JP2002289496A - 電子線露光用描画データの作成方法及び電子線描画方法並びにフォトマスク、ｘ線マスク及び荷電ビーム投影露光用マスクの製造方法 - Google Patents
電子線露光用描画データの作成方法及び電子線描画方法並びにフォトマスク、ｘ線マスク及び荷電ビーム投影露光用マスクの製造方法Info
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- JP2002289496A JP2002289496A JP2001085161A JP2001085161A JP2002289496A JP 2002289496 A JP2002289496 A JP 2002289496A JP 2001085161 A JP2001085161 A JP 2001085161A JP 2001085161 A JP2001085161 A JP 2001085161A JP 2002289496 A JP2002289496 A JP 2002289496A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】既存の低加速電圧の可変成形法の電子線描画装
置を用いて、設計値通りのマスクパターンを作成するた
めの、電子線露光用描画データの作成方法、電子線描画
方法及びフォトマスク、X線マスク及び荷電ビーム投影
露光用マスク作製方法を提供することを目的とする。 【解決手段】電子線描画用パターン全域を最小マスクパ
ターン寸法より充分に小さなグリッドにて分割してアド
レスを作成し、エネルギー蓄積分布関数ｆ（ｒ）とマス
クパターンの位置座標データとの重畳からパターン全域
での各アドレス毎のレジスト中のエネルギー蓄積分布デ
ータを求め、各メッシュ分割パターン間のエネルギー蓄
積量の相対値に応じてランク付けを行い、各メッシュ分
割パターン毎に付与されたランクに応じた電子線照射量
の補正値を求め、電子線照射量を補正して、可変成形法
の電子線描画を行う。
置を用いて、設計値通りのマスクパターンを作成するた
めの、電子線露光用描画データの作成方法、電子線描画
方法及びフォトマスク、X線マスク及び荷電ビーム投影
露光用マスク作製方法を提供することを目的とする。 【解決手段】電子線描画用パターン全域を最小マスクパ
ターン寸法より充分に小さなグリッドにて分割してアド
レスを作成し、エネルギー蓄積分布関数ｆ（ｒ）とマス
クパターンの位置座標データとの重畳からパターン全域
での各アドレス毎のレジスト中のエネルギー蓄積分布デ
ータを求め、各メッシュ分割パターン間のエネルギー蓄
積量の相対値に応じてランク付けを行い、各メッシュ分
割パターン毎に付与されたランクに応じた電子線照射量
の補正値を求め、電子線照射量を補正して、可変成形法
の電子線描画を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子線露光方法を
用いて、フォトマスク、X線マスク及び荷電ビーム投影
露光用マスクを作製する際の、電子線露光用描画データ
の作成方法、電子線描画方法及びフォトマスク、Ｘ線マ
スク及び荷電ビーム投影露光用マスクの製造方法に関す
る。
用いて、フォトマスク、X線マスク及び荷電ビーム投影
露光用マスクを作製する際の、電子線露光用描画データ
の作成方法、電子線描画方法及びフォトマスク、Ｘ線マ
スク及び荷電ビーム投影露光用マスクの製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】最近、半導体製造における低コスト化が
大きな課題となっており、解決策の１つとして、高精度
のマスクを低コストで供給することが挙げられる。マス
ク精度を上げるためには、マスクパターンを描画する電
子線描画装置の加速電圧を高くすることが効果的であ
る。しかし、最先端の加速電圧５０ｋＶ以上の電子線描
画装置は既存の２０ｋＶ以下の電子線描画装置に比べて
高価であるため、マスクの低コスト化とは相反すること
になる。
大きな課題となっており、解決策の１つとして、高精度
のマスクを低コストで供給することが挙げられる。マス
ク精度を上げるためには、マスクパターンを描画する電
子線描画装置の加速電圧を高くすることが効果的であ
る。しかし、最先端の加速電圧５０ｋＶ以上の電子線描
画装置は既存の２０ｋＶ以下の電子線描画装置に比べて
高価であるため、マスクの低コスト化とは相反すること
になる。
【０００３】しかし、既存の低加速電圧の電子線描画装
