JP2016184671A - マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
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Abstract
Description
マルチ荷電粒子ビームを用いてk(kは2以上の整数)パス以上の多重描画を行う場合におけるビームの照射位置毎に、n(nは2以上の整数)ビットで定義されたkパス分の第1の照射時間データを入力し、kパス分の第1の照射時間データを予め設定された合計がnビットになる異なるビット数のk個の第2の照射時間データに分割する分割部と、
k個の第2の照射時間データに使用されるビット数に基づいて定まるk個の分解能情報を記憶する記憶部と、
kパスのパス毎に、マルチ荷電粒子ビームの当該ビーム用のk個の第2の照射時間データのうちの対応する第2の照射時間データを転送するデータ転送処理部と、
kパスのパス毎に、k個の分解能情報のうちの対応する分解能情報を転送する分解能情報転送処理部と、
kパスのパス毎に、転送された第2の照射時間データと分解能情報とを入力し、入力された分解能情報と第2の照射時間データとを用いて当該パスでのマルチ荷電粒子ビームの対応ビームの照射時間を演算する照射時間演算部と、
kパスのパス毎に、演算された照射時間の対応ビームを含むマルチ荷電粒子ビームを用いて試料にパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。
k個の第2の照射量データのうち、使用されるビット数が多い方に、残りの照射時間を定義すると好適である。
試料を載置し、移動可能なステージを有し、
描画部は、ステージを移動させながら試料を描画し、
k個の第2の照射時間データのうち、多いビット数の第2の照射時間データを用いるパスでのステージの移動速度は、少ないビット数の第2の照射時間データを用いるパスよりも遅くするように制御されると好適である。
分割部は、同じ向きのkパス分の第1の照射時間データを合計がnビットになる異なるビット数のk個の第2の照射時間データに分割すると共に、逆向きのkパス分の第1の照射時間データを合計がnビットになる異なるビット数のk個の第2の照射時間データに分割し、
描画部は、同じ向きのkパスと、逆向きのkパスとが、1パス毎に交互に実行される描画順序で描画すると好適である。
マルチ荷電粒子ビームを用いてk(kは2以上の整数)パス以上の多重描画を行う場合におけるビームの照射位置毎に、n(nは2以上の整数)ビットで定義されたkパス分の第1の照射時間データを入力し、kパス分の第1の照射時間データを予め設定された合計がnビットになる異なるビット数のk個の第2の照射時間データに分割する工程と、
kパスのパス毎に、マルチ荷電粒子ビームの当該ビーム用のk個の第2の照射時間データのうちの対応する第2の照射時間データを転送する工程と、
kパスのパス毎に、記憶装置に記憶されるk個の第2の照射時間データに使用されるビット数に基づいて定まるk個の分解能情報のうちの対応する分解能情報を転送する工程と、
kパスのパス毎に、転送された第2の照射時間データと分解能情報とを入力し、入力された分解能情報と第2の照射時間データとを用いて当該パスでのマルチ荷電粒子ビームの対応ビームの照射時間を演算する工程と、
kパスのパス毎に、演算された照射時間の対応ビームを含むマルチ荷電粒子ビームを用いて試料にパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、マルチ荷電粒子ビーム描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、成形アパーチャアレイ部材203、ブランキングアパーチャアレイ部204、縮小レンズ205、制限アパーチャ部材206、対物レンズ207、及び偏向器208が配置されている。描画室103内には、XYステージ105が配置される。XYステージ105上には、描画時には描画対象基板となるマスクブランクス等の試料101が配置される。試料101には、半導体装置を製造する際の露光用マスク、或いは、半導体装置が製造される半導体基板(シリコンウェハ)等が含まれる。XYステージ105上には、さらに、XYステージ105の位置測定用のミラー210が配置される。
図4は、実施の形態1におけるブランキングアパーチャアレイ部のメンブレン領域内の構成の一部を示す上面概念図である。なお、図3と図4において、制御電極24と対向電極26と制御回路41,43の位置関係は一致させて記載していない。ブランキングアパーチャアレイ部204は、図3に示すように、支持台33上にシリコン等からなる半導体基板31が配置される。基板31の中央部は、例えば裏面側から薄く削られ、薄い膜厚hのメンブレン領域30(第1の領域)に加工されている。メンブレン領域30を取り囲む周囲は、厚い膜厚Hの外周領域32(第2の領域)となる。メンブレン領域30の上面と外周領域32の上面とは、同じ高さ位置、或いは、実質的に高さ位置になるように形成される。基板31は、外周領域32の裏面で支持台33上に保持される。支持台33の中央部は開口しており、メンブレン領域30の位置は、支持台33の開口した領域に位置している。
(1) v=(D’/J)・(1/N)/(2n)
図10は、実施の形態1の説明を補足する図の他の一例である。
図11は、実施の形態1の説明を補足する図の他の一例である。
