JP2005195787A

JP2005195787A - パターン描画装置及びパターン描画方法ならびにそのプログラム、フォトマスクとその製造方法および半導体集積回路とその製造方法

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Publication number: JP2005195787A
Application number: JP2004001135A
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Inventors: Jun Kotani; 潤小谷
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Priority date: 2004-01-06
Filing date: 2004-01-06
Publication date: 2005-07-21
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Abstract

【課題】回路パターンの描画されたフォトマスクブランクスの製造過程における近接効果やローディング効果の補正を施す際に、電子計算機にかかる計算処理の負荷を軽減することで当該計算処理にかかる時間を短縮することができ、また露光量の調節によって近接効果とローディング効果の補正を適切に行うことが出来る回路パターンのパターン描画装置を提供する。
【解決手段】分割処理部２３が回路パターンを分割し、影響度マップ作成部２４が影響度マップを作成する。そして、近接効果影響値算出部２５が近接効果影響値を算出し、ローディング効果補正量算出部２６がローディング効果補正量を算出する。また露光量算出手段が、マイクロローディング効果小区画ごとに露光量を算出する。
【選択図】図２

Description

本発明は、コンピュータシステムに係わり、特に回路パターンをフォトマスクに描画するパターン描画装置及びパターン描画方法ならびにそのプログラムと、そのパターン描画装置を用いて製造されたフォトマスクとその製造方法および半導体集積回路とその製造方法に関する。

従来より、フォトマスクの製造過程においては、リソグラフィやエッチング等により回路パターンのパターン形成プロセスが行なわれている。このパターン形成プロセスにおいて、
（１）リソグラフィによりフォトマスクブランクスに電子ビームを照射して回路パターンの描画を行なう際に、フォトマスクブランクスの透明基板上に塗布されたレジスト層を透過して透明基板に達した電子ビームが、前記レジスト層の中に再入射する後方散乱と呼ばれる現象が発生する。フォトマスクブランクスに描画される回路パターンの密度によっては、前述の電子ビームの後方散乱の影響に起因して、回路パターンの線幅にばらつきが発生することとなる。具体的には、描画した回路パターンの密度が高いほど、電子ビームの後方散乱の影響が大きく、密度が低い回路パターンに比べて電子ビームによる露光量が増加する。この結果、密度の低い回路パターンでは回路パターンの線幅が細くなり、密度の高い回路パターンでは線幅に太りが生じることとなる。

（２）また、エッチングにおいて寸法変動が生じる。この寸法変動は回路パターンにおける疎密差が大きくなるにつれて増大する。具体的には、ドライエッチング工程において、レジストがポジ型レジストの場合、フォトマスクブランクスに形成すべき回路パターンが密な領域よりも疎な領域の方がエッチングに必要な活性種がより多く阻害される現象がある。その結果、回路パターンの密度に依存して所望寸法のパターンが得られなくなる。すなわち、フォトマスクブランクスに形成すべき回路パターンが疎な領域では、ドライエッチングにより形成された回路パターンの寸法が所望のパターン寸法（基になるパターンデータで定まる寸法）より大きくなり、フォトマスクブランクスに形成すべき回路パターンが密な領域では、ドライエッチングにより形成された回路パターンの寸法が所望のパターン寸法より小さくなる。

そして上記（１）は一般的に「近接効果」と呼ばれ、また（２）は一般的に「ローディング効果」と呼ばれている。そして（１）（２）の問題は一般に回路パターンのデータに補正を施すことで対処している。尚、従来技術として、回路パターンのパターンデータを補正する技術が公開されている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００３−１１４５１３号公報

しかしながら、上述のような近接効果やローディング効果を補正するために、回路パターンのパターンデータを補正する方法では、例えばローディング効果の１つであるマイクロローディング効果を補正しようとした場合、回路パターン内の微小な区画全てにわたってパターンデータの補正を行なう計算処理を行なわなければならないので、電子計算機にかかる計算処理の負荷が膨大なものとなり、また、計算処理にも時間がかかってしまう。
また、電子ビームの露光量の増減によって近接効果を補正する方法があるが、電子ビームの露光量の影響には関係のないエッチング処理によって発生するローディング効果の補正を、近接効果の補正における電子ビームの露光量の増減によって行なおうとすると、回路パターンの疎密の差によって、回路パターンの補正の大きさが異なることとなってしまうので、露光量の調節による適切な回路パターンの補正を行うことが出来なかった。

そこでこの発明は、回路パターンの描画されたフォトマスクブランクスの製造過程における近接効果やローディング効果の補正を施す際に、電子計算機にかかる計算処理の負荷を軽減することで当該計算処理にかかる時間を短縮することができ、また露光量の調節によって近接効果とローディング効果の補正を適切に行うことが出来る回路パターンのパターン描画装置及びパターン描画方法ならびにそのプログラム、またそのパターン描画方法により製造されたフォトマスクとその製造方法、およびそのフォトマスクを使用して製造される半導体集積回路とその製造方法を提供することを目的としている。

本発明は、上述の課題を解決すべくなされたもので、フォトマスクブランクスに描画する回路パターンを、近接効果の影響が出る近接効果小区画に分割する近接効果小区画分割手段と、前記回路パターンを、ローディング効果の影響が出るローディング効果小区画に分割するローディング効果小区画分割手段と、回路パターンを前記フォトマスクブランクスに描画する際に、１つの近接効果小区画の回路パターンを描画する前記フォトマスクブランクスの部分に対して、他の近接効果小区画の回路パターンを描画した露光量が影響する影響度を算出し、前記１つの近接効果小区画に対する前記他の近接効果小区画毎の第１影響度マップを、前記近接効果小区画ごとに作成する第１影響度マップ作成手段と、回路パターンを前記フォトマスクブランクスに描画する際に、１つのローディング効果小区画の回路パターンを描画する前記フォトマスクブランクスの部分に対して、他のローディング効果小区画の回路パターンを描画した露光量が影響する影響度を算出し、前記１つのローディング効果小区画に対する前記他のローディング効果小区画毎の第２影響度マップを、前記ローディング効果小区画ごとに作成する第２影響度マップ作成手段と、前記近接効果小区画における回路パターンの面積密度と前記第１影響度マップで表される影響度とに基づいて、１つの近接効果小区画に対する他の近接効果小区画の近接効果の影響を積算した近接効果影響値を全ての近接効果小区画それぞれについて算出する近接効果影響値算出手段と、前記ローディング効果小区画における回路パターンの面積密度と前記第２影響度マップで表される影響度とに基づいて、ローディング効果補正量をローディング効果小区画それぞれについて算出するローディング効果補正量算出手段と、ローディング効果補正量と補正係数との関係を表す補正係数算出表を予め記憶する補正係数算出表記憶手段と、前記算出された各ローディング効果補正量に対応する補正係数を前記補正係数算出表から導き、所定面積密度の回路パターンを適切に描画できる露光量と、前記近接効果影響値と、前記導いた補正係数とに基づいて、前記回路パターンの描画時の露光量を、前記近接効果小区画または前記ローディング効果小区画のうち小さい小区画ごとに算出する露光量算出手段とを備えることを特徴とするパターン描画装置である。