置を用いてマスクパターンの描画を行う場合には、いわ
ゆる近接効果の影響が顕著になり、電子線描画後の現像
によって得られるレジストパターン寸法に大きな変動が
生じるという問題がある。
置を用いてマスクパターンの描画を行う場合には、いわ
ゆる近接効果の影響が顕著になり、電子線描画後の現像
によって得られるレジストパターン寸法に大きな変動が
生じるという問題がある。
【０００４】この近接効果による寸法精度の劣化は、電
子線描画によってマスクパターンを作製するフォトマス
ク、Ｘ線マスク及び荷電ビーム投影露光用マスクに共通
する課題といえる。
子線描画によってマスクパターンを作製するフォトマス
ク、Ｘ線マスク及び荷電ビーム投影露光用マスクに共通
する課題といえる。
【０００５】近接効果は電子線照射によってレジスト中
に蓄積されるたエネルギー分布（これは、周辺のマスク
パターン配置に依存する）に起因しており、ポジ型レジ
ストを使用した場合には、ある電子線の照射点に対して
周辺に配置されるパターンが密なほど、その点における
レジスト中の蓄積エネルギーは加算され、レジスト開口
部の寸法は大きくなり、逆にパターンが疎になるほど、
例えば孤立したホールパターンのような場合では図６に
示すようにレジスト開口部の寸法が細くなっていく。こ
こで、図６のグラフで、設計パターン開口部寸法に対す
るポジレジストを使用したときのレジストパターン開口
部寸法のずれ量ΔＣＤ（μｍ）を示している。
に蓄積されるたエネルギー分布（これは、周辺のマスク
パターン配置に依存する）に起因しており、ポジ型レジ
ストを使用した場合には、ある電子線の照射点に対して
周辺に配置されるパターンが密なほど、その点における
レジスト中の蓄積エネルギーは加算され、レジスト開口
部の寸法は大きくなり、逆にパターンが疎になるほど、
例えば孤立したホールパターンのような場合では図６に
示すようにレジスト開口部の寸法が細くなっていく。こ
こで、図６のグラフで、設計パターン開口部寸法に対す
るポジレジストを使用したときのレジストパターン開口
部寸法のずれ量ΔＣＤ（μｍ）を示している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従って、既存の低加速
電圧の電子線描画装置を用いてマスクパターンの描画を
行う場合、出来上がりのマスクパターン寸法が設計寸法
ごとあるいはパターンの種類ごとに寸法差を生じること
が問題となっている。
電圧の電子線描画装置を用いてマスクパターンの描画を
行う場合、出来上がりのマスクパターン寸法が設計寸法
ごとあるいはパターンの種類ごとに寸法差を生じること
が問題となっている。
【０００７】本発明は、上記した問題点に鑑み考案され
たもので、マスクパターンに近接効果を考慮した補正を
加えて、既存の低加速電圧の可変成形法の電子線描画装
置を用いて、設計値通りのマスクパターンを作成するた
めの、電子線露光用描画データの作成方法、電子線描画
方法及びフォトマスク、X線マスク及び荷電ビーム投影
露光用マスク作製方法を提供することを目的とする。
たもので、マスクパターンに近接効果を考慮した補正を
加えて、既存の低加速電圧の可変成形法の電子線描画装
置を用いて、設計値通りのマスクパターンを作成するた
めの、電子線露光用描画データの作成方法、電子線描画
方法及びフォトマスク、X線マスク及び荷電ビーム投影
露光用マスク作製方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明において上記問題
を解決するために、まず請求項１においては、電子線露
光用描画データ及び電子線露光方法を用いて、フォトマ
スク、X線マスク及び荷電ビーム投影露光用マスクを作
製する工程において、電子線を用いてマスクパターンを
形成する際、電子線描画用パターン全域をグリッドにて
分割してアドレスを作成し、前記各アドレスにおいてレ
ジスト中のエネルギー蓄積分布関数とマスクパターンの
位置座標データとの重畳計算を行い、前記各アドレス毎
のレジスト中のエネルギー蓄積分布データを求める。次
いで、全ての描画パターンをある最小サイズ以上の大き
さをもつメッシュに分割してメッシュ分割パターンを作
成し、前記各メッシュ分割パターン内にあるアドレスで
のエネルギー蓄積分布データをもとに、最大蓄積エネル
ギーを持つメッシュ分割パターンを基準にしたとき、メ
ッシュ分割パターン間のエネルギー蓄積量の相対値に応
じてランク付けを行い電子線露光用描画データを作成す
