していた作業も自動化
することができる。

【００４６】また前述では図１において、位置決め偏向
制御回路１６、格納メモリ２３、判定回路２４について
は制御計算機２１のプログラムつまりソフトにより処理
できるので、場合によっては省略しても良い。更にウェ
ハ以外の他の試料例えばプリント板などにも使用するこ
とができることは勿論である。

【００４７】更に本発明の他の実施例として、次のよう
な電子線描写方法にも使用できる。即ち、試料台の基準
マーク位置を測定し、測定結果Ｄｃを制御計算機の格納
メモリに格納し、次に前記試料マーク位置を測定し、測
定結果Ｄａ，Ｄｂを格納メモリに格納し、格納メモリか
ら測定値を判定回路に入力し、判定回路でＤａ，Ｄｂと
しＤｃとし、ＤｃとＤａ，Ｄｂとの差分値を閾値とすれ
ば、Ｄａ，Ｄｂのいずれもが閾値より小さい時には、閾
値分だけを、またＤａ，Ｄｂのいずれか一方が閾値より
大きい時には、Ｄａ，Ｄｂの平均値分だけを、更に、Ｄ
ａ，Ｄｂのいずれもが閾値より大きい時には、各Ｄａ，
Ｄｂの値分だけを、判定回路２４から位置決め偏向器８
の偏向位置を補正し、位置決め偏向器８からの補正され
た電子線９を試料例えばウエハ１２に照射し、ウエハ１
２にパターンを描写する。

【００４８】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、試料上
のマークでの偏向歪み補正が可能となり、補正された電
子線により試料に高精度な描画が可能となり、スループ
ット向上や品質向上（デバイス製造上歩留まり向上）が
実現できる。また事前に描画結果で判断していた作業も
自動化することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例として示す電子線描画装置の構
成図。

【図２】図１のウェハにマーク位置を形成した平面図。

【図３】図１の格納メモリの内容を説明する為の例を示
す図。

【図４】図１の判定回路の概略フロー図。

【図５】従来例を示す電子線描画装置の構成図。

【符号の説明】

１…電子源、２…矩形成形絞り、３…成形偏向器、４…
成形レンズ、５…ブランカ、６…可変成形絞り、７…縮
小レンズ、８…位置決め偏向器、９…電子線、１０…対
物レンズ、１１…マーク検出用反射電子検出器、１２…
ウェハ、１３…試料台、１４…試料台位置決め機構、１
５…成形偏向制御回路、１６…位置決め偏向制御回路、
１７…マーク検出回路、１８…試料台位置制御回路、１
９…基準マークプレート、２０…試料台位置測長回路、
２１…制御計算機、２２…反射電子、２３…格納メモ
リ、２４…判定回路。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｊ 37/305 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５４１Ｄ (72)発明者青木康子茨城県ひたちなか市大字市毛882番地株式会社日立ハイテクノロジーズ設計・製造統括本部那珂事業所内Ｆターム(参考） 5C033 GG03 5C034 BB04 BB06 BB07 5F056 AA01 BB01 BB06 BD03 BD05 CD02

