TWI399781B - 荷電粒子束描繪裝置及荷電粒子束描繪方法 - Google Patents

Description

荷電粒子束描繪裝置及荷電粒子束描繪方法

本發明係關於一種荷電粒子束描繪裝置及荷電粒子束描繪方法，例如關於修正由鄰近效應引起之尺寸變動之荷電粒子束描繪裝置、及荷電粒子束描繪方法。

本申請案基於並主張先前於2007年9月5日在日本申請之日本專利申請案第2007-229853號之優先權，該案之全文內容以引用之方式併入本文中。

承擔半導體裝置之微細化進展之微影技術係半導體製程中唯一生成圖案之極其重要之製程。近年，伴隨LSI之高集積化，半導體裝置所要求之電路線寬逐年微細化。為朝該等半導體裝置形成所期望之電路圖案，需要高精度之原畫圖案(亦稱為光掩模板或光罩)。於此，電子線(電子束)描繪技術具有本質性優良之解析性，可用於高精度之原畫圖案之生產。

圖7係用以說明可變成形型電子線描繪裝置之動作之概念圖。可變成形型電子線(EB：Electron beam)描繪裝置，係如下所述動作。首先，於第1孔徑410，形成有用以成形電子線330之矩形、例如長方形之開口411。另，於第2孔徑420，形成有用以使通過開口411之電子線330成形為所期望之矩形形狀之可變成形開口421。來自荷電粒子源430照射並通過開口411之電子線330，藉由偏向器偏向。然後，通過可變成形開口421之一部分，照射於工作臺上所搭載之試料。工作臺在描繪時，於特定之一方向(例如X方向)上連續移動。如此，可通過開口411與可變成形開口421兩方之矩形形狀，描繪於試料340之描繪區域。將通過開口411與可變成形開口421兩方、作成任意形狀之方式稱為可變成形方式。

前述電子束描繪中，要求更高精度之試料面內，例如光罩面內之線寬均一性。此處，所述之電子束描繪中，將電子束照射於塗佈有光阻之光罩以描繪電路圖案之情形，電子束透過光阻層到達其下層，因再度再入射於光阻層之後方散射而產生被稱為鄰近效應之現象。由此，描繪時產生描繪成偏離所希望之尺寸之尺寸變動。

為修正該鄰近效應，將電路圖案整體分割成0.5μm方形之鄰近效應小區劃，進行影響度圖作成。之後，關於可適當描繪50%之特定面積密度之電路圖案、使用照射量(固定值)、鄰近效應影響值α圖及鄰近效應修正係數η圖，算出用以描繪之照射量之手法之記載已揭示於文獻(例如，參照日本特開2005-195787號公報)。

此處，圖案面積密度計算之計算時間，與點擊數成比例。因此，相同大小之區塊，存在因點擊數產生偏差而各區塊之計算時間不一致，使得無法進行有效率計算之問題。因此，藉由改變區塊之大小，使各區塊所含之點擊數成為相同程度，可使各區塊間之計算時間成為相同程度。

另一方面，鄰近效應修正計算之計算時間，與網狀之小區域數成比例。因此，區塊之尺寸較大之區域，計算時間長，區塊之尺寸較小之區域，計算時間相反為短。因此，若為圖案面積密度之計算而使區塊尺寸成為不均一，則於鄰近效應修正計算中，存在各區塊之計算時間不一致而無法進行有效率計算之問題。如前所述，出現若優先一方則於另一方產生問題之結果。