ることを特徴とする電子線露光用描画データの作成方法
としたものである。
を解決するために、まず請求項１においては、電子線露
光用描画データ及び電子線露光方法を用いて、フォトマ
スク、X線マスク及び荷電ビーム投影露光用マスクを作
製する工程において、電子線を用いてマスクパターンを
形成する際、電子線描画用パターン全域をグリッドにて
分割してアドレスを作成し、前記各アドレスにおいてレ
ジスト中のエネルギー蓄積分布関数とマスクパターンの
位置座標データとの重畳計算を行い、前記各アドレス毎
のレジスト中のエネルギー蓄積分布データを求める。次
いで、全ての描画パターンをある最小サイズ以上の大き
さをもつメッシュに分割してメッシュ分割パターンを作
成し、前記各メッシュ分割パターン内にあるアドレスで
のエネルギー蓄積分布データをもとに、最大蓄積エネル
ギーを持つメッシュ分割パターンを基準にしたとき、メ
ッシュ分割パターン間のエネルギー蓄積量の相対値に応
じてランク付けを行い電子線露光用描画データを作成す
ることを特徴とする電子線露光用描画データの作成方法
としたものである。
【０００９】また、請求項２においては、請求項１に記
載の電子線露光用描画データを用いて可変成形法の電子
線描画を行う際に、各メッシュ分割パターン毎に付与さ
れたランクに応じた電子線照射量の補正値を求め、前記
補正値をもとに電子線描画を行うことを特徴とする電子
線描画方法としたものである。
載の電子線露光用描画データを用いて可変成形法の電子
線描画を行う際に、各メッシュ分割パターン毎に付与さ
れたランクに応じた電子線照射量の補正値を求め、前記
補正値をもとに電子線描画を行うことを特徴とする電子
線描画方法としたものである。
【００１０】また、請求項３においては、前記補正値は
電子線レジストへの電子線照射量と現像後のパターン寸
法の関係から求めることを特徴とする請求項２記載の電
子線描画方法としたものである。
電子線レジストへの電子線照射量と現像後のパターン寸
法の関係から求めることを特徴とする請求項２記載の電
子線描画方法としたものである。
【００１１】また、請求項４においては、請求項１記載
の電子線露光用描画データの作成方法及び請求項２また
は３記載の電子線描画方法を用いて、半導体製造に用い
られるフォトマスクを作製することを特徴とするフォト
マスクの製造方法としたものである。
の電子線露光用描画データの作成方法及び請求項２また
は３記載の電子線描画方法を用いて、半導体製造に用い
られるフォトマスクを作製することを特徴とするフォト
マスクの製造方法としたものである。
【００１２】また、請求項５においては、請求項１記載
の電子線露光用描画データの作成方法及び請求項２また
は３記載の電子線描画方法を用いて、半導体製造に用い
られるＸ線マスクを作製することを特徴とするＸ線マス
クの製造方法としたものである。
の電子線露光用描画データの作成方法及び請求項２また
は３記載の電子線描画方法を用いて、半導体製造に用い
られるＸ線マスクを作製することを特徴とするＸ線マス
クの製造方法としたものである。
【００１３】さらにまた、請求項６においては、請求項
１記載の電子線露光用描画データの作成方法及び請求項
２または３記載の電子線描画方法を用いて、半導体製造
に用いられる荷電ビーム投影露光用マスクを作製するこ
とを特徴とする荷電ビーム投影露光用マスクの製造方法
としたものである。
１記載の電子線露光用描画データの作成方法及び請求項
２または３記載の電子線描画方法を用いて、半導体製造
に用いられる荷電ビーム投影露光用マスクを作製するこ
とを特徴とする荷電ビーム投影露光用マスクの製造方法
としたものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】請求項１に係わる発明では、ま
ず、電子線描画用パターン全域を最小マスクパターン寸
法より充分に小さなグリッド２にて分割してアドレス３
を作成する（図１参照）。次に、各アドレス３におい
て、下記式１にて示すレジスト中のエネルギー蓄積分布
（平面上のある１点に電子線が入射した場合のエネルギ
ー分布）関数ｆ（ｒ）とマスクパターンの位置座標デー
タとの重畳からパターン全域での各アドレス毎のレジス
ト中のエネルギー蓄積分布データを求める。
ず、電子線描画用パターン全域を最小マスクパターン寸
法より充分に小さなグリッド２にて分割してアドレス３
を作成する（図１参照）。次に、各アドレス３におい
