JP6484491B2 - 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents

Description

本発明は、荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法に係り、例えば、描画時間の一部となるサブフィールド（ＳＦ）間をビーム偏向する際の偏向時間を予測する描画装置および方法に関する。

近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスの回路線幅はさらに微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ回路パターンを形成するための露光用マスク（レチクルともいう。）を形成する方法として、優れた解像性を有する電子ビーム（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｂｅａｍ）描画技術が用いられる。

図１４は、可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。可変成形型電子線描画装置は、以下のように動作する。第１のアパーチャ４１０には、電子線３３０を成形するための矩形の開口４１１が形成されている。また、第２のアパーチャ４２０には、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口４２１が形成されている。荷電粒子ソース４３０から照射され、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０は、偏向器により偏向され、第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１の一部を通過して、所定の一方向（例えば、Ｘ方向とする）に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０に照射される。すなわち、第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過できる矩形形状が、Ｘ方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０の描画領域に描画される。第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式（ＶＳＢ方式）という。

描画装置では、チップパターンを描画する際の描画時間を予測し、ユーザに提供している（例えば、特許文献１参照）。また、描画装置では、試料の描画領域をサブフィールド（ＳＦ）と呼ばれる複数の小領域に分割して、多段偏向器の１つの偏向器でＳＦにビーム位置を偏向し、他の偏向器で当該ＳＦ内のパターン形成位置にビーム位置を偏向することによって所望の位置にパターンを描画する多段偏向手法が採用されている。そのため、描画時間の中には、各ＳＦ内にパターンを描画する際にかかる時間の他に、ＳＦ間をビームが移動する際にかかる時間も考慮する必要がある。従来、ｘ方向チップサイズをＳＦサイズで割った値とｙ方向チップサイズをＳＦサイズで割った値とを乗じた値、すなわち、チップ内のＳＦ数すべてをビームが移動することを前提に移動時間を計算していた。しかしながら、チップ領域内に相当するすべてのＳＦにパターンが配置されるとは限らない。ＶＳＢ方式では、パターンの存在しないＳＦを飛ばして他のＳＦに移動することが可能となる。よって、従来、飛ばされたＳＦへの移動時間を含めてしまっていた。そのため、予測される描画時間の誤差が大きくなってしまうといった問題があった。よって、ＳＦ間をビームが移動する際にかかる時間を高精度に計算するためには、パターンが存在するＳＦとパターンが存在しないＳＦとを区別し、パターンが存在するＳＦ数をカウントすることが重要である。しかしながら、従来、かかるパターンが存在するＳＦ数をカウントする手法が確立されていなかった。そのため、予測された描画時間と実際の描画時間とのずれが大きくなってしまうといった問題があった。

特開２００９−０８８２１３号公報

そこで、本発明は、上述した問題点を克服し、パターンが存在するＳＦ数を高精度にカウントすることが可能な描画装置および方法を提供することを目的とする。

本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、
複数の図形パターンを有するチップのデータが定義された描画データを記憶する記憶部と、
多段偏向器の１つを用いて試料の描画領域が同サイズでメッシュ状に仮想分割された複数の小領域間を移動するように荷電粒子ビームを偏向する場合の複数の小領域の各小領域と同様の縦横幅サイズでチップの領域がメッシュ状に仮想分割された複数の第１のメッシュ領域を設定する第１のメッシュ領域設定部と、
図形パターン毎に、荷電粒子ビームによる１回のショットで照射可能なサイズで図形パターンを複数のショット図形に分割するショット分割処理部と、
複数の第１のメッシュ領域に複数のショット図形を割り当て、第１のメッシュ領域毎に、割り当てられたショット図形の有無を判定するショット有無判定部と、
複数の第１のメッシュ領域について、隣接する２以上の第１のメッシュ領域毎にマージ処理するマージ処理部と、
マージ処理されたことによりそれぞれ２以上の第１のメッシュ領域が合成された複数の第２のメッシュ領域の第２のメッシュ領域毎に、当該第２のメッシュ領域内のショット図形が有りと判定された第１のメッシュ領域の数を計測する計測部と、
計測された第１のメッシュ領域の数をマップ値とするチップの領域単位のショット図形有領域数マップを作成するチップ単位ショット有領域数マップ作成部と、
ショット図形有領域数マップを用いて、当該チップを描画する場合における複数の小領域間をビームが移動するように偏向するための偏向時間を予測する偏向時間予測部と、
多段偏向器を有し、荷電粒子ビームを多段偏向器で多段偏向させながら、当該チップ内の複数の図形パターンを試料に描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。

また、本発明の他の態様の荷電粒子ビーム描画装置は、
複数の図形パターンを有するチップのデータが定義された描画データを記憶する記憶部と、
多段偏向器の１つを用いて試料の描画領域が同サイズでメッシュ状に仮想分割された複数の小領域間を移動するように荷電粒子ビームを偏向する場合の複数の小領域の各小領域の縦横幅サイズのｎ倍のサイズでチップの領域がメッシュ状に仮想分割された複数の第１のメッシュ領域を設定する第１のメッシュ領域設定部と、
図形パターン毎に、荷電粒子ビームによる１回のショットで照射可能なサイズで図形パターンを複数のショット図形に分割するショット分割処理部と、
複数の第１のメッシュ領域に複数のショット図形を割り当て、第１のメッシュ領域毎に、割り当てられたショット図形の有無を判定するショット有無判定部と、
ショット図形有りと判定された第１のメッシュ領域についてはｎ×ｎ値を、ショット図形無しと判定された第１のメッシュ領域についてはゼロ値を、それぞれマップ値とするチップの領域単位のショット図形有領域数マップを作成するチップ単位ショット有領域数マップ作成部と、
ショット図形有領域数マップを用いて、当該チップを描画する場合における複数の小領域間をビームが移動するように偏向するための偏向時間を予測する偏向時間予測部と、
多段偏向器を有し、荷電粒子ビームを多段偏向器で多段偏向させながら、当該チップ内の前記複数の図形パターンを試料に描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。

また、上述した本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置において、
第１のメッシュ領域をマージ処理するためのマージ数を演算するマージ数演算部をさらに備える好適である。

また、上述した本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置において、
ショット図形有りと判定された第１のメッシュ領域については１を、ショット図形無しと判定された第１のメッシュ領域についてはゼロ値を、それぞれマップ値とするショット図形有無マップを作成するショット図形有無マップ作成部と、
チップの領域が短冊状に仮想分割された複数のフレーム領域のフレーム領域毎に、計測された第１のメッシュ領域の数をマップ値とするフレーム領域単位のショット図形有領域数マップを作成するフレーム単位ショット有領域数マップ作成部と、
隣接するフレーム領域間の境界で互いに重なる第１のメッシュ領域同士について、ショット図形有無マップのマップ値同士を論理和演算する論理和演算部と、
をさらに備え、
ショット図形の有無は、当該ショット図形の基準点が存在するか否かで判定され、
計測部は、論理和演算によって１と演算された第１のメッシュ領域をショット図形有りの第１のメッシュ領域として計測すると好適である。

また、上述した本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置において、
ショット図形の有無は、当該ショット図形の基準点が存在するか否かで判定され、
ショット図形有りと判定された第１のメッシュ領域については１を、ショット図形無しと判定された第１のメッシュ領域についてはゼロ値を、それぞれマップ値とするショット図形有無マップを作成するショット図形有無マップ作成部と、
複数のチップをマージ処理することによって互いに重なる第１のメッシュ領域同士について、ショット図形有無マップのマップ値同士を論理和演算する論理和演算部と、
論理和演算によって１と演算された第１のメッシュ領域をショット図形有りの第１のメッシュ領域として、第２のメッシュ領域毎に、当該第２のメッシュ領域内のショット図形が有りと判定された第１のメッシュ領域の数を計測する第２の計測部と、
複数のチップがマージ処理されたマージチップについて、計測された第１のメッシュ領域の数をマップ値とする前記マージチップの領域単位のショット図形有領域数マップを作成するマージチップ単位ショット有領域数マップ作成部と、
をさらに備えると好適である。

本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画方法は、
多段偏向器の１つを用いて試料の描画領域が同サイズでメッシュ状に仮想分割された複数の小領域間を移動するように荷電粒子ビームを偏向する場合の複数の小領域の各小領域と同様の縦横幅サイズで、複数の図形パターンを有するチップの領域がメッシュ状に仮想分割された複数の第１のメッシュ領域を設定する工程と、
図形パターン毎に、荷電粒子ビームによる１回のショットで照射可能なサイズで図形パターンを複数のショット図形に分割する工程と、
複数の第１のメッシュ領域に複数のショット図形を割り当て、第１のメッシュ領域毎に、割り当てられたショット図形の有無を判定する工程と、
複数の第１のメッシュ領域について、隣接する２以上の第１のメッシュ領域毎にマージ処理する工程と、
マージ処理されたことによりそれぞれ２以上の第１のメッシュ領域が合成された複数の第２のメッシュ領域の第２のメッシュ領域毎に、当該第２のメッシュ領域内のショット図形が有りと判定された第１のメッシュ領域の数を計測する工程と、
計測された第１のメッシュ領域の数をマップ値とするチップの領域単位のマップを作成する工程と、
前記マップを用いて、当該チップを描画する場合における複数の小領域間をビームが移動するように偏向するための偏向時間を予測する工程と、
荷電粒子ビームを多段偏向器で多段偏向させながら、当該チップ内の複数の図形パターンを試料に描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。

