JP2014120630A - 荷電粒子ビーム描画装置、面積密度データの作成方法及びショット数データの作成方法 - Google Patents
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Abstract
【目的】2回目以降の描画処理時のデータ処理の演算時間を低減することが可能な描画装置を提供する。
【構成】本発明の一態様の描画装置は、図形パターン毎に定義された、ドーズ変調率に関する属性情報毎に、図形パターンの面積密度を定義した面積密度マップを作成する面積密度マップ作成部と、属性情報毎の面積密度マップを記憶する記憶部と、属性情報毎の面積密度マップを用いて、メッシュ領域毎に、属性情報に対応するドーズ変調率によって重み付けされ面積密度マップ同士で加算されたドーズ変調面積密度マップを作成するドーズ変調面積密度マップ作成部と、ドーズ変調面積密度マップを用いて図形パターンの寸法変動を補正すると共に、さらにドーズ変調率によってドーズ変調された荷電粒子ビームの照射量を演算する照射量演算部と、を備えたことを特徴とする。
【選択図】図1
【構成】本発明の一態様の描画装置は、図形パターン毎に定義された、ドーズ変調率に関する属性情報毎に、図形パターンの面積密度を定義した面積密度マップを作成する面積密度マップ作成部と、属性情報毎の面積密度マップを記憶する記憶部と、属性情報毎の面積密度マップを用いて、メッシュ領域毎に、属性情報に対応するドーズ変調率によって重み付けされ面積密度マップ同士で加算されたドーズ変調面積密度マップを作成するドーズ変調面積密度マップ作成部と、ドーズ変調面積密度マップを用いて図形パターンの寸法変動を補正すると共に、さらにドーズ変調率によってドーズ変調された荷電粒子ビームの照射量を演算する照射量演算部と、を備えたことを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、荷電粒子ビーム描画装置、面積密度データの作成方法及びショット数データの作成方法に係り、例えば、描画時間を予測するためのショット数や照射量の補正計算に用いる面積密度を見積もる描画装置および方法に関する。
半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、LSIの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン(レチクル或いはマスクともいう。)が必要となる。ここで、電子ビーム(EB:Electron beam)描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。
図13は、可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
可変成形型電子線描画装置は、以下のように動作する。第1のアパーチャ410には、電子線330を成形するための矩形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330は、偏向器により偏向され、第2のアパーチャ420の可変成形開口421の一部を通過して、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340に照射される。すなわち、第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過できる矩形形状が、X方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340の描画領域に描画される。第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式(VSB方式)という。
可変成形型電子線描画装置は、以下のように動作する。第1のアパーチャ410には、電子線330を成形するための矩形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330は、偏向器により偏向され、第2のアパーチャ420の可変成形開口421の一部を通過して、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340に照射される。すなわち、第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過できる矩形形状が、X方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340の描画領域に描画される。第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式(VSB方式)という。
描画装置内では、補正モデルに沿って計算された補正係数によって照射量を補正することによって近接効果等の現象によるパターン寸法変動を補正している。かかる補正計算には、メッシュ領域毎のパターンの面積密度を見積もる必要がある。同じレイアウトのパターンを再度描画する場合であれば、以前に求めた面積密度データを2回目以降の描画処理時にそのまま流用することが可能となるので、2回目以降の描画処理時のデータ処理の演算時間を短縮することが可能である。
また、描画装置では、チップパターンを描画する際の描画時間を予測し、ユーザに提供している(例えば、特許文献1参照)。そのために、メッシュ領域毎のかかるチップパターンを描画するためのショット数を見積もる必要がある。多重描画を行う場合、描画時間は、多重度に応じてショット数が増えることになる。同じレイアウトのパターンを一定の多重度で再度描画する場合であれば、以前に求めたメッシュ領域毎のショット数データを2回目以降の描画処理時にそのまま流用することが可能となるので、2回目以降の描画処理時のデータ処理の演算時間を短縮することが可能である。
昨今のパターンの微細化・高密度化に伴い、補正精度をさらに向上することが検討されている。そのため、装置外部からユーザ等がドーズ変調量を描画装置内で使用する補正モデルとは別に指定することが考えられるが、描画装置内で、寸法変動現象の照射量補正計算を行う際、かかる外部から入力されるドーズ変調量を考慮した面積密度を見積もる必要が生じる。しかしながら、外部から入力されるドーズ変調量は、描画処理によっては値が変更される場合がある。ドーズ変調量が変われば、ドーズ変調量を考慮した面積密度の値も変わってしまうため、同じレイアウトのパターンを描画する際でも、以前に求めたドーズ変調量を考慮済の面積密度をそのまま流用することが困難となる。よって、ドーズ変調量が変更されるたびに再度パターンデータの読み込みから始めなければならず、データ処理の演算時間が長く掛かってしまうといった問題が生じる。
また、装置外部からユーザ等が1つのレイアウトに対して複数の多重度を指定することが考えられるが、一概にメッシュ領域毎のショット数に一意の多重度を単に乗じたのでは実際に照射されるショット数とかけ離れた値になってしまい、予測される描画時間の精度が劣化してしまう。よって、メッシュ領域毎に多重度を定義した多重度値(パス数)マップを作成する必要が生じる。メッシュ領域毎のショット数に多重度値(パス数)マップの多重度値を乗じることで多重度を考慮したショット数マップを得ることができる。しかしながら、外部から入力される多重度値は、描画処理によっては値が変更される場合がある。多重度値が変われば、多重度値を考慮したショット数の値も変わってしまうため、同じレイアウトのパターンを描画する際でも、以前に求めた多重度値を考慮済のショット数をそのまま流用することが困難となる。よって、多重度値が変更されるたびにショット数を演算するために再度パターンデータの読み込みから始めなければならず、データ処理の演算時間が長く掛かってしまうといった問題が生じる。