図9〜図11は、上述した実施の形態1で説明した一例を理解しやすいように視覚的に補足した図である。図9〜図11に示すように、分解能パラメータが大きい1パス目の粗性能描画と、分解能パラメータが小さい2パス目の高性能描画と、組み合わせることで、2パス分の結果として高い照射時間分解能vで描画できる。高い照射時間分解能vで描画できれば、照射量誤差を低減できる。
22 穴
24 制御電極
25 通過孔
26 対向電極
30 メンブレン領域
31 基板
32 外周領域
33 支持台
34 照射領域
35 ストライプ領域
41 制御回路
47 個別ブランキング機構
50 t0演算部50
52 tkデータ生成部
54 データ分割部
56 データ転送処理部
58 分解能情報転送処理部
60 描画制御部
70 データ受信部
72 分解能情報受信部
74 照射時間演算部
76 偏向制御部
100 描画装置
101 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110 制御計算機
112 メモリ
120 偏向制御回路
139 ステージ位置検出器
140,142,144 記憶装置
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203 成形アパーチャアレイ部材
204 ブランキングアパーチャアレイ部
205 縮小レンズ
206 制限アパーチャ部材
207 対物レンズ
208 偏向器
210 ミラー
Claims (5)
- マルチ荷電粒子ビームを用いてk(kは2以上の整数)パス以上の多重描画を行う場合におけるビームの照射位置毎に、n(nは2以上の整数)ビットで定義されたkパス分の第1の照射時間データを入力し、前記kパス分の第1の照射時間データを予め設定された合計がnビットになる異なるビット数のk個の第2の照射時間データに分割する分割部と、
前記k個の第2の照射時間データに使用されるビット数に基づいて定まるk個の分解能情報を記憶する記憶部と、
前記kパスのパス毎に、前記マルチ荷電粒子ビームの当該ビーム用の前記k個の第2の照射時間データのうちの対応する第2の照射時間データを転送するデータ転送処理部と、
前記kパスのパス毎に、前記k個の分解能情報のうちの対応する分解能情報を転送する分解能情報転送処理部と、
前記kパスのパス毎に、転送された第2の照射時間データと分解能情報とを入力し、入力された分解能情報と前記第2の照射時間データとを用いて当該パスでの前記マルチ荷電粒子ビームの対応ビームの照射時間を演算する照射時間演算部と、
前記kパスのパス毎に、演算された照射時間の前記対応ビームを含むマルチ荷電粒子ビームを用いて試料にパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記k個の第2の照射時間データのうち、使用されるビット数が少ない方に、分解能が所望の値以内になる照射時間を定義し、
前記k個の第2の照射量データのうち、使用されるビット数が多い方に、残りの照射時間を定義することを特徴とする請求項1記載のマルチ荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記描画部は、
前記試料を載置し、移動可能なステージを有し、
前記描画部は、前記ステージを移動させながら前記試料を描画し、
前記k個の第2の照射時間データのうち、多いビット数の第2の照射時間データを用いるパスでの前記ステージの移動速度は、少ないビット数の第2の照射時間データを用いるパスよりも遅くするように制御されることを特徴とする請求項1又は2記載のマルチ荷電粒子ビーム描画装置。 - 描画方向が同じ向きの前記kパス分の第1の照射時間データと、描画方向が逆向きの前記kパス分の第1の照射時間データと、を生成する照射時間データ生成部をさらに備え、
前記分割部は、前記同じ向きの前記kパス分の第1の照射時間データを合計がnビットになる異なるビット数のk個の第2の照射時間データに分割すると共に、前記逆向きの前記kパス分の第1の照射時間データを合計がnビットになる異なるビット数のk個の第2の照射時間データに分割し、
前記描画部は、前記同じ向きのkパスと、前記逆向きのkパスとが、1パス毎に交互に実行される描画順序で描画することを特徴とする請求項1〜3いずれか記載のマルチ荷電粒子ビーム描画装置。 - マルチ荷電粒子ビームを用いてk(kは2以上の整数)パス以上の多重描画を行う場合におけるビームの照射位置毎に、n(nは2以上の整数)ビットで定義されたkパス分の第1の照射時間データを入力し、前記kパス分の第1の照射時間データを予め設定された合計がnビットになる異なるビット数のk個の第2の照射時間データに分割する工程と、
前記kパスのパス毎に、前記マルチ荷電粒子ビームの当該ビーム用の前記k個の第2の照射時間データのうちの対応する第2の照射時間データを転送する工程と、
前記kパスのパス毎に、記憶装置に記憶される前記k個の第2の照射時間データに使用されるビット数に基づいて定まるk個の分解能情報のうちの対応する分解能情報を転送する工程と、
前記kパスのパス毎に、転送された第2の照射時間データと分解能情報とを入力し、入力された分解能情報と前記第2の照射時間データとを用いて当該パスでの前記マルチ荷電粒子ビームの対応ビームの照射時間を演算する工程と、
前記kパスのパス毎に、演算された照射時間の前記対応ビームを含むマルチ荷電粒子ビームを用いて試料にパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
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