また本発明は、上述のパターン描画装置において、前記ローディング効果はグローバルローディング効果とマイクロローディング効果の２つのローディング効果であり、前記ローディング効果小区画分割手段は、前記回路パターン全体を、前記グローバルローディング効果の影響が出るグローバルローディング効果小区画と、前記マイクロローディング効果の影響が出るマイクロローディング効果小区画とにそれぞれ分割し、前記第２影響度マップ作成手段は、１つのグローバルローディング効果小区画に対する他のグローバルローディング効果小区画毎の第２影響度マップＡを、前記グローバルローディング効果小区画ごとに作成し、また、１つのマイクロローディング効果小区画に対する他のマイクロローディング効果小区画毎の第２影響度マップＢを、前記マイクロローディング効果小区画ごとに作成し、前記ローディング効果補正量算出手段は、前記グローバルローディング効果小区画における回路パターンの面積密度と前記第２影響度マップＡで表される影響度とに基づいて、ローディング効果補正量Ａをグローバルローディング効果小区画それぞれについて算出し、また、前記マイクロローディング効果小区画における回路パターンの面積密度と前記第２影響度マップＢで表される影響度とに基づいて、ローディング効果補正量Ｂをマイクロローディング効果小区画それぞれについて算出し、前記露光量算出手段は、前記算出された前記ローディング効果補正量Ａと前記ローディング効果補正量Ｂの合計値に対応する補正係数を前記補正係数算出表から導き、所定面積密度の回路パターンを適切に描画できる露光量と、前記近接効果影響値と、前記導いた補正係数とに基づいて、前記回路パターンの描画時の露光量を、前記マイクロローディング効果小区画ごとに算出することを特徴とする。

また本発明は、上述の前記補正係数算出表が、所定面積密度の小区画において回路パターンを所定の寸法だけ変化させた時の露光量Ａを用いて他の面積密度の小区画の回路パターンを描画した際の当該回路パターンの寸法と、前記露光量Ａで前記所定面積密度の小区画の回路パターンを描画した際の当該回路パターンの寸法との差がなくなる補正係数を露光量の計算式から求めて、前記所定の寸法との対応関係を表した表であることを特徴とする。

また本発明は、パターン描画装置におけるパターン描画方法であって、フォトマスクブランクスに描画する回路パターンを、近接効果の影響が出る近接効果小区画に分割する近接効果小区画分割過程と、前記回路パターンを、ローディング効果の影響が出るローディング効果小区画に分割するローディング効果小区画分割過程と、回路パターンを前記フォトマスクブランクスに描画する際に、１つの近接効果小区画の回路パターンを描画する前記フォトマスクブランクスの部分に対して、他の近接効果小区画の回路パターンを描画した露光量が影響する影響度を算出し、前記１つの近接効果小区画に対する前記他の近接効果小区画毎の第１影響度マップを、前記近接効果小区画ごとに作成する第１影響度マップ作成過程と、回路パターンを前記フォトマスクブランクスに描画する際に、１つのローディング効果小区画の回路パターンを描画する前記フォトマスクブランクスの部分に対して、他のローディング効果小区画の回路パターンを描画した露光量が影響する影響度を算出し、前記１つのローディング効果小区画に対する前記他のローディング効果小区画毎の第２影響度マップを、前記ローディング効果小区画ごとに作成する第２影響度マップ作成過程と、前記近接効果小区画における回路パターンの面積密度と前記第１影響度マップで表される影響度とに基づいて、１つの近接効果小区画に対する他の近接効果小区画の近接効果の影響を積算した近接効果影響値を全ての近接効果小区画それぞれについて算出する近接効果影響値算出過程と、前記ローディング効果小区画における回路パターンの面積密度と前記第２影響度マップで表される影響度とに基づいて、ローディング効果補正量をローディング効果小区画それぞれについて算出するローディング効果補正量算出過程と、予め記憶するローディング効果補正量と補正係数との関係を表す補正係数算出表から、前記算出された各ローディング効果補正量に対応する補正係数を導き、所定面積密度の回路パターンを適切に描画できる露光量と、前記近接効果影響値と、前記導いた補正係数とに基づいて、前記回路パターンの描画時の露光量を、前記近接効果小区画または前記ローディング効果小区画のうち小さい小区画ごとに算出する露光量算出過程とを有することを特徴とするパターン描画方法である。

また本発明は、パターン描画装置のコンピュータに実行させるプログラムであって、フォトマスクブランクスに描画する回路パターンを、近接効果の影響が出る近接効果小区画に分割する近接効果小区画分割処理と、前記回路パターンを、ローディング効果の影響が出るローディング効果小区画に分割するローディング効果小区画分割処理と、回路パターンを前記フォトマスクブランクスに描画する際に、１つの近接効果小区画の回路パターンを描画する前記フォトマスクブランクスの部分に対して、他の近接効果小区画の回路パターンを描画した露光量が影響する影響度を算出し、前記１つの近接効果小区画に対する前記他の近接効果小区画毎の第１影響度マップを、前記近接効果小区画ごとに作成する第１影響度マップ作成処理と、回路パターンを前記フォトマスクブランクスに描画する際に、１つのローディング効果小区画の回路パターンを描画する前記フォトマスクブランクスの部分に対して、他のローディング効果小区画の回路パターンを描画した露光量が影響する影響度を算出し、前記１つのローディング効果小区画に対する前記他のローディング効果小区画毎の第２影響度マップを、前記ローディング効果小区画ごとに作成する第２影響度マップ作成処理と、前記近接効果小区画における回路パターンの面積密度と前記第１影響度マップで表される影響度とに基づいて、１つの近接効果小区画に対する他の近接効果小区画の近接効果の影響を積算した近接効果影響値を全ての近接効果小区画それぞれについて算出する近接効果影響値算出処理と、前記ローディング効果小区画における回路パターンの面積密度と前記第２影響度マップで表される影響度とに基づいて、ローディング効果補正量をローディング効果小区画それぞれについて算出するローディング効果補正量算出処理と、予め記憶するローディング効果補正量と補正係数との関係を表す補正係数算出表から、前記算出された各ローディング効果補正量に対応する補正係数を導き、所定面積密度の回路パターンを適切に描画できる露光量と、前記近接効果影響値と、前記導いた補正係数とに基づいて、前記回路パターンの描画時の露光量を、前記近接効果小区画または前記ローディング効果小区画のうち小さい小区画ごとに算出する露光量算出処理とをコンピュータに実行させるプログラムである。