て、下記式１にて示すレジスト中のエネルギー蓄積分布
（平面上のある１点に電子線が入射した場合のエネルギ
ー分布）関数ｆ（ｒ）とマスクパターンの位置座標デー
タとの重畳からパターン全域での各アドレス毎のレジス
ト中のエネルギー蓄積分布データを求める。
【００１５】 ｆ(ｒ)＝ｋ｛exp（−ｒ2／βf 2）＋η（βf 2／βb 2）exp（−ｒ2／βb 2）｝・・ 式１ このエネルギー蓄積分布関数ｆ（ｒ）は、レジスト膜に
直接入射した電子である前方散乱電子の分布と、Ｓｉ基
板内で散乱された後にレジスト内に再侵入する後方散乱
電子の分布の重ね合わせとして表されており、ｒは電子
線入射点からの距離、βfは前方散乱によるエネルギー
蓄積分布の半値幅、βbは後方散乱によるエネルギー蓄
積分布の半値幅、ηは前方散乱と散乱の比を表す係数で
基板材料などによって決まる定数である。
直接入射した電子である前方散乱電子の分布と、Ｓｉ基
板内で散乱された後にレジスト内に再侵入する後方散乱
電子の分布の重ね合わせとして表されており、ｒは電子
線入射点からの距離、βfは前方散乱によるエネルギー
蓄積分布の半値幅、βbは後方散乱によるエネルギー蓄
積分布の半値幅、ηは前方散乱と散乱の比を表す係数で
基板材料などによって決まる定数である。
【００１６】続いて、全ての描画パターンをある設定さ
れた最小サイズ以上の大きさをもつメッシュにて分割し
た１６分割のメッシュ分割パターンの一例を図２に示
す。実際の電子線描画を行う際には、元のマスクパター
ンから各メッシュへと分割されたパターンとみなして描
画するため、あまり小さなメッシュを設定するとショッ
ト数の増加と可変成形でのショット形成の安定性が問題
となり、逆にあまり大きなメッシュに設定するとパター
ン分割の効果が小さくなるため、パターン精度と描画効
率の面から最小メッシュの大きさが設定される。
れた最小サイズ以上の大きさをもつメッシュにて分割し
た１６分割のメッシュ分割パターンの一例を図２に示
す。実際の電子線描画を行う際には、元のマスクパター
ンから各メッシュへと分割されたパターンとみなして描
画するため、あまり小さなメッシュを設定するとショッ
ト数の増加と可変成形でのショット形成の安定性が問題
となり、逆にあまり大きなメッシュに設定するとパター
ン分割の効果が小さくなるため、パターン精度と描画効
率の面から最小メッシュの大きさが設定される。
【００１７】各メッシュ分割パターン内のアドレスのエ
ネルギー蓄積分布データを加え合わせ平均化した結果、
最大蓄積エネルギーを持つメッシュ分割パターンを基準
にして、各メッシュ分割パターン間のエネルギー蓄積量
の相対値に応じてランク付けを行い、電子線露光用描画
データを作成する。図２の１６分割のメッシュ分割パタ
ーンに対しランク付けしたランク値を図３に示す。ポジ
型レジストを用いる場合図３の０とランク付けされたメ
ッシュ分割パターンに対して最大の蓄積エネルギーがあ
り、次いで１、２の順に蓄積エネルギーが小さくなって
いく。
ネルギー蓄積分布データを加え合わせ平均化した結果、
最大蓄積エネルギーを持つメッシュ分割パターンを基準
にして、各メッシュ分割パターン間のエネルギー蓄積量
の相対値に応じてランク付けを行い、電子線露光用描画
データを作成する。図２の１６分割のメッシュ分割パタ
ーンに対しランク付けしたランク値を図３に示す。ポジ
型レジストを用いる場合図３の０とランク付けされたメ
ッシュ分割パターンに対して最大の蓄積エネルギーがあ
り、次いで１、２の順に蓄積エネルギーが小さくなって
いく。
【００１８】請求項２に係わる発明では、請求項１に記
載の電子線露光用描画データを用いて可変成形法の電子
線描画を行う際に、各メッシュ分割パターン毎に付与さ
れたランクに応じた電子線照射量の補正値を求め、各メ
ッシュ分割パターンへの電子線照射量を変調して電子線
描画を行う。つまり、図３中のランク０のメッシュ分割
パターンを基準としたときにランク１及び２のメッシュ
分割パターンでの蓄積エネルギーの不足分だけ電子線照
射量を補正する。
載の電子線露光用描画データを用いて可変成形法の電子
線描画を行う際に、各メッシュ分割パターン毎に付与さ
れたランクに応じた電子線照射量の補正値を求め、各メ
ッシュ分割パターンへの電子線照射量を変調して電子線
描画を行う。つまり、図３中のランク０のメッシュ分割
パターンを基準としたときにランク１及び２のメッシュ
分割パターンでの蓄積エネルギーの不足分だけ電子線照
射量を補正する。
【００１９】上記式１のエネルギー蓄積分布関数とマス
