JP6040046B2 - 荷電粒子ビーム描画装置、および荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents

Description

本発明は、荷電粒子ビーム描画装置及びステージのミラー曲がり変形量取得方法に係り、例えば、電子ビームを用いて試料にパターンを描画する描画装置及びその装置内のステージのミラー曲がり変形量を測定位置から補正する方法に関する。

半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン（レチクル或いはマスクともいう。）が必要となる。ここで、電子ビーム（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｂｅａｍ）描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。

図１３は、可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
可変成形型電子線描画装置における第１のアパーチャ４１０には、電子線３３０を成形するための矩形の開口４１１が形成されている。また、第２のアパーチャ４２０には、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口４２１が形成されている。荷電粒子ソース４３０から照射され、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０は、偏向器により偏向され、第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１の一部を通過して、所定の一方向（例えば、Ｘ方向とする）に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０に照射される。すなわち、第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過できる矩形形状が、Ｘ方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０の描画領域に描画される。第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式という。

ここで、上述したステージは、例えばレーザ干渉計によってその位置が測定される。レーザ干渉計で位置を測定するにはレーザを反射するミラーがステージ上に配置される必要がある。そして、そのミラーが曲がっていた場合でもレーザ干渉計ではその曲がり誤差分（歪分）は観測されない。そのため、そのままレーザ干渉計での測定位置を用いて描画を行なうと、描画される位置に誤差（歪）が生じてしまう。

そこで、ミラー全体に対して、ｘ，ｙ方向のミラー曲がり変形量を測定してマップ化し、ミラー曲がり変形量（ｘ，ｙ）のマップ値を対応する座標の描画データ位置の補正に使用する手法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００９−８８３７１号公報

しかしながら、上述したミラー曲がり変形量（ｘ，ｙ）のマップ値を対応する座標の描画データの位置補正に使用する手法では、補正残差が生じることがわかってきた。そのため、さらに高精度な補正手法の確立が望まれている。

そこで、本発明は、かかる問題点を克服し、ミラー曲がりの変形量に対する高精度な補正を行う描画装置及び方法を提供することを目的とする。

本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、
第１の方向からレーザの照射を受け、照射されたレーザを反射する第１のミラーと第１の方向と直交する第２の方向からレーザの照射を受け、照射されたレーザを反射する第２のミラーとが配置された、試料を載置するステージと、
第１の方向からレーザを照射して、第１の方向についてステージの位置を測定する第１のレーザ干渉計と、
第２の方向からレーザを照射して、第２の方向についてステージの位置を測定する第２のレーザ干渉計と、
第２の方向における第１のミラーの位置と第１の方向に対する第１のミラーの曲がり変形量との相関データを記憶する記憶部と、
第１のレーザ干渉計によって測定された第１の方向のステージの位置に対して、レーザの照射を受けた第２の方向における第１のミラーの位置に対応する第１の方向に対する第１のミラーの曲がり変形量分を補正する補正部と、
第２の方向における位置がレーザの照射を受けた第２の方向における第１のミラーの位置とは異なる描画位置に対して、補正されたステージ位置に基づいて得られた偏向量で荷電粒子ビームを偏向して、所定のパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。

また、第２の方向の第１のミラーの曲がり変形量は、第２の方向のステージの位置に依存するように構成すると好適である。

また、第１の方向の第２のミラーの曲がり変形量は、第１の方向のステージの位置に依存するように構成すると好適である。

また、第１のミラーの曲がり変形量は、多項式或いは配列データによって定義されると好適である。

本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画方法は、
第１のレーザ干渉計を用いて、試料を載置するステージに配置された第１のミラーに第１の方向からレーザを照射して、第１の方向について、前記ステージの位置を測定する工程と、
第２のレーザ干渉計を用いて、ステージに配置された第２のミラーに第２の方向からレーザを照射して、第２の方向についてステージの位置を測定する工程と、
第２の方向における第１のミラーの位置と第１の方向に対する第１のミラーの曲がり変形量との相関データを記憶装置に記憶する工程と、
第１のレーザ干渉計によって測定された第１の方向のステージの位置に対して、レーザの照射を受けた第２の方向における第１のミラーの位置に対応する第１の方向に対する第１のミラーの曲がり変形量分を補正する工程と、
第２の方向における位置がレーザの照射を受けた第２の方向における第１のミラーの位置とは異なる描画位置に対して、補正されたステージ位置に基づいて得られた偏向量で荷電粒子ビームを偏向して、所定のパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。

本発明によれば、レーザによって実際に測定されたステージ位置の位置ずれ量を用いて描画位置を補正できる。よって、レーザでの測定位置とは無関係な位置でのミラーの曲がり変形量によって補正するよりも高精度な補正ができる。よって、ミラーに歪が生じていても高精度な位置にパターンを描画することができる。

実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。 実施の形態１における変形量演算部の内部構成およびレーザ干渉計の配置位置を示す概念図である。 実施の形態１における反射ミラーに曲がり変形が生じている様子の一例を示す概念図である。 実施の形態１における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。 実施の形態１におけるＸ方向の１次比例成分誤差を減算した結果の一例を示す図である。 実施の形態１におけるＹ方向の１次比例成分誤差を減算した結果の一例を示す図である。 実施の形態１における各領域を説明するための概念図である。 実施の形態１におけるレーザ照射位置と描画位置との関係の一例を示す図である。 実施の形態１におけるレーザ照射位置での変形量と描画位置での変形量との関係の一例を示す図である。 実施の形態１におけるステージ位置と描画位置との関係を示す図である。 実施の形態１における位置補正の効果を説明するための概念図である。 実施の形態１における反射ミラーの曲がり変形量の相関データの他の一例を示す図である。 可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。