また本発明は、フォトマスクブランクスに描画する回路パターンを、近接効果の影響が出る近接効果小区画に分割する近接効果小区画分割ステップと、前記回路パターンを、ローディング効果の影響が出るローディング効果小区画に分割するローディング効果小区画分割ステップと、回路パターンを前記フォトマスクブランクスに描画する際に、１つの近接効果小区画の回路パターンを描画する前記フォトマスクブランクスの部分に対して、他の近接効果小区画の回路パターンを描画した露光量が影響する影響度を算出し、前記１つの近接効果小区画に対する前記他の近接効果小区画毎の第１影響度マップを、前記近接効果小区画ごとに作成する第１影響度マップ作成ステップと、回路パターンを前記フォトマスクブランクスに描画する際に、１つのローディング効果小区画の回路パターンを描画する前記フォトマスクブランクスの部分に対して、他のローディング効果小区画の回路パターンを描画した露光量が影響する影響度を算出し、前記１つのローディング効果小区画に対する前記他のローディング効果小区画毎の第２影響度マップを、前記ローディング効果小区画ごとに作成する第２影響度マップ作成ステップと、前記近接効果小区画における回路パターンの面積密度と前記第１影響度マップで表される影響度とに基づいて、１つの近接効果小区画に対する他の近接効果小区画の近接効果の影響を積算した近接効果影響値を全ての近接効果小区画それぞれについて算出する近接効果影響値算出ステップと、前記ローディング効果小区画における回路パターンの面積密度と前記第２影響度マップで表される影響度とに基づいて、ローディング効果補正量をローディング効果小区画それぞれについて算出するローディング効果補正量算出ステップと、予め記憶するローディング効果補正量と補正係数との関係を表す補正係数算出表から、前記算出された各ローディング効果補正量に対応する補正係数を導き、所定面積密度の回路パターンを適切に描画できる露光量と、前記近接効果影響値と、前記導いた補正係数とに基づいて、前記回路パターンの描画時の露光量を、前記近接効果小区画または前記ローディング効果小区画のうち小さい小区画ごとに算出する露光量算出ステップと、前記回路パターンのパターンデータと前記近接効果小区画または前記ローディング効果小区画のうち小さい小区画ごとに算出した露光量とに基づいて、前記回路パターンを、透明基板上に少なくともパターン形成層とレジスト層を形成したフォトマスクブランクスに描画する描画ステップと、そのフォトマスクブランクスを現像する現像ステップと、前記フォトマスクブランクスの前記レジスト層が現像によって取り除かれた部分の前記パターン形成層をエッチングするエッチングステップと、エッチング後のフォトマスクブランクスのレジスト層を剥膜する剥膜ステップとを有することを特徴とするフォトマスク製造方法である。

また本発明は、フォトマスクブランクスに描画する回路パターンを、近接効果の影響が出る近接効果小区画に分割する近接効果小区画分割ステップと、前記回路パターンを、ローディング効果の影響が出るローディング効果小区画に分割するローディング効果小区画分割ステップと、回路パターンを前記フォトマスクブランクスに描画する際に、１つの近接効果小区画の回路パターンを描画する前記フォトマスクブランクスの部分に対して、他の近接効果小区画の回路パターンを描画した露光量が影響する影響度を算出し、前記１つの近接効果小区画に対する前記他の近接効果小区画毎の第１影響度マップを、前記近接効果小区画ごとに作成する第１影響度マップ作成ステップと、回路パターンを前記フォトマスクブランクスに描画する際に、１つのローディング効果小区画の回路パターンを描画する前記フォトマスクブランクスの部分に対して、他のローディング効果小区画の回路パターンを描画した露光量が影響する影響度を算出し、前記１つのローディング効果小区画に対する前記他のローディング効果小区画毎の第２影響度マップを、前記ローディング効果小区画ごとに作成する第２影響度マップ作成ステップと、前記近接効果小区画における回路パターンの面積密度と前記第１影響度マップで表される影響度とに基づいて、１つの近接効果小区画に対する他の近接効果小区画の近接効果の影響を積算した近接効果影響値を全ての近接効果小区画それぞれについて算出する近接効果影響値算出ステップと、前記ローディング効果小区画における回路パターンの面積密度と前記第２影響度マップで表される影響度とに基づいて、ローディング効果補正量をローディング効果小区画それぞれについて算出するローディング効果補正量算出ステップと、予め記憶するローディング効果補正量と補正係数との関係を表す補正係数算出表から、前記算出された各ローディング効果補正量に対応する補正係数を導き、所定面積密度の回路パターンを適切に描画できる露光量と、前記近接効果影響値と、前記導いた補正係数とに基づいて、前記回路パターンの描画時の露光量を、前記近接効果小区画または前記ローディング効果小区画のうち小さい小区画ごとに算出する露光量算出ステップと、前記回路パターンのパターンデータと前記近接効果小区画または前記ローディング効果小区画のうち小さい小区画ごとに算出した露光量とに基づいて、前記回路パターンを、透明基板上に少なくともパターン形成層とレジスト層を形成したフォトマスクブランクスに描画する描画ステップと、そのフォトマスクブランクスを現像する現像ステップと、前記フォトマスクブランクスの前記レジスト層が現像によって取り除かれた部分の前記パターン形成層をエッチングするエッチングステップと、エッチング後のフォトマスクブランクスのレジスト層を剥膜する剥膜ステップとを有するフォトマスク製造方法を用いて製造されたフォトマスクである。

また本発明は、上述のフォトマスクを通してレジスト層と被加工層を表面に形成した基板上に光を照射するステップを有することを特徴とする半導体集積回路の製造方法である。

また本発明は、上述のフォトマスクの製造方法を用いて製造された半導体集積回路である。

以上説明したように、本発明によれば、近接効果小区画分割手段が回路パターンを近接効果小区画に分割し、ローディング効果小区画分割手段が回路パターンをローディング効果小区画に分割し、第１影響度マップ作成手段が第１影響度マップを作成し、第２影響度マップ作成手段が第２影響度マップを作成する。そして、近接効果影響値算出手段が近接効果影響値を全ての近接効果小区画それぞれについて算出し、ローディング効果補正量算出手段がローディング効果補正量をローディング効果小区画それぞれについて算出する。また露光量算出手段が、算出された各ローディング効果補正量に対応する補正係数を導き、所定面積密度の回路パターンを適切に描画できる露光量と、近接効果影響値と、導いた補正係数とに基づいて、回路パターンの描画時の露光量を近接効果小区画またはローディング効果小区画のうち小さい小区画ごとに算出する。
これにより、回路パターン内の微小な区画全てにわたってパターンデータの補正を行なう必要がなく、近接効果小区画またはローディング効果小区画のうち小さい小区画ごとの露光量を算出すれば、元の回路パターンのパターンデータを用いてパターンの補正が可能となる。これにより、電子計算機にかかる計算処理の負荷を軽減することで当該計算処理にかかる時間を短縮することができる。
また本発明は、所定面積密度の小区画において回路パターンを所定の寸法だけ変化させた時の露光量Ａを用いて他の面積密度の小区画の回路パターンを描画した際の当該回路パターンの寸法と、前記露光量Ａで所定面積密度の小区画の回路パターンを描画した際の当該回路パターンの寸法との差がなくなる補正係数を露光量の計算式から求めて、前記所定の寸法との対応関係を表した補正係数算出表を予め記憶し、ローディング効果補正量に対応する補正係数を補正係数算出表から導いて、露光量の計算式に代入して各小区画ごとの露光量を計算するので、近接効果とローディング効果の補正を露光量の調節だけで適切に行うことが出来る。