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】試料を試料台に載置し、前記試料台の基
準マーク位置と前記試料のマーク位置とに位置決め偏向
器からの電子線を照射し、その反射電子線を検出器で検
出した反射電子線を、制御計算機の格納メモリに格納
し、前記基準マーク位置値と試料マーク位置値との差分
値だけ前記位置決め偏向器の偏向位置を補正し、位置決
め偏向器からの補正された電子線を前記試料に照射し、
試料にパターンを描写する装置において、前記試料マー
ク位置の測定結果をＤａとし、前記基準マーク位置の測
定結果をＤｃとし、ＤｃとＤａとの差分値を閾値とすれ
ば、Ｄａが閾値より大きい場合には、前記Ｄａの値分だ
け前記位置決め偏向器の偏向位置を補正することを特徴
とする電子線描写装置。
【請求項２】試料を試料台に載置し、前記試料台の基
準マーク位置と前記試料のマーク位置とに位置決め偏向
器からの電子線を照射し、その反射電子線を検出器で検
出した反射電子線を、制御計算機の格納メモリに格納
し、前記基準マーク位置値と試料マーク位置値との差分
値だけ前記位置決め偏向器の偏向位置を補正し、位置決
め偏向器からの補正された電子線を前記試料に照射し、
試料にパターンを描写する装置において、前記試料マー
ク位置の測定結果をＤａ，Ｄｂとし、前記基準マーク位
置の測定結果をＤｃとし、ＤｃとＤａ，Ｄｂとの差分値
を閾値とすれば、Ｄａ，Ｄｂのいずれか一方が閾値より
大きい時には、Ｄａ，Ｄｂの平均値分だけ前記位置決め
偏向器の偏向位置を補正することを特徴とする電子線描
写装置。
【請求項３】試料を試料台に載置し、前記試料台の基
準マーク位置と前記試料のマーク位置とに位置決め偏向
器からの電子線を照射し、その反射電子線を検出器で検
出した反射電子線を、制御計算機の格納メモリに格納
し、前記基準マーク位置値と試料マーク位置値との差分
値だけ前記位置決め偏向器の偏向位置を補正し、位置決
め偏向器からの補正された電子線を前記試料に照射し、
試料にパターンを描写する装置において、前記試料マー
ク位置の測定結果をＤａ，Ｄｂとし、前記基準マーク位
置の測定結果をＤｃとし、ＤｃとＤａ，Ｄｂとの差分値
を閾値とすれば、前記Ｄａ，Ｄｂが閾値より小さいか或
いは等しい時には、前記閾値を、次に、Ｄａ，Ｄｂのい
ずれか一方が閾値より大き時には、Ｄａ，Ｄｂの平均値
を、更に、Ｄａ，Ｄｂが閾値より大きい時には、各Ｄ
ａ，Ｄｂの値を、それぞれの前記値に応じて前記位置決
め偏向器の偏向位置を補正することを特徴とする電子線
描写装置。
【請求項４】前記試料マーク位置の測定結果と前記基
準マーク位置の測定結果とを記憶する格納メモリと、各
測定結果を比較して前記位置決め偏向器の偏向位置に補
正を指示する判定回路とを備えていることを特徴とする
請求項１から３のいずれか１項に記載の電子線描写装
置。
【請求項５】前記試料の描写領域を複数のブロックに
分割し、各ブロック内のマークで得られた補正結果によ
り、当該ブロック領域における任意のマーク位置の測定
結果と前記基準マーク位置の測定結果とを記憶する格納
メモリと、各測定結果を比較して前記位置決め偏向器の
偏向位置に補正を指示する判定回路とを備えていること
を特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の電
子線描写装置。
【請求項６】前記試料に設けたマーク位置は位置合わ
せ用のアライメントマークを使用することを特徴とする
請求項１から３のいずれか１項に記載の電子線描写装
置。
【請求項７】前記試料に代えて半導体ウェハを使用す
ることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記
載の電子線描写装置。
【請求項８】試料を試料台に載置し、前記試料台の基
準マーク位置と前記試料のマーク位置とに位置決め偏向
器からの電子線を照射し、その反射電子線を検出器で検
出した反射電子線を、制御計算機の格納メモリに格納
し、前記基準マーク位置値と試料マーク位置値との差分
値だけ前記位置決め偏向器の偏向位置を補正し、位置決
め偏向器からの補正された電子線を前記試料に照射し、
試料にパターンを描写する電子線描写方法において、前
記試料台の基準マーク位置を測定し、測定結果Ｄｃを前
記制御計算機の格納メモリに格納し、次に前記試料マー
ク位置を測定し、測定結果Ｄａ，Ｄｂを格納メモリに格
納し、格納メモリから測定値を判定回路に入力し、判定
回路でＤａ，ＤｂとしＤｃとし、ＤｃとＤａ，Ｄｂとの
差分値を閾値とすれば、Ｄａ，Ｄｂが閾値より小さいか
或いは等しい時には、閾値だけを、次に、Ｄａ，Ｄｂの
いずれか一方が閾値より大き時には、Ｄａ、Ｄｂの平均
値だけを、更に、Ｄａ，Ｄｂが閾値より大きい時には、
各Ｄａ，Ｄｂの値だけを、それぞれ前記値に応じて前記
判定回路から前記位置決め偏向器の偏向位置を補正し、
位置決め偏向器からの補正された電子線を前記試料に照
射し、試料にパターンを描写することを特徴とする電子
線描写方法。