また、本発明の他の態様の荷電粒子ビーム描画方法は、
多段偏向器の１つを用いて試料の描画領域が同サイズでメッシュ状に仮想分割された複数の小領域間を移動するように荷電粒子ビームを偏向する場合の複数の小領域の各小領域の縦横幅サイズのｎ倍のサイズで、複数の図形パターンを有するチップの領域がメッシュ状に仮想分割された複数の第１のメッシュ領域を設定する工程と、
図形パターン毎に、荷電粒子ビームによる１回のショットで照射可能なサイズで図形パターンを複数のショット図形に分割する工程と、
複数の第１のメッシュ領域に複数のショット図形を割り当て、第１のメッシュ領域毎に、割り当てられたショット図形の有無を判定する工程と、
ショット図形有りと判定された第１のメッシュ領域についてはｎ×ｎの値を、ショット図形無しと判定された第１のメッシュ領域についてはゼロ値を、それぞれマップ値とするチップの領域単位のマップを作成する工程と、
マップを用いて、当該チップを描画する場合における複数の小領域間をビームが移動するように偏向するための偏向時間を予測する工程と、
多段偏向器を有し、荷電粒子ビームを多段偏向器で多段偏向させながら、当該チップ内の前記複数の図形パターンを試料に描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。

本発明の一態様によれば、ショット図形がショットされる小領域数を高精度にカウントできる。よって、複数の小領域間を偏向するための偏向時間を高精度に予測できる。

実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。 実施の形態１における各領域を説明するための概念図である。 実施の形態１における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。 実施の形態１におけるショットメッシュ領域を説明するための図である。 実施の形態１におけるショット密度マップの一例を示す図である。 実施の形態１における仮ショットメッシュ領域を説明するための図である。 実施の形態１におけるマージ処理後の仮ショットメッシュ領域とショットメッシュ領域とを説明するための図である。 実施の形態２の比較例におけるＳＦ数誤差を説明するためのショット密度マップの一例を示す図である。 実施の形態２における制御計算機の内部構成を示す図である。 実施の形態２における描画方法の要部工程の一部を示すフローチャート図である。 実施の形態２におけるＳＦ密度マップの一例を示す図である。 実施の形態２におけるＳＦ密度マップのフレーム境界部分の一例を示す図である。 実施の形態２におけるチップ単位のＳＦ密度マップの一例を示す図である。 可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。

以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。また、荷電粒子ビーム装置の一例として、可変成形型の描画装置について説明する。

実施の形態１．
図１は、実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。図１において、描画装置１００は、描画部１５０と制御部１６０を備えている。描画装置１００は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型（ＶＳＢ方式）の描画装置の一例である。描画部１５０は、電子鏡筒１０２と描画室１０３を備えている。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、第１のアパーチャ２０３、投影レンズ２０４、偏向器２０５、第２のアパーチャ２０６、対物レンズ２０７、主偏向器２０８及び副偏向器２０９が配置されている。描画室１０３内には、ＸＹステージ１０５が配置される。ＸＹステージ１０５上には、描画時には描画対象となるマスク等の試料１０１が配置される。試料１０１には、半導体装置を製造する際の露光用マスクが含まれる。また、試料１０１には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。

制御部１６０は、制御計算機１１０，１２０、メモリ１１２、制御回路１３０、及び磁気ディスク装置等の記憶装置１４０，１４２，１４６を有している。制御計算機１１０，１２０、メモリ１１２、制御回路１３０、及び記憶装置１４０，１４２，１４６は、図示しないバスを介して互いに接続されている。

制御計算機１１０内には、図形パターン読出部６０、ショット分割処理部６２、割当処理部６４、データ量見積部６６、データ量判定部６７、選択部６８、マージ数演算部６９、ショットメッシュ設定部７０、ショット有無判定部７２、サブフィールド（ＳＦ）数カウント部７４、フレーム単位ショット密度マップ作成部７６、チップ単位ショット密度マップ作成部７８、仮ショットメッシュ設定部８０、ショット有無判定部８２、マージ処理部８４、ＳＦ数カウント部８６、ショット数マップ作成部９０、描画時間予測部９２、及びｎ演算部９３が配置される。図形パターン読出部６０、ショット分割処理部６２、割当処理部６４、データ量見積部６６、データ量判定部６７、選択部６８、マージ数演算部６９、ショットメッシュ設定部７０、ショット有無判定部７２、サブフィールド（ＳＦ）数カウント部７４、フレーム単位ショット密度マップ作成部７６、チップ単位ショット密度マップ作成部７８、仮ショットメッシュ設定部８０、ショット有無判定部８２、マージ処理部８４、ＳＦ数カウント部８６、ショット数マップ作成部９０、描画時間予測部９２、及びｎ演算部９３といった機能は、電気回路等のハードウェアで構成されてもよいし、これらの機能を実行するプログラム等のソフトウェアで構成されてもよい。或いは、ハードウェアとソフトウェアの組み合わせにより構成されてもよい。図形パターン読出部６０、ショット分割処理部６２、割当処理部６４、データ量見積部６６、データ量判定部６７、選択部６８、マージ数演算部６９、ショットメッシュ設定部７０、ショット有無判定部７２、サブフィールド（ＳＦ）数カウント部７４、フレーム単位ショット密度マップ作成部７６、チップ単位ショット密度マップ作成部７８、仮ショットメッシュ設定部８０、ショット有無判定部８２、マージ処理部８４、ＳＦ数カウント部８６、ショット数マップ作成部９０、描画時間予測部９２、及びｎ演算部９３に入出力される情報および演算中の情報はメモリ１１２にその都度格納される。

制御計算機１２０内には、ショットデータ生成部４０、照射量演算部４２、及び描画処理部４３が配置される。ショットデータ生成部４０、照射量演算部４２、及び描画処理部４３といった機能は、電気回路等のハードウェアで構成されてもよいし、これらの機能を実行するプログラム等のソフトウェアで構成されてもよい。或いは、ハードウェアとソフトウェアの組み合わせにより構成されてもよい。ショットデータ生成部４０、照射量演算部４２、及び描画処理部４３に入出力される情報および演算中の情報は図示しないメモリにその都度格納される。

ここで、図１では、実施の形態１を説明する上で必要な構成を記載している。描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成を備えていても構わない。例えば、位置偏向用には、主偏向器２０８と副偏向器２０９の主副２段の多段偏向器を用いているが、３段以上の多段偏向器によって位置偏向を行なう場合であってもよい。

少なくとも１つの図形パターンから構成される複数のセルを有するチップのデータが定義された描画データが描画装置１００の外部より入力され、記憶装置１４０（記憶部）に格納されている。チップデータには、各図形パターンの形状、配置座標、およびサイズを示す各図形パターンデータが定義される。言い換えれば、チップデータには、複数の図形パターンを有するチップの各図形パターンの形状、配置座標、およびサイズを示す各図形パターンデータが定義される。

図２は、実施の形態１における各領域を説明するための概念図である。図２において、試料１０１の描画領域１０は、主偏向器２０８の偏向可能幅で、例えばｙ方向に向かって短冊状に複数のストライプ領域２０に仮想分割される。また、各ストライプ領域２０は、副偏向器２０９の偏向可能サイズで、メッシュ状に複数のサブフィールド（ＳＦ）３０（小領域）に仮想分割される。ここで、描画装置１００で図形パターンを描画するためには、１回のビームのショットで照射できるサイズのショット図形にチップデータに定義された各図形パターンを分割する必要がある。そして、各ＳＦ３０内の各ショット位置にかかるショット図形３２が描画される。

描画装置１００では、かかる複数段の偏向器を用いて、ストライプ領域２０毎に描画処理を進めていく。ここでは、一例として、主偏向器２０８、及び副偏向器２０９といった２段偏向器が用いられる。ＸＹステージ１０５が例えば−ｘ方向に向かって連続移動しながら、１番目のストライプ領域２０についてｘ方向に向かって描画を進めていく。そして、１番目のストライプ領域２０の描画終了後、同様に、或いは逆方向に向かって２番目のストライプ領域２０の描画を進めていく。以降、同様に、３番目以降のストライプ領域２０の描画を進めていく。そして、主偏向器２０８が、ＸＹステージ１０５の移動に追従するように、ＳＦ３０の基準位置Ａに電子ビーム２００を順に偏向する。基準位置Ａは、例えば、ＳＦ３０の中心位置が用いられる。或いは、ＳＦ３０の左下角の位置であっても好適である。また、副偏向器２０９（第２の偏向器）が、各ＳＦ３０の基準位置Ａから、当該ＳＦ３０内に照射される、ショット図形３２に成形されたショットビーム（電子ビーム２００）を所望の位置に偏向する。このように、主偏向器２０８、及び副偏向器２０９は、サイズの異なる偏向領域をもつ。

実施の形態１における描画装置１００では、描画処理を実行する前の前処理として、チップを描画する際にかかる描画時間を予測する。描画時間を予測するためには、副偏向器２０９によって、パターンが配置されるＳＦ内の各ショット位置にショット図形を描画する際にかかる時間（ショット時間）の合計と、ＳＦ間をビームが移動する際にかかる時間（偏向時間）の合計とが必要である。その他、ストライプ領域間を移動する際にかかる時間等が必要となる。実施の形態１では、特に、ＳＦ間をビームが移動する際にかかる時間（偏向時間）を高精度に計算するために、パターン（ショット図形）が配置されるＳＦとパターン（ショット図形）が配置されないＳＦとを区別し、パターン（ショット図形）が配置されるＳＦ数を高精度にカウントする。そのために、実施の形態１では、チップ毎に、チップ領域を所定のサイズでメッシュ状のショットメッシュ領域に分割して、各ショットメッシュ領域内でパターン（ショット図形）が配置されるＳＦ数を定義したショット密度マップを作成する。

