JP2011066216A - 荷電粒子ビーム描画装置および方法 - Google Patents

Abstract

【課題】通信回数を増加することなく、ステップアンドリピート描画モード時の可動ステージの移動効率を向上させる。
【解決手段】連続移動描画モードとステップアンドリピート描画モードとを有する荷電粒子ビーム描画装置10において、描画区画判定部10b1a1が、偏向制御部10b1eから描画制御部10b1aに送られたショット完了報告に含まれている次の主偏向座標に基づいて、次にパターンが描画される区画と、次にパターンが描画される区画を荷電粒子ビーム10a1bの照射位置に配置するためのステージ座標とを算出し、ステージ制御部10b1fが、描画制御部10b1aからのステージ移動指示を受けて、次の主偏向座標に基づいて描画区画判定部10b1a1により算出されたステージ座標まで、パターンが描画されない区画をスキップして可動ステージ10a2aを移動させる。
【選択図】図１

Description

本発明は、可動ステージに載置された試料に荷電粒子ビームを照射することによって試料にパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置および方法に関する。詳細には、本発明は、連続移動描画モードとステップアンドリピート描画モードとが備えられている荷電粒子ビーム描画装置および方法に関する。

従来から、試料が載置された可動ステージが、試料の描画領域を仮想分割することにより構成される複数の短冊状のストライプの長手方向に移動せしめられている時に、偏向器により偏向された荷電粒子ビームを照射することによって試料のストライプ内にパターンが描画される連続移動描画モードを有する荷電粒子ビーム描画装置が知られている。この種の荷電粒子ビーム描画装置の例としては、例えば特許文献１（特開２００９−３８０５５号公報）の段落〔００２０〕、段落〔００２１〕などに記載されたものがある。また、従来から、可動ステージの停止中に、偏向器により偏向された荷電粒子ビームを照射することによって試料にパターンが描画されるステップアンドリピート描画モードを有する荷電粒子ビーム描画装置が知られている。この種の荷電粒子ビーム描画装置の例としては、例えば特許文献２（特開２００７−２２７４８８号公報）の段落〔０００５〕、特許文献３（特開２００８−５２９４７号公報）の段落〔０００７〕、段落〔００２１〕などに記載されたものがある。

特開２００９−３８０５５号公報 特開２００７−２２７４８８号公報 特開２００８−５２９４７号公報

例えば特許文献１に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような連続移動描画モードを有する従来の荷電粒子ビーム描画装置においても、例えばテストパターンを描画して荷電粒子ビーム描画装置の状態を評価するためにステップアンドリピート描画モードが備えられている場合がある。連続移動描画モードとステップアンドリピート描画モードとを有する従来の荷電粒子ビーム描画装置では、連続移動描画モードがメインモードに設定され、ステップアンドリピート描画モードがサブモードに設定されているため、ステップアンドリピート描画モード時に効率的な描画が行われるように荷電粒子ビーム描画装置が設計されていなかった。詳細には、連続移動描画モードとステップアンドリピート描画モードとを有する従来の荷電粒子ビーム描画装置では、試料の描画領域が複数の横長のストライプに仮想分割され、更に、各ストライプが複数の区画に仮想分割され、各区画の縦横比率が１に近い値に設定されていた。つまり、連続移動描画モードとステップアンドリピート描画モードとを有する従来の荷電粒子ビーム描画装置では、横長の１本のストライプ内に多数の区画が配列されていた。

更に、連続移動描画モードとステップアンドリピート描画モードとを有する従来の荷電粒子ビーム描画装置では、パターンが描画される区画であるか、あるいは、パターンが描画されない区画であるかにかかわらず、ステップアンドリピート描画モード時に、すべての区画が荷電粒子ビームの照射位置に配置されるように、つまり、すべての区画が光学鏡筒の中心軸上で一旦停止せしめられるように、可動ステージの移動が制御されていた。すなわち、連続移動描画モードとステップアンドリピート描画モードとを有する従来の荷電粒子ビーム描画装置では、ステップアンドリピート描画モード時における可動ステージの１回の移動ストロークが１個の区画の幅寸法に相当する値に設定され、ステップアンドリピート描画モード時に可動ステージの移動および停止が多数回繰り返されていた。つまり、パターンが描画されない区画までもが、光学鏡筒の中心軸上で一旦停止せしめられていた。その結果、連続移動描画モードとステップアンドリピート描画モードとを有する従来の荷電粒子ビーム描画装置では、ステップアンドリピート描画モード時に、可動ステージを効率的に移動させることができず、それゆえ、描画を効率的に行うことができなかった。一方、特許文献３に記載されたステップアンドリピート描画モードを有する従来の荷電粒子ビーム描画装置では、次にパターンが描画される領域が荷電粒子ビームの中心軸上（光学鏡筒の中心軸上）に位置するように、可動ステージが移動せしめられる。そのため、特許文献３に記載されたステップアンドリピート描画モードを有する従来の荷電粒子ビーム描画装置では、ステップアンドリピート描画モード時に可動ステージの移動および停止が多数回繰り返されていた従来の荷電粒子ビーム描画装置よりも、ステップアンドリピート描画モード時における可動ステージの移動効率を向上させることができる。

ところで、特許文献３には、ステップアンドリピート描画モード時に何に基づいて可動ステージの移動が制御されるかが記載されていない。一方、特許文献２の段落〔００１５〕には、ステップアンドリピート描画モード時にパターンデータに基づいて可動ステージの移動が制御される旨が記載されている。従って、仮に、特許文献２の段落〔００１５〕に記載されているステップアンドリピート描画モード時にパターンデータに基づいて可動ステージの移動を制御する技術を、連続移動描画モードとステップアンドリピート描画モードとを有する荷電粒子ビーム描画装置に適用することができれば、連続移動描画モードとステップアンドリピート描画モードとを有する荷電粒子ビーム描画装置のステップアンドリピート描画モード時の可動ステージの移動効率を向上できる可能性があると考えられる。ところが、連続移動描画モードとステップアンドリピート描画モードとを有する従来の荷電粒子ビーム描画装置では、描画データ（パターンデータ）からショットデータを生成するショットデータ生成部と、可動ステージの移動を制御するステージ制御部とが、描画制御部を介して接続されており、ショットデータ生成部から描画制御部にストライプ情報が送られ、描画制御部からステージ制御部にステージ移動指示が送られるものの、ショットデータ生成部から描画制御部にストライプ情報が送られる頻度は、描画制御部からステージ制御部にステージ移動指示が送られる頻度に比べてかなり少ない。そのため、特許文献２の段落〔００１５〕に記載されているステップアンドリピート描画モード時にパターンデータに基づいて可動ステージの移動を制御する技術を、連続移動描画モードとステップアンドリピート描画モードとを有する荷電粒子ビーム描画装置に適用しようとすると、描画制御部からステージ制御部にステージ移動指示が送られる毎にショットデータ生成部から描画制御部に描画データ（パターンデータ）が送られるように、ショットデータ生成部から描画制御部への通信回数を大幅に増加する改良が必要になってしまう。

上述した問題点に鑑み、本発明は、通信回数を増加することなく、ステップアンドリピート描画モード時の可動ステージの移動効率を向上させることができる連続移動描画モードとステップアンドリピート描画モードとを有する荷電粒子ビーム描画装置および方法を提供することを目的とする。

本発明の一態様によれば、試料が載置された可動ステージが、試料の描画領域を仮想分割することにより構成される複数の短冊状のストライプの長手方向に移動せしめられている時に、主偏向器および副偏向器により偏向された荷電粒子ビームを照射することによって試料のストライプ内にパターンが描画される連続移動描画モードと、可動ステージの停止中に、主偏向器および副偏向器により偏向された荷電粒子ビームを照射することによって試料のストライプ内にパターンが描画されるステップアンドリピート描画モードとが備えられており、ステップアンドリピート描画モード時に、荷電粒子ビーム描画装置による描画動作全体を制御するＪＯＢ制御部と、荷電粒子ビームのショットデータを生成するショットデータ生成部と、ショットデータ生成部から転送されたショットデータに含まれている主偏向座標および副偏向座標に基づいて主偏向器および副偏向器を制御する偏向制御部と、ストライプ情報をショットデータ生成部から受け取り、試料のストライプ内にパターンを描画するためのショット開始指示を偏向制御部に送る描画制御部と、偏向制御部から描画制御部に送られたショット完了報告に含まれている次の主偏向座標に基づいて、次にパターンが描画される区画と、次にパターンが描画される区画を荷電粒子ビームの照射位置に配置するためのステージ座標とを算出する描画区画判定部と、描画制御部からのステージ移動指示を受けて、次の主偏向座標に基づいて描画区画判定部により算出されたステージ座標まで、パターンが描画されない区画をスキップして可動ステージを移動させるステージ制御部とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置が提供される。

本発明の別の一態様によれば、試料が載置された可動ステージが、試料の描画領域を仮想分割することにより構成される複数の短冊状のストライプの長手方向に移動せしめられている時に、主偏向器および副偏向器により偏向された荷電粒子ビームを照射することによって試料のストライプ内にパターンが描画される連続移動描画モードと、可動ステージの停止中に、主偏向器および副偏向器により偏向された荷電粒子ビームを照射することによって試料のストライプ内にパターンが描画されるステップアンドリピート描画モードとが備えられている荷電粒子ビーム描画装置の荷電粒子ビーム描画方法において、ステップアンドリピート描画モード時に、ＪＯＢ制御部が荷電粒子ビーム描画装置による描画動作全体を制御し、ショットデータ生成部が荷電粒子ビームのショットデータを生成し、ショットデータ生成部から転送されたショットデータに含まれている主偏向座標および副偏向座標に基づいて偏向制御部が主偏向器および副偏向器を制御し、描画制御部が、ストライプ情報をショットデータ生成部から受け取ると共に、試料のストライプ内にパターンを描画するためのショット開始指示を偏向制御部に送り、描画区画判定部が、偏向制御部から描画制御部に送られたショット完了報告に含まれている次の主偏向座標に基づいて、次にパターンが描画される区画と、次にパターンが描画される区画を荷電粒子ビームの照射位置に配置するためのステージ座標とを算出し、ステージ制御部が、描画制御部からのステージ移動指示を受けて、次の主偏向座標に基づいて描画区画判定部により算出されたステージ座標まで、パターンが描画されない区画をスキップして可動ステージを移動させることを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法が提供される。

