JP3006554B2 - 電子線露光方法 - Google Patents
電子線露光方法Info
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- JP3006554B2 JP3006554B2 JP9209029A JP20902997A JP3006554B2 JP 3006554 B2 JP3006554 B2 JP 3006554B2 JP 9209029 A JP9209029 A JP 9209029A JP 20902997 A JP20902997 A JP 20902997A JP 3006554 B2 JP3006554 B2 JP 3006554B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子線を用いて半
導体基板等の被露光基板を露光して、被露光基板に所望
の描画パターンを形成するための電子線露光方法に関
し、特に、電子線のショット位置精度を向上させること
ができる電子線露光方法に関する。
導体基板等の被露光基板を露光して、被露光基板に所望
の描画パターンを形成するための電子線露光方法に関
し、特に、電子線のショット位置精度を向上させること
ができる電子線露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の高集積化、微細
化により、半導体基板上に形成される回路パターンの線
幅は非常に小さいものとなってきている。これに伴い、
半導体基板上に回路パターンを形成するリソグラフィ工
程ではさらに微細なパターンの転写が要求されている。
このようなパターンの微細化の要求を満たす方法とし
て、電子線露光方法が知られている。
化により、半導体基板上に形成される回路パターンの線
幅は非常に小さいものとなってきている。これに伴い、
半導体基板上に回路パターンを形成するリソグラフィ工
程ではさらに微細なパターンの転写が要求されている。
このようなパターンの微細化の要求を満たす方法とし
て、電子線露光方法が知られている。
【０００３】図６は、従来の電子線露光方法を実施する
ための電子線露光装置を概略的に示す説明図である。図
６に示すように、従来の電子線露光装置は、電子線２０
を出射する電子銃２１と、所定間隔を隔てて平行に配置
された第１アパーチャ２２及び第２アパーチャ２３と、
第１アパーチャ２２を通って第２アパーチャ２３に至る
電子線２０を偏向する成形偏向器２４と、第２アパーチ
ャ２３を通った電子線２０を偏向して、ステージ２５に
載置された被露光基板２６上に照射する位置決め偏向器
２７と、を有する。
ための電子線露光装置を概略的に示す説明図である。図
６に示すように、従来の電子線露光装置は、電子線２０
を出射する電子銃２１と、所定間隔を隔てて平行に配置
された第１アパーチャ２２及び第２アパーチャ２３と、
第１アパーチャ２２を通って第２アパーチャ２３に至る
電子線２０を偏向する成形偏向器２４と、第２アパーチ
ャ２３を通った電子線２０を偏向して、ステージ２５に
載置された被露光基板２６上に照射する位置決め偏向器
２７と、を有する。
【０００４】位置決め偏向器２７は、２段若しくは３段
の偏向器が用いられ、最上段の主偏向器２８と２段目以
降の副偏向器２９とを有する。主偏向器２８には電磁偏
向器が用いられ、副偏向器２９には静電偏向器が用いら
れる。
の偏向器が用いられ、最上段の主偏向器２８と２段目以
降の副偏向器２９とを有する。主偏向器２８には電磁偏
向器が用いられ、副偏向器２９には静電偏向器が用いら
れる。
【０００５】ステージ２５は、ステージ駆動装置（図示
せず）によって駆動され、被露光部材２６を所望の位置
に移動させることができる。
せず）によって駆動され、被露光部材２６を所望の位置
に移動させることができる。
【０００６】電子銃２１から出射された電子線２０は、
第１アパーチャ２２によって短形に成形され、成形偏向
器２４により第２アパーチャ２３上に照射され、任意寸
法の短形の電子線２０を形成する。短形に成形された電
子線２０は、位置決め偏向器２７により被露光基板２６
上の所定の位置に照射され、一筆書きの如くパターンを
１つずつ露光する。
第１アパーチャ２２によって短形に成形され、成形偏向
器２４により第２アパーチャ２３上に照射され、任意寸
法の短形の電子線２０を形成する。短形に成形された電
子線２０は、位置決め偏向器２７により被露光基板２６
上の所定の位置に照射され、一筆書きの如くパターンを
１つずつ露光する。
【０００７】なお、電子銃２１と第１アパーチャ２２と
の間にはブランキング電極（図示せず）が設けられ、第
２アパーチャ２３と位置決め偏向器２７との間には、ブ
ランキング板３０が設けられる。そして、ブランキング
電極に電圧を印可して、ステージ２５の移動時又は被露
光基板２６上に電子線２０を到達させたくない時に電子
線を偏向させて、ブランキング板３０の周辺の遮蔽部に
当たるようにする。
の間にはブランキング電極（図示せず）が設けられ、第
２アパーチャ２３と位置決め偏向器２７との間には、ブ
ランキング板３０が設けられる。そして、ブランキング
電極に電圧を印可して、ステージ２５の移動時又は被露
光基板２６上に電子線２０を到達させたくない時に電子
線を偏向させて、ブランキング板３０の周辺の遮蔽部に