以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の他の荷電粒子を用いたビームでも構わない。

実施の形態１．
図１は、実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。図１において、描画装置１００は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。描画装置１００は、描画部１５０と制御部１６０を備えている。描画部１５０は、描画室１０３と描画室１０３の上部に配置された電子鏡筒１０２を備えている。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、第１のアパーチャ２０３、投影レンズ２０４、偏向器２０５、第２のアパーチャ２０６、対物レンズ２０７、及び偏向器２０８を有している。そして、描画室１０３内には、ＸＹステージ１０５とＸＹステージ１０５を駆動するモータ２２２，２２４が配置される。ＸＹステージ１０５上には、描画対象となる試料１０１とレーザ干渉を利用した測長システムに用いる反射ミラー３０，３２とが配置される。試料１０１として、例えば、半導体装置が形成されるウェハやウェハにパターンを転写する露光用のマスクが含まれる。また、このマスクは、例えば、まだ何もパターンが形成されていないマスクブランクスが含まれる。

制御部１６０は、４つのレーザ干渉計１０，１２，１４，１６、４つの座標変換部２０，２２，２４，２６、磁気ディスク装置等の記憶装置１０９，１４２、偏向制御回路１１０、デジタルアナログ変換器（ＤＡＣ）１１２、アンプ１１４、描画制御回路１２０、ステージ制御部１２２、補正回路１３０、及び変形量演算部１４０を有している。座標変換部２０，２２，２４，２６、記憶装置１０９，１４２、偏向制御回路１１０、デジタルアナログ変換器（ＤＡＣ）１１２、描画制御回路１２０、ステージ制御部１２２、補正回路１３０、及び変形量演算部１４０は図示しないバスを介して接続されている。アンプ１１４は、ＤＡＣ１１２に図示しないバスを介して接続されている。レーザ干渉計１０，１２，１４，１６は、それぞれ座標変換部２０，２２，２４，２６のうちの対応する座標変換部に接続されている。モータ２２２，２２４は、ステージ制御部１２２に接続されている。記憶装置１０９内には、描画データが格納されている。図１では、本実施の形態１を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略している。描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成が含まれても構わないことは言うまでもない。

図２は、図１の変形量演算部の内部構成およびレーザ干渉計の配置位置を示す概念図である。図２において、変形量演算部１４０は、Ｙ方向差分演算部４２、Ｘ方向差分演算部４４、メモリ４６、Ｘ方向累積加算部４８、Ｙ方向累積加算部５０、フィッティング部５２，５４、及び減算部５６，５８を有している。Ｙ方向差分演算部４２、Ｘ方向差分演算部４４、Ｘ方向累積加算部４８、Ｙ方向累積加算部５０、フィッティング部５２，５４、及び減算部５６，５８は、電気的な回路によるハードウェアにより実施させても構わない。或いは、変形量演算部１４０をコンピュータとして配置して、Ｙ方向差分演算部４２、Ｘ方向差分演算部４４、Ｘ方向累積加算部４８、Ｙ方向累積加算部５０、フィッティング部５２，５４、及び減算部５６，５８といった機能の処理を上述したコンピュータとなる変形量演算部１４０で実行するようにしても構わない。或いは、電気的な回路によるハードウェアとソフトウェアとの組み合わせにより実施させても構わない。或いは、かかるハードウェアとファームウェアとの組み合わせでも構わない。

また、図２において、ＸＹステージ１０５には直交する２辺に沿って反射ミラー３０，３２が配置されている。ここでは、Ｘ方向（第１の方向）に反射面が位置するように反射ミラー３０（第１のミラー）が、Ｙ方向（第２の方向）に反射面が位置するように反射ミラー３２（第２のミラー）が配置される。そして、レーザ干渉計１０（第１のレーザ干渉計）とレーザ干渉計１２は、共に、同方向からＸ方向に位置する反射ミラー３０にレーザを照射するように並んで配置される。レーザ干渉計１４（第２のレーザ干渉計）とレーザ干渉計１６は、共に、同方向からＹ方向に位置する反射ミラー３２にレーザを照射するように並んで配置される。モータ２２２は、ＸＹステージ１０５をＸ方向に移動させ、モータ２２４は、ＸＹステージ１０５をＹ方向に移動させる。

図３は、実施の形態１における反射ミラーに曲がり変形が生じている様子の一例を示す概念図である。反射ミラー３０，３２は、ＸＹステージ１０５の移動や停止の繰り返しなどによる経時変化によってミラー曲がりが生じ、例えば図３に示すように反射面が平面でなくなってしまう。固定されたレーザ干渉計に対してステージが移動しても、例えば、従来のようにＸ方向とＹ方向に１つずつのレーザ干渉計を配置しただけではレーザ干渉計でミラー曲がりの変形量を観測するのが困難なのでビーム偏向位置に誤差が生じてしまうことになる。

図４は、実施の形態１における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。図４において、実施の形態１における描画方法は、ミラー変形量取得工程（Ｓ１０２）と、ステージ位置測定工程（Ｓ１０４）と、補正工程（Ｓ１０６）と、描画工程（Ｓ１０８）という一連の工程を実施する。

ミラー変形量取得工程（Ｓ１０２）として、各反射ミラー３０，３２のミラー曲がりの変形量を取得する。実施の形態１では、各反射ミラーに対して固定された２つのレーザ干渉計から照射されるそれぞれ１本、すなわち合計２本の測定光（レーザ）を用いる。そして、ＸＹステージ１０５が移動した場合の位置をそれぞれ測定する。そして得られたそれぞれの測定値を使って各反射ミラーのミラー曲がりの変形量を算出する。

Ｘ方向の位置を測定するための反射ミラー３０のミラー歪（ミラー曲がり変形量）は、Ｙ方向の位置に依存するためＹの多項式関数Ｘ（Ｙ）で定義することができる。他方、Ｙ方向の位置を測定するための反射ミラー３２のミラー歪（ミラー曲がり変形量）は、Ｘ方向の位置に依存するためＸの多項式関数Ｙ（Ｘ）で定義することができる。そこで、Ｘ軸とＹ軸の測定光を２本にすることで、ミラーの傾きの位置依存関数を以下のような式（１−１）及び式（１−２）で定義することができる。