本發明之目的在於提供一種可有效率進行圖案面積密度計算與鄰近效應修正計算之描繪裝置及方法。本發明之一態樣之荷電粒子束描繪裝置，其特徵在於具備：

第1區塊區域分割部，係以使描繪時之點擊數彼此大致相同之尺寸將描繪區域分割成複數個第1區塊區域；

面積密度計算部，係使用將描繪區域以比第1區塊區域中任一個皆小之特定尺寸網狀虛擬分割成之複數個小區域，對各第1區塊區域計算位於內部之各小區域之圖案面積密度；

第2區塊區域分割部，係將分割成複數個第1區塊區域之描繪區域以比小區域大之均一尺寸重新分割成複數個第2區塊區域；

修正照射量計算部，係對各第2區塊區域，使用位於第2區塊區域內部之各小區域之鄰近效應修正照射量所對應之小區域之圖案面積密度進行計算；

粒子束照射量計算部，係使用於各小區域之荷電粒子束之粒子束照射量所對應之小區域之鄰近效應修正照射量進行計算；及

描繪部，係以按各小區域計算所得之粒子束照射量照射荷電粒子束，於試料描繪特定圖案。

另，本發明之一態樣之荷電粒子束描繪方法，其特徵在於：

以使描繪時之點擊數彼此大致相同之尺寸將描繪區域分割成複數個第1區塊區域；

使用將描繪區域以比前述第1區塊區域中任一個皆小之特定尺寸網狀虛擬分割成之複數個小區域，對各第1區塊計算位於內部之各小區域之圖案面積密度；

將分割成複數個第1區塊區域之描繪區域以比小區域大之均一尺寸重新分割成複數個第2區塊區域；

對各第2區塊區域，使用位於第2區塊區域內部之各小區域之鄰近效應修正照射量所對應之小區域之圖案面積密度進行計算；

使用於各小區域之荷電粒子束之粒子束照射量所對應之小區域之鄰近效應修正照射量進行計算；

以按各小區域計算所得之粒子束照射量照射荷電粒子束，於試料描繪特定圖案。

以下，實施形態中，作為荷電粒子束之一例，就使用電子束之構成進行說明。但，荷電粒子束並不侷限於電子束，離子束等使用其他荷電粒子之粒子束亦可。

圖1係顯示實施形態1之描繪裝置之構成之概念圖。圖1中，描繪裝置100具備描繪部150與控制部160。描繪裝置100係作為荷電粒子束描繪裝置之一例。又，描繪裝置100於試料101描繪所期望之圖案。描繪部150具有電子鏡筒102、描繪室103。電子鏡筒102內，配置有電子槍201、照明透鏡202、遮沒(BLK)偏向器212、遮沒(BLK)孔徑214、第1孔徑203、投影透鏡204、偏向器205、第2孔徑206、物鏡207、及偏向器208。另，描繪室103內，配置有可移動之XY工作臺105。另，XY工作臺105上，配置有試料101。作為試料101，比如包含轉寫圖案於晶圓之曝光用之光罩基板。作為光罩基板，包含尚未有任何描繪之空白光罩。控制部160，具有驅動電路108、磁碟裝置109、140，偏向控制電路110、數位類比轉換器(DAC)112、114、116，控制計算機120、及記憶體121。控制計算機120內，具有被稱為區塊區域分割部122、128、132，網狀分割部124，面積密度計算部126，鄰近效應修正計算部130，照射量計算部134，照射時間計算部136，及描繪資料處理部138之各機能。於控制計算機120，被輸入磁碟裝置109所記憶之描繪資料。輸入於控制計算機120之資訊或演算處理中及處理後之各資訊隨時記憶於記憶體121。

於控制計算機120，經由未圖示之匯流排連接有記憶體121、偏向控制電路110、磁碟裝置109、140。偏向控制電路110連接於DAC 112、114、116。DAC 112連接於BLK偏向器212。DAC 114連接於偏向器205。DAC 116連接於偏向器208。

圖1中，記載有說明本實施形態1所必需之構成部分。對於描繪裝置100，自不待言其通常包含有其他必要之構成。另，圖1中，作為計算機之一例之控制計算機120，記載為執行被稱為區塊區域分割部122、128、132，網狀分割部124，面積密度計算部126，鄰近效應修正計算部130，照射量計算部134，照射時間計算部136，及描繪資料處理部138之各機能之處理，但並非侷限於此，例如，亦可藉由基於電氣電路之硬體進行實施。或，亦可藉由基於電氣電路之硬體與軟體之組合進行實施。或，亦可為前述硬體與韌體之組合。

從作為照射部之一例之電子槍201照射電子束200。來自電子槍201之電子束200，藉由照明透鏡202對具有矩形、例如長方形之孔之第1孔徑203整體進行照明。此處，將電子束200首先成形為矩形、例如長方形。之後，通過第1孔徑203之第1孔徑像之電子束200，藉由投影透鏡204投影於第2孔徑206上。前述第2孔徑206上之第1孔徑像之位置，藉由偏向器205偏向控制，可使粒子束形狀與尺寸改變。其結果，電子束200成形。之後，通過第2孔徑206之第2孔徑像之電子束200，藉由物鏡207重疊焦點，藉由偏向器208偏向。其結果，照射於連續移動之XY工作臺105上之試料101之所期望位置。XY工作臺105之移動，係由驅動電路108驅動。偏向器205之偏向電壓，係由偏向控制電路110及DAC 114控制。偏向器208之偏向電壓，係由偏向控制電路110及DAC 116控制。