本発明によれば、通信回数を増加することなく、ステップアンドリピート描画モード時の可動ステージの移動効率を向上させることができる。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の構成図である。 第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の制御計算機１０ｂ１の詳細図である。 荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットで描画することができるパターンＰの一例を説明するための図である。 描画データＤの一例を概略的に示した図である。 連続移動描画モード時の描画順序を説明するための図である。 区画Ｓ１１，…，Ｓ９３，…などを説明するための図である。 第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のステップアンドリピート描画シーケンスを示した図である。 第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０ステップアンドリピート描画モード時における試料Ｍに対して相対移動する光学鏡筒１０ａ１の中心軸の軌跡を矢印で示した図である。 第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の制御計算機１０ｂ１の詳細図である。 第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のステップアンドリピート描画シーケンスを示した図である。 第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０ステップアンドリピート描画モード時における試料Ｍに対して相対移動する光学鏡筒１０ａ１の中心軸の軌跡を矢印で示した図である。

以下、本発明の荷電粒子ビーム描画装置の第１の実施形態について説明する。図１は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の概略的な構成図である。図２は図１に示す制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１の詳細図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、マスク（ブランク）、ウエハなどのような試料Ｍの描画領域に荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを照射することによって、試料Ｍの描画領域に目的のパターンを描画するための描画部１０ａが設けられている。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂとして例えば電子ビームが用いられるが、第２の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、代わりに、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂとして例えばイオンビーム等の電子ビーム以外の荷電粒子ビームを用いることも可能である。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、荷電粒子銃１０ａ１ａと、荷電粒子銃１０ａ１ａから照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを偏向する偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆと、偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによる描画が行われる試料Ｍを載置する可動ステージ１０ａ２ａとが、描画部１０ａに設けられている。詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、描画部１０ａの一部を構成する描画室１０ａ２に、試料Ｍが載置された可動ステージ１０ａ２ａが配置されている。この可動ステージ１０ａ２ａは、例えば、Ｘ方向（図１の左右方向）およびＹ方向（図１の手前側−奥側方向）に移動可能に構成されている。更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、描画部１０ａの一部を構成する光学鏡筒１０ａ１に、荷電粒子銃１０ａ１ａと、偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆと、レンズ１０ａ１ｇ，１０ａ１ｈ，１０ａ１ｉ，１０ａ１ｊ，１０ａ１ｋと、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌと、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍとが配置されている。

具体的には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図２に示すように、例えば、試料Ｍ（図１参照）の描画領域にパターンを描画するためのＪＯＢ登録が例えばオペレータによって行われると、ＪＯＢ制御部１０ｂ１ｂによって、荷電粒子ビーム描画装置１０（図１参照）による描画動作全体の制御が行われる。また、例えば、描画データＤが準備され、ショット生成開始指示がＪＯＢ制御部１０ｂ１ｂからショットデータ生成部１０ｂ１ｃに送られ、ショットデータ生成部１０ｂ１ｃによって描画データＤに基づいてショットデータが生成される。更に、生成されたショットデータが、ショットデータ生成部１０ｂ１ｃから偏向制御部１０ｂ１ｅに転送される。ショットデータ生成部１０ｂ１ｃから偏向制御部１０ｂ１ｅに転送されるショットデータには、例えば、主偏向座標、副偏向座標、照射時間などが含まれている。更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図２に示すように、例えば、ＪＯＢ制御部１０ｂ１ｂからの指示に基づき、試料Ｍが描画室１０ａ２（図１参照）外から描画室１０ａ２内の可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）上に搬送され、描画の準備が整うと、例えば、ＪＯＢ制御部１０ｂ１ｂから描画制御部１０ｂ１ａに描画開始指示が送られる。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図２に示すように、例えば、ＪＯＢ制御部１０ｂ１ｂから描画制御部１０ｂ１ａに描画開始指示が送られると、描画制御部１０ｂ１ａによって描画処理が開始される。詳細には、例えば、描画制御部１０ｂ１ａからショットデータ生成部１０ｂ１ｃにストライプ情報要求が送られ、ショットデータ生成部１０ｂ１ｃから描画制御部１０ｂ１ａにストライプ情報が送られる。ストライプ情報には、例えば、ジョブ番号、ストライプ番号、ストライプ内におけるパターンの描画の向き、ストライプの左下のＸ座標［μｍ］、ストライプの左下のＹ座標［μｍ］、ストライプの右上のＸ座標［μｍ］、ストライプの右上のＹ座標［μｍ］などが含まれている。更に、連続移動描画モード時におけるストライプ情報には、例えば、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）の移動速度を決定するための描画時間分布データなどが含まれている。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図２に示すように、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｃから送られたストライプ情報が描画制御部１０ｂ１ａによって受け取られると、試料Ｍ（図１参照）の描画領域にパターンを描画するためのショット開始指示が描画制御部１０ｂ１ａから偏向制御部１０ｂ１ｅに送られると共に、ステージ移動指示が描画制御部１０ｂ１ａからステージ制御部１０ｂ１ｆに送られる。ショット開始指示には、例えば、描画モードが連続移動描画モードおよびステップアンドリピート描画モードのうちのいずれであるか、描画の向きが「ＦＷＤ／ＦＷＤ」および「ＦＷＤ／ＢＷＤ」のうちのいずれであるか等が含まれている。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図２に示すように、例えば、描画制御部１０ｂ１ａから送られたショット開始指示が偏向制御部１０ｂ１ｅによって受け取られ、描画制御部１０ｂ１ａから送られたステージ移動指示がステージ制御部１０ｂ１ｆによって受け取られると、偏向制御部１０ｂ１ｅによって偏向制御回路１０ｂ２，１０ｂ３，１０ｂ４，１０ｂ５（図１参照）を介して偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆ（図１参照）が制御され、ステージ制御部１０ｂ１ｆによってステージ制御回路１０ｂ６（図１参照）を介して可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）が制御される。詳細には、ショットデータ生成部１０ｂ１ｃから偏向制御部１０ｂ１ｅに転送されたショットデータに含まれている主偏向座標に基づき偏向制御部１０ｂ１ｅによって主偏向器１０ａ１ｅが制御される。更に、ショットデータ生成部１０ｂ１ｃから偏向制御部１０ｂ１ｅに転送されたショットデータに含まれている副偏向座標に基づき偏向制御部１０ｂ１ｅによって副偏向器１０ａ１ｆが制御される。また、ショットデータ生成部１０ｂ１ｃから偏向制御部１０ｂ１ｅに転送されたショットデータに含まれている照射時間に基づき偏向制御部１０ｂ１ｅによってブランキング偏向器１０ａ１ｃが制御される。その結果、荷電粒子銃１０ａ１ａ（図１参照）から照射され偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、可動ステージ１０ａ２ａに載置されている試料Ｍの描画領域の所望の位置に所望の時間だけ照射される。

詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｃにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｅによって偏向制御回路１０ｂ２を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃを制御することにより、荷電粒子銃１０ａ１ａから照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、例えば第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられて試料Ｍに照射されるか、あるいは、例えば第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’以外の部分によって遮られて試料Ｍに照射されないかが、切り換えられる。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、ブランキング偏向器１０ａ１ｃを制御することにより、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射時間を制御することができる。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｃにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｅによって偏向制御回路１０ｂ３を介してビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄを制御することにより、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって偏向される。次いで、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの一部が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられる。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが偏向される量、向きなどを調整することにより、試料Ｍに照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの大きさ、形状などを調整することができる。

図３は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０において荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットで試料Ｍの描画領域に描画することができるパターンＰの一例を説明するための図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図３（Ａ）に示すように、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍの描画領域にパターンＰ（図３（Ａ）参照）が描画される時に、荷電粒子銃１０ａ１ａ（図１参照）から照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの一部が、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの例えば正方形の開口１０ａ１ｌ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられる。その結果、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状が、例えば概略正方形になる。次いで、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの一部が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられる。また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図３（Ａ）に示すように、例えば、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）によって偏向することにより、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられる荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状を、例えば矩形（正方形または長方形）にしたり、例えば三角形にしたりすることができる。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図３（Ａ）に示すように、例えば、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを、試料Ｍの描画領域の所定の位置に所定の照射時間だけ照射し続けることにより、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状と概略同一形状のパターンＰ（図３（Ａ）参照）を試料Ｍの描画領域に描画することができる。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図３（Ａ）に示すように、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）によって偏向される量および向きを偏向制御部１０ｂ１ｅ（図２参照）によって制御することにより、例えば、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）、図３（Ｄ）および図３（Ｅ）に示すような概略矩形のパターンＰ、図３（Ｆ）、図３（Ｇ）、図３（Ｈ）および図３（Ｉ）に示すような概略三角形のパターンＰなどを、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットで試料Ｍの描画領域に描画することができる。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｃにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｅによって偏向制御回路１０ｂ４を介して主偏向器１０ａ１ｅを制御することにより、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、主偏向器１０ａ１ｅによって偏向される。また、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｃにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｅによって偏向制御回路１０ｂ５を介して副偏向器１０ａ１ｆを制御することにより、主偏向器１０ａ１ｅによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、副偏向器１０ａ１ｆによって更に偏向される。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、主偏向器１０ａ１ｅおよび副偏向器１０ａ１ｆによって荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが偏向される量、向きなどを調整することにより、試料Ｍの描画領域に照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射位置を調整することができる。更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、ショットデータ生成部１０ｂ１ｃにより生成されたショットデータに基づき、ステージ制御部１０ｂ１ｆによってステージ制御回路１０ｂ６を介して可動ステージ１０ａ２ａの移動が制御される。

図４は図１および図２に示す描画データＤの一例を概略的に示した図である。図４に示す例では、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０に適用される描画データＤ（図１および図２参照）が、例えば、チップ階層ＣＰ、チップ階層ＣＰよりも下位のフレーム階層ＦＲ、フレーム階層ＦＲよりも下位のブロック階層ＢＬ、ブロック階層ＢＬよりも下位のセル階層ＣＬ、および、セル階層ＣＬよりも下位の図形階層ＦＧに階層化されている。詳細には、図４に示す例では、例えば、チップ階層ＣＰの要素の一部であるチップＣＰ１が、フレーム階層ＦＲの要素の一部である３個のフレームＦＲ１，ＦＲ２，ＦＲ３に対応している。また、例えば、フレーム階層ＦＲの要素の一部であるフレームＦＲ２が、ブロック階層ＢＬの要素の一部である１８個のブロックＢＬ００，…，ＢＬ５２に対応している。更に、例えば、ブロック階層ＢＬの要素の一部であるブロックＢＬ２１が、セル階層ＣＬの要素の一部である複数のセルＣＬＡ，ＣＬＢ，ＣＬＣ，ＣＬＤ，…に対応している。また、例えば、セル階層ＣＬの要素の一部であるセルＣＬＡが、図形階層ＦＧの要素の一部である多数の図形ＦＧ１，ＦＧ２，…に対応している。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１、図２および図４に示すように、描画データＤに含まれる図形階層ＦＧ（図４参照）の多数の図形ＦＧ１，ＦＧ２，…（図４参照）に対応するパターンが、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）によって試料Ｍ（図１参照）の描画領域に描画される。