ク位置座標データの重畳から求まるレジスト中のエネル
ギー蓄積分布の情報から、各メッシュ分割パターンでの
電子線照射量の補正値を設定することは可能であるが、
この補正値を用いて描画を行い、続いて現像を行って得
られるレジストパターンは、必ずしも希望する寸法には
仕上がらない。これは、レジスト現像時における溶解速
度の差がパターンやレジスト毎に異なることに起因して
いるからである。
ク位置座標データの重畳から求まるレジスト中のエネル
ギー蓄積分布の情報から、各メッシュ分割パターンでの
電子線照射量の補正値を設定することは可能であるが、
この補正値を用いて描画を行い、続いて現像を行って得
られるレジストパターンは、必ずしも希望する寸法には
仕上がらない。これは、レジスト現像時における溶解速
度の差がパターンやレジスト毎に異なることに起因して
いるからである。
【００２０】そこで、請求項３に係わる発明では、あら
かじめ、マスク製造工程と同じ基板およびレジストを用
いて、各種パターンでの電子線照射量ｘを変えつつ、各
種の設計寸法ｙをもつホール系やライン系のパターンを
電子線描画及び現像し、得られるレジスト寸法Ｙを測定
する。測定結果より、レジスト寸法と設計寸法の差Ｙ−
ｙと電子線照射量ｘの関係式Ｙ−ｙ＝ｇ（ｘ）が描画し
たパターンについて得られる。また同時に、描画したホ
ール系やライン系パターンの設計寸法と付与されている
ランク値の関係を明らかにしておく。
かじめ、マスク製造工程と同じ基板およびレジストを用
いて、各種パターンでの電子線照射量ｘを変えつつ、各
種の設計寸法ｙをもつホール系やライン系のパターンを
電子線描画及び現像し、得られるレジスト寸法Ｙを測定
する。測定結果より、レジスト寸法と設計寸法の差Ｙ−
ｙと電子線照射量ｘの関係式Ｙ−ｙ＝ｇ（ｘ）が描画し
たパターンについて得られる。また同時に、描画したホ
ール系やライン系パターンの設計寸法と付与されている
ランク値の関係を明らかにしておく。
【００２１】これらの電子線照射量とレジスト寸法、設
計寸法との関係式Ｙ−ｙ＝ｇ（ｘ）と、パターン設計寸
法と付与されたランク値の関係を合わせると、電子線照
射量を直接ランク値とを関係付けることができ、この関
係式には、電子線によるレジスト中の蓄積エネルギー分
布と現像時のレジスト溶解速度の両要素が含まれてく
る。
計寸法との関係式Ｙ−ｙ＝ｇ（ｘ）と、パターン設計寸
法と付与されたランク値の関係を合わせると、電子線照
射量を直接ランク値とを関係付けることができ、この関
係式には、電子線によるレジスト中の蓄積エネルギー分
布と現像時のレジスト溶解速度の両要素が含まれてく
る。
【００２２】得られた関係式を用いて、改めてランク付
けされた各メッシュ分割パターンへの電子線照射の補正
量算出を行い、メッシュ分割パターンにて描画する。こ
れにより、レジスト寸法の設計寸法に対する再現精度を
向上させることができる。
けされた各メッシュ分割パターンへの電子線照射の補正
量算出を行い、メッシュ分割パターンにて描画する。こ
れにより、レジスト寸法の設計寸法に対する再現精度を
向上させることができる。
【００２３】
【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。 ＜実施例１＞まず、厚さ２０μｍのシリコン薄膜部をも
つＳＯＩ（Silicon on Insulator）ウェハー上に電子線
レジストＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）を塗布
し、０．５μｍ厚のレジスト層を形成した。次に、ここ
では、縦横比１：１の５μｍの矩形パターンを例にと
り、図４に示すような２５分割のメッシュ分割とランク
付けを行った。次に、上記同じ基板材料とレジストを用
いてあらかじめ測定しておいた電子線照射量とレジスト
寸法の関係から、表１に示す各ランク値に対する電子線
照射量の補正値を算出し、上記レジスト層に対して、メ
ッシュ分割パターンに対して電子線照射量を補正して、
加速電圧２０ｋＶの可変成形法の電子線描画機にてマス
クパターンの電子線描画を行った。
つＳＯＩ（Silicon on Insulator）ウェハー上に電子線
レジストＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）を塗布
し、０．５μｍ厚のレジスト層を形成した。次に、ここ
では、縦横比１：１の５μｍの矩形パターンを例にと