ここでは、レーザ干渉計１０の測定値（第１の測定値）をＸ_１、レーザ干渉計１２の測定値（第２の測定値）をＸ_２、レーザ干渉計１４の測定値（第３の測定値）をＹ_１、レーザ干渉計１６の測定値（第４の測定値）をＹ_２とする。そして、Ｘ方向の測定値の差分値をＸ_０、Ｙ方向の測定値の差分値をＹ_０とする。また、それぞれの方向の位置依存関数にはヨーイング成分Ｙａｗ（Ｘ_１，Ｙ_１）も発生するので式（１−１）及び式（１−２）ではヨーイング成分Ｙａｗ（Ｘ_１，Ｙ_１）を追加している。この式（１−１）及び式（１−２）で示すように、差分値Ｘ_０及び差分値Ｙ_０は、それぞれ近似的にミラー表面の微分値なので積分することでミラー歪（ミラー曲がり変形量）成分のＸ（Ｙ）及びＹ（Ｘ）を求めることができる。しかし、実際には、上述したヨーイング成分Ｙａｗ（Ｘ_１，Ｙ_１）も同時に観測されてしまうので、このヨーイング成分Ｙａｗ（Ｘ_１，Ｙ_１）を除く必要がある。そのため、以下のように式（１−１）に式（１−２）を加算することで以下の式（２）にようにヨーイング成分Ｙａｗ（Ｘ_１，Ｙ_１）を除くことができる。

この式（２）を積分することで、実際のミラー曲がり成分を求めることができる。ここで、Ｘ方向（第１の方向）の位置を一定にした状態でＹ方向（第２の方向）にＸＹステージ１０５を移動させた場合、差分値Ｙ_０は一定となる。そして、式（２）の２項目の微分項も一定となる。同様に、Ｙ方向の位置を一定にした状態でＸ方向にＸＹステージ１０５を移動させた場合、差分値Ｘ_０は一定となる。そして、式（２）の１項目の微分項も一定となる。この関係を利用することで式（２）を解くことができる。

まず、位置測定工程として、Ｘ方向の位置を一定にした状態でＹ方向にＸＹステージ１０５を移動させ、複数の位置で４つのレーザ干渉計１０，１２，１４，１６を使ってＸＹステージ１０５の位置を測定する。具体的には、Ｘ方向の位置を一定にした状態での各位置でレーザ干渉計１０，１２を用いて同一方向からレーザを照射して、ＸＹステージ１０５の位置をＸ方向について測定する。同様に、Ｘ方向の位置を一定にした状態での各位置でレーザ干渉計１４，１６を用いて同一方向からレーザを照射して、ＸＹステージ１０５の位置をＹ方向について測定する。

そして、次に、今度はＹ方向の位置を一定にした状態でＸ方向にＸＹステージ１０５を移動させ、複数の位置で４つのレーザ干渉計１０，１２，１４，１６を使ってＸＹステージ１０５の位置を測定する。具体的には、Ｙ方向の位置を一定にした状態での各位置でレーザ干渉計１０，１２を用いて同一方向からレーザを照射して、ＸＹステージ１０５の位置をＸ方向について測定する。同様に、Ｙ方向の位置を一定にした状態での各位置でレーザ干渉計１４，１６を用いて同一方向からレーザを照射して、ＸＹステージ１０５の位置をＹ方向について測定する。

レーザ干渉計１０で測定された情報は、座標変換部２０によってＸ軸の座標値（ここでは、測定値Ｘ_１）に変換され、Ｘ方向差分演算部４４に出力される。同様に、レーザ干渉計１２で測定された情報は、座標変換部２２によってＸ軸の座標値（ここでは、測定値Ｘ_２）に変換され、Ｘ方向差分演算部４４に出力される。他方、レーザ干渉計１４で測定された情報は、座標変換部２４によってＹ軸の座標値（ここでは、測定値Ｙ_１）に変換され、Ｙ方向差分演算部４２に出力される。同様に、レーザ干渉計１６で測定された情報は、座標変換部２６によってＹ軸の座標値（ここでは、測定値Ｙ_２）に変換され、Ｙ方向差分演算部４２に出力される。

次に、Ｘ方向差分演算工程として、Ｘ方向差分演算部４４は、Ｘ方向の位置を一定にした状態でＹ方向にステージを移動した複数の位置でレーザ干渉計１０，１２によって測定された各位置での測定値Ｘ_１（第１の測定値）と測定値Ｘ_２（第２の測定値）の差分値Ｘ_０（Ｘ_０＝Ｘ_２−Ｘ_１）を演算する。同様に、Ｘ方向差分演算部４４は、Ｙ方向の位置を一定にした状態でＸ方向にステージを移動した複数の位置でレーザ干渉計１０，１２によって測定された各位置での測定値Ｘ_１（第１の測定値）と測定値Ｘ_２（第２の測定値）の差分値Ｘ_０（Ｘ_０＝Ｘ_２−Ｘ_１）を演算する。そして、演算された各位置での差分値Ｘ_０は、メモリ４６に格納される。

他方、Ｙ方向差分演算工程として、Ｙ方向差分演算部４２（第２の差分演算部）は、Ｘ方向の位置を一定にした状態でＹ方向にステージを移動した複数の位置でレーザ干渉計１４，１６によって測定された各位置での測定値Ｙ_１（第３の測定値）と測定値Ｙ_２（第４の測定値）の差分値Ｙ_０（Ｙ_０＝Ｙ_２−Ｙ_１）を演算する。同様に、Ｙ方向差分演算部４２は、Ｙ方向の位置を一定にした状態でＸ方向にステージを移動した複数の位置でレーザ干渉計１４，１６によって測定された各位置での測定値Ｙ_１（第３の測定値）と測定値Ｙ_２（第４の測定値）の差分値Ｙ_０（Ｙ_０＝Ｙ_２−Ｙ_１）を演算する。そして、演算された各位置での差分値Ｙ_０は、メモリ４６に格納される。

次に、Ｘ方向累積加算工程として、Ｘ方向累積加算部４８は、Ｘ方向の位置を一定にした状態でＹ方向にステージを移動した位置（０，ｊ）毎に測定開始位置（０，０）から当該位置（０，ｊ）までの差分値Ｘ_０と差分値Ｙ_０の和を以下の式（３）のように累積加算する。すなわち、Ｙ方向に式（２）を積分する。ここで、上述したように、Ｘ方向の位置を一定にした状態では、式（２）の第２の微分項は一定値Ｃをとることになる。