図５は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の連続移動描画モード時に描画データＤに含まれる図形ＦＧ１，ＦＧ２，…に対応するパターンが荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序を説明するための図である。詳細には、図５（Ａ）は連続移動描画モード時であって描画の向きが「ＦＷＤ／ＦＷＤ」に設定されている時に可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）に載置された試料Ｍに対して相対移動する光学鏡筒１０ａ１（図１参照）の中心軸の軌跡を矢印で示した図であり、図５（Ｂ）は連続移動描画モード時であって描画の向きが「ＦＷＤ／ＢＷＤ」に設定されている時に可動ステージ１０ａ２ａに載置された試料Ｍに対して相対移動する光学鏡筒１０ａ１の中心軸の軌跡を矢印で示した図である。図５に示す例では、試料Ｍの描画領域を仮想分割することにより、複数の短冊状のストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３…が構成されている。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図５（Ａ）および図５（Ｂ）に示すように、連続移動描画モードに設定されている場合、試料Ｍが載置された可動ステージ１０ａ１ａ（図１参照）がストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３…の長手方向（図５の左右方向）に移動せしめられている時に、主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）および副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）により偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを照射することによって、描画データＤに含まれる図形ＦＧ１，ＦＧ２，…（図４参照）に対応するパターンが試料ＭのストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３…内の所望の位置に描画される。

次に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のステップアンドリピート描画モード時の動作について説明する。図６は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のステップアンドリピート描画モード時の可動ステージ１０ａ２ａの移動の制御に用いられる区画Ｓ１１，…，Ｓ９１，Ｓ１２，…，Ｓ９２，Ｓ１３，…，Ｓ９３，…などを説明するための図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図５（Ａ）に示すように、試料Ｍの描画領域が複数の横長のストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，…に仮想分割されると共に、図６（Ａ）に示すように、各ストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，…が複数の区画Ｓ１１，…，Ｓ９１，Ｓ１２，…，Ｓ９２，Ｓ１３，…，Ｓ９３，…に仮想分割され、各区画Ｓ１１，…，Ｓ９１，Ｓ１２，…，Ｓ９２，Ｓ１３，…，Ｓ９３，…の縦横比率が１に近い値に設定されている。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、横長の各ストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，…内に多数の区画Ｓ１１，…，Ｓ９１，Ｓ１２，…，Ｓ９２，Ｓ１３，…，Ｓ９３，…が配列されている。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図６（Ａ）および図６（Ｂ）に示すように、主偏向サイズが、各区画Ｓ１１，…，Ｓ９１，Ｓ１２，…，Ｓ９２，Ｓ１３，…，Ｓ９３，…のサイズよりも一まわり大きいサイズに設定されている。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、光学鏡筒１０ａ１（図１参照）の中心軸と区画Ｓ１１の中心とが一致するように、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）に載置された試料Ｍ（図１参照）が光学鏡筒１０ａ１に対して位置決めされた状態で、主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）によって荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）を偏向することにより、図６（Ｂ）に示す主偏向サイズ内の任意の位置に荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを照射することができる。すなわち、主偏向サイズは、主偏向器１０ａ１ｅによって荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを振ることができる範囲になる。詳細には、各主偏向サイズ内に属するサブフィールド（例えば特開２００８−２４４１９４号公報参照）の位置決めが主偏向器１０ａ１ｅによって行われ、次いで、試料Ｍ（図１参照）の描画領域に照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｅの照射位置が副偏向器１０ａ１ｆによって位置決めされる。ステップアンドリピート描画モード時におけるショットのやり方は、可動ステージ１０ａ２ａが停止しているためトラッキングがほとんど動かないだけで、連続移動描画モード時におけるショットのやり方と相違ない。ステップアンドリピート描画モード時には、停止した可動ステージ１０ａ２ａの位置で主偏向器１０ａ１ｅによってカバーされる範囲のサブフィールド内にパターンが描画される。ちなみにステップアンドリピート描画モード時においても、可動ステージ１０ａ２ａの機械的な振動を吸収するためにトラッキングがＯＮ状態に設定されてパターンの描画が行われる。

図７は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のステップアンドリピート描画シーケンスを示した図である。図８はステップアンドリピート描画モード時における可動ステージ１０ａ２ａに載置された試料Ｍに対して相対移動する光学鏡筒１０ａ１の中心軸の軌跡を矢印で示した図である。詳細には、図８（Ａ）はステップアンドリピート描画モード時であって描画の向きが「ＦＷＤ／ＦＷＤ」に設定されている時に可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）に載置された試料Ｍに対して相対移動する光学鏡筒１０ａ１（図１参照）の中心軸の軌跡を矢印Ａ００，…，Ａ１１で示した図であり、図８（Ｂ）はステップアンドリピート描画モード時であって描画の向きが「ＦＷＤ／ＢＷＤ」に設定されている時に可動ステージ１０ａ２ａに載置された試料Ｍに対して相対移動する光学鏡筒１０ａ１の中心軸の軌跡を矢印Ａ００，…，Ａ１１で示した図である。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、ステップアンドリピート描画モード時においても、連続移動描画モード時と同様に、例えば、試料Ｍ（図１参照）の描画領域にパターンを描画するためのＪＯＢ登録が例えばオペレータによって行われると、ＪＯＢ制御部１０ｂ１ｂ（図２および図７参照）によって、荷電粒子ビーム描画装置１０（図１参照）による描画動作全体の制御が行われる。また、例えば、描画データＤ（図１参照）が準備され、ショット生成開始指示（図２および図７参照）がＪＯＢ制御部１０ｂ１ｂからショットデータ生成部１０ｂ１ｃ（図２および図７参照）に送られ、ショットデータ生成部１０ｂ１ｃによって描画データＤに基づいてショットデータが生成される。更に、生成されたショットデータが、ショットデータ生成部１０ｂ１ｃから偏向制御部１０ｂ１ｅ（図２および図７参照）に転送される。ショットデータ生成部１０ｂ１ｃから偏向制御部１０ｂ１ｅに転送されるショットデータには、例えば、主偏向座標、副偏向座標、照射時間（図２参照）などが含まれている。更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、ステップアンドリピート描画モード時においても、連続移動描画モード時と同様に、例えば、ＪＯＢ制御部１０ｂ１ｂからの指示に基づき、試料Ｍ（図１参照）が描画室１０ａ２（図１参照）外から描画室１０ａ２内の可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）上に搬送され、描画の準備が整うと、例えば、ＪＯＢ制御部１０ｂ１ｂから描画制御部１０ｂ１ａ（図２および図７参照）に描画開始指示（図２および図７参照）が送られる。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、ステップアンドリピート描画モード時においても、連続移動描画モード時と同様に、例えば、ＪＯＢ制御部１０ｂ１ｂ（図２および図７参照）から描画制御部１０ｂ１ａ（図２および図７参照）に描画開始指示（図２および図７参照）が送られると、描画制御部１０ｂ１ａによって描画処理が開始される。詳細には、例えば、描画制御部１０ｂ１ａからショットデータ生成部１０ｂ１ｃ（図２および図７参照）にストライプ情報要求（図２および図７参照）が送られ、ショットデータ生成部１０ｂ１ｃから描画制御部１０ｂ１ａにストライプ情報（図２および図７参照）が送られる。ストライプ情報（図２および図７参照）には、例えば、ジョブ番号、ストライプ番号、ストライプ内におけるパターンの描画の向き、ストライプの左下のＸ座標［μｍ］、ストライプの左下のＹ座標［μｍ］、ストライプの右上のＸ座標［μｍ］、ストライプの右上のＹ座標［μｍ］などが含まれている。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、ステップアンドリピート描画モード時においても、連続移動描画モード時と同様に、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｃ（図２および図７参照）から送られたストライプ情報（図２および図７参照）が描画制御部１０ｂ１ａ（図２および図７参照）によって受け取られると、試料Ｍ（図１参照）の描画領域にパターンを描画するためのショット開始指示（図２および図７参照）が描画制御部１０ｂ１ａから偏向制御部１０ｂ１ｅ（図２および図７参照）に送られると共に、ステージ移動指示（図２および図７参照）が描画制御部１０ｂ１ａからステージ制御部１０ｂ１ｆ（図２および図７参照）に送られる。ショット開始指示（図２および図７参照）には、例えば、描画モードがステップアンドリピート描画モードである旨、描画の向きが「ＦＷＤ／ＦＷＤ」および「ＦＷＤ／ＢＷＤ」のうちのいずれであるか等が含まれている。図８（Ａ）に示す例では、描画の向きが「ＦＷＤ／ＦＷＤ」である旨がショット開始指示に含まれており、図８（Ｂ）に示す例では、描画の向きが「ＦＷＤ／ＢＷＤ」である旨がショット開始指示に含まれている。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、ステップアンドリピート描画モード時においても、例えば、描画制御部１０ｂ１ａ（図２および図７参照）から送られたショット開始指示（図２および図７参照）が偏向制御部１０ｂ１ｅ（図２および図７参照）によって受け取られ、描画制御部１０ｂ１ａから送られたステージ移動指示（図２および図７参照）がステージ制御部１０ｂ１ｆ（図２および図７参照）によって受け取られると、偏向制御部１０ｂ１ｅによって偏向制御回路１０ｂ２，１０ｂ３，１０ｂ４，１０ｂ５（図１参照）を介して偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆ（図１参照）が制御され、ステージ制御部１０ｂ１ｆ（図２および図７参照）によってステージ制御回路１０ｂ６（図１参照）を介して可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）が制御される。詳細には、ショットデータ生成部１０ｂ１ｃ（図２および図７参照）から偏向制御部１０ｂ１ｅに転送されたショットデータに含まれている主偏向座標（図２参照）に基づき偏向制御部１０ｂ１ｅによって主偏向器１０ａ１ｅが制御される。更に、ショットデータ生成部１０ｂ１ｃから偏向制御部１０ｂ１ｅに転送されたショットデータに含まれている副偏向座標（図２参照）に基づき偏向制御部１０ｂ１ｅによって副偏向器１０ａ１ｆが制御される。また、ショットデータ生成部１０ｂ１ｃから偏向制御部１０ｂ１ｅに転送されたショットデータに含まれている照射時間（図２参照）に基づき偏向制御部１０ｂ１ｅによってブランキング偏向器１０ａ１ｃが制御される。その結果、荷電粒子銃１０ａ１ａ（図１参照）から照射され偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、可動ステージ１０ａ２ａに載置されている試料Ｍの描画領域の所望の位置に所望の時間だけ照射される。