そこで、本発明は、上述した問題点を克服し、2回目以降の描画処理時のデータ処理の演算時間を低減することが可能な描画装置および方法を提供することを目的とする。
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、
複数の図形パターンを有するチップの図形パターン毎に定義された、ドーズ変調率に関する属性情報毎に、当該チップを含む領域がメッシュ状の複数のメッシュ領域に仮想分割された各メッシュ領域に配置される図形パターンの面積密度を定義した面積密度マップを作成する面積密度マップ作成部と、
属性情報毎の面積密度マップを記憶する記憶部と、
属性情報毎の面積密度マップを用いて、メッシュ領域毎に、各面積密度マップの面積密度が属性情報に対応するドーズ変調率によって重み付けされ面積密度マップ同士で加算されたドーズ変調面積密度を定義したドーズ変調面積密度マップを作成するドーズ変調面積密度マップ作成部と、
ドーズ変調面積密度マップを用いて図形パターンの寸法変動を補正すると共に、さらにドーズ変調率によってドーズ変調された荷電粒子ビームの照射量を演算する照射量演算部と、
荷電粒子ビームを用いて試料に前記複数の図形パターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。
複数の図形パターンを有するチップの図形パターン毎に定義された、ドーズ変調率に関する属性情報毎に、当該チップを含む領域がメッシュ状の複数のメッシュ領域に仮想分割された各メッシュ領域に配置される図形パターンの面積密度を定義した面積密度マップを作成する面積密度マップ作成部と、
属性情報毎の面積密度マップを記憶する記憶部と、
属性情報毎の面積密度マップを用いて、メッシュ領域毎に、各面積密度マップの面積密度が属性情報に対応するドーズ変調率によって重み付けされ面積密度マップ同士で加算されたドーズ変調面積密度を定義したドーズ変調面積密度マップを作成するドーズ変調面積密度マップ作成部と、
ドーズ変調面積密度マップを用いて図形パターンの寸法変動を補正すると共に、さらにドーズ変調率によってドーズ変調された荷電粒子ビームの照射量を演算する照射量演算部と、
荷電粒子ビームを用いて試料に前記複数の図形パターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。
また、ドーズ変調面積密度マップ作成部は、第k回目(kは2以上の整数)の描画処理の際、第k回目よりも前の描画処理時に作成した属性情報毎の面積密度マップを記憶部から読み出し、読み出した属性情報毎の面積密度マップを用いて、ドーズ変調面積密度マップを作成すると好適である。
本発明の一態様の面積密度データの作成方法は、
複数の図形パターンを有するチップの図形パターン毎に定義された、ドーズ変調率に関する属性情報毎に、当該チップを含む領域がメッシュ状の複数のメッシュ領域に仮想分割された各メッシュ領域に配置される図形パターンの面積密度を定義した面積密度マップを作成する工程と、
作成された属性情報毎の面積密度マップを記憶装置に記憶する工程と、
属性情報毎の面積密度マップを用いて、メッシュ領域毎に、各面積密度マップの面積密度が属性情報に対応するドーズ変調率によって重み付けされ面積密度マップ同士で加算されたドーズ変調面積密度を定義したドーズ変調面積密度マップを作成し、出力する工程と、
を備えたことを特徴とする。
複数の図形パターンを有するチップの図形パターン毎に定義された、ドーズ変調率に関する属性情報毎に、当該チップを含む領域がメッシュ状の複数のメッシュ領域に仮想分割された各メッシュ領域に配置される図形パターンの面積密度を定義した面積密度マップを作成する工程と、
作成された属性情報毎の面積密度マップを記憶装置に記憶する工程と、
属性情報毎の面積密度マップを用いて、メッシュ領域毎に、各面積密度マップの面積密度が属性情報に対応するドーズ変調率によって重み付けされ面積密度マップ同士で加算されたドーズ変調面積密度を定義したドーズ変調面積密度マップを作成し、出力する工程と、
を備えたことを特徴とする。
本発明の他の態様の荷電粒子ビーム描画装置は、
複数の図形パターンを有するチップの図形パターン毎に定義された、多重描画のための多重度値(パス数)に関する属性情報毎に、当該チップを含む領域がメッシュ状の複数のメッシュ領域に仮想分割された各メッシュ領域に配置される図形パターンを描画するための荷電粒子ビームのショット数を定義したショット数マップを作成するショット数マップ作成部と、
属性情報毎のショット数マップを記憶する記憶部と、
属性情報毎のショット数マップを用いて、メッシュ領域毎に、各ショット数マップの属性情報に対応する多重度値がすべてのショット数マップのショット数に対する当該ショット数マップのショット数の割合によって重み付けされショット数マップ同士で加算された多重度値マップを作成する多重度値マップ作成部と、
多重度値マップのメッシュ値を用いて試料に複数の図形パターンを描画する描画時間を予測する描画時間予測部と、
を備えたことを特徴とする。
複数の図形パターンを有するチップの図形パターン毎に定義された、多重描画のための多重度値(パス数)に関する属性情報毎に、当該チップを含む領域がメッシュ状の複数のメッシュ領域に仮想分割された各メッシュ領域に配置される図形パターンを描画するための荷電粒子ビームのショット数を定義したショット数マップを作成するショット数マップ作成部と、
属性情報毎のショット数マップを記憶する記憶部と、
属性情報毎のショット数マップを用いて、メッシュ領域毎に、各ショット数マップの属性情報に対応する多重度値がすべてのショット数マップのショット数に対する当該ショット数マップのショット数の割合によって重み付けされショット数マップ同士で加算された多重度値マップを作成する多重度値マップ作成部と、
多重度値マップのメッシュ値を用いて試料に複数の図形パターンを描画する描画時間を予測する描画時間予測部と、
を備えたことを特徴とする。
本発明の他の態様のショット数データの作成方法は、
複数の図形パターンを有するチップの図形パターン毎に定義された、多重描画のための多重度値(パス数)に関する属性情報毎に、当該チップを含む領域がメッシュ状の複数のメッシュ領域に仮想分割された各メッシュ領域に配置される図形パターンを描画するための荷電粒子ビームのショット数を定義したショット数マップを作成する工程と、
作成された属性情報毎のショット数マップを記憶装置に記憶する工程と、
属性情報毎のショット数マップを用いて、メッシュ領域毎に、各ショット数マップの前記属性情報に対応する多重度値がすべてのショット数マップのショット数に対する当該ショット数マップのショット数の割合によって重み付けされショット数マップ同士で加算された多重度値マップを作成し、出力する工程と、
を備えたことを特徴とする。
複数の図形パターンを有するチップの図形パターン毎に定義された、多重描画のための多重度値(パス数)に関する属性情報毎に、当該チップを含む領域がメッシュ状の複数のメッシュ領域に仮想分割された各メッシュ領域に配置される図形パターンを描画するための荷電粒子ビームのショット数を定義したショット数マップを作成する工程と、
作成された属性情報毎のショット数マップを記憶装置に記憶する工程と、
属性情報毎のショット数マップを用いて、メッシュ領域毎に、各ショット数マップの前記属性情報に対応する多重度値がすべてのショット数マップのショット数に対する当該ショット数マップのショット数の割合によって重み付けされショット数マップ同士で加算された多重度値マップを作成し、出力する工程と、
を備えたことを特徴とする。
本発明の一態様によれば、2回目以降の描画処理におけるデータ処理時間を低減できる。その結果、描画時間を短縮できる。
以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。また、荷電粒子ビーム装置の一例として、可変成形型の描画装置について説明する。
実施の形態1.