以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明する。ただし、以下の実施の形態は特許請求の範囲に記載された発明を限定するものではなく、また実施の形態の中で説明されている特徴の組み合わせのすべてが発明の解決手段に必要であるとは限らない。
まず、本発明の一実施形態におけるパターンデータ出力装置を具備するパターン描画装置の概略構成について図を用いて説明する。

図１は、本発明の一実施形態によるパターンデータ出力装置を具備するパターン描画装置の概略構成を示すブロック図である。この図において符号１０は、フォトマスクブランクス１２へ回路パターンを描画してパターン描画済みのフォトマスクブランクス１３を製造するパターン描画部１１と、上述した回路パターンを描画する際の露光量（Ｄ）の調整を行ない、また回路パターンのパターンデータと回路パターンを描画する際の電子ビームの露光量をパターン描画部１１へ通知するパターンデータ出力装置１４とを少なくとも具備するパターン描画装置である。尚フォトマスクブランクスは石英などの透明基板にパターン形成層｛例えば遮光層（金属の薄い膜。例えばクロム（Ｃｒ）など）｝とレジスト層（光や電子線を照射する事により、現像液への溶解性が変化する材料）を形成したものである。

図１に示すように、パターン描画装置１０のパターン描画部１１は、パターンデータ出力装置１４が出力するパターンデータの回路パターンをフォトマスクブランクス１２へ描画して、パターン描画済みのフォトマスクブランクス１３を製造する。尚、パターン描画部１１は、パターン描画済みのフォトマスクブランクス１３を製造する為の装置であればよく、機種や台数は任意でよい。また、図示するようにパターン描画装置１０が、パターンデータ出力装置１４を具備する構成に限らず、パターンデータを授受できる構成であればよい。

次に、本発明の一実施形態におけるパターンデータ出力装置１４の内部構成について図を用いて説明する。
図２は、本発明の一実施形態によるパターンデータ出力装置１４の概略構成を示すブロック図である。この図において符号２１は、外部からフォトマスクブランクス１２へ描画する回路パターンのパターンデータの入力を受け付ける入力処理部である。この入力処理部２１は、パターンデータが記録媒体を介して入力される場合は記録媒体読取機能を具備してもよく、ネットワーク経由でパターンデータを受信する機能を具備してもよい。また２２は、パターンデータを一時記憶するパターンデータ一時記憶部である。また２３は、入力処理部２１より入力されたパターンデータによって表される回路パターンを所定の小区画に分割する分割処理部である。

また２４は影響度マップを作成する影響度マップ作成部である。この影響度マップについての詳細は後述するが、パターンデータを用いてフォトマスクブランクスに回路パターンを描画する際に、回路パターンにおける１つの小区画に、他の小区画に照射された電子ビームの露光量が影響する度合いを示すマップである。また２５は影響度マップから近接効果影響値（α）を算出する近接効果影響値算出部である。また２６は各小区画におけるローディング効果の影響を考慮した回路パターンの補正量｛ローディング効果補正量（ΔＣＤ）｝を計算するローディング効果補正量算出部である。また２７は各小区画における露光量（Ｄ）を算出する露光量算出部である。また２８はパターンデータ一時記憶部で記憶しているパターンデータと露光量算出部２７が算出した各小区画の露光量を出力する出力処理部である。

そして、パターンデータ出力装置１４は、入力したパターンデータと当該パターンデータによって表される回路パターンの各小区画ごとの露光量とをパターン描画部１１に出力し、パターン描画部１１が回路パターンをフォトマスクブランクス１２に描画してパターン描画済みのフォトマスクブランクスが作成される。

次に、パターンデータによって表される回路パターンの分割について説明する。
分割処理部２３はパターンデータによって表される回路パターンを、近接効果小区画（近接効果の影響が出る小区画）と、グローバルローディング効果小区画（グローバルローディング効果の影響がでる小区画）と、マイクロローディング効果小区画（マイクロローディング効果の影響がでる小区画）とにそれぞれ分割する。なおグローバルローディング効果とマイクロローディング効果とは、それぞれ異なるローディング効果のことである。このローディン効果の違いについては公知のため、その記述を省略する。

図３は回路パターンにおける小区画の例を示す図である。
この図は回路パターンの一部において、当該パターンを近接効果小区画とグローバルローディング効果小区画とマイクロローディング効果小区画とに分割している。グローバルローディング効果小区画は回路パターンを５００μｍ四方の正方形に分割した小区画であり、また近接効果小区画は回路パターンを０．５μｍ四方の正方形に分割した小区画であり、またマイクロローディング効果小区画は回路パターンを５０ｎｍ四方の正方形に分割した小区画である。そして、分割処理部２３はパターンデータによって表される回路パターン全体を、近接効果小区画ごとに分割した情報と、グローバルローディング効果小区画ごとに分割した情報と、マイクロローディング効果小区画ごとに分割した情報とを生成する。

また、影響度マップについて説明する。図４は影響度マップの例を示す図である。この図が示すように、影響度マップの情報は、分割処理部２３が分割した回路パターンの小区画において、縦横７個ずつ、合計４９の小区画を示す範囲（１，１）〜（７，７）を指定し、その範囲の各小区画（他の小区画）が小区画（４，４）に影響を与える影響度（Ｅ）の情報を保持している。この影響度は、小区画（４，４）の回路パターンを描画するフォトマスクブランクスの部分に対して、（１，１）〜（７，７）の範囲の各小区画の回路パターンを描画した露光量が影響する値である。そして影響度マップ作成部２４が、影響度を算出して、各小区画１つずつにこの影響度マップを作成する。つまり、影響度マップ作成部２４は、グローバルローディング効果小区画、近接効果小区画、マイクロローディング効果小区画のそれぞれについて、各小区画ごとの影響度マップを作成する。
なお、図３において記されている％の値は、各小区画における回路パターンの面積密度を表す値である。