詳細には、図８（Ａ）に示す例では、ステップアンドリピート描画モード時に、まず最初に、１番目にパターンの描画が行われるストライプＳＴＲ１が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）の照射位置（つまり、光学鏡筒１０ａ１の中心軸上）に配置される前に、ストライプＳＴＲ１に関するストライプ情報（図２および図７参照）に含まれているストライプＳＴＲ１の先端（図８（Ａ）の左端）の座標に基づいて、ストライプＳＴＲ１内の先端に位置する区画Ｓ１１（図６（Ａ）参照）を荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射位置（光学鏡筒１０ａ１の中心軸上）に配置するためのステージ座標が、描画制御部１０ｂ１ａ（図２および図７参照）によって算出される。次いで、図８（Ａ）に示す例では、描画制御部１０ｂ１ａ（図２および図７参照）からのステージ移動指示（図２および図７参照）を受けて、ストライプＳＴＲ１の先端（図８（Ａ）の左端）の座標に基づいて描画制御部１０ｂ１ａにより算出されたステージ座標まで、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）が、図８（Ａ）に矢印Ａ００で示すように、ステージ制御部１０ｂ１ｆ（図２および図７参照）によって移動せしめられる。その結果、区画Ｓ１１（図６（Ａ）参照）の中心が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）の照射位置（光学鏡筒１０ａ１の中心軸上）に配置される。可動ステージ１０ａ２ａの移動が完了したら、ステージ移動完了報告（図２および図７参照）がステージ制御部１０ｂ１ｆから描画制御部１０ｂ１ａに送られる。

次いで、図８（Ａ）に示す例では、ステージ制御部１０ｂ１ｆ（図２および図７参照）からのステージ移動完了報告（図２および図７参照）を受けて、ショット開始指示（図２および図７参照）が描画制御部１０ｂ１ａ（図２および図７参照）から偏向制御部１０ｂ１ｅ（図２および図７参照）に送られる。図８（Ａ）に示す例では、区画Ｓ１１（図６（Ａ）参照）が、パターンが描画されない非描画区画（ＮＵＬＬ領域）になっているため、区画Ｓ１１内に荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）が照射されることなく、ショット完了報告（図２および図７参照）が偏向制御部１０ｂ１ｅから描画制御部１０ｂ１ａに送られる。ショット完了報告（図２および図７参照）には、例えば、ストライプ描画が完了したのか、あるいは、区画描画が完了したのかを示すショット完了報告の種別が含まれている。区画Ｓ１１（図６（Ａ）参照）に関するショット完了報告には、区画描画が完了した旨が含まれている。更に、ショット完了報告（図２および図７参照）には、例えば、ショット開始指示（図２および図７参照）を受けて描画したショット数が含まれている。区画Ｓ１１（図６（Ａ）参照）に関するショット完了報告には、ショット開始指示を受けて描画したショット数がゼロである旨が含まれている。また、ショット完了報告（図２および図７参照）には、最後の主偏向座標（Ｘ座標［μｍ］およびＹ座標［μｍ］）ならびにステージ制御部１０ｂ１ｆ（図２および図７参照）から偏向制御部１０ｂ１ｅ（図２および図７参照）に送られた最後のステージ座標（Ｘ座標［μｍ］およびＹ座標［μｍ］）（図２参照）が含まれている。更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、従来の荷電粒子ビーム描画装置と異なり、ショット完了報告（図２および図７参照）に、次の主偏向座標（Ｘ座標［μｍ］およびＹ座標［μｍ］）が含まれている。詳細には、図８（Ａ）に示す例では、区画Ｓ２１（図６（Ａ）参照）が、パターンが描画されない非描画区画（ＮＵＬＬ領域）になっているため、区画Ｓ１１（図６（Ａ）参照）に関するショット完了報告に含まれている次の主偏向座標は、区画Ｓ３１（図６（Ａ）参照）に属する主偏向座標になる。

次いで、図８（Ａ）に示す例では、偏向制御部１０ｂ１ｅ（図２および図７参照）から描画制御部１０ｂ１ａ（図２および図７参照）に送られた区画Ｓ３１（図６（Ａ）参照）に属する次の主偏向座標（図７参照）を含むショット完了報告（図２および図７参照）が、描画区画判定部１０ｂ１ａ１（図２および図７参照）に送られる。次いで、図８（Ａ）に示す例では、区画Ｓ３１（図６（Ａ）参照）に属する次の主偏向座標（図７参照）に基づいて、次にパターンが描画される区画（＝区画Ｓ３１）と、次にパターンが描画される区画（＝区画Ｓ３１）を荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）の照射位置（光学鏡筒１０ａ１の中心軸上）に配置するためのステージ座標とが、描画区画判定部１０ｂ１ａ１（図２および図７参照）によって算出される。次いで、図８（Ａ）に示す例では、描画制御部１０ｂ１ａ（図２および図７参照）からのステージ移動指示（図２および図７参照）を受けて、描画区画判定部１０ｂ１ａ１（図２および図７参照）によって算出されたステージ座標まで、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）が、図８（Ａ）に矢印Ａ０１で示すように、ステージ制御部１０ｂ１ｆ（図２および図７参照）によって移動せしめられる。つまり、パターンが描画されない非描画区画（ＮＵＬＬ領域）Ｓ２１（図６（Ａ）参照）がスキップされる。その結果、区画Ｓ３１（図６（Ａ）参照）の中心が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）の照射位置（光学鏡筒１０ａ１の中心軸上）に配置される。可動ステージ１０ａ２ａの移動が完了したら、ステージ移動完了報告（図２および図７参照）がステージ制御部１０ｂ１ｆから描画制御部１０ｂ１ａに送られる。

次いで、図８（Ａ）に示す例では、ステージ制御部１０ｂ１ｆ（図２および図７参照）からのステージ移動完了報告（図２および図７参照）を受けて、ショット開始指示（図２および図７参照）が描画制御部１０ｂ１ａ（図２および図７参照）から偏向制御部１０ｂ１ｅ（図２および図７参照）に送られる。次いで、偏向制御部１０ｂ１ｅによって偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆ（図１参照）が制御されて、区画Ｓ３１（図６（Ａ）参照）内に荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）が照射され、区画Ｓ３１内にパターンが描画される。次いで、ショット完了報告（図２および図７参照）が偏向制御部１０ｂ１ｅから描画制御部１０ｂ１ａに送られる。区画Ｓ３１（図６（Ａ）参照）に関するショット完了報告（図２および図７参照）には、区画描画が完了した旨が含まれている。更に、区画Ｓ３１（図６（Ａ）参照）に関するショット完了報告には、ショット開始指示を受けて描画したショット数が含まれている。また、区画Ｓ３１（図６（Ａ）参照）に関するショット完了報告には、最後の主偏向座標（Ｘ座標［μｍ］およびＹ座標［μｍ］）ならびにステージ制御部１０ｂ１ｆ（図２および図７参照）から偏向制御部１０ｂ１ｅに送られた最後のステージ座標（Ｘ座標［μｍ］およびＹ座標［μｍ］）（図２参照）が含まれている。更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、従来の荷電粒子ビーム描画装置と異なり、区画Ｓ３１（図６（Ａ）参照）に関するショット完了報告（図２および図７参照）に、次の主偏向座標（Ｘ座標［μｍ］およびＹ座標［μｍ］）が含まれている。詳細には、図８（Ａ）に示す例では、区画Ｓ４１，Ｓ５１（図６（Ａ）参照）が、パターンが描画されない非描画区画（ＮＵＬＬ領域）になっているため、区画Ｓ３１に関するショット完了報告に含まれている次の主偏向座標は、区画Ｓ６１（図６（Ａ）参照）に属する主偏向座標になる。

次いで、図８（Ａ）に示す例では、偏向制御部１０ｂ１ｅ（図２および図７参照）から描画制御部１０ｂ１ａ（図２および図７参照）に送られた区画Ｓ６１（図６（Ａ）参照）に属する次の主偏向座標（図７参照）を含むショット完了報告（図２および図７参照）が、描画区画判定部１０ｂ１ａ１（図２および図７参照）に送られる。次いで、図８（Ａ）に示す例では、区画６１（図６（Ａ）参照）に属する次の主偏向座標（図７参照）に基づいて、次にパターンが描画される区画（＝区画Ｓ６１）と、次にパターンが描画される区画（＝区画Ｓ６１）を荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）の照射位置（光学鏡筒１０ａ１の中心軸上）に配置するためのステージ座標とが、描画区画判定部１０ｂ１ａ１（図２および図７参照）によって算出される。次いで、図８（Ａ）に示す例では、描画制御部１０ｂ１ａ（図２および図７参照）からのステージ移動指示（図２および図７参照）を受けて、描画区画判定部１０ｂ１ａ１（図２および図７参照）によって算出されたステージ座標まで、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）が、図８（Ａ）に矢印Ａ０２で示すように、ステージ制御部１０ｂ１ｆ（図２および図７参照）によって移動せしめられる。つまり、パターンが描画されない非描画区画（ＮＵＬＬ領域）Ｓ４１，Ｓ５１（図６（Ａ）参照）がスキップされる。その結果、区画Ｓ６１（図６（Ａ）参照）の中心が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）の照射位置（光学鏡筒１０ａ１の中心軸上）に配置される。可動ステージ１０ａ２ａの移動が完了したら、ステージ移動完了報告（図２および図７参照）がステージ制御部１０ｂ１ｆから描画制御部１０ｂ１ａに送られる。

次いで、図８（Ａ）に示す例では、ステージ制御部１０ｂ１ｆ（図２および図７参照）からのステージ移動完了報告（図２および図７参照）を受けて、ショット開始指示（図２および図７参照）が描画制御部１０ｂ１ａ（図２および図７参照）から偏向制御部１０ｂ１ｅ（図２および図７参照）に送られる。次いで、偏向制御部１０ｂ１ｅによって偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆ（図１参照）が制御されて、区画Ｓ６１（図６（Ａ）参照）内に荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）が照射され、区画Ｓ６１内にパターンが描画される。次いで、ショット完了報告（図２および図７参照）が偏向制御部１０ｂ１ｅから描画制御部１０ｂ１ａに送られる。区画Ｓ６１（図６（Ａ）参照）に関するショット完了報告（図２および図７参照）には、区画描画が完了した旨が含まれている。更に、区画Ｓ６１（図６（Ａ）参照）に関するショット完了報告には、ショット開始指示を受けて描画したショット数が含まれている。また、区画Ｓ６１（図６（Ａ）参照）に関するショット完了報告には、最後の主偏向座標（Ｘ座標［μｍ］およびＹ座標［μｍ］）ならびにステージ制御部１０ｂ１ｆ（図２および図７参照）から偏向制御部１０ｂ１ｅに送られた最後のステージ座標（Ｘ座標［μｍ］およびＹ座標［μｍ］）（図２参照）が含まれている。更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、従来の荷電粒子ビーム描画装置と異なり、区画Ｓ６１（図６（Ａ）参照）に関するショット完了報告（図２および図７参照）に、次の主偏向座標（Ｘ座標［μｍ］およびＹ座標［μｍ］）が含まれている。詳細には、図８（Ａ）に示す例では、区画Ｓ７１，Ｓ８１（図６（Ａ）参照）が、パターンが描画されない非描画区画（ＮＵＬＬ領域）になっているため、区画Ｓ６１に関するショット完了報告に含まれている次の主偏向座標は、区画Ｓ９１（図６（Ａ）参照）に属する主偏向座標になる。