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型の描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、第1のアパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2のアパーチャ206、対物レンズ207、主偏向器208及び副偏向器209が配置されている。描画室103内には、XYステージ105が配置される。XYステージ105上には、描画時には描画対象となるマスク等の試料101が配置される。試料101には、半導体装置を製造する際の露光用マスクが含まれる。また、試料101には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型の描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、第1のアパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2のアパーチャ206、対物レンズ207、主偏向器208及び副偏向器209が配置されている。描画室103内には、XYステージ105が配置される。XYステージ105上には、描画時には描画対象となるマスク等の試料101が配置される。試料101には、半導体装置を製造する際の露光用マスクが含まれる。また、試料101には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。
制御部160は、制御計算機110,120、メモリ112、制御回路130、及び磁気ディスク装置等の記憶装置140,142,144,146,148を有している。制御計算機110,120、メモリ112、制御回路130、及び記憶装置140,142,144,146,148は、図示しないバスを介して互いに接続されている。
制御計算機110内には、転送処理部10、フォーマット検査部12、ショット数Nマップ作成部14、面積密度ρマップ作成部16、ドーズ変調面積密度ρ(DM)マップ作成部18、平均多重度値naマップ作成部20、多重度変調ショット数N(na)マップ作成部22、及び描画時間予測部24が配置される。転送処理部10、フォーマット検査部12、ショット数Nマップ作成部14、面積密度ρマップ作成部16、ドーズ変調面積密度ρ(DM)マップ作成部18、平均多重度値naマップ作成部20、多重度変調ショット数N(na)マップ作成部22、及び描画時間予測部24といった機能は、電気回路等のハードウェアで構成されてもよいし、これらの機能を実行するプログラム等のソフトウェアで構成されてもよい。或いは、ハードウェアとソフトウェアの組み合わせにより構成されてもよい。転送処理部10、フォーマット検査部12、ショット数Nマップ作成部14、面積密度ρマップ作成部16、ドーズ変調面積密度ρ(DM)マップ作成部18、平均多重度値naマップ作成部20、多重度変調ショット数N(na)マップ作成部22、及び描画時間予測部24に入出力される情報および演算中の情報はメモリ112にその都度格納される。
制御計算機120内には、ショットデータ生成部40、照射量演算部42、及び描画処理部44が配置される。ショットデータ生成部40、照射量演算部42、及び描画処理部44といった機能は、電気回路等のハードウェアで構成されてもよいし、これらの機能を実行するプログラム等のソフトウェアで構成されてもよい。或いは、ハードウェアとソフトウェアの組み合わせにより構成されてもよい。ショットデータ生成部40、照射量演算部42、及び描画処理部44に入出力される情報および演算中の情報は図示しないメモリにその都度格納される。
ここで、図1では、実施の形態1を説明する上で必要な構成を記載している。描画装置100にとって、通常、必要なその他の構成を備えていても構わない。例えば、位置偏向用には、主偏向器208と副偏向器209の主副2段の多段偏向器を用いているが、1段の偏向器或いは3段以上の多段偏向器によって位置偏向を行なう場合であってもよい。
記憶装置140(記憶部)には、少なくとも1つの図形パターンから構成される複数のセルを有するチップのチップデータが、後述する転送処理工程(S102)によって外部より入力され、格納される。チップデータには、各図形パターンの形状、配置座標、およびサイズを示す各図形パターンデータが定義される。言い換えれば、チップデータには、複数の図形パターンを有するチップの各図形パターンの形状、配置座標、およびサイズを示す各図形パターンデータが定義される。
ここで、各図形パターンデータには、変調ドーズ率DMを識別する指標番号(識別子)を示す属性情報AIと、多重度値nを識別する指標番号(識別子)を示す属性情報AI’とが、それぞれ定義される。
図2は、実施の形態1における図形パターンの一例を示す図である。図2では、例えば、レイアウトデータ内に、複数の図形パターンA〜Kが配置される。そして、図形パターンA,Kと、図形パターンB〜E,G〜Jと、図形パターンFと、について、異なるドーズ量で描画したい場合がある。そのため、図形パターンA,Kに対する変調ドーズ率と、図形パターンB〜E,G〜Jに対する変調ドーズ率と、図形パターンFに対する変調ドーズ率とが、予め設定される。図2の例では、例えば、図形パターンA,Kの図形パターンデータには、属性情報AIとして「0」が定義される。図形パターンFの図形パターンデータには、属性情報AIとして「1」が定義される。図形パターンB〜E,G〜Jの図形パターンデータには、属性情報AIとして「2」が定義される。
さらに、例えば、図形パターンA,Kと、図形パターンB〜E,G〜Jと、図形パターンFと、について、異なる多重度で描画したい場合がある。そのため、図形パターンA,Kに対する多重度値nと、図形パターンB〜E,G〜Jに対する多重度値nと、図形パターンFに対する多重度値nとが、予め設定される。図2の例では、例えば、図形パターンA,Kの図形パターンデータには、属性情報AI’として「1」が定義される。図形パターンFの図形パターンデータには、属性情報AI’として「2」が定義される。図形パターンB〜E,G〜Jの図形パターンデータには、属性情報AI’として「0」が定義される。
図2の例では、図形パターンA,Kの組と、図形パターンB〜E,G〜Jの組と、図形パターンFの組とで、変調ドーズ率DMおよび多重度値nをそれぞれ設定しているが、これに限るものではない。変調ドーズ率DMと多重度値nは、図形パターン毎に定義されればよい。
図3は、実施の形態1における変調ドーズ表の一例を示す図である。図2に示すように、レイアウトデータ内の複数の図形パターンについて、図形毎に、変調ドーズ率に関する指標番号(識別子)が属性情報AIとして付与される。そして、変調ドーズ表は、図3に示すように、各指標番号に対するドーズ量変調量として、変調ドーズ率が定義される。図3では、例えば、属性情報AIが「0」の図形パターンについて、変調ドーズ率が100%と定義される。属性情報AIが「1」の図形パターンについて、変調ドーズ率が120%と定義される。属性情報AIが「2」の図形パターンについて、変調ドーズ率が130%と定義される。属性情報AIが「3」の図形パターンについて、変調ドーズ率が140%と定義される。かかる変調ドーズ表は、ドーズ変調率DMkと属性情報AI(識別子)との相関データを示す、ここでは、ドーズ変調率DMkは、百分率%で示している。比で定義しても構わないことは言うまでもない。かかる変調ドーズ表は、描画装置100にチップデータが入力される前に、描画装置外部にて図示しない変調ドーズ表作成ツールによって作成される。変調ドーズ表作成ツールは、ユーザ或いは補正ツール等で設定された変調ドーズ率の変調率データとそれぞれ対応する図形パターンの指標番号を入力し、対応させたデータを作成すればよい。或いは、かかる変調ドーズ表は、ユーザ等によって作成してもよい。
図4は、実施の形態1における多重度値表の一例を示す図である。図4に示すように、レイアウトデータ内の複数の図形パターンについて、図形毎に、多重度値に関する指標番号(識別子)が属性情報AI’として付与される。そして、多重度値表は、図4に示すように、各指標番号に対する多重度値nが定義される。図4では、例えば、属性情報AI’が「0」の図形パターンについて、多重度値nが1と定義される。属性情報AI’が「1」の図形パターンについて、多重度値nが2と定義される。属性情報AI’が「2」の図形パターンについて、多重度値nが4と定義される。属性情報AI’が「3」の図形パターンについて、多重度値nが6と定義される。n=1の場合、多重描画せずに1回の描画で終了することを示す。n=2の場合、2重描画を行うことを示す。以下、同様である。かかる多重度値表は、多重度値nkと属性情報AI’(識別子)との相関データを示す、かかる多重度値表は、描画装置100にチップデータが入力される前に、描画装置外部にて作成される。