此處，試料101上之電子束200，達到將所期望之照射量入射於試料101之照射時間t時，如下所述進行遮沒。即，為不使電子束200超出必要地照射於試料101上，以例如靜電型之BLK偏向器212使電子束200偏向，同時以BLK孔徑214削除電子束200。由此，不使電子束200到達於試料101面上。BLK偏向器212之偏向電壓係由偏向控制電路110及DAC 112控制。

粒子束ON(遮沒OFF)之情形，來自電子槍201之電子束200，按圖1之實線所示軌道前進。另一方面，粒子束OFF(遮沒ON)之情形，來自電子槍201之電子束200，按圖1之虛線所示軌道前進。另，電子鏡筒102內及描繪室103內，藉由未圖示之真空泵抽真空，成為比大氣壓低之壓力之真空環境。

此處，發明者等發現，藉由計算圖案面積密度時，將使點擊數成為相同程度之尺寸不均一之複數個區塊作為計算區域，計算鄰近效應修正量時，則將尺寸均一之複數個區塊作為計算區域，可共同謀求高效化。以下，對根據謀求高效化之計算手法之描繪方法進行說明。

圖2係顯示實施形態1之描繪方法之要部步驟之流程圖。首先，控制計算機120，從磁碟裝置109讀取描繪資料。之後，使用該描繪資料於各步驟進行下述演算。

S(步驟)102中，作為區塊分割步驟，區塊區域分割部122(第1區塊區域分割部)，係以使描繪時之點擊數彼此大致相同之方式以不均一尺寸將描繪區域分割成複數個區塊區域(第1區塊區域)。

圖3係實施形態1之點擊數彼此大致相同之區塊區域之一例之示意圖。圖3中，作為描繪區域之晶片區域10，首先，虛擬分割成長條狀之圖框區域12(亦可稱為條狀區域)。各圖框區域12，以偏向器208可偏向之寬度進行分割。之後，各圖框區域12，以使描繪時之點擊數彼此大致相同之方式以不均一尺寸進行分割。該不均一尺寸所分割之各區域成為區塊區域14。此處，圖3中，分割成區塊區域14時只將各圖框區域12沿長向分割，但並不侷限於此，亦可將各圖框區域12沿短向進一步分割。

S104中，作為點擊資料生成步驟，描繪資料處理部138將描繪資料轉換成裝置內格式之點擊資料。此時，對各區塊區域14進行轉換。

另，晶片區域10，藉由網狀分割部124，以比複數個區塊區域14中任一個皆小之特定尺寸虛擬分割成網狀之複數個小區域。

圖4係實施形態1之點擊數彼此大致相同之某區塊區域被網狀分割之一例之示意圖。晶片區域10分成網狀之複數個小區域20。圖4中係就晶片區域10中任意之區塊區域14進行顯示。網狀尺寸宜為鄰近效應之影響範圍σ之1/10以下。例如宜為以縱橫1μm寬以下之柵格尺寸進行網狀分割。

S106中，作為面積密度計算步驟，面積密度計算部126使用前述複數個小區域20，對各區塊區域14計算位於其內部之各小區域20之圖案面積密度ρ(x,y)。此處，面積密度計算部126內，對各區塊區域14進行分散處理。座標(x,y)，例如以距離區塊區域14之基準位置之小區域20之位置定義。但，並不侷限於此，以距離晶片區域10之基準位置之小區域20之位置定義亦可。或，以其他位置為基準亦可。圖案面積密度ρ(x,y)，可以位於小區域20內部之圖形面積所累加之值除以相當之小區域20之面積之值表示。由於使用點擊數彼此大致相同之區塊區域14，故可使區塊區域14間之計算時間為相同程度。之後，面積密度計算部126，使用計算所得之圖案面積密度ρ(x,y)，作成以小區域20之位置所定義之圖案面積密度圖142。之後，圖案面積密度圖142儲存於磁碟裝置140。但，若直接進行鄰近效應修正計算則無法使區塊區域14間之計算時間為相同程度，故以如下所述進行對應。

S108中，作為區塊區域再分割步驟，區塊區域分割部128(第2區塊區域分割部)，將分割成複數個區塊14之晶片區域10重新以比小區域20大之均一尺寸分割成複數個區塊區域16(第2區塊區域)。例如，以比圖框寬大之尺寸進行分割。