図３は、実施の形態１における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。図３において、実施の形態１における描画方法は、ショット分割工程（Ｓ１０２）と、ショット数マップ作成工程（Ｓ１０４）と、データ量見積工程（Ｓ１０６）と、データ量判定工程（Ｓ１０８）と、ショットメッシュ設定工程（Ｓ１１０）と、割り当て工程（Ｓ１１４）と、ショット有無判定工程（Ｓ１１６）と、ＳＦ数カウント工程（Ｓ１２０）と、フレーム単位のショット密度マップ作成工程（Ｓ２３０）と、チップ単位のショット密度マップ作成工程（Ｓ２４０）と、描画時間予測工程（Ｓ４０２）と、描画工程（Ｓ４０４）と、いう一連の工程を実施する。

或いは、ショット分割工程（Ｓ１０２）と、ショット数マップ作成工程（Ｓ１０４）と、データ量見積工程（Ｓ１０６）と、データ量判定工程（Ｓ１０８）と、選択工程（Ｓ１０９）と、ｎ演算工程（Ｓ１１１）と、ショットメッシュ設定工程（Ｓ１１２）と、割り当て工程（Ｓ１１４）と、ショット有無判定工程（Ｓ１１６）と、ＳＦ数カウント工程（Ｓ１２０）と、フレーム単位のショット密度マップ作成工程（Ｓ２３０）と、チップ単位のショット密度マップ作成工程（Ｓ２４０）と、描画時間予測工程（Ｓ４０２）と、描画工程（Ｓ４０４）と、いう一連の工程を実施する。

或いは、ショット分割工程（Ｓ１０２）と、ショット数マップ作成工程（Ｓ１０４）と、データ量見積工程（Ｓ１０６）と、データ量判定工程（Ｓ１０８）と、選択工程（Ｓ１０９）と、マージ数演算工程（Ｓ２１１）と、仮ショットメッシュ設定工程（Ｓ２１２）と、割り当て工程（Ｓ２１４）と、ショット有無判定工程（Ｓ２１６）と、仮ショットメッシュマージ処理工程（Ｓ２１８）と、ＳＦ数カウント工程（Ｓ２２０）と、フレーム単位のショット密度マップ作成工程（Ｓ２３０）と、チップ単位のショット密度マップ作成工程（Ｓ２４０）と、描画時間予測工程（Ｓ４０２）と、描画工程（Ｓ４０４）と、いう一連の工程を実施する。

すなわち、ＳＦ数をカウントする手法として、データ量が閾値以下の場合には、ショットメッシュ設定工程（Ｓ１１０）と、割り当て工程（Ｓ１１４）からＳＦ数カウント工程（Ｓ１２０）までの各工程とを実施する手法（１−１）を実施する。データ量が閾値より大きい場合には、ショットメッシュ設定工程（Ｓ１１２）からＳＦ数カウント工程（Ｓ１２０）までの各工程を実施する手法（１−２）と、マージ数演算工程（Ｓ２１１）からＳＦ数カウント工程（Ｓ２２０）までの各工程を実施する手法（２）とのいずれかを実施する。かかる手法の選択は、まずは、データ量によって判定される。次に、手法（１−２）と手法（２）とのいずれかを選択する。

ここで、ＳＦ内の各ショット位置にショット図形を描画する際にかかる時間（ショット時間）は、ショット図形に成形されたビームの照射時間と副偏向器２０９に偏向電圧を印加する図示しないＤＡＣ（デジタルアナログ変換）アンプの静定時間（セトリング時間）との和にショット図形の数、すなわちショット数を乗じた値で演算できる。かかるショット数を求めるためにショット数マップを作成する。

ショット分割工程（Ｓ１０２）として、まず、図形パターン読出部６０は、チップデータ内の各セル内の各図形パターンデータを読み出す。そして、読み出された各図形パターンデータは、ショット分割処理部６２に出力される。次に、ショット分割処理部６２は、チップデータ内の各図形パターンデータを入力し、図形パターン毎に、電子ビーム２００による１回のショットで照射可能なサイズで図形パターンを複数のショット図形に分割する。

そして、割当処理部６４は、チップの領域が所定のサイズでメッシュ状に仮想分割された複数のメッシュ領域に対してショット図形を割り当てる。かかるメッシュ領域のサイズは、ＳＦ３０のサイズと同じであっても良いし、ＳＦサイズより大きくても良い。

ショット数マップ作成工程（Ｓ１０４）として、ショット数マップ作成部９０は、メッシュ領域毎に割り当てられたショット図形数をカウントする。そして、かかる処理を例えば後述するフレーム単位で求め、ショット数マップを作成する。その後、チップ単位にマージして、チップ単位のショット数マップを作成する。

データ量見積工程（Ｓ１０６）として、データ量見積部６６は、ショット密度マップを作成する場合のショット密度マップのデータ量を見積もる。ここでは、ショット密度マップを構成するショットメッシュ領域のサイズを、例えば、ＳＦ３０のサイズとして演算する。
ケース１：例えば、チップサイズが１０００μｍ角で、ＳＦサイズが２０μｍ角であり、各ショットメッシュ領域（マップ要素）に定義されるマップ値のデータ量が２４バイトとする。かかる条件において、ショット密度マップのデータ量は、（１０００／２０）^２×２４＝６０ｋＢとなる。
ケース２：例えば、チップサイズが１５００００μｍ角で、ＳＦサイズが１０μｍ角であり、各ショットメッシュ領域（マップ要素）に定義されるマップ値のデータ量が２４バイトとする。かかる条件において、ショット密度マップのデータ量は、（１５００００／１０）^２×２４＝５．４ＧＢとなる。

データ量判定工程（Ｓ１０８）として、データ量判定部６７は、ショット密度マップのデータ量が予め設定された閾値よりも大きいかどうかを判定する。ショット密度マップのデータ量が予め設定された閾値よりも大きい場合には、選択工程（Ｓ１０９）に進む。

選択工程（Ｓ１０９）として、選択部６８は、ショット密度マップのデータ量が予め設定された閾値よりも大きい場合に、手法（１−２）と手法（２）のうち１つを選択する。

ショット密度マップのデータ量が予め設定された閾値よりも大きくない場合には、ショットメッシュ設定工程（Ｓ１１０）に進む。言い換えれば、手法（１−１）を選択する。例えば、閾値を１ＧＢとする場合、上述した例では、ケース１は閾値よりも小さいので手法（１−１）を選択する。一方、ケース２は閾値よりも大きいので手法（１−２）或いは手法（２）を選択する。

ショットメッシュ設定工程（Ｓ１１０）として、ショットメッシュ設定部７０（第１のメッシュ領域設定部の一例）は、ＳＦ３０の縦横幅サイズのｎ倍（但し、ｎ＝１）のサイズ、言い換えれば、ＳＦ３０と同じサイズでチップの領域がメッシュ状に仮想分割された複数のショットメッシュ領域（第１のメッシュ領域の一例）を設定する。上述したように描画処理では、多段偏向器の１つである主偏向器２０８を用いて試料１０１の描画領域１０が同サイズでメッシュ状に仮想分割された複数のＳＦ３０（小領域）間を移動するように電子ビームを偏向する。手法（１−１）では、かかるＳＦ３０のｎ倍（但し、ｎ＝１）のサイズでショットメッシュ領域を設定する。

ｎ演算工程（Ｓ１１１）として、ｎ演算部９３は、ショット密度マップのデータ量が予め設定された閾値以内となるようにショットメッシュ領域を設定するための値ｎを演算する。値ｎは描画処理毎に求めると良い。

ショットメッシュ設定工程（Ｓ１１２）として、ショットメッシュ設定部７０（第１のメッシュ領域設定部の一例）は、ＳＦ３０の縦横幅サイズのｎ倍のサイズでチップの領域がメッシュ状に仮想分割された複数のショットメッシュ領域（第１のメッシュ領域の一例）を設定する。上述したように描画処理では、多段偏向器の１つである主偏向器２０８を用いて試料１０１の描画領域１０が同サイズでメッシュ状に仮想分割された複数のＳＦ３０（小領域）間を移動するように電子ビームを偏向する。手法（１−２）では、かかるＳＦ３０のｎ倍（ｎ＞１、ｎは実数、例えば、整数）のサイズでショットメッシュ領域を設定する。以下、手法（１−２）について説明する。手法（１−１）については、手法（１−２）のｎ＝１の場合と同様である。

図４は、実施の形態１におけるショットメッシュ領域を説明するための図である。図４において、チップ４４は、例えば、短冊状に複数のフレーム領域４６に仮想分割される。そして、各フレーム領域４６は、ＳＦ３０の縦横幅サイズのｎ倍のサイズ（Δ＝ｎ×ＳＦサイズ）で複数のショットメッシュ領域４８に仮想分割される。図４の例では、ｎ＝２の場合を示している。

割り当て工程（Ｓ１１４）として、割当処理部６４は、複数のショットメッシュ領域４８に複数のショット図形３２を割り当てる。ショット図形３２は、既にショット分割処理により作成されたデータを流用すればよい。

ショット有無判定工程（Ｓ１１６）として、ショット有無判定部７２は、ショットメッシュ領域４８毎に、割り当てられたショット図形３２の有無を判定する。

ＳＦ数カウント工程（Ｓ１２０）として、ＳＦ数カウント部７４は、ショット図形有りと判定されたショットメッシュ領域４８についてはｎ×ｎ値を演算し、ＳＦ数としてカウントする。ショット図形無しと判定されたショットメッシュ領域４８については、ＳＦ数はゼロ値になる。図４の例では、ショット図形有りと判定されたショットメッシュ領域４８についてはＳＦ数が４（＝２×２）となる。