記憶装置142(記憶部)には、外部で設定されたドーズ変調率DMkと属性情報AI(識別子)との相関データが外部より入力され、格納されている。また、記憶装置142(記憶部)には、外部で設定された多重度値nkと属性情報AI’(識別子)との相関データが外部より入力され、格納されている。ここで、kは、同じレイアウトデータ(チップデータ)を用いて、複数回の描画処理を行う際の描画処理の回数を示す。
図5は、実施の形態1におけるショット数マップ作成部の内部構成を示す概念図である。図5において、Nマップ作成部14内には、読込部30、ショット分割部32、及びNマップ作成処理部34が配置される。読込部30、ショット分割部32、及びNマップ作成処理部34といった機能は、電気回路等のハードウェアで構成されてもよいし、これらの機能を実行するプログラム等のソフトウェアで構成されてもよい。或いは、ハードウェアとソフトウェアの組み合わせにより構成されてもよい。読込部30、ショット分割部32、及びNマップ作成処理部34に入出力される情報および演算中の情報はメモリ112にその都度格納される。
図6は、実施の形態1における平均多重度値マップ作成部の内部構成を示す概念図である。図6において、naマップ作成部20内には、属性情報AI’毎のショット数N(AI’)マップ作成部50、取得部52、平均多重度値na演算部54、及び平均多重度値naマップ作成処理部56が配置される。N(AI’)マップ作成部50、取得部52、na演算部54、及びnaマップ作成処理部56といった機能は、電気回路等のハードウェアで構成されてもよいし、これらの機能を実行するプログラム等のソフトウェアで構成されてもよい。或いは、ハードウェアとソフトウェアの組み合わせにより構成されてもよい。N(AI’)マップ作成部50、取得部52、na演算部54、及びnaマップ作成処理部56に入出力される情報および演算中の情報はメモリ112にその都度格納される。
図7は、実施の形態1におけるドーズ変調面積密度マップ作成部の内部構成を示す概念図である。図7において、ドーズ変調面積密度ρ(DM)マップ作成部18内には、読込部60、属性情報AI毎の面積密度ρ(AI)演算部62、AI毎の面積密度ρ(AI)マップ作成部64、取得部66、ドーズ変調面積密度ρ(DM)演算部68、及びドーズ変調面積密度ρ(DM)マップ作成処理部69が配置される。読込部60、属性情報AI毎の面積密度ρ(AI)演算部62、AI毎の面積密度ρ(AI)マップ作成部64、取得部66、ドーズ変調面積密度ρ(DM)演算部68、及びドーズ変調面積密度ρ(DM)マップ作成処理部69といった機能は、電気回路等のハードウェアで構成されてもよいし、これらの機能を実行するプログラム等のソフトウェアで構成されてもよい。或いは、ハードウェアとソフトウェアの組み合わせにより構成されてもよい。読込部60、ρ(AI)演算部62、AI毎の面積密度ρ(AI)マップ作成部64、取得部66、ρ(DM)演算部68、及びρ(DM)マップ作成処理部69に入出力される情報および演算中の情報はメモリ112にその都度格納される。
図8は、実施の形態1における電子ビーム描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。図8において、実施の形態1における電子ビーム描画方法は、転送処理工程(S102)と、フォーマット検査工程(S104)と、面積密度ρマップ作成工程(S106)と、ドーズ変調面積密度ρ(DM)マップ作成工程(S108)と、ショット数Nマップ作成工程(S110)と、平均多重度値naマップ作成工程(S112)と、多重度変調ショット数N(na)マップ作成(S114)と、描画時間予測工程(S116)と、ショットデータ生成工程(S118)と、照射量演算工程(S120)と、描画工程(S122)という一連の工程を実施する。また、かかる工程のうち、転送処理工程(S102)から描画時間予測工程(S116)までの各工程は描画処理を開始する前の前処理として実施すると好適である。さらに、面積密度に関する、ρマップ作成工程(S106)とρ(DM)マップ作成工程(S108)との工程群と、描画時間予測に関する、Nマップ作成工程(S110)とnaマップ作成工程(S112)とN(na)マップ作成(S114)と描画時間予測工程(S116)との工程群と、はどちらを先に実施してもよい。
また、制御計算機110内の各機能の処理を図示しない複数のCPUと複数のメモリとにより実行する場合には、転送処理工程(S102)から描画時間予測工程(S116)までの各工程はパイプライン処理により実施されると好適である。各工程は、例えば、チップ領域を短冊状のストライプ領域(フレーム領域)或いは任意のサイズの複数のブロック領域に仮想分割して複数のデータ処理領域を設定し、それぞれのデータ処理領域毎に実施されると良い。例えば、第n番目(nは自然数)のデータ処理領域、第n+1番目のデータ処理領域、n+2番目のデータ処理領域、・・・n+7番目のデータ処理領域、・・・といった順に実行される。パイプライン処理では、各工程の順で同時に実施するデータ処理領域が1つずつずれるように各工程を実施する。
転送処理工程(S102)として、転送処理部10は、チップデータのうち、データ処理領域毎に、該当する図形パターンデータを図示しない外部の記憶装置から記憶装置140に転送する。なお、データ処理領域単位ではなく、チップ単位でデータ転送しても構わない。
フォーマット検査工程(S104)として、フォーマット検査部12は、転送された各データのフォーマットが描画装置100で入力可能なフォーマットで作成されているかどうかを検査する。未対応のフォーマットであれば、その後のデータ処理が実施困難となるので、ここで異常(未対応のフォーマット)を検出した場合には、データ処理を中止し、その結果を出力すればよい。出力は、図示しないモニタや警告ランプ等で表示すると好適である。或いは、データとして図示しない外部インターフェースを経由して出力してもよい。
面積密度ρマップ作成工程(S106)として、ρマップ作成部16は、図形パターンデータを読み込み、チップ領域を所定のサイズでメッシュ状に仮想分割した複数のメッシュ領域のメッシュ領域毎にパターン面積密度ρを演算する。チップ内は、複数のセルにより構成され、各セルは、少なくとも1つ以上の図形パターンにより構成される。そこで、例えば、セルをメッシュ状に分割したセル分割領域(メッシュ領域)毎に、セル分割領域に割り当てられるショット図形の面積を合計して、当該セル分割領域のパターン面積密度ρを演算する。さらに、チップを所定のサイズのメッシュ領域に分割したメッシュ領域毎に、配置されるセルのパターン面積密度ρをまとめることで、各メッシュ領域のパターン面積密度ρを算出すればよい。また、パターン面積密度ρを定義する際のメッシュ領域のサイズは、例えば、十μm程度が好適である。例えば、10〜20μm程度がより好適である。そして、ρマップ作成部16は、上述したチップを含む領域がメッシュ状の複数のメッシュ領域に仮想分割されたメッシュ領域毎に当該チップに関するρを定義したρマップを作成する。ρマップは、記憶装置144に格納される。
ドーズ変調面積密度ρ(DM)マップ作成工程(S108)として、ドーズ変調面積密度ρ(DM)マップ作成部18は、ドーズ変調率を用いて重み付けされたドーズ変調面積密度ρ(DM)を定義したドーズ変調面積密度ρ(DM)マップを作成する。
図9は、実施の形態1におけるドーズ変調面積密度ρ(DM)マップの作成方法の要部工程を示すフローチャート図である。図9では、属性情報AI値毎に対応付けされたドーズ変調率DM1を用いて第1回目の描画処理におけるドーズ変調面積密度ρ(DM)マップの作成方法の各工程を示している。そして、図9では、さらに、第1回目の描画処理に用いた同じレイアウトデータ(チップデータ)を用いて、属性情報AI値毎に対応付けされたドーズ変調率DM1をDM2に変更した場合の第2回目の描画処理におけるドーズ変調面積密度ρ(DM)マップの作成方法の各工程を示している。
図9において、第1回目の描画処理では、ρ(DM)マップの作成方法として、パターンデータ読み込み工程(S202)と、属性情報AI値毎の面積密度ρ(AI)演算工程(S204)と、属性情報AI値毎の面積密度ρ(AI)マップ作成工程(S206)と、ドーズ変調率DM1取得工程(S208)と、ドーズ変調率DM1によって重み付けされたドーズ変調面積密度ρ(DM1)演算工程(S210)と、ドーズ変調面積密度ρ(DM1)マップ作成工程(S212)と、いう一連の工程を実施する。