圖5係實施形態1之均一尺寸之區塊區域之一例之示意圖。圖5中，作為描繪區域之晶片區域10，如前所述，虛擬分割成長條狀之圖框區域12。之後，各圖框區域12，以均一尺寸進行分割。該均一尺寸分割成之各區域成為區塊區域16。此處，圖5中，分割成區塊區域16時只將各圖框區域12沿長向分割，但並不侷限於此，亦可將各圖框區域12沿短向進一步分割。

圖6係實施形態1之均一尺寸之區塊區域被網狀分割之一例之示意圖。因晶片區域10被分成網狀之複數個小區域20，故該複數個小區域20此處亦適用。圖6中係就晶片區域10中任意之區塊區域16進行顯示。

S110中，作為鄰近效應修正計算步驟，鄰近效應修正計算部130(修正照射量計算部)，對各區塊區域16，使用位於區塊區域16內部之各小區域20之鄰近效應修正照射量Dp(x,y)所對應之小區域20之圖案面積密度ρ(x,y)進行計算。此處，鄰近效應修正計算部130內，對各區塊區域16進行分散處理。此處之(x,y)，例如以距離區塊區域16之基準位置之小區域20之位置定義。但，並不侷限於此，以距離晶片區域10之基準位置之小區域20之位置定義亦可。或，以其他位置為基準亦可。鄰近效應修正計算部130，從磁碟裝置140讀取圖案面積密度圖142。之後，參照來自圖案面積密度圖142所對應之小區域20之圖案面積密度ρ(x,y)即可。座標鄰近效應修正照射量Dp，可由下述之式(1)求得。

此處，g(x,y)係表示起因於鄰近效應之變動量之核心函數。如式(1)所示，進行圖案面積密度ρ函數與核心函數之迴旋積分(convolution)計算，相乘上使用鄰近效應修正係數η之係數所得者可定義作為鄰近效應修正照射量Dp。此處之核心函數，係表示鄰近效應量之廣度之函數，適宜使用例如高斯函數。由於使用均一尺寸之區塊區域16，可使區塊區域16間之計算時間成為相同程度。之後，鄰近效應修正計算部130，使用計算所得之鄰近效應修正照射量Dp(x,y)，作成以小區域20之位置所定義之鄰近效應修正照射量圖144。之後，鄰近效應修正照射量圖144儲存於磁碟裝置140。

S112中，作為區塊區域再分割步驟，區塊區域分割部132(第3區塊區域分割部)，將分割成複數個區塊區域16之晶片區域10重新分割成原先之複數個區塊區域14。相對於鄰近效應修正照射量圖144之座標由區塊區域16之基準位置定義，點擊資料由區塊區域14定義，故鄰近效應修正照射量Dp(x,y)與點擊資料之整合性取得存在不便。藉由重新分割成原先之複數個區塊區域14，可統一座標系，使整合性易於取得。但，雖然此處為提高便利性而重新分割，但並不侷限於此，依舊為區塊區域16亦可。

S114中，作為粒子束照射量(Dose)計算步驟，照射量計算部134(粒子束照射量計算部)，使用於各小區域20之電子束200之粒子束照射量D(x,y)所對應之小區域20之鄰近效應修正照射量Dp(x,y)進行計算。照射量計算部134，從磁碟裝置140讀取鄰近效應修正照射量圖144。之後，參照來自鄰近效應修正照射量圖144所對應之小區域20之鄰近效應修正照射量Dp(x,y)即可。如此，使用位於區塊區域14內部之各小區域20之鄰近效應修正照射量Dp(x,y)計算粒子束照射量D(x,y)。粒子束照射量D(x,y)，可使用基準照射量D₀ 由以下之式(2)求得。

(2)D(x,y)=Dp(x,y)×D₀

S116中，作為照射時間計算步驟，照射時間計算部136，對各小區域20，使用所得到之照射量D(x,y)與所設定之電流密度J，計算照射時間t(=照射量D(x,y)/電流密度J)。

S118中，作為描繪步驟，控制計算機120，以所求得之照射時間t使向試料101之粒子束照射成為OFF般向偏向控制電路110輸出信號。之後，偏向控制電路110，按照前述信號，配合所求得之照射時間t，控制BLK偏向器212使電子束200偏向。之後，將所期望之照射量D(x,y)照射於試料101後，藉由BLK偏向器212偏向之電子束200，藉由BLK孔徑214遮蔽使其不到達試料101。如此，描繪部150係以按各小區域20計算所得之粒子束照射量照射電子束200。由此，於試料101描繪特定圖案。

