JP2003077821A - パターン描画方法と露光用マスクの製造方法 - Google Patents
パターン描画方法と露光用マスクの製造方法Info
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高精度の要求されるパターン領域の描画精度
を落とすことなく、試料全面当たりの描画時間を短縮す
ることができ、スループットの向上をはかる。 【解決手段】 電子ビームを用いて試料上に所望のパタ
ーンを描画するパターン描画方法において、複数の描画
条件を有する描画装置を用い、同一試料上の複数のパタ
ーン領域を各々のパターン領域に要求される描画精度に
応じて４つ（高精度描画用，中精度描画用，低精度描画
用１，低精度描画用２）に分類し、同一分類のパターン
領域を同じ描画条件で描画し、異なる分類のパターン領
域を異なる描画条件で描画する。
を落とすことなく、試料全面当たりの描画時間を短縮す
ることができ、スループットの向上をはかる。 【解決手段】 電子ビームを用いて試料上に所望のパタ
ーンを描画するパターン描画方法において、複数の描画
条件を有する描画装置を用い、同一試料上の複数のパタ
ーン領域を各々のパターン領域に要求される描画精度に
応じて４つ（高精度描画用，中精度描画用，低精度描画
用１，低精度描画用２）に分類し、同一分類のパターン
領域を同じ描画条件で描画し、異なる分類のパターン領
域を異なる描画条件で描画する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、試料上にＬＳＩの
パターンを描画するためのパターン描画方法に係わり、
特に同一試料上に描画条件を変えてパターンを描画する
パターン描画方法に関する。さらに、このパターン描画
方法を用いた露光用マスクの製造方法に関する。
パターンを描画するためのパターン描画方法に係わり、
特に同一試料上に描画条件を変えてパターンを描画する
パターン描画方法に関する。さらに、このパターン描画
方法を用いた露光用マスクの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の描画装置に対する描画精度の要求
は、その機械的工作精度，電気的制御精度，或いは環境
要因による装置変動誤差に対して切迫してきている。そ
のため、現在の高精度描画装置は描画精度を向上させる
ために統計的な手法として、同一パターン若しくは分割
されたパターンの一部を繰り返し照射し、その総照射量
が目的とするパターン形成照射量に相当するような多重
描画を行っている。さらに、各回数目の照射において
は、機械系，制御系，或いは試料の化学的特性を安定化
するための遅延時間を確保することで安定した高精度の
描画を可能としている。
は、その機械的工作精度，電気的制御精度，或いは環境
要因による装置変動誤差に対して切迫してきている。そ
のため、現在の高精度描画装置は描画精度を向上させる
ために統計的な手法として、同一パターン若しくは分割
されたパターンの一部を繰り返し照射し、その総照射量
が目的とするパターン形成照射量に相当するような多重
描画を行っている。さらに、各回数目の照射において
は、機械系，制御系，或いは試料の化学的特性を安定化
するための遅延時間を確保することで安定した高精度の
描画を可能としている。
【０００３】しかしながら、この種の方法にあっては次
のような問題があった。即ち、安定した高精度の描画の
ために遅延時間を確保することは、各回数目の描画時間
が安定化時間を確保しない場合に比して長くなるのみな
らず、多重描画をすることにより１重描画に対して数倍
の描画時間がかかり、これがスループット悪化の最大の
原因となっている。
のような問題があった。即ち、安定した高精度の描画の
ために遅延時間を確保することは、各回数目の描画時間
が安定化時間を確保しない場合に比して長くなるのみな
らず、多重描画をすることにより１重描画に対して数倍
の描画時間がかかり、これがスループット悪化の最大の
原因となっている。
【０００４】ＬＳＩのパターンは必ずしも全てが高い精
度を要求されるものではなく、一般にセル部分には高い
精度が要求されるものの、周辺部分はセル部分ほどの精
度は要求されない。しかし、セル部分を精度良く描画す
るためには、セル部分に要求される描画精度に応じて描
画条件を設定する必要がある。このため、周辺部分もセ
ル部分と同様に高い描画精度に対応する描画条件で描画
することになる。つまり、最も高い精度が要求されるパ
ターン領域に応じて描画条件を設定することになり、あ
まり精度を要求されない部分に対しては過剰精度とな
り、全体としての描画スループットが低下する。
度を要求されるものではなく、一般にセル部分には高い
精度が要求されるものの、周辺部分はセル部分ほどの精
度は要求されない。しかし、セル部分を精度良く描画す