一方、第2回目の描画処理では、図9に示すように、ρ(DM)マップの作成方法として、ドーズ変調率DM2取得工程(S208)と、ドーズ変調率DM2によって重み付けされたドーズ変調面積密度ρ(DM2)演算工程(S210)と、ドーズ変調面積密度ρ(DM2)マップ作成工程(S212)と、いう一連の工程を実施する。
パターンデータ読み込み工程(S202)として、読込部60は、記憶装置140から該当するデータ処理領域の図形パターンデータを読み込む。
属性情報AI値毎の面積密度ρ(AI)演算工程(S204)として、面積密度ρ(AI)演算部62は、複数の図形パターンを有するチップの図形パターン毎に定義された、ドーズ変調率DMに関する属性情報AI毎に、当該チップを含む領域がメッシュ状の複数のメッシュ領域に仮想分割された各メッシュ領域に配置される図形パターンの面積密度ρ(AI)を演算する。実施の形態1では、同じメッシュ領域内に配置される複数の図形パターンが存在した際、属性情報AIの値が同じものだけをまとめて面積密度ρ(AI)を演算する。上述したように、チップ内は、複数のセルにより構成され、各セルは、少なくとも1つ以上の図形パターンにより構成される。そこで、例えば、セルをメッシュ状に分割したセル分割領域(メッシュ領域)毎に、セル分割領域に割り当てられる同じ属性情報AI値が定義されたショット図形の面積を合計して、属性情報AI毎に、当該セル分割領域のパターン面積密度ρを演算する。さらに、チップを所定のサイズのメッシュ領域に分割したメッシュ領域毎に、配置されるセルのパターン面積密度ρのうち同じ属性情報AI値が定義されたパターン面積密度ρをまとめることで、属性情報AI毎に、各メッシュ領域のパターン面積密度ρを算出すればよい。また、パターン面積密度ρを定義する際のメッシュ領域のサイズは、例えば、十μm程度が好適である。例えば、10〜20μm程度がより好適である。
属性情報AI値毎の面積密度ρ(AI)マップ作成工程(S206)として、面積密度ρ(AI)マップ作成部64は、属性情報AI毎に、各メッシュ領域に該当する図形パターンの面積密度ρ(AI)を定義した面積密度ρ(AI)マップを作成する。面積密度ρ(AI)マップは、記憶装置146に格納される。
図10は、実施の形態1における面積密度ρ(AI)マップの一例を示す概念図である。図10では、AI=0,1,2,3,・・・と、AI値毎に、面積密度ρ(AI)マップを作成することを示している。AI値毎に、面積密度ρ(AI)マップを作成し、記憶装置146に記憶しておくことで、AI値が対応付けられるドーズ変調率DMが変更になった場合でも、面積密度ρ(AI)マップはそのまま変更しないで済む。しかしながら、かかる面積密度ρ(AI)マップを作成せずに、ドーズ変調率DMによって重み付けされた面積密度ρ(DM)マップを作成してしまうと、AI値が対応付けられるドーズ変調率DMが次回以降の描画処理において変更になった場合、パターンデータ読み込み工程(S202)からやり直しとなってしまうことになる。
ドーズ変調率DM1取得工程(S208)として、取得部66は、記憶装置142に記憶されたAI−DM1データを参照し、AI値毎のドーズ変調率DM1を取得する。例えば、1回目の描画処理であれば、AI−DM1データを参照する。また、2回目の描画処理であれば、AI−DM2データを参照すればよい。
ドーズ変調率DM1によって重み付けされたドーズ変調面積密度ρ(DM1)演算工程(S210)として、ドーズ変調面積密度ρ(DM)演算部68は、属性情報AI毎の面積密度ρ(AI)マップを用いて、メッシュ領域毎に、各面積密度ρ(AI)マップの面積密度が属性情報に対応するドーズ変調率DM1によって重み付けされ面積密度マップ同士で加算されたドーズ変調面積密度ρ(DM1)を演算する。具体的には、属性情報AI毎の面積密度ρ(AI)マップの各メッシュ値(面積密度ρ(AI))に該当するドーズ変調率DM1を乗じる。そして、該当するドーズ変調率DM1を乗じた面積密度ρ(DM1)を同じメッシュ領域同士で加算する。これにより、同じメッシュ領域に対して、1つの面積密度ρ(DM1)が算出される。
ドーズ変調面積密度ρ(DM1)マップ作成工程(S212)として、ドーズ変調面積密度ρ(DM)マップ作成処理部69は、各メッシュ領域に該当する図形パターンの面積密度ρ(DM1)を定義した面積密度ρ(DM1)マップを作成する。面積密度ρ(DM1)マップは、記憶装置144に格納される。
そして、例えば、第2回目の描画処理では、記憶装置146に記憶された面積密度ρ(AI)マップを読み出して流用する。
ドーズ変調率DM2取得工程(S208)として、取得部66は、記憶装置142に記憶されたAI−DM2データを参照し、AI値毎のドーズ変調率DM2を取得する。
ドーズ変調率DM2によって重み付けされたドーズ変調面積密度ρ(DM2)演算工程(S210)として、ドーズ変調面積密度ρ(DM)演算部68は、属性情報AI毎の面積密度ρ(AI)マップを用いて、メッシュ領域毎に、各面積密度ρ(AI)マップの面積密度が属性情報に対応するドーズ変調率DM2によって重み付けされ面積密度マップ同士で加算されたドーズ変調面積密度ρ(DM2)を演算する。
ドーズ変調面積密度ρ(DM2)マップ作成工程(S212)として、ドーズ変調面積密度ρ(DM)マップ作成処理部69は、各メッシュ領域に該当する図形パターンの面積密度ρ(DM2)を定義した面積密度ρ(DM2)マップを作成する。面積密度ρ(DM2)マップは、記憶装置144に格納される。
以上のように、ドーズ変調面積密度ρ(DM)マップ作成部18は、第k回目(kは2以上の整数)の描画処理の際、第k回目よりも前の描画処理時に作成した属性情報AI毎の面積密度ρ(AI)マップを記憶装置146から読み出す。そして、読み出した属性情報AI毎の面積密度ρ(AI)マップを用いて、第k回目の描画処理用のドーズ変調面積密度ρ(DM)マップを作成する。このように、第2回目以降の描画処理では、記憶装置146に記憶された面積密度ρ(AI)マップを読み出して流用すれば、パターンデータ読み込み工程(S202)と、属性情報AI値毎の面積密度ρ(AI)演算工程(S204)と、属性情報AI値毎の面積密度ρ(AI)マップ作成工程(S206)と、の各工程を省くことができる。よって、第2回目の描画処理では、データ処理時間を大幅に短縮できる。かかるドーズ変調面積密度ρ(DM)は、後述するように、描画を行う際の照射量の補正に使用されると好適である。
ここで、描画装置100で図形パターンを描画するためには、1回のビームのショットで照射できるサイズにチップデータに定義された各図形パターンを分割する必要がある。そこで、まず、制御計算機110にて、かかるチップを描画する場合のショット数を演算により見積もる。そして、演算されたショット数を用いてかかるチップを描画する際にかかる描画時間を予測する。
図11は、実施の形態1における描画時間予測方法の要部工程を示すフローチャート図である。描画時間を予測する際には、ショット数Nマップ作成工程(S110)と、平均多重度値naマップ作成工程(S112)と、多重度変調ショット数N(na)マップ作成(S114)と、描画時間予測工程(S116)との各工程を実施することになる。そして、ショット数Nマップ作成工程(S110)の内部工程として、パターンデータ読み込み工程(S302)と、ショット分割処理工程(S304)と、ショット数Nマップ作成処理工程(S306)の各工程を実施する。平均多重度値naマップ作成工程(S112)は、第1回目の描画処理において、その内部工程として、属性情報AI’値毎のショット数N(AI’)マップ作成工程(S312)と、多重度値n1取得工程(S314)と、平均多重度値na演算工程(S316)と、平均多重度値naマップ作成処理工程(S318)という一連の工程を実施する。また、平均多重度値naマップ作成工程(S112)は、第2回目の描画処理において、その内部工程として、多重度値n2取得工程(S314)と、平均多重度値na演算工程(S316)と、平均多重度値naマップ作成処理工程(S318)という一連の工程を実施する。
ショット数Nマップ作成工程(S110)として、ショット数Nマップ作成部14は、当該チップを含む領域がメッシュ状の複数のメッシュ領域に仮想分割された各メッシュ領域に配置される図形パターンを描画するための電子ビーム200のショット数Nを定義したショット数Nマップを作成する。具体的には、以下のように動作する。
まず、パターンデータ読み込み工程(S302)として、読込部30は、記憶装置140から該当するデータ処理領域の図形パターンデータを読み込む。