如前所述，圖案面積密度計算與鄰近效應修正計算使用不同區塊區域。又，圖案面積密度計算中，使用點擊數彼此大致相同之第1區塊區域。另一方面，鄰近效應修正計算中，使用均一尺寸之第2區塊區域。由此可用各自適合之區塊進行計算。因此，即使點擊數存在疏密，亦可有效率執行圖案面積密度計算與鄰近效應修正計算。其結果，對於圖案面積密度計算與鄰近效應修正計算，均可避免各區塊區域之計算時間之偏差，使各自成為相同程度。又，即使資料量增大，描繪裝置100亦可高速處理。

前述之說明中，記載為"~部"或"~步驟"者之處理內容或動作內容，可藉由計算機可動作之程式構成。或，不僅可由構成軟體之程式，亦可由硬體與軟體之組合實施。或，亦可為與韌體之組合。另，由程式構成之情形，程式記錄於磁碟裝置、磁帶裝置、FD、或ROM(唯讀記憶體)等之記錄媒體。例如，記錄於磁碟裝置140。

另，作為計算機之控制計算機120，亦可進一步經由未圖示之匯流排連接作為記憶裝置之一例之RAM(隨機存取記憶體)、ROM、磁碟(HD)裝置，作為輸入機構之一例之鍵盤(K/B)、滑鼠，作為輸出機構之一例之顯示器、印表機，或作為輸入輸出機構之一例之外部介面(I/F)、FD、DVD、CD等。

以上，邊參照具體例邊對實施形態進行了說明。但，本發明並不侷限於該等具體例。

另，雖對裝置構成或控制手法等於本發明之說明上非直接必要之部分等省略其記載，但可適當選擇使用必要之裝置構成或控制手法。例如，對於控制描繪裝置100之控制部構成，雖省略其記載，但可適當選擇使用必要之控制部構成自不待言。

其他，具備本發明之要素，同行進行適當設計變更之所有荷電粒子束描繪方法及裝置，均包含於本發明之範圍。

擅長此項技術者將容易引發其他優勢和做出其他修改。因此，本發明在其更廣範圍內未受限於此列明和敘述之具體細節和代表性實施例。因而，可以做出不同修改而不脫離如附加請求項和其相當項定義之一般發明原理之宗旨或範圍。

10‧‧‧晶片區域

12‧‧‧圖框區域

14、16‧‧‧區塊區域

20‧‧‧小區域

100‧‧‧描繪裝置

101、340‧‧‧試料

102‧‧‧電子鏡筒

103‧‧‧描繪室

105‧‧‧XY工作臺

108‧‧‧驅動電路

109、140‧‧‧磁碟裝置

110‧‧‧偏向控制電路

112、114、116‧‧‧DAC

120‧‧‧控制計算機

121‧‧‧記憶體

122、128、132‧‧‧區塊區域分割部

124‧‧‧網狀分割部

126‧‧‧面積密度計算部

130‧‧‧鄰近效應修正計算部

134‧‧‧照射量計算部

136‧‧‧照射時間計算部

138‧‧‧描繪資料處理部

142、144‧‧‧圖

150．．．描繪部

160．．．控制部

200．．．電子束

201．．．電子槍

202．．．照明透鏡

203、410．．．第1孔徑

204．．．投影透鏡

205、208．．．偏向器

206、420．．．第2孔徑

207．．．物鏡

212．．．BLK偏向器

214．．．BLK孔徑

330．．．電子線

411．．．開口

421．．．可變成形開口

430．．．荷電粒子源

圖1係顯示實施形態1之描繪裝置之構成之概念圖。

圖2係顯示實施形態1之描繪方法之要部步驟之流程圖。

圖3係實施形態1之點擊數彼此大致相同之區塊區域之一例之示意圖。

圖4係實施形態1之點擊數彼此大致相同之某區塊區域被網狀分割之一例之示意圖。

圖5係實施形態1之均一尺寸之區塊區域之一例之示意圖。

圖6係實施形態1之均一尺寸之區塊區域被網狀分割之一例之示意圖。

圖7係用以說明先前之可變成形型電子線描繪裝置之動作之概念圖。

100‧‧‧描繪裝置

101‧‧‧試料

102‧‧‧電子鏡筒

103‧‧‧描繪室

105‧‧‧XY工作臺

108‧‧‧驅動電路

109、140‧‧‧磁碟裝置

110‧‧‧偏向控制電路

112、114、116‧‧‧DAC

120‧‧‧控制計算機

121‧‧‧記憶體

122、128、132‧‧‧區塊區域分割部

124‧‧‧網狀分割部

126‧‧‧面積密度計算部

130‧‧‧鄰近效應修正計算部

134‧‧‧照射量計算部

136‧‧‧照射時間計算部

138‧‧‧描繪資料處理部

142、144‧‧‧圖

150‧‧‧描繪部

160‧‧‧控制部

200．．．電子束

201．．．電子槍

202．．．照明透鏡

203．．．第1孔徑

204．．．投影透鏡

205、208．．．偏向器

206．．．第2孔徑

207．．．物鏡

212．．．BLK偏向器

214．．．BLK孔徑

Claims (10)