当たるようにする。
【０００８】図７は、従来の電子線露光方法を示す説明
図である。電子線露光では、主偏向器２８による電子線
の偏向可能な領域が数ｍｍ四方と狭いため、図７（ａ）
に示すように、被露光基板２６である半導体デパイスの
チップを複数の主偏向領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ・・・に分割
して露光を行う。各主偏向領域内は、図７（ｂ）に示す
ように、さらに複数の副偏向領域３１に分割され、電子
線露光位置においては副偏向領域３１内をさらに副副偏
向領域（図示せず）に分割する。
図である。電子線露光では、主偏向器２８による電子線
の偏向可能な領域が数ｍｍ四方と狭いため、図７（ａ）
に示すように、被露光基板２６である半導体デパイスの
チップを複数の主偏向領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ・・・に分割
して露光を行う。各主偏向領域内は、図７（ｂ）に示す
ように、さらに複数の副偏向領域３１に分割され、電子
線露光位置においては副偏向領域３１内をさらに副副偏
向領域（図示せず）に分割する。
【０００９】主偏向領域Ａ内では、四隅の一端から描画
が始められ（例えば、左下端）、他の四隅の一端（例え
ば右上端）で描画を終了する。主偏向領域Ａの描画が終
了すると、次に、描画を行う主偏向領域Ｂの中心部が電
子線の光軸の中心に位置するように、被露光基板２６を
搭載したステージ２５を移動させ、次の主偏向領域Ｂの
左下端から描画を開始する。
が始められ（例えば、左下端）、他の四隅の一端（例え
ば右上端）で描画を終了する。主偏向領域Ａの描画が終
了すると、次に、描画を行う主偏向領域Ｂの中心部が電
子線の光軸の中心に位置するように、被露光基板２６を
搭載したステージ２５を移動させ、次の主偏向領域Ｂの
左下端から描画を開始する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】図８は、主偏向領域Ａ
とＢの描画を行ったときの、主偏向器２８による電子線
の偏向方向と偏向量の変化を示す説明図である。図８
中、実線は主偏向領域Ａの描画時の主偏向器２８の出力
変化を示し、点線は、主偏向領域Ｂの描画時の主偏向器
２８の出力変化を示す。
とＢの描画を行ったときの、主偏向器２８による電子線
の偏向方向と偏向量の変化を示す説明図である。図８
中、実線は主偏向領域Ａの描画時の主偏向器２８の出力
変化を示し、点線は、主偏向領域Ｂの描画時の主偏向器
２８の出力変化を示す。
【００１１】主偏向領域Ａで主偏向器２８により電子線
を左下から順に右上まで偏向して描画を行い、新しい主
偏向領域Ｂで描画を開始するとき、図８に示すように、
主偏向器２８により電子線が主偏向領域の右上から左下
まで対角線状に大きく偏向される。主偏向器２８には電
磁偏向が主に用いられるため、電子線の偏向方向や偏向
量が大きく変化すると、自己インダクタンス等の影響で
偏向精度が劣化する。このため、新しい主偏向領域の最
初に描画が行われる副偏向領域では、電子線の偏向精度
が安定しないため、ショットの位置精度が劣化する。
を左下から順に右上まで偏向して描画を行い、新しい主
偏向領域Ｂで描画を開始するとき、図８に示すように、
主偏向器２８により電子線が主偏向領域の右上から左下
まで対角線状に大きく偏向される。主偏向器２８には電
磁偏向が主に用いられるため、電子線の偏向方向や偏向
量が大きく変化すると、自己インダクタンス等の影響で
偏向精度が劣化する。このため、新しい主偏向領域の最
初に描画が行われる副偏向領域では、電子線の偏向精度
が安定しないため、ショットの位置精度が劣化する。
【００１２】また、ショットの位置精度を劣化させない
ために、十分な整定待ち時間を設定すると、スループッ
トが低下する。
ために、十分な整定待ち時間を設定すると、スループッ
トが低下する。
【００１３】図９は、主偏向器２８の出力変化量と、電
子線のショットの位置精度が安定するまでの時間（整定
待ち時間）との関係を示すグラフである。図９からわか
るように、主偏向器２８によって電子線を大きく偏向し
て出力変化量が増大すると、それに伴い整定待ち時間が
長くなり、その結果、スループットが低下する。
子線のショットの位置精度が安定するまでの時間（整定
待ち時間）との関係を示すグラフである。図９からわか
るように、主偏向器２８によって電子線を大きく偏向し
て出力変化量が増大すると、それに伴い整定待ち時間が
長くなり、その結果、スループットが低下する。
【００１４】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたものであり、スループットを低下させることなく、
電子線のショット位置精度を向上させることができる電
子線露光方法を提供することを目的とする。
れたものであり、スループットを低下させることなく、
電子線のショット位置精度を向上させることができる電
子線露光方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の電子線露光方法
は、移動可能なステージに載置される被露光基板を複数
の偏向領域に分割し、各偏向領域内で電子線を偏向しな