次いで、図８（Ａ）に示す例では、偏向制御部１０ｂ１ｅ（図２および図７参照）から描画制御部１０ｂ１ａ（図２および図７参照）に送られた区画Ｓ９１（図６（Ａ）参照）に属する次の主偏向座標（図７参照）を含むショット完了報告（図２および図７参照）が、描画区画判定部１０ｂ１ａ１（図２および図７参照）に送られる。次いで、図８（Ａ）に示す例では、区画９１（図６（Ａ）参照）に属する次の主偏向座標（図７参照）に基づいて、次にパターンが描画される区画（＝区画Ｓ９１）と、次にパターンが描画される区画（＝区画Ｓ９１）を荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）の照射位置（光学鏡筒１０ａ１の中心軸上）に配置するためのステージ座標とが、描画区画判定部１０ｂ１ａ１（図２および図７参照）によって算出される。次いで、図８（Ａ）に示す例では、描画制御部１０ｂ１ａ（図２および図７参照）からのステージ移動指示（図２および図７参照）を受けて、描画区画判定部１０ｂ１ａ１（図２および図７参照）によって算出されたステージ座標まで、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）が、図８（Ａ）に矢印Ａ０３で示すように、ステージ制御部１０ｂ１ｆ（図２および図７参照）によって移動せしめられる。つまり、パターンが描画されない非描画区画（ＮＵＬＬ領域）Ｓ７１，Ｓ８１（図６（Ａ）参照）がスキップされる。その結果、区画Ｓ９１（図６（Ａ）参照）の中心が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）の照射位置（光学鏡筒１０ａ１の中心軸上）に配置される。可動ステージ１０ａ２ａの移動が完了したら、ステージ移動完了報告（図２および図７参照）がステージ制御部１０ｂ１ｆから描画制御部１０ｂ１ａに送られる。

次いで、図８（Ａ）に示す例では、ステージ制御部１０ｂ１ｆ（図２および図７参照）からのステージ移動完了報告（図２および図７参照）を受けて、ショット開始指示（図２および図７参照）が描画制御部１０ｂ１ａ（図２および図７参照）から偏向制御部１０ｂ１ｅ（図２および図７参照）に送られる。次いで、偏向制御部１０ｂ１ｅによって偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆ（図１参照）が制御されて、区画Ｓ９１（図６（Ａ）参照）内に荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）が照射され、区画Ｓ９１内にパターンが描画される。次いで、ショット完了報告（図２および図７参照）が偏向制御部１０ｂ１ｅから描画制御部１０ｂ１ａに送られる。区画Ｓ９１（図６（Ａ）参照）に関するショット完了報告（図２および図７参照）には、ストライプ描画が完了した旨が含まれている。更に、区画Ｓ９１（図６（Ａ）参照）に関するショット完了報告には、ショット開始指示を受けて描画したショット数が含まれている。また、区画Ｓ９１（図６（Ａ）参照）に関するショット完了報告には、最後の主偏向座標（Ｘ座標［μｍ］およびＹ座標［μｍ］）ならびにステージ制御部１０ｂ１ｆ（図２および図７参照）から偏向制御部１０ｂ１ｅに送られた最後のステージ座標（Ｘ座標［μｍ］およびＹ座標［μｍ］）（図２参照）が含まれている。

次いで、図８（Ａ）に示す例では、例えば、描画制御部１０ｂ１ａ（図２および図７参照）からショットデータ生成部１０ｂ１ｃ（図２および図７参照）にストライプＳＴＲ２に関するストライプ情報要求（図２および図７参照）が送られ、ショットデータ生成部１０ｂ１ｃから描画制御部１０ｂ１ａにストライプＳＴＲ２に関するストライプ情報（図２および図７参照）が送られる。次いで、図８（Ａ）に示す例では、２番目にパターンの描画が行われるストライプＳＴＲ２が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）の照射位置（光学鏡筒１０ａ１の中心軸上）に配置される前に、ストライプＳＴＲ２に関するストライプ情報（図２および図７参照）に含まれているストライプＳＴＲ２の先端（図８（Ａ）の左端）の座標に基づいて、ストライプＳＴＲ２内の先端に位置する区画Ｓ１２（図６（Ａ）参照）を荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射位置（光学鏡筒１０ａ１の中心軸上）に配置するためのステージ座標が、描画制御部１０ｂ１ａ（図２および図７参照）によって算出される。次いで、図８（Ａ）に示す例では、描画制御部１０ｂ１ａ（図２および図７参照）からのステージ移動指示（図２および図７参照）を受けて、ストライプＳＴＲ２の先端（図８（Ａ）の左端）の座標に基づいて描画制御部１０ｂ１ａにより算出されたステージ座標まで、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）が、図８（Ａ）に矢印Ａ０４で示すように、ステージ制御部１０ｂ１ｆ（図２および図７参照）によって移動せしめられる。その結果、区画Ｓ１２（図６（Ａ）参照）の中心が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）の照射位置（光学鏡筒１０ａ１の中心軸上）に配置される。可動ステージ１０ａ２ａの移動が完了したら、ステージ移動完了報告（図２および図７参照）がステージ制御部１０ｂ１ｆから描画制御部１０ｂ１ａに送られる。

次いで、図８（Ａ）に示す例では、ステージ制御部１０ｂ１ｆ（図２および図７参照）からのステージ移動完了報告（図２および図７参照）を受けて、ショット開始指示（図２および図７参照）が描画制御部１０ｂ１ａ（図２および図７参照）から偏向制御部１０ｂ１ｅ（図２および図７参照）に送られる。図８（Ａ）に示す例では、区画Ｓ１２（図６（Ａ）参照）が、パターンが描画されない非描画区画（ＮＵＬＬ領域）になっているため、区画Ｓ１２内に荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）が照射されることなく、ショット完了報告（図２および図７参照）が偏向制御部１０ｂ１ｅから描画制御部１０ｂ１ａに送られる。区画Ｓ１２（図６（Ａ）参照）に関するショット完了報告には、区画描画が完了した旨が含まれている。更に、区画Ｓ１２に関するショット完了報告には、ショット開始指示を受けて描画したショット数がゼロである旨が含まれている。また、区画Ｓ１２に関するショット完了報告（図２および図７参照）には、最後の主偏向座標（Ｘ座標［μｍ］およびＹ座標［μｍ］）ならびにステージ制御部１０ｂ１ｆ（図２および図７参照）から偏向制御部１０ｂ１ｅに送られた最後のステージ座標（Ｘ座標［μｍ］およびＹ座標［μｍ］）（図２参照）が含まれている。更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、従来の荷電粒子ビーム描画装置と異なり、区画Ｓ１２（図６（Ａ）参照）に関するショット完了報告（図２および図７参照）に、次の主偏向座標（Ｘ座標［μｍ］およびＹ座標［μｍ］）が含まれている。詳細には、図８（Ａ）に示す例では、区画Ｓ２２，Ｓ３２（図６（Ａ）参照）が、パターンが描画されない非描画区画（ＮＵＬＬ領域）になっているため、区画Ｓ１２に関するショット完了報告に含まれている次の主偏向座標は、区画Ｓ４２（図６（Ａ）参照）に属する主偏向座標になる。

次いで、図８（Ａ）に示す例では、偏向制御部１０ｂ１ｅ（図２および図７参照）から描画制御部１０ｂ１ａ（図２および図７参照）に送られた区画Ｓ４２（図６（Ａ）参照）に属する次の主偏向座標（図７参照）を含むショット完了報告（図２および図７参照）が、描画区画判定部１０ｂ１ａ１（図２および図７参照）に送られる。次いで、図８（Ａ）に示す例では、区画Ｓ４２（図６（Ａ）参照）に属する次の主偏向座標（図７参照）に基づいて、次にパターンが描画される区画（＝区画Ｓ４２）と、次にパターンが描画される区画（＝区画Ｓ４２）を荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）の照射位置（光学鏡筒１０ａ１の中心軸上）に配置するためのステージ座標とが、描画区画判定部１０ｂ１ａ１によって算出される。次いで、図８（Ａ）に示す例では、描画制御部１０ｂ１ａ（図２および図７参照）からのステージ移動指示（図２および図７参照）を受けて、描画区画判定部１０ｂ１ａ１によって算出されたステージ座標まで、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）が、図８（Ａ）に矢印Ａ０５で示すように、ステージ制御部１０ｂ１ｆ（図２および図７参照）によって移動せしめられる。つまり、パターンが描画されない非描画区画（ＮＵＬＬ領域）Ｓ２２，Ｓ３２（図６（Ａ）参照）がスキップされる。その結果、区画Ｓ４２（図６（Ａ）参照）の中心が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）の照射位置（光学鏡筒１０ａ１の中心軸上）に配置される。可動ステージ１０ａ２ａの移動が完了したら、ステージ移動完了報告（図２および図７参照）がステージ制御部１０ｂ１ｆから描画制御部１０ｂ１ａに送られる。図８（Ａ）に示す例では、上述した工程を繰り返すことにより、ストライプＳＴＲ２，ＳＴＲ３，…の区画Ｓ４２，Ｓ６２，Ｓ８２，Ｓ２３，Ｓ５３，Ｓ７３，…（図６（Ａ）参照）内にパターンが描画される。

つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、ステップアンドリピート描画モード時に、連続移動描画モードとステップアンドリピート描画モードとを有する従来の荷電粒子ビーム描画装置のように、ほぼすべての区画が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）の照射位置（光学鏡筒１０ａ１の中心軸上）に配置されるように、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）の移動が制御されるのではなく、パターンが描画されない非描画区画（ＮＵＬＬ領域）Ｓ２１，Ｓ４１，Ｓ５１，Ｓ７１，Ｓ８１，Ｓ２２，Ｓ３２，Ｓ５２，Ｓ７２，Ｓ３３，Ｓ４３，Ｓ６３（図６（Ａ）参照）がスキップされる。そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、連続移動描画モードとステップアンドリピート描画モードとを有する従来の荷電粒子ビーム描画装置よりも、ステップアンドリピート描画モード時の可動ステージ１０ａ２ａの移動効率を向上させることができる。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、偏向制御部１０ｂ１ｅ（図２および図７参照）が有している次の主偏向座標（図７参照）が、偏向制御部１０ｂ１ｅから描画制御部１０ｂ１ａ（図２および図７参照）に送られるショット完了報告（図２および図７参照）に含められ、その主偏向座標に基づいて、パターンが描画されない非描画区画（ＮＵＬＬ領域）Ｓ２１，Ｓ４１，Ｓ５１，Ｓ７１，Ｓ８１，Ｓ２２，Ｓ３２，Ｓ５２，Ｓ７２，Ｓ３３，Ｓ４３，Ｓ６３（図６（Ａ）参照）をスキップするためのステージ座標が算出される。詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、描画制御部１０ｂ１ａからステージ制御部１０ｂ１ｆ（図２および図７参照）にステージ移動指示（図２および図７参照）が送られる頻度とほぼ等しい頻度で偏向制御部１０ｂ１ｅから描画制御部１０ｂ１ａに送られるショット完了報告（図２および図７参照）に、パターンが描画されない非描画区画（ＮＵＬＬ領域）Ｓ２１，Ｓ４１，Ｓ５１，Ｓ７１，Ｓ８１，Ｓ２２，Ｓ３２，Ｓ５２，Ｓ７２，Ｓ３３，Ｓ４３，Ｓ６３（図６（Ａ）参照）をスキップするステージ座標を算出するための情報として用いられる次の主偏向座標（図７参照）が含められている。

そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、パターンが描画されない非描画区画（ＮＵＬＬ領域）Ｓ２１，Ｓ４１，Ｓ５１，Ｓ７１，Ｓ８１，Ｓ２２，Ｓ３２，Ｓ５２，Ｓ７２，Ｓ３３，Ｓ４３，Ｓ６３（図６（Ａ）参照）をスキップするステージ座標を算出するための情報として、ショットデータ生成部１０ｂ１ｃ（図２および図７参照）が有している描画データＤ（図２参照）が用いられるのに伴って、ショットデータ生成部１０ｂ１ｃから描画制御部１０ｂ１ａ（図２および図７参照）への通信回数を大幅に増加する改良が必要になってしまうのを回避することができる。すなわち、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、通信回数を増加することなく、ステップアンドリピート描画モード時の可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）の移動効率を向上させることができる。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、偏向制御部１０ｂ１ｅ（図２および図７参照）から描画制御部１０ｂ１ａ（図２および図７参照）に送られるショット完了報告（図２および図７参照）に含まれる次の主偏向座標（図７参照）として、各種の補正が行われた後の次の主偏向座標が用いられる。そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、隣の区画に属する誤った次の主偏向座標が、パターンが描画されない非描画区画（ＮＵＬＬ領域）をスキップするステージ座標を算出するための情報として用いられてしまうおそれを低減することができる。

次に、図８（Ｂ）に示す例について説明する。図８（Ｂ）に示す例では、図８（Ａ）に示す例と同様に、偏向制御部１０ｂ１ｅ（図２および図７参照）によって偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆ（図１参照）が制御されて、区画Ｓ９１（図６（Ａ）参照）内に荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）が照射され、区画Ｓ９１内にパターンが描画される。次いで、ショット完了報告（図２および図７参照）が偏向制御部１０ｂ１ｅから描画制御部１０ｂ１ａ（図２および図７参照）に送られる。区画Ｓ９１（図６（Ａ）参照）に関するショット完了報告（図２および図７参照）には、ストライプ描画が完了した旨が含まれている。更に、区画Ｓ９１（図６（Ａ）参照）に関するショット完了報告には、ショット開始指示を受けて描画したショット数が含まれている。また、区画Ｓ９１（図６（Ａ）参照）に関するショット完了報告には、最後の主偏向座標（Ｘ座標［μｍ］およびＹ座標［μｍ］）ならびにステージ制御部１０ｂ１ｆ（図２および図７参照）から偏向制御部１０ｂ１ｅ（図２および図７参照）に送られた最後のステージ座標（Ｘ座標［μｍ］およびＹ座標［μｍ］）（図２参照）が含まれている。

次いで、図８（Ｂ）に示す例では、例えば、描画制御部１０ｂ１ａ（図２および図７参照）からショットデータ生成部１０ｂ１ｃ（図２および図７参照）にストライプＳＴＲ２に関するストライプ情報要求（図２および図７参照）が送られ、ショットデータ生成部１０ｂ１ｃから描画制御部１０ｂ１ａにストライプＳＴＲ２に関するストライプ情報（図２および図７参照）が送られる。次いで、図８（Ｂ）に示す例では、２番目にパターンの描画が行われるストライプＳＴＲ２が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）の照射位置（光学鏡筒１０ａ１の中心軸上）に配置される前に、ストライプＳＴＲ２に関するストライプ情報（図２および図７参照）に含まれているストライプＳＴＲ２の先端（図８（Ａ）の右端）の座標に基づいて、ストライプＳＴＲ２内の先端に位置する区画Ｓ９２（図６（Ａ）参照）を荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射位置（光学鏡筒１０ａ１の中心軸上）に配置するためのステージ座標が、描画制御部１０ｂ１ａによって算出される。次いで、図８（Ｂ）に示す例では、描画制御部１０ｂ１ａからのステージ移動指示（図２および図７参照）を受けて、ストライプＳＴＲ２の先端（図８（Ａ）の右端）の座標に基づいて描画制御部１０ｂ１ａにより算出されたステージ座標まで、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）が、図８（Ｂ）に矢印Ａ０４で示すように、ステージ制御部１０ｂ１ｆ（図２および図７参照）によって移動せしめられる。その結果、区画Ｓ９２（図６（Ａ）参照）の中心が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射位置（光学鏡筒１０ａ１の中心軸上）に配置される。可動ステージ１０ａ２ａの移動が完了したら、ステージ移動完了報告（図２および図７参照）がステージ制御部１０ｂ１ｆから描画制御部１０ｂ１ａに送られる。

次いで、図８（Ｂ）に示す例では、ステージ制御部１０ｂ１ｆ（図２および図７参照）からのステージ移動完了報告（図２および図７参照）を受けて、ショット開始指示（図２および図７参照）が描画制御部１０ｂ１ａ（図２および図７参照）から偏向制御部１０ｂ１ｅ（図２および図７参照）に送られる。図８（Ｂ）に示す例では、区画Ｓ９２（図６（Ａ）参照）が、パターンが描画されない非描画区画（ＮＵＬＬ領域）になっているため、区画Ｓ９２内に荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）が照射されることなく、ショット完了報告（図２および図７参照）が偏向制御部１０ｂ１ｅから描画制御部１０ｂ１ａに送られる。区画Ｓ９２（図６（Ａ）参照）に関するショット完了報告には、区画描画が完了した旨が含まれている。更に、区画Ｓ９２に関するショット完了報告には、ショット開始指示を受けて描画したショット数がゼロである旨が含まれている。また、区画Ｓ９２に関するショット完了報告（図２および図７参照）には、最後の主偏向座標（Ｘ座標［μｍ］およびＹ座標［μｍ］）ならびにステージ制御部１０ｂ１ｆ（図２および図７参照）から偏向制御部１０ｂ１ｅ（図２および図７参照）に送られた最後のステージ座標（Ｘ座標［μｍ］およびＹ座標［μｍ］）（図２参照）が含まれている。更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、従来の荷電粒子ビーム描画装置と異なり、区画Ｓ９２（図６（Ａ）参照）に関するショット完了報告（図２および図７参照）に、次の主偏向座標（Ｘ座標［μｍ］およびＹ座標［μｍ］）が含まれている。詳細には、図８（Ｂ）に示す例では、区画Ｓ９２に関するショット完了報告に含まれている次の主偏向座標は、区画Ｓ８２（図６（Ａ）参照）に属する主偏向座標になる。

次いで、図８（Ｂ）に示す例では、偏向制御部１０ｂ１ｅ（図２および図７参照）から描画制御部１０ｂ１ａ（図２および図７参照）に送られた区画Ｓ８２（図６（Ａ）参照）に属する次の主偏向座標（図７参照）を含むショット完了報告（図２および図７参照）が、描画区画判定部１０ｂ１ａ１（図２および図７参照）に送られる。次いで、図８（Ｂ）に示す例では、区画Ｓ８２（図６（Ａ）参照）に属する次の主偏向座標（図７参照）に基づいて、次にパターンが描画される区画（＝区画Ｓ８２）と、次にパターンが描画される区画（＝区画Ｓ８２）を荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）の照射位置（光学鏡筒１０ａ１の中心軸上）に配置するためのステージ座標とが、描画区画判定部１０ｂ１ａ１（図２および図７参照）によって算出される。次いで、図８（Ｂ）に示す例では、描画制御部１０ｂ１ａ（図２および図７参照）からのステージ移動指示（図２および図７参照）を受けて、描画区画判定部１０ｂ１ａ１（図２および図７参照）によって算出されたステージ座標まで、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）が、図８（Ｂ）に矢印Ａ０５で示すように、ステージ制御部１０ｂ１ｆ（図２および図７参照）によって移動せしめられる。その結果、区画Ｓ８２（図６（Ａ）参照）の中心が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）の照射位置（光学鏡筒１０ａ１の中心軸上）に配置される。可動ステージ１０ａ２ａの移動が完了したら、ステージ移動完了報告（図２および図７参照）がステージ制御部１０ｂ１ｆから描画制御部１０ｂ１ａに送られる。図８（Ｂ）に示す例では、上述した工程を繰り返すことにより、ストライプＳＴＲ２，ＳＴＲ３，…の区画Ｓ８２，Ｓ６２，Ｓ４２，Ｓ２３，Ｓ５３，Ｓ７３，…（図６（Ａ）参照）内にパターンが描画される。