フレーム単位のショット密度マップ作成工程（Ｓ２３０）として、フレーム単位ショット密度マップ作成部７６（フレーム単位ショット有領域数マップ作成部）は、ショット図形有りと判定されたショットメッシュ領域４８についてはｎ×ｎ値を、ショット図形無しと判定されたショットメッシュ領域４８についてはゼロ値を、それぞれマップ値とするフレーム領域４６単位のショット密度マップ（ショット図形有領域数マップ）を作成する。

チップ単位のショット密度マップ作成工程（Ｓ２４０）として、チップ単位ショット密度マップ作成部７８（チップ単位ショット有領域数マップ作成部）は、フレーム領域４６単位のショット密度マップをマージ処理して、チップ４４単位のショット密度マップ（ショット図形有領域数マップ）を作成する。

図５は、実施の形態１におけるショット密度マップの一例を示す図である。図５に示すようにチップ単位ショット密度マップ５０は、ショットメッシュ領域４８をマップの構成要素として作成される。そして、チップ４４単位のショット密度マップに定義される各マップ値は、ショット図形有りと判定されたショットメッシュ領域４８についてはｎ×ｎ値が、ショット図形無しと判定されたショットメッシュ領域４８についてはゼロ値が、定義されている。

なお、ＳＦサイズは描画処理毎に可変に設定できるので、ｎ値は描画処理毎に可変に設定するとよい。ｎ＝１に近づくほど高精度になる。また、ＳＦ数をカウントする際、パターン面積密度を考慮しても好適である。例えば、図示しないパターン面積密度演算部を用いて、ショットメッシュ領域４８内に割り当てられたショット図形のパターン面積密度ρを演算する。そして、得られたＳＦ数にパターン面積密度ρを乗じた値をショット密度マップに定義するＳＦ数とする。例えば、ＳＦ数＝ｎ×ｎ×ρで求めることができる。これにより、よりＳＦ数を高精度に求めることができる。

以上のようにして、手法（１）（手法（１−１）及び手法（１−２））では、チップ単位のショット密度マップを作成する。手法（１）では、後述する手法（２）よりも処理工程が少なく、より短時間でマップ作成が可能である。よって、ＳＦサイズが大きい場合、或いはチップサイズが小さい場合には、ｎ値を１により近づけることができるので特に有効できる。特に、データ量が閾値内の場合にはｎ値を１にできるので特に有効である（手法（１−１）。しかし、ＳＦサイズが小さい場合、或いはチップサイズが大きい場合、ショット密度マップのデータ量が大きくなってしまう。その際、ｎ値を大きくしてデータ量を抑制する必要が生じる。よって、かかる場合にはｎ値を１よりも大きい値に設定する手法（１−２）を用いることができる。しかし、手法（１−２）では、例えば、ｎ＝４に設定されていた場合、ショットメッシュ領域４８は、１６個のＳＦ３０で構成されることになる。かかる１６個のＳＦ３０のうち、例えば、１つのＳＦ３０にだけショット図形が割り当てられる場合、本来のＳＦ数は１で良いところ、手法（１−２）では１６とカウントされることなる。よって、ｎ値を大きくしていくと、それに応じて誤差が大きくなっていく。よって、手法（１−２）を用いることでも良いが、データ量が大きくなってしまう場合には、工程数が増えたとしても誤差が手法（１−２）より小さい後述する手法（２）を用いた方がさらに有効である。そこで、実施の形態１では、上述したデータ量判定工程（Ｓ１０８）と選択工程（Ｓ１０９）を実施することで、より適した手法を選択できる。次に、手法（２）について説明する。

マージ数演算工程（Ｓ２１１）として、マージ数演算部６９は、後述する仮ショットメッシュマージ処理工程（Ｓ２１８）で仮ショットメッシュ領域（第１のメッシュ領域の一例）をマージ処理する仮ショットメッシュ領域の個数（マージ数）を演算する。マージ数として、ショット密度マップのデータ量が上述した閾値以下になるように値を求めると良い。

仮ショットメッシュ設定工程（Ｓ２１２）として、仮ショットメッシュ設定部８０（第１のメッシュ領域設定部の一例）は、ＳＦサイズと同様の縦横幅サイズでチップ４４の領域がメッシュ状に仮想分割された複数の仮ショットメッシュ領域（第１のメッシュ領域の一例）を設定する。

図６は、実施の形態１における仮ショットメッシュ領域を説明するための図である。図６において、上述したようにチップ４４は、例えば、短冊状に複数のフレーム領域４６に仮想分割される。そして、各フレーム領域４６は、ＳＦ３０の縦横幅サイズと同じサイズ（Δ’＝ＳＦサイズ）で複数の仮ショットメッシュ領域４９に仮想分割される。

割り当て工程（Ｓ２１４）として、割当処理部６４は、複数の仮ショットメッシュ領域４９に複数のショット図形３２を割り当てる。ショット図形３２は、既にショット分割処理により作成されたデータを流用すればよい。なお、ショット図形３２は、各ショット図形３２の基準点Ｂ（図２に示すＢ点）が位置する仮ショットメッシュ領域４９に割り当てられる。

ショット有無判定工程（Ｓ２１６）として、ショット有無判定部８２は、仮ショットメッシュ領域４９毎に、割り当てられたショット図形３２の有無を判定する。

仮ショットメッシュマージ処理工程（Ｓ２１８）として、マージ処理部８４は、複数の仮ショットメッシュ領域４９について、隣接する２以上の仮ショットメッシュ領域４９毎にマージ処理する。

図７は、実施の形態１におけるマージ処理後の仮ショットメッシュ領域とショットメッシュ領域とを説明するための図である。図７の例では、マージ数として、ｘ方向に２個ずつ、ｙ方向に２個ずつマージ処理を行う場合を示している。よって、２×２の仮ショットメッシュ領域４９によって１つのショットメッシュ領域４８が構成される。

ＳＦ数カウント工程（Ｓ２２０）として、ＳＦ数カウント部８６（計測部）は、マージ処理されたことによりそれぞれ２以上の仮ショットメッシュ領域４９が合成された複数のショットメッシュ領域４８（第２のメッシュ領域の一例）のショットメッシュ領域４８毎に、当該ショットメッシュ領域４８内のショット図形３２が有りと判定された仮ショットメッシュ領域４９の数を計測（カウント）する。１つのショットメッシュ領域４８が、例えば２×２の４つの仮ショットメッシュ領域４９で構成される場合、かかる４つの仮ショットメッシュ領域４９のうち、３つの仮ショットメッシュ領域４９にショット図形３２が配置される場合にはＳＦ数は３となる。また、かかる４つの仮ショットメッシュ領域４９のうち、１つの仮ショットメッシュ領域４９にショット図形３２が配置される場合にはＳＦ数は１となる。このように、ショット図形３２が配置されるＳＦ数を高精度にカウントできる。

フレーム単位のショット密度マップ作成工程（Ｓ２３０）として、フレーム単位ショット密度マップ作成部７６（フレーム単位ショット有領域数マップ作成部）は、ショットメッシュ領域４８毎に計測された仮ショットメッシュ領域４９の数をそれぞれマップ値とするフレーム領域４６単位のショット密度マップ（ショット図形有領域数マップ）を作成する。

チップ単位のショット密度マップ作成工程（Ｓ２４０）として、チップ単位ショット密度マップ作成部７８（チップ単位ショット有領域数マップ作成部）は、フレーム領域４６単位のショット密度マップをマージ処理して、チップ４４単位のショット密度マップ（ショット図形有領域数マップ）を作成する。図５に示したようにチップ単位ショット密度マップ５０は、ショットメッシュ領域４８をマップの構成要素として作成される。そして、チップ４４単位のショット密度マップに定義される各マップ値は、ショットメッシュ領域４８毎に計測された仮ショットメッシュ領域４９の数が定義されている。

手法（２）では、手法（１）におけるｎ＝１の場合と同様の高精度なＳＦ数をカウントできると共に、マージ処理されることでマップを構成する要素（ショットメッシュ領域４８）数を減らせるので、ショット密度マップ５０のデータ量を小さくできる。

描画時間予測工程（Ｓ４０２）として、描画時間予測部９２は、チップ４４単位のショット密度マップとショット数マップとを用いて、当該チップを描画する際の描画時間を予測する。描画時間は、各ショット図形３２を描画する際にかかるショットサイクルの合計時間と、ＳＦ３０間をビーム移動させるための各偏向時間の合計時間と、ストライプ領域間をビーム移動させるためのステージ移動時間の合計時間等との和によって求めることができる。

ショットサイクルの合計時間Ｔｓは、各ビームのショットの照射時間ｔ’と副偏向器２０９に偏向電圧を印加する図示しないＤＡＣアンプの静定時間（セトリング時間）ｔｓとの和に合計ショット数Ｎｔｏｔａｌを乗じた値として次の式（１）で計算（予測）できる。合計ショット数Ｎｔｏｔａｌは、チップ４４単位のショット数マップのマップ値の合計で求めることができる。照射時間ｔ’は、近接効果等の補正によりショット毎に可変になり得るが、ここでは１回のショットにおける最大照射時間で近似すればよい。セトリング時間ｔｓは、一定値で良い。
（１） Ｔｓ＝（ｔ’＋ｔｓ）・Ｎｔｏｔａｌ

ＳＦ３０間をビーム移動させるための各偏向時間の合計時間（偏向時間）Ｔｄは、主偏向器２０８に偏向電圧を印加する図示しないＤＡＣアンプの静定時間（セトリング時間）ｔｓ’にショット図形３２が配置されるＳＦ数Ｎｓｆを乗じた値として次の式（２）で計算（予測）できる。ＳＦ数Ｎｓｆは、チップ４４単位のショット密度マップのマップ値の合計で求めることができる。このように、描画時間予測部９２（偏向時間予測部の一例）は、ショット密度マップ５０を用いて、当該チップ４４を描画する場合における複数のＳＦ３０間をビームが移動するように主偏向器２０８で偏向するための偏向時間を予測する。
（２） Ｔｄ＝ｔｓ’・Ｎｓｆ