がら被露光基板に照射して、所望のパターンを露光する
電子線露光方法において、（１）偏向領域内で、露光終
了時の電子線の偏向状態を保持する工程と、（２）電子
線の偏向状態を保持しながら、次の偏向領域内にステー
ジを移動させる工程と、（３）ステージの移動後に、保
持された電子線の偏向状態の位置から次の偏向領域内で
電子線を偏向して露光を行う工程と、を有することを特
徴とするものである。
は、移動可能なステージに載置される被露光基板を複数
の偏向領域に分割し、各偏向領域内で電子線を偏向しな
がら被露光基板に照射して、所望のパターンを露光する
電子線露光方法において、（１）偏向領域内で、露光終
了時の電子線の偏向状態を保持する工程と、（２）電子
線の偏向状態を保持しながら、次の偏向領域内にステー
ジを移動させる工程と、（３）ステージの移動後に、保
持された電子線の偏向状態の位置から次の偏向領域内で
電子線を偏向して露光を行う工程と、を有することを特
徴とするものである。
【００１６】この発明によれば、電子線の偏向状態を保
持しながら、次の偏向領域内にステージを移動させ、ス
テージの移動後に、保持された電子線の偏向状態から次
の偏向領域内で電子線を偏向して露光を行うので、偏向
器による電子線の偏向量を最小に抑えることができ、自
己インダクタンスの影響を排除することができる。
持しながら、次の偏向領域内にステージを移動させ、ス
テージの移動後に、保持された電子線の偏向状態から次
の偏向領域内で電子線を偏向して露光を行うので、偏向
器による電子線の偏向量を最小に抑えることができ、自
己インダクタンスの影響を排除することができる。
【００１７】本発明の他の形態の電子線露光方法は、移
動可能なステージに載置される被露光基板を複数の偏向
領域に分割し、各偏向領域内で電子線を偏向しながら被
露光基板に照射して、所望のパターンを露光する電子線
露光方法において、（１）偏向領域内で、露光終了時の
電子線の偏向状態を保持する工程と、（２）電子線の偏
向状態を保持しながら、次の偏向領域内にステージを移
動させる工程と、（３）ステージの移動後に、保持され
た電子線の偏向状態の位置に露光対象となるパターンが
存在するか否かを判定する工程と、（４）判定した結
果、パターンが存在する場合には、保持された電子線の
偏向状態の位置から電子線を偏向して露光を行い、パタ
ーンが存在しない場合には、保持された電子線の偏向状
態の位置から最も近接したパターンの位置まで電子線を
偏向した後、露光を行う工程と、を有することを特徴と
するものである。
動可能なステージに載置される被露光基板を複数の偏向
領域に分割し、各偏向領域内で電子線を偏向しながら被
露光基板に照射して、所望のパターンを露光する電子線
露光方法において、（１）偏向領域内で、露光終了時の
電子線の偏向状態を保持する工程と、（２）電子線の偏
向状態を保持しながら、次の偏向領域内にステージを移
動させる工程と、（３）ステージの移動後に、保持され
た電子線の偏向状態の位置に露光対象となるパターンが
存在するか否かを判定する工程と、（４）判定した結
果、パターンが存在する場合には、保持された電子線の
偏向状態の位置から電子線を偏向して露光を行い、パタ
ーンが存在しない場合には、保持された電子線の偏向状
態の位置から最も近接したパターンの位置まで電子線を
偏向した後、露光を行う工程と、を有することを特徴と
するものである。
【００１８】この発明によれば、ステージの移動後に、
保持された電子線の偏向状態の位置に露光対象となるパ
ターンが存在するか否かを判定し、判定した結果、パタ
ーンが存在する場合には、保持された電子線の偏向状態
の位置から電子線を偏向して露光を行い、パターンが存
在しない場合には、保持された電子線の偏向状態の位置
から最も近接したパターンの位置まで電子線を偏向した
後、露光を行うので、偏向器による電子線の偏向量が最
小限に抑えられる。
保持された電子線の偏向状態の位置に露光対象となるパ
ターンが存在するか否かを判定し、判定した結果、パタ
ーンが存在する場合には、保持された電子線の偏向状態
の位置から電子線を偏向して露光を行い、パターンが存
在しない場合には、保持された電子線の偏向状態の位置
から最も近接したパターンの位置まで電子線を偏向した
後、露光を行うので、偏向器による電子線の偏向量が最
小限に抑えられる。
【００１９】電子線の偏向状態を保持しながら、次の偏
向領域内にステージを移動させる工程は、電子線をブラ
ンキングして行われるのが好ましい。
向領域内にステージを移動させる工程は、電子線をブラ
ンキングして行われるのが好ましい。
【００２０】本発明のさらに他の形態の電子線露光方法
は、移動可能なステージに載置される被露光基板を複数
の偏向領域に分割し、各偏向領域内で電子線を偏向しな
がら被露光基板に照射して、所望のパターンを露光する
電子線露光方法において、（１）偏向領域内で、所望の
パターンを露光する工程と、（２）次の偏向領域内にス
テージを移動させる工程と、（３）次の偏向領域内で電
子線を偏向して露光を行う前に、実パターンに影響を与
えない疑似ショットを行う工程と、を有することを特徴
とするものである。
は、移動可能なステージに載置される被露光基板を複数
の偏向領域に分割し、各偏向領域内で電子線を偏向しな
がら被露光基板に照射して、所望のパターンを露光する