次に、上述したパターンデータ出力装置１４の処理について説明する。
図５は、本発明の一実施形態によるパターンデータ出力装置１４の処理を示すフロー図である。まず、パターンデータが入力処理部２１へ入力される（ステップＳ１）。すると、入力したパターンデータはパターンデータ一時記憶部２２に記録される。次に、分割処理部２３がパターンデータ一時記憶部２２からパターンデータを読み取り、パターンデータで表される回路パターン全体を、グローバルローディング効果小区画、近接効果小区画、マイクロローディング効果小区画にそれぞれ分割する（ステップＳ２）。

次に、影響度マップ作成部２４が、回路パターン全体における各グローバルローディング効果小区画それぞれについての影響度マップの作成、また回路パターン全体における近接効果小区画それぞれについての影響度マップの作成、また回路パターン全体におけるマイクロローディング効果小区画それぞれについての影響度マップの作成を行なう（ステップＳ３）。

次に、近接効果影響値算出部２５が、近接効果小区画それぞれについての影響度マップを用いて、近接効果小区画のそれぞれについての近接効果影響値（α）を算出する（ステップＳ４）。１つの近接効果小区画を（ｉ_ａ，ｊ_ａ）とすると、影響度マップの（４，４）に対する小区画への（１，１）〜（７，７）の近接効果影響値は、次の式によって求められる。

なお上述の式（１）において倍率Ａは、近接効果影響値αが１００を超えないようにする為の任意の倍率値である。

次に、ローディング効果補正量算出部２６が、グローバルローディング効果小区画それぞれについての影響度マップから、グローバルローディング効果の影響を考慮した回路パターンの補正量（グローバルローディング効果補正量：ΔＣＤ_ｂ）をグローバルローディング効果小区画毎に算出し、また、マイクロローディング効果小区画それぞれについての影響度マップから、マイクロローディング効果の影響を考慮した回路パターンの補正量（マイクロローディング効果補正量：ΔＣＤ_ｃ）をマイクロローディング効果小区画毎に算出する。なおグローバルローディング効果小区画を（ｉ_ｂ，ｊ_ｂ）、マイクロローディング効果小区画を（ｉ_ｃ，ｊ_ｃ）で表すとする。ここで、ΔＣＤ_ｂ、ΔＣＤ_ｃはそれぞれ式（２）、式（３）によって求められる。

なお上述の式（２）、式（３）は式（１）の倍率Ａを、ΔＣＤ_ｂ、ΔＣＤ_ｃを算出するために倍率Ｂに変更した式である。
そして、ローディング効果補正量算出部２６はΔＣＤ_ｂにΔＣＤ_ｃを加算して、合計のローディング効果補正量ΔＣＤを算出し（ステップＳ５）、小区画の一番小さいマイクロローディング効果小区画毎にローディング効果補正量ΔＣＤ（ｉ_ｃ´、ｊ_ｃ´）を保持する。つまり、回路パターンにおける同じ位置で重なっているグローバルローディング効果小区画（ｉ_ｂ，ｊ_ｂ）とマイクロローディング効果小区画（ｉ_ｃ，ｊ_ｃ）の補正量を加算して、ローディング効果補正量ΔＣＤをそれぞれ算出し、保持する。

次に、露光量算出部２７が、近接効果影響値αとローディング効果補正量ΔＣＤとを用いて、小区画の一番小さいマイクロローディング効果小区画毎の露光量Ｄを算出する（ステップＳ６）。マイクロローディング効果小区画（ｉ_ｃ、ｊ_ｃ）における露光量Ｄは、そのマイクロローディング効果小区画における近接効果影響値をα（ｉ_ｃ、ｊ_ｃ）、補正係数をη（ｉ_ｃ、ｊ_ｃ）、ローディング効果補正量をΔＣＤ（ｉ_ｃ´、ｊ_ｃ´）とすると、次の式で求められる。

ここで式（４）は、面積密度５０％（所定面積密度）の回路パターンを適切に描画できる露光量（Ｄ５０％）と、近接効果影響値αと、補正係数η（ｉ_ｃ、ｊ_ｃ）とに基づいて、マイクロローディング効果小区画（ｉ_ｃ、ｊ_ｃ）ごとの露光量Ｄを算出しているが、面積密度５０％の回路パターンを適切に描画できる露光量（Ｄ５０％）を用いる代わりに、他の面積密度の回路パターンを適切に描画できる露光量を用いて計算するようにしても良い。また式（４）において、補正係数η（ｉ_ｃ、ｊ_ｃ）は、予め露光量算出部２７が記憶する補正係数算出表において、マイクロローディング効果小区画ごとのローディング効果補正量ΔＣＤ（ｉ_ｃ´、ｊ_ｃ´）に対応する補正係数η（ｉ_ｃ、ｊ_ｃ）の値である。図６にη（ｉ_ｃ、ｊ_ｃ）の補正係数算出表を示す。

図６の補正係数算出表には、参考の為、従来の近接効果補正の後方散乱係数η´も示した。従来、近接効果だけを補正する場合には、式（４）における補正係数η（ｉ_ｃ、ｊ_ｃ）の代わりに後方散乱係数η´を用いており、この後方散乱係数η´の値は一定として、近接効果を施す際の各小区画の露光量Ｄを計算していた。しかしながら、近接効果補正を行なうだけであれば、式（４）のη（ｉ_ｃ、ｊ_ｃ）の代わりとして、値が一定の後方散乱係数η´を用いることで問題がなかったが、式（４）を用いて、近接効果補正と共にローディング効果補正（グローバルローディング効果とマイクロローディング効果両方の補正）も考慮した露光量Ｄを算出する場合には、値が一定のη´を用いずに、ローディング効果補正量ΔＣＤの大きさに応じて、値を変化させた補正係数η（ｉ_ｃ、ｊ_ｃ）を利用しなければならない。これは、値が一定の後方散乱係数η´を用いて近接効果補正と共にローディング効果補正を行う為の露光量Ｄを計算した場合、面積密度が５０％よりも高い小区画では、面積密度が５０％の小区画での回路パターンの補正量よりも補正量がが大きくなってしまう露光量Ｄが算出されてしまい、また面積密度が５０％よりも低い小区画では、面積密度が５０％の小区画における回路パターンの補正量よりも補正量の値が小さくなってしまう露光量Ｄが算出されてしまう現象を回避するためである。従って、近接効果補正と共にローディング効果補正を行なう露光量として式（４）を用いる場合には、ΔＣＤの値に応じて値が変化する補正係数η（ｉ_ｃ、ｊ_ｃ）を後方散乱係数η´の代わりに使用する。ここで、補正係数算出表は、面積密度５０％（所定面積密度）の小区画において回路パターンを所定の寸法（ΔＣＤ）だけ変化させた時の露光量（Ｄ５０％）を用いて他の面積密度の小区画の回路パターンを描画した際の当該回路パターンの寸法と、前記Ｄ５０％の露光量で面積密度５０％の小区画の回路パターンを描画した際の当該回路パターンの寸法との差がなくなる補正係数η（ｉ_ｃ、ｊ_ｃ）を露光量の計算式から求めて、前記所定の寸法（ΔＣＤ）との対応関係を表した表である。