よって、ストライプ領域間をビーム移動させるためのステージ移動時間の合計時間等をΔＴとすれば、当該チップを描画する際の描画時間Ｔは、次の式（３）で計算（予測）できる。
（３） Ｔ＝Ｔｓ＋Ｔｄ＋ΔＴ

以上のように高精度なＳＦ数で偏向時間を予測することで、より高精度な描画時間を予測することができる。予測された描画時間は出力される。例えば、図示しないモニタ、プリンタ、記憶装置、或いは外部に出力され、ユーザに認識させることができる。

そして、かかる描画時間予測を行った後、かかるチップについて実際に描画処理を進めていく。

ショットデータ生成工程として、ショットデータ生成部４０は、記憶装置１４０からチップデータを読み出し、複数段のデータ変換処理を行って、装置固有のショットデータを生成する。上述したように、描画装置１００で図形パターンを描画するためには、１回のビームのショットで照射できるサイズに描画データに定義された各図形パターンを分割する必要がある。そこで、ショットデータ生成部４０は、実際に描画するために、各図形パターンを１回のビームのショットで照射できるサイズに分割してショット図形を生成する。そして、ショット図形毎にショットデータを生成する。ショットデータには、例えば、図形種、図形サイズ、及び照射位置といった図形データが定義される。生成されたショットデータは、記憶装置１４６に記憶される。

また、一方で、照射量演算工程として、照射量演算部４２は、所定のサイズのメッシュ領域毎の照射量を演算する。照射量は、基準照射量Ｄｂａｓｅに補正係数を乗じた値で演算できる。補正係数として、例えば、かぶり効果の補正を行うためのかぶり効果補正照射係数Ｄｆ（ρ）を用いると好適である。かぶり効果補正照射係数Ｄｆ（ρ）は、かぶり用メッシュのパターン密度ρに依存する関数である。かぶり効果は、その影響半径が、数ｍｍに及ぶため、補正演算を行なうには、かぶり用メッシュのサイズを影響半径の１／１０程度、例えば、１ｍｍにすると好適である。そして、かかるかぶり用メッシュのパターン密度ρは、上述した各階層で演算されたパターン密度を利用すればよい。その他、照射量は、近接効果補正用の補正係数やローディング補正用の補正係数等で補正しても好適である。これらの補正においてもそれぞれの計算用のメッシュ領域におけるパターン密度が利用される。これらのパターン密度についても上述した各階層で演算されたパターン密度を利用しても構わない。そして、照射量演算部４２は、演算された各照射量を領域毎に定義した照射量マップを作成する。以上のように、実施の形態１では、照射量補正を行う際のパターン密度ρについても、高精度なパターン密度ρが得られるので、より高精度に補正された照射量を演算することができる。生成された照射量マップは、記憶装置１４６に記憶される。

描画工程（Ｓ４０４）として、描画処理部４３は、制御回路１３０に描画処理を行うように制御信号を出力する。制御回路１３０は、記憶装置１４６からショットデータと照射量マップを入力し、描画処理部４３から制御信号に従って描画部１５０を制御し、描画部１５０は、電子ビーム２００を主偏向器２０８と副偏向器２０９の多段偏向器で多段偏向させながら、当該チップ４４内の複数の図形パターンを試料１０１に描画する。具体的には、以下のように動作する。

電子銃２０１（放出部）から放出された電子ビーム２００は、照明レンズ２０２により矩形例えば長方形の穴を持つ第１のアパーチャ２０３全体を照明する。ここで、電子ビーム２００をまず矩形に成形する。そして、第１のアパーチャ２０３を通過した第１のアパーチャ像の電子ビーム２００は、投影レンズ２０４により第２のアパーチャ２０６上に投影される。偏向器２０５によって、かかる第２のアパーチャ２０６上での第１のアパーチャ像は偏向制御され、ビーム形状と寸法を変化させる（可変成形させる）ことができる。そして、第２のアパーチャ２０６を通過した第２のアパーチャ像の電子ビーム２００は、対物レンズ２０７により焦点を合わせ、主偏向器２０８及び副偏向器２０９によって偏向され、連続的に移動するＸＹステージ１０５に配置された試料１０１の所望する位置に照射される。図１では、位置偏向に、主副２段の多段偏向を用いた場合を示している。かかる場合には、主偏向器２０８でＳＦ３０の基準位置Ａにステージ移動に追従しながら該当ショットの電子ビーム２００を偏向し、副偏向器２０９でＳＦ３０内の各照射位置にかかる該当ショットのビームを偏向すればよい。

以上のように、実施の形態１によれば、ショット図形３２がショットされるＳＦ数を高精度にカウントできる。よって、複数のＳＦ間を偏向するための偏向時間を高精度に予測できる。

実施の形態２．
実施の形態１における手法（２）では、ＳＦ３０と同様のサイズに設定した仮ショットメッシュ領域４９をマージ処理してショットメッシュ領域４８を設定し、ショットメッシュ領域４８内のパターンが配置される仮ショットメッシュ領域４９数をカウントする。かかる処理をフレーム領域４６単位で実施し、その後にチップ４４単位にマージする。かかる処理では、次の誤差が生じ得る。

図８は、実施の形態２の比較例におけるＳＦ数誤差を説明するためのショット密度マップの一例を示す図である。図８に示す比較例として、実施の形態１における手法（２）を用いる。描画装置１００では、複数のチップをマージ処理したマージチップ（仮想チップ）を用いて描画処理を実施する場合がある。図８の例では、チップ４４ａ（仮想チップの構成チップ１）とチップ４４ｂ（仮想チップの構成チップ２）とをマージ処理したマージチップ４５（仮想チップ）のＳＦ数をカウントする場合を示している。チップ４４ａの領域は、複数のショットメッシュ領域４８ａに仮想分割される。各ショットメッシュ領域４８ａには図形パターン３１が配置される。ここでは、ショット分割前の図形パターン３１を示しているが、ＳＦ数をカウントする際にはショット図形が割り当てられることは言うまでもない。各ショットメッシュ領域４８ａは、例えば２×２の４つの仮ショットメッシュ領域４９によって構成される。同様に、チップ４４ｂの領域は、複数のショットメッシュ領域４８ｂに仮想分割される。各ショットメッシュ領域４８ｂには図形パターン３１が配置される。各ショットメッシュ領域４８ｂは、例えば２×２の４つの仮ショットメッシュ領域４９によって構成される。仮ショットメッシュ領域４９とＳＦ３０は同サイズで構成されるので、図８の例では、仮ショットメッシュ領域４９の代わりに「ＳＦ」で表示している。

図８では、チップ４４ａのショット密度マップについて、左下のショットメッシュ領域４８ａ内にショット図形有りと判定された仮ショットメッシュ領域４９の数が、例えば、３つ（ＳＦ：３）と定義されていることを示している。同様に、右下のショットメッシュ領域４８ａ内にショット図形有りと判定された仮ショットメッシュ領域４９の数が、例えば、２つ（ＳＦ：２）と定義されていることを示している。同様に、左上のショットメッシュ領域４８ａ内にショット図形有りと判定された仮ショットメッシュ領域４９の数が、例えば、３つ（ＳＦ：３）と定義されていることを示している。同様に、右上のショットメッシュ領域４８ａ内にショット図形有りと判定された仮ショットメッシュ領域４９の数が、例えば、４つ（ＳＦ：４）と定義されていることを示している。

また、チップ４４ｂのショット密度マップについて、左下のショットメッシュ領域４８ｂ内にショット図形有りと判定された仮ショットメッシュ領域４９の数が、例えば、３つ（ＳＦ：３）と定義されていることを示している。同様に、右下のショットメッシュ領域４８ｂ内にショット図形有りと判定された仮ショットメッシュ領域４９の数が、例えば、３つ（ＳＦ：３）と定義されていることを示している。同様に、左上のショットメッシュ領域４８ｂ内にショット図形有りと判定された仮ショットメッシュ領域４９の数が、例えば、４つ（ＳＦ：４）と定義されていることを示している。同様に、右上のショットメッシュ領域４８ｂ内にショット図形有りと判定された仮ショットメッシュ領域４９の数が、例えば、２つ（ＳＦ：２）と定義されていることを示している。

かかるチップ４４ａとチップ４４ｂとをマージ処理した場合、マージチップ４５のショット密度マップでは、左下のショットメッシュ領域４８ｃ内にショット図形有りと判定された仮ショットメッシュ領域４９の数が、６つ（ＳＦ：６）になってしまう。同様に、右下のショットメッシュ領域４８ｃ内にショット図形有りと判定された仮ショットメッシュ領域４９の数が５つ（ＳＦ：５）になってしまう。同様に、左上のショットメッシュ領域４８ｃ内にショット図形有りと判定された仮ショットメッシュ領域４９の数が７つ（ＳＦ：７）になってしまう。同様に、右上のショットメッシュ領域４８ｃ内にショット図形有りと判定された仮ショットメッシュ領域４９の数が６つ（ＳＦ：６）になってしまう。しかしながら、マージ処理後のマージチップ４５のショット密度マップについても各ショットメッシュ領域４８ｃは、例えば２×２の４つの仮ショットメッシュ領域４９によって構成される。よって、各ショットメッシュ領域４８ｃが取りえるＳＦ数は４以下のはずである。