り、図４に示すような２５分割のメッシュ分割とランク
付けを行った。次に、上記同じ基板材料とレジストを用
いてあらかじめ測定しておいた電子線照射量とレジスト
寸法の関係から、表１に示す各ランク値に対する電子線
照射量の補正値を算出し、上記レジスト層に対して、メ
ッシュ分割パターンに対して電子線照射量を補正して、
加速電圧２０ｋＶの可変成形法の電子線描画機にてマス
クパターンの電子線描画を行った。
【００２４】
【表１】
【００２５】次に、電子線描画を行ったレジスト層をＭ
ＩＢＫ（メチルイソブチルケトン）を用いて現像を行
い、レジストパターンを作成し、レジスト寸法の測定を
行った結果を図５に示す。図５のグラフは、メッシュ分
割パターンに対して電子線照射量を補正した場合と従来
の補正しない場合の設計パターンの開口部寸法に対する
レジストパターンの開口部寸法のずれ量ΔＣＤを示す。
メッシュ分割パターンに対して電子線照射量を補正して
場合、広い設計寸法範囲に対して寸法再現性に優れたレ
ジストパターンが得られることが確認できた。
ＩＢＫ（メチルイソブチルケトン）を用いて現像を行
い、レジストパターンを作成し、レジスト寸法の測定を
行った結果を図５に示す。図５のグラフは、メッシュ分
割パターンに対して電子線照射量を補正した場合と従来
の補正しない場合の設計パターンの開口部寸法に対する
レジストパターンの開口部寸法のずれ量ΔＣＤを示す。
メッシュ分割パターンに対して電子線照射量を補正して
場合、広い設計寸法範囲に対して寸法再現性に優れたレ
ジストパターンが得られることが確認できた。
【００２６】次に、レジストパターンをマスクにしてＳ
ＯＩウェハーをエッチング、レジスト剥膜等の一連のパ
ターニング処理を行って、請求項６記載の荷電ビーム投
影露光用マスクを作成した。
ＯＩウェハーをエッチング、レジスト剥膜等の一連のパ
ターニング処理を行って、請求項６記載の荷電ビーム投
影露光用マスクを作成した。
【００２７】＜実施例２＞まず、合成石英ガラスからな
るガラス基板にＡｕ膜からなるＸ線吸収性膜上に、ＰＭ
ＭＡを塗布し、０．５μｍ厚のレジスト層を形成した。
次に、実施例１と同様な方法で、電子線描画データを作
成し、上記レジスト層に対して、メッシュ分割パターン
に対して電子線照射量を補正して、加速電圧２０ｋＶの
可変成形法の電子線描画機にてマスクパターンの電子線
描画を行った。次に、電子線描画を行ったレジスト層を
ＭＩＢＫ（メチルイソブチルケトン）を用いて現像を行
い、レジストパターンを作成し、Ｘ線吸収性膜をパター
ニング処理して、請求項５記載のＸ線マスクを作成し
た。
るガラス基板にＡｕ膜からなるＸ線吸収性膜上に、ＰＭ
ＭＡを塗布し、０．５μｍ厚のレジスト層を形成した。
次に、実施例１と同様な方法で、電子線描画データを作
成し、上記レジスト層に対して、メッシュ分割パターン
に対して電子線照射量を補正して、加速電圧２０ｋＶの
可変成形法の電子線描画機にてマスクパターンの電子線
描画を行った。次に、電子線描画を行ったレジスト層を
ＭＩＢＫ（メチルイソブチルケトン）を用いて現像を行
い、レジストパターンを作成し、Ｘ線吸収性膜をパター
ニング処理して、請求項５記載のＸ線マスクを作成し
た。
【００２８】＜実施例３＞まず、合成石英ガラスからな
るガラス基板に酸化クロム薄膜、クロム薄膜及び酸化ク
ロム薄膜からなる低反射フォトマスクブランク上に、Ｐ
ＭＭＡを塗布し、０．５μｍ厚のレジスト層を形成し
た。次に、実施例１と同様な方法で、電子線描画データ
を作成し、上記レジスト層に対して、メッシュ分割パタ
ーンに対して電子線照射量を補正して、加速電圧２０ｋ
Ｖの可変成形法の電子線描画機にてマスクパターンの電
子線描画を行った。次に、電子線描画を行ったレジスト
層をＭＩＢＫ（メチルイソブチルケトン）を用いて現像
を行い、レジストパターンを作成し、酸化クロム薄膜、
クロム薄膜及び酸化クロム薄膜をパターニング処理し
て、請求項４記載のフォトマスクを作成した。
るガラス基板に酸化クロム薄膜、クロム薄膜及び酸化ク
ロム薄膜からなる低反射フォトマスクブランク上に、Ｐ
ＭＭＡを塗布し、０．５μｍ厚のレジスト層を形成し
た。次に、実施例１と同様な方法で、電子線描画データ
を作成し、上記レジスト層に対して、メッシュ分割パタ
ーンに対して電子線照射量を補正して、加速電圧２０ｋ
Ｖの可変成形法の電子線描画機にてマスクパターンの電
子線描画を行った。次に、電子線描画を行ったレジスト
層をＭＩＢＫ（メチルイソブチルケトン）を用いて現像