そして、露光量算出部２７が、各マイクロローディング効果小区画（ｉ_ｃ、ｊ_ｃ）における露光量Ｄを算出すると、出力処理部２８がパターンデータ一時記憶部２２に記録されているパターンデータと、各マイクロローディング効果小区画（ｉ_ｃ、ｊ_ｃ）における露光量Ｄとをパターン描画部１１に出力する（ステップＳ７）。

次に、パターン描画済みのフォトマスクブランクスが製造されるまでの工程を図７を用いて説明する。
図７はフォトマスクが製造されるまでの工程を示す図である。
まず、パターン描画装置１０のパターン描画部１１はパターンデータ出力装置１４から受け付けたパターンデータと各小区画ごとの露光量を用いて、パターンデータの示す回路パターンを、フォトマスクブランクス１２に描画する。このパターンの描画は光（例えば、紫外線、ｇ線、ｉ線、Deep−ＵＶ線、エキシマレーザー光、Ｘ線など）や電子線などをパターンにあわせてフォトマスクブランクス１２に照射することである。尚、光や電子線を照射した部分のフォトマスクブランクスのレジスト層が感光する。そして次に、現像工程において、レジスト層の感光した部分を取り除く。次にエッチング工程においてレジスト層が取り除かれた部分のパターン形成層を除去するエッチングを行い、さらに、レジスト剥膜工程においてフォトマスクブランクスに塗布されているレジスト層を剥膜することにより、フォトマスク１５が製造される。なお現像工程とエッチング工程とレジスト剥膜工程はそれぞれの専用装置（現像装置、エッチング装置、レジスト剥膜装置）で行われる。また、このフォトマスクの製造工程はフォトマスクブランクスにポジ型レジストを用いた場合の工程を示しているが、ネガ型レジストを用いるようにしてもよい。

そして製造されたフォトマスク１５を用いて、シリコンウエハ基板に電子回路のパターンが転写される。なお電子回路のパターンの転写は半導体製造工場などで行われる。このパターン転写方法においては、例えば、まず被加工層を表面に形成したシリコンウエハ基板上にフォトレジスト層を設け、上述の製造したフォトマスク１５を介して、光をパターンデータの示すパターンで照射する。そして、現像工程において、シリコンウエハ基板上の不必要な部分のフォトレジスト層を除去し、シリコンウエハ基板上にパターンニングされたフォトレジスト膜を形成させたのち、このパターンニングされたフォトレジスト膜をマスクとして被加工層をエッチング処理する。次いで、パターンニングされたフォトレジスト膜を除去する。これにより、フォトマスクのパターンが忠実にシリコンウエハ基板の表面の被加工層に転写される。
そしてシリコンウエハ基板上へのパターン転写が終了すると、その上に新たに別の被加工層を形成した後、上記と同様の処置を施す。これらの工程を反復することにより半導体集積回路が製造される。

尚、図２において各種処理を行う処理部の機能を実現する為のプログラムをコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録して、この記録媒体に記録されたプログラムをコンピュータシステムに読み込ませ、実行することにより各処理を行っても良い。なお、ここでいう「コンピュータシステム」とは、ＯＳや周辺機器等のハードウェアを含むものとする。
また、「コンピュータシステム」とは、ＷＷＷシステムを利用している場合であれば、ホームページ提供環境（あるいは表示環境）も含むものとする。

また、「コンピュータ読み取り可能な記録媒体」とは、フレキシブルディスク、光磁気ディスク、ＲＯＭ、ＣＤ−ＲＯＭ等の可搬媒体、コンピュータシステムに内蔵されるハードディスク等の記憶装置のことをいう。さらに「コンピュータ読み取り可能な記録媒体」とは、インターネット等のネットワークや電話回線等の通信回線を介してプログラムが送信された場合のサーバやクライアントとなるコンピュータシステム内部の揮発メモリ（ＲＡＭ）のように、一定時間プログラムを保持しているものも含むものとする。

また、上記プログラムは、このプログラムを記憶装置等に格納したコンピュータシステムから、伝送媒体を介して、あるいは、伝送媒体中の伝送波により他のコンピュータシステムに伝送されてもよい。ここで、プログラムを伝送する「伝送媒体」は、インターネット等のネットワーク（通信網）や電話回線等の通信回線（通信線）のように情報を伝送する機能を有する媒体のことをいう。
また、上記プログラムは、前述した機能の一部を実現する為のものであっても良い。さらに、前述した機能をコンピュータシステムに既に記録されているプログラムとの組み合わせで実現できるもの、いわゆる差分ファイル（差分プログラム）であっても良い。
以上、この発明の実施形態について図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計等も含まれる。

本発明の一実施形態によるパターン描画装置の概略構成を示すブロック図である。本実施形態によるパターンデータ出力装置の概略構成を示すブロック図である。本実施形態による回路パターンにおける小区画の例を示す図である。本実施形態による影響度マップの例を示す図である。本実施形態によるパターンデータ出力装置の処理を示すフロー図である。本実施形態による補正係数算出表を示す図である。本実施形態によるフォトマスクが製造されるまでの工程を示す図である。

符号の説明

１０・・・パターン描画装置、１１・・・パターン描画部、１２・・・フォトマスクブランクス、１３・・・パターン描画済みのフォトマスクブランクス、１４・・・パターンデータ出力装置、２１・・・入力処理部、２２・・・パターンデータ一時記憶部、２３・・・分割処理部、２４・・・影響度マップ作成部、２５・・・近接効果影響値算出部、２６・・・ローディング効果補正量算出部、２７・・・露光量算出部、２８・・・出力処理部