るためには、セル部分に要求される描画精度に応じて描
画条件を設定する必要がある。このため、周辺部分もセ
ル部分と同様に高い描画精度に対応する描画条件で描画
することになる。つまり、最も高い精度が要求されるパ
ターン領域に応じて描画条件を設定することになり、あ
まり精度を要求されない部分に対しては過剰精度とな
り、全体としての描画スループットが低下する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように従来、ＬＳ
Ｉパターンには高精度の要求されるパターン領域とあま
り精度を要求されないパターン領域が存在するが、高精
度の要求されるパターン領域の描画精度を確保すると、
全体としての描画スループットの低下を招く問題があっ
た。
Ｉパターンには高精度の要求されるパターン領域とあま
り精度を要求されないパターン領域が存在するが、高精
度の要求されるパターン領域の描画精度を確保すると、
全体としての描画スループットの低下を招く問題があっ
た。
【０００６】本発明は、上記事情を考慮して成されたも
ので、その目的とするところは、高精度の要求されるパ
ターン領域の描画精度を落とすことなく、試料全面当た
りの描画時間を短縮することができ、描画スループット
の向上をはかり得るパターン描画方法、更にはこの描画
方法を用いた露光用マスクの製造方法を提供することに
ある。
ので、その目的とするところは、高精度の要求されるパ
ターン領域の描画精度を落とすことなく、試料全面当た
りの描画時間を短縮することができ、描画スループット
の向上をはかり得るパターン描画方法、更にはこの描画
方法を用いた露光用マスクの製造方法を提供することに
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】（構成）上記課題を解決
するために本発明は次のような構成を採用している。
するために本発明は次のような構成を採用している。
【０００８】即ち本発明は、荷電粒子ビーム或いは電磁
波ビームを用いて試料上に所望のパターンを描画するパ
ターン描画方法であって、少なくとも２種類の描画条件
を有する描画装置を用い、同一試料上の複数のパターン
領域を各々のパターン領域に要求される描画精度に応じ
て少なくとも２つに分類し、同一分類のパターン領域を
同じ描画条件で描画し、異なる分類のパターン領域を異
なる描画条件で描画することを特徴とする。
波ビームを用いて試料上に所望のパターンを描画するパ
ターン描画方法であって、少なくとも２種類の描画条件
を有する描画装置を用い、同一試料上の複数のパターン
領域を各々のパターン領域に要求される描画精度に応じ
て少なくとも２つに分類し、同一分類のパターン領域を
同じ描画条件で描画し、異なる分類のパターン領域を異
なる描画条件で描画することを特徴とする。
【０００９】また本発明は、透光性基板上に形成された
遮光性膜に対し、荷電粒子ビーム或いは電磁波ビームを
用いてＬＳＩのパターンを描画する露光用マスクの製造
方法であって、少なくとも２種類の描画条件を有する描
画装置を用い、前記ＬＳＩのパターンを構成する複数の
パターン領域を各々のパターン領域に要求される描画精
度に応じて少なくとも２つに分類し、同一分類のパター
ン領域を同じ描画条件で描画し、異なる分類のパターン
領域を異なる描画条件で描画することを特徴とする。
遮光性膜に対し、荷電粒子ビーム或いは電磁波ビームを
用いてＬＳＩのパターンを描画する露光用マスクの製造
方法であって、少なくとも２種類の描画条件を有する描
画装置を用い、前記ＬＳＩのパターンを構成する複数の
パターン領域を各々のパターン領域に要求される描画精
度に応じて少なくとも２つに分類し、同一分類のパター
ン領域を同じ描画条件で描画し、異なる分類のパターン
領域を異なる描画条件で描画することを特徴とする。
【００１０】（作用）本発明によれば、少なくとも２種
類の描画条件を有する描画装置を用い、同一試料上の各
パターン領域に応じて描画条件を変えることにより、セ
ル領域のように高精度が要求されるパターン領域は高精
度の描画条件で、周辺領域のように高精度が要求されな
いパターン領域は低精度の描画条件で描画することが可
能となる。これにより、高精度の要求される領域の描画
精度を落とすことなく、試料全面当たりの描画時間を短
縮することができ、描画スループットの向上をはかるこ
とができる。
類の描画条件を有する描画装置を用い、同一試料上の各
パターン領域に応じて描画条件を変えることにより、セ
ル領域のように高精度が要求されるパターン領域は高精
度の描画条件で、周辺領域のように高精度が要求されな
いパターン領域は低精度の描画条件で描画することが可
能となる。これにより、高精度の要求される領域の描画
精度を落とすことなく、試料全面当たりの描画時間を短
縮することができ、描画スループットの向上をはかるこ
とができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を図示の実施
形態によって説明する。
形態によって説明する。
【００１２】図１は、本発明の一実施形態に係わるパタ
ーン描画方法に使用した電子ビーム描画装置を示す概略
構成図である。
ーン描画方法に使用した電子ビーム描画装置を示す概略
構成図である。
【００１３】図中の１０は電子銃１１，各種偏向系１
２，及び各種レンズ系（図示せず）を備えた電子光学鏡
筒、２０は試料２１を載置した試料ステージ２２を収容
した試料室、３０は偏向系１２を駆動してビームを偏向
するための偏向アンプ、４０はステージ２２を駆動する
ためのステージドライバである。５０は描画データを入
力し、これを描画装置で描画可能なＥＢデータに展開す
ると共に、各パターン領域毎に描画条件を設定するため
のパターン展開回路を示している。
２，及び各種レンズ系（図示せず）を備えた電子光学鏡
筒、２０は試料２１を載置した試料ステージ２２を収容
した試料室、３０は偏向系１２を駆動してビームを偏向
するための偏向アンプ、４０はステージ２２を駆動する
ためのステージドライバである。５０は描画データを入
力し、これを描画装置で描画可能なＥＢデータに展開す
ると共に、各パターン領域毎に描画条件を設定するため
のパターン展開回路を示している。
【００１４】パターン展開回路５０において設定する描
画条件としては、描画多重度，ステージ速度，ショット
サイズ，及びビームセトリング時間などがあり、パター
ン領域に必要とされる描画精度に応じてこれらが適宜選
択される。試料２１は、ガラス基板上にクロム等の遮光
膜を形成したものであり、この遮光膜に対してＬＳＩパ
ターンが描画されるものとする。また、ＬＳＩパターン
は複数のパターン領域を有しており、各々のパターン領
域に関して必要な描画精度が存在するものとする。
画条件としては、描画多重度，ステージ速度，ショット
サイズ，及びビームセトリング時間などがあり、パター
ン領域に必要とされる描画精度に応じてこれらが適宜選
択される。試料２１は、ガラス基板上にクロム等の遮光
膜を形成したものであり、この遮光膜に対してＬＳＩパ
ターンが描画されるものとする。また、ＬＳＩパターン
は複数のパターン領域を有しており、各々のパターン領
域に関して必要な描画精度が存在するものとする。
【００１５】本実施形態に使用する電子ビーム描画装置
は、試料２１を載置したステージ２２を一定速度で移動
しながらパターンを描画するステージ連続移動方式であ
り、描画すべきパターンに応じてショットサイズを変更
する可変成形ビーム方式であり、さらに同一パターンに
対して複数回の描画を行う多重描画方式である。そし
て、描画条件によってステージの移動速度，ショットサ
イズ，及び多重度などが変えられるようになっている。
は、試料２１を載置したステージ２２を一定速度で移動
しながらパターンを描画するステージ連続移動方式であ
り、描画すべきパターンに応じてショットサイズを変更
する可変成形ビーム方式であり、さらに同一パターンに
対して複数回の描画を行う多重描画方式である。そし
て、描画条件によってステージの移動速度，ショットサ
イズ，及び多重度などが変えられるようになっている。
【００１６】具体的には、高い精度の要求されるパター
ン領域に対してはステージ移動速度を遅くし、高い精度
を要求されないパターン領域に対してはステージ移動速
度を速くするようになっている。また、高い精度の要求
されるパターン領域に対しては成形ビームの最大のショ
ットサイズを小さくし、高い精度を要求されないパター
ン領域に対しては最大のショットサイズを大きくするよ
うになっている。さらに、高い精度の要求されるパター
ン領域に対しては描画の多重度を多くし、高い精度を要
求されないパターン領域に対しては多重度を少なくする
ようになっている。
ン領域に対してはステージ移動速度を遅くし、高い精度
を要求されないパターン領域に対してはステージ移動速
度を速くするようになっている。また、高い精度の要求
されるパターン領域に対しては成形ビームの最大のショ
ットサイズを小さくし、高い精度を要求されないパター
ン領域に対しては最大のショットサイズを大きくするよ
うになっている。さらに、高い精度の要求されるパター
ン領域に対しては描画の多重度を多くし、高い精度を要
求されないパターン領域に対しては多重度を少なくする
ようになっている。
【００１７】また、可変成形ビーム方式でビームの寸法
を可変する場合、ショットが安定するまでの静定時間
（ビームセトリング時間）が必要であるが、この静定時
間も描画条件によって変えられるようになっている。具
体的には、高い精度の要求されるパターン領域に対して
は静定時間を長くし、高い精度を要求されないパターン