ここで、Ｘ方向の位置を一定にしたにも関わらず、Ｘ方向に傾いてしまう。これは、式（３）における不確定成分である係数Ｃ，Ｄに起因する。よって、係数Ｃ，Ｄにかかる１次比例成分誤差を補正するとミラーの曲がり変形量の関数Ｘ（Ｙ）を得ることができる。

そこで、フィッティング工程として、フィッティング部５２は、式（３）で得られた各位置での累積加算値（第１の累積加算値）を１次関数：ＣＹ＋Ｄでフィッティングして、係数Ｃ，Ｄを演算する。

そして、Ｘ方向誤差補正工程として、減算部５６は、得られた１次比例成分誤差関数ＣＹ＋Ｄを用いて、Ｘ方向累積加算部４８によって累積加算された各位置での累積加算値Σ（Ｘ_０＋Ｙ_０）｜_Ｙｊ＜Ｙの変化量に対する１次比例成分誤差を減算することで補正する。

図５は、実施の形態１におけるＸ方向の１次比例成分誤差を減算した結果の一例を示す図である。１次比例成分誤差を補正することで、図５に示すように、Ｘ方向への傾きが無くなりＹ方向の位置に依存した反射ミラー３０のミラー曲がり変形量Ｘ（Ｙ）を得ることができる。言い換えれば、Ｙ方向の反射ミラー３０の曲がり変形量Ｘ（Ｙ）は、Ｙ方向のＸＹステージ１０５の位置に依存する。そして、得られた演算結果となる反射ミラー３０のミラー曲がり変形量Ｘ（Ｙ）（多項式の関数Ｘ（Ｙ））は、記憶装置１４２に出力される。

次に、Ｙ方向累積加算工程として、Ｙ方向累積加算部５０は、Ｙ方向の位置を一定にした状態でＸ方向にステージを移動した位置（ｉ，０）毎に測定開始位置（０，０）から当該位置（ｉ，０）までの差分値Ｘ_０と差分値Ｙ_０の和を以下の式（４）のように累積加算する。すなわち、Ｘ方向に式（２）を積分する。ここで、上述したように、Ｙ方向の位置を一定にした状態では、式（２）の第１の微分項は一定値Ｅをとることになる。

Ｘ方向の場合と同様、Ｙ方向の位置を一定にしたにも関わらず、Ｙ方向に傾いてしまう。これは、式（４）における不確定成分である係数Ｅ，Ｆに起因する。よって、係数Ｅ，Ｆにかかる１次比例成分誤差を補正するとミラーの曲がり変形量の関数Ｙ（Ｘ）を得ることができる。

そこで、フィッティング工程として、フィッティング部５４は、式（４）で得られた各位置での累積加算値を１次関数：ＥＸ＋Ｆでフィッティングして、係数Ｃ，Ｄを演算する。

そして、Ｙ方向誤差補正工程として、減算部５８は、得られた１次比例成分誤差関数ＥＸ＋Ｆを用いて、Ｙ方向累積加算部５０によって累積加算された各位置での累積加算値Σ（Ｘ_０＋Ｙ_０）｜_Ｘｉ＜Ｘの変化量に対する１次比例成分誤差を減算することで補正する。

図６は、実施の形態１におけるＹ方向の１次比例成分誤差を減算した結果の一例を示す図である。１次比例成分誤差を補正することで、図６に示すようにＹ方向への傾きが無くなりＸ方向の位置に依存した反射ミラー３２のミラー曲がり変形量Ｙ（Ｘ）を得ることができる。言い換えれば、Ｘ方向の反射ミラー３２の曲がり変形量Ｙ（Ｘ）は、Ｘ方向のＸＹステージ１０５の位置に依存する。そして、得られた演算結果となる反射ミラー３２のミラー曲がり変形量Ｙ（Ｘ）（多項式の関数Ｙ（Ｘ））は、記憶装置１４２に出力される。

以上のようにして、変形量演算部１４０は、レーザ干渉計１０，１２によって測定された各測定値の差分値Ｘ_０と、レーザ干渉計１４，１６によって測定された各測定値の差分値Ｙ_０とを用いて、反射ミラー３０，３２の曲がり変形量Ｘ（Ｙ），Ｙ（Ｘ）を演算する。このように同一方向から２つのレーザ干渉計で位置を測定することで、ＸＹステージ１０５上の反射ミラー３０，３２の曲がり変形量を取得することができる。記憶装置１４２（記憶部）は、反射ミラー３０，３２の曲がり変形量Ｘ（Ｙ），Ｙ（Ｘ）を格納する。言い換えれば、記憶装置１４２（記憶部）は、Ｙ方向における反射ミラー３０の位置とＸ方向に対する反射ミラー３０の曲がり変形量との相関データＸ（Ｙ）を記憶する。同様に、記憶装置１４２（記憶部）は、Ｘ方向における反射ミラー３２の位置とＹ方向に対する反射ミラー３２の曲がり変形量との相関データＹ（Ｘ）を記憶する。

ここで、描画位置（ｘ，ｙ）に対応する反射ミラー３０，３２の曲がり変形量Ｘ（Ｙ），Ｙ（Ｘ）分を描画位置（ｘ，ｙ）から補正してしまうと以下に説明するように位置補正が過補正になってしまう場合がある。言い換えれば、補正後の位置（ｘ’，ｙ’）に補正残差が残ってしまう場合がある。

図７は、実施の形態１における各領域を説明するための概念図である。図７において、試料１０１の描画領域１０は、偏向器２０８の例えばＹ方向偏向可能幅或いはそれよりも若干小さい幅で例えばＹ方向に向かって短冊状の複数のストライプ領域２０に仮想分割される。試料１０１の描画処理は、例えばＸ方向に描画処理を進めることによってストライプ領域２０単位で実行されることになる。