電子線露光方法において、（１）偏向領域内で、所望の
パターンを露光する工程と、（２）次の偏向領域内にス
テージを移動させる工程と、（３）次の偏向領域内で電
子線を偏向して露光を行う前に、実パターンに影響を与
えない疑似ショットを行う工程と、を有することを特徴
とするものである。
【００２１】この発明によれば、次の偏向領域内で電子
線を偏向して露光を行う前に、実パターンに影響を与え
ない疑似ショットを行うので、偏向器出力の不安定な時
間は疑似ショットが行われ、実パターンに対する描画時
には偏向器は安定した状態で描画が行われる。
線を偏向して露光を行う前に、実パターンに影響を与え
ない疑似ショットを行うので、偏向器出力の不安定な時
間は疑似ショットが行われ、実パターンに対する描画時
には偏向器は安定した状態で描画が行われる。
【００２２】上記疑似ショットは、電子線が被露光基板
に到達しないようにブランキングされてもよく、また、
電子線が被露光基板に到達しても解像されることのない
微小のショットであってもよい。
に到達しないようにブランキングされてもよく、また、
電子線が被露光基板に到達しても解像されることのない
微小のショットであってもよい。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら説明する。図１は、本発明の第１の実施
の形態に係る電子線露光方法を示す説明図である。図１
（ａ）に示すように、被露光基板１は複数の主偏向領域
に分割され、主偏向領域は、Ａ→Ｂ→Ｃ→Ｄの順で描画
される。
を参照しながら説明する。図１は、本発明の第１の実施
の形態に係る電子線露光方法を示す説明図である。図１
（ａ）に示すように、被露光基板１は複数の主偏向領域
に分割され、主偏向領域は、Ａ→Ｂ→Ｃ→Ｄの順で描画
される。
【００２４】まず、主偏向領域Ａの中心部が電子線の光
軸の中心に位置するようにステージ２５（図６参照）に
より、被露光基板１を移動させる。
軸の中心に位置するようにステージ２５（図６参照）に
より、被露光基板１を移動させる。
【００２５】次いで、電子線を主偏向器２８（図６参
照）により主偏向領域Ａの左下の副偏向領域２に偏向
し、描画を開始する。
照）により主偏向領域Ａの左下の副偏向領域２に偏向
し、描画を開始する。
【００２６】次いで、主偏向領域Ａにおける副偏向領域
２の描画が終了すると、図１（ｂ）の矢印で示すよう
に、主偏向器２８により電子線を偏向し、順に副偏向領
域２の描画を行う。
２の描画が終了すると、図１（ｂ）の矢印で示すよう
に、主偏向器２８により電子線を偏向し、順に副偏向領
域２の描画を行う。
【００２７】次いで、主偏向領域Ａ内の右上に位置する
最後の副偏向領域２の描画が終了すると、主偏向領域Ｂ
の中心部が電子線の光軸の中心に位置するようにステー
ジ２５を移動させる。このとき、電子線は主偏向器２８
によって右上に偏向されたままの状態に保持される。
最後の副偏向領域２の描画が終了すると、主偏向領域Ｂ
の中心部が電子線の光軸の中心に位置するようにステー
ジ２５を移動させる。このとき、電子線は主偏向器２８
によって右上に偏向されたままの状態に保持される。
【００２８】また、ステージ２５の移動の際、電子線は
ブランキングされる。ブランキングは、前述したよう
に、ブランキング電極に電圧を印可して、電子線をブラ
ンキング板３０（図６参照）で遮蔽することにより行わ
れる。また、ブランキング板３０を水平方向に移動させ
て、電子線を遮蔽してもよい。
ブランキングされる。ブランキングは、前述したよう
に、ブランキング電極に電圧を印可して、電子線をブラ
ンキング板３０（図６参照）で遮蔽することにより行わ
れる。また、ブランキング板３０を水平方向に移動させ
て、電子線を遮蔽してもよい。
【００２９】ステージ２５の移動後、主偏向領域Ｂで
は、主偏向器２８による電子線の偏向量を最小に抑える
ため、右上端の副偏向領域２から描画を開始され、矢印
で示すように電子線を偏向し、副偏向領域２の描画を行
う。
は、主偏向器２８による電子線の偏向量を最小に抑える
ため、右上端の副偏向領域２から描画を開始され、矢印
で示すように電子線を偏向し、副偏向領域２の描画を行
う。
【００３０】主偏向領域Ｂの描画が終了すると、主偏向
領域Ｃの中心部が電子線の光軸の中心に位置するように
ステージ２５を移動させる。このとき、電子線は主偏向
器２８によって左下に偏向されたままの状態に保持され
る。
領域Ｃの中心部が電子線の光軸の中心に位置するように
ステージ２５を移動させる。このとき、電子線は主偏向
器２８によって左下に偏向されたままの状態に保持され
る。
【００３１】ステージ２５の移動後、主偏向領域Ｃで
は、主偏向器２８による電子線の偏向量を最小に抑える
ため、左下端の副偏向領域２から描画を開始され、矢印
で示すように電子線を偏向し、副偏向領域２の描画を行
う。
は、主偏向器２８による電子線の偏向量を最小に抑える
ため、左下端の副偏向領域２から描画を開始され、矢印
で示すように電子線を偏向し、副偏向領域２の描画を行
う。
【００３２】主偏向領域Ｃの描画が終了すると、主偏向
領域Ｄの中心部が電子線の光軸の中心に位置するように
ステージ２５を移動させる。このとき、電子線は主偏向
器２８によって右上に偏向されたままの状態に保持され