領域に対しては静定時間を短くするようになっている。
を可変する場合、ショットが安定するまでの静定時間
（ビームセトリング時間）が必要であるが、この静定時
間も描画条件によって変えられるようになっている。具
体的には、高い精度の要求されるパターン領域に対して
は静定時間を長くし、高い精度を要求されないパターン
領域に対しては静定時間を短くするようになっている。
【００１８】このように本実施形態に使用する電子ビー
ム描画装置は、パターン領域に必要とされる描画精度に
応じて異なる描画条件（ステージ移動速度，ショットサ
イズ，多重度，静定時間）でパターンを描画することが
可能となっている。
ム描画装置は、パターン領域に必要とされる描画精度に
応じて異なる描画条件（ステージ移動速度，ショットサ
イズ，多重度，静定時間）でパターンを描画することが
可能となっている。
【００１９】図２は、図１の装置を使用したパターン描
画方法のおおまかな手順を示す図である。試料上の描画
領域は、セル領域や周辺領域などのように複数のパター
ン領域に分けることができるものとする。
画方法のおおまかな手順を示す図である。試料上の描画
領域は、セル領域や周辺領域などのように複数のパター
ン領域に分けることができるものとする。
【００２０】本実施形態では、試料上に所望する描画パ
ターンを、パターン領域毎にその要求される描画精度に
適するように描画条件を定め、それぞれの領域に対応す
る描画条件を選択する。ここでは、各々のパターン領域
をその目的に応じて４つの分類、即ち（Ａ）高精度描画
用、（Ｂ）中精度描画用、（Ｃ）低精度描画用１、
（Ｄ）低精度描画用２、に分けることにする。
ターンを、パターン領域毎にその要求される描画精度に
適するように描画条件を定め、それぞれの領域に対応す
る描画条件を選択する。ここでは、各々のパターン領域
をその目的に応じて４つの分類、即ち（Ａ）高精度描画
用、（Ｂ）中精度描画用、（Ｃ）低精度描画用１、
（Ｄ）低精度描画用２、に分けることにする。
【００２１】なお、（Ａ）高精度描画用では、多重描画
の回数は多数（例えば４回）、成形時間は遅い、ステー
ジ移動速度は遅い、（Ｂ）中精度描画用では、多重描画
回数は２回、成形時間は普通、ステージ移動速度は普
通、（Ｃ）低精度描画用１では、多重描画回数は２回、
成形時間は速い、ステージ移動速度は速い、（Ｄ）低精
度描画用２では、多重描画回数は１回、成形時間は速
い、ステージ移動速度は速い、とする。
の回数は多数（例えば４回）、成形時間は遅い、ステー
ジ移動速度は遅い、（Ｂ）中精度描画用では、多重描画
回数は２回、成形時間は普通、ステージ移動速度は普
通、（Ｃ）低精度描画用１では、多重描画回数は２回、
成形時間は速い、ステージ移動速度は速い、（Ｄ）低精
度描画用２では、多重描画回数は１回、成形時間は速
い、ステージ移動速度は速い、とする。
【００２２】ここに揚げたそれぞれの描画条件では、精
度とその描画に必要な時間は負の相関を持つ。つまり、
描画精度を上げようとすると、その描画にかかる描画時
間は長くなり、ラフな描画精度では描画時間は短くな
る。ここでは、最も精度の要求される部分にのみ高精度
描画用の描画条件を定める。その他の部分は、そのパタ
ーンに要求される必要最小の精度が得られるような描画
条件を定める。
度とその描画に必要な時間は負の相関を持つ。つまり、
描画精度を上げようとすると、その描画にかかる描画時
間は長くなり、ラフな描画精度では描画時間は短くな
る。ここでは、最も精度の要求される部分にのみ高精度
描画用の描画条件を定める。その他の部分は、そのパタ
ーンに要求される必要最小の精度が得られるような描画
条件を定める。
【００２３】所望するパターン描画の図形若しくはカラ
ム単位での描画条件を変更できるような設定を行う。パ
ターンを形成する描画装置に対して目的のパターン描画
を行う際にその描画条件のパラメータを取得するように
する。上記の設定を必要とする描画条件で描画を行うこ
とにより、同一試料上に対して、異なる描画条件で描画
されたパターン形成を行うことができる。
ム単位での描画条件を変更できるような設定を行う。パ
ターンを形成する描画装置に対して目的のパターン描画
を行う際にその描画条件のパラメータを取得するように
する。上記の設定を必要とする描画条件で描画を行うこ
とにより、同一試料上に対して、異なる描画条件で描画
されたパターン形成を行うことができる。
【００２４】図３、４はＬＳＩパターンを有する露光用
マスクの例を表わしている。図３は従来の単一描画条件
を用いてマスクの描画を行ったもので、ガラス基板１内
全てのパターン領域２，３，４，５に対して最も精度の
要求されるパターン領域２の描画条件でパターン描画を
行っている。ここで、２はセル領域、３〜５は周辺領域
である。単一の描画条件での描画では、その全パターン
のうち最も精度を要求される描画精度によって全パター