図８は、実施の形態１におけるレーザ照射位置と描画位置との関係の一例を示す図である。図８において、描画対象となるストライプ領域２０内の描画位置２２を示している。当該ストライプ領域２０を描画する際、例えば、レーザ干渉計１０がＸＹステージ１０５のＸ座標位置測定用にレーザを反射ミラー３０に照射するＹ座標位置は、当該ストライプ領域２０のＹ方向サイズの中心位置付近に設定される。当該ストライプ領域２０の描画中は、かかる位置に照射し続けることになる。他方、図８に示すように、当該ストライプ領域２０内の描画位置２２は、レーザ干渉計１０が照射するレーザの照射位置とは、Ｙ座標位置がずれている場合がほとんどである。

図９は、実施の形態１におけるレーザ照射位置での変形量と描画位置での変形量との関係の一例を示す図である。図９において、レーザ干渉計１０が照射するレーザのＹ座標位置では、例えば、反射ミラー３０のミラー曲がり変形量（歪み量）がΔｘ_１である。よって、実際に描画する際、描画位置（ｘ，ｙ）のＸ方向の位置補正は、照射位置での変形量（歪み量）Δｘ_１で足りる。しかしながら、記憶装置１４２に記憶された変形量の関数Ｘ（Ｙ）を用いて、実際の描画位置（ｘ，ｙ）でＸ方向の変形量を計算すると、図８に示すようにΔｘ_２になってしまう。よって、描画位置（ｘ，ｙ）を描画する際、描画位置（ｘ，ｙ）のＸ座標を−Δｘ_２だけ補正してしまうと、−（Δｘ_１−Δｘ_２）だけ過補正になってしまう。

ここで、上述した図８及び図９では、Ｘ座標の位置補正について説明したが、Ｙ座標の位置補正についても同様に過補正になる。その内容は図８及び図９の説明についてＸ，Ｙを逆に読み替えればよい。

そこで、実施の形態１では、ＸＹステージ１０５の位置測定を行うレーザ干渉計１０，１４のレーザ照射位置に着目して、描画位置（ｘ，ｙ）を描画する際の位置補正を行う。さらに、実施の形態１では、描画データ上での描画位置（ｘ，ｙ）の補正を行うのではなく、もっと簡易に、描画しながらＸＹステージ１０５の測定位置自体をリアルタイムで補正することによって対応する。これにより、描画データのデータ処理の負荷を低減できる。また、反射ミラー３０，３２の曲がり変形量の関数Ｘ（Ｙ），Ｙ（Ｘ）を取得するために、各方向に２台ずつのレーザ干渉計１０，１２，１４，１６を用いたが、変形量の関数Ｘ（Ｙ），Ｙ（Ｘ）を取得した後の描画処理の際には、各方向１台ずつのレーザ干渉計１０，１４を用いれば足りる。以下、描画処理を実施しながらリアルタイムに行う各工程について説明する。

まず、描画制御回路１２０内では、記憶装置１０９から描画データを読み出し、複数段のデータ変換処理を行って、装置固有のショットデータを生成する。描画データには、複数の図形パターンが定義される。しかしながら、描画装置１００で図形パターンを描画するためには、１回のビームのショットで照射できるサイズに描画データに定義された図形パターンを分割する必要がある。そこで、描画制御回路１２０は、実際に描画するために、各図形パターンを１回のビームのショットで照射できるサイズに分割してショット図形を生成する。そして、ショット図形毎にショットデータを生成する。ショットデータには、例えば、図形種、図形サイズ、及び描画位置（ｘ，ｙ）（照射位置）といった図形データが定義される。その他、照射量に応じた照射時間が定義される。ショットデータはショット順にソートされて定義される。生成されたショットデータは、図示しない記憶装置に一時的に格納しておけばよい。偏向制御回路１１０は、生成されたショットデータをショット順に読み出していくことになる。

ステージ位置測定工程（Ｓ１０４）として、レーザ干渉計１０を用いて、試料１０１を載置するＸＹステージ１０５に配置された反射ミラー３０にＸ方向からレーザを照射して、Ｘ方向について、ＸＹステージ１０５の位置（座標Ｘ）を測定する。同様に、レーザ干渉計１４を用いて、ＸＹステージ１０５に配置された反射ミラー３２にＹ方向からレーザを照射して、Ｙ方向についてＸＹステージ１０５の位置（座標Ｙ）を測定する。かかるＸＹステージ１０５のＸ座標を測定する際のレーザ照射を行うＹ座標位置は、例えば、描画対象となるストライプ領域２０のＹ方向幅の中心位置を測定すると良い。但し、これに限るものではない。その他の位置でも構わない。ＸＹステージ１０５のＹ座標を測定する際のレーザ照射を行うＸ座標位置は、例えば、描画対象となるストライプ領域２０内を描画中は描画の進行に合わせて刻々と変化することになる。レーザ干渉計１０で測定された情報は、座標変換部２０によってＸ軸の座標値（ここでは、測定値Ｘ）に変換され、補正回路１３０に出力される。同様に、レーザ干渉計１４で測定された情報は、座標変換部２４によってＹ軸の座標値（ここでは、測定値Ｙ）に変換され、補正回路１３０に出力される。

補正工程（Ｓ１０６）として、補正回路１３０（補正部）は、レーザ干渉計１０によって測定されたＸ方向のＸＹステージ１０５の位置（座標Ｘ）と、レーザ干渉計１４によって測定されたＹ方向のＸＹステージ１０５の位置（座標Ｙ）とを入力する。そして、補正回路１３０は、記憶装置１４２から変形量関数Ｘ（Ｙ）を読み出し、ＸＹステージ１０５のＸ方向位置（座標Ｘ）に対してレーザ干渉計１０からレーザの照射を受けた反射ミラー３０のＹ方向位置に対応する変形量分Ｘ（Ｙ）を補正する。言い換えれば、補正回路１３０は、レーザ干渉計１０によって測定されたＸ方向のステージの位置に対して、レーザの照射を受けたＹ方向における反射ミラー３０の位置に対応するＸ方向に対する反射ミラー３０の曲がり変形量分を補正する。同様に、補正回路１３０は、記憶装置１４２から変形量関数Ｙ（Ｘ）を読み出し、ＸＹステージ１０５のＹ方向位置（座標Ｙ）に対してレーザ干渉計１４からレーザの照射を受けた反射ミラー３２のＸ方向位置に対応する変形量分Ｙ（Ｘ）を補正する。言い換えれば、補正回路１３０は、レーザ干渉計１４によって測定されたＹ方向のステージの位置に対して、レーザの照射を受けたＸ方向における反射ミラー３２の位置に対応するＹ方向に対する反射ミラー３２の曲がり変形量分を補正する。位置補正後のＸＹステージ１０５の位置（Ｘ’，Ｙ’）は、偏向制御回路１１０に出力される。これにより、ＸＹステージ１０５の位置（Ｘ，Ｙ）は、実際に測定されたレーザの測定位置での変形量分が補正されたことになる。