を行い、レジストパターンを作成し、酸化クロム薄膜、
クロム薄膜及び酸化クロム薄膜をパターニング処理し
て、請求項４記載のフォトマスクを作成した。
【００２９】
【発明の効果】上記したように、本発明の方法で電子線
描画データを作成し、メッシュ分割パターンに対して電
子線照射量を補正して、加速電圧２０ｋＶの可変成形法
の電子線描画機にてマスクパターンの電子線描画を行っ
た結果設計寸法に対する寸法再現性に優れたレジストパ
ターンが得られ、精度の良いフォトマスク、Ｘ線マスク
及び荷電ビーム投影露光用マスクが作製できるようにな
り、低コストかつ寸法精度のよいマスク供給が可能とな
る。
描画データを作成し、メッシュ分割パターンに対して電
子線照射量を補正して、加速電圧２０ｋＶの可変成形法
の電子線描画機にてマスクパターンの電子線描画を行っ
た結果設計寸法に対する寸法再現性に優れたレジストパ
ターンが得られ、精度の良いフォトマスク、Ｘ線マスク
及び荷電ビーム投影露光用マスクが作製できるようにな
り、低コストかつ寸法精度のよいマスク供給が可能とな
る。
【図１】電子線描画用パターン全域を最小マスクパター
ン寸法より充分に小さなグリッドにて分割してアドレス
を形成する一実施例を示す説明図である。
ン寸法より充分に小さなグリッドにて分割してアドレス
を形成する一実施例を示す説明図である。
【図２】全ての描画パターンをある設定された最小サイ
ズ以上の大きさをもつメッシュにて分割したメッシュ分
割パターンの一実施例を示す説明図である。
ズ以上の大きさをもつメッシュにて分割したメッシュ分
割パターンの一実施例を示す説明図である。
【図３】メッシュ分割パターンに対しランク付けしたラ
ンク値の一実施例を示す説明図である。
ンク値の一実施例を示す説明図である。
【図４】メッシュ分割パターンに対しランク付けしたラ
ンク値の他の実施例を示す説明図である。
ンク値の他の実施例を示す説明図である。
【図５】メッシュ分割パターンに対して電子線照射量を
補正した場合と従来の補正しない場合の、設計パターン
開口部寸法に対するレジストパターン開口部寸法のずれ
量ΔＣＤ（μｍ）を示す説明図である。
補正した場合と従来の補正しない場合の、設計パターン
開口部寸法に対するレジストパターン開口部寸法のずれ
量ΔＣＤ（μｍ）を示す説明図である。
【図６】メッシュ分割パターンに対して電子線照射量を
補正しない場合の、設計パターン開口部寸法に対するレ
ジストパターン開口部寸法のずれ量ΔＣＤ（μｍ）を示
す説明図である。
補正しない場合の、設計パターン開口部寸法に対するレ
ジストパターン開口部寸法のずれ量ΔＣＤ（μｍ）を示
す説明図である。
１……マスクパターン ２……グリッド ３……アドレス ４……メッシュ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/30 ５４１Ｓ (72)発明者 伊藤 考治郎 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内 (72)発明者 佐々木 裕信 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内 (72)発明者 江口 秀幸 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内 Ｆターム(参考） 2H095 BA07 BA08 BA10 BB01 BB10 BB32 5F046 GD17 5F056 AA01 CA02 CC12 CC13 CD02 CD03
Claims (6)
- 【請求項１】電子線露光用描画データ及び電子線露光方
法を用いて、フォトマスク、X線マスク及び荷電ビーム
投影露光用マスクを作製する工程において、電子線を用
いてマスクパターンを形成する際、電子線描画用パター
ン全域をグリッドにて分割してアドレスを作成し、前記
各アドレスにおいてレジスト中のエネルギー蓄積分布関
数とマスクパターンの位置座標データとの重畳計算を行
い、前記各アドレス毎のレジスト中のエネルギー蓄積分
布データを求める。次いで、全ての描画パターンをある
最小サイズ以上の大きさをもつメッシュに分割してメッ
シュ分割パターンを作成し、前記各メッシュ分割パター
ン内にあるアドレスでのエネルギー蓄積分布データをも
とに、最大蓄積エネルギーを持つメッシュ分割パターン
を基準にしたとき、メッシュ分割パターン間のエネルギ
ー蓄積量の相対値に応じてランク付けを行い電子線露光
