KR101006676B1 - 하전 입자 빔 묘화 장치 및 하전 입자 빔 묘화 방법 - Google Patents
하전 입자 빔 묘화 장치 및 하전 입자 빔 묘화 방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (5)
- 묘화할 때의 하전 입자 빔을 시료에 조사하는 샷의 샷수가 서로 대략 동일해지는 사이즈로 묘화 영역을 복수의 제1 블록 영역으로 분할하는 제1 블록 영역 분할부와,상기 묘화 영역을 상기 제1 블록 영역의 어느 것보다도 작은 소정의 사이즈로 메쉬 형상으로 가상 분할된 복수의 소영역을 이용하여, 상기 제1 블록 영역마다 내부에 위치하는 각 소영역의 패턴 면적 밀도를 계산하는 면적 밀도 계산부와,상기 복수의 제1 블록 영역으로 분할된 상기 묘화 영역을 다시 상기 소영역보다 큰 균일한 사이즈로 복수의 제2 블록 영역으로 분할하는 제2 블록 영역 분할부와,상기 제2 블록 영역마다 상기 제2 블록 영역 내부에 위치하는 각 소영역에 있어서의 근접 효과 보정 조사량을, 동일한 소영역에 있어서 이미 계산된 패턴 면적 밀도를 이용하여 계산하는 보정 조사량 계산부와,상기 묘화 영역이 메쉬 형상으로 가상 분할된 상기 각 소영역에 있어서의 하전 입자 빔의 빔 조사량을, 동일한 소영역에 있어서 이미 계산된 근접 효과 보정 조사량을 이용하여 계산하는 빔 조사량 계산부와,상기 묘화 영역이 메쉬 형상으로 가상 분할된 상기 소영역마다 계산된 빔 조사량으로 상기 하전 입자 빔을 조사하여 시료에 소정의 패턴을 묘화하는 묘화부를 구비한 것을 특징으로 하는, 하전 입자 빔 묘화 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 복수의 제2 블록 영역으로 분할된 상기 묘화 영역을 다시 상기 복수의 제1 블록 영역으로 재분할하는 제3 블록 영역 분할부를 더 구비하고,상기 빔 조사량 계산부는, 재분할된 상기 제1 블록 영역 내부에 위치하는 각 소영역의 상기 빔 조사량을 동일한 소영역에 있어서 이미 계산된 근접 효과 보정 조사량을 이용하여 계산하는 것을 특징으로 하는, 하전 입자 빔 묘화 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 면적 밀도 계산부는 상기 묘화 영역이 메쉬 형상으로 가상 분할된 상기 소영역마다의 패턴 면적 밀도 맵을 작성하고,상기 보정 조사량 계산부는, 상기 패턴 면적 밀도 맵으로부터 상기 근접 효과 보정 조사량을 계산하는 소영역의 패턴 면적 밀도를 참조하는 것을 특징으로 하는, 하전 입자 빔 묘화 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 보정 조사량 계산부는 상기 묘화 영역이 메쉬 형상으로 가상 분할된 상기 소영역마다의 근접 효과 보정 조사량 맵을 작성하고,상기 빔 조사량 계산부는 상기 근접 효과 보정 조사량 맵으로부터 상기 빔 조사량을 계산하는 소영역의 근접 효과 보정 조사량을 참조하는 것을 특징으로 하는, 하전 입자 빔 묘화 장치.
- 묘화할 때의 하전 입자 빔을 시료에 조사하는 샷의 샷수가 서로 대략 동일해지는 사이즈로 묘화 영역을 복수의 제1 블록 영역으로 분할하고,상기 묘화 영역을 상기 제1 블록 영역의 어느 것보다도 작은 소정의 사이즈로 메쉬 형상으로 가상 분할된 복수의 소영역을 이용하여 상기 제1 블록 영역마다 내부에 위치하는 각 소영역의 패턴 면적 밀도를 계산하고,상기 복수의 제1 블록 영역으로 분할된 상기 묘화 영역을 다시 상기 소영역보다 큰 균일한 사이즈로 복수의 제2 블록 영역으로 분할하고,상기 제2 블록 영역마다 상기 제2 블록 영역 내부에 위치하는 각 소영역에 있어서의 근접 효과 보정 조사량을, 동일한 소영역에 있어서 이미 계산된 패턴 면적 밀도를 이용하여 계산하고,상기 묘화 영역이 메쉬 형상으로 가상 분할된 상기 각 소영역에 있어서의 하전 입자 빔의 빔 조사량을, 동일한 소영역에 있어서 이미 계산된 근접 효과 보정 조사량을 이용하여 계산하고,상기 묘화 영역이 메쉬 형상으로 가상 분할된 상기 소영역마다 계산된 빔 조사량으로 상기 하전 입자 빔을 조사하여 시료에 소정의 패턴을 묘화하는 것을 특징으로 하는, 하전 입자 빔 묘화 방법.