描画工程（Ｓ１０８）として、まず、偏向制御回路１１０は、入力されたＸＹステージ１０５の位置（Ｘ’，Ｙ’）を用いて、描画位置（ｘ，ｙ）に電子ビームを照射するための偏向量を演算する。

図１０は、実施の形態１におけるステージ位置と描画位置との関係を示す図である。図１０に示すように、原点Ｏにある装置において、点Ｐの位置にパターンを描画する場合を考える。パターンデータには描画するべき位置は装置の原点からの位置Ｘ_Ｗ（ベクトルで示す）が記述されている。実際の描画に際してはステージ移動と偏向の組合せでビームをＸ_Ｗの位置へ照射する。そのため最初に計画された位置Ｘ_Ｌ（ベクトルで示す）の付近にステージを移動させる。描画する直前にレーザ干渉計にてステージ位置Ｘ_Ｌを測定し、描画位置Ｘ_ＷとＸ_Ｌとの差分Ｘ_Ｍ（ベクトルで示す）を次のように算出する。
Ｘ_Ｍ＝Ｘ_Ｗ−Ｘ_Ｌ
そして、差分Ｘ_Ｍを偏向量として算出し、ビームを照射する。

以上はレーザ干渉計用の反射ミラー３０，３２が完全な平面とした理想的な場合を説明した。しかし、上述したように、実際にはレーザ干渉計用の反射ミラー３０，３２は完全な平面ではない。そのため、測定されたステージ位置Ｘ_Ｌに誤差が生じると演算される偏向量に誤差が生じることになる。そこで、実施の形態１では、補正後のＸＹステージ１０５の位置Ｘ_Ｌ’（ベクトルで示す）と描画位置Ｘ_ｗとの差分Ｘ_Ｍ（ベクトルで示す）を偏向量として算出する。このように、高精度なＸＹステージ１０５の位置が測定できれば、高精度な偏向量を演算できる。実施の形態１では、ＸＹステージ１０５の位置自体を反射ミラーの変形量分補正してあるので、反射ミラーの曲がり変形量に対しては高精度に位置が補正されている。よって、偏向量Ｘ_Ｍも反射ミラーの曲がり変形量に対しては高精度に補正できる。

なお、描画時の試料１０１（例えばマスク）では重力の影響で歪みが生じ、描画位置が変動する。よって、図示しないかかる変動成分も考慮するとさらに好適である。まず、レーザ干渉計用の反射ミラー３０，３２は完全な平面で、試料１０１に重力などの歪みのみが存在する場合を考える。この変動をＦ（Ｘ_Ｗ）と記述することにする。この量は非常に小さいので近似的に
Ｘ_Ｗ＝Ｘ_Ｗ＋ｆ（Ｘ_Ｗ）
と記述できる。ここでｆ（Ｘ）＝Ｆ（Ｘ）−Ｘと定義する。

つまり、本来Ｘ_Ｗの位置に描画すべきパターンがＸ_Ｗ’の位置に描画されてしまうことを表現している。この影響を補正するために描画位置つまりＸ_Ｗに依存した図示しない補正処理を加えてから描画するとより好適である。この補正値をＦ^−１（Ｘ_Ｗ）とする。やはり、Ｆ^−１（Ｘ_Ｗ）は非常に小さい量なので
Ｘ_Ｗ”＝Ｆ^−１（Ｘ_Ｗ）＝Ｘ_Ｗ−ｆ（Ｘ_Ｗ）
と近似的に記述できる。Ｘ_Ｗの変わりにＸ_Ｗ”の位置に描画すると、
Ｘ_Ｗ’＝Ｘ_Ｗ”＋ｆ（Ｘ_Ｗ”）＝Ｘ_Ｗ−ｆ（Ｘ_Ｗ）＋ｆ（Ｘ_Ｗ”）＝Ｘ_Ｗ
となり、上述した図示しない補正によって、試料１０１に生じた重力などの歪みを補正できる。

ここで、ｆ（Ｘ_Ｗ）とｆ（Ｘ_Ｗ”）は微小量なので高次成分を除いては一致するとして無視できる。このようにして重力ひずみなのでの物理的な要因によるパターン位置誤差は補正することができる。

ここで、試料１０１に生じる重力などの歪み成分に加えて、さらにレーザ干渉計用の反射ミラー３０，３２に歪み成分の誤差があった場合を考察する。本来Ｘ_Ｌとして観察される位置がＧ（Ｘ_Ｌ）として観測される。やはり、Ｇは微小量として近似的に
Ｇ（Ｘ_Ｌ）＝Ｘ_Ｌ＋ｇ（Ｘ_Ｌ）
と記述できる。この場合描画位置は
Ｘ_Ｗ’＝Ｘ_Ｗ＋ｆ（Ｘ_Ｗ）＝Ｘ_Ｌ＋Ｘ_Ｍ＋ｆ（Ｘ_Ｗ）
となるところ、
Ｘ_Ｗ’＝Ｇ（Ｘ_Ｌ）＋Ｘ_Ｍ＋ｆ（Ｘ_Ｗ）
＝Ｘ_Ｌ＋ｇ（Ｘ_Ｌ）＋Ｘ_Ｍ＋ｆ（Ｘ_Ｗ）
＝（Ｘ_Ｌ＋Ｘ_Ｍ）＋ｇ（Ｘ_Ｌ）＋ｆ（Ｘ_Ｗ）
＝Ｘ_Ｗ＋ｇ（Ｘ_Ｌ）＋ｆ（Ｘ_Ｗ）
と定義できる。