ショット分割処理工程(S304)として、ショット分割部32は、複数の図形パターンを有するチップを含む領域がメッシュ状の複数のメッシュ領域に仮想分割されたメッシュ領域毎に当該チップに関するショット数を演算する。チップ内は、上述したように、複数のセルにより構成され、各セルは、少なくとも1つ以上の図形パターンにより構成される。そこで、まず、チップデータ内の各図形パターンデータを入力し、図形パターン毎に、電子ビーム200による1回のショットで照射可能なサイズで図形パターンを複数のショット図形に分割する。これにより、当該図形パターンのショット数が算出される。そして、セル毎に、配置される図形パターンのショット数をまとめて、セル毎のショット数が算出される。さらに、チップを所定のサイズのメッシュ領域に分割したメッシュ領域毎に、配置されるセルのショット数をまとめることで、各メッシュ領域のショット数を算出すればよい。
ショット数Nマップ作成処理工程(S306)として、Nマップ作成処理部34は、上述したチップを含む領域がメッシュ状の複数のメッシュ領域に仮想分割されたメッシュ領域毎にショット数Nを定義したショット数Nマップを作成する。Nマップは、記憶装置144に格納される。
次に、平均多重度値naマップ作成工程(S112)として、naマップ作成部20は、メッシュ領域毎に、ショット数の割合によって重み付けされた多重度値マップを作成する。naマップ作成部20は、多重度値マップ作成部の一例である。具体的には以下のように動作する。
属性情報AI’値毎のショット数N(AI’)マップ作成工程(S312)として、ショット数N(AI’)マップ作成部50は、チップの図形パターン毎に定義された、多重描画のための多重度値n(パス数)に関する属性情報AI’毎に、当該チップを含む領域がメッシュ状の複数のメッシュ領域に仮想分割された各メッシュ領域に配置される図形パターンを描画するための電子ビームのショット数を定義したショット数N(AI’)マップを作成する。属性情報AI’毎のショット数N(AI’)マップは、記憶装置146に格納される。
図12は、実施の形態1におけるショット数N(AI’)マップの一例を示す概念図である。図12では、AI’=0,1,2,3,・・・と、AI’値毎に、ショット数N(AI’)マップを作成することを示している。AI’値毎に、ショット数N(AI’)マップを作成し、記憶装置146に記憶しておくことで、AI’値が対応付けられる多重度値nが変更になった場合でも、ショット数N(AI’)マップはそのまま変更しないで済む。しかしながら、かかるショット数N(AI’)マップを作成せずに、多重度値nによって重み付けされた多重度変調ショット数N(na)マップを作成してしまうと、AI’値が対応付けられる多重度値nが次回以降の描画処理において変更になった場合、パターンデータ読み込み工程(S302)からやり直しとなってしまうことになる。
多重度値n1取得工程(S314)として、取得部52は、記憶装置142に記憶されたAI’−n1データを参照し、AI’値毎の多重度値n1を取得する。例えば、1回目の描画処理であれば、AI’−n1データを参照する。また、2回目の描画処理であれば、AI’−n2データを参照すればよい。
平均多重度値na演算工程(S316)として、平均多重度値na演算部54は、属性情報AI’毎のショット数N(AI’)マップを用いて、メッシュ領域毎に、各ショット数N(AI’)マップの属性情報AI’に対応する多重度値nがすべてのショット数N(AI’)マップのショット数に対する当該ショット数マップのショット数の割合によって重み付けされショット数マップ同士で加算された多重度値(実施の形態1では、平均多重度値naという)を演算する。例えば、同じメッシュ領域内に、j種類の多重度nkiの図形パターンが混在する場合を想定する。また、j種類の多重度nkiの図形パターンのそれぞれのショット数をNiとする。かかる場合、平均多重度値naは、次の式(1)で定義できる。なお、式(1)において、iは、1からjまでの値をとる。kは、描画回数を示す。
(1) na=Σ{(nki×Ni)/ΣNi}
(1) na=Σ{(nki×Ni)/ΣNi}
平均多重度値naマップ作成処理工程(S318)として、平均多重度値naマップ作成処理部56は、各メッシュ領域に演算された平均多重度値naを定義した平均多重度値naマップ(多重度値マップの一例)を作成する。作成された平均多重度値naマップは、記憶装置146に格納される。
多重度変調ショット数N(na)マップ作成(S114)として、多重度変調ショット数N(na)マップ作成部22は、記憶装置144からNマップとnaマップを読み出し、メッシュ領域毎に、NマップのN値とnaマップのna値を乗じた多重度変調ショット数N(na)を演算する。そして、各メッシュ領域に演算された多重度変調ショット数N(na)を定義した多重度変調ショット数N(na)マップを作成する。作成された多重度変調ショット数N(na)マップは、記憶装置146に格納される。
描画時間予測工程(S116)として、描画時間予測部24は、多重度値マップのメッシュ値に基づいた多重度変調ショット数N(na)マップを用いて試料101に複数の図形パターンを描画する描画時間を予測する。具体的には、得られた多重度変調ショット数N(na)に基づいて、当該チップを描画するための描画時間を予測する。描画時間予測部24は、例えば、以下の式(2)を用いて、試料101にチップを描画するための総描画時間Tesを算出する。
(2) Tes=α1・N(na)total+β1
(2) Tes=α1・N(na)total+β1
ここで、N(na)totalは、N(na)マップのすべてのメッシュ領域の値を合計した値を示す。言い換えれば、対象チップを描画する際の総ショット数となる。係数α1は、1ショットあたりに必要な時間(ショットサイクル)を示す。例えば、必要なドーズDを得るための時間t1と電子ビーム200を偏向させるための時間t2(セトリングタイム)の和で示すことができる。また、電流密度をJとすると、例えば、t1=D/Jで示すことができる。また、係数β1は、1つのストライプ領域を描画した後に、次のストライプ領域の描画開始位置にXYステージ105が移動する際に必要な時間の総和を示す。これらの係数α1,β1は、予めパラメータとして設定しておけばよい。
以上のように図形パターン毎に変化する多重度値nを考慮した高精度なショット数で描画時間を予測することで、より高精度な描画時間を予測することができる。予測された描画時間は出力される。例えば、図示しないモニタ、プリンタ、記憶装置、或いは外部に出力され、ユーザに認識させることができる。
そして、例えば、第2回目の描画処理では、平均多重度値naマップ作成工程(S112)において、記憶装置146に記憶されたショット数N(AI’)マップを読み出して流用する。
多重度値n2取得工程(S314)として、取得部52は、記憶装置142に記憶されたAI’−n2データを参照し、AI’値毎の多重度値n2を取得する。
平均多重度値na演算工程(S316)として、平均多重度値na演算部54は、属性情報AI’毎のショット数N(AI’)マップを用いて、第2回目の描画処理用の平均多重度値naを演算する。演算方法は、第1回目の描画処理の際と同様である。
平均多重度値naマップ作成処理工程(S318)として、平均多重度値naマップ作成処理部56は、各メッシュ領域に演算された平均多重度値naを定義した平均多重度値naマップ(多重度値マップの一例)を作成する。作成された平均多重度値naマップは、記憶装置146に格納される。
多重度変調ショット数N(na)マップ作成(S114)として、多重度変調ショット数N(na)マップ作成部22は、記憶装置144からNマップと第2回目の描画処理用のnaマップを読み出し、メッシュ領域毎に、多重度変調ショット数N(na)を演算する。そして、各メッシュ領域に演算された多重度変調ショット数N(na)を定義した第2回目の描画処理用の多重度変調ショット数N(na)マップを作成する。作成された多重度変調ショット数N(na)マップは、記憶装置146に格納される。
描画時間予測工程(S116)として、描画時間予測部24は、多重度値マップのメッシュ値に基づいた多重度変調ショット数N(na)マップを用いて試料101に複数の図形パターンを描画する描画時間を予測する。
