JP2012253316A - 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
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Abstract
【構成】描画装置100は、チップデータ内の各図形パターンデータを入力し、図形パターン毎に、ショット図形に分割された際の、分割後の各ショット図形のサイズおよび図形パターン内での配列位置が識別可能なショット分割イメージ情報を生成するショット分割処理部12と、メッシュ領域毎に、当該メッシュ領域内に配置される分割後の各ショット図形を割り当てる割当処理部14と、メッシュ領域毎に、割り当てられたショット図形数から当該メッシュ領域内を描画する際のショット数を演算するショット数演算部16と、各メッシュ領域のショット数に基づいて、当該チップを描画するための描画時間を予測する描画時間予測部24と、を備えたことを特徴とする。
【選択図】図1
Description
可変成形型電子線(EB:Electron beam)描画装置は、以下のように動作する。第1のアパーチャ410には、電子線330を成形するための矩形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330は、偏向器により偏向され、第2のアパーチャ420の可変成形開口421の一部を通過して、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340に照射される。すなわち、第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過できる矩形形状が、X方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340の描画領域に描画される。第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式(VSB方式)という。
複数の図形パターンを有するチップの各図形パターンの形状、配置座標、およびサイズを示す各図形パターンデータが定義されたチップデータを記憶する記憶部と、
チップデータ内の各図形パターンデータを入力し、図形パターン毎に、荷電粒子ビームによる1回のショットで照射可能なサイズで図形パターンが複数のショット図形に分割された際の、分割後の各ショット図形のサイズおよび図形パターン内での配列位置が識別可能なショット分割イメージ情報を生成するショット分割イメージ情報生成部と、
図形パターン毎のショット分割イメージ情報と図形パターンの配置座標の情報とを用いて、チップデータが示すチップ領域内において図形パターンの端部とは異なる基準位置から所定のサイズでメッシュ状の複数のメッシュ領域に仮想分割されたメッシュ領域毎に、当該メッシュ領域内に配置される分割後の各ショット図形を割り当てる割当処理部と、
メッシュ領域毎に、割り当てられたショット図形数から当該メッシュ領域内を描画する際の荷電粒子ビームのショット数を演算するショット数演算部と、
各メッシュ領域のショット数に基づいて、当該チップを描画するための描画時間を予測する描画時間予測部と、
荷電粒子ビームを用いて、当該チップ内のパターンを試料に描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。
複数のメッシュ領域として、各セルの領域の端部から所定のサイズでそれぞれメッシュ状に仮想分割された複数のセル分割領域が用いられ、
割当処理部は、セル分割領域毎に、当該セル分割領域内に配置される各ショット図形を割り当てるように構成すると好適である。
複数の図形パターンを有するチップの各図形パターンの形状、配置座標、およびサイズを示す各図形パターンデータが定義されたチップデータを記憶する記憶装置からチップデータ内の各図形パターンデータを入力し、図形パターン毎に、荷電粒子ビームによる1回のショットで照射可能なサイズで図形パターンが複数のショット図形に分割された際の、分割後の各ショット図形のサイズおよび図形パターン内での配列位置が識別可能なショット分割イメージ情報を生成する工程と、
図形パターン毎の前記ショット分割イメージ情報と図形パターンの配置座標の情報とを用いて、チップデータが示すチップ領域内において図形パターンの端部とは異なる基準位置から所定のサイズでメッシュ状の複数のメッシュ領域に仮想分割されたメッシュ領域毎に、当該メッシュ領域内に配置される分割後の各ショット図形を割り当てる工程と、
メッシュ領域毎に、割り当てられたショット図形数から当該メッシュ領域内を描画する際の荷電粒子ビームのショット数を演算する工程と、
各メッシュ領域のショット数に基づいて、当該チップを描画するための描画時間を予測する工程と、
荷電粒子ビームを用いて、当該チップ内のパターンを試料に描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型の描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、第1のアパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2のアパーチャ206、対物レンズ207、主偏向器208及び副偏向器209が配置されている。描画室103内には、XYステージ105が配置される。XYステージ105上には、描画時には描画対象となるマスク等の試料101が配置される。試料101には、半導体装置を製造する際の露光用マスクが含まれる。また、試料101には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。
(1) Tes=α1・Ntotal+β1
実施の形態2では、異なるフォーマットのショット分割イメージ情報について説明する。装置構成は図1と同様である。また、以下、特に説明しない内容は、実施の形態1と同様である。
同じ図形コード、及び図形サイズを持つ図形同士については、ショット分割イメージ情報を使いまわす(共有する)ことができる。かかる方法を採用した場合、さらに処理時間の短縮ができる。その際、より多くの図形のショット分割イメージ情報を使いまわすためには、各図形のショット分割イメージ情報のデータ量がより少ない方が望ましい。そこで、実施の形態3では、さらに、異なるフォーマットのショット分割イメージ情報について説明する。装置構成は図1と同様である。また、以下、特に説明しない内容は、実施の形態1と同様である。
12 ショット分割処理部
14 割当処理部
16 セル分割単位ショット数演算部
18 チップ分割単位ショット数演算部
20 フレーム単位ショット数演算部
22 チップ単位ショット数演算部
24 描画時間予測部
30 セル分割単位パターン密度演算部
32 チップ分割単位パターン密度演算部
34 フレーム単位パターン密度演算部
36 チップ単位パターン密度演算部
40 ショットデータ生成部
42 照射量演算部
44 描画処理部
50 セル分割領域
60 図形パターン
62 ショット図形
100 描画装置
101,340 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110,120 制御計算機