Claims

フォトマスクブランクスに描画する回路パターンを、近接効果の影響が出る近接効果小区画に分割する近接効果小区画分割手段と、
前記回路パターンを、ローディング効果の影響が出るローディング効果小区画に分割するローディング効果小区画分割手段と、
回路パターンを前記フォトマスクブランクスに描画する際に、１つの近接効果小区画の回路パターンを描画する前記フォトマスクブランクスの部分に対して、他の近接効果小区画の回路パターンを描画した露光量が影響する影響度を算出し、前記１つの近接効果小区画に対する前記他の近接効果小区画毎の第１影響度マップを、前記近接効果小区画ごとに作成する第１影響度マップ作成手段と、
回路パターンを前記フォトマスクブランクスに描画する際に、１つのローディング効果小区画の回路パターンを描画する前記フォトマスクブランクスの部分に対して、他のローディング効果小区画の回路パターンを描画した露光量が影響する影響度を算出し、前記１つのローディング効果小区画に対する前記他のローディング効果小区画毎の第２影響度マップを、前記ローディング効果小区画ごとに作成する第２影響度マップ作成手段と、
前記近接効果小区画における回路パターンの面積密度と前記第１影響度マップで表される影響度とに基づいて、１つの近接効果小区画に対する他の近接効果小区画の近接効果の影響を積算した近接効果影響値を全ての近接効果小区画それぞれについて算出する近接効果影響値算出手段と、
前記ローディング効果小区画における回路パターンの面積密度と前記第２影響度マップで表される影響度とに基づいて、ローディング効果補正量をローディング効果小区画それぞれについて算出するローディング効果補正量算出手段と、
ローディング効果補正量と補正係数との関係を表す補正係数算出表を予め記憶する補正係数算出表記憶手段と、
前記算出された各ローディング効果補正量に対応する補正係数を前記補正係数算出表から導き、所定面積密度の回路パターンを適切に描画できる露光量と、前記近接効果影響値と、前記導いた補正係数とに基づいて、前記回路パターンの描画時の露光量を、前記近接効果小区画または前記ローディング効果小区画のうち小さい小区画ごとに算出する露光量算出手段と、
を備えることを特徴とするパターン描画装置。
前記ローディング効果はグローバルローディング効果とマイクロローディング効果の２つのローディング効果であり、
前記ローディング効果小区画分割手段は、前記回路パターン全体を、前記グローバルローディング効果の影響が出るグローバルローディング効果小区画と、前記マイクロローディング効果の影響が出るマイクロローディング効果小区画とにそれぞれ分割し、
前記第２影響度マップ作成手段は、１つのグローバルローディング効果小区画に対する他のグローバルローディング効果小区画毎の第２影響度マップＡを、前記グローバルローディング効果小区画ごとに作成し、また、１つのマイクロローディング効果小区画に対する他のマイクロローディング効果小区画毎の第２影響度マップＢを、前記マイクロローディング効果小区画ごとに作成し、
前記ローディング効果補正量算出手段は、前記グローバルローディング効果小区画における回路パターンの面積密度と前記第２影響度マップＡで表される影響度とに基づいて、ローディング効果補正量Ａをグローバルローディング効果小区画それぞれについて算出し、また、前記マイクロローディング効果小区画における回路パターンの面積密度と前記第２影響度マップＢで表される影響度とに基づいて、ローディング効果補正量Ｂをマイクロローディング効果小区画それぞれについて算出し、
前記露光量算出手段は、前記算出された前記ローディング効果補正量Ａと前記ローディング効果補正量Ｂの合計値に対応する補正係数を前記補正係数算出表から導き、所定面積密度の回路パターンを適切に描画できる露光量と、前記近接効果影響値と、前記導いた補正係数とに基づいて、前記回路パターンの描画時の露光量を、前記マイクロローディング効果小区画ごとに算出する
ことを特徴とする請求項１に記載のパターン描画装置。
前記補正係数算出表は、所定面積密度の小区画において回路パターンを所定の寸法だけ変化させた時の露光量Ａを用いて他の面積密度の小区画の回路パターンを描画した際の当該回路パターンの寸法と、前記露光量Ａで前記所定面積密度の小区画の回路パターンを描画した際の当該回路パターンの寸法との差がなくなる補正係数を露光量の計算式から求めて、前記所定の寸法との対応関係を表した表である
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のパターン描画装置。
パターン描画装置におけるパターン描画方法であって、
フォトマスクブランクスに描画する回路パターンを、近接効果の影響が出る近接効果小区画に分割する近接効果小区画分割過程と、
前記回路パターンを、ローディング効果の影響が出るローディング効果小区画に分割するローディング効果小区画分割過程と、
回路パターンを前記フォトマスクブランクスに描画する際に、１つの近接効果小区画の回路パターンを描画する前記フォトマスクブランクスの部分に対して、他の近接効果小区画の回路パターンを描画した露光量が影響する影響度を算出し、前記１つの近接効果小区画に対する前記他の近接効果小区画毎の第１影響度マップを、前記近接効果小区画ごとに作成する第１影響度マップ作成過程と、
回路パターンを前記フォトマスクブランクスに描画する際に、１つのローディング効果小区画の回路パターンを描画する前記フォトマスクブランクスの部分に対して、他のローディング効果小区画の回路パターンを描画した露光量が影響する影響度を算出し、前記１つのローディング効果小区画に対する前記他のローディング効果小区画毎の第２影響度マップを、前記ローディング効果小区画ごとに作成する第２影響度マップ作成過程と、
前記近接効果小区画における回路パターンの面積密度と前記第１影響度マップで表される影響度とに基づいて、１つの近接効果小区画に対する他の近接効果小区画の近接効果の影響を積算した近接効果影響値を全ての近接効果小区画それぞれについて算出する近接効果影響値算出過程と、
前記ローディング効果小区画における回路パターンの面積密度と前記第２影響度マップで表される影響度とに基づいて、ローディング効果補正量をローディング効果小区画それぞれについて算出するローディング効果補正量算出過程と、
予め記憶するローディング効果補正量と補正係数との関係を表す補正係数算出表から、前記算出された各ローディング効果補正量に対応する補正係数を導き、所定面積密度の回路パターンを適切に描画できる露光量と、前記近接効果影響値と、前記導いた補正係数とに基づいて、前記回路パターンの描画時の露光量を、前記近接効果小区画または前記ローディング効果小区画のうち小さい小区画ごとに算出する露光量算出過程と、
を有することを特徴とするパターン描画方法。
パターン描画装置のコンピュータに実行させるプログラムであって、
フォトマスクブランクスに描画する回路パターンを、近接効果の影響が出る近接効果小区画に分割する近接効果小区画分割処理と、
前記回路パターンを、ローディング効果の影響が出るローディング効果小区画に分割するローディング効果小区画分割処理と、
回路パターンを前記フォトマスクブランクスに描画する際に、１つの近接効果小区画の回路パターンを描画する前記フォトマスクブランクスの部分に対して、他の近接効果小区画の回路パターンを描画した露光量が影響する影響度を算出し、前記１つの近接効果小区画に対する前記他の近接効果小区画毎の第１影響度マップを、前記近接効果小区画ごとに作成する第１影響度マップ作成処理と、