以上のように、平均多重度値naマップ作成部20は、第k回目(kは2以上の整数)の描画処理の際、第k回目よりも前の描画処理時に作成した属性情報AI’毎のショット数N(AI’)マップを記憶装置146から読み出す。そして、読み出した属性情報AI’毎のショット数N(AI’)マップを用いて、第k回目の描画処理用の平均多重度値naマップを作成する。このように、第2回目以降の描画処理では、記憶装置146に記憶されたショット数N(AI’)マップを読み出して流用すれば、パターンデータ読み込み工程(S302)と、ショット分割処理工程(S304)と、属性情報AI’値毎のショット数N(AI’)マップ作成工程(S312)と、の各工程を省くことができる。よって、第2回目の描画処理では、データ処理時間を大幅に短縮できる。
そして、対象となる描画回数目の描画時間予測を行った後、かかるチップについて実際に描画処理を進めていく。
電子ビームで描画する際、チップ領域は、例えばy方向に向かって所定の幅で短冊状の複数のストライプ領域に分割される。そして、ストライプ領域単位で描画処理が進められる。そして、試料101に描画する場合には、XYステージ105を例えばX方向に連続移動させながら、描画(露光)面を電子ビーム200が偏向可能な短冊状の複数のストライプ領域に仮想分割された試料101の1つのストライプ領域上を電子ビーム200が照射する。XYステージ105のX方向の移動は、連続移動とし、同時に電子ビーム200のショット位置もステージ移動に追従させる。連続移動させることで描画時間を短縮させることができる。そして、1つのストライプ領域を描画し終わったら、XYステージ105をY方向にステップ送りしてX方向(今度は逆向き)に次のストライプ領域の描画開始位置まで戻る。そして、そこから次のストライプ領域の描画動作を行なう。このように、フォワード(Fwd)−フォワード(Fwd)移動で描画動作を行なっていく。フォワード(Fwd)−フォワード(Fwd)で進めることでステージ系の行きと戻りの間で生じ得る位置ずれを回避することができる。ただし、1つのストライプ領域を描画し終わったら、XYステージ105をY方向にステップ送りしてX方向(今度は逆向き)に次のストライプ領域の描画動作を行なうフォワード(Fwd)−バックフォワード(Bwd)移動でも構わない。この場合には、各ストライプ領域の描画動作を蛇行させるように進めることでXYステージ105の移動時間を短縮することができる。
ショットデータ生成工程(S118)として、ショットデータ生成部40は、記憶装置140からチップデータを読み出し、複数段のデータ変換処理を行って、装置固有のショットデータを生成する。上述したように、描画装置100で図形パターンを描画するためには、1回のビームのショットで照射できるサイズに描画データに定義された各図形パターンを分割する必要がある。そこで、ショットデータ生成部40は、実際に描画するために、各図形パターンを1回のビームのショットで照射できるサイズに分割してショット図形を生成する。そして、ショット図形毎にショットデータを生成する。ショットデータには、例えば、図形種、図形サイズ、及び照射位置といった図形データが定義される。生成されたショットデータは、記憶装置148に記憶される。
また、一方で、照射量演算工程(S120)として、照射量演算部42は、ドーズ変調面積密度ρ(DM)マップを用いて図形パターンの寸法変動を補正すると共に、さらにドーズ変調率DMによってドーズ変調された電子ビームの照射量Dを演算する。補正係数として、例えば、近接効果の補正を行うための近接効果補正照射係数Dp’(x)を用いると好適である。近接効果補正照射係数Dp’(x)は、以下の式(3)を解くことで求めることができる。かかる近接効果補正照射係数Dp’(x)を求めるにあたって、ドーズ変調面積密度ρ(DM)マップを用いる。ドーズ変調面積密度ρ(DM:x)は、位置xにおけるドーズ変調面積密度ρ(DM)を示す。位置xは、単に2次元のうちのx方向を示すわけではなく、ベクトルを示すものとする(以下、同様である)。
ここで、gp(x)は、近接効果における分布関数(後方散乱影響関数)を示す。ここでは、描画対象となるチップのチップ領域をメッシュ状の複数のメッシュ領域(メッシュ1:第1のメッシュ領域)に仮想分割して、メッシュ領域(メッシュ1)毎に演算される。メッシュ領域(メッシュ1)のサイズ(第1のサイズ)は、例えば、近接効果の影響半径の1/10よりも数倍程度大きい値が好適である。例えば、5〜10μm程度が好適である。これにより、近接効果の影響半径の1/10程度のメッシュサイズのメッシュ領域毎に行われる詳細な近接効果補正演算に比べて演算回数を低減できる。ひいては高速演算が可能となる。
そして、各位置でビームをショットする際の照射量D(x)は、基準照射量DB’、近接効果補正照射係数Dp’(x)、ドーズ変調率DM、及び多重度n(x)を用いて、以下の式(4)で求めることができる。
式(4)により、近接効果に起因する寸法変動を補正すると共に、さらに外部から入力されたドーズ変調量によってドーズ変調された電子ビームの照射量を演算できる。また、補正係数として、その他、かぶり効果、或いは/及びローディング効果について追加するとさらに補正精度が向上し、好適である。生成された照射量マップは、記憶装置148に記憶される。
描画工程(S122)として、描画処理部44は、制御回路130に描画処理を行うように制御信号を出力する。制御回路130は、記憶装置146からショットデータと照射量マップを入力し、描画処理部44から制御信号に従って描画部150を制御し、描画部150は、電子ビーム200を用いて試料101にチップデータに定義された複数の図形パターンを描画する。具体的には、以下のように動作する。
電子銃201(放出部)から放出された電子ビーム200は、照明レンズ202により矩形例えば長方形の穴を持つ第1のアパーチャ203全体を照明する。ここで、電子ビーム200をまず矩形例えば長方形に成形する。そして、第1のアパーチャ203を通過した第1のアパーチャ像の電子ビーム200は、投影レンズ204により第2のアパーチャ206上に投影される。偏向器205によって、かかる第2のアパーチャ206上での第1のアパーチャ像は偏向制御され、ビーム形状と寸法を変化させる(可変成形させる)ことができる。そして、第2のアパーチャ206を通過した第2のアパーチャ像の電子ビーム200は、対物レンズ207により焦点を合わせ、主偏向器208及び副偏向器209によって偏向され、連続的に移動するXYステージ105に配置された試料101の所望する位置に照射される。図1では、位置偏向に、主副2段の多段偏向を用いた場合を示している。かかる場合には、主偏向器208でストライプ領域をさらに仮想分割したサブフィールド(SF)の基準位置にステージ移動に追従しながら該当ショットの電子ビーム200を偏向し、副偏向器209でSF内の各照射位置にかかる該当ショットのビームを偏向すればよい。
実施の形態1によれば、2回目以降の描画処理におけるデータ処理時間を低減できる。その結果、描画時間を短縮できる。
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、外部から入力されるドーズ変調を行わない場合には、照射量の計算に本来のρマップを用いればよい。また、外部から入力されるドーズ変調を行う際には、上述した面積密度ρマップ作成工程(S106)およびρマップ作成部16は省略しても構わない。
また、上述した例では、描画装置100内で、属性情報毎の面積密度ρ(AI)マップを作成したが、これに限るものではない。オフラインにおいて、属性情報毎の面積密度ρ(AI)マップを作成しておいてもよい。かかる場合、描画装置100において、第1回目の描画処理の時からデータ処理時間を短縮できる。よって、ドーズ変調面積密度ρ(DM)マップを作成し、出力するまでの面積密度データの作成方法の各工程は、描画装置100内外を問わず、実施する場合でもよい。
また、同様に、上述した例では、描画装置100内で、属性情報毎のショット数N(AI’)マップを作成したが、これに限るものではない。オフラインにおいて、属性情報毎のショット数N(AI’)マップを作成しておいてもよい。かかる場合、描画装置100において、第1回目の描画処理の時からデータ処理時間を短縮できる。よって、多重度変調ショット数N(na)マップを作成し、出力するまでのショット数データの作成方法の各工程は、描画装置100内外を問わず、実施する場合でもよい。
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置100を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電粒子ビーム描画装置、描画方法、面積密度データの作成方法及びショット数データの作成方法は、本発明の範囲に包含される。
10 転送処理部
12 フォーマット検査部
14 Nマップ作成部
16 ρマップ作成部
18 ρ(DM)マップ作成部