1. 一種荷電粒子束描繪裝置，其特徵在於具備：第1區塊區域分割部，係以使描繪時之點擊數彼此大致相同之尺寸將描繪區域分割成複數個第1區塊區域；面積密度計算部，係使用將前述描繪區域以比前述第1區塊區域中任一個皆小之特定尺寸網狀虛擬分割成之複數個小區域，對各前述第1區塊區域計算位於內部之各小區域之圖案面積密度；第2區塊區域分割部，係將分割成前述複數個第1區塊區域之前述描繪區域以比前述小區域大之均一尺寸重新分割成複數個第2區塊區域；修正照射量計算部，係對各前述第2區塊區域，使用位於前述第2區塊區域內部之各小區域之鄰近效應修正照射量所對應之前述小區域之圖案面積密度進行計算；粒子束照射量計算部，係使用於各小區域之荷電粒子束之粒子束照射量所對應之前述小區域之鄰近效應修正照射量進行計算；及描繪部，係以按前述各小區域計算所得之粒子束照射量照射前述荷電粒子束，於試料描繪特定圖案。
2. 如請求項1之荷電粒子束描繪裝置，其係進一步具備將分割成前述複數個第2區塊區域之前述描繪區域重新分割成前述複數個第1區塊區域之第3區塊區域分割部；前述粒子束照射量計算部，係使用位於前述第1區塊區域內部之各小區域之鄰近效應修正照射量計算前述粒子束照射量。
3. 如請求項1之荷電粒子束描繪裝置，其中前述面積密度計算部，係作成前述各小區域之圖案面積密度圖；前述修正照射量計算部，係參照來自前述圖案面積密度圖所對應之前述小區域之圖案面積密度。
4. 如請求項1之荷電粒子束描繪裝置，其中前述修正照射量計算部，係作成前述各小區域之鄰近效應修正照射量圖；前述粒子束照射量計算部，係參照來自前述鄰近效應修正照射量圖所對應之前述小區域之鄰近效應修正照射量。
5. 如請求項1之荷電粒子束描繪裝置，其中前述小區域為1μm寬以下之尺寸。
6. 如請求項1之荷電粒子束描繪裝置，其中前述複數個第1區塊區域，係將前述描繪區域長條狀分割成之複數個圖框區域進一步分割而成之區域。
7. 一種荷電粒子束描繪方法，其特徵在於：以使描繪時之點擊數彼此大致相同之尺寸將描繪區域分割成複數個第1區塊區域；使用將前述描繪區域以比前述第1區塊區域中任一個皆小之特定尺寸網狀虛擬分割成之複數個小區域，對各前述第1區塊區域計算位於內部之各小區域之圖案面積密度；將分割成前述複數個第1區塊區域之前述描繪區域以比前述小區域大之均一尺寸重新分割成複數個第2區塊區域；對各前述第2區塊區域，使用位於前述第2區塊區域內部之各小區域之鄰近效應修正照射量所對應之前述小區域之圖案面積密度進行計算；使用於各小區域之荷電粒子束之粒子束照射量所對應之前述小區域之鄰近效應修正照射量進行計算；及以按前述各小區域計算所得之粒子束照射量照射前述荷電粒子束，於試料描繪特定圖案。
8. 如請求項7之荷電粒子束描繪方法，其中分割成前述複數個第2區塊區域之前述描繪區域，被重新分割成前述複數個第1區塊區域；前述粒子束照射量，係使用位於前述第1區塊區域內部之各小區域之鄰近效應修正照射量進行計算。
9. 如請求項7之荷電粒子束描繪方法，其中作成前述各小區域之圖案面積密度圖；參照來自前述圖案面積密度圖所對應之前述小區域之圖案面積密度。
10. 如請求項7之荷電粒子束描繪方法，其中作成前述各小區域之鄰近效應修正照射量圖；參照來自前述鄰近效應修正照射量圖所對應之前述小區域之鄰近效應修正照射量。