以上のように、ショットメッシュ領域４８同士が重なり合う場合には、ショット密度マップに定義されるＳＦ数に誤差が生じてしまう。なお、図８の例では、複数のチップをマージ処理する場合に重なり合うショットメッシュ領域４８の誤差についての一例を示したが、各チップ４４の隣接するフレーム領域４６同士の境界上で重なり合うショットメッシュ領域４８についても同様の誤差が生じ得る。そこで、実施の形態２では、かかる誤差を補正する構成について説明する。

図９は、実施の形態２における制御計算機の内部構成を示す図である。図９において、実施の形態２における描画装置１００の構成は、制御計算機１１０内に、ＳＦ密度マップ作成部８１、論理和演算部８３、ＳＦ数カウント部８５、論理和演算部８９、ＳＦ数カウント部９１、及びマージチップ単位ショット密度マップ作成部９３を追加配置した点以外は、図１と同様である。

図形パターン読出部６０、ショット分割処理部６２、割当処理部６４、データ量見積部６６、データ量判定部６８、マージ数演算部６９、ショットメッシュ設定部７０、ショット有無判定部７２、サブフィールド（ＳＦ）数カウント部７４、フレーム単位ショット密度マップ作成部７６、チップ単位ショット密度マップ作成部７８、仮ショットメッシュ設定部８０、ショット有無判定部８２、マージ処理部８４、ＳＦ数カウント部８６、ショット数マップ作成部９０、描画時間予測部９２、ＳＦ密度マップ作成部８１、論理和演算部８３、ＳＦ数カウント部８５、論理和演算部８９、ＳＦ数カウント部９１、及びマージチップ単位ショット密度マップ作成部９３といった機能は、電気回路等のハードウェアで構成されてもよいし、これらの機能を実行するプログラム等のソフトウェアで構成されてもよい。或いは、ハードウェアとソフトウェアの組み合わせにより構成されてもよい。図形パターン読出部６０、ショット分割処理部６２、割当処理部６４、データ量見積部６６、データ量判定部６８、マージ数演算部６９、ショットメッシュ設定部７０、ショット有無判定部７２、サブフィールド（ＳＦ）数カウント部７４、フレーム単位ショット密度マップ作成部７６、チップ単位ショット密度マップ作成部７８、仮ショットメッシュ設定部８０、ショット有無判定部８２、マージ処理部８４、ＳＦ数カウント部８６、ショット数マップ作成部９０、描画時間予測部９２、ＳＦ密度マップ作成部８１、論理和演算部８３、ＳＦ数カウント部８５、論理和演算部８９、ＳＦ数カウント部９１、及びマージチップ単位ショット密度マップ作成部９３に入出力される情報および演算中の情報はメモリ１１２にその都度格納される。

図１０は、実施の形態２における描画方法の要部工程の一部を示すフローチャート図である。図１０では、手法（２）のフローについて、ショット有無判定工程（Ｓ２１６）の後に、フレーム単位のＳＦ密度マップ作成工程（Ｓ２３２）を追加した点と、フレーム単位のショット密度マップ作成工程（Ｓ２３０）とチップ単位のショット密度マップ作成工程（Ｓ２４０）との間に、チップ単位のＳＦ密度マップ作成工程（論理和演算工程）（Ｓ２３４）とＳＦ数カウント工程（Ｓ２３６）とを追加した点と、チップ単位のショット密度マップ作成工程（Ｓ２４０）と描画時間予測工程（Ｓ４０２）との間に、マージチップ単位のＳＦ密度マップ作成工程（論理和演算工程）（論理和演算工程）（Ｓ２５０）とＳＦ数カウント工程（Ｓ２５４）とマージチップ単位のショット密度マップ作成工程（Ｓ２５６）とを追加した点と、以外は、図３と同様である。また、以下説明する点以外の内容は、実施の形態１と同様である。

ショット分割工程（Ｓ１０２）と、ショット数マップ作成工程（Ｓ１０４）と、データ量見積工程（Ｓ１０６）と、データ量判定工程（Ｓ１０８）との各工程の内容は実施の形態１と同様である。また、ショットメッシュ設定工程（Ｓ１１２）からＳＦ数カウント工程（Ｓ１２０）までの各工程を実施する手法（１）の内容は実施の形態１と同様である。また、手法（２）について、マージ数演算工程（Ｓ２１１）からショット有無判定工程（Ｓ２１６）までの各工程の内容は実施の形態１と同様である。

フレーム単位のＳＦ密度マップ作成工程（Ｓ２３２）として、ＳＦ密度マップ作成部８１（ショット図形有無マップ作成部）は、ショット図形有りと判定された仮ショットメッシュ領域４９（第１のメッシュ領域の一例）については１を、ショット図形無しと判定された仮ショットメッシュ領域４９についてはゼロ値を、それぞれマップ値とするＳＦ密度マップ（ショット図形有無マップ）を作成する。ここでは、まず、フレーム単位のＳＦ密度マップ（ショット図形有無マップ）を作成する。なお、ショット図形の有無は、各ショット図形３２の基準点Ｂ（図２に示すＢ点）が位置する仮ショットメッシュ領域４９で判定される。

図１１は、実施の形態２におけるＳＦ密度マップの一例を示す図である。図１１に示すように、フレーム単位のＳＦ密度マップ５１は、フレーム領域４６について複数の仮ショットメッシュ領域４９（第１のメッシュ領域の一例）をマップの構成要素とする。そして、各仮ショットメッシュ領域４９には、上述したように、ショット図形有りならば１が、ショット図形無しならばゼロ値が定義される。

仮ショットメッシュマージ処理工程（Ｓ２１８）と、ＳＦ数カウント工程（Ｓ２２０）と、フレーム単位のショット密度マップ作成工程（Ｓ２３０）の各工程の内容は、実施の形態１と同様である。

チップ単位のＳＦ密度マップ作成工程（論理和演算工程）（Ｓ２３４）として、論理和演算部８３は、各フレーム単位のＳＦ密度マップをマージ処理して、チップ単位のＳＦ密度マップを作成する。その際、論理和演算部８３は、隣接するフレーム領域４６間の境界で互いに重なる仮ショットメッシュ領域４９（第１のメッシュ領域）同士について、ＳＦ密度マップのマップ値同士を論理和演算する。言い換えれば、チップ４４内で同じ位置に相当する仮ショットメッシュ領域４９同士について論理和演算を行う。

図１２は、実施の形態２におけるＳＦ密度マップのフレーム境界部分の一例を示す図である。フレーム領域４６に分割する際の分割幅（フレーム幅、或いはフレーム高さともいう）と、ＳＦ３０のサイズとが一致する或いは整数倍になるとは限らない。仮ショットメッシュ領域４９は、ＳＦ３０と同サイズで作成されるので、同じチップ４４内の隣接するフレーム領域４６（４６ａ，４６ｂ）同士の境界４１上では、それぞれのフレーム領域４６の端部に位置する仮ショットメッシュ領域４９（４９ａ，４９ｂ）同士が重なり合う場合がある。図１２の例では、フレーム領域４６ａでは、左側の仮ショットメッシュ領域４９から順に、０，０，１，１が定義されている。フレーム領域４６ｂでは、左側の仮ショットメッシュ領域４９から順に、１，０，１，０が定義されている。チップ単位にマージ処理する場合に、図８で説明したように、それぞれのフレーム領域４６の重なり合うショットメッシュ領域４８同士のＳＦ数を加算してしまうと誤差が生じる。そこで、互いに重なる仮ショットメッシュ領域４９（第１のメッシュ領域）同士について、ＳＦ密度マップのマップ値同士を論理和演算する。その結果、チップ単にマージ処理後は、図８に示すように、左側の仮ショットメッシュ領域４９から順に、１，０，１，１が定義されることになる。これにより、チップ単にマージ処理後の各仮ショットメッシュ領域４９のショット図形有無が０，１の２値で明確に区別できる。

ＳＦ数カウント工程（Ｓ２３６）として、ＳＦ数カウント部８５（計測部）は、論理和演算によって１と演算された仮ショットメッシュ領域４９をショット図形有りの仮ショットメッシュ領域４９として計測（カウント）する。

チップ単位のショット密度マップ作成工程（Ｓ２４０）として、チップ単位ショット密度マップ作成部７８（チップ単位ショット有領域数マップ作成部）は、フレーム領域４６単位のショット密度マップをマージ処理して、チップ４４単位のショット密度マップ（ショット図形有領域数マップ）を作成する。その際、隣接するフレーム領域４６間の境界で互いに重なっていた仮ショットメッシュ領域４９については、ＳＦ数カウント工程（Ｓ２３６）においてカウントされた値を用いる。

以上により、隣接するフレーム領域４６間でショットメッシュ領域４８同士が重なり合う場合でも、ショット密度マップに定義されるＳＦ数に誤差が生じないようにできる。

複数のチップがマージ処理されないで単独チップのパターンが描画される場合には、描画時間予測工程（Ｓ４０２）へと進めばよい。また、作成されたチップ単位のショット密度マップは、出力される。或いは記憶装置に記憶される。これにより、別の描画処理の際に、今回、作成されたチップ単位のショット密度マップを流用できる。複数のチップがマージ処理される場合には続いて以下の各工程を実施する。

マージチップ単位のＳＦ密度マップ作成工程（論理和演算工程）（論理和演算工程）（Ｓ２５０）として、論理和演算部８９は、各チップ単位のＳＦ密度マップをマージ処理して、マージチップ単位のＳＦ密度マップを作成する。その際、論理和演算部８３は、複数のチップをマージ処理することによって互いに重なる仮ショットメッシュ領域４９同士について、チップ単位のＳＦ密度マップのマップ値同士を論理和演算する。言い換えれば、マージ処理される複数のチップ４４において同じ位置に相当する仮ショットメッシュ領域４９同士について論理和演算を行う。