20 naマップ作成部
22 N(na)マップ作成部
24 描画時間予測部
30,60 読込部
32 ショット分割部
34 Nマップ作成処理部
50 N(AI’)マップ作成部
52,66 取得部
54 na演算部
56 naマップ作成処理部
62 ρ(AI)演算部
64 ρ(AI)マップ作成部
68 ρ(DM)演算部
69 ρ(DM)マップ作成処理部
100 描画装置
101,340 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110,120 制御計算機
112 メモリ
130 制御回路
140,142,144,146,148 記憶装置
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203,410 第1のアパーチャ
204 投影レンズ
205 偏向器
206,420 第2のアパーチャ
207 対物レンズ
208 主偏向器
209 副偏向器
330 電子線
411 開口
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
12 フォーマット検査部
14 Nマップ作成部
16 ρマップ作成部
18 ρ(DM)マップ作成部
20 naマップ作成部
22 N(na)マップ作成部
24 描画時間予測部
30,60 読込部
32 ショット分割部
34 Nマップ作成処理部
50 N(AI’)マップ作成部
52,66 取得部
54 na演算部
56 naマップ作成処理部
62 ρ(AI)演算部
64 ρ(AI)マップ作成部
68 ρ(DM)演算部
69 ρ(DM)マップ作成処理部
100 描画装置
101,340 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110,120 制御計算機
112 メモリ
130 制御回路
140,142,144,146,148 記憶装置
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203,410 第1のアパーチャ
204 投影レンズ
205 偏向器
206,420 第2のアパーチャ
207 対物レンズ
208 主偏向器
209 副偏向器
330 電子線
411 開口
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
Claims (5)
- 複数の図形パターンを有するチップの図形パターン毎に定義された、ドーズ変調率に関する属性情報毎に、当該チップを含む領域がメッシュ状の複数のメッシュ領域に仮想分割された各メッシュ領域に配置される図形パターンの面積密度を定義した、属性情報毎の面積密度マップを作成する面積密度マップ作成部と、
前記属性情報毎の面積密度マップを記憶する記憶部と、
前記属性情報毎の面積密度マップを用いて、メッシュ領域毎に、各面積密度マップの面積密度が前記属性情報に対応するドーズ変調率によって重み付けされ面積密度マップ同士で加算されたドーズ変調面積密度を定義したドーズ変調面積密度マップを作成するドーズ変調面積密度マップ作成部と、
前記ドーズ変調面積密度マップを用いて図形パターンの寸法変動を補正すると共に、さらに前記ドーズ変調率によってドーズ変調された荷電粒子ビームの照射量を演算する照射量演算部と、
荷電粒子ビームを用いて試料に前記複数の図形パターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記ドーズ変調面積密度マップ作成部は、第k回目(kは2以上の整数)の描画処理の際、第k回目よりも前の描画処理時に作成した前記属性情報毎の面積密度マップを前記記憶部から読み出し、読み出した前記属性情報毎の面積密度マップを用いて、前記ドーズ変調面積密度マップを作成することを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 複数の図形パターンを有するチップの図形パターン毎に定義された、ドーズ変調率に関する属性情報毎に、当該チップを含む領域がメッシュ状の複数のメッシュ領域に仮想分割された各メッシュ領域に配置される図形パターンの面積密度を定義した属性情報毎の面積密度マップを作成する工程と、
作成された前記属性情報毎の面積密度マップを記憶装置に記憶する工程と、
前記属性情報毎の面積密度マップを用いて、メッシュ領域毎に、各面積密度マップの面積密度が前記属性情報に対応するドーズ変調率によって重み付けされ面積密度マップ同士で加算されたドーズ変調面積密度を定義したドーズ変調面積密度マップを作成し、出力する工程と、
を備えたことを特徴とする面積密度データの作成方法。 - 複数の図形パターンを有するチップの図形パターン毎に定義された、多重描画のための多重度値(パス数)に関する属性情報毎に、当該チップを含む領域がメッシュ状の複数のメッシュ領域に仮想分割された各メッシュ領域に配置される図形パターンを描画するための荷電粒子ビームのショット数を定義した、属性情報毎のショット数マップを作成するショット数マップ作成部と、
前記属性情報毎のショット数マップを記憶する記憶部と、
前記属性情報毎のショット数マップを用いて、メッシュ領域毎に、各ショット数マップの前記属性情報に対応する多重度値がすべてのショット数マップのショット数に対する当該ショット数マップのショット数の割合によって重み付けされショット数マップ同士で加算された多重度値マップを作成する多重度値マップ作成部と、
前記多重度値マップのメッシュ値に基づいて試料に前記複数の図形パターンを描画する描画時間を予測する描画時間予測部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 複数の図形パターンを有するチップの図形パターン毎に定義された、多重描画のための多重度値(パス数)に関する属性情報毎に、当該チップを含む領域がメッシュ状の複数のメッシュ領域に仮想分割された各メッシュ領域に配置される図形パターンを描画するための荷電粒子ビームのショット数を定義したショット数マップを作成する工程と、
作成された属性情報毎のショット数マップを記憶装置に記憶する工程と、
前記属性情報毎のショット数マップを用いて、メッシュ領域毎に、各ショット数マップの前記属性情報に対応する多重度値がすべてのショット数マップのショット数に対する当該ショット数マップのショット数の割合によって重み付けされショット数マップ同士で加算された多重度値マップを作成し、出力する工程と、
を備えたことを特徴とするショット数データの作成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012274994A JP2014120630A (ja) | 2012-12-17 | 2012-12-17 | 荷電粒子ビーム描画装置、面積密度データの作成方法及びショット数データの作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2012274994A JP2014120630A (ja) | 2012-12-17 | 2012-12-17 | 荷電粒子ビーム描画装置、面積密度データの作成方法及びショット数データの作成方法 |
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JP2014120630A true JP2014120630A (ja) | 2014-06-30 |
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JP2012274994A Pending JP2014120630A (ja) | 2012-12-17 | 2012-12-17 | 荷電粒子ビーム描画装置、面積密度データの作成方法及びショット数データの作成方法 |
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JP (1) | JP2014120630A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016201472A (ja) * | 2015-04-10 | 2016-12-01 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
-
2012
- 2012-12-17 JP JP2012274994A patent/JP2014120630A/ja active Pending
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