る。
領域Ｄの中心部が電子線の光軸の中心に位置するように
ステージ２５を移動させる。このとき、電子線は主偏向
器２８によって右上に偏向されたままの状態に保持され
る。
【００３３】ステージ２５の移動後、主偏向領域Ｄで
は、主偏向器２８による電子線の偏向量を最小に抑える
ため、右上端の副偏向領域２から描画を開始され、矢印
で示すように電子線を偏向し、副偏向領域２の描画を行
う。
は、主偏向器２８による電子線の偏向量を最小に抑える
ため、右上端の副偏向領域２から描画を開始され、矢印
で示すように電子線を偏向し、副偏向領域２の描画を行
う。
【００３４】図２は、主偏向領域ＡとＢの描画を行った
ときの、主偏向器２８による電子線の偏向方向と偏向量
の変化を示す説明図である。図２に示すように、主偏向
領域Ａの描画が終了し、主偏向領域Ｂの描画が開始され
る時、主偏向器２８による電子線の偏向方向と偏向量は
変化しない。このため、主偏向器２８の自己インダクタ
ンスの影響を排除することができ、高いショット位置精
度が得られる。また、主偏向領域移動後の整定待ち時間
が短くできるため、スループットが向上する。
ときの、主偏向器２８による電子線の偏向方向と偏向量
の変化を示す説明図である。図２に示すように、主偏向
領域Ａの描画が終了し、主偏向領域Ｂの描画が開始され
る時、主偏向器２８による電子線の偏向方向と偏向量は
変化しない。このため、主偏向器２８の自己インダクタ
ンスの影響を排除することができ、高いショット位置精
度が得られる。また、主偏向領域移動後の整定待ち時間
が短くできるため、スループットが向上する。
【００３５】図３は、本発明の第２の実施の形態に係る
電子線露光方法を示すフローチャートである。この電子
線露光方法では、まず、ある偏向領域内で露光が終了す
ると（ステップＳ１）、その露光終了時の電子線の偏向
状態を保持する（ステップＳ２）。
電子線露光方法を示すフローチャートである。この電子
線露光方法では、まず、ある偏向領域内で露光が終了す
ると（ステップＳ１）、その露光終了時の電子線の偏向
状態を保持する（ステップＳ２）。
【００３６】次いで、電子線の偏向状態を保持しなが
ら、次の偏向領域内にステージ２５を移動させる（ステ
ップＳ３）。
ら、次の偏向領域内にステージ２５を移動させる（ステ
ップＳ３）。
【００３７】次いで、ステージ２５の移動後に、保持さ
れた電子線の偏向状態の位置に露光対象となるパターン
が存在するか否かを判定し（ステップＳ４）、判定した
結果、パターンが存在する場合には、保持された電子線
の偏向状態の位置（副偏向領域２）から電子線を偏向し
て露光を行う（ステップＳ５）。パターンが存在しない
場合には、保持された電子線の偏向状態の位置から最も
近接したパターンの位置まで電子線を偏向した後、露光
を行う（ステップＳ６）。
れた電子線の偏向状態の位置に露光対象となるパターン
が存在するか否かを判定し（ステップＳ４）、判定した
結果、パターンが存在する場合には、保持された電子線
の偏向状態の位置（副偏向領域２）から電子線を偏向し
て露光を行う（ステップＳ５）。パターンが存在しない
場合には、保持された電子線の偏向状態の位置から最も
近接したパターンの位置まで電子線を偏向した後、露光
を行う（ステップＳ６）。
【００３８】その主偏向領域で露光が終了すると（ステ
ップＳ７）、すべてのパターンを露光するまで、上記動
作を繰り返す（ステップＳ８）。
ップＳ７）、すべてのパターンを露光するまで、上記動
作を繰り返す（ステップＳ８）。
【００３９】図４は、本発明の第２の実施の形態に係る
電子線露光方法を説明するための説明図である。第１の
実施の形態では、主偏向領域を移動した後の描画は、前
の主偏向領域で描画された最後の副偏向領域２から開始
される。しかし、図４に示すように、主偏向領域には、
パターンが存在する領域Ｐ１とパターンが存在しない領
域Ｐ２があり、ステージ移動後の該当する副偏向領域２
内にパターンが存在しない場合がある。
電子線露光方法を説明するための説明図である。第１の
実施の形態では、主偏向領域を移動した後の描画は、前
の主偏向領域で描画された最後の副偏向領域２から開始
される。しかし、図４に示すように、主偏向領域には、
パターンが存在する領域Ｐ１とパターンが存在しない領
域Ｐ２があり、ステージ移動後の該当する副偏向領域２
内にパターンが存在しない場合がある。
【００４０】すなわち、図４に示す主偏向領域Ａでは最
も右上に位置する副偏向領域２ａで描画が終了する。し
かし、次に描画される主偏向領域Ｂでは、最も右上の副
偏向領域２ｂには描画パターンが存在しない。第２の実
施の形態では、このような場合、保持された電子線の偏
向状態の位置から最も近接したパターンの位置の副偏向
領域２ｃまで電子線を偏向し、その副偏向領域２ｃより
描画を開始する。保持された電子線の偏向状態の位置か
ら最も近接したパターンの位置の副偏向領域２ｃまで電
子線を偏向するので、主偏向器２８による電子線の偏向
量は最も小さくなる。
も右上に位置する副偏向領域２ａで描画が終了する。し
かし、次に描画される主偏向領域Ｂでは、最も右上の副
偏向領域２ｂには描画パターンが存在しない。第２の実
施の形態では、このような場合、保持された電子線の偏
向状態の位置から最も近接したパターンの位置の副偏向