回路パターンを前記フォトマスクブランクスに描画する際に、１つのローディング効果小区画の回路パターンを描画する前記フォトマスクブランクスの部分に対して、他のローディング効果小区画の回路パターンを描画した露光量が影響する影響度を算出し、前記１つのローディング効果小区画に対する前記他のローディング効果小区画毎の第２影響度マップを、前記ローディング効果小区画ごとに作成する第２影響度マップ作成処理と、
前記近接効果小区画における回路パターンの面積密度と前記第１影響度マップで表される影響度とに基づいて、１つの近接効果小区画に対する他の近接効果小区画の近接効果の影響を積算した近接効果影響値を全ての近接効果小区画それぞれについて算出する近接効果影響値算出処理と、
前記ローディング効果小区画における回路パターンの面積密度と前記第２影響度マップで表される影響度とに基づいて、ローディング効果補正量をローディング効果小区画それぞれについて算出するローディング効果補正量算出処理と、
予め記憶するローディング効果補正量と補正係数との関係を表す補正係数算出表から、前記算出された各ローディング効果補正量に対応する補正係数を導き、所定面積密度の回路パターンを適切に描画できる露光量と、前記近接効果影響値と、前記導いた補正係数とに基づいて、前記回路パターンの描画時の露光量を、前記近接効果小区画または前記ローディング効果小区画のうち小さい小区画ごとに算出する露光量算出処理と、
をコンピュータに実行させるプログラム。
フォトマスクブランクスに描画する回路パターンを、近接効果の影響が出る近接効果小区画に分割する近接効果小区画分割ステップと、
前記回路パターンを、ローディング効果の影響が出るローディング効果小区画に分割するローディング効果小区画分割ステップと、
回路パターンを前記フォトマスクブランクスに描画する際に、１つの近接効果小区画の回路パターンを描画する前記フォトマスクブランクスの部分に対して、他の近接効果小区画の回路パターンを描画した露光量が影響する影響度を算出し、前記１つの近接効果小区画に対する前記他の近接効果小区画毎の第１影響度マップを、前記近接効果小区画ごとに作成する第１影響度マップ作成ステップと、
回路パターンを前記フォトマスクブランクスに描画する際に、１つのローディング効果小区画の回路パターンを描画する前記フォトマスクブランクスの部分に対して、他のローディング効果小区画の回路パターンを描画した露光量が影響する影響度を算出し、前記１つのローディング効果小区画に対する前記他のローディング効果小区画毎の第２影響度マップを、前記ローディング効果小区画ごとに作成する第２影響度マップ作成ステップと、
前記近接効果小区画における回路パターンの面積密度と前記第１影響度マップで表される影響度とに基づいて、１つの近接効果小区画に対する他の近接効果小区画の近接効果の影響を積算した近接効果影響値を全ての近接効果小区画それぞれについて算出する近接効果影響値算出ステップと、
前記ローディング効果小区画における回路パターンの面積密度と前記第２影響度マップで表される影響度とに基づいて、ローディング効果補正量をローディング効果小区画それぞれについて算出するローディング効果補正量算出ステップと、
予め記憶するローディング効果補正量と補正係数との関係を表す補正係数算出表から、前記算出された各ローディング効果補正量に対応する補正係数を導き、所定面積密度の回路パターンを適切に描画できる露光量と、前記近接効果影響値と、前記導いた補正係数とに基づいて、前記回路パターンの描画時の露光量を、前記近接効果小区画または前記ローディング効果小区画のうち小さい小区画ごとに算出する露光量算出ステップと、
前記回路パターンのパターンデータと前記近接効果小区画または前記ローディング効果小区画のうち小さい小区画ごとに算出した露光量とに基づいて、前記回路パターンを、透明基板上に少なくともパターン形成層とレジスト層を形成したフォトマスクブランクスに描画する描画ステップと、
そのフォトマスクブランクスを現像する現像ステップと、
前記フォトマスクブランクスの前記レジスト層が現像によって取り除かれた部分の前記パターン形成層をエッチングするエッチングステップと、
エッチング後のフォトマスクブランクスのレジスト層を剥膜する剥膜ステップと
を有することを特徴とするフォトマスク製造方法。
フォトマスクブランクスに描画する回路パターンを、近接効果の影響が出る近接効果小区画に分割する近接効果小区画分割ステップと、
前記回路パターンを、ローディング効果の影響が出るローディング効果小区画に分割するローディング効果小区画分割ステップと、
回路パターンを前記フォトマスクブランクスに描画する際に、１つの近接効果小区画の回路パターンを描画する前記フォトマスクブランクスの部分に対して、他の近接効果小区画の回路パターンを描画した露光量が影響する影響度を算出し、前記１つの近接効果小区画に対する前記他の近接効果小区画毎の第１影響度マップを、前記近接効果小区画ごとに作成する第１影響度マップ作成ステップと、
回路パターンを前記フォトマスクブランクスに描画する際に、１つのローディング効果小区画の回路パターンを描画する前記フォトマスクブランクスの部分に対して、他のローディング効果小区画の回路パターンを描画した露光量が影響する影響度を算出し、前記１つのローディング効果小区画に対する前記他のローディング効果小区画毎の第２影響度マップを、前記ローディング効果小区画ごとに作成する第２影響度マップ作成ステップと、
前記近接効果小区画における回路パターンの面積密度と前記第１影響度マップで表される影響度とに基づいて、１つの近接効果小区画に対する他の近接効果小区画の近接効果の影響を積算した近接効果影響値を全ての近接効果小区画それぞれについて算出する近接効果影響値算出ステップと、
前記ローディング効果小区画における回路パターンの面積密度と前記第２影響度マップで表される影響度とに基づいて、ローディング効果補正量をローディング効果小区画それぞれについて算出するローディング効果補正量算出ステップと、
予め記憶するローディング効果補正量と補正係数との関係を表す補正係数算出表から、前記算出された各ローディング効果補正量に対応する補正係数を導き、所定面積密度の回路パターンを適切に描画できる露光量と、前記近接効果影響値と、前記導いた補正係数とに基づいて、前記回路パターンの描画時の露光量を、前記近接効果小区画または前記ローディング効果小区画のうち小さい小区画ごとに算出する露光量算出ステップと、
前記回路パターンのパターンデータと前記近接効果小区画または前記ローディング効果小区画のうち小さい小区画ごとに算出した露光量とに基づいて、前記回路パターンを、透明基板上に少なくともパターン形成層とレジスト層を形成したフォトマスクブランクスに描画する描画ステップと、
そのフォトマスクブランクスを現像する現像ステップと、
前記フォトマスクブランクスの前記レジスト層が現像によって取り除かれた部分の前記パターン形成層をエッチングするエッチングステップと、
エッチング後のフォトマスクブランクスのレジスト層を剥膜する剥膜ステップと
を有するフォトマスク製造方法を用いて製造されたフォトマスク。
請求項７のフォトマスクを通してレジスト層と被加工層を表面に形成した基板上に光を照射するステップ
を有することを特徴とする半導体集積回路の製造方法。
請求項８に記載の製造方法を用いて製造された半導体集積回路。