用描画データを作成することを特徴とする電子線露光用
描画データの作成方法。 - 【請求項２】請求項１に記載の電子線露光用描画データ
を用いて可変成形法の電子線描画を行う際に、各メッシ
ュ分割パターン毎に付与されたランクに応じた電子線照
射量の補正値を求め、前記補正値をもとに電子線描画を
行うことを特徴とする電子線描画方法。 - 【請求項３】前記補正値は電子線レジストへの電子線照
射量と現像後のパターン寸法の関係から求めることを特
徴とする請求項２記載の電子線描画方法。 - 【請求項４】請求項１記載の電子線露光用描画データの
作成方法及び請求項２または３記載の電子線描画方法を
用いて、半導体製造に用いられるフォトマスクを作製す
ることを特徴とするフォトマスクの製造方法。 - 【請求項５】請求項１記載の電子線露光用描画データの
作成方法及び請求項２または３記載の電子線描画方法を
用いて、半導体製造に用いられるＸ線マスクを作製する
ことを特徴とするＸ線マスクの製造方法。 - 【請求項６】請求項１記載の電子線露光用描画データの
作成方法及び請求項２または３記載の電子線描画方法を
用いて、半導体製造に用いられる荷電ビーム投影露光用
マスクを作製することを特徴とする荷電ビーム投影露光
用マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001085161A JP2002289496A (ja) | 2001-03-23 | 2001-03-23 | 電子線露光用描画データの作成方法及び電子線描画方法並びにフォトマスク、ｘ線マスク及び荷電ビーム投影露光用マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001085161A JP2002289496A (ja) | 2001-03-23 | 2001-03-23 | 電子線露光用描画データの作成方法及び電子線描画方法並びにフォトマスク、ｘ線マスク及び荷電ビーム投影露光用マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002289496A true JP2002289496A (ja) | 2002-10-04 |
Family
ID=18940720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001085161A Pending JP2002289496A (ja) | 2001-03-23 | 2001-03-23 | 電子線露光用描画データの作成方法及び電子線描画方法並びにフォトマスク、ｘ線マスク及び荷電ビーム投影露光用マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002289496A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009064862A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
| CN100594429C (zh) * | 2005-02-07 | 2010-03-17 | 中国科学院微电子研究所 | 用电子束大小电流混合一次曝光制备x射线掩模的方法 |
| JP2014060194A (ja) * | 2012-09-14 | 2014-04-03 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
-
2001
- 2001-03-23 JP JP2001085161A patent/JP2002289496A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100594429C (zh) * | 2005-02-07 | 2010-03-17 | 中国科学院微电子研究所 | 用电子束大小电流混合一次曝光制备x射线掩模的方法 |
| JP2009064862A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
| JP2014060194A (ja) * | 2012-09-14 | 2014-04-03 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
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