112 メモリ
130 制御回路
140,142,144,146 記憶装置
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203,410 第1のアパーチャ
204 投影レンズ
205 偏向器
206,420 第2のアパーチャ
207 対物レンズ
208 主偏向器
209 副偏向器
330 電子線
411 開口
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
500 チップ
501 チップ分割領域
502 セル
503 セル分割領域
504 外接矩形
505 パターン分割領域
510 図形パターン
520,522 図形
Claims (10)
- 複数の図形パターンを有するチップの各図形パターンの形状、配置座標、およびサイズを示す各図形パターンデータが定義されたチップデータを記憶する記憶部と、
前記チップデータ内の各図形パターンデータを入力し、図形パターン毎に、荷電粒子ビームによる1回のショットで照射可能なサイズで前記図形パターンが複数のショット図形に分割された際の、分割後の各ショット図形のサイズおよび前記図形パターン内での配列位置が識別可能なショット分割イメージ情報を生成するショット分割イメージ情報生成部と、
図形パターン毎の前記ショット分割イメージ情報と前記図形パターンの配置座標の情報とを用いて、チップデータが示すチップ領域内において図形パターンの端部とは異なる基準位置から所定のサイズでメッシュ状の複数のメッシュ領域に仮想分割されたメッシュ領域毎に、当該メッシュ領域内に配置される分割後の各ショット図形を割り当てる割当処理部と、
メッシュ領域毎に、割り当てられたショット図形数から当該メッシュ領域内を描画する際の荷電粒子ビームのショット数を演算するショット数演算部と、
各メッシュ領域のショット数に基づいて、当該チップを描画するための描画時間を予測する描画時間予測部と、
荷電粒子ビームを用いて、当該チップ内のパターンを試料に描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記ショット分割イメージ情報は、当該図形パターンの基準位置から第1の方向に向かって、前記第1の方向が当該図形パターンの端部まで到達したらその都度第1の方向と直交する第2の方向にずれた上で再度第1の方向に向かって、ショット図形の形状を示す図形コード、サイズ、及び連続して並ぶ同一のショット図形の個数を順に当該図形パターンが分割されたすべてのショット図形が網羅されるまで定義することを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 前記ショット分割イメージ情報は、当該図形パターンの基準位置から第1の方向に向かって、分割元となる当該図形パターンの形状を示す図形コード、最大ショットサイズで分割された連続して並ぶショット図形の個数、および第1の方向に残った図形のサイズを順に定義することを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 前記チップは、少なくとも1つの図形パターンから構成される複数のセルを有し、
前記複数のメッシュ領域として、各セルの領域の端部から所定のサイズでそれぞれメッシュ状に仮想分割された複数のセル分割領域が用いられ、
前記割当処理部は、セル分割領域毎に、当該セル分割領域内に配置される各ショット図形を割り当てることを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。 - 複数の図形パターンを有するチップの各図形パターンの形状、配置座標、およびサイズを示す各図形パターンデータが定義されたチップデータを記憶する記憶装置から前記チップデータ内の各図形パターンデータを入力し、図形パターン毎に、荷電粒子ビームによる1回のショットで照射可能なサイズで前記図形パターンが複数のショット図形に分割された際の、分割後の各ショット図形のサイズおよび前記図形パターン内での配列位置が識別可能なショット分割イメージ情報を生成する工程と、
図形パターン毎の前記ショット分割イメージ情報と前記図形パターンの配置座標の情報とを用いて、チップデータが示すチップ領域内において図形パターンの端部とは異なる基準位置から所定のサイズでメッシュ状の複数のメッシュ領域に仮想分割されたメッシュ領域毎に、当該メッシュ領域内に配置される分割後の各ショット図形を割り当てる工程と、
メッシュ領域毎に、割り当てられたショット図形数から当該メッシュ領域内を描画する際の荷電粒子ビームのショット数を演算する工程と、
各メッシュ領域のショット数に基づいて、当該チップを描画するための描画時間を予測する工程と、
荷電粒子ビームを用いて、当該チップ内のパターンを試料に描画する工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。 - 前記ショット分割イメージ情報は、当該図形パターンの形状を示す図形コード、および予め設定された順序で、第1の方向と前記第1の方向に直交する第2の方向とのうちの少なくとも一方の方向について最大ショットサイズで分割されたショット図形の個数を並べることにより定義されることを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 当該図形パターンが、底辺と45度の角度と135度の角度とで繋がる2つの斜辺を有する台形である場合に、前記ショット分割イメージ情報は、前記台形を示す図形コードと、x方向とy方向のうちの一方の方向について予め設定された順序で最大ショットサイズで分割されたショット図形の個数を並べることにより定義されることを特徴とする請求項6記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 当該図形パターンが、底辺と45度の角度で繋がる1つの斜辺と前記底辺と90度の角度で繋がる1辺とを有する台形である場合に、前記ショット分割イメージ情報は、前記台形を示す図形コードと、x方向とy方向のうちの一方の方向について予め設定された順序で最大ショットサイズで分割されたショット図形の個数を並べることにより定義されることを特徴とする請求項6記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 当該図形パターンが、45度の角度をもつ平行四辺形である場合に、前記ショット分割イメージ情報は、前記平行四辺形を示す図形コードと、x方向について最大ショットサイズで分割されたショット図形の個数と、y方向について最大ショットサイズで分割されたショット図形の個数とを並べることにより定義されることを特徴とする請求項6記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 前記ショット分割イメージ情報は、当該図形パターンの形状を示す図形コードおよび予め設定された順序で、x方向とy方向のうちの少なくとも一方の方向について最大ショットサイズで分割されたショット図形の個数を並べることにより定義されることを特徴とする請求項5記載の荷電粒子ビーム描画方法。
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