以下、本発明の荷電粒子ビーム描画装置１０の第３の実施形態について説明する。第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０は、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０とほぼ同様に構成されている。図９は第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の制御計算機１０ｂ１の詳細図である。図１０は第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のステップアンドリピート描画シーケンスを示した図である。図１１は第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のステップアンドリピート描画モード時における可動ステージ１０ａ２ａに載置された試料Ｍに対して相対移動する光学鏡筒１０ａ１の中心軸の軌跡を矢印で示した図である。詳細には、図１１（Ａ）はステップアンドリピート描画モード時であって描画の向きが「ＦＷＤ／ＦＷＤ」に設定されている時に可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）に載置された試料Ｍに対して相対移動する光学鏡筒１０ａ１（図１参照）の中心軸の軌跡を矢印Ａ００’，…，Ａ１１で示した図であり、図１１（Ｂ）はステップアンドリピート描画モード時であって描画の向きが「ＦＷＤ／ＢＷＤ」に設定されている時に可動ステージ１０ａ２ａに載置された試料Ｍに対して相対移動する光学鏡筒１０ａ１の中心軸の軌跡を矢印Ａ００’，…，Ａ１１で示した図である。

第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０と異なり、描画制御部１０ｂ１ａ（図９および図１０参照）から偏向制御部１０ｂ１ｅ（図９および図１０参照）に主偏向座標要求（図９および図１０参照）が送られる。更に、偏向制御部１０ｂ１ｅから描画制御部１０ｂ１ａに主偏向座標報告（図９および図１０参照）が送られる。

詳細には、図１１（Ａ）に示す例では、ステップアンドリピート描画モード時に、まず最初に、１番目にパターンの描画が行われるストライプＳＴＲ１が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）の照射位置（つまり、光学鏡筒１０ａ１の中心軸上）に配置される前に、描画制御部１０ｂ１ａ（図９および図１０参照）から偏向制御部１０ｂ１ｅ（図９および図１０参照）に主偏向座標要求（図９および図１０参照）が送られる。次いで、偏向制御部１０ｂ１ｅから描画制御部１０ｂ１ａに最初の主偏向座標を含む主偏向座標報告（図９および図１０参照）が送られる。図１１（Ａ）に示す例では、区画Ｓ１１，Ｓ２１（図６（Ａ）参照）が、パターンが描画されない非描画区画（ＮＵＬＬ領域）になっているため、主偏向座標報告（図９および図１０参照）に含まれている最初の主偏向座標は、区画Ｓ３１（図６（Ａ）参照）に属する主偏向座標になる。

次いで、図１１（Ａ）に示す例では、偏向制御部１０ｂ１ｅ（図９および図１０参照）から描画制御部１０ｂ１ａ（図９および図１０参照）に送られた区画Ｓ３１（図６（Ａ）参照）に属する最初の主偏向座標を含む主偏向座標報告（図９および図１０参照）が、描画区画判定部１０ｂ１ａ１（図９および図１０参照）に送られる。次いで、図１１（Ａ）に示す例では、区画Ｓ３１（図６（Ａ）参照）に属する最初の主偏向座標に基づいて、最初にパターンが描画される区画（＝区画Ｓ３１）と、最初にパターンが描画される区画（＝区画Ｓ３１）を荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）の照射位置（光学鏡筒１０ａ１の中心軸上）に配置するためのステージ座標とが、描画区画判定部１０ｂ１ａ１（図９および図１０参照）によって算出される。次いで、図１１（Ａ）に示す例では、描画制御部１０ｂ１ａ（図９および図１０参照）からのステージ移動指示（図９および図１０参照）を受けて、描画区画判定部１０ｂ１ａ１（図９および図１０参照）によって算出されたステージ座標まで、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）が、図１１（Ａ）に矢印Ａ００’で示すように、ステージ制御部１０ｂ１ｆ（図９および図１０参照）によって移動せしめられる。つまり、パターンが描画されない非描画区画（ＮＵＬＬ領域）Ｓ１１，Ｓ２１（図６（Ａ）参照）がスキップされる。その結果、区画Ｓ３１（図６（Ａ）参照）の中心が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）の照射位置（光学鏡筒１０ａ１の中心軸上）に配置される。可動ステージ１０ａ２ａの移動が完了したら、ステージ移動完了報告（図９および図１０参照）がステージ制御部１０ｂ１ｆから描画制御部１０ｂ１ａに送られる。

また、図１１（Ａ）に示す例では、描画制御部１０ｂ１ａ（図９および図１０参照）からのステージ移動指示（図９および図１０参照）を受けて、描画区画判定部１０ｂ１ａ１（図９および図１０参照）によって算出されたステージ座標まで、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）が、図１１（Ａ）に矢印Ａ０３で示すように、ステージ制御部１０ｂ１ｆ（図９および図１０参照）によって移動せしめられる。つまり、パターンが描画されない非描画区画（ＮＵＬＬ領域）Ｓ７１，Ｓ８１（図６（Ａ）参照）がスキップされる。その結果、区画Ｓ９１（図６（Ａ）参照）の中心が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）の照射位置（光学鏡筒１０ａ１の中心軸上）に配置される。可動ステージ１０ａ２ａの移動が完了したら、ステージ移動完了報告（図９および図１０参照）がステージ制御部１０ｂ１ｆから描画制御部１０ｂ１ａに送られる。次いで、図１１（Ａ）に示す例では、ステージ制御部１０ｂ１ｆ（図９および図１０参照）からのステージ移動完了報告（図９および図１０参照）を受けて、ショット開始指示（図９および図１０参照）が描画制御部１０ｂ１ａ（図９および図１０参照）から偏向制御部１０ｂ１ｅ（図９および図１０参照）に送られる。次いで、偏向制御部１０ｂ１ｅによって偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆ（図１参照）が制御されて、区画Ｓ９１（図１１（Ａ）参照）内に荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）が照射され、区画Ｓ９１内にパターンが描画される。次いで、ショット完了報告（図９および図１０参照）が偏向制御部１０ｂ１ｅから描画制御部１０ｂ１ａに送られる。区画Ｓ９１（図６（Ａ）参照）に関するショット完了報告（図９および図１０参照）には、ストライプ描画が完了した旨が含まれている。更に、区画Ｓ９１（図６（Ａ）参照）に関するショット完了報告には、ショット開始指示を受けて描画したショット数が含まれている。また、区画Ｓ９１（図６（Ａ）参照）に関するショット完了報告には、最後の主偏向座標（Ｘ座標［μｍ］およびＹ座標［μｍ］）ならびにステージ制御部１０ｂ１ｆ（図９および図１０参照）から偏向制御部１０ｂ１ｅに送られた最後のステージ座標（Ｘ座標［μｍ］およびＹ座標［μｍ］）（図９参照）が含まれている。

次いで、図１１（Ａ）に示す例では、２番目にパターンの描画が行われるストライプＳＴＲ２が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）の照射位置（つまり、光学鏡筒１０ａ１の中心軸上）に配置される前に、描画制御部１０ｂ１ａ（図９および図１０参照）から偏向制御部１０ｂ１ｅ（図９および図１０参照）に主偏向座標要求（図９および図１０参照）が送られる。次いで、偏向制御部１０ｂ１ｅから描画制御部１０ｂ１ａに最初の主偏向座標を含む主偏向座標報告（図９および図１０参照）が送られる。図１１（Ａ）に示す例では、区画Ｓ１２，Ｓ２２，Ｓ３２（図６（Ａ）参照）が、パターンが描画されない非描画区画（ＮＵＬＬ領域）になっているため、主偏向座標報告（図９および図１０参照）に含まれている最初の主偏向座標は、区画Ｓ４２（図６（Ａ）参照）に属する主偏向座標になる。次いで、図１１（Ａ）に示す例では、偏向制御部１０ｂ１ｅ（図９および図１０参照）から描画制御部１０ｂ１ａ（図９および図１０参照）に送られた区画Ｓ４２（図６（Ａ）参照）に属する最初の主偏向座標を含む主偏向座標報告（図９および図１０参照）が、描画区画判定部１０ｂ１ａ１（図９および図１０参照）に送られる。次いで、図１１（Ａ）に示す例では、区画Ｓ４２（図６（Ａ）参照）に属する最初の主偏向座標に基づいて、最初にパターンが描画される区画（＝区画Ｓ４２）と、最初にパターンが描画される区画（＝区画Ｓ４２）を荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）の照射位置（光学鏡筒１０ａ１の中心軸上）に配置するためのステージ座標とが、描画区画判定部１０ｂ１ａ１（図９および図１０参照）によって算出される。

次いで、図１１（Ａ）に示す例では、描画制御部１０ｂ１ａ（図９および図１０参照）からのステージ移動指示（図９および図１０参照）を受けて、描画区画判定部１０ｂ１ａ１（図９および図１０参照）によって算出されたステージ座標まで、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）が、図１１（Ａ）に矢印Ａ０４’で示すように、ステージ制御部１０ｂ１ｆ（図９および図１０参照）によって移動せしめられる。つまり、パターンが描画されない非描画区画（ＮＵＬＬ領域）Ｓ１２，Ｓ２２，Ｓ３２（図６（Ａ）参照）がスキップされる。その結果、区画Ｓ４２（図６（Ａ）参照）の中心が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）の照射位置（光学鏡筒１０ａ１の中心軸上）に配置される。可動ステージ１０ａ２ａの移動が完了したら、ステージ移動完了報告（図９および図１０参照）がステージ制御部１０ｂ１ｆから描画制御部１０ｂ１ａに送られる。図１１（Ａ）に示す例では、上述した工程および図８（Ａ）に示す例と同様の工程を繰り返すことにより、ストライプＳＴＲ２，ＳＴＲ３，…の区画Ｓ４２，Ｓ６２，Ｓ８２，Ｓ２３，Ｓ５３，Ｓ７３，…（図６（Ａ）参照）内にパターンが描画される。

次に、図１１（Ｂ）に示す例について説明する。図１１（Ｂ）に示す例では、図１１（Ａ）に示す例と同様に、偏向制御部１０ｂ１ｅ（図９および図１０参照）によって偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆ（図１参照）が制御されて、区画Ｓ９１（図６（Ａ）参照）内に荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）が照射され、区画Ｓ９１内にパターンが描画される。次いで、ショット完了報告（図９および図１０参照）が偏向制御部１０ｂ１ｅから描画制御部１０ｂ１ａ（図９および図１０参照）に送られる。区画Ｓ９１（図６（Ａ）参照）に関するショット完了報告（図９および図１０参照）には、ストライプ描画が完了した旨が含まれている。更に、区画Ｓ９１（図６（Ａ）参照）に関するショット完了報告には、ショット開始指示を受けて描画したショット数が含まれている。また、区画Ｓ９１（図６（Ａ）参照）に関するショット完了報告には、最後の主偏向座標（Ｘ座標［μｍ］およびＹ座標［μｍ］）ならびにステージ制御部１０ｂ１ｆ（図９および図１０参照）から偏向制御部１０ｂ１ｅ（図９および図１０参照）に送られた最後のステージ座標（Ｘ座標［μｍ］およびＹ座標［μｍ］）（図９参照）が含まれている。

