JP5498106B2 - 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 - Google Patents
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Description
可変成形型電子線(EB:Electron beam)描画装置は、以下のように動作する。第1のアパーチャ410には、電子線330を成形するための矩形例えば長方形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330は、偏向器により偏向され、第2のアパーチャ420の可変成形開口421の一部を通過して、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340に照射される。すなわち、第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過できる矩形形状が、X方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340の描画領域に描画される。第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式(VSB方式)という。
パターン形成される複数のチップのレイアウト情報を入力し、レイアウト情報を使って、少なくとも1つのチップから構成され、他とは描画条件の異なる複数の描画グループを設定する工程と、
すべての描画グループ内のすべてのチップ領域全体を取り囲む枠を設定する工程と、
異なる描画グループのチップ同士を混在させたまま、所定の方向に向かって枠を複数の領域に仮想分割する工程と、
各領域の基準位置が前記所定の方向に向かって順に位置するように各領域の順序を設定する工程と、
荷電粒子ビームを用いて、設定された順序で各領域内のパターンを試料に描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。
描画グループに無関係に、当該領域内のすべての小領域の基準位置が所定の方向に向かって順に位置するように各小領域の順序を設定する工程と、
をさらに備え、
描画する際、各領域内のパターンを設定された小領域の順序で描画されるように構成すると好適である。
当該領域内のすべての小領域の基準位置が所定の方向に向かって順に位置するように各小領域の順序を設定する工程と、
をさらに備え、
描画する際、各領域内のパターンを設定された小領域の順序で描画されるようにしてもよい。
パターン形成される複数のチップのレイアウト情報を入力し、記憶する記憶装置と、
レイアウト情報を使って、少なくとも1つのチップから構成され、他とは描画条件の異なる複数の描画グループを設定する描画グループ設定部と、
すべての描画グループ内のすべてのチップ領域全体を取り囲む枠を設定する枠設定部と、
異なる描画グループのチップ同士を混在させたまま、所定の方向に向かって枠を複数の領域に仮想分割する領域分割部と、
各領域の基準位置が所定の方向に向かって順に位置するように各領域の順序を設定する順序設定部と、
荷電粒子ビームを用いて、設定された順序で各領域内のパターンを試料に描画する描画部と、
を備え、
前記描画条件には、多重度と、前記試料を載置するステージのステージ移動経路と、一括最適化速度描画、等速描画、可変速描画、及びステップアンドリピート(S&R)描画の方式と、前記複数の領域の分割高さと、前記複数の領域をさらに分割したサブフィールドのサイズのうち、少なくとも1つが含まれることを特徴とする。
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型の描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、第1のアパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2のアパーチャ206、対物レンズ207、主偏向器208及び副偏向器209が配置されている。描画室103内には、XYステージ105が配置される。XYステージ105上には、描画時には描画対象となるマスク等の試料101が配置される。試料101には、半導体装置を製造する際の露光用マスクが含まれる。また、試料101には、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。
実施の形態1では、SFは描画グループ毎に設定されていたが、これに限定されるものではない。実施の形態2では、他の方法でSFを設定する場合について説明する。実施の形態2において、装置構成は図1と同様である。また、描画方法の各工程は図2と同様である。また、各工程の内容は、以下に説明する点を除き、実施の形態1と同様である。
20,30 ストライプ領域
40,42,44,46 SF
51,52,53,54,61,62,63,64 ストライプ領域
100 描画装置
101,340 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
108 描画グループ設定部
110 制御計算機ユニット
111 メモリ
112 枠設定部
114 ストライプ分割部
116 順序設定部
120制御回路
130 データ変換処理部
132 SF分割部
134 SF順序設定部
136 SFデータ変換処理部
140,142,144,146,148 記憶装置
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203,410 第1のアパーチャ
204 投影レンズ
205 偏向器
206,420 第2のアパーチャ
207 対物レンズ
208 主偏向器
209 副偏向器
330 電子線
411 開口
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
Claims (4)
- パターン形成される複数のチップのレイアウト情報を入力し、前記レイアウト情報を使って、少なくとも1つのチップから構成され、他とは描画条件の異なる複数の描画グループを設定する工程と、
すべての描画グループ内のすべてのチップ領域全体を取り囲む枠を設定する工程と、
異なる描画グループのチップ同士を混在させたまま、所定の方向に向かって前記枠を複数の領域に仮想分割する工程と、
各領域の基準位置が前記所定の方向に向かって順に位置するように各領域の順序を設定する工程と、
荷電粒子ビームを用いて、設定された順序で各領域内のパターンを試料に描画する工程と、
を備え、
前記描画条件には、多重度と、前記試料を載置するステージのステージ移動経路と、一括最適化速度描画、等速描画、可変速描画、及びステップアンドリピート(S&R)描画の方式と、前記複数の領域の分割高さと、前記複数の領域をさらに分割したサブフィールドのサイズのうち、少なくとも1つが含まれることを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。 - 前記複数の領域のうち、異なる描画グループのチップ同士が混在する領域を、描画グループ毎に、複数の小領域に分割する工程と、
前記描画グループに無関係に、当該領域内のすべての小領域の基準位置が前記所定の方向に向かって順に位置するように各小領域の順序を設定する工程と、
をさらに備え、
描画する際、各領域内のパターンを設定された小領域の順序で描画されることを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画方法。 - 前記複数の領域のうち、異なる描画グループのチップ同士が混在する領域を、描画グループに無関係に、複数の小領域に分割する工程と、
当該領域内のすべての小領域の基準位置が前記所定の方向に向かって順に位置するように各小領域の順序を設定する工程と、
をさらに備え、
描画する際、各領域内のパターンを設定された小領域の順序で描画されることを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画方法。 - パターン形成される複数のチップのレイアウト情報を入力し、記憶する記憶装置と、
前記レイアウト情報を使って、少なくとも1つのチップから構成され、他とは描画条件の異なる複数の描画グループを設定する描画グループ設定部と、
すべての描画グループ内のすべてのチップ領域全体を取り囲む枠を設定する枠設定部と、
異なる描画グループのチップ同士を混在させたまま、所定の方向に向かって前記枠を複数の領域に仮想分割する領域分割部と、
各領域の基準位置が前記所定の方向に向かって順に位置するように各領域の順序を設定する順序設定部と、
荷電粒子ビームを用いて、設定された順序で各領域内のパターンを試料に描画する描画部と、
を備え、
前記描画条件には、多重度と、前記試料を載置するステージのステージ移動経路と、一括最適化速度描画、等速描画、可変速描画、及びステップアンドリピート(S&R)描画の方式と、前記複数の領域の分割高さと、前記複数の領域をさらに分割したサブフィールドのサイズのうち、少なくとも1つが含まれることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
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