図１３は、実施の形態２におけるチップ単位のＳＦ密度マップの一例を示す図である。図１３の例では、チップ４４ａ（仮想チップの構成チップ１）とチップ４４ｂ（仮想チップの構成チップ２）とをマージ処理したマージチップ４５（仮想チップ）のＳＦ数をカウントする場合を示している。チップ４４ａの領域は、複数の仮ショットメッシュ領域４９ａに仮想分割される。なお、内容の理解をしやすくするために、例えば２×２の４つの仮ショットメッシュ領域４９ａによって構成されるショットメッシュ領域４８ａについても便宜上示している。同様に、チップ４４ｂの領域は、複数の仮ショットメッシュ領域４９ｂに仮想分割される。なお、理解しやすくするために、例えば２×２の４つの仮ショットメッシュ領域４９ｂによって構成されるショットメッシュ領域４８ｂについても便宜上示している。また、仮ショットメッシュ領域４９とＳＦ３０は同サイズで構成されるので、図１３の例では、図８と同様、仮ショットメッシュ領域４９の代わりに「ＳＦ」で表示している。

図８と同様の図形パターン３１がチップ４４ａ，４４ｂに配置される場合、チップ４４ａ，４４ｂの各ＳＦ密度マップは、以下のようになる。

図１３では、チップ４４ａのＳＦ密度マップについて、左下のショットメッシュ領域４８ａを構成する２×２の仮ショットメッシュ領域４９ａのうち、左下の仮ショットメッシュ領域４９ａにはショット図形が配置されるので「１」が定義される。同様に、左上の仮ショットメッシュ領域４９ａにはショット図形が配置されるので「１」が定義される。同様に、右上の仮ショットメッシュ領域４９にはショット図形が配置されるので「１」が定義される。しかし、右下の仮ショットメッシュ領域４９ａにはショット図形が配置されないので「０」が定義される。

チップ４４ａのＳＦ密度マップについて、右下のショットメッシュ領域４８ａを構成する２×２の仮ショットメッシュ領域４９ａのうち、左下の仮ショットメッシュ領域４９ａにはショット図形が配置されないので「０」が定義される。同様に、右下の仮ショットメッシュ領域４９ａにはショット図形が配置されないので「０」が定義される。しかし、左上の仮ショットメッシュ領域４９ａにはショット図形が配置されるので「１」が定義される。同様に、右上の仮ショットメッシュ領域４９ａにはショット図形が配置されるので「１」が定義される。

チップ４４ａのＳＦ密度マップについて、左上のショットメッシュ領域４８ａを構成する２×２の仮ショットメッシュ領域４９ａのうち、左下の仮ショットメッシュ領域４９にはショット図形が配置されるので「１」が定義される。同様に、右下の仮ショットメッシュ領域４９ａにはショット図形が配置されるので「１」が定義される。同様に、左上の仮ショットメッシュ領域４９ａにはショット図形が配置されるので「１」が定義される。しかし、右上の仮ショットメッシュ領域４９ａにはショット図形が配置されないので「０」が定義される。

チップ４４ａのＳＦ密度マップについて、右上のショットメッシュ領域４８ａを構成する２×２の仮ショットメッシュ領域４９ａのうち、左下の仮ショットメッシュ領域４９にはショット図形が配置されるので「１」が定義される。同様に、右下の仮ショットメッシュ領域４９ａにはショット図形が配置されるので「１」が定義される。同様に、左上の仮ショットメッシュ領域４９ａにはショット図形が配置されるので「１」が定義される。同様に、右上の仮ショットメッシュ領域４９ａにはショット図形が配置されるので「１」が定義される。

チップ４４ｂについても、ショット分割工程（Ｓ１０２）と、ショット数マップ作成工程（Ｓ１０４）と、データ量見積工程（Ｓ１０６）と、データ量判定工程（Ｓ１０８）との各工程と、マージ数演算工程（Ｓ２１１）からショット有無判定工程（Ｓ２１６）までの各工程を実施することで、チップ４４ａと同様に、ＳＦ密度マップを作成できる。

図１３では、チップ４４ｂのＳＦ密度マップについて、左下のショットメッシュ領域４８ｂを構成する２×２の仮ショットメッシュ領域４９ｂのうち、左下の仮ショットメッシュ領域４９ｂにはショット図形が配置されないので「０」が定義される。しかし、右下の仮ショットメッシュ領域４９ｂにはショット図形が配置されるので「１」が定義される。同様に、左上の仮ショットメッシュ領域４９ｂにはショット図形が配置されるので「１」が定義される。同様に、右上の仮ショットメッシュ領域４９ｂにはショット図形が配置されるので「１」が定義される。

チップ４４ｂのＳＦ密度マップについて、右下のショットメッシュ領域４８ｂを構成する２×２の仮ショットメッシュ領域４９ｂのうち、左下の仮ショットメッシュ領域４９ｂにはショット図形が配置されるので「１」が定義される。同様に、右下の仮ショットメッシュ領域４９ｂにはショット図形が配置されるので「１」が定義される。同様に、左上の仮ショットメッシュ領域４９ｂにはショット図形が配置されるので「１」が定義される。しかし、右上の仮ショットメッシュ領域４９ａにはショット図形が配置されないので「０」が定義される。

チップ４４ｂのＳＦ密度マップについて、左上のショットメッシュ領域４８ｂを構成する２×２の仮ショットメッシュ領域４９ｂのうち、左下の仮ショットメッシュ領域４９ｂにはショット図形が配置されるので「１」が定義される。同様に、右下の仮ショットメッシュ領域４９ｂにはショット図形が配置されるので「１」が定義される。同様に、左上の仮ショットメッシュ領域４９ｂにはショット図形が配置されるので「１」が定義される。同様に、右上の仮ショットメッシュ領域４９ｂにはショット図形が配置されるので「１」が定義される。

チップ４４ｂのＳＦ密度マップについて、右上のショットメッシュ領域４８ｂを構成する２×２の仮ショットメッシュ領域４９ｂのうち、左下の仮ショットメッシュ領域４９ｂにはショット図形が配置されるので「１」が定義される。同様に、左上の仮ショットメッシュ領域４９ｂにはショット図形が配置されるので「１」が定義される。しかし、右下の仮ショットメッシュ領域４９ｂにはショット図形が配置されないので「０」が定義される。同様に、同様に、右上の仮ショットメッシュ領域４９ｂにはショット図形が配置されないので「０」が定義される。

チップ４４ａのＳＦ密度マップとチップ４４ｂのＳＦ密度マップとを論理和演算することにより、図１３に示すように、マージ処理後のマージチップ４５のＳＦ密度マップについて、左下のショットメッシュ領域４８ｃを構成する２×２の仮ショットメッシュ領域４９ｃには、共に「１」が定義される。

マージチップ４５のＳＦ密度マップについて、右下のショットメッシュ領域４８ｃを構成する２×２の仮ショットメッシュ領域４９ｃには、共に「１」が定義される。

マージチップ４５のＳＦ密度マップについて、左上のショットメッシュ領域４８ｃを構成する２×２の仮ショットメッシュ領域４９ｃには、共に「１」が定義される。

マージチップ４５のＳＦ密度マップについて、右上のショットメッシュ領域４８ｃを構成する２×２の仮ショットメッシュ領域４９ｃには、共に「１」が定義される。

ＳＦ数カウント工程（Ｓ２５４）として、ＳＦ数カウント部９１（第２の計測部）は、論理和演算によって１と演算された仮ショットメッシュ領域４９ｃをショット図形有りの仮ショットメッシュ領域４９ｃとして、ショットメッシュ領域４８ｃ（第２のメッシュ領域）毎に、当該ショットメッシュ領域４８ｃ内のショット図形が有りと判定された仮ショットメッシュ領域４９ｃの数を計測する。

マージチップ単位のショット密度マップ作成工程（Ｓ２５６）として、マージチップ単位ショット密度マップ作成部９３（マージチップ単位ショット有領域数マップ作成部）は、複数のチップ４４ａ，４４ｂがマージ処理されたマージチップ４５について、ＳＦ数カウント工程（Ｓ２５４）で計測された仮ショットメッシュ領域４９ｃの数をマップ値とするマージチップ４５領域単位のショット密度マップ（ショット図形有領域数マップ）を作成する。図１３の例では、マージ処理後のマージチップ４５のショット密度マップでは、左下のショットメッシュ領域４８ｃのＳＦ数は４つ、右下のショットメッシュ領域４８ｃのＳＦ数は４つ、左上のショットメッシュ領域４８ｃのＳＦ数は４つ、右上のショットメッシュ領域４８ｃのＳＦ数は４つ、となり、いずれも誤差を生じさせていない。

以上により、複数のチップをマージ処理する場合でも、ショット密度マップに定義されるＳＦ数に誤差が生じないようにできる。

以上のように、実施の形態２では、マージ処理によってショットメッシュ領域４８の一部或いは全部が重なり合う場合でも、マージ処理後の各ショットメッシュ領域４８に定義されるＳＦ数に誤差が生じないようにできる。

以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。

また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。

その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電粒子ビーム描画装置及び方法は、本発明の範囲に包含される。

１０ 描画領域
２０ ストライプ領域
３０ ＳＦ
３１ 図形パターン
３２ ショット図形
４０ ショットデータ生成部
４２ 照射量演算部
４３ 描画処理部
４４ チップ
４５ マージチップ
４６ フレーム領域
４８ ショットメッシュ領域
４９ 仮ショットメッシュ領域
５０ ショット密度マップ
５１ ＳＦ密度マップ
６０ 図形パターン読出部
６２ ショット分割処理部
６４ 割当処理部
６６ データ量見積部
６７ データ量判定部
６８ 選択部
６９ マージ数演算部
７０ ショットメッシュ設定部
７２ ショット有無判定部
７４ ＳＦ数カウント部
７６ フレーム単位ショット密度マップ作成部
７８ チップ単位ショット密度マップ作成部
８０ 仮ショットメッシュ設定部
８１ ＳＦ密度マップ作成部
８２ ショット有無判定部
８３，８９ 論理和演算部
８４ マージ処理部
８５，９１ ＳＦ数カウント部
８６ ＳＦ数カウント部
９０ ショット数マップ作成部
９２ 描画時間予測部
９３ マージチップ単位ショット密度マップ作成部
１００ 描画装置
１０１，３４０ 試料
１０２ 電子鏡筒
１０３ 描画室
１０５ ＸＹステージ
１１０，１２０ 制御計算機
１１２ メモリ
１３０ 制御回路
１４０，１４２，１４６ 記憶装置
１５０ 描画部
１６０ 制御部
２００ 電子ビーム
２０１ 電子銃
２０２ 照明レンズ
２０３，４１０ 第１のアパーチャ
２０４ 投影レンズ
２０５ 偏向器
２０６，４２０ 第２のアパーチャ
２０７ 対物レンズ
２０８ 主偏向器
２０９ 副偏向器
３３０ 電子線
４１１ 開口
４２１ 可変成形開口
４３０ 荷電粒子ソース

Claims (7)

1. 複数の図形パターンを有するチップのデータが定義された描画データを記憶する記憶部と、
   多段偏向器の１つを用いて試料の描画領域が同サイズでメッシュ状に仮想分割された複数の小領域間を移動するように荷電粒子ビームを偏向する場合の前記複数の小領域の各小領域と同様の縦横幅サイズで前記チップの領域がメッシュ状に仮想分割された複数の第１のメッシュ領域を設定する第１のメッシュ領域設定部と、
   図形パターン毎に、荷電粒子ビームによる１回のショットで照射可能なサイズで図形パターンを複数のショット図形に分割するショット分割処理部と、
   前記複数の第１のメッシュ領域に前記複数のショット図形を割り当て、第１のメッシュ領域毎に、割り当てられたショット図形の有無を判定するショット有無判定部と、
   前記複数の第１のメッシュ領域について、隣接する２以上の第１のメッシュ領域毎にマージ処理するマージ処理部と、
   前記マージ処理されたことによりそれぞれ２以上の第１のメッシュ領域が合成された複数の第２のメッシュ領域の第２のメッシュ領域毎に、当該第２のメッシュ領域内のショット図形が有りと判定された第１のメッシュ領域の数を計測する計測部と、
   計測された第１のメッシュ領域の数をマップ値とする前記チップの領域単位のショット図形有領域数マップを作成するチップ単位ショット有領域数マップ作成部と、
   前記ショット図形有領域数マップを用いて、当該チップを描画する場合における前記複数の小領域間をビームが移動するように偏向するための偏向時間を予測する偏向時間予測部と、
   前記多段偏向器を有し、荷電粒子ビームを前記多段偏向器で多段偏向させながら、当該チップ内の前記複数の図形パターンを試料に描画する描画部と、
   を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
2. 複数の図形パターンを有するチップのデータが定義された描画データを記憶する記憶部と、
   多段偏向器の１つを用いて試料の描画領域が同サイズでメッシュ状に仮想分割された複数の小領域間を移動するように荷電粒子ビームを偏向する場合の前記複数の小領域の各小領域の縦横幅サイズのｎ倍のサイズで前記チップの領域がメッシュ状に仮想分割された複数の第１のメッシュ領域を設定する第１のメッシュ領域設定部と、
   図形パターン毎に、荷電粒子ビームによる１回のショットで照射可能なサイズで図形パターンを複数のショット図形に分割するショット分割処理部と、
   前記複数の第１のメッシュ領域に前記複数のショット図形を割り当て、第１のメッシュ領域毎に、割り当てられたショット図形の有無を判定するショット有無判定部と、
   ショット図形有りと判定された第１のメッシュ領域についてはｎ×ｎ値を、ショット図形無しと判定された第１のメッシュ領域についてはゼロ値を、それぞれマップ値とする前記チップの領域単位のショット図形有領域数マップを作成するチップ単位ショット有領域数マップ作成部と、
   前記ショット図形有領域数マップを用いて、当該チップを描画する場合における前記複数の小領域間をビームが移動するように偏向するための偏向時間を予測する偏向時間予測部と、
   前記多段偏向器を有し、荷電粒子ビームを前記多段偏向器で多段偏向させながら、当該チップ内の前記複数の図形パターンを試料に描画する描画部と、
   を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
3. 第１のメッシュ領域をマージ処理するためのマージ数を演算するマージ数演算部をさらに備えたことを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム描画装置。
4. ショット図形有りと判定された第１のメッシュ領域については１を、ショット図形無しと判定された第１のメッシュ領域についてはゼロ値を、それぞれマップ値とするショット図形有無マップを作成するショット図形有無マップ作成部と、
   前記チップの領域が短冊状に仮想分割された複数のフレーム領域のフレーム領域毎に、計測された第１のメッシュ領域の数をマップ値とする前記フレーム領域単位のショット図形有領域数マップを作成するフレーム単位ショット有領域数マップ作成部と、
   隣接するフレーム領域間の境界で互いに重なる第１のメッシュ領域同士について、前記ショット図形有無マップのマップ値同士を論理和演算する論理和演算部と、
   をさらに備え、
   前記ショット図形の有無は、当該ショット図形の基準点が存在するか否かで判定され、
   前記計測部は、論理和演算によって１と演算された第１のメッシュ領域をショット図形有りの第１のメッシュ領域として計測することを特徴とする請求項１又は３記載の荷電粒子ビーム描画装置。
5. 前記ショット図形の有無は、当該ショット図形の基準点が存在するか否かで判定され、
   ショット図形有りと判定された第１のメッシュ領域については１を、ショット図形無しと判定された第１のメッシュ領域についてはゼロ値を、それぞれマップ値とするショット図形有無マップを作成するショット図形有無マップ作成部と、
   複数のチップをマージ処理することによって互いに重なる第１のメッシュ領域同士について、前記ショット図形有無マップのマップ値同士を論理和演算する論理和演算部と、
   論理和演算によって１と演算された第１のメッシュ領域をショット図形有りの第１のメッシュ領域として、前記第２のメッシュ領域毎に、当該第２のメッシュ領域内のショット図形が有りと判定された第１のメッシュ領域の数を計測する第２の計測部と、
   複数のチップがマージ処理されたマージチップについて、計測された第１のメッシュ領域の数をマップ値とする前記マージチップの領域単位のショット図形有領域数マップを作成するマージチップ単位ショット有領域数マップ作成部と、
   をさらに備えたことを特徴とする請求項１又は３記載の荷電粒子ビーム描画装置。
6. 多段偏向器の１つを用いて試料の描画領域が同サイズでメッシュ状に仮想分割された複数の小領域間を移動するように荷電粒子ビームを偏向する場合の前記複数の小領域の各小領域と同様の縦横幅サイズで、複数の図形パターンを有するチップの領域がメッシュ状に仮想分割された複数の第１のメッシュ領域を設定する工程と、
   図形パターン毎に、荷電粒子ビームによる１回のショットで照射可能なサイズで図形パターンを複数のショット図形に分割する工程と、
   前記複数の第１のメッシュ領域に前記複数のショット図形を割り当て、第１のメッシュ領域毎に、割り当てられたショット図形の有無を判定する工程と、
   前記複数の第１のメッシュ領域について、隣接する２以上の第１のメッシュ領域毎にマージ処理する工程と、
   前記マージ処理されたことによりそれぞれ２以上の第１のメッシュ領域が合成された複数の第２のメッシュ領域の第２のメッシュ領域毎に、当該第２のメッシュ領域内のショット図形が有りと判定された第１のメッシュ領域の数を計測する工程と、
   計測された第１のメッシュ領域の数をマップ値とする前記チップの領域単位のマップを作成する工程と、
   前記マップを用いて、当該チップを描画する場合における前記複数の小領域間をビームが移動するように偏向するための偏向時間を予測する工程と、
   荷電粒子ビームを前記多段偏向器で多段偏向させながら、当該チップ内の前記複数の図形パターンを試料に描画する工程と、
   を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
7. 多段偏向器の１つを用いて試料の描画領域が同サイズでメッシュ状に仮想分割された複数の小領域間を移動するように荷電粒子ビームを偏向する場合の前記複数の小領域の各小領域の縦横幅サイズのｎ倍のサイズで、複数の図形パターンを有するチップの領域がメッシュ状に仮想分割された複数の第１のメッシュ領域を設定する工程と、
   図形パターン毎に、荷電粒子ビームによる１回のショットで照射可能なサイズで図形パターンを複数のショット図形に分割する工程と、
   前記複数の第１のメッシュ領域に前記複数のショット図形を割り当て、第１のメッシュ領域毎に、割り当てられたショット図形の有無を判定する工程と、
   ショット図形有りと判定された第１のメッシュ領域についてはｎ×ｎの値を、ショット図形無しと判定された第１のメッシュ領域についてはゼロ値を、それぞれマップ値とする前記チップの領域単位のマップを作成する工程と、
   前記マップを用いて、当該チップを描画する場合における前記複数の小領域間をビームが移動するように偏向するための偏向時間を予測する工程と、
   前記多段偏向器を有し、荷電粒子ビームを前記多段偏向器で多段偏向させながら、当該チップ内の前記複数の図形パターンを試料に描画する工程と、
   を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。