領域２ｃまで電子線を偏向し、その副偏向領域２ｃより
描画を開始する。保持された電子線の偏向状態の位置か
ら最も近接したパターンの位置の副偏向領域２ｃまで電
子線を偏向するので、主偏向器２８による電子線の偏向
量は最も小さくなる。
【００４１】第２の実施の形態では、描画パターンデー
タを主偏向領域及び副偏向領域２に分割する際に、主偏
向器２８による電子線の偏向量が最小限に抑えられるよ
うに、副偏向領域２の描画順を設定する。このため、主
偏向器２８の自己インダクタンスの影響によるショット
の位置精度の低下を最小限に抑えることができる。
タを主偏向領域及び副偏向領域２に分割する際に、主偏
向器２８による電子線の偏向量が最小限に抑えられるよ
うに、副偏向領域２の描画順を設定する。このため、主
偏向器２８の自己インダクタンスの影響によるショット
の位置精度の低下を最小限に抑えることができる。
【００４２】なお、ステージ２５の移動後に、該当する
副偏向領域２にパターンが存在する場合には、第１の実
施の形態と同様に、その副偏向領域２から描画を開始す
る。
副偏向領域２にパターンが存在する場合には、第１の実
施の形態と同様に、その副偏向領域２から描画を開始す
る。
【００４３】図５は、本発明の第３の実施の形態に係る
電子線露光方法を示す説明図である。図５（ａ）に示す
ように、被露光基板１は複数の主偏向領域に分割され、
主偏向領域は、Ａ→Ｂ→Ｃ→Ｄの順で描画される。
電子線露光方法を示す説明図である。図５（ａ）に示す
ように、被露光基板１は複数の主偏向領域に分割され、
主偏向領域は、Ａ→Ｂ→Ｃ→Ｄの順で描画される。
【００４４】まず、主偏向領域Ａの中心部が電子線の光
軸の中心に位置するようにステージ２５により、被露光
基板１を移動させる。
軸の中心に位置するようにステージ２５により、被露光
基板１を移動させる。
【００４５】次いで、電子線を主偏向器２８により主偏
向領域Ａの左下の副偏向領域２に偏向し、描画を開始
し、右上に位置する副偏向領域２で描画が終了する。
向領域Ａの左下の副偏向領域２に偏向し、描画を開始
し、右上に位置する副偏向領域２で描画が終了する。
【００４６】次いで、主偏向領域Ｂの中心部が電子線の
光軸の中心に位置するように、ステージ２５により被露
光基板１を移動させ、電子線は主偏向器２８によって左
下の副偏向領域２を描画するため、対角線に偏向され
る。このとき、主偏向器２８の出力変化はＸ方向、Ｙ方
向とも最大となるため、偏向直後のショット位置精度は
安定しない。これを避けるため、図５（ｂ）に示すよう
に、主偏向領域の描画開始前に実パターン３に影響を与
えない疑似ショット４を行う。
光軸の中心に位置するように、ステージ２５により被露
光基板１を移動させ、電子線は主偏向器２８によって左
下の副偏向領域２を描画するため、対角線に偏向され
る。このとき、主偏向器２８の出力変化はＸ方向、Ｙ方
向とも最大となるため、偏向直後のショット位置精度は
安定しない。これを避けるため、図５（ｂ）に示すよう
に、主偏向領域の描画開始前に実パターン３に影響を与
えない疑似ショット４を行う。
【００４７】主偏向器２８の出力の不安定な時間は疑似
ショット４が行われ、実パターン３に対する描画時には
主偏向器２８は安定した状態で描画が行われる。このた
め、高いショット位置精度が得られる。
ショット４が行われ、実パターン３に対する描画時には
主偏向器２８は安定した状態で描画が行われる。このた
め、高いショット位置精度が得られる。
【００４８】第３の実施の形態で述べた疑似ショット４
は、実パターン３に影響を与えないことが必要である。
疑似ショット４を打つ時は、例えば、電子線が被露光基
板１に到達しないように、ブランキング板３０（図６参
照）によって電子線２０をブランキングしてもよい。
は、実パターン３に影響を与えないことが必要である。
疑似ショット４を打つ時は、例えば、電子線が被露光基
板１に到達しないように、ブランキング板３０（図６参
照）によって電子線２０をブランキングしてもよい。
【００４９】また、成形偏向器２４により、第２アパー
チャ２３上で第１アパーチャ２２を通過した電子線をブ
ランキングし、疑似ショット４を行ってもよい。
チャ２３上で第１アパーチャ２２を通過した電子線をブ
ランキングし、疑似ショット４を行ってもよい。
【００５０】さらに、被露光基板１上に電子線が到達し
ても解像しないような微小ショット（０．０５μｍ四方
以下程度）を疑似ショット４として行ってもよい。以上
の方法により、実パターン３に影響を与えることなく疑
似ショット４を行うことができる。
ても解像しないような微小ショット（０．０５μｍ四方
以下程度）を疑似ショット４として行ってもよい。以上
の方法により、実パターン３に影響を与えることなく疑
似ショット４を行うことができる。
【００５１】本発明は、上記実施の形態に限定されるこ
とはなく、特許請求の範囲に記載された技術的事項の範
囲内において、種々の変更が可能である。例えば、ステ
ージを移動させる次の偏向領域は、必ずしも隣接する偏
向領域に限らない。また、主偏向領域の露光順序は例示
であり、上記の説明に限るものではない。
とはなく、特許請求の範囲に記載された技術的事項の範
囲内において、種々の変更が可能である。例えば、ステ
ージを移動させる次の偏向領域は、必ずしも隣接する偏