一方、従来の手法では、テストパターンを用いた描画結果から歪みのマップを求めて補正していた。従来手法の補正マップにはＦ（Ｘ）以外にＧ（Ｘ）が含まれる。したがって、従来の手法では、かかる２種類の歪みを区別せずに扱って補正しているので補正結果は次のようになる。
Ｘ_Ｗ”＝Ｘ_Ｗ−（ｇ＋ｆ）（Ｘ_Ｗ）
＝Ｘ_Ｗ−ｇ（Ｘ_Ｗ）−ｆ（Ｘ_Ｗ）
これを描画すると
Ｘ_Ｗ’＝Ｘ_Ｗ”＋ｇ（Ｘ_Ｌ）＋ｆ（Ｘ_Ｗ）
＝Ｘ_Ｗ−ｇ（Ｘ_Ｗ）−ｆ（Ｘ_Ｗ）＋ｇ（Ｘ_Ｌ）＋ｆ（Ｘ_Ｗ）
＝Ｘ_Ｗ−ｇ（Ｘ_Ｗ）＋ｇ（Ｘ_Ｌ）
となり物理的な歪みは補正されるが、ミラー歪みの成分はｇ（Ｘ_Ｗ）−ｇ（Ｘ_Ｌ）だけ残ってしまう。従来の手法においてかかる結果になるのは、補正をかけている位置が異なるためである。

これに対して、実施の形態１では、補正回路１３０によって、ミラー歪み成分Ｇ（Ｘ）をＸ_Ｌに対して補正処理を施している。言い換えれば、Ｘ_Ｗには、試料１０１に生じる重力などの歪み変動成分Ｆ（Ｘ_Ｗ）について補正処理を施し、Ｘ_Ｌには、ミラー歪みの成分Ｇ（Ｘ）について補正処理を施す。このように、実施の形態１では、Ｘ_ＷとＸ_Ｌに個別に補正処理を施し描画する。つまり、Ｘ_ＷをＸ_Ｌ＋Ｘ_Ｍに分解した後、
Ｘ_Ｗ”＝Ｘ_Ｌ＋Ｘ_Ｍ−ｇ（Ｘ_Ｌ）−ｆ（Ｘ_Ｗ）
と補正する。これを描画すると
Ｘ_Ｗ’＝Ｘ_Ｗ”＋ｇ（Ｘ_Ｌ）＋ｆ（Ｘ_Ｗ）
＝Ｘ_Ｌ＋Ｘ_Ｍ−ｇ（Ｘ_Ｌ）−ｆ（Ｘ_Ｗ）＋ｇ（Ｘ_Ｌ）＋ｆ（Ｘ_Ｗ）
＝Ｘ_Ｌ＋Ｘ_Ｍ
＝Ｘ_Ｗ
となり、試料１０１に生じる重力などの歪み変動成分とミラー歪み変動成分の両方の問題点を解決できる。よって、上述したように、Ｘ_Ｌに対してミラー歪み成分Ｇ（Ｘ）を補正する他に、Ｘ_Ｗに対して試料１０１に生じる重力などの歪み変動成分Ｆ（Ｘ_Ｗ）を補正するとさらに好適である。

描画部１５０は、Ｙ方向における位置がレーザの照射を受けたＹ方向における反射ミラー３０の位置とは異なる描画位置について、補正されたＸＹステージ１０５位置（Ｘ’，Ｙ’）に基づいて得られた偏向量で電子ビーム２００を偏向して、所定のパターンを描画する。具体的には、以下のように動作する。偏向制御回路１１０では、演算された例えば偏向器２０８への偏向量を示すデジタル信号を出力する。そして、デジタル信号はＤＡＣ１１２でアナログ変換され、アンプ１１４で増幅され、偏向電圧となって偏向器２０８に印加される。描画部１５０での動作は以下のようになる。

電子銃２０１から出た電子ビーム２００は、照明レンズ２０２により矩形例えば長方形の穴を持つ第１のアパーチャ２０３全体を照明する。ここで、電子ビーム２００をまず矩形に成形する。そして、第１のアパーチャ２０３を通過した第１のアパーチャ像の電子ビーム２００は、投影レンズ２０４により第２のアパーチャ２０６上に投影される。かかる第２のアパーチャ２０６上での第１のアパーチャ像の位置は、偏向器２０５によって偏向制御され、ビーム形状と寸法を変化（可変成形）させることができる。通常、ショット毎に、ビーム形状と寸法を変化させることが多い。同じビーム形状と寸法のビームを連続してショットする場合もあることは言うまでもない。そして、第２のアパーチャ２０６を通過した第２のアパーチャ像の電子ビーム２００は、対物レンズ２０７により焦点を合わせ、偏向制御回路１１０に制御された偏向器２０８により偏向され、ステージ制御部１２２に制御されたモータ２２２，２２４により駆動されて連続移動するＸＹステージ１０５上の試料１０１の所望する位置に照射される。

図１１は、実施の形態１における位置補正の効果を説明するための概念図である。反射ミラーの曲がり変形量の関数Ｘ（Ｙ）を用いて、実際の描画位置（ｘ，ｙ）のＸ座標を描画データ上で補正した場合を比較例として図１１（ａ）に示す。レーザの照射位置とはＹ座標が異なる描画位置（ｘ，ｙ）の描画データ上のｘ座標を関数Ｘ（Ｙ）で補正後に、実際のレーザ測定位置（Ｘ，Ｙ）との相対関係で描画位置を特定すると、上述したように補正残差が残り、図１１（ａ）に示すように、ストライプ領域２０の位置に歪みが残ってしまう。なお、反射ミラーの曲がり変形量を補正しない場合にもストライプ領域２０の位置に歪みが生じてしまうことは言うまでもない。これに対して、実施の形態１のように、レーザの照射位置に着目して、ＸＹステージ１０５の位置自体をまずは補正してしまうことで、図１１（ｂ）に示すように、ストライプ領域２０の位置の歪みを補正できる。

