JP2013077847A - 荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】荷電粒子ビームの主偏向領域の中心付近における位置ずれ量を求める。次いで、複数の位置ずれ量から補正値を求める。そして、この補正値から荷電粒子ビームの照射位置を補正する。主偏向領域の中心付近は、主偏向領域の中心を含む副偏向領域とすることができる。この場合、位置ずれ量は、副偏向領域における任意の1点についてのものとすることもできるし、副偏向領域における任意の複数の点の位置ずれ量の平均とすることもできる。
【選択図】図5
Description
+a3x2+a4xy+a5y2
+a6x3+a7x2y+a8xy2+a9y3
+a10x4+a11x3y+a12x2y2+a13xy3+a14y4
前記荷電粒子ビームの主偏向領域の中心付近における位置ずれ量を求める工程と、
複数の前記位置ずれ量から補正値を求める工程と、
前記補正値から前記荷電粒子ビームの照射位置を補正する工程とを有することを特徴とするものである。
前記荷電粒子ビームの主偏向領域全体における位置ずれ量を求め、該位置ずれ量から第1の補正値を求める工程と、
前記第1の補正値の平均値である第2の補正値を求める工程と、
前記第2の補正値を用いて前記荷電粒子ビームの照射位置を補正する工程とを有することを特徴とするものである。
前記荷電粒子ビームの主偏向領域の任意の複数の点における位置ずれ量を求め、該位置ずれ量から第1の補正値を求める工程と、
前記第1の補正値の平均値である第2の補正値を求める工程と、
前記第2の補正値を用いて前記荷電粒子ビームの照射位置を補正する工程とを有することを特徴とするものである。
前記荷電粒子ビームの主偏向領域の中心付近における位置ずれ量を求める機能を有する手段と、
複数の前記位置ずれ量から補正値を求める機能を有する手段と、
前記補正値から前記荷電粒子ビームの照射位置を補正する機能を有する手段とを備えることを特徴とするものである。
前記荷電粒子ビームの主偏向領域全体における位置ずれ量を求め、該位置ずれ量から第1の補正値を求める機能を有する手段と、
前記第1の補正値の平均値である第2の補正値を求める機能を有する手段と、
前記第2の補正値を用いて前記荷電粒子ビームの照射位置を補正する機能を有する手段とを備えることを特徴とするものである。
+a3x2+a4xy+a5y2
+a6x3+a7x2y+a8xy2+a9y3
+a10x4+a11x3y+a12x2y2+a13xy3+a14y4
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+c3x2+c4xy+c5y2
+c6x3+c7x2y+c8xy2+c9y3
+c10x4+c11x3y+c12x2y2+c13xy3+c14y4
(1)
2 マスク
3 ステージ
4 ステージ駆動回路
5 位置回路
6 電子銃
7,8,9,11,12 各種レンズ
10 電子ビーム光学系
13 ブランキング用偏向器
14 ビーム寸法可変用偏向器
15 主偏向器
16 副偏向器
17,18 ビーム成形用アパーチャ
20 制御計算機
21 磁気ディスク
22 パターンメモリ
23 パターンデータデコーダ
24 描画データデコーダ
25 ブランキング回路
26 ビーム成形器ドライバ
27 主偏向ドライバ
28 副偏向ドライバ
29 ストライプ領域
30 主偏向領域
31 副偏向領域
32 ショット図形
41 主偏向領域
42 パターン
Claims (9)
- 荷電粒子ビームの光路上に配置された主偏向器および副偏向器を用いて前記荷電粒子ビームを偏向し、ステージ上の試料に所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法であって、
前記荷電粒子ビームの主偏向領域の中心付近における位置ずれ量を求める工程と、
複数の前記位置ずれ量から補正値を求める工程と、
前記補正値から前記荷電粒子ビームの照射位置を補正する工程とを有することを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。 - 前記中心付近は、前記主偏向領域の中心を含む副偏向領域であることを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子ビーム描画方法。
- 前記位置ずれ量は、前記副偏向領域における任意の1点についてのものであることを特徴とする請求項2に記載の荷電粒子ビーム描画方法。
- 前記位置ずれ量は、前記副偏向領域における任意の複数の点の位置ずれ量の平均であることを特徴とする請求項2に記載の荷電粒子ビーム描画方法。
- 前記主偏向領域を、前記主偏向領域の中心付近にある第1の副偏向領域と、前記第1の副偏向領域を挟んで前記ステージの移動方向に対して前後に位置する第2の副偏向領域とを合わせた幅にして、前記荷電粒子ビームを照射して連続描画を行うことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の荷電粒子ビーム描画方法。
- 荷電粒子ビームの光路上に配置された主偏向器および副偏向器を用いて前記荷電粒子ビームを偏向し、ステージ上の試料に所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法であって、
前記荷電粒子ビームの主偏向領域全体における位置ずれ量を求め、該位置ずれ量から第1の補正値を求める工程と、
前記第1の補正値の平均値である第2の補正値を求める工程と、
前記第2の補正値を用いて前記荷電粒子ビームの照射位置を補正する工程とを有することを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。 - 荷電粒子ビームの光路上に配置された主偏向器および副偏向器を用いて前記荷電粒子ビームを偏向し、ステージ上の試料に所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法であって、
前記荷電粒子ビームの主偏向領域の任意の複数の点における位置ずれ量を求め、該位置ずれ量から第1の補正値を求める工程と、
前記第1の補正値の平均値である第2の補正値を求める工程と、
前記第2の補正値を用いて前記荷電粒子ビームの照射位置を補正する工程とを有することを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。 - 荷電粒子ビームの光路上に配置された主偏向器および副偏向器を用いて前記荷電粒子ビームを偏向し、ステージ上の試料に所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置であって、
前記荷電粒子ビームの主偏向領域の中心付近における位置ずれ量を求める機能を有する手段と、
複数の前記位置ずれ量から補正値を求める機能を有する手段と、
前記補正値から前記荷電粒子ビームの照射位置を補正する機能を有する手段とを備えることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 荷電粒子ビームの光路上に配置された主偏向器および副偏向器を用いて前記荷電粒子ビームを偏向し、ステージ上の試料に所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置であって、
前記荷電粒子ビームの主偏向領域全体における位置ずれ量を求め、該位置ずれ量から第1の補正値を求める機能を有する手段と、
前記第1の補正値の平均値である第2の補正値を求める機能を有する手段と、
前記第2の補正値を用いて前記荷電粒子ビームの照射位置を補正する機能を有する手段とを備えることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
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