ンを描画せざるを得ない。
マスクの例を表わしている。図３は従来の単一描画条件
を用いてマスクの描画を行ったもので、ガラス基板１内
全てのパターン領域２，３，４，５に対して最も精度の
要求されるパターン領域２の描画条件でパターン描画を
行っている。ここで、２はセル領域、３〜５は周辺領域
である。単一の描画条件での描画では、その全パターン
のうち最も精度を要求される描画精度によって全パター
ンを描画せざるを得ない。
【００２５】一方、図４は本実施形態のように、各パタ
ーン領域に応じた描画条件を用いてパターン描画を行っ
たもので、高精度の要求されるパターン領域２の精度を
落とすことなく、パターン領域３，４，５をそれぞれ中
精度、低精度１、低精度２の条件で描画を行う。上記で
はパターン領域３，４，５の描画時間がパターン領域２
の描画条件でそれぞれを描画する際よりも短縮されるこ
とで、マスク全体の描画時間が短縮される。
ーン領域に応じた描画条件を用いてパターン描画を行っ
たもので、高精度の要求されるパターン領域２の精度を
落とすことなく、パターン領域３，４，５をそれぞれ中
精度、低精度１、低精度２の条件で描画を行う。上記で
はパターン領域３，４，５の描画時間がパターン領域２
の描画条件でそれぞれを描画する際よりも短縮されるこ
とで、マスク全体の描画時間が短縮される。
【００２６】短縮時間については、あるパターンを用い
てステージ連続移動方式のパターン描画装置にて描画精
度の差異を描画時の多重度を変更せしめる手法において
実現した場合において、高精度を実現するのに４回多重
描画、中精度実現に２回多重描画、低精度実現に１回多
重描画を用いた場合について例を示す。描画時の多重度
を変更することによって描画精度は、 Ｅｍ＝Ｅｓ／Ｎ1/2 Ｅｓ：１重描画における描画精度 Ｅｍ：多重描画時における描画精度 Ｎ：描画多重度 で示される。つまり、多重度Ｎを増加させるに従いパタ
ーン描画精度が高精度化するのは明白である。
てステージ連続移動方式のパターン描画装置にて描画精
度の差異を描画時の多重度を変更せしめる手法において
実現した場合において、高精度を実現するのに４回多重
描画、中精度実現に２回多重描画、低精度実現に１回多
重描画を用いた場合について例を示す。描画時の多重度
を変更することによって描画精度は、 Ｅｍ＝Ｅｓ／Ｎ1/2 Ｅｓ：１重描画における描画精度 Ｅｍ：多重描画時における描画精度 Ｎ：描画多重度 で示される。つまり、多重度Ｎを増加させるに従いパタ
ーン描画精度が高精度化するのは明白である。
【００２７】本実施形態の場合、低精度に対する描画時
間の増加率は中精度で１５％、高精度で７０％の描画時
間の増加が確認されている。つまり、高精度を基準に考
えるならば、必要精度での描画に変更することにより描
画時間の短縮が図れるわけである。
間の増加率は中精度で１５％、高精度で７０％の描画時
間の増加が確認されている。つまり、高精度を基準に考
えるならば、必要精度での描画に変更することにより描
画時間の短縮が図れるわけである。
【００２８】また、実際の半導体用ガラスマスクのパタ
ーンニングにおける運用について例を仮に示すならば、
ガラスマスクにおいて高精度は実際のデバイスパターン
の描画時に、中精度はウェハー露光用アライメントマー
クの描画時に、低精度はガラスマスクのパターン露光後
のパターン形成時のプロセスモニター用マークの描画時
に用い必要とされるパターン精度に応じ描画方法を変更
することにより、必要な精度のマスクを短時間で描画す
ることが可能となる。
ーンニングにおける運用について例を仮に示すならば、
ガラスマスクにおいて高精度は実際のデバイスパターン
の描画時に、中精度はウェハー露光用アライメントマー
クの描画時に、低精度はガラスマスクのパターン露光後
のパターン形成時のプロセスモニター用マークの描画時
に用い必要とされるパターン精度に応じ描画方法を変更
することにより、必要な精度のマスクを短時間で描画す
ることが可能となる。
【００２９】このように本実施形態によれば、４種類の
描画条件を有する電子ビーム描画装置を用い、同一試料
上の各パターン領域に応じて描画条件を変えることによ
り、セル領域のように高精度が要求されるパターン領域
は高精度の描画条件で描画することができ、周辺領域の
ように高精度が要求されないパターン領域は描画速度の
速い描画条件で描画することができる。このため、セル
領域の描画精度を落とすことなく、試料全面当たりの描
画時間を短縮することができ、描画スループットの向上
をはかることができる。
描画条件を有する電子ビーム描画装置を用い、同一試料
上の各パターン領域に応じて描画条件を変えることによ
り、セル領域のように高精度が要求されるパターン領域
は高精度の描画条件で描画することができ、周辺領域の
ように高精度が要求されないパターン領域は描画速度の