本実施の形態によれば、レーザによって実際に測定されたステージ位置の位置ずれ量を用いて描画位置を補正できる。よって、レーザでの測定位置とは無関係な位置でのミラーの曲がり変形量によって補正するよりも高精度な補正ができる。よって、ミラーに歪が生じていても高精度な位置にパターンを描画することができる。

上述した例では、反射ミラー３０のＹ方向位置に対応する曲がり変形量と反射ミラー３２のＸ方向位置に対応する曲がり変形量は、多項式Ｘ（Ｙ），Ｙ（Ｘ）で定義される場合について示したがこれに限るものではない。

図１２は、実施の形態１における反射ミラーの曲がり変形量の相関データの他の一例を示す図である。例えば、図１２（ａ）に示すように、反射ミラー３０のＹ方向位置に対応する曲がり変形量Δｘ（測定値）を配列データ（例えばＹ方向に並ぶ１次元のマップデータ）によって定義しても好適である。同様に、図１２（ｂ）に示すように、反射ミラー３２のＸ方向位置に対応する曲がり変形量Δｙ（測定値）を配列データ（例えばＸ方向に並ぶ１次元のマップデータ）によって定義しても好適である。かかる場合には、レーザの照射位置に対応する各データ値を曲がり変形量として用いればよい。

以上のようにしてパターンが描画されたマスクを使って、後にステッパ等で半導体ウェハ等にパターンが転写されることになる。その際、製造されたマスクを測定して、まだ、１次比例成分誤差が残っているようであれば、その誤差をステッパ装置で補正してもよい。

或いは、上述した例では、不確定誤差として、変形量演算部１４０内で１次比例成分誤差を補正したが、ステッパ装置で補正することとして、描画装置１００内でのこの補正工程を省略しても構わない。

以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。

また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。

その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電粒子ビーム描画方法及び装置は、本発明の範囲に包含される。

１０，１２，１４，１６ レーザ干渉計
２０，２２，２４，２６ 座標変換部
３０，３２ 反射ミラー
４２ Ｙ方向差分演算部
４４ Ｘ方向差分演算部
４６ メモリ
４８ Ｘ方向累積加算部
５０ Ｙ方向累積加算部
５２，５４ フィッティング部
５６，５８ 減算部
１００ 描画装置
１０１，３４０ 試料
１０２ 電子鏡筒
１０３ 描画室
１０５ ＸＹステージ
１０９，１４２ 記憶装置
１１０ 偏向制御回路
１１２ ＤＡＣ
１１４ アンプ
１２０ 描画制御回路
１２２ ステージ制御部
１３０ 補正回路
１４０ 変形量演算部
１５０ 描画部
１６０ 制御部
２００ 電子ビーム
２０１ 電子銃
２０２ 照明レンズ
２０３，４１０ 第１のアパーチャ
２０４ 投影レンズ
２０５，２０８ 偏向器
２０６，４２０ 第２のアパーチャ
２０７ 対物レンズ
２２２，２２４ モータ
３３０ 電子線
４１１ 開口
４２１ 可変成形開口
４３０ 荷電粒子ソース

Claims (5)

1. 第１の方向からレーザの照射を受け、照射されたレーザを反射する第１のミラーと前記第１の方向と直交する第２の方向からレーザの照射を受け、照射されたレーザを反射する第２のミラーとが配置された、試料を載置するステージと、
   第１の方向からレーザを照射して、第１の方向について前記ステージの位置を測定する第１のレーザ干渉計と、
   第２の方向からレーザを照射して、第２の方向について前記ステージの位置を測定する第２のレーザ干渉計と、
   前記第２の方向における前記第１のミラーの位置と前記第１の方向に対する前記第１のミラーの曲がり変形量との相関データを記憶する記憶部と、
   前記第１のレーザ干渉計によって測定された前記第１の方向の前記ステージの位置に対して、前記レーザの照射を受けた前記第２の方向における第１のミラーの位置に対応する前記第１の方向に対する第１のミラーの曲がり変形量分を補正する補正部と、
   前記第２の方向における位置が前記レーザの照射を受けた前記第２の方向における第１のミラーの位置とは異なる描画位置に対して、補正されたステージ位置に基づいて得られた偏向量で荷電粒子ビームを偏向して、所定のパターンを描画する描画部と、
   を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
2. 前記第２の方向の前記第１のミラーの曲がり変形量は、前記第２の方向の前記ステージの位置に依存することを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム描画装置。
3. 前記第１の方向の前記第２のミラーの曲がり変形量は、前記第１の方向の前記ステージの位置に依存することを特徴とする請求項１又は２記載の荷電粒子ビーム描画装置。
4. 前記第１のミラーの曲がり変形量は、多項式或いは配列データによって定義されることを特徴とする請求項１〜３いずれか記載の荷電粒子ビーム描画装置。
5. 第１のレーザ干渉計を用いて、試料を載置するステージに配置された第１のミラーに第１の方向からレーザを照射して、第１の方向について、前記ステージの位置を測定する工程と、
   第２のレーザ干渉計を用いて、前記ステージに配置された第２のミラーに第２の方向からレーザを照射して、第２の方向について前記ステージの位置を測定する工程と、
   前記第２の方向における前記第１のミラーの位置と前記第１の方向に対する前記第１のミラーの曲がり変形量との相関データを記憶装置に記憶する工程と、
   前記第１のレーザ干渉計によって測定された前記第１の方向の前記ステージの位置に対して、前記レーザの照射を受けた前記第２の方向における第１のミラーの位置に対応する前記第１の方向に対する第１のミラーの曲がり変形量分を補正する工程と、
   前記第２の方向における位置が前記レーザの照射を受けた前記第２の方向における第１のミラーの位置とは異なる描画位置に対して、補正されたステージ位置に基づいて得られた偏向量で荷電粒子ビームを偏向して、所定のパターンを描画する工程と、
   を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。

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