次いで、図１１（Ｂ）に示す例では、２番目にパターンの描画が行われるストライプＳＴＲ２が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）の照射位置（つまり、光学鏡筒１０ａ１の中心軸上）に配置される前に、描画制御部１０ｂ１ａ（図９および図１０参照）から偏向制御部１０ｂ１ｅ（図９および図１０参照）に主偏向座標要求（図９および図１０参照）が送られる。次いで、偏向制御部１０ｂ１ｅから描画制御部１０ｂ１ａに最初の主偏向座標を含む主偏向座標報告（図９および図１０参照）が送られる。図１１（Ｂ）に示す例では、区画Ｓ９２（図６（Ａ）参照）が、パターンが描画されない非描画区画（ＮＵＬＬ領域）になっているため、主偏向座標報告（図９および図１０参照）に含まれている最初の主偏向座標は、区画Ｓ８２（図６（Ａ）参照）に属する主偏向座標になる。次いで、図１１（Ｂ）に示す例では、偏向制御部１０ｂ１ｅ（図９および図１０参照）から描画制御部１０ｂ１ａ（図９および図１０参照）に送られた区画Ｓ８２（図６（Ａ）参照）に属する最初の主偏向座標を含む主偏向座標報告（図９および図１０参照）が、描画区画判定部１０ｂ１ａ１（図９および図１０参照）に送られる。次いで、図１１（Ｂ）に示す例では、区画Ｓ８２（図６（Ａ）参照）に属する最初の主偏向座標に基づいて、最初にパターンが描画される区画（＝区画Ｓ８２）と、最初にパターンが描画される区画（＝区画Ｓ８２）を荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）の照射位置（光学鏡筒１０ａ１の中心軸上）に配置するためのステージ座標とが、描画区画判定部１０ｂ１ａ１（図９および図１０参照）によって算出される。
次いで、図１１（Ｂ）に示す例では、描画制御部１０ｂ１ａ（図９および図１０参照）からのステージ移動指示（図９および図１０参照）を受けて、描画区画判定部１０ｂ１ａ１（図９および図１０参照）によって算出されたステージ座標まで、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）が、図１１（Ｂ）に矢印Ａ０４’で示すように、ステージ制御部１０ｂ１ｆ（図９および図１０参照）によって移動せしめられる。つまり、パターンが描画されない非描画区画（ＮＵＬＬ領域）Ｓ９２（図６（Ａ）参照）がスキップされる。その結果、区画Ｓ８２（図６（Ａ）参照）の中心が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）の照射位置（光学鏡筒１０ａ１の中心軸上）に配置される。可動ステージ１０ａ２ａの移動が完了したら、ステージ移動完了報告（図９および図１０参照）がステージ制御部１０ｂ１ｆから描画制御部１０ｂ１ａに送られる。図１１（Ｂ）に示す例では、上述した工程および図８（Ｂ）に示す例と同様の工程を繰り返すことにより、ストライプＳＴＲ２，ＳＴＲ３，…の区画Ｓ４２，Ｓ６２，Ｓ８２，Ｓ２３，Ｓ５３，Ｓ７３，…（図６（Ａ）参照）内にパターンが描画される。

第４の実施形態では、上述した第１から第３の実施形態および上述した各例を適宜組み合わせることも可能である。

１０ 荷電粒子ビーム描画装置
１０ａ１ｂ 荷電粒子ビーム
１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆ 偏向器
１０ａ２ａ 可動ステージ
１０ｂ１ａ 描画制御部
１０ｂ１ａ１ 描画区画判定部
１０ｂ１ｂ ＪＯＢ制御部
１０ｂ１ｃ ショットデータ生成部
１０ｂ１ｅ 偏向制御部
１０ｂ１ｆ ステージ制御部
Ｍ 試料

Claims (5)

1. 試料が載置された可動ステージが、試料の描画領域を仮想分割することにより構成される複数の短冊状のストライプの長手方向に移動せしめられている時に、主偏向器および副偏向器により偏向された荷電粒子ビームを照射することによって試料のストライプ内にパターンが描画される連続移動描画モードと、可動ステージの停止中に、主偏向器および副偏向器により偏向された荷電粒子ビームを照射することによって試料のストライプ内にパターンが描画されるステップアンドリピート描画モードとが備えられており、ステップアンドリピート描画モード時に、
   荷電粒子ビーム描画装置による描画動作全体を制御するＪＯＢ制御部と、
   荷電粒子ビームのショットデータを生成するショットデータ生成部と、
   ショットデータ生成部から転送されたショットデータに含まれている主偏向座標および副偏向座標に基づいて主偏向器および副偏向器を制御する偏向制御部と、
   ストライプ情報をショットデータ生成部から受け取り、試料のストライプ内にパターンを描画するためのショット開始指示を偏向制御部に送る描画制御部と、
   偏向制御部から描画制御部に送られたショット完了報告に含まれている次の主偏向座標に基づいて、次にパターンが描画される区画と、次にパターンが描画される区画を荷電粒子ビームの照射位置に配置するためのステージ座標とを算出する描画区画判定部と、
   描画制御部からのステージ移動指示を受けて、次の主偏向座標に基づいて描画区画判定部により算出されたステージ座標まで、パターンが描画されない区画をスキップして可動ステージを移動させるステージ制御部とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
2. ステップアンドリピート描画モード時に、
   １番目にパターンの描画が行われる第１ストライプが荷電粒子ビームの照射位置に配置される前に、
   描画制御部が、偏向制御部に主偏向座標要求を送り、
   偏向制御部から描画制御部に送られた主偏向座標報告に含まれている最初の主偏向座標に基づいて、描画区画判定部が、最初にパターンが描画される区画と、最初にパターンが描画される区画を荷電粒子ビームの照射位置に配置するためのステージ座標とを算出し、
   ステージ制御部が、最初の主偏向座標に基づいて描画区画判定部により算出されたステージ座標まで可動ステージを移動させ、
   ｎ（ｎは２以上の整数）番目にパターンの描画が行われる第ｎストライプが荷電粒子ビームの照射位置に配置される前に、
   描画制御部が、偏向制御部に主偏向座標要求を送り、
   偏向制御部から描画制御部に送られた主偏向座標報告に含まれている最初の主偏向座標に基づいて、描画区画判定部が、最初にパターンが描画される区画と、最初にパターンが描画される区画を荷電粒子ビームの照射位置に配置するためのステージ座標とを算出し、
   ステージ制御部が、最初の主偏向座標に基づいて描画区画判定部により算出されたステージ座標まで可動ステージを移動させることを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
3. 試料が載置された可動ステージが、試料の描画領域を仮想分割することにより構成される複数の短冊状のストライプの長手方向に移動せしめられている時に、主偏向器および副偏向器により偏向された荷電粒子ビームを照射することによって試料のストライプ内にパターンが描画される連続移動描画モードと、可動ステージの停止中に、主偏向器および副偏向器により偏向された荷電粒子ビームを照射することによって試料のストライプ内にパターンが描画されるステップアンドリピート描画モードとが備えられている荷電粒子ビーム描画装置の荷電粒子ビーム描画方法において、
   ステップアンドリピート描画モード時に、
   ＪＯＢ制御部が荷電粒子ビーム描画装置による描画動作全体を制御し、
   ショットデータ生成部が荷電粒子ビームのショットデータを生成し、
   ショットデータ生成部から転送されたショットデータに含まれている主偏向座標および副偏向座標に基づいて偏向制御部が主偏向器および副偏向器を制御し、
   描画制御部が、ストライプ情報をショットデータ生成部から受け取ると共に、試料のストライプ内にパターンを描画するためのショット開始指示を偏向制御部に送り、
   描画区画判定部が、偏向制御部から描画制御部に送られたショット完了報告に含まれている次の主偏向座標に基づいて、次にパターンが描画される区画と、次にパターンが描画される区画を荷電粒子ビームの照射位置に配置するためのステージ座標とを算出し、
   ステージ制御部が、描画制御部からのステージ移動指示を受けて、次の主偏向座標に基づいて描画区画判定部により算出されたステージ座標まで、パターンが描画されない区画をスキップして可動ステージを移動させることを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
4. ステップアンドリピート描画モード時に、
   １番目にパターンの描画が行われる第１ストライプが荷電粒子ビームの照射位置に配置される前に、
   描画制御部が、ショットデータ生成部から送られた第１ストライプ情報に含まれている第１ストライプの先端の座標に基づいて、第１ストライプ内の先端に位置する区画を荷電粒子ビームの照射位置に配置するためのステージ座標を算出し、
   ステージ制御部が、描画制御部からのステージ移動指示を受けて、第１ストライプの先端の座標に基づいて描画制御部により算出されたステージ座標まで可動ステージを移動させ、
   ｎ（ｎは２以上の整数）番目にパターンの描画が行われる第ｎストライプが荷電粒子ビームの照射位置に配置される前に、
   描画制御部が、ショットデータ生成部から送られた第ｎストライプ情報に含まれている第ｎストライプの先端の座標に基づいて、第ｎストライプ内の先端に位置する区画を荷電粒子ビームの照射位置に配置するためのステージ座標を算出し、
   ステージ制御部が、描画制御部からのステージ移動指示を受けて、第ｎストライプの先端の座標に基づいて描画制御部により算出されたステージ座標まで可動ステージを移動させることを特徴とする請求項３に記載の荷電粒子ビーム描画方法。
5. ステップアンドリピート描画モード時に、
   １番目にパターンの描画が行われる第１ストライプが荷電粒子ビームの照射位置に配置される前に、
   描画制御部が、偏向制御部に主偏向座標要求を送り、
   偏向制御部から描画制御部に送られた主偏向座標報告に含まれている最初の主偏向座標に基づいて、描画区画判定部が、最初にパターンが描画される区画と、最初にパターンが描画される区画を荷電粒子ビームの照射位置に配置するためのステージ座標とを算出し、
   ステージ制御部が、最初の主偏向座標に基づいて描画区画判定部により算出されたステージ座標まで可動ステージを移動させ、
   ｎ（ｎは２以上の整数）番目にパターンの描画が行われる第ｎストライプが荷電粒子ビームの照射位置に配置される前に、
   描画制御部が、偏向制御部に主偏向座標要求を送り、
   偏向制御部から描画制御部に送られた主偏向座標報告に含まれている最初の主偏向座標に基づいて、描画区画判定部が、最初にパターンが描画される区画と、最初にパターンが描画される区画を荷電粒子ビームの照射位置に配置するためのステージ座標とを算出し、
   ステージ制御部が、最初の主偏向座標に基づいて描画区画判定部により算出されたステージ座標まで可動ステージを移動させることを特徴とする請求項３に記載の荷電粒子ビーム描画方法。

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