速い描画条件で描画することができる。このため、セル
領域の描画精度を落とすことなく、試料全面当たりの描
画時間を短縮することができ、描画スループットの向上
をはかることができる。
【００３０】なお、本発明は上述した実施形態に限定さ
れるものではない。実施形態では、１つの描画データに
全てのパターン領域のデータを含むものとしたが、予め
同一分類のパターン領域毎に独立に描画データを用意し
てもよい。この場合、パターン領域に応じた描画条件の
設定が簡易となる。
れるものではない。実施形態では、１つの描画データに
全てのパターン領域のデータを含むものとしたが、予め
同一分類のパターン領域毎に独立に描画データを用意し
てもよい。この場合、パターン領域に応じた描画条件の
設定が簡易となる。
【００３１】また、実施形態では電子ビーム描画装置を
可変成形ビーム方式としたが、一定サイズのビームを走
査するラスタスキャン方式を用いることも可能である。
この場合、分類された各パターン領域の異なる分類毎に
ショットサイズを変更すればよい。即ち、高い精度が要
求される場合は小さいショット、低い精度の場合は大き
いショットとすればよい。さらに、描画装置は必ずしも
電子ビーム描画装置に限るものではなく、イオンビーム
描画装置を用いてもよい。更には、レーザビームの照射
によりパターンを描画するレーザビーム描画装置を用い
ることも可能である。
可変成形ビーム方式としたが、一定サイズのビームを走
査するラスタスキャン方式を用いることも可能である。
この場合、分類された各パターン領域の異なる分類毎に
ショットサイズを変更すればよい。即ち、高い精度が要
求される場合は小さいショット、低い精度の場合は大き
いショットとすればよい。さらに、描画装置は必ずしも
電子ビーム描画装置に限るものではなく、イオンビーム
描画装置を用いてもよい。更には、レーザビームの照射
によりパターンを描画するレーザビーム描画装置を用い
ることも可能である。
【００３２】また、実施形態ではステージを移動しなが
らパターンを描画するステージ連続移動方式としたが、
ステージを停止した状態で所定領域のパターンを描画
し、続いて次の領域までステージを移動した後に、再度
ステージを停止した状態で次のパターンを描画する、ス
テージ逐次移動方式であってもよい。
らパターンを描画するステージ連続移動方式としたが、
ステージを停止した状態で所定領域のパターンを描画
し、続いて次の領域までステージを移動した後に、再度
ステージを停止した状態で次のパターンを描画する、ス
テージ逐次移動方式であってもよい。
【００３３】また、実施形態ではガラス基板上の遮光膜
にＬＳＩパターンを形成する露光用マスクの製造につい
て説明したが、本発明はこれに限らず、半導体ウェハ上
に直接ＬＳＩパターンを形成する半導体装置の製造に適
用することも可能である。その他、本発明の要旨を逸脱
しない範囲で、種々変形して実施することができる。
にＬＳＩパターンを形成する露光用マスクの製造につい
て説明したが、本発明はこれに限らず、半導体ウェハ上
に直接ＬＳＩパターンを形成する半導体装置の製造に適
用することも可能である。その他、本発明の要旨を逸脱
しない範囲で、種々変形して実施することができる。
【００３４】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、描
画条件を変更可能な描画装置を用い、同一試料上の複数
のパターン領域を各々のパターン領域に要求される描画
精度に応じた描画条件で描画することにより、高精度の
要求される部位の描画精度を落とすことなく、試料内全
面当たりの描画時間短縮が可能となる。
画条件を変更可能な描画装置を用い、同一試料上の複数
のパターン領域を各々のパターン領域に要求される描画
精度に応じた描画条件で描画することにより、高精度の
要求される部位の描画精度を落とすことなく、試料内全
面当たりの描画時間短縮が可能となる。
【図１】本発明の一実施形態に係わるパターン描画方法
に使用した電子ビーム描画装置の基本構成を示すブロッ
ク図。
に使用した電子ビーム描画装置の基本構成を示すブロッ
ク図。
【図２】同実施形態における描画手順を説明するための
模式図。
模式図。
【図３】従来方法によるパターン領域の配置例を示す
図。
図。
【図４】実施形態方法によるパターン領域の配置例及び
その分類例を示す図。
その分類例を示す図。
１…ガラス基板
２…セル領域（高精度な描画の要求されるパターン）
３…周辺領域（中程度な描画精度の要求されるパター
ン） ４，５…周辺領域（低精度な描画精度の要求されるパタ
ーン） １０…電子光学鏡筒 １１…電子銃１１ １２…各種偏向系 ２０…試料室 ２１…試料 ２２…試料ステージ ３０…偏向アンプ ４０…ステージドライバ ５０…パターン展開回路
ン） ４，５…周辺領域（低精度な描画精度の要求されるパタ