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101352997B1 (ko) * | 2011-11-30 | 2014-01-21 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 하전 입자빔 묘화 장치 및 하전 입자빔 묘화 방법 |
KR101476390B1 (ko) * | 2012-06-01 | 2014-12-24 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 멀티 하전 입자빔 묘화 방법 및 멀티 하전 입자빔 묘화 장치 |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5095364B2 (ja) * | 2007-11-26 | 2012-12-12 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | トラッキング制御方法および電子ビーム描画システム |
JP5586183B2 (ja) | 2009-07-15 | 2014-09-10 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法および装置 |
JP5498105B2 (ja) * | 2009-09-15 | 2014-05-21 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
JP5498106B2 (ja) * | 2009-09-15 | 2014-05-21 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
JP5530724B2 (ja) * | 2010-01-19 | 2014-06-25 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置およびその近接効果補正方法 |
KR101244525B1 (ko) | 2010-04-20 | 2013-03-18 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 하전 입자빔 묘화 장치 및 하전 입자빔 묘화 방법 |
JP5547567B2 (ja) * | 2010-06-30 | 2014-07-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置およびその制御方法 |
JP5647834B2 (ja) * | 2010-08-31 | 2015-01-07 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置およびその照射量補正方法 |
JP5693981B2 (ja) * | 2011-01-20 | 2015-04-01 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP5792513B2 (ja) * | 2011-05-20 | 2015-10-14 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP5797454B2 (ja) * | 2011-05-20 | 2015-10-21 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP5767033B2 (ja) * | 2011-06-13 | 2015-08-19 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 |
JP5826566B2 (ja) * | 2011-09-01 | 2015-12-02 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
JP5833401B2 (ja) * | 2011-09-30 | 2015-12-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法 |
JP2013115373A (ja) * | 2011-11-30 | 2013-06-10 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 |
JP5985852B2 (ja) | 2012-03-27 | 2016-09-06 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP6057635B2 (ja) * | 2012-09-14 | 2017-01-11 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP6295035B2 (ja) * | 2013-07-10 | 2018-03-14 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP6283180B2 (ja) * | 2013-08-08 | 2018-02-21 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP6262007B2 (ja) * | 2014-02-13 | 2018-01-17 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | セトリング時間の取得方法 |
NL2014314B1 (en) * | 2014-02-21 | 2016-07-19 | Mapper Lithography Ip Bv | Proximity effect correction in a charged particle lithography system. |
JP6567843B2 (ja) | 2014-07-02 | 2019-08-28 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP2016184605A (ja) * | 2015-03-25 | 2016-10-20 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び描画データ作成方法 |
JP6484491B2 (ja) * | 2015-04-10 | 2019-03-13 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP6171062B2 (ja) * | 2016-08-04 | 2017-07-26 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP7159970B2 (ja) * | 2019-05-08 | 2022-10-25 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
JP7357538B2 (ja) | 2019-12-24 | 2023-10-06 | 株式会社フジタ | 封止部材 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6541784B1 (en) * | 1999-05-11 | 2003-04-01 | Hitachi, Ltd. | Electron beam exposure system and exposing method using an electron beam |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02232772A (ja) * | 1989-03-07 | 1990-09-14 | Fujitsu Ltd | Lsiパターンデータの処理装置 |
JP3469422B2 (ja) * | 1996-02-23 | 2003-11-25 | 株式会社東芝 | 荷電ビーム描画方法及び描画装置 |
JP3655622B2 (ja) * | 1996-02-23 | 2005-06-02 | 株式会社東芝 | 荷電ビーム描画方法及び描画装置 |
JP3466900B2 (ja) * | 1998-01-19 | 2003-11-17 | 株式会社東芝 | 電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法 |
JP2002289496A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Toppan Printing Co Ltd | 電子線露光用描画データの作成方法及び電子線描画方法並びにフォトマスク、x線マスク及び荷電ビーム投影露光用マスクの製造方法 |
JP4461806B2 (ja) * | 2004-01-06 | 2010-05-12 | 凸版印刷株式会社 | パターン描画装置及びパターン描画方法ならびにそのプログラム、フォトマスクとその製造方法および半導体集積回路とその製造方法 |
JP2005215618A (ja) * | 2004-02-02 | 2005-08-11 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | データ処理方法及びデータ処理装置 |
JP2006032755A (ja) * | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Renesas Technology Corp | 荷電粒子線マスクの設計方法及び設計データ構造、荷電粒子線マスク、並びに荷電粒子線転写方法。 |
US7619230B2 (en) * | 2005-10-26 | 2009-11-17 | Nuflare Technology, Inc. | Charged particle beam writing method and apparatus and readable storage medium |
JP4714591B2 (ja) * | 2006-01-24 | 2011-06-29 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | パターン面積値算出方法、近接効果補正方法及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP4745089B2 (ja) * | 2006-03-08 | 2011-08-10 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法、描画データ作成方法及びプログラム |
JP5107619B2 (ja) * | 2007-06-27 | 2012-12-26 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画データの作成装置及び描画データの作成方法 |
-
2007
- 2007-09-05 JP JP2007229853A patent/JP4945380B2/ja active Active
-
2008
- 2008-09-04 TW TW097133966A patent/TWI399781B/zh active
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Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6541784B1 (en) * | 1999-05-11 | 2003-04-01 | Hitachi, Ltd. | Electron beam exposure system and exposing method using an electron beam |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101352997B1 (ko) * | 2011-11-30 | 2014-01-21 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 하전 입자빔 묘화 장치 및 하전 입자빔 묘화 방법 |
KR101476390B1 (ko) * | 2012-06-01 | 2014-12-24 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 멀티 하전 입자빔 묘화 방법 및 멀티 하전 입자빔 묘화 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20090025162A (ko) | 2009-03-10 |
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US7750324B2 (en) | 2010-07-06 |
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