向領域に限らない。また、主偏向領域の露光順序は例示
であり、上記の説明に限るものではない。
【００５２】
【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば、電子線
の偏向状態を保持しながら、次の偏向領域内にステージ
を移動させ、ステージの移動後に、保持された電子線の
偏向状態から次の偏向領域内で電子線を偏向して露光を
行うので、主偏向器による電子線の偏向量を最小に抑え
ることができ、自己インダクタンスの影響を排除するこ
とができる。その結果、偏向領域移動直後の描画におい
ても、高いショット位置精度が得られる。また、偏向領
域移動後の整定待ち時間が短くできるため、スループッ
トが向上する。
の偏向状態を保持しながら、次の偏向領域内にステージ
を移動させ、ステージの移動後に、保持された電子線の
偏向状態から次の偏向領域内で電子線を偏向して露光を
行うので、主偏向器による電子線の偏向量を最小に抑え
ることができ、自己インダクタンスの影響を排除するこ
とができる。その結果、偏向領域移動直後の描画におい
ても、高いショット位置精度が得られる。また、偏向領
域移動後の整定待ち時間が短くできるため、スループッ
トが向上する。
【００５３】請求項２に記載の発明によれば、ステージ
の移動後に、保持された電子線の偏向状態の位置に露光
対象となるパターンが存在するか否かを判定し、判定し
た結果、パターンが存在する場合には、保持された電子
線の偏向状態の位置から電子線を偏向して露光を行い、
パターンが存在しない場合には、保持された電子線の偏
向状態の位置から最も近接したパターンの位置まで電子
線を偏向した後、露光を行うので、偏向器による電子線
の偏向量が最小限に抑えられる。その結果、偏向器の自
己インダクタンスの影響によるショット位置精度の低下
を最小限に抑えることができる。
の移動後に、保持された電子線の偏向状態の位置に露光
対象となるパターンが存在するか否かを判定し、判定し
た結果、パターンが存在する場合には、保持された電子
線の偏向状態の位置から電子線を偏向して露光を行い、
パターンが存在しない場合には、保持された電子線の偏
向状態の位置から最も近接したパターンの位置まで電子
線を偏向した後、露光を行うので、偏向器による電子線
の偏向量が最小限に抑えられる。その結果、偏向器の自
己インダクタンスの影響によるショット位置精度の低下
を最小限に抑えることができる。
【００５４】請求項４に記載の発明によれば、次の偏向
領域内で電子線を偏向して露光を行う前に、実パターン
に影響を与えない疑似ショットを行うので、偏向器出力
の不安定な時間は疑似ショットが行われ、実パターンに
対する描画時には偏向器は安定した状態で描画が行われ
る。その結果、偏向器の振り遅れの影響を排除すること
ができ、高精度のショット位置精度を得ることができ
る。
領域内で電子線を偏向して露光を行う前に、実パターン
に影響を与えない疑似ショットを行うので、偏向器出力
の不安定な時間は疑似ショットが行われ、実パターンに
対する描画時には偏向器は安定した状態で描画が行われ
る。その結果、偏向器の振り遅れの影響を排除すること
ができ、高精度のショット位置精度を得ることができ
る。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る電子線露光方
法を示す説明図である。
法を示す説明図である。
【図２】主偏向領域ＡとＢの描画を行ったときの、主偏
向器による電子線の偏向方向と偏向量の変化を示す説明
図である。
向器による電子線の偏向方向と偏向量の変化を示す説明
図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態に係る電子線露光方
法を示すフローチャートである。
法を示すフローチャートである。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る電子線露光方
法を説明するための説明図である。
法を説明するための説明図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態に係る電子線露光方
法を示す説明図である。
法を示す説明図である。
【図６】従来の電子線露光方法を実施するための電子線
露光装置を概略的に示す説明図である。
露光装置を概略的に示す説明図である。
【図７】従来の電子線露光方法を示す説明図である。
【図８】主偏向領域ＡとＢの描画を行ったときの、主偏
向器による電子線の偏向方向と偏向量の変化を示す説明
図である。
向器による電子線の偏向方向と偏向量の変化を示す説明
図である。
【図９】主偏向器の出力変化量と、電子線のショットの
位置精度が安定するまでの時間（整定待ち時間）との関
係を示すグラフである。
位置精度が安定するまでの時間（整定待ち時間）との関
係を示すグラフである。
Ａ：主偏向領域 Ｂ：主偏向領域 Ｃ：主偏向領域 Ｄ：主偏向領域 １：被露光基板 ２：副偏向領域 ３：実パターン ４：疑似ショット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５４１Ｊ
Claims (6)
- 【請求項１】移動可能なステージに載置される被露光基
板を複数の偏向領域に分割し、各偏向領域内で電子線を