ーン） １０…電子光学鏡筒 １１…電子銃１１ １２…各種偏向系 ２０…試料室 ２１…試料 ２２…試料ステージ ３０…偏向アンプ ４０…ステージドライバ ５０…パターン展開回路
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フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2H095 BA01 BB01 BB08 BB10 BC04
BC27
2H097 AA03 CA16 CA17 GB04 LA20
5F056 AA04 AA12 AA20 CA05 CB23
CB40
Claims (12)
- 【請求項１】荷電粒子ビーム或いは電磁波ビームを用い
て試料上に所望のパターンを描画するパターン描画方法
であって、 少なくとも２種類の描画条件を有する描画装置を用い、
同一試料上の複数のパターン領域を各々のパターン領域
に要求される描画精度に応じて少なくとも２つに分類
し、同一分類のパターン領域を同じ描画条件で描画し、
異なる分類のパターン領域を異なる描画条件で描画する
ことを特徴とするパターン描画方法。 - 【請求項２】前記分類された各パターン領域の異なる分
類毎に、独立の描画データを用意することを特徴とする
請求項１記載のパターン描画方法。 - 【請求項３】前記試料はガラス基板上に遮光膜を形成し
たものであり、該遮光膜にパターンを描画して露光用マ
スクを形成することを特徴とする請求項１記載のパター
ン描画方法。 - 【請求項４】前記パターンの描画中に前記試料を載置し
たステージを移動するステージ連続移動方式であり、前
記分類された各パターン領域の異なる分類毎にステージ
移動速度を変えることを特徴とする請求項１記載のパタ
ーン描画方法。 - 【請求項５】描画すべきパターンに応じてショットサイ
ズを変更する可変成形ビーム方式であり、前記分類され
た各パターン領域の異なる分類毎に最大のショットサイ
ズを変更することを特徴とする請求項１記載のパターン
描画方法。 - 【請求項６】一定サイズのビームを走査するラスタスキ
ャン方式であり、前記分類された各パターン領域の異な
る分類毎にショットサイズを変更することを特徴とする
請求項１記載のパターン描画方法。 - 【請求項７】描画すべきパターンに応じてショットサイ
ズを変更する可変成形ビーム方式であり、前記分類され
た各パターン領域の異なる分類毎にビームショット間の
静定時間を変更することを特徴とする請求項１記載のパ
ターン描画方法。 - 【請求項８】同一パターンに対して複数回の描画を行う
多重描画方式であり、前記分類された各パターン領域の
異なる分類毎に多重度を変更することを特徴とする請求
項１記載のパターン描画方法。 - 【請求項９】要求される描画精度が高いパターン領域に
対し要求される描画精度が低いパターン領域における多
重度を下げることで描画時間を短縮することを特徴とす
る請求項８記載のパターン描画方法。 - 【請求項１０】前記パターンの描画中は前記試料を載置
したステージの移動を停止するステージ逐次移動方式で
あることを特徴とする請求項１記載のパターン描画方
法。 - 【請求項１１】前記電磁波ビームがレーザビームである
ことを特徴とする請求項１記載のパターン描画方法。 - 【請求項１２】透光性基板上に形成された遮光性膜に対
し、荷電粒子ビーム或いは電磁波ビームを用いてＬＳＩ
のパターンを描画する露光用マスクの製造方法であっ
て、 少なくとも２種類の描画条件を有する描画装置を用い、
前記ＬＳＩのパターンを構成する複数のパターン領域を
各々のパターン領域に要求される描画精度に応じて少な
くとも２つに分類し、同一分類のパターン領域を同じ描
画条件で描画し、異なる分類のパターン領域を異なる描
画条件で描画することを特徴とする露光用マスクの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001270487A JP2003077821A (ja) | 2001-09-06 | 2001-09-06 | パターン描画方法と露光用マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001270487A JP2003077821A (ja) | 2001-09-06 | 2001-09-06 | パターン描画方法と露光用マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003077821A true JP2003077821A (ja) | 2003-03-14 |
Family
ID=19096137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001270487A Pending JP2003077821A (ja) | 2001-09-06 | 2001-09-06 | パターン描画方法と露光用マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003077821A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005057269A (ja) * | 2003-08-01 | 2005-03-03 | Leica Microsystems Lithography Ltd | デュアルモード電子ビームリソグラフィ機 |
| JP2005079115A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 電子線描画データ作成方法、作成装置及び作成プログラム並びに電子線描画装置 |
| WO2010109655A1 (ja) * | 2009-03-27 | 2010-09-30 | 株式会社アドバンテスト | 電子線描画装置及び電子線描画方法 |
| JP2011243805A (ja) * | 2010-05-19 | 2011-12-01 | Nuflare Technology Inc | 描画データの作成方法、荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
| JP2012084659A (ja) * | 2010-10-08 | 2012-04-26 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
| US9281161B2 (en) | 2014-05-13 | 2016-03-08 | Nuflare Technology, Inc. | Electron beam writing apparatus and electron beam writing method |
| KR101854148B1 (ko) * | 2011-05-09 | 2018-05-03 | 삼성전자주식회사 | 전자빔 노광 장치 및 이를 이용한 레티클 제조 방법 |
-
2001
- 2001-09-06 JP JP2001270487A patent/JP2003077821A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005057269A (ja) * | 2003-08-01 | 2005-03-03 | Leica Microsystems Lithography Ltd | デュアルモード電子ビームリソグラフィ機 |
| JP2005079115A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 電子線描画データ作成方法、作成装置及び作成プログラム並びに電子線描画装置 |
| WO2010109655A1 (ja) * | 2009-03-27 | 2010-09-30 | 株式会社アドバンテスト | 電子線描画装置及び電子線描画方法 |
| US8466439B2 (en) | 2009-03-27 | 2013-06-18 | Advantest Corp. | Electron beam lithography apparatus and electron beam lithography method |
| JP5475635B2 (ja) * | 2009-03-27 | 2014-04-16 | 株式会社アドバンテスト | 電子線描画装置及び電子線描画方法 |
| JP2011243805A (ja) * | 2010-05-19 | 2011-12-01 | Nuflare Technology Inc | 描画データの作成方法、荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
| JP2012084659A (ja) * | 2010-10-08 | 2012-04-26 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
| KR101854148B1 (ko) * | 2011-05-09 | 2018-05-03 | 삼성전자주식회사 | 전자빔 노광 장치 및 이를 이용한 레티클 제조 방법 |
| US9281161B2 (en) | 2014-05-13 | 2016-03-08 | Nuflare Technology, Inc. | Electron beam writing apparatus and electron beam writing method |
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