偏向しながら前記被露光基板に照射して、所望のパター
ンを露光する電子線露光方法において、（１）偏向領域
内で、露光終了時の電子線の偏向状態を保持する工程
と、（２）電子線の偏向状態を保持しながら、次の偏向
領域内にステージを移動させる工程と、（３）ステージ
の移動後に、保持された電子線の偏向状態の位置から次
の偏向領域内で電子線を偏向して露光を行う工程と、 を有することを特徴とする電子線露光方法。 - 【請求項２】移動可能なステージに載置される被露光基
板を複数の偏向領域に分割し、各偏向領域内で電子線を
偏向しながら前記被露光基板に照射して、所望のパター
ンを露光する電子線露光方法において、（１）偏向領域
内で、露光終了時の電子線の偏向状態を保持する工程
と、（２）電子線の偏向状態を保持しながら、次の偏向
領域内にステージを移動させる工程と、（３）ステージ
の移動後に、保持された電子線の偏向状態の位置に露光
対象となるパターンが存在するか否かを判定する工程
と、（４）判定した結果、パターンが存在する場合に
は、保持された電子線の偏向状態の位置から電子線を偏
向して露光を行い、パターンが存在しない場合には、保
持された電子線の偏向状態の位置から最も近接したパタ
ーンの位置まで電子線を偏向した後、露光を行う工程
と、 を有することを特徴とする電子線露光方法。 - 【請求項３】前記電子線の偏向状態を保持しながら、次
の偏向領域内にステージを移動させる工程は、電子線を
ブランキングして行われることを特徴とする請求項１又
は２に記載の電子線露光方法。 - 【請求項４】移動可能なステージに載置される被露光基
板を複数の偏向領域に分割し、各偏向領域内で電子線を
偏向しながら前記被露光基板に照射して、所望のパター
ンを露光する電子線露光方法において、（１）偏向領域
内で、所望のパターンを露光する工程と、（２）次の偏
向領域内にステージを移動させる工程と、（３）次の偏
向領域内で電子線を偏向して露光を行う前に、実パター
ンに影響を与えない疑似ショットを行う工程と、 を有することを特徴とする電子線露光方法。 - 【請求項５】前記疑似ショットは、電子線が前記被露光
基板に到達しないようにブランキングされることを特徴
とする請求項４に記載の電子線露光方法。 - 【請求項６】前記疑似ショットは、電子線が前記被露光
基板に到達しても解像されることのない微小のショット
であることを特徴とする請求項４に記載の電子線露光方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9209029A JP3006554B2 (ja) | 1997-08-04 | 1997-08-04 | 電子線露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9209029A JP3006554B2 (ja) | 1997-08-04 | 1997-08-04 | 電子線露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1154405A JPH1154405A (ja) | 1999-02-26 |
| JP3006554B2 true JP3006554B2 (ja) | 2000-02-07 |
Family
ID=16566086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9209029A Expired - Fee Related JP3006554B2 (ja) | 1997-08-04 | 1997-08-04 | 電子線露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3006554B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8658991B2 (en) | 2009-06-03 | 2014-02-25 | Mitsubishi Electric Corporation | Particle beam irradiation apparatus utilized in medical field |
| JP5574838B2 (ja) * | 2010-06-16 | 2014-08-20 | 三菱電機株式会社 | 粒子線治療装置 |
| JP6484491B2 (ja) * | 2015-04-10 | 2019-03-13 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
| CN119846917A (zh) * | 2025-03-11 | 2025-04-18 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种可变成型束电子束曝光装置及曝光方法 |
-
1997
- 1997-08-04 JP JP9209029A patent/JP3006554B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1154405